JPH1065466A - 複数バンド増幅器 - Google Patents

複数バンド増幅器

Info

Publication number
JPH1065466A
JPH1065466A JP9145658A JP14565897A JPH1065466A JP H1065466 A JPH1065466 A JP H1065466A JP 9145658 A JP9145658 A JP 9145658A JP 14565897 A JP14565897 A JP 14565897A JP H1065466 A JPH1065466 A JP H1065466A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
impedance
amplifier
frequency
stage
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9145658A
Other languages
English (en)
Inventor
Aadaa Allon
アーダー アーロン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ANADEIJITSUKUSU Inc
Original Assignee
ANADEIJITSUKUSU Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ANADEIJITSUKUSU Inc filed Critical ANADEIJITSUKUSU Inc
Publication of JPH1065466A publication Critical patent/JPH1065466A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/403—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
    • H04B1/406—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency with more than one transmission mode, e.g. analog and digital modes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/39—Different band amplifiers are coupled in parallel to broadband the whole amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/429—Two or more amplifiers or one amplifier with filters for different frequency bands are coupled in parallel at the input or output
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/432—Two or more amplifiers of different type are coupled in parallel at the input or output, e.g. a class D and a linear amplifier, a class B and a class A amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7215—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch at the input of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7221—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch at the output of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7227—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the supply circuit of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ８００ＭＨｚまたは１９００ＭＨｚの帯域の
いずれかで動作し、所望のゲインおよび入力／出力イン
ピーダンスを与える無線通信用ＧａＡｓＭＭＩＣ２バン
ド増幅器を開示する。 【解決手段】 スイッチインピーダンスネットワークを
増幅器の入力および出力で用い、２つの帯域の動作に必
要な整合入力インピーダンスおよび出力インピーダンス
を与える。スイッチインピーダンスネットワークは、増
幅器の連続する増幅段の間でも用いられ、適当な段間イ
ンピーダンスを与える。２バンド増幅器は、Ａ、Ｂ、Ａ
Ｂ、またはＣモードで動作させるため増幅器にバイアス
をかけるバイアス制御回路を含む。増幅器は、ＡＭＰＳ
８００、ＧＳＭ９００の動作またはＰＣＳ１９００のよ
うな他のセルラー動作のためにも用いられ、適当な制御
信号を増幅器に印加するだけで、増幅器は２つの動作に
切り替えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、増幅器、特には、
無線通信用の電力増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、電気通信業界によって普及され、
世界で使用されている多くの異なる無線通信システムが
ある。これらのシステムは複雑であり、業界は伝送周波
数及び作動モード等の信号伝送の物理特性を含む無線通
信の全ての面に関する明細を説明している。
【０００３】北アメリカで開発された最も初期の無線通
信システムのうちの一つは、先進移動電話サービス
（「ＡＭＰＳ」）と呼ばれている。アナログ式セルラー
通信に使用される場合には、ＡＭＰＳは、８２４ＭＨｚ
〜８４９ＭＨｚの移動局伝送周波数バンドを指定してい
る。このバンドは、しばしば、８００ＭＨｚバンド又は
セルラーバンドと呼ばれている。同じ周波数バンド内
で、デジタル移動電話サービス（「ＤＭＰＳ」）と呼ば
れる後に開発されたシステムも作動し、このシステム
は、デジタル通信及びアナログ通信の何れにも用いられ
ている。これらのシステムは、この業界では、一般にＡ
ＭＰＳ８００及びＤＭＰＳ８００と呼ばれている。
【０００４】ヨーロッパの無線通信システムである移動
通信用大域システム（「ＧＳＭ」）は、８９０ＭＨｚ〜
９１５ＭＨｚの移動局伝送周波数バンドを指定するもの
であり、デジタル通信に使用されるものである。このシ
ステムは、しばしば、ＧＳＭ９００と呼ばれている。北
アメリカでは広く採用されてはいないが、ＧＳＭは、ヨ
ーロッパ及びアジアの地域では非常にポピュラーであ
る。最近、１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚの移動局伝
送周波数を指定する個人通信システム（「ＰＣＳ」）１
９００と呼ばれる新システムが、北アメリカでの使用に
提案されている。ＰＣＳ１９００の伝送周波数は、ＡＭ
ＰＳ８００又はＧＳＭ８００の伝送周波数よりもかなり
高い。
【０００５】多くの他のシステムがある。例えば、ノル
ディック移動電話４５０システム（「ＮＭＴ４５０」）
は、４６３ＭＨｚ〜４６８ＭＨｚの伝送周波数及びＦＤ
ＭＡ（周波数分割多重アクセス）の信号変調技術を指定
するものである。ノルディック移動電話９００システム
（「ＮＭＹ９００」）は、９３５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ
の伝送周波数及び同じ信号変調技術を指定するものであ
る。
【０００６】デジタルコードレス電話に関しては、例え
ば、８６４ＭＨｚ〜８６８ＭＨｚの伝送周波数及びＴＤ
ＭＡ／ＦＤＭ（時間分割多重アクセス／周波数分割多重
方式）の変調技術を要するコードレス電話２（「ＣＴ
２」）、及び、１８８０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚの伝送
周波数及び同じ変調技術を指定するデジタルユーロピア
ンコードレス電話（「ＤＥＣＴ」）がある。
【０００７】それらの異なる伝送周波数バンド及び作動
モードは、無線サービス供給者にとって、特に無線通信
装置の製造者にとって、無類の努力目標を与えるもので
ある。サービス供給者が、供給者の現在使用している無
線システムを、より高い周波数バンドで作動する無線シ
ステムに（例えば、ＡＭＰＳ８００からＰＣＳ１９９０
に）取り替えることを欲する場合には、現存する基地局
を、それらの基地局が新しいシステムによって作動する
よう、グレードアップしなければならない。低い周波数
信号を高い周波数信号に変換するアップコンバータを用
いることにより、より高い周波数で作動するよう基地局
をグレードアップことができる。もちろん、基地局は、
また、新しい無線システムの他の面に適合するよう更新
しなければならない。
【０００８】基地局を更新することに加え、顧客の手持
ちの個々のセルラー電話も、それらが新しい無線システ
ムに適合できるよう、グレードアップ又は交換しなけれ
ばならない。特に、各セルラー電話に用いられる電力増
幅器は、特定の周波数バンド内で特定のモードで作動す
るよう最適化されるので、斯かる電力増幅器は、新しい
無線基準下で作動するのに適した新しい電力増幅器と交
換する必要がある。
【０００９】例えば、ＡＭＰＳ８００に使用されるセル
ラー電話は、そのセルラーバンド（即ち、８００ＭＨｚ
バンド）内で作動するよう最適化された電力増幅器を備
えている。しかしながら、ＡＭＰＳ８００をＰＣＳ１９
９０と交換する場合には、古いＡＭＰＳ電話は、もはや
使用することができず、それらは、グレードアップ又は
交換しなければならない。セルラー電話の交換は、高価
であり、容易にグレードアップすることのできる新しい
セルラー電話が望まれている。
【００１０】セルラー電話の製造に関しては、異なる無
線システムは異なる電力増幅器を要し、このことがコス
トを高くしている。単一の増幅器が異なるシステムに用
いられることが望まれる。異なる無線システムには、他
の問題がある。セルラー電話の使用者が、或る無線シス
テムによってサービスを受ける地域から異なる無線シス
テムによってサービスを受ける地域に入ると、この使用
者は、自身の電話を使用することができない。同じセル
ラー電話が異なる無線システムの下で使用することがで
き、使用者がスイッチを起動するだけで、異なる無線シ
ステムの下でそのセルラー電話を使用できることが望ま
れる。使用者が異なる無線システムによってサービスを
受ける地域に入った時に、使用者の電話がその地域を有
効範囲とする新しい無線システムの下で作動するよう自
動的に切り換えられるのが好ましい。これは、セルラー
電話を切り換えるようセルラー電話に信号を送る基地局
によって行うことができる。何れにしても、異なる無線
システムの下で作動することのできる電力増幅器が必要
である。
【００１１】モトローラ社に譲渡された米国特許第５，
０６０，２９４号は、リニアモードでも飽和モードでも
作動することのできる二重モード電力増幅器を記載して
いる。（１）増幅器においてパワートランジスタの直流
バイアスを変えること及び／又は（２）増幅器の交流負
荷を変えて負荷ラインを変えることによりプロセッサの
使用によってモードの選択を行うことができる。この増
幅器は、リニアモードでも飽和モードでも作動すること
ができるが、異なる無線周波数での作動には適していな
い。例えば、この増幅器は、セルラーバンド（８００Ｍ
Ｈｚバンド）及び新しいＰＣＳバンド（１９００ＭＨｚ
バンド）の双方の下で作動するのには適していない。
【００１２】やはりモトローラ社に譲渡された米国特許
第５，４３８，６８４号は、並列に接続された二つの増
幅ブランチを備えた二重モードＲＦ信号電力増幅器を記
載しており、一方のブランチは、ＦＭモード等のノンリ
ニアモード作動のためのものであり、もう一方は、ＴＤ
ＭＡデジタルモード等のリニアモード作動のためのもの
である。ＰＩＮダイオードが、一方のブランチを他のブ
ランチから減結合するため、一方のブランチに直列に接
続されている。作動の際には、選択されたブランチがオ
ンになり、一方、選択されないブランチはオフになる。
この二重モード電力増幅器は、一つの周波数、例えば、
８００ＭＨｚ又は１９００ＭＨｚでの作動にのみ適して
おり、両方の周波数での作動には適していない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、異なる無線システムの下で作動することがで
き、必要な電力と効率をもたらすことのできる複数バン
ド増幅器を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、異なる周波数
又は周波数バンド（例えば、セルラーバンド及びＰＣＳ
バンド）において、異なるモード（例えば、Ａ、Ｂ、Ａ
Ｂ又はＣ）で作動する増幅装置を提供するものである。
この増幅器は、異なる無線システムの下で作動するよ
う、セルラー電話に用いることができる。
【００１５】一実施態様では、増幅装置は、各々が複数
の所定の周波数のうちの一つにおいて作動するのに適し
た複数の増幅器と、制御回路とを備えている。制御信号
に応答する制御回路は、入力信号の周波数により、入力
信号周波数での作動に適した増幅器を選択的に作動可能
にする一方、他の増幅器が作動しないようにする。制御
信号は、スイッチを用いて手動で発生させることもで
き、入力信号の周波数を検知する検知回路によって自動
的に発生させることもできる。制御信号は、無線通信用
の基地局によって供給又は起動することもできる。
【００１６】この実施態様では、各増幅器は、入力信号
を増幅するための少なくとも一つの増幅段を備えてい
る。各増幅器は、増幅器が作動するのに適した周波数で
所定の入力インピーダンスを与えるための入力インピー
ダンス手段と所定の出力インピーダンスを与えるための
出力インピーダンス手段とを有している。入力インピー
ダンスは、入力信号の源インピーダンスとほぼ整合して
いるのが好ましい。
【００１７】好ましい実施態様では、各増幅器は、縦続
配列された複数の増幅段を備えている。あらゆる二つの
連続する増幅段間の所定の段間インピーダンスが、段間
インピーダンス手段によって増幅器が作動するのに適し
た信号周波数で与えられる。各増幅段は、少なくとも一
つの増幅トランジスタを備えており、増幅器は、制御回
路手段により、増幅器の増幅トランジスタをオン又はオ
フにすることによって、作動状態又は不作動状態にされ
るのが好ましい。制御回路手段は、また、所望の作動モ
ードで作動するように選択された増幅器をバイアスする
ように作動する。増幅器と制御回路とを備えた増幅装置
は、モノリシックＧａＡｓ集積回路（「ＧａＡｓＭＭＩ
Ｃ］）であるのが更に好ましい。
【００１８】他の実施態様によれば、増幅装置には、少
なくとも一つの増幅段と、入力信号の周波数に従い、入
力信号の周波数で予め決められた入力インピーダンスを
与える入力インピーダンス手段とが、備わっている。斯
かる入力インピーダンスは、源インピーダンスと整合し
ているのが好ましい。増幅装置は、斯かる信号周波数で
予め決められた出力インピーダンスを与える出力インピ
ーダンス手段を更に備えているのが、より好ましい。予
め決められた複数の作動モードのうちの一つで作動する
ように増幅段を選択的にバイアスするバイアス制御回路
が備わっているのが、更になお好ましい。
【００１９】好ましい実施態様では、増幅装置は、縦続
配列された複数の増幅段を備えている。この装置には、
入力信号周波数にしたがって、第一の増幅段の入力に、
複数の入力インピーダンスネットワークのうちの一つを
選択的に与える入力インピーダンススイッチ手段が備わ
っている。第一の段で作動するに際し、選択された入力
インピーダンスネットワークは、入力信号周波数で源イ
ンピーダンスとほぼ整合しているのが好ましい予め決め
られた入力インピーダンスを与える。予め決められた段
間インピーダンスを与えるため、段間インピーダンス手
段が、更に備わっている。より具体的には、段間インピ
ーダンス手段は、入力信号周波数に従って、前段と直流
電源との間に接続されたインピーダンスネットワークの
インピーダンスを制御するための手段を備えている。
【００２０】好ましい実施態様には、入力信号周波数に
従って、最終増幅段の出力に、複数の出力インピーダン
スネットワークのうちの一つを選択的に与える出力イン
ピーダンススイッチ手段が備わっている。最終の段で作
動するに際し、選択された出力インピーダンスネットワ
ークは、予め決められた出力インピーダンスを与える。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明は、複数バンド増幅器を必
要とする無線装置または他の装置に高出力および高効率
の複数バンド増幅器を提供する。本発明以前の既存の増
幅器を検討した際、本発明の発明者は、（８００ＭＨｚ
〜１９００ＭＨｚの周波数範囲をカバーする帯域のよう
な）広帯域にわたって様々な無線システムで動作する広
帯域電力増幅器を開発するためには２つの主な障害があ
ることに気付いた。
【００２２】第１に、ある無線システムから別の無線シ
ステムに変えると、たいていの場合、伝送周波数が変わ
り、それによって、増幅器の入力、出力および段間イン
ピーダンスが変化してしまう。前の周波数帯域で動作す
るように最適化されていたこれらのインピーダンスの変
化によって最適条件が損なわれるので、ゲイン、電力容
量および効率性を低下させてしまう。第２に、異なる無
線システムは、たいてい、異なるモード（例えば、Ａ、
Ｂ、ＡＢまたはＣ）で動作する増幅器を必要とする。増
幅器の動作モードは、増幅器のトランジスタに適当にバ
イアスをかけ、適当な交流負荷ラインを供給することに
よって設定される。既存の増幅器の多くは、増幅器が作
られたときに決められた１つのモードでしか動作できな
い。
【００２３】従来の増幅器は、特定周波数または特定周
波数帯域で動作するように設計されている。このような
周波数で、増幅器は、信号源インピーダンスに整合する
入力インピーダンスおよび所望の値の出力インピーダン
スを与える。例えば、信号源インピーダンスは、通常、
５０Ωである。出力インピーダンスは、５Ωになる。所
望の出力を決定するときに考慮される要素は、主に、
（１）増幅器が動作できる周波数、（２）増幅器が供給
できる出力電力および（３）増幅器に対する直流バイア
スである。
【００２４】増幅器が１段以上の増幅段を含む場合、連
続する２段の間に適当な段間インピーダンスも必要にな
る。段間インピーダンスは、隣接する段の間の整合イン
ピーダンスが与えられるような（すなわち、前段の出力
インピーダンスが後段の入力インピーダンスに整合する
ような）大きさで、出力電力レベルを最大にするのが好
ましい。さらに、段間インピーダンスは、所望の動作モ
ードの適当な段間負荷ラインを供給するような大きさで
ある。８００ＭＨｚの動作では、増幅器の交流ゲインは
容易に得られるので、厳密な段間インピーダンス整合
は、通常、必要ない。連続する２段の間のインピーダン
スが過度に不整合でない限り、増幅器は、通常、十分な
ゲインを与える。しかしながら、１９００ＭＨｚのよう
な高周波による動作では、必要な出力電力レベルを得る
ため、厳密な段間インピーダンスが必要になる。高周波
動作のためのインピーダンスの整合は、隣接する段の間
で行われるのが好ましい。
【００２５】増幅器が最初に設計された周波数とはまっ
たく異なる周波数で動作する場合、増幅器の入力／出力
インピーダンスおよびいずれの段間インピーダンスも周
波数の変化のため変化する。その結果、増幅器は、もは
や入力インピーダンスを整合させることはない。増幅器
の出力インピーダンスも変化する。元の周波数で整合す
る段間インピーダンスであっても、新しい周波数では整
合しない。増幅器は、徐々に、必要な交流ゲイン、出力
レベルおよび効率性を与えなくなる。例えば、従来の８
００ＭＨｚの電力増幅器は、１９００ＭＨｚでは正常に
動作しない。
【００２６】本発明は、異なる周波数および異なるモー
ドで動作する増幅装置を提供する。図１を参照すると、
第１の実施の形態において、本発明の増幅装置１０は、
第１の増幅器２０、第２の増幅器３０および制御回路４
０からなる。入力信号周波数に従って、制御回路４０
は、選択的に２つの増幅器の一方を動作させながら、他
方の増幅器は動作させない。
【００２７】第１の増幅器２０は、第１の周波数ｆ１
（例えば、８００ＭＨｚ）または第１の周波数帯域（例
えば、セルラーバンド）で動作するのに適している。第
１の増幅器２０は、増幅段２２、入力インピーダンスネ
ットワーク２４および出力インピーダンスネットワーク
２６からなる。第１の周波数ｆ１の入力信号２９は入力
端子２７に供給され、増幅器からの出力信号は出力端子
２８に供給される。この増幅器では、信号源インピーダ
ンスに整合する入力インピーダンスは、およそ周波数ｆ
１で増幅段２２と協働する入力インピーダンスネットワ
ーク２４によって与えられる。予め決められた出力イン
ピーダンスは、およそ周波数ｆ１で増幅段２２と協働す
る出力インピーダンスネットワーク２６によって得られ
る。
【００２８】第２の増幅器３０は、第２の周波数ｆ２
（例えば、１９００ＭＨｚ）または第２の周波数帯域
（例えば、ＰＣＳ帯域）で動作するのに適している。第
２の増幅器３０は、増幅段３２、入力インピーダンスネ
ットワーク３４および出力インピーダンスネットワーク
３６からなる。入力信号３９は、入力端子３７で受信さ
れる。増幅器３０からの出力信号は、出力端子３８に供
給される。増幅器３０において、信号源インピーダンス
に整合する入力インピーダンスは、およそ周波数ｆ２で
増幅段３２と協働する入力インピーダンスネットワーク
３４によって与えられる。予め決められた出力インピー
ダンスは、周波数ｆ２で増幅段３２と協働する出力イン
ピーダンスネットワーク３６によって得られる。
【００２９】制御回路は、増幅器２０および３０に接続
されている。制御回路は制御信号４１を受信し、制御信
号に従って、入力信号の周波数による動作に適した増幅
器を選択的に動作させながら、他方の増幅器を動作させ
ない。増幅装置１０は、以下のように動作する。入力信
号が第１の周波数（例えば、８００ＭＨｚ）の場合、入
力信号は第１の増幅器に供給される。制御回路４０は、
制御信号４１に応じて、第１の増幅器２０を動作させる
一方、第２の増幅器３０は動作させない。このため、入
力信号２９は、第１の増幅器２０によって増幅される。
入力信号が第２の周波数（例えば、１９００ＭＨｚ）の
場合、入力信号は第２の増幅器３０に供給される。制御
回路４０は第２の増幅器３０を動作させる一方、第１の
増幅器２０は動作させない。したがって、入力信号は第
２の増幅器３０で増幅される。このように、増幅装置
は、２つの予め決められた異なる周波数のいずれかを有
する信号で動作する。
【００３０】多くの様々な方法で、信号周波数に従って
信号を第１または第２の増幅器に選択的に供給すること
ができる。例えば、セルラー通信の場合、基地局が、到
来信号の周波数を示す信号をセルラー電話に送信するこ
とによって行われる。セルラー電話は制御信号をスイッ
チ回路に送信し、スイッチ回路は到来信号を適当な増幅
器に送る。また、同じ制御信号は、適当な増幅器を動作
させるように制御回路を作動させる。
【００３１】図２を参照すると、スイッチ回路４３を用
いて、選択的に入力信号４５を増幅器２０または３０に
供給する。図示されているように、スイッチ回路４３
は、制御信号４１に応答するスイッチ４４を備える。到
来信号４５が第１の周波数の場合、制御信号４１は、ス
イッチ４４に到来信号を第１の増幅器２０に供給するよ
うに命令する。また、制御信号４１は、第１の増幅器２
０を動作させるとともに第２の増幅器３０を動作させな
いように、制御回路４０を作動させる。反対に、到来信
号が第２の周波数の場合、到来信号は第２の増幅器３０
に供給され、第２の増幅器３０が動作状態になる。第１
の増幅器２０、第２の増幅器３０およびバイアス制御回
路４０は、モノリシック集積回路として形成されている
のが好ましく、ＧａＡｓＭＭＩＣはより好ましい。
【００３２】ここで用いられている「周波数」という語
は、個々の周波数および周波数帯域の両方を意味する。
第１の増幅器は８００ＭＨｚ帯域の動作に適し、第２の
増幅器は１９００ＭＨｚ帯域の動作に適しているが、こ
れは一例にすぎず、この例に限定されることはない。異
なる周波数帯域で動作可能な増幅装置は、本発明の範囲
内である。
【００３３】図３の部分ブロック図部分概略図を参照す
ると、好適な増幅装置５０は、８００ＭＨｚの信号を増
幅する第１の増幅器６０、１９００ＭＨｚの信号を増幅
する第２の増幅器８０およびバイアス制御回路１００か
らなる。第１の増幅器６０は、３段の縦続増幅段６２、
６４および６６からなる。インピーダンスネットワーク
６８は、増幅段６２の入力に接続され、増幅段６２と協
働して、８００ＭＨｚの入力信号６７に整合するインピ
ーダンスを与える。第１の増幅段６２と第２の増幅段６
４の間に、インピーダンスネットワーク７０が接続され
ている。インピーダンスネットワーク７０は、インダク
タ７６と協働して、８００ＭＨｚの動作に適当な予め決
められたインピーダンスを第１の増幅段６２と第２の増
幅段６４の間に与える。第２の増幅段６４と第３の増幅
段６６の間に、インピーダンスネットワーク７２が接続
されている。インピーダンスネットワーク７２は、もう
一方のインダクタ７６と協働して、８００ＭＨｚの動作
に適当な予め決められたインピーダンスを第２の増幅段
６４と第３の増幅段６６の間に与える。第３の増幅段６
６の出力はインピーダンスネットワーク７４に接続さ
れ、インピーダンスネットワーク７４は第３の増幅段６
６および誘導器７６と協働して、８００ＭＨｚの動作に
望ましい予め決められた負荷インピーダンスを生成す
る。
【００３４】増幅段６２、６４、６６は、３つのチョー
クインダクタ７５、７６、７９およびチップ外のＯＮ／
ＯＦＦスイッチ７７を介して、直流電源＋ＶＤＤによっ
て電力供給される。３つのコンデンサ８１、８３、８５
を用いて、電源を交流接地する。インダクタ７５、７
６、７９は、段間インピーダンスおよび出力インピーダ
ンスに影響を及ぼす。しかしながら、インダクタ７５、
７６、７９のインダクタンスが大きい場合、段間インピ
ーダンスおよび出力インピーダンスに対する影響は無視
できる。
【００３５】１９００ＭＨｚの信号を増幅する第２の増
幅器８０は、３段の縦続増幅段８２、８４、８６からな
る。増幅段８２の入力はインピーダンスネットワーク８
８に接続され、インピーダンスネットワーク８８は増幅
段８２と協働して、１９００ＭＨｚの動作で信号源イン
ピーダンスに整合するインピーダンスを与える。第３の
増幅段８６の出力で、インピーダンスネットワーク９４
は第３の増幅段８６およびインダクタ９７と協働して、
１９００ＭＨｚの動作に望ましい予め決められた出力イ
ンピーダンスを与える。インピーダンスネットワーク９
０、９２およびインダクタ９５、９６、９７は、１９０
０ＭＨｚの動作に望ましい予め決められた段間インピー
ダンスを与える。１９００ＭＨｚでのネットワーク９０
のインピーダンス値は、増幅段８２と８４の整合インピ
ーダンスであることが好ましい。同様に、インピーダン
スネットワーク９２のインピーダンスは、およそ１９０
０ＭＨｚで増幅段８４と８６の整合インピーダンスが得
られる値が好ましい。第２の増幅器８０もまた、スイッ
チ７７およびチョークインダクタ９５、９６、９７を介
して直流電源＋ＶＤＤによって電力供給される。コンデ
ンサ９８、９９、１００を用いて、電源を交流接地す
る。
【００３６】バイアス制御回路１００は、増幅器６０お
よび８０の両方に接続されている。増幅器６０および８
０の１つを選択的に動作させる一方、他方の増幅器を動
作させないようにするとともに、制御回路１００は、選
択された一方の増幅器に所定のバイアスをかけ、その増
幅器は所望の動作モードにバイアスされる。バイアス制
御回路１００は、制御信号を受信する端子１０２でスイ
ッチ１０８に接続されている。正電源ＶＤＢは端子１０
４で制御回路１００に供給され、負電源ＶＳＳは端子１
０６で制御回路１００に供給される。
【００３７】増幅装置５０は以下のように動作する。８
００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ１０８は、８００Ｍ
Ｈｚの動作のための基準電圧が供給される端子１１０に
接続される。この基準電圧に応じて、バイアス制御回路
１００は、負電圧を第２の増幅器の３つの増幅段８２、
８４、８６に供給し、これらの増幅段をＯＦＦにする。
同時に、所望のモードで動作させるため、増幅段６２、
６４、６６に適当なバイアスがかけられる。このように
して、増幅装置の８００ＭＨｚでの動作の準備が整う。
【００３８】１９００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ１
０８は、１９００ＭＨｚの動作のための基準電圧が供給
される端子１１２に接続される。基準電圧に応じて、バ
イアス制御回路１００は負のバイアスをかけ、第１の増
幅器６０の増幅段をＯＦＦにする。１９００ＭＨｚの動
作に必要なバイアスは、バイアス制御回路１００によっ
て第２の増幅器８０にかけられる。
【００３９】増幅装置５０の部分１１４は、ＧａＡｓモ
ノリシックマイクロ波集積回路（「ＭＭＩＣ」）が好ま
しい。信号増幅のために空乏モードＧａＡｓ電界効果ト
ランジスタを用いるのがより好ましい。図４および図５
は、ともに、図３の複数バンド増幅器の好適な実施の形
態の回路の概略部分ブロック図を示す。各増幅器におい
て、前段の２つの増幅段は空乏モードＧａＡｓＭＥＳＦ
ＥＴを１つ備え、後段の増幅段は、改良された出力電力
レベルのために空乏モードＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを２つ
備える。図３の増幅装置を構成する代替の方法が多数あ
ることは当業者には明らかであり、図４および図５に示
される回路は一例にすぎず、これに限定されることはな
い。
【００４０】本発明の第２の実施の形態において、増幅
装置は、少なくとも１つの増幅段および入力インピーダ
ンス手段を備える。入力インピーダンス手段は、入力信
号の周波数に従って、入力信号の周波数で予め決められ
た入力インピーダンスを与える。予め決められた入力イ
ンピーダンスは、信号源インピーダンスに整合するイン
ピーダンスが好ましい。（信号源インピーダンスとは、
信号源のインピーダンスである。）増幅装置は、さら
に、信号周波数に従って、入力信号の周波数で予め決め
られた出力インピーダンスを与える出力インピーダンス
手段を含む。さらに、増幅装置は、所定のモードで動作
させるため増幅段に選択的にバイアスをかける回路も備
える。
【００４１】第２の実施の形態の一例は、図６のブロッ
ク図に示される。増幅装置１５０は、入力ノード１５４
および出力ノード１５６を有する１つの増幅段１５２を
含む。入力ノード１５４はスイッチ１５８に接続され、
スイッチ１５８は入力インピーダンスネットワーク１６
０または１６２のいずれかに選択的に接続される。出力
ノード１５６はスイッチ１６４に接続され、スイッチ１
６４は出力インピーダンスネットワーク１６６または１
６８のいずれかに選択的に接続する。
【００４２】第１の周波数（例えば、８００ＭＨｚ）の
入力信号１７４は、インピーダンスネットワーク１６０
に接続された端子１７０で増幅装置によって受信され
る。第２の周波数（例えば、１９００ＭＨｚ）の入力信
号１７４は、インピーダンスネットワーク１６２に接続
された端子１７２で受信される。簡略化するため、ここ
では、８００ＭＨｚおよび１９００ＭＨｚを用いて、８
００ＭＨｚのセルラー帯域および１９００ＭＨｚのＰＣ
Ｓ帯域を示しているが、８００ＭＨｚおよび１９００Ｍ
Ｈｚは、８００ＭＨｚおよび１９００ＭＨｚの動作も示
す。これらの２つの周波数が一例にすぎないことは当業
者には明らかであり、本発明の増幅装置は、他の周波数
または周波数帯域、または２つ以上の周波数で動作する
ように適応でき、これは本発明の範囲内である。
【００４３】増幅装置１５０は、出力インピーダンス整
合ネットワーク１６８を介して出力端子１７８に、８０
０ＭＨｚの出力信号を供給する。１９００ＭＨｚの出力
信号は、出力インピーダンスネットワーク１６６を介し
て出力端子１８０に供給される。増幅装置１５０は、イ
ンピーダンスネットワーク１８２を介して直流電源＋Ｖ
ＤＤから直流電力を受ける。バイアス制御回路１８４を
用いて、所望のモードで動作させるため増幅段に選択的
にバイアスをかける。例えば、増幅段１５２に、Ａ、
Ｂ、ＡＢ、Ｃ級動作のためのバイアスをかけることがで
きる。
【００４４】８００ＭＨｚの動作のための予め決められ
たインピーダンスは、増幅段１５２と協働するインピー
ダンスネットワーク１６０、１６８、１８２によって与
えられる。特に、増幅段１５２と協働する入力インピー
ダンスネットワーク１６０は、８００ＭＨｚで信号源イ
ンピーダンスとほぼ整合する入力インピーダンスを与え
る。８００ＭＨｚの動作のための予め決められた出力イ
ンピーダンスは、増幅段１５２およびインピーダンスネ
ットワーク１８２と協働する出力インピーダンスネット
ワーク１６８によって与えられる。ネットワーク１８２
のインピーダンスが（大規模チョークインダクタのよう
に）大きい場合、出力インピーダンスに対する影響は無
視でき、増幅装置１５０の出力インピーダンスは、出力
インピーダンスネットワーク１６８および増幅段１５２
によってのみ決定される。
【００４５】同様に、１９００ＭＨｚの動作の場合、適
当なインピーダンスは、増幅段１５２と協働するインピ
ーダンスネットワーク１６２、１６６、１８２によって
与えられる。１９００ＭＨｚで信号源インピーダンスと
整合する入力インピーダンスは、増幅段１５２と協働す
るインピーダンスネットワーク１６２によって得られ
る。１９００ＭＨｚの動作に必要な予め決められた出力
インピーダンスは、増幅段１５２と協働するインピーダ
ンスネットワーク１６６および１８２によって得られ
る。ここで用いられる「インピーダンスネットワーク」
または「インピーダンス整合ネットワーク」という語
は、ある周波数における予め決められたインピーダンス
を示すインピーダンスネットワーク」または「インピー
ダンス整合ネットワーク」の電子構成要素または回路を
意味する。これらの語は、コンデンサ、抵抗器、インダ
クタのような受動的構成要素およびトランジスタ、ダイ
オード及びそれらの回路のような能動的構成要素を含む
が、この例に限定されることはない。
【００４６】増幅装置１５０は以下のように動作する。
８００ＭＨｚの動作の場合、増幅段１５２の入力はイン
ピーダンスネットワーク１６０に接続され、増幅器の出
力はインピーダンスネットワーク１６８に接続されてい
る。所望のバイアスは、バイアス回路１８４によって増
幅段１５２にかけられる。入力が１９００ＭＨｚの場
合、インピーダンスネットワーク１６２および１６６
は、それぞれ、増幅段１５２の入力および出力に接続さ
れ、１９００ＭＨｚの動作に必要なバイアスは、バイア
ス回路１８４によって増幅段１５２にかけられる。
【００４７】図６は２バンド増幅器を示しているが、２
つ以上の帯域のための増幅装置も本発明によって提供で
きることは当業者には明らかであり、本発明の範囲内で
ある。本発明の要点は、増幅器を異なる周波数で動作さ
せるため、予め決められた入力／出力インピーダンスお
よび所定のバイアスを増幅器に提供することであること
は当業者には明らかである。図６の実施の形態は、スイ
ッチ入力インピーダンスネットワークおよびスイッチ出
力インピーダンスネットワークを用いて、異なる周波数
の動作に必要な予め決められた入力インピーダンスおよ
び出力インピーダンスを与える一例を示す。当業者には
明らかであるように、本発明によれば、信号周波数に従
って予め決められた入力／出力インピーダンスを与える
方法は多数あり、これらはすべて本発明の範囲内であ
る。本発明の代替の実施の形態のいくつかを以下に示
す。
【００４８】図７は代替の実施の形態のブロック図であ
り、図７に示される構成要素と同一の構成要素は図６と
同一の符号で示される。８００ＭＨｚの動作の場合、ス
イッチ１９０および１９４は閉じられ、スイッチ１９２
および１９６は開かれる。１９００ＭＨｚの動作の場
合、スイッチ１９２および１９６は閉じられ、スイッチ
１９０および１９４は開かれる。
【００４９】図８は、別の代替の実施の形態を示す。増
幅段１５２は、２つの出力インピーダンスネットワーク
１９８および２００の１つを介してスイッチ２０２によ
って直流電源＋ＶＤＤに接続される。インピーダンスネ
ットワーク２０４は、増幅段の出力に接続される。８０
０ＭＨｚで必要な予め決められた出力インピーダンス
は、スイッチ２０２とインピーダンスネットワーク１９
８を接続することによって与えられ、８００ＭＨｚの動
作が行われる。１９００ＭＨｚの動作の場合、１９００
ＭＨｚで必要な予め決められた出力インピーダンスは、
スイッチ２０２とインピーダンスネットワーク２００を
接続することによって与えられる。
【００５０】なお、本実施の形態において、異なる周波
数に適用するための予め決められた出力インピーダンス
は、インピーダンスネットワーク１９８または２０２を
電源に切替可能に接続することによって得られる。当業
者に知られているとおり、図示のように直流電源に接続
されたインピーダンス成分は、増幅段の出力インピーダ
ンスに直接に作用する。明らかなように、インピーダン
スネットワーク１９８、２００、２０４のインピーダン
ス値は、８００ＭＨｚまたは１９００ＭＨｚの動作に必
要な所望の出力インピーダンスが与えられるような値で
なければならない。
【００５１】図９は、異なる周波数または周波数帯域で
動作するため、予め決められた入力／出力インピーダン
スを与えるさらに別の方法を示すブロック図である。本
実施の形態において、増幅段１５２の入力は、２つの直
列インピーダンスネットワーク２０８および２１０に接
続されている。スイッチ２０６は閉じられると、インピ
ーダンスネットワーク２１０をまたいで接続され、ネッ
トワーク２１０を短絡させる。同様に、増幅段１５２の
出力は２つの直列インピーダンスネットワーク２１４お
よび２１６に接続され、スイッチ２１２はネットワーク
２１４をまたいで接続される。
【００５２】この増幅装置は以下のように動作する。８
００ＭＨｚの動作のために、スイッチ２０６および２１
２は両方とも開かれる。入力端子２１８で、予め決めら
れた入力インピーダンス（例えば、およそ５０Ω）（信
号源インピーダンスに整合するのが好ましい）は、増幅
段１５２と協働するインピーダンスネットワーク２０８
および２１０によって与えられる。出力端子２１７で、
予め決められた出力インピーダンス（例えば、およそ５
Ω）は、増幅段１５２およびインピーダンスネットワー
ク１８２と協働するインピーダンスネットワーク２１４
および２１６によって与えられる。インピーダンスネッ
トワーク１８２のインピーダンスが大きい場合、出力イ
ンピーダンスに対する影響は無視でき、出力インピーダ
ンスは、主に、ネットワーク２１４、２１６および増幅
段１５２によって決定される。
【００５３】１９００ＭＨｚの動作のために、スイッチ
２０６および２１２は閉じられ、インピーダンスネット
ワーク２１０および２１４を短絡させる。このような構
成において、予め決められた入力インピーダンス（例え
ば、およそ５０Ω）は、およそ１９００ＭＨｚにおいて
インピーダンスネットワーク２０および増幅段１５２に
よって維持される。予め決められた出力インピーダンス
（例えば、およそ５Ω）は、インピーダンスネットワー
ク２１６、１８２および増幅段１５２によって維持され
る。上記利点をしのぐこの増幅装置の利点の１つは、８
００ＭＨｚおよび１９００ＭＨｚの両方の動作に必要な
入力端子および出力端子はそれぞれ１つだけでよい点で
ある。必要に応じて、入力インピーダンスネットワーク
２０８および２１０は、８００ＭＨｚおよび１９００Ｍ
Ｈｚの動作に必要な予め決められた異なる入力インピー
ダンスが得られるように構成されている。同様に、８０
０ＭＨｚおよび１９００ＭＨｚの動作に必要な予め決め
られた出力インピーダンスが得られる。
【００５４】図１０は、２対のインピーダンスネットワ
ークを用いて、異なる周波数動作に必要な予め決められ
た出力インピーダンスを与える別の代替の実施の形態を
示す。特に、８００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ１５
８はインピーダンスネットワーク１６０に接続され、イ
ンピーダンスネットワーク１６０は、増幅段１５２と協
働して、８００ＭＨｚの動作のための予め決められた入
力インピーダンスを与える。予め決められた出力インピ
ーダンスを与えるため、スイッチ２２６はインピーダン
スネットワーク２１８に接続され、スイッチ２２８はイ
ンピーダンスネットワーク２２２に接続される。インピ
ーダンスネットワーク２１８および２２２は、増幅段と
協働して、８００ＭＨｚの動作に必要な予め決められた
出力インピーダンスを与える。１９００ＭＨｚの動作の
場合、スイッチ１５８はインピーダンスネットワーク１
６２に接続され、スイッチ２２６はインピーダンスネッ
トワーク２２０に接続され、スイッチ２２８はインピー
ダンスネットワーク２２４に接続する。これらのネット
ワークのインピーダンス値は、１９００ＭＨｚの動作で
所望の入力／出力インピーダンスが与えられるような値
である。
【００５５】本発明によれば、異なる周波数の動作のた
めに予め決められた入力／出力インピーダンスを与える
とき、周波数フィルタ／インピーダンスネットワークも
用いられる。図１１に示されるように、低域フィルタ／
インピーダンスネットワーク２３０および高域フィルタ
／インピーダンスネットワーク２３２は、増幅段１５２
の出力に接続されているが、これは一例にすぎず、この
例に限定されることはない。８００ＭＨｚの動作の場
合、低域フィルタ／インピーダンスネットワーク２３０
は、８００ＭＨｚの信号を通し、８００ＭＨｚの帯域内
で予め決められた出力インピーダンスを与える。信号が
１９００ＭＨｚの場合、信号は高域フィルタ／インピー
ダンスネットワーク２３２を通過し、１９００ＭＨｚ帯
域内で予め決められた出力インピーダンスを与える。同
様に、低域フィルタおよび高域フィルタを増幅段の入力
端（図示されていない）で用いることができ、これは本
発明の範囲内である。
【００５６】上記増幅装置は、１段の増幅段を含む。多
段増幅器の場合、予め決められた入力インピーダンスお
よび出力インピーダンスを与えるとともに、連続する増
幅段の間の適当なインピーダンスが与えられる必要があ
る。前段の出力インピーダンスは、後段の入力インピー
ダンスにほぼ整合する。８００ＭＨｚの動作の場合、増
幅段間でインピーダンスを整合させなくても、十分なゲ
インが既に得られているので、増幅段間のインピーダン
ス整合は重要ではない。実際には、増幅段間のインピー
ダンス整合は、ゲインを低下させる場合に必要である。
しかしながら、１９００ＭＨｚの動作の場合、ゲインを
獲得しにくいので、増幅段間のインピーダンス整合は重
要である。本発明によれば、増幅器の連続する増幅段間
の予め決められたインピーダンスは、異なる周波数動作
のために与えられる。
【００５７】図１２は、本発明に係る多段増幅装置２４
０のブロック図である。本装置は、３段の増幅段、すな
わち、第１の増幅段２４２、第２の増幅段２４４、その
後に出力段２４６を含む。第１の増幅段２４２の入力
に、スイッチ２４９が接続され、スイッチ２４９は、イ
ンピーダンスネットワーク２４８または２５０に切替可
能に接続する。８００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ２
４９はインピーダンスネットワーク２４８に接続し、イ
ンピーダンスネットワーク２４８は、第１の増幅段２４
２と協働して、予め決められた入力インピーダンスを与
える。１９００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ２４９は
インピーダンスネットワーク２５０に接続し、インピー
ダンスネットワーク２５０は、第１の増幅段２４２と協
働して、１９００ＭＨｚの動作に必要な入力インピーダ
ンスを与える。インピーダンスネットワーク２４８また
は２５０によって与えられる入力インピーダンスはおよ
そ５０Ωで、信号源インピーダンスに整合するのが好ま
しい。
【００５８】第１の増幅段と第２の増幅段の間の適当な
段間インピーダンスは、スイッチ２５５、２６１および
インピーダンスネットワーク２５４、２５６、２６０、
２６２を用いて与えられる。８００ＭＨｚの動作の場
合、スイッチ２５５はネットワーク２５４に接続し、ネ
ットワーク２５４はインピーダンスネットワーク２５２
および第１の増幅段２４２と協働して、８００ＭＨｚの
動作に適した予め決められた段間インピーダンスを与え
る。１９００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ２５５はイ
ンピーダンスネットワーク２５６に接続し、インピーダ
ンスネットワーク２５６は、インピーダンスネットワー
ク２５２および第１の増幅装置２４２と協働して、予め
決められた段間インピーダンスを与える。１９００ＭＨ
ｚの動作の場合、第１の増幅段２４２の出力インピーダ
ンスは、第２の増幅段２４４の入力インピーダンスにほ
ぼ整合するのが好ましい。同様に、８００ＭＨｚの動作
の場合、第２の増幅段２４４と第３の出力段２４６の間
の予め決められた段間インピーダンスは、スイッチ２６
１をインピーダンスネットワーク２６０に接続すること
によって与えられる。また、１９００ＭＨｚの動作の場
合は、スイッチ２６１をインピーダンスネットワーク２
６２に接続することによって、予め決められた段間イン
ピーダンスが与えられる。
【００５９】図１３は、図１２の増幅装置のより好適な
実施の形態を示す部分概略ブロック図である。図１３に
示される構成要素と同一の構成要素は図１２と同一の符
号で示される。スイッチ２４９は、２つの空乏モードＧ
ａＡｓＦＥＴ２７０および２７２からなり、ＦＥＴ２７
０および２７２は、ゲート端子に印加される適当な電圧
によって制御される。８００ＭＨｚの動作の場合、ＦＥ
Ｔ２７０はＯＮになり、ＦＥＴ２７２はＯＦＦになる。
反対に、１９００ＭＨｚの場合、ＦＥＴ２７０はＯＦＦ
になり、ＦＥＴ２７２はＯＮになる。本実施の形態は、
２つの空乏モードＧａＡｓＦＥＴ２７０および２７２を
用いてスイッチ２４９を構成するが、ＧａＡｓＦＥＴの
代わりに、ＰＮダイオード、ショットキーダイオード、
好ましくはＰＩＮダイオードのような他の装置を用いて
スイッチを構成できることは当業者には明らかであり、
本発明の範囲内である。
【００６０】出力段２４６は、並列接続された２つの空
乏モードＧａＡｓ ＦＥＴを含む。２つのＦＥＴのドレ
イン端子は、２つのインダクタ８２および９０の１つを
介して直流電源＋ＶＤＤによってバイアスがかけられ、
インダクタは、スイッチ２６５によって選択的にドレイ
ン端子に接続される。このような２つのＦＥＴ型の増幅
段は、改良された電力容量出力を与える。
【００６１】図示されているように、空乏モードＧａＡ
ｓＦＥＴは、３つすべての増幅段において増幅トランジ
スタとして用いられる。ＧａＡｓＦＥＴの代わりに、バ
イポーラトランジスタまたはエンハンスメントモードＧ
ａＡｓＦＥＴのような他の種類のトランジスタを用いる
ことができることは当業者に明らかであり、すべて、本
発明の範囲内である。
【００６２】図１４は、図１２の増幅装置の別の代替の
実施の形態のブロック図である。本実施の形態の出力段
は、２つの段２８２および２８４を備え、それぞれ、８
００ＭＨｚの動作または１９００ＭＨｚの動作に用いら
れる。動作周波数に従って、２つの段の１つのみが選択
的に作動され、この選択はスイッチ２６８によって行わ
れる。８００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ２６８は段
２８２に接続され、予め決められた出力インピーダンス
を出力する一方、段２８４はＯＦＦになる。１９００Ｍ
Ｈｚの動作の場合、スイッチ２６８は段２８４に接続
し、１９００ＭＨｚの動作に必要な適当な出力インピー
ダンスを与える一方、段２８２はＯＦＦになる。
【００６３】図１５は、図１４の増幅装置のより好適な
実施の形態の部分概略ブロック図である。なお、２つの
ＦＥＴ２９０および２９２は、出力段のスイッチとして
用いられる。適当なゲートバイアス電圧ＶＧ１およびＶ
Ｇ２を印加することによって、所望の段が選択される。
例えば、８００ＭＨｚの動作の場合、ＦＥＴ２９２をＯ
ＦＦにするために十分な負電圧のゲートバイアスＶＧ２
を印加することによって、段２８２は電気的に第２の段
から切断される。このとき、段２８２は、ＦＥＴ２９０
をＯＮにするゲートバイアスＶＧ１によって、第２の段
に電気的に接続される。逆に、１９００ＭＨｚの動作の
場合、段２８２は、ＦＥＴ２９０をＯＦＦにすることに
よって切断され、段２８４は、ＦＥＴ２９２をＯＮにす
ることによって選択される。
【００６４】図１６は、本発明の好適な複数バンド増幅
装置３００のブロック図を示す。増幅装置３００は、Ｇ
ａＡｓＭＭＩＣ電力増幅器チップ３０２および多数のチ
ップ外構成を含む。ＧａＡｓ増幅器チップにおいて、３
段の増幅段３０４、３０６、３０８は、インピーダンス
ネットワーク３１０および３１２を介して縦続接続され
ている。スイッチ３１６は、インピーダンスネットワー
ク３１４を介して第１の増幅段３０４の入力に接続さ
れ、インピーダンスネットワーク３１８またはインピー
ダンスネットワーク３２０のいずれか一方に選択的に接
続する。インピーダンスネットワーク３１８は、端子３
２２で８００ＭＨｚの入力信号を受信する。インピーダ
ンスネットワーク３２０は、端子３２４で１９００ＭＨ
ｚの入力信号を受信する。スイッチ３１６がインピーダ
ンスネットワーク３１８に接続すると、８００ＭＨｚの
動作に必要な予め決められた入力インピーダンスは、入
力端子３２２に与えられる。１９００ＭＨｚの動作の場
合、スイッチ３１６はインピーダンスネットワーク３２
０に接続し、インピーダンスネットワーク３２０は、第
１の増幅段３０４と協働し、１９００ＭＨｚの動作に必
要な予め決められた入力インピーダンスを与える。
【００６５】２つのスイッチインピーダンスネットワー
クを用いて、８００ＭＨｚまたは１９００ＭＨｚの動作
に必要な予め決められた出力インピーダンスを与える。
特に、第３の増幅段の出力はオフ・チップスイッチ３２
８に接続され、チップ外スイッチ３２８は、８００ＭＨ
ｚの動作用のチップ外インピーダンスネットワーク３３
０または１９００ＭＨｚの動作用のチップ外インピーダ
ンスネットワーク３３２のいずれか一方に選択的に接続
される。第３の増幅段の出力はチップ外インピーダンス
ネットワーク３２６にも接続され、直流電源＋ＶＤＤを
受ける。スイッチ３２８がインピーダンスネットワーク
３３０に接続すると、８００ＭＨｚの動作に必要な予め
決められた出力インピーダンスは、第３の増幅段３０８
と協働するインピーダンスネットワーク３３０および３
２６によって、端子３３４に与えられる。１９００ＭＨ
ｚの動作の場合、スイッチ３２８はインピーダンスネッ
トワーク３３２に接続され、予め決められた出力インピ
ーダンスは、第３の増幅段３０８と協働するインピーダ
ンスネットワーク３３２および３２６によって、端子３
３６に与えられる。
【００６６】異なる周波数動作に必要な予め決められた
段間インピーダンスは、インピーダンスネットワークを
用いることによって、増幅装置に与えられる。特に、第
１の増幅段３０４は、チップ内インピーダンスネットワ
ーク３４０およびチップ外インピーダンスネットワーク
３４２を介して直流電源＋ＶＤＤに接続される。チップ
内電子スイッチ３３８は、インピーダンスネットワーク
３４０にまたがって接続され、スイッチ３３８が閉じら
れると、インピーダンスネットワーク３４０を短絡させ
る。８００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ３３８は開か
れ、８００ＭＨｚの動作に必要な第１の増幅段３０４と
第２の増幅段３０６の適当な段間インピーダンスは、イ
ンピーダンスネットワーク３１０、３４０、３４２によ
って与えられる。
【００６７】本装置が１９００ＭＨｚ帯域内で動作する
場合、スイッチ３３８は閉じられ、インピーダンスネッ
トワーク３４０を短絡させる。このとき、第１の増幅段
３０４と第２の増幅段３０６の適当な段間インピーダン
スは、インピーダンスネットワーク３４２および３１０
によって与えられる。インピーダンスネットワーク３４
２および３１０のインピーダンス値は、１９００ＭＨｚ
の動作に必要な第１の増幅段と第２の増幅段の整合イン
ピーダンスが得られる値が好ましい。
【００６８】同様に、８００ＭＨｚまたは１９００ＭＨ
ｚの動作に必要な第２の増幅段３０６と第３の増幅段３
０８の予め決められた段間インピーダンスは、チップ内
インピーダンスネットワーク３１２、３４４、チップ内
電子スイッチ３４８およびチップ外インピーダンスネッ
トワーク３４６を用いて得られる。８００ＭＨｚの動作
の場合、スイッチ３４８は開かれ、１９００ＭＨｚの動
作の場合、スイッチ３４８は閉じられる。
【００６９】ＧａＡｓＭＭＩＣ電力増幅器チップ３０２
は、さらに、電子スイッチ３１６、３３８、３４８を制
御するチップ内制御回路３５０を含む。図１６におい
て、これらのスイッチと制御回路３５０を結ぶ点線は、
制御回路３５０によるスイッチの制御をを示す。８００
ＭＨｚの動作の場合、チップ外信号源から受信された制
御信号ＶＣに応じて、制御回路３５０は、スイッチ３１
６をインピーダンスネットワーク３１８に接続させ、ス
イッチ３３８および３４８を開く。１９００ＭＨｚの動
作の場合、制御回路３５０は、スイッチ３１６をインピ
ーダンスネットワーク３２０に接続させ、スイッチ３３
８および３４８を閉じる。制御信号ＶＣは、これらのス
イッチを制御するために、制御回路に適当な信号を発生
させる。制御信号ＶＣは、セルラー基地局に応答する信
号でもよいが、これは一例にすぎず、これに限定される
ことはない。
【００７０】ＧａＡｓＭＭＩＣ電力増幅器チップ３０２
は、さらに、増幅段３０４、３０６、３０８に適当にバ
イアスをかけるバイアス制御回路３５２を含む。例え
ば、特に、増幅装置が用いられるＰＣＳシステムに従っ
て、増幅段３０４、３０６、３０８は、Ａ、Ｂ、ＡＢま
たはＣモードの動作のためにバイアスがかけられる。バ
イアス制御回路３５２は、多数のチップ外電圧、すなわ
ち、正電圧電源ＶＤＢ、負電圧電源ＶＳＳ、基準電圧Ｖ
ＲＥＦに接続される。基準電圧ＶＲＥＦは、スイッチ３
５４を介してバイアス制御回路３５２に供給される。バ
イアス制御回路３５２は、２つのチップ外電子スイッチ
３５６および３５８を介して任意の２対のバイアス抵抗
器に接続される。任意のバイアス抵抗器はチップ内抵抗
器とともに分圧器を構成し、バイアス電圧は、分圧器に
よって任意のバイアス抵抗器の抵抗値を適当に選択する
ことによって調整できる。
【００７１】図１７を参照すると、代替の実施の形態に
おいて、第３の増幅段３０８の出力は、低域インピーダ
ンスネットワーク３６０および高域インピーダンスネッ
トワーク３６２に接続される。８００ＭＨｚの信号は低
域インピーダンスネットワーク３６０を通過し、低域イ
ンピーダンスネットワークは、８００ＭＨｚの動作に必
要な予め決められた出力インピーダンスを与える。１９
００ＭＨｚの信号は高域インピーダンスネットワーク３
６２を通過し、高域インピーダンスネットワークは、１
９００ＭＨｚの動作に必要な予め決められた出力インピ
ーダンスを与える。
【００７２】図１８は、制御回路３５０およびバイアス
制御回路３５２を除いた図８の好適なＧａＡｓＭＭＩＣ
回路３０２の部分概略回路図である。（好適なバイアス
制御回路の概略回路図は、図１９に示される。好適な制
御回路の概略回路図は、図２０に示される。）好適なＧ
ａＡｓＭＭＩＣは、３段の増幅段、すなわち、空乏モー
ドＧａＡｓ電力ＦＥＴ６００を含む第１の増幅段、空乏
モードＧａＡｓ電力ＦＥＴ６０２を含む第２の増幅段、
並列接続された２つの空乏モードＧａＡｓ電力ＦＥＴ６
０４および６０６を含む第３の増幅段を備える。２つの
入力信号、すなわち、８００ＭＨｚの信号および１９０
０ＭＨｚの信号は、それぞれ、端子６０８および６１０
に供給される。２つの空乏モードＧａＡｓＦＥＴ６１２
および６１４は、制御回路（図２０参照）によって制御
され、８００ＭＨｚの信号または１９００ＭＨｚの信号
のいずれかを選択的に第１の増幅段に供給するように機
能する。制御回路は、適当な制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２を
導線６１６、６１８を介してＦＥＴ６１２、６１４のゲ
ートに印加し、ＦＥＴをＯＮまたはＯＦＦにする。ま
た、制御回路はＦＥＴ６２０、６２２も制御し、ＦＥＴ
６２０、６２２は、予め決められた段間インピーダンス
を与えるスイッチとして機能する。
【００７３】ＧａＡｓ電力ＦＥＴ６００、６０２、６０
４および６０６は、端子６２４、６２６および６２８
で、バイアス制御回路（図１９参照）によってバイアス
をかけられる。３つの端子にかけられるバイアス電圧
は、ＶＧ１、ＶＧ２、ＶＧ３で示される。図１９は、好
適なバイアス制御回路６２３の概略回路図であるが、こ
れは一例にすぎず、この例に限定されることはない。バ
イアス制御回路６２３は、３つの空乏モードＧａＡｓＦ
ＥＴ６３０、６３２および６３４からなる。正直流電源
＋ＶＤＢおよび負直流電源−ＶＳＳは、バイアス制御回
路に接続される。基準電圧ＶＲｅｆは、ＦＥＴ６３２の
ゲートに印加される。バイアス回路６２３は、端子６３
６にバイアス電圧を供給し、端子６２４（ＶＧ１）、６
２６（ＶＧ２）、６２８（ＶＧ３）で図１８の増幅回路
に接続される。端子６３６に発生したバイアス電圧の振
幅は、基準電圧ＶＲｅｆによって制御され、正電源電圧
＋ＶＤＢと負電源電圧−ＶＳＳの間である。適当な基準
電圧ＶＲｅｆを印加することによって、所望のバイアス
電圧は得られる。バイアス制御回路６２３は、図１８の
増幅回路および図１９のバイアス制御回路を含むＧａＡ
ｓＭＭＩＣの一部であることが好ましい。上記バイアス
制御回路６２３の代わりに、図１９に示されるものとは
異なる他のバイアス回路を用いることができることは当
業者には明らかである。
【００７４】図２０を参照すると、制御回路６４０は、
端子６４４のアースおよび端子６４２の負電源−ＶＳＳ
に接続されているが、これは一例にすぎず、この例に限
定されることはない。外部制御電圧ＶＣは、端子６４６
で制御回路に供給される。制御電圧ＶＣ１およびＶＣ２
は、それぞれ、端子６４８および６５０に供給される。
制御回路６４０は、図１８に示される増幅回路３０２お
よび図１９に示されるバイアス制御回路６２３ととも
に、ＧａＡｓＭＭＩＣを構成する。
【００７５】図１８および図２０を参照すると、制御回
路６４０は以下のように動作する。ＶＣがアースのよう
な低電圧の場合、ＶＣ１は低電圧でＶＣ２は高電圧であ
る。その結果、増幅回路３０２は８００ＭＨｚの動作に
備える。逆に、ＶＣが高電圧の場合、ＶＣ１は高電圧で
ＶＣ２は低電圧になり、増幅回路３０２は１９００ＭＨ
ｚの動作に備える。
【００７６】適当な制御電圧を供給しさえすれば、ここ
に図示され記載されている制御回路とは異なる他の回路
を代わりに用いてもよいことは当業者には明らかであ
る。図２１は、異なる周波数の動作に必要な予め決めら
れた出力インピーダンスを与える代替の方法を示す。簡
略化するため、最終増幅段のみを示す。最終増幅段６５
２は、２つのインピーダンスネットワーク６５４および
６５６に接続される。コンデンサ６５８および６６０
は、それぞれ、２つのスイッチ６６２および６６４を介
してアースに接続されている。図２１の装置は以下のよ
うに動作する。１９００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ
６６２は閉じられ、スイッチ６６４は開かれる。インピ
ーダンスネットワーク６５４、６５６およびコンデンサ
６５８は、増幅段６５２と協働して、１９００ＭＨｚの
動作に必要な予め決められた出力インピーダンスを与え
る。８００ＭＨｚの動作の場合、スイッチ６６２は開か
れ、スイッチ６６４は閉じられる。２つのインピーダン
スネットワークおよびコンデンサ６６４は、増幅段６５
２と協働して、８００ＭＨｚの動作に必要な予め決めら
れた出力インピーダンスを与える。
【００７７】当業者には明らかであるように、様々な変
形は本発明の範囲内でなされ、請求の範囲のほかに限定
されることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複数バンド増幅器のブロック図であ
る。
【図２】本発明の複数バンド増幅器のブロック図であ
る。
【図３】本発明の複数バンド増幅器の好適な実施の形態
のブロック図である。
【図４】図３の複数バンド増幅器を形成するために用い
られる本発明に係るＧａＡｓＭＭＩＣの概略ブロック図
である。
【図５】図３の複数バンド増幅器を形成するために用い
られる本発明に係るＧａＡｓＭＭＩＣの概略ブロック図
である。
【図６】本発明の複数バンド増幅器の別の実施の形態の
ブロック図である。
【図７】本発明の複数バンド増幅器の代替の実施の形態
のブロック図である。
【図８】本発明の複数バンド増幅器の代替の実施の形態
のブロック図である。
【図９】本発明の複数バンド増幅器の代替の実施の形態
のブロック図である。
【図１０】本発明の複数バンド増幅器の代替の実施の形
態のブロック図である。
【図１１】本発明の複数バンド増幅器の代替の実施の形
態のブロック図である。
【図１２】本発明の多段複数バンド増幅器の好適な実施
の形態のブロック図である。
【図１３】図１２の増幅器の概略ブロック図である。
【図１４】本発明の多段複数バンド増幅器の代替の実施
の形態のブロック図である。
【図１５】図１４の増幅器の概略ブロック図である。
【図１６】本発明の多段複数バンド増幅器の好適な実施
の形態のブロック図である。
【図１７】図１６に示された増幅器の代替の実施の形態
のブロック図である。
【図１８】図１６および図１７の複数バンド増幅器を形
成するために用いられる本発明のＧａＡｓＭＭＩＣの概
略回路図である。
【図１９】本発明のバイアス制御回路の好適な実施の形
態の概略回路図である。
【図２０】本発明の制御回路の好適な実施の形態の概略
回路図である。
【図２１】本発明に係る予め決められた出力インピーダ
ンスを与える代替の方法を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０、５０、１５０ 増幅装置 ２０、６０ 第１の増幅器 ２２、３２、６２、６４、６６、８２、８４、８６、１
５２増幅段 ２４、３４、１６０、１６２入力インピーダンスネット
ワーク ２６、３６、１６６、１６８出力インピーダンスネット
ワーク ２７、３７、４２ 入力端子 ２８、３８、１７８、１８０出力端子 ２２、３２ 増幅段 ２９、３９、４５、６７、８７、１７４、１７６入力信
号 ３０、８０ 第２の増幅器 ４０ 制御回路 ４１ 制御信号 ４３ スイッチ回路 ４４、７７、１０８、１５８、１６４、１９０、１９
２、１９４、１９６、１５８、２０２、２０６、２１２
スイッチ ６８、７０、７２、７４、８８、９０、９２、９４、１
８２、２０８、２１０、２１４、２１６インピーダンス
ネットワーク ７５、７６、７９、９５、９６、９７インダクタ ８１、８３、８５、９８、９９、１０１コンデンサ １００ バイアス制御回路 １０２、１０４、１０６、１１０、１１２、１７０、１
７２端子 １５４ 入力ノード １５６ 出力ノード １８４ バイアス制御回路

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 予め決められた複数の周波数のうちの一
    つの周波数の信号を増幅する増幅装置であって、 各々が、前記予め決められた周波数のうちの一つで作動
    する複数の増幅器と、 斯かる信号の周波数で作動する増幅器を作動状態にする
    一方、他の増幅器が作動しないようにするための、制御
    信号に応答する制御回路とを、備えていることを特徴と
    する増幅装置。
  2. 【請求項２】 斯かる信号の周波数で作動するのに適し
    た増幅器に信号を供給する手段を更に備えていることを
    特徴とする請求項１記載の増幅装置。
  3. 【請求項３】 各々の増幅器は、 少なくとも一つの増幅段と、 各増幅器が作動するのに適した信号周波数で予め決めら
    れた入力インピーダンスを与える入力インピーダンス手
    段と、 各増幅器が作動するのに適した信号周波数で予め決めら
    れた出力インピーダンスを与えるための出力インピーダ
    ンス手段とを、備えていることを特徴とする請求項１記
    載の増幅装置。
  4. 【請求項４】 少なくとも一つの増幅段は、少なくとも
    一つの増幅トランジスタを備えており、制御回路手段
    は、増幅器の前記増幅トランジスタをオンにすることに
    よって増幅器を作動状態にする一方、増幅器の前記増幅
    トランジスタをオフにすることによって増幅器を作動さ
    せないようにするように作動することを特徴とする請求
    項３記載の増幅装置。
  5. 【請求項５】 各々の増幅器は、縦続配列された複数の
    増幅段を備えており、各々の増幅器は、各増幅器が作動
    するのに適した周波数で連続する増幅段の間の予め決め
    られた段間インピーダンスを与えるための段間インピー
    ダンス手段を更に備えていることを特徴とする請求項３
    記載の増幅装置。
  6. 【請求項６】 各増幅器において、各増幅器が作動する
    のに適した周波数で、前段の出力インピーダンスが、後
    段の入力インピーダンスとほぼ整合していることを特徴
    とする請求項５記載の増幅装置。
  7. 【請求項７】 制御回路手段は、更に、複数の作動モー
    ドのうちの一つで作動するように選択された増幅器をバ
    イアスするように作動することを特徴とする請求項１記
    載の増幅装置。
  8. 【請求項８】 複数の増幅器及び制御回路は、モノリシ
    ックＧａＡｓ集積回路として形成されていることを特徴
    とする請求項１記載の増幅装置。
  9. 【請求項９】 制御信号は、基地局から受信されること
    を特徴とする請求項１記載の増幅装置。
  10. 【請求項１０】 予め決められた複数の周波数のうちの
    一つの周波数の信号を増幅するための増幅装置であっ
    て、 斯かる信号を増幅する少なくとも一つの増幅段と、 斯かる信号の周波数に従って、斯かる信号の周波数で所
    定の入力インピーダンスを与える入力インピーダンス手
    段とを、備えていることを特徴とする増幅装置。
  11. 【請求項１１】 入力インピーダンス手段は、斯かる信
    号の周波数で源インピーダンスとほぼ整合する入力イン
    ピーダンスを与えることを特徴とする請求項１０記載の
    増幅装置。
  12. 【請求項１２】 入力インピーダンス手段は、斯かる信
    号の周波数に従って、増幅段の入力に、複数の入力イン
    ピーダンスネットワークのうちの選択された一つを選択
    的に連結するための手段を備えていることを特徴とする
    請求項１０記載の増幅装置。
  13. 【請求項１３】 入力インピーダンス手段は、斯かる信
    号の周波数に従って、少なくとも一つの増幅段の入力に
    連結されたインピーダンスネットワークのインピーダン
    スを制御するための手段を備えていることを特徴とする
    請求項１０記載の増幅装置。
  14. 【請求項１４】 斯かる信号の周波数に従って、斯かる
    信号の周波数で予め決められた出力インピーダンスを与
    える出力インピーダンス手段を更に備えていることを特
    徴とする請求項１０記載の増幅装置。
  15. 【請求項１５】 出力インピーダンス手段は、斯かる信
    号の周波数に従って、増幅段の出力に、複数の出力イン
    ピーダンスネットワークのうちの選択された一つを選択
    的に連結するための手段を備えていることを特徴とする
    請求項１４記載の増幅装置。
  16. 【請求項１６】 出力インピーダンス手段は、斯かる信
    号の周波数に従って、少なくとも一つの増幅段の出力に
    連結されたインピーダンスネットワークのインピーダン
    スを制御する手段を備えていることを特徴とする請求項
    １４記載の増幅装置。
  17. 【請求項１７】 出力インピーダンス手段は、少なくと
    も一つの増幅段の出力に連結された複数の周波数フィル
    ター／インピーダンスネットワークを備えていることを
    特徴とする請求項１４記載の増幅装置。
  18. 【請求項１８】 複数の作動モードのうちの一つで作動
    する増幅段を選択的にバイアスするためのバイアス制御
    手段を備えていることを特徴とする請求項１０記載の増
    幅装置。
  19. 【請求項１９】 縦続配列された複数の増幅段を備え、
    選択された信号の周波数で二つの連続する増幅段の間に
    所定のインピーダンスを与える段間インピーダンス手段
    を更に備えていることを特徴とする請求項１０記載の増
    幅装置。
  20. 【請求項２０】 二つの連続する増幅段の間に予め決め
    られたインピーダンスを与える段間インピーダンス手段
    は、斯かる信号の周波数に従って、前増幅段に接続され
    た複数のインピーダンスネットワークのうちの一つを、
    直流電源に選択的に連結するための手段を備えているこ
    とを特徴とする請求項１９記載の増幅装置。
  21. 【請求項２１】 二つの連続する増幅段の間に所定のイ
    ンピーダンスを与える段間インピーダンス手段は、斯か
    る信号の周波数に従って、二つの連続する増幅段のうち
    の前増幅段と直流電源との間に接続されたインピーダン
    スネットワークのインピーダンスを制御するための手段
    を備えていることを特徴とする請求項１９記載の増幅装
    置。
  22. 【請求項２２】 前増幅段と直流電源との間に接続され
    たインピーダンスネットワークは、インダクタ及び並列
    に接続されたトランジスタを備え、前記手段は、トラン
    ジスタの導電率を制御することによってインピーダンス
    ネットワークのインピーダンスを制御することを特徴と
    する請求項２１記載の増幅装置。
  23. 【請求項２３】 予め決められた複数の周波数のうちの
    一つである周波数の信号を増幅するための増幅装置であ
    って、 少なくとも一つの増幅段と、 その少なくとも一つの増幅段の入力に連結するための複
    数の入力インピーダンスネットワークであって、各々
    が、少なくとも一つの増幅段の入力に連結されると、少
    なくとも一つの増幅段と作用して斯かる所定の周波数の
    うちの一つにおいて予め決められたインピーダンスを与
    える入力インピーダンスネットワークと、 少なくとも一つの増幅段と作用して斯かる信号の周波数
    において所定のインピーダンスを与える入力インピーダ
    ンス手段のうちの一つを、少なくとも一つの増幅段の入
    力に、切り替え可能に連結するための入力インピーダン
    ススイッチ手段とを、備えていることを特徴とする増幅
    装置。
  24. 【請求項２４】 少なくとも一つの増幅段の出力に連結
    するための複数の出力インピーダンスネットワークであ
    って、各々が、少なくとも一つの増幅段の出力に連結さ
    れると、少なくとも一つの増幅段と作用して斯かる所定
    の周波数のうちの一つにおいて予め決められたインピー
    ダンスを与える出力インピーダンスネットワークと、 少なくとも一つの増幅段の出力に連結されると、少なく
    とも一つの増幅段と作用して斯かる信号の周波数におい
    て予め決められた出力インピーダンスを与える出力イン
    ピーダンス手段のうちの一つを、少なくとも一つの増幅
    段の入力に、切り替え可能に連結するための出力インピ
    ーダンススイッチ手段とを、備えていることを特徴とす
    る請求項２３記載の増幅装置。
  25. 【請求項２５】 縦続配列された複数の増幅段を備え、
    選択された信号の周波数で二つの連続する増幅段の間に
    所定のインピーダンスを与えるための段間インピーダン
    ス手段を更に備えていることを特徴とする請求項２３記
    載の増幅装置。
  26. 【請求項２６】 予め決められた複数の周波数又は周波
    数バンドのうちの一つである周波数の入力信号を増幅す
    る増幅装置の構成方法であって、 増幅段の入力を、複数の入力インピーダンスネットワー
    クのうちの選択された一つに連結する工程であって、入
    力インピーダンスネットワークは、各々、増幅器の入力
    に連結されると、増幅段と作用して予め決められた複数
    の周波数又は周波数バンドのうちの一つにおいて所定の
    入力インピーダンスを与え、選択された一つの入力イン
    ピーダンスネットワークは、増幅段と作用して斯かる入
    力信号の周波数において所定の入力インピーダンスを与
    えるものである工程を、含むことを特徴とする方法。
  27. 【請求項２７】 増幅段の出力を、複数の出力インピー
    ダンスネットワークのうちの選択された一つに連結する
    工程であって、出力インピーダンスネットワークは、各
    々、増幅器の出力に連結されると、増幅段と作用して予
    め決められた複数の周波数又は周波数バンドのうちの一
    つにおいて所定の出力インピーダンスを与え、選択され
    た一つの出力インピーダンスネットワークは、増幅段と
    作用して斯かる入力信号の周波数において予め決められ
    た出力インピーダンスを与えるものである工程を、含む
    ことを特徴とする請求項２６記載の方法。
JP9145658A 1996-06-03 1997-06-03 複数バンド増幅器 Pending JPH1065466A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/664972 1996-06-03
US08/664,972 US5774017A (en) 1996-06-03 1996-06-03 Multiple-band amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1065466A true JPH1065466A (ja) 1998-03-06

Family

ID=24668195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9145658A Pending JPH1065466A (ja) 1996-06-03 1997-06-03 複数バンド増幅器

Country Status (2)

Country Link
US (3) US5774017A (ja)
JP (1) JPH1065466A (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0944214A2 (de) * 1998-03-18 1999-09-22 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erkennung von Übertragungsfehlern in einem Multiträgerdatenübertragungssystem
WO1999062193A1 (en) * 1998-05-22 1999-12-02 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Improved power amplifier matching in a dual band mobile phone
WO1999063656A1 (en) * 1998-06-04 1999-12-09 Analog Devices, Inc. Low noise amplifier
WO1999067893A1 (en) * 1998-06-24 1999-12-29 Conexant Systems, Inc. Dual band cellular phone with two power amplifiers and power control circuit therefor
WO1999067892A1 (en) * 1998-06-24 1999-12-29 Conexant Systems, Inc. Dual band cellular phone with two power amplifiers and a current detector for monitoring the consumed power
KR20000052384A (ko) * 1998-11-27 2000-08-25 귄터 무스함마 집적 증폭기
WO2000055967A1 (fr) * 1999-03-15 2000-09-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteur et dispositif de communication
US6809592B2 (en) 2001-12-19 2004-10-26 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. High-frequency circuit
JP2006515723A (ja) * 2002-10-08 2006-06-01 メイコム インコーポレイテッド マルチバンド信号処理装置、処理方法及び製造物
JP2006262240A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc 電力増幅装置および携帯電話端末
JP2008011188A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Fujitsu Ltd マルチバンド高周波増幅器
JP2008085929A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Sony Corp 電力増幅装置
JP2008154201A (ja) * 2006-07-07 2008-07-03 Murata Mfg Co Ltd 送信装置
JP2008288769A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp 高周波回路、半導体装置、および高周波電力増幅装置
US7602865B2 (en) 2003-11-22 2009-10-13 Lg Electronics Inc. Apparatus and method for enhancing a reception rate of a receiver
JP2011135282A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Tdk Corp 電力増幅回路
JP2011530241A (ja) * 2008-08-01 2011-12-15 クゥアルコム・インコーポレイテッド マルチモード構成可能な送信機回路
JP2012049909A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Toshiba Corp 広帯域電力増幅器
JP2012518373A (ja) * 2009-02-18 2012-08-09 ホリンワース ファンド，エル．エル．シー． メタマテリアル電力増幅器システム
JPWO2013150564A1 (ja) * 2012-04-04 2015-12-14 三菱電機株式会社 マルチモード・マルチバンド増幅器
WO2019107264A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 株式会社村田製作所 増幅装置、増幅装置の製造方法およびバイアス電流補正方法

Families Citing this family (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6137355A (en) * 1994-04-17 2000-10-24 Sevic; John F. Dual-mode amplifier with high efficiency and high linearity
US5774017A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Anadigics, Inc. Multiple-band amplifier
US5973557A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High efficiency linear power amplifier of plural frequency bands and high efficiency power amplifier
US6128508A (en) * 1996-12-27 2000-10-03 Lucent Technologies Inc. Communications system using multi-band amplifiers
SE512927C2 (sv) * 1997-01-30 2000-06-05 Ericsson Telefon Ab L M Trådlös terminal arbetande enligt fler än ett luftgränssnittsprotokoll
US6078794A (en) 1997-02-19 2000-06-20 Motorola, Inc. Impedance matching for a dual band power amplifier
US5995814A (en) * 1997-06-13 1999-11-30 Lucent Technologies Inc. Single-stage dual-band low-noise amplifier for use in a wireless communication system receiver
US6298244B1 (en) * 1997-07-03 2001-10-02 Ericsson Inc. Dual-band, dual-mode power amplifier
US6091966A (en) * 1997-09-29 2000-07-18 Ericsson, Inc. Dual-band, dual-mode power amplifier
US6188877B1 (en) 1997-07-03 2001-02-13 Ericsson Inc. Dual-band, dual-mode power amplifier with reduced power loss
US6127886A (en) * 1997-10-30 2000-10-03 The Whitaker Corporation Switched amplifying device
US6216012B1 (en) * 1997-11-07 2001-04-10 Conexant Systems, Inc. Dualband power amplifier control using a single power amplifier controller
US6075995A (en) * 1998-01-30 2000-06-13 Conexant Systems, Inc. Amplifier module with two power amplifiers for dual band cellular phones
US6163709A (en) * 1998-06-24 2000-12-19 Conexant Systems, Inc. Cellular phone with a logarithmic detector
DE69838212T3 (de) * 1998-07-28 2019-03-14 Ipcom Gmbh & Co. Kg Mobiltelefon
GB2341993B (en) * 1998-09-25 2003-03-12 Nec Technologies Radio receivers
US6134427A (en) * 1998-09-30 2000-10-17 Conexant Systems, Inc. Using a single low-noise amplifier in a multi-band wireless station
DE19846069A1 (de) * 1998-10-06 2000-04-13 Siemens Ag Sendeendstufe für ein Mobiltelefon
US6281755B1 (en) * 1998-12-28 2001-08-28 Siemens Aktiengesellschaft High-frequency power amplifier
US6118343A (en) * 1999-05-10 2000-09-12 Tyco Electronics Logistics Ag Power Amplifier incorporating single drain switch and single negative voltage generator
US6194968B1 (en) 1999-05-10 2001-02-27 Tyco Electronics Logistics Ag Temperature and process compensating circuit and controller for an RF power amplifier
DE19930195C2 (de) * 1999-06-30 2001-08-30 Siemens Ag Schaltung zum Verstärken eines Hochfrequenzsignals aus zumindest zwei Hochfrequenzbereichen, 2-Band-Empfänger mit der Schaltung, 2-Band-Mobilfunkvorrichtung mit dem Empfänger und Verwendung einer Serienschaltung aus einem kapazitiven Element und einer Hochfrequenzleitung in einer Verstärkerschaltung
AU4527899A (en) * 1999-07-07 2001-01-30 Ericsson Inc. A dual-band, dual-mode power amplifier
US6559722B1 (en) * 1999-08-10 2003-05-06 Anadigics, Inc. Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
FR2798016B1 (fr) * 1999-08-31 2002-03-29 St Microelectronics Sa Circuit amplificateur a double bande passante et tete de reception radiofrequence
FI108196B (fi) 1999-09-30 2001-11-30 Nokia Networks Oy Järjestely ja menetelmä radiojärjestelmän lähetinvastaanotintoiminnan toteuttamiseksi
US6215355B1 (en) * 1999-10-13 2001-04-10 Tropian, Inc. Constant impedance for switchable amplifier with power control
US6236274B1 (en) 2000-01-04 2001-05-22 Industrial Technology Research Institute Second harmonic terminations for high efficiency radio frequency dual-band power amplifier
US6281748B1 (en) 2000-01-14 2001-08-28 Motorola, Inc. Method of and apparatus for modulation dependent signal amplification
US6597925B1 (en) * 2000-03-16 2003-07-22 Agere Systems Inc. Transmitter circuit with frequency self-optimization
US6658265B1 (en) 2000-04-25 2003-12-02 Rf Micro Devices, Inc. Matching network for a dual mode RF amplifier
EP1156582A3 (en) * 2000-05-16 2004-04-28 Nokia Corporation Transmitter/receiver chain impedance optimization
US7020450B2 (en) * 2000-09-05 2006-03-28 Nec Corporation Active inductors using bipolar silicon transistors
US7123899B1 (en) * 2000-09-06 2006-10-17 Industrial Technology Research Institute Broadband single-ended input upconverter
JP3895532B2 (ja) * 2000-09-11 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅装置及び無線通信機
FI114261B (fi) * 2000-09-12 2004-09-15 Nokia Corp Lähetin ja langaton viestintälaite
JP2002111415A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 高周波電力増幅装置及び無線通信機
US6856199B2 (en) * 2000-10-10 2005-02-15 California Institute Of Technology Reconfigurable distributed active transformers
EP1202467B1 (fr) * 2000-10-24 2004-07-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Emetteur de signaux à commande impulsionnelle d'amplification
FR2816472B1 (fr) * 2000-11-07 2004-10-15 Sagem Telephone mobile avec dispositif d'emission multibande
AU2002254159A1 (en) * 2001-03-09 2002-09-24 California Institute Of Technology Switchless multi-resonant, multi-band power amplifier
GB0107264D0 (en) * 2001-03-22 2001-05-16 Nokia Networks Oy Processing signals in a transmitter
FR2825562B1 (fr) * 2001-05-30 2003-09-05 Sagem Telephone portable multimodes a amplificateur d'emission unique
TW486861B (en) * 2001-07-04 2002-05-11 Ind Tech Res Inst Impedance matching circuit for a multi-band power amplifier
US6680652B2 (en) 2001-08-06 2004-01-20 Rf Micro Devices, Inc. Load switching for transmissions with different peak-to-average power ratios
US6683496B2 (en) * 2001-08-20 2004-01-27 Harris Corporation System and method for minimizing dissipation in RF power amplifiers
JP3877558B2 (ja) * 2001-09-11 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅器、高周波電力増幅器モジュール及び携帯電話機
US6985698B2 (en) * 2001-11-14 2006-01-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Impedeance matching circuit for a multi-band radio frequency device
JP3932259B2 (ja) * 2001-12-12 2007-06-20 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅回路および無線通信用電子部品
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
AU2003201479A1 (en) * 2002-02-20 2003-09-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mobile multimode terminal with joint power amplifier
JP2003338711A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Alps Electric Co Ltd 動作点の調整が可能な電力増幅器
ATE378731T1 (de) * 2002-05-22 2007-11-15 Siemens Spa Italiana Aufwärtsfrequenzwandler für radiosysteme
US6806767B2 (en) 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
CA2493624A1 (en) * 2002-07-24 2004-01-29 Sirific Wireless Corporation Multi-standard amplifier
US7203262B2 (en) 2003-05-13 2007-04-10 M/A-Com, Inc. Methods and apparatus for signal modification in a fractional-N phase locked loop system
US7526260B2 (en) * 2002-11-14 2009-04-28 M/A-Com Eurotec, B.V. Apparatus, methods and articles of manufacture for linear signal modification
US7298854B2 (en) * 2002-12-04 2007-11-20 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for noise reduction in electromagnetic signal processing
US7245183B2 (en) * 2002-11-14 2007-07-17 M/A-Com Eurotec Bv Apparatus, methods and articles of manufacture for processing an electromagnetic wave
US7187231B2 (en) * 2002-12-02 2007-03-06 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for multiband signal processing
US6924699B2 (en) * 2003-03-06 2005-08-02 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for digital modification in electromagnetic signal processing
US7545865B2 (en) * 2002-12-03 2009-06-09 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for wideband signal processing
US6891432B2 (en) * 2002-11-14 2005-05-10 Mia-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for electromagnetic processing
JP4160365B2 (ja) * 2002-11-07 2008-10-01 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム
US6859098B2 (en) 2003-01-17 2005-02-22 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for control in an electromagnetic processor
CN1765063B (zh) * 2003-03-27 2010-09-01 Nxp股份有限公司 发射机中的电力节省
US7148751B2 (en) * 2003-04-14 2006-12-12 M/A-Com, Inc. Handset radiofrequency front end module in fine pitch quad flat no lead (FQFP-N) package
US6987422B2 (en) * 2003-05-15 2006-01-17 Agilent Technologies, Inc. Equal phase multiple gain state amplifier
TWI225332B (en) * 2003-05-20 2004-12-11 Mediatek Inc Multi-band low noise amplifier
JP3892826B2 (ja) * 2003-05-26 2007-03-14 株式会社東芝 電力増幅器及びこれを用いた無線通信装置
EP1489750B1 (en) * 2003-06-10 2008-03-05 Sony Ericsson Mobile Communications AB Reduction of radio frequency leakage
US7170341B2 (en) * 2003-08-05 2007-01-30 Motorola, Inc. Low power consumption adaptive power amplifier
TW200518345A (en) * 2003-08-08 2005-06-01 Renesas Tech Corp Semiconductor device
US7091778B2 (en) 2003-09-19 2006-08-15 M/A-Com, Inc. Adaptive wideband digital amplifier for linearly modulated signal amplification and transmission
US7480511B2 (en) * 2003-09-19 2009-01-20 Trimble Navigation Limited Method and system for delivering virtual reference station data
US7409200B2 (en) 2003-10-08 2008-08-05 Sige Semiconductor Inc. Module integration integrated circuits
US7754539B2 (en) * 2003-10-08 2010-07-13 Sige Semiconductor Inc. Module integration integrated circuits
US7149483B1 (en) 2003-10-28 2006-12-12 Magnolia Broadband Inc. Amplifying diversity signals using power amplifiers
CN1902816B (zh) * 2003-11-13 2010-04-28 日本电气株式会社 高频放大器
US6970040B1 (en) * 2003-11-13 2005-11-29 Rf Micro Devices, Inc. Multi-mode/multi-band power amplifier
US7343138B2 (en) * 2003-12-08 2008-03-11 M/A-Com, Inc. Compensating for load pull in electromagentic signal propagation using adaptive impedance matching
US7102444B2 (en) * 2004-01-20 2006-09-05 Anadigics, Inc. Method and apparatus for compensating and improving efficiency in a variable power amplifier
JP4137815B2 (ja) * 2004-02-19 2008-08-20 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 電力増幅装置及び携帯通信端末装置
KR101034621B1 (ko) * 2004-08-10 2011-05-12 엘지전자 주식회사 다중밴드 이동통신 단말기
US7327803B2 (en) 2004-10-22 2008-02-05 Parkervision, Inc. Systems and methods for vector power amplification
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US20060194551A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power amplifier and polar modulation system
US7164319B2 (en) * 2005-04-29 2007-01-16 Triquint Semiconductor, Inc. Power amplifier with multi mode gain circuit
US7345534B2 (en) * 2005-05-31 2008-03-18 M/A-Com Eurotec Bv Efficient power amplification system
US7508249B2 (en) * 2005-07-27 2009-03-24 Analog Devices, Inc. Distributed transistor structure for high linearity active CATV power splitter
US7911272B2 (en) 2007-06-19 2011-03-22 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments
US8013675B2 (en) 2007-06-19 2011-09-06 Parkervision, Inc. Combiner-less multiple input single output (MISO) amplification with blended control
US9106316B2 (en) 2005-10-24 2015-08-11 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification
DE602005005502T2 (de) * 2005-12-12 2009-04-02 Alcatel Lucent Frequenzschalter für Multiband-Leistungsverstärkeranwendungen und Multiband/Multistandard-Leistungsverstärkermodul
US7937106B2 (en) 2006-04-24 2011-05-03 ParkerVision, Inc, Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same
US8031804B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion
US7826810B2 (en) * 2006-05-08 2010-11-02 Harris Corporation Multiband radio with transmitter output power optimization
JP2007312031A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス
US8315336B2 (en) 2007-05-18 2012-11-20 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including a switching stage embodiment
US7869775B2 (en) * 2006-10-30 2011-01-11 Skyworks Solutions, Inc. Circuit and method for biasing a gallium arsenide (GaAs) power amplifier
US7936045B2 (en) * 2007-06-11 2011-05-03 Infineon Technologies Ag Integrated circuit with multi-stage matching circuit
WO2009005768A1 (en) 2007-06-28 2009-01-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
EP2053738A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-29 Alcatel Lucent Amplifier with adjustable frequency band
US7853290B2 (en) * 2007-10-29 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Transmitter arrangement
US8718582B2 (en) * 2008-02-08 2014-05-06 Qualcomm Incorporated Multi-mode power amplifiers
KR100948029B1 (ko) 2008-02-29 2010-03-19 인하대학교 산학협력단 이중 대역 전력증폭기
ATE512504T1 (de) * 2008-10-20 2011-06-15 Alcatel Lucent Verfahren zur breitbandanpassung und ein entsprechendes netzelement
US8379548B1 (en) * 2009-03-06 2013-02-19 Qualcomm Incorporated Architecture for simultaneous transmission of multiple protocols in a wireless device
US7982543B1 (en) 2009-03-30 2011-07-19 Triquint Semiconductor, Inc. Switchable power amplifier
US9143172B2 (en) * 2009-06-03 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Tunable matching circuits for power amplifiers
US8963611B2 (en) * 2009-06-19 2015-02-24 Qualcomm Incorporated Power and impedance measurement circuits for a wireless communication device
JP2011015242A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Panasonic Corp 高周波電力増幅器
US8750810B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation
US8072272B2 (en) 2009-08-19 2011-12-06 Qualcomm, Incorporated Digital tunable inter-stage matching circuit
US9559639B2 (en) * 2009-08-19 2017-01-31 Qualcomm Incorporated Protection circuit for power amplifier
US8207798B1 (en) 2009-09-09 2012-06-26 Triquint Semiconductor, Inc. Matching network with switchable capacitor bank
US7990212B1 (en) * 2009-12-18 2011-08-02 Cirrus Logic, Inc. Modulated audio amplifier output enable control
US8643449B2 (en) * 2010-03-26 2014-02-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance matching circuit capable of efficiently isolating paths for multi-band power amplifier
EP2432121B1 (en) 2010-09-15 2014-03-19 Sony Ericsson Mobile Communications AB Broadband power amplifier
WO2012040879A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multi-band switched-mode power amplifier
KR101250720B1 (ko) * 2010-12-21 2013-04-03 삼성전기주식회사 안테나 스위치 회로 및 그 스위칭 방법
KR20140026458A (ko) 2011-04-08 2014-03-05 파커비전, 인크. Ｒｆ 전력 송신, 변조 및 증폭 시스템들 및 방법들
US20120280755A1 (en) * 2011-05-04 2012-11-08 Triquint Semiconductor, Inc. Flip-chip power amplifier and impedance matching network
KR20140034895A (ko) 2011-06-02 2014-03-20 파커비전, 인크. 안테나 제어
US9231536B2 (en) * 2011-07-24 2016-01-05 Ethertronics, Inc. Multi-mode multi-band self-realigning power amplifier
US9319005B2 (en) * 2012-07-13 2016-04-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-band/multi-mode power amplifier with signal path hardware sharing
KR101338015B1 (ko) * 2012-07-27 2013-12-09 숭실대학교산학협력단 스택 구조를 가지는 전력 증폭기
KR101332569B1 (ko) 2012-11-20 2013-11-25 숭실대학교산학협력단 차동 다단 분포형 증폭기
FR3002708A1 (fr) * 2013-02-28 2014-08-29 Thales Sa Systeme d'amplification de signaux
US9209762B1 (en) 2013-04-01 2015-12-08 Cirrus Logic, Inc. Switching power amplifier with rate-controlled power supply voltage transitions
US9312821B2 (en) * 2013-05-07 2016-04-12 Maxlinear, Inc. Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters
CN106415435B (zh) 2013-09-17 2020-08-11 帕克维辛股份有限公司 用于呈现信息承载时间函数的方法、装置和系统
KR102105832B1 (ko) * 2013-11-12 2020-04-29 삼성전자주식회사 전력을 제어하는 전자 장치 및 방법
US9166534B2 (en) 2013-12-17 2015-10-20 Qualcomm Incorporated Tunable loadline
US9429975B2 (en) 2014-06-16 2016-08-30 Skyworks Solutions, Inc. Band-gap reference circuit for biasing an RF device
JP2017521012A (ja) * 2014-07-14 2017-07-27 コヴィディエン リミテッド パートナーシップ マイクロ波切除のためのデュアルバンド電力増幅器回路
US9716471B2 (en) 2014-12-22 2017-07-25 Raytheon Company Quasi-switched, multi-band, high-power amplifier and method
JP2016149743A (ja) * 2015-02-15 2016-08-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器
US9893684B2 (en) 2015-02-15 2018-02-13 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency power amplifiers driven by boost converter
KR102163049B1 (ko) * 2015-02-24 2020-10-08 삼성전기주식회사 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 출력 제어 방법
US11201595B2 (en) * 2015-11-24 2021-12-14 Skyworks Solutions, Inc. Cascode power amplifier with switchable output matching network
JP2018181943A (ja) 2017-04-05 2018-11-15 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP2019083476A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 株式会社村田製作所 電力増幅回路
CN109450393A (zh) * 2018-09-16 2019-03-08 天津大学 一种单片集成的双频射频功率放大器
US11563410B1 (en) * 2018-12-28 2023-01-24 Rockwell Collins, Inc. Systems and methods for multi-band power amplifiers
CN116015318A (zh) 2018-12-29 2023-04-25 华为技术有限公司 一种多频段射频前端器件，多频段接收机及多频段发射机
JP2020202528A (ja) * 2019-06-13 2020-12-17 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置
US11201590B2 (en) * 2020-02-12 2021-12-14 Qorvo Us, Inc. Power amplifier apparatus
US11671122B2 (en) 2020-08-26 2023-06-06 Skyworks Solutions, Inc. Filter reuse in radio frequency front-ends
US11601144B2 (en) 2020-08-26 2023-03-07 Skyworks Solutions, Inc. Broadband architectures for radio frequency front-ends
US11522508B1 (en) 2021-08-13 2022-12-06 Raytheon Company Dual-band monolithic microwave IC (MMIC) power amplifier

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1583483A (ja) * 1968-08-09 1969-10-31
US4227156A (en) * 1977-12-01 1980-10-07 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Circuit for at least two frequencies
US4558289A (en) * 1983-12-23 1985-12-10 Rca Corporation Bias and AGC control of two RF amplifiers with a shared control element
US4823094A (en) * 1986-05-02 1989-04-18 Reiffin Martin G Dual-band high-fidelity amplifier
DE3626575C1 (de) * 1986-08-06 1987-10-15 Telefunken Electronic Gmbh Umschaltbarer Tunervorverstaerker
FR2608862A1 (fr) 1986-12-19 1988-06-24 Radiotechnique Ind & Comm Commutateur electronique a tres haute frequence
US4951060A (en) * 1988-09-21 1990-08-21 Westinghouse Electric Corp. Dual frequency transmit-receive module for an active aperture radar system
ATE126412T1 (de) * 1990-05-21 1995-08-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur bereichsumschaltung in tunern.
US5060294A (en) * 1990-07-05 1991-10-22 Motorola, Inc. Dual mode power amplifier for radiotelephone
US5032801A (en) * 1990-07-31 1991-07-16 Tektronix, Inc. High performance attenuator configuration
JP3086512B2 (ja) * 1990-11-14 2000-09-11 エリクソン−ジーイー モービル コミュニケーションズ ホールディング インコーポレイテッド 送信機及びその電力増幅回路
DE69232943T2 (de) * 1991-05-13 2003-08-28 Xircom Wireless, Inc. Sender/empfänger mit zwei betriebsarten
US5402138A (en) * 1991-05-30 1995-03-28 Conifer Corporation Integrated MMDS/MDS antenna and dual band down converter
RU2144260C1 (ru) * 1992-03-13 2000-01-10 Моторола, Инк. Сеть, объединяющая усилители мощности сигналов высокой частоты и двухрежимное устройство связи
US5457734A (en) * 1993-07-08 1995-10-10 At&T Ipm Corp. Multi-band cellular radiotelephone system architecture
US5406615A (en) * 1993-08-04 1995-04-11 At&T Corp. Multi-band wireless radiotelephone operative in a plurality of air interface of differing wireless communications systems
DE69630512T2 (de) * 1995-09-29 2004-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Leistungsverstärker und kommunikationsvorrichtung
US5774017A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Anadigics, Inc. Multiple-band amplifier

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0944214A3 (de) * 1998-03-18 2002-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erkennung von Übertragungsfehlern in einem Multiträgerdatenübertragungssystem
EP0944214A2 (de) * 1998-03-18 1999-09-22 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erkennung von Übertragungsfehlern in einem Multiträgerdatenübertragungssystem
WO1999062193A1 (en) * 1998-05-22 1999-12-02 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Improved power amplifier matching in a dual band mobile phone
WO1999063656A1 (en) * 1998-06-04 1999-12-09 Analog Devices, Inc. Low noise amplifier
WO1999067893A1 (en) * 1998-06-24 1999-12-29 Conexant Systems, Inc. Dual band cellular phone with two power amplifiers and power control circuit therefor
WO1999067892A1 (en) * 1998-06-24 1999-12-29 Conexant Systems, Inc. Dual band cellular phone with two power amplifiers and a current detector for monitoring the consumed power
KR20000052384A (ko) * 1998-11-27 2000-08-25 귄터 무스함마 집적 증폭기
WO2000055967A1 (fr) * 1999-03-15 2000-09-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteur et dispositif de communication
US7079860B1 (en) 1999-03-15 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor apparatus and communication apparatus
US6809592B2 (en) 2001-12-19 2004-10-26 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. High-frequency circuit
JP2006515723A (ja) * 2002-10-08 2006-06-01 メイコム インコーポレイテッド マルチバンド信号処理装置、処理方法及び製造物
US7602865B2 (en) 2003-11-22 2009-10-13 Lg Electronics Inc. Apparatus and method for enhancing a reception rate of a receiver
JP2006262240A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc 電力増幅装置および携帯電話端末
JP2008011188A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Fujitsu Ltd マルチバンド高周波増幅器
JP2008154201A (ja) * 2006-07-07 2008-07-03 Murata Mfg Co Ltd 送信装置
JP2008085929A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Sony Corp 電力増幅装置
JP2008288769A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp 高周波回路、半導体装置、および高周波電力増幅装置
US7679438B2 (en) 2007-05-16 2010-03-16 Panasonic Corporation High frequency circuit, semiconductor device, and high frequency power amplification device
JP2011530241A (ja) * 2008-08-01 2011-12-15 クゥアルコム・インコーポレイテッド マルチモード構成可能な送信機回路
JP2012518373A (ja) * 2009-02-18 2012-08-09 ホリンワース ファンド，エル．エル．シー． メタマテリアル電力増幅器システム
US8704593B2 (en) 2009-02-18 2014-04-22 Hollinworth Fund, L.L.C. Metamaterial power amplifier systems
JP2011135282A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Tdk Corp 電力増幅回路
JP2012049909A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Toshiba Corp 広帯域電力増幅器
JPWO2013150564A1 (ja) * 2012-04-04 2015-12-14 三菱電機株式会社 マルチモード・マルチバンド増幅器
WO2019107264A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 株式会社村田製作所 増幅装置、増幅装置の製造方法およびバイアス電流補正方法
US11309841B2 (en) 2017-12-01 2022-04-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Amplifier, method of manufacturing amplifier, and method of correcting bias current

Also Published As

Publication number Publication date
US20010011926A1 (en) 2001-08-09
US6242986B1 (en) 2001-06-05
US5774017A (en) 1998-06-30
US6501331B2 (en) 2002-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1065466A (ja) 複数バンド増幅器
US6211737B1 (en) Variable gain amplifier with improved linearity
US6118343A (en) Power Amplifier incorporating single drain switch and single negative voltage generator
EP3547536B1 (en) System and method for bypassing a low noise amplifier
US9479126B2 (en) System and method for a low noise amplifier
US6078794A (en) Impedance matching for a dual band power amplifier
US5995814A (en) Single-stage dual-band low-noise amplifier for use in a wireless communication system receiver
US7170350B2 (en) Gain adjusting and circuit arrangement
US7482868B2 (en) Dual mode power amplifier
US6351183B1 (en) Switched amplifying device
KR101011829B1 (ko) 스위칭 이득 증폭기
US8149049B2 (en) Low noise receiving apparatus
KR20010053413A (ko) 이동체 전화 장치
CN111585592B (zh) 支持非连续带内载波聚合和带间载波聚合两者的rffe lna拓扑
US10715085B2 (en) Reconfigurable low-noise amplifier (LNA)
JPH11274804A (ja) 高周波スイッチ
US6985698B2 (en) Impedeance matching circuit for a multi-band radio frequency device
US7079860B1 (en) Semiconductor apparatus and communication apparatus
US6842072B1 (en) Power gain reduction circuit for power amplifiers
US5705953A (en) Device bias based supplemental amplification
US10476440B2 (en) Power amplification circuit
JPH10215128A (ja) 伝送回路
JP2021083010A (ja) 電力増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050301

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050513

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050601

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051115