JP2008288769A - 高周波回路、半導体装置、および高周波電力増幅装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】最終増幅部は、入力信号を電力増幅し、増幅信号を出力する。第1整合回路は、増幅信号を第1入力インピーダンスで入力するとともにインピーダンス変換し、第1インピーダンス変換信号を第1出力インピーダンスで出力する。制御部は、経路の選択情報を表す制御信号を生成する。スイッチ部は、制御信号に基づいて、少なくとも2つの経路のうちいずれか1つを選択し、選択された経路において第1インピーダンス変換信号をオンインピーダンスで通過させ、通過信号を出力する。第2整合回路は、通過信号を第2入力インピーダンスで入力するとともにインピーダンス変換し、第2インピーダンス変換信号を第2出力インピーダンスでアンテナに出力する。
【選択図】図2
Description
最初に、本発明の原理を説明する。図1は、原理説明用の高周波回路のブロック図である。原理説明用の高周波回路は、入力端子150、最終増幅部100、整合回路102、スイッチ部101、整合回路103、出力端子151、および制御部170を含む。最終増幅部100は、例えばアンテナ(不図示)に出力する最終段の増幅素子を含む増幅回路である。最終増幅部100は、入力端子150に入力する入力信号S150を電力増幅し、増幅信号S100を出力インピーダンス160で出力する。出力インピーダンス160は、通常、50オームよりも低い。特に最終増幅部100が高出力の場合、例えば携帯電話のように1Wから数Wの場合、出力インピーダンス160は大略3ないし8オームとなる。
図2は、第1の実施形態における高周波回路のブロック図である。第1の実施形態の高周波回路は、入力端子150、最終増幅部100、整合回路102A、スイッチ部101A、各整合回路103a、103b、各出力端子151a、151b、および制御部170Aを含む。最終増幅部100は、例えばアンテナ(不図示)に出力する最終段の増幅素子を含む増幅回路である。最終増幅部100は、入力端子150に入力する入力信号S150を電力増幅し、増幅信号S100を出力インピーダンス160で出力する。出力インピーダンス160は、通常、50オームよりも低い。特に最終増幅部100が高出力の場合、例えば携帯電話のように1Wから数Wの場合、出力インピーダンス160は大略3ないし8オームとなる。
第2の実施形態では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第1の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
第3の実施形態では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第1の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
第4の実施形態では、第2および第3の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第2および第3の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
第5の実施形態では、第1ないし第4の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第1ないし第4の実施形態と同等であるので、説明を省略する。図12Aは、第5の実施形態における高周波回路のブロック図である。図12Bは、第5の実施形態における整合回路103bの一例を示す回路図である。図12Cは、第5の実施形態における高周波回路の動作をスミスチャートで説明する説明図である。
第6の実施形態では、第5の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第5の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
第7の実施形態では、第5および第6の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第5および第6の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
第8の実施形態では、第1ないし第7の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第1ないし第7の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
第9の実施形態では、第1ないし第8の実施形態と異なる点を中心に説明する。その他の構成、動作、および効果は、第1ないし第8の実施形態と同等であるので、説明を省略する。
以上に説明したように、第1の観点によれば、負荷整合回路105Aは、入力側において、最終増幅部100の出力インピーダンス160に整合することにより、最終増幅部100から最大の電力を取り出すことができる。同時に負荷整合回路105Aは、出力側において、50オームの負荷インピーダンス166に整合することにより、負荷に最大の電力を供給するとともに、負荷からの反射波による波形歪みを抑圧する。さらに、負荷整合回路105Aは、その内部において、整合回路102Aの出力インピーダンス162の絶対値をスイッチ部101Aのオンインピーダンス163の絶対値よりも十分に高く設定することにより、オンインピーダンス163を相対的に無視できる大きさにする。すなわち、整合回路102Aは、最終増幅部100の出力インピーダンス160に整合するように入力インピーダンス161を相対的に低く設定するとともに、出力インピーダンス162を、オンインピーダンス163が無視できる程度に、入力インピーダンス161よりも高く設定する。これにより、最終増幅部100の出力側にスイッチ部101Aを設ける場合、スイッチ部101Aによる損失が低減されるとともに、波形歪みを抑圧しつつ負荷に最大電力を供給することが可能となる。
101、101A、101B スイッチ部
102、103、103a、103b、・・・、103n 整合回路
105、105A、105B 負荷整合回路
106、107、107a、107b、・・・、107m、110 スイッチ
108a、108b、・・108n 出力端子
109a、109b マイクロストリップライン
111 バイアス回路
112 電源回路
120 受動素子
121、124、150 入力端子
122、125、151、151a、151b 出力端子
123、126 制御端子
152 電源端子
160、162、165、165a、165b、・・・、165n 出力インピーダンス
161、164、164a、164b、・・・、164n 入力インピーダンス
163 オンインピーダンス
166 負荷インピーダンス
170、170A、170B 制御部
171、171a、171b、・・・、171n 経路
Claims (27)
- 入力信号を電力増幅し、増幅信号を出力する最終増幅部と、
増幅信号を第1入力インピーダンスで入力するとともにインピーダンス変換し、第1インピーダンス変換信号を第1出力インピーダンスで出力する第1整合回路と、
第1インピーダンス変換信号の通過をオン/オフし、オン状態の場合オンインピーダンスで通過させ、通過信号をアンテナに出力するスイッチ部と、を有することを特徴とする、高周波回路。 - 前記第1整合回路は、第1出力インピーダンスを、第1入力インピーダンスよりも高くすることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。
- 前記第1整合回路は、第1出力インピーダンスを、大略10オーム以上にすることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。
- さらに、経路の選択情報を表す制御信号を生成する制御部を有し、
前記スイッチ部は、制御信号に基づいて、少なくとも2つの経路のうちいずれか1つを選択し、選択された経路において第1インピーダンス変換信号の通過をオンすることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。 - 前記制御部は、増幅信号の周波数に基づいて、制御信号を生成することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記制御部は、増幅信号の電力に基づいて、制御信号を生成することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記制御部は、増幅信号のピーク電力に基づいて、制御信号を生成することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記第1整合回路は、第1出力インピーダンスを変更するスイッチを含むことを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記スイッチは、制御信号に基づいて、第1出力インピーダンスを変更することを特徴とする、請求項8に記載の高周波回路。
- 前記第1整合回路は、前記スイッチに接続される容量を含むことを特徴とする、請求項8に記載の高周波回路。
- 前記第1整合回路は、前記スイッチに接続されるインダクタまたはマイクロストリップラインのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項8に記載の高周波回路。
- さらに、通過信号を第2入力インピーダンスで入力するとともにインピーダンス変換し、第2インピーダンス変換信号を第2出力インピーダンスでアンテナに出力する第2整合回路を有することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記第2整合回路は、第2入力インピーダンスを変更するスイッチを含むことを特徴とする、請求項12に記載の高周波回路。
- 前記スイッチは、制御信号に基づいて、第2入力インピーダンスを変更することを特徴とする、請求項13に記載の高周波回路。
- 前記第2整合回路は、前記スイッチに接続される容量を含むことを特徴とする、請求項13に記載の高周波回路。
- 前記第2整合回路は、前記スイッチに接続されるインダクタまたはマイクロストリップラインのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項13に記載の高周波回路。
- さらに、制御信号に基づいて、バイアス電流またはバイアス電圧を表すバイアス出力を、前記最終増幅部に供給するバイアス回路を有することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- さらに、制御信号に基づいて、電源電圧を前記最終増幅部に供給する電源回路を有することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記最終増幅部は、制御信号に基づいて、少なくとも2種類のエミッタ面積を切換えるバイポーラトランジスタ、または少なくとも2種類のゲート幅を切換える電界効果トランジスタで形成されることを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記スイッチ部は、N個(Nは2以上の整数)の前記第1整合回路から出力されるN系統の第1インピーダンス変換信号のそれぞれについて、経路を選択することを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記第1整合回路は、第1出力インピーダンスのリアクタンス成分を、制御信号が一方の経路の選択情報を表す場合、制御信号が他方の経路の選択情報を表す場合とは逆極性にすることを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 前記スイッチ部は、経路の接地をオン/オフするスイッチを含むことを特徴とする、請求項4に記載の高周波回路。
- 請求項12に記載の高周波回路において、前記第1整合回路の少なくとも一部と、前記第1スイッチ部と、を第1半導体チップで構成したことを特徴とする、半導体装置。
- さらに、前記第2整合回路の少なくとも一部を第2半導体チップで構成し、前記最終増幅部を第3半導体チップで構成したことを特徴とする、請求項23に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体チップは、前記第1半導体チップと同一であることを特徴とする、請求項24に記載の半導体装置。
- 前記第3半導体チップは、前記第1半導体チップと同一であることを特徴とする、請求項24に記載の半導体装置。
- 請求項12に記載の高周波回路において、前記第1整合回路と前記第2整合回路の少なくとも一部と、
請求項23に記載の半導体装置と、を1つの基板に形成したことを特徴とする、高周波電力増幅装置。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013500638A (ja) * | 2009-07-24 | 2013-01-07 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | マルチモード動作のための切替型出力整合を備えた電力増幅器 |
JP2014150448A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Murata Mfg Co Ltd | パワーアンプモジュール |
US8963611B2 (en) | 2009-06-19 | 2015-02-24 | Qualcomm Incorporated | Power and impedance measurement circuits for a wireless communication device |
US9000847B2 (en) | 2009-08-19 | 2015-04-07 | Qualcomm Incorporated | Digital tunable inter-stage matching circuit |
CN104518768A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
US9143172B2 (en) | 2009-06-03 | 2015-09-22 | Qualcomm Incorporated | Tunable matching circuits for power amplifiers |
US9559639B2 (en) | 2009-08-19 | 2017-01-31 | Qualcomm Incorporated | Protection circuit for power amplifier |
JP2017506019A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-02-23 | クアルコム,インコーポレイテッド | 調整可能な負荷線 |
KR20200013257A (ko) * | 2020-01-23 | 2020-02-06 | 삼성전기주식회사 | 캐리어 어그리게이션(ca) 지원 가능한 멀티 입력 및 출력 구조를 갖는 저잡음 증폭회로 |
WO2021181756A1 (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路及び通信装置 |
JP2022510531A (ja) * | 2019-10-27 | 2022-01-27 | 陜西亜成微電子股▲ふん▼有限公司 | インピーダンス整合回路及びインピーダンス整合方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0709313D0 (en) * | 2007-05-15 | 2007-06-20 | Siemens Ag | RFID reader |
WO2011001769A1 (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | 株式会社村田製作所 | 無線通信用高周波回路及び無線通信機 |
US8421547B2 (en) * | 2010-05-20 | 2013-04-16 | Csr Technology Inc. | System and method for retaining a desired return loss when dynamically varying a number of active paths |
JP2012044436A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Ntt Docomo Inc | マルチバンド整合回路 |
EP2432121B1 (en) * | 2010-09-15 | 2014-03-19 | Sony Ericsson Mobile Communications AB | Broadband power amplifier |
JP5269864B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP2677839A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-25 | Whirlpool Corporation | Microwave heating apparatus with multi-feeding points |
JP5983117B2 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-08-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2017056146A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-07-12 | オリンパス株式会社 | 信号伝送回路および内視鏡システム |
CN105634417A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-06-01 | 锐迪科微电子(上海)有限公司 | 多频带射频功率放大器 |
JP2018107502A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 株式会社村田製作所 | 通信モジュール |
CN107994918B (zh) * | 2017-12-21 | 2024-05-10 | 武汉华讯国蓉科技有限公司 | 一种用于射频收发切换的单刀双掷开关 |
US11563410B1 (en) * | 2018-12-28 | 2023-01-24 | Rockwell Collins, Inc. | Systems and methods for multi-band power amplifiers |
TWI762828B (zh) * | 2019-11-01 | 2022-05-01 | 緯穎科技服務股份有限公司 | 高速序列電腦匯流排的訊號調整方法及其相關電腦系統 |
JP2021083010A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
CN112152648B (zh) * | 2020-09-08 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 射频电路、功率调节方法和通信终端 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336168A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
JPH1065466A (ja) * | 1996-06-03 | 1998-03-06 | Anadeijitsukusu Inc | 複数バンド増幅器 |
JPH11220338A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
JP2000101360A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 増幅器 |
JP2001196875A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置 |
JP2003179436A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004072548A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 高周波増幅器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6625430B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-09-23 | Ericsson Inc. | Method and apparatus for attaining higher amplifier efficiencies at lower power levels |
JP3947373B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2007-07-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅器 |
KR20040062783A (ko) * | 2003-01-03 | 2004-07-09 | 주식회사 케이티 | Tdsl 기반 t-lan 전송장치에 의한 누화간섭 영향저감 장치 |
US7148751B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-12-12 | M/A-Com, Inc. | Handset radiofrequency front end module in fine pitch quad flat no lead (FQFP-N) package |
JP4521806B2 (ja) | 2003-09-11 | 2010-08-11 | ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 | 電力増幅装置および送信装置 |
US7345534B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-03-18 | M/A-Com Eurotec Bv | Efficient power amplification system |
US7545208B2 (en) * | 2005-11-12 | 2009-06-09 | Manuel De Jesus Rodriguez | Signal amplification through an electromagnetic device |
-
2007
- 2007-05-16 JP JP2007130404A patent/JP2008288769A/ja active Pending
-
2008
- 2008-05-12 US US12/118,803 patent/US7679438B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336168A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
JPH1065466A (ja) * | 1996-06-03 | 1998-03-06 | Anadeijitsukusu Inc | 複数バンド増幅器 |
JPH11220338A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
JP2000101360A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 増幅器 |
JP2001196875A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置 |
JP2003179436A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004072548A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 高周波増幅器 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9143172B2 (en) | 2009-06-03 | 2015-09-22 | Qualcomm Incorporated | Tunable matching circuits for power amplifiers |
US8963611B2 (en) | 2009-06-19 | 2015-02-24 | Qualcomm Incorporated | Power and impedance measurement circuits for a wireless communication device |
JP2013500638A (ja) * | 2009-07-24 | 2013-01-07 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | マルチモード動作のための切替型出力整合を備えた電力増幅器 |
US8750810B2 (en) | 2009-07-24 | 2014-06-10 | Qualcomm Incorporated | Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation |
JP2015046913A (ja) * | 2009-07-24 | 2015-03-12 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | マルチモード動作のための切替型出力整合を備えた電力増幅器 |
US9000847B2 (en) | 2009-08-19 | 2015-04-07 | Qualcomm Incorporated | Digital tunable inter-stage matching circuit |
US9559639B2 (en) | 2009-08-19 | 2017-01-31 | Qualcomm Incorporated | Protection circuit for power amplifier |
JP2014150448A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Murata Mfg Co Ltd | パワーアンプモジュール |
KR101591689B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2016-02-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
US9257947B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-02-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
CN104518768A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2017506019A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-02-23 | クアルコム,インコーポレイテッド | 調整可能な負荷線 |
JP2022510531A (ja) * | 2019-10-27 | 2022-01-27 | 陜西亜成微電子股▲ふん▼有限公司 | インピーダンス整合回路及びインピーダンス整合方法 |
JP7264327B2 (ja) | 2019-10-27 | 2023-04-25 | 陜西亜成微電子股▲ふん▼有限公司 | インピーダンス整合回路及びインピーダンス整合方法 |
KR20200013257A (ko) * | 2020-01-23 | 2020-02-06 | 삼성전기주식회사 | 캐리어 어그리게이션(ca) 지원 가능한 멀티 입력 및 출력 구조를 갖는 저잡음 증폭회로 |
KR102105382B1 (ko) | 2020-01-23 | 2020-04-28 | 삼성전기주식회사 | 캐리어 어그리게이션(ca) 지원 가능한 멀티 입력 및 출력 구조를 갖는 저잡음 증폭회로 |
WO2021181756A1 (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路及び通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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