CN104518768A - 半导体装置 - Google Patents

半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104518768A
CN104518768A CN201410503154.2A CN201410503154A CN104518768A CN 104518768 A CN104518768 A CN 104518768A CN 201410503154 A CN201410503154 A CN 201410503154A CN 104518768 A CN104518768 A CN 104518768A
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitor
semiconductor device
signal
output
electric capacity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410503154.2A
Other languages
English (en)
Inventor
堀口健一
广部正和
美保谕志
佐佐木善伸
山本和也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN104518768A publication Critical patent/CN104518768A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/414—A switch being coupled in the output circuit of an amplifier to switch the output on/off
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/429—Two or more amplifiers or one amplifier with filters for different frequency bands are coupled in parallel at the input or output
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及一种例如作为移动终端用的多频带放大器使用的半导体装置。
背景技术
在专利文献1中，公开了针对RF信号的各个频带而切换输出路径的开关电路。该开关电路由多个场效应晶体管构成。
专利文献1：日本特开2005－269129号公报
非专利文献：Nick Cheng，James P.Young，“Challenges andRequirements of Multimode Multiband Power Amplifiers for MobileApplications”Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium(CSICS)，pp.1-4，2011
例如，由于在移动终端等中使用具有正电位的单一的电池，所以，作为开关的结构要素而使用增强型的场效应晶体管(FET)。该场效应晶体管在向形成为RF信号的路径的漏极-源极之间施加有正的DC偏置电压的状态下使用。而且，如果向栅极施加正电压，则沟道开启，漏极-源极之间成为导通状态，如果将栅极置为0V，则沟道夹断，漏极-源极之间成为截止状态。
为了使得上述DC偏置电压不漏出，需要在开关的前后设置DC切断用的电容器。专利文献1的DC切断用的电容器由SMD(SurfaceMount Device)部件构成。
优选具有开关的半导体装置尽可能的小型化。但是，存在如果由SMD部件形成DC切断用的电容器，则导致半导体装置大型化的问题。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。
本申请的发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：功率放大器，其将多个频带的RF信号进行放大；输出匹配电路，其与该功率放大器的输出连接；第1电容器，其一端与该输出匹配电路的输出连接；多条输出路径；开关，其与该第1电容器的另一端连接，根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条；多个第2电容器，其具有分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器。而且，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一单片微波集成电路构成。
本申请的发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：功率放大器，其将多个频带的RF信号进行放大；输出匹配电路，其与该功率放大器的输出连接；第1电容器，其一端与该输出匹配电路的输出连接；多条输出路径；开关，其与该第1电容器的另一端连接，根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条；多个第2电容器，其具有分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器。而且，该第1电容器的电容比该多个第2电容器中的任何一个第2电容器的电容大。
发明的效果
根据本发明，能够通过使用MMIC构成开关和与开关连接的电容器，或者通过使开关的前段的电容器的电容比开关的后段的电容器的电容大，从而提供一种适合于小型化的半导体装置。
附图说明
图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的电路图。
图2是MMIC的放大图。
图3是表示偏移电容△C与合成电容CTOTAL的关系的曲线图。
图4是表示分支数N与电容器总面积的关系的曲线图。
图5是本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的电路图。
图6是表示在多个第2电容器的电容是均等的情况下的输出功率的频率特性的曲线图。
图7是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的输出功率的频率特性的曲线图。
标号的说明
10半导体装置，12输入端子，14输入匹配电路，16功率放大器，18输出匹配电路，20输出端子，30第1电容器，32开关，34多个输出路径，36、38输出路径，40多个第2电容器，42、44第2电容器，50、52输出端子，60、62、64电源端子，70、71、72、73、74、75第1保护电路，80、81、82、83、84、85第2保护电路，90、92、94第3保护电路，100半导体装置，110多个第3电容器，112、114第3电容器
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体装置进行说明。有时对相同或者对应的结构要素标注相同的标号，并省略重复说明。
实施方式1
图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置10的电路图。半导体装置10具有与输入端子12连接的输入匹配电路14。输入匹配电路14的输出与将多个频带的RF信号放大的多级功率放大器16连接。
功率放大器16的输出与输出匹配电路18连接。输出匹配电路18的输出经由功率放大器16的输出端子20，而与第1电容器30的一端连接。第1电容器30的另一端与开关32连接。开关32与多条输出路径34连接。多条输出路径34具有2条输出路径，即，输出路径36和输出路径38。即，与开关32连接的输出路径数(分支数N)是2。此外，分支数N也可以是大于或等于3。
开关32基于控制信号，使RF信号进入输出路径36或者输出路径38。开关32例如由增强型的FET构成。能够通过根据分支数N的数量而组合多个FET，从而构成与分支数N相对应的开关32。而且，通过向形成为RF信号的路径的FET的漏极-源极之间施加正的DC偏置电压，将栅极电位从0V切换为正电压，从而将沟道从OFF(夹断状态)切换为ON(导通状态)。此外，开关32优选由高电子迁移率晶体管(HEMT)形成。
多条输出路径34与多个第2电容器40连接。具体地说，输出路径36、38分别与第2电容器42、44串联连接。由此，多条输出路径34分别与第2电容器42、44串联连接。输出路径36、38的终端分别与输出端子50、52连接。
第1电容器30和多个第2电容器40是为了防止向开关32的漏极-源极之间所施加的DC偏置电压向功率放大器16或者输出端子50、52漏出而设置的。简单地说，第1电容器30和多个第2电容器40是为了DC切断用而设置的。
第1电容器30、开关32以及多个第2电容器40由1个单片微波集成电路(MMIC46)构成。第1电容器30和多个第2电容器40由MMIC46内的MIM(Metal Insulator Metal)电容器构成。
优选MMIC46利用SOI(Silicon On Insulator)技术形成。即，优选MMIC46在形成于绝缘膜上的硅中形成，但并不限定于此。
第1电容器30、开关32以及多个第2电容器40由1个MMIC46形成，因此，与将第1电容器和多个第2电容器作为SMD部件的情况相比，半导体装置适合于小型化。
图2是MMIC46的放大图。在图2中，示出了比图1更详细的MMIC46的构造。在MMIC46中，为了向开关32施加DC电压，设置有电源端子60、62、64。电源端子60、62、64分别与开关32的栅极、源极、漏极连接，但是，在图2中没有示出该连接。
在MMIC46中，为了抑制由于静电导致的半导体装置10的劣化，设置有由二极管形成的3种保护电路。第1保护电路70、71、72、73、74、75设置在行进于半导体装置10中的RF信号的信号路径与接地之间，以使得ESD电涌流向接地。
第1保护电路70、71与第1电容器30的两端连接。第1保护电路72、73与第2电容器42的两端连接。第1保护电路74、75与第2电容器44的两端连接。例如，如果在第1电容器30的一端发生ESD电涌，则在第1保护电路70上出现击穿现象，ESD电涌流向接地。
第2保护电路80、81、82、83、84、85设置在信号路径与电源端子60、62、64之间。第2保护电路80、81与第1电容器30的两端连接。第2保护电路82、83与第2电容器42的两端连接。第2保护电路84、85与第2电容器44的两端连接。例如，如果在电源端子60侧发生ESD电涌，则在第2保护电路80、81与第1保护电路70、71上出现击穿现象，ESD电涌经由信号路径和保护电路70、71流向接地。
第3保护电路90、92、94分别与第1电容器30、第2电容器42、第2电容器44并联连接。第3保护电路90与第1电容器30并联连接。第3保护电路92与第2电容器42并联连接。第3保护电路94与第2电容器44并联连接。第3保护电路90、92、94分别具有正向二极管和反向二极管。
例如，在第1电容器30的右侧发生的ESD电涌经由第1保护电路71而流向接地，并且经由第3保护电路90以及第1保护电路70而流向接地。
如上所述，与第1电容器30和多个第2电容器40连接有由二极管构成的保护电路，因此，能够避免由于ESD电涌导致的半导体装置10的劣化。此外，第1～第3保护电路由二极管形成，但是，也可以由FET形成。
下面，说明半导体装置10的动作。从输入端子12向半导体装置10输入的RF信号，通过功率放大器16进行放大。放大后的RF信号进入开关32。而且，RF信号利用开关32，根据频带确定行进路径，而进入多条输出路径34中的某一条。
另外，通常，输出匹配电路用于将功率放大器16的最后级晶体管的输出阻抗(5Ω左右)变换为50Ω。但是，在本发明的实施方式1所涉及的半导体装置10中，在开关32的前后设置有第1电容器30和多个第2电容器40，因此，从功率放大器16对输出端子50、52侧进行观察时的阻抗成为具有比50[Ω]更高的容量性的阻抗(50+jY[Ω])。由此，需要对应于阻抗的增加量而扩大输出匹配电路18的阻抗变换比，因此，输出匹配电路18变得大型化而增加损耗。
为了避免输出匹配电路18的大型化以及损耗增加，需要将第1电容器30和多个第2电容器40的合成电容(下面，有时简称为合成电容)变大。另一方面，由MIM形成的电容器的电容与电容器的面积成正比，因此，如果通过将电容器的面积变大而增大合成电容，则由于该增加量使得该半导体装置10大型化。即，抑制输出匹配电路18的大型化以及损耗增加与将电容器变小是折衷关系。
本发明的实施方式1的半导体装置为了解决上述折衷的问题，将第1电容器30的电容设为比多个第2电容器40中的任何一个第2电容器的电容大。即，第1电容器30的电容CIN与第2电容器的电容COUT通过以下公式表示。
【公式1】
CIN＝CAVE+N·ΔC…公式1
【公式2】
COUT_k＝CAVE-ΔC…公式2
【公式3】
C AVE = C IN + Σ k = 1 N C OUT _ k N + 1 …公式3
在这里，
N＝开关32的分支数(N与构成多个第2电容器的第2电容器的数量相等)
k＝1、2、…、N
CAVE是第1电容器和多个第2电容器的平均电容
△C是偏移电容
图3是表示将CAVE设为5[pF]时的偏移电容△C与合成电容CTOTAL的关系的曲线图。当分支数为0时，△C＝0，合成电容CTOTAL为极大值。但是，在分支数大于1的情况下，合成电容CTOTAL取极大值时的△C成为大于0的COPT。因此，优选对第1电容器30的电容和多个第2电容器40的电容进行调整，使△C＝COPT，以使得合成电容CTOTAL取得极大值。
COPT由下述公式得到。
【公式4】
C OPT = { ( N + 1 ) N - 2 N N · ( N - 1 ) } · C AVE …公式4
如上所述，通过使△C＝COPT，与将第1电容器和多个第2电容器的各个第2电容器设为均等的电容的情况相比，能够不改变第1电容器30和多个第2电容器40的总面积，而使合成电容增加。如果使合成电容增加，则能够抑制输出匹配电路18的阻抗变换比，因此能够避免输出匹配电路18的大型化以及损耗增加。
由此，根据本发明的实施方式1所涉及的半导体装置10，能够抑制输出匹配电路18的大型化以及损耗增加，还能够避免电容器的大型化。此外，由于输出匹配电路18的损耗降低，因此行进有RF信号的半导体装置10整体的功效提高，因此，例如能够在移动终端中使用半导体装置10时，延长电池的续航时间。
在这里，如果将上述得到COPT的公式代入公式1、2，则得到下述的公式。
【公式5】
C IN = N · C OUT _ k …公式5
至此，描述了与△C＝0的情况相比不改变电容器总面积，通过使△C＝COPT而增加合成电容的情况。但是，也可以使合成电容与△C＝0的情况保持一致，并通过使△C＝COPT而减小电容器总面积。图4表示在应用公式5时的分支数N与电容器总面积的关系。将△C＝0时的电容器总面积设为100。△C＝COPT的曲线表示能够维持与△C＝0的情况相同合成电容，并减小电容器总面积的情况。在这种情况下，能够减小电容器总面积，因此，适合于将半导体装置10小型化。
总之，可以将通过使△C＝COPT而实现的效果任意应用于以下两种情形：在使电容器总面积与△C＝0的情况一致的同时，使合成电容增加；或者在使合成电容与△C＝0的情况一致的同时，使电容器总面积减小。无论哪种情况，都能够得到适合于小型化的半导体装置。
另外，优选以满足公式5的方式确定CIN和COUT，将合成电容设为极大值。但是，如果考虑半导体装置10的制造波动，则应该在能够得到上述效果的范围内，使CIN和COUT的值具有变化幅度。因此，可以在满足下述的关系的范围内设定CIN和COUT。
【公式6】
0.8 N · C OUT _ k ≤ C IN ≤ 1.2 N · C OUT _ k …公式6
本发明的实施方式1所涉及的半导体装置10通过2种方式形成为适合于小型化的结构。第1种方式是将第1电容器30、开关32以及多个第2电容器40由1个MMIC46形成。第2种方式是使△C>0。对于第2种方式，存在下述2种模式：在保持与△C＝0的情况相同的电容器总面积的同时提高合成电容，由此抑制输出匹配电路的大型化以及损耗增加的模式；以及与△C＝0的情况相比减小电容器总面积的模式。因此，可以使用第1种方式或者第2种方式中的任意一种而提供适合于小型化的半导体装置10。
在本发明的实施方式1中，将第1电容器30、开关32以及多个第2电容器40由1个MMIC46构成，但是，也可以将第1电容器30和多个第2电容器40中的至少一方与开关32由单片微波集成电路构成。除此之外，能够在不丧失本发明的特征的范围内对半导体装置10的结构进行适当地变更。此外，这些变形也能够应用于实施方式2所涉及的半导体装置。
实施方式2
本发明的实施方式2所涉及的半导体装置与实施方式1的共同点较多，因此将与实施方式1的不同点作为中心进行说明。图5是本发明的实施方式2所涉及的半导体装置100的电路图。半导体装置100具有多个第3电容器110。多个第3电容器110具有将输出路径36和接地连接的第3电容器112、将输出路径38和接地连接的第3电容器114。即，多个第3电容器110由分别将多个输出路径34和接地连接的第3电容器112、114构成。
对于输出路径36，为了得到良好的RF特性，而调整第2电容器42和第3电容器112的电容。对于输出路径38，为了得到良好的RF特性，而调整第2电容器44和第3电容器114的电容。
图6、7是表示多频带放大器(半导体装置)的输出功率的频率特性的曲线图。频带A的信号进入输出路径36，频带B的信号进入输出路径38。图6表示在没有第3电容器112、114、并且多个第2电容器40的电容均等的情况下的输出功率的频率特性。
在该情况下，图中由36表示的输出路径36的频率特性与由38表示的输出路径38的频率特性相等，因此，无法在频带A和频带B两方中均得到良好的RF特性。因此，为了提高RF特性在不良频带(频带B)中的性能，而不得不使半导体装置整体的尺寸大型化。
另一方面，图7是表示图5的半导体装置的输出功率的频率特性的曲线图。即，图7表示在将第2电容器42、44和第3电容器112、114的电容针对各个输出路径36、38进行了优化的情况下的输出功率的频率特性。或者说，为了针对频带不同的各个RF信号而优化输出功率的频率特性，对多个输出路径34分别调整第2电容器42、44和第3电容器112、114的电容。在该情况下，能够在所有频带中得到良好的RF特性。由此，不需要使半导体装置整体的尺寸大型化。
如上所述，对针对各条输出路径所设置的第2电容器和第3电容器的电容进行调整，优化输出功率的频率特性，因此，与仅调整第2电容器的电容的情况相比，能够容易优化输出功率的频率特性。
也可以省略第3电容器112、114，而仅通过第2电容器42、44进行上述的优化。在该情况下，例如，在多条输出路径34中，形成下述情况，即，与行进有低频带的RF信号的输出路径连接的第2电容器，具有比与行进有高频带的RF信号的输出路径连接的第2电容器大的电容。
此外，可以将实施方式1所涉及的半导体装置10的特征和实施方式2所涉及的半导体装置100的特征进行适当的组合。

Claims (12)

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
功率放大器，其将多个频带的RF信号进行放大；
输出匹配电路，其与所述功率放大器的输出连接；
第1电容器，其一端与所述输出匹配电路的输出连接；
多条输出路径；
开关，其与所述第1电容器的另一端连接，根据频带使所述RF信号进入所述多条输出路径中的某一条；以及
多个第2电容器，其具有分别与所述多条输出路径串联连接的第2电容器，
所述第1电容器和所述多个第2电容器中的至少一方，与所述开关由同一单片微波集成电路构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述单片微波集成电路在形成于绝缘膜上的硅中形成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1电容器的电容比所述多个第2电容器中的任何一个第2电容器的电容大。
4.一种半导体装置，其特征在于，具有：
功率放大器，其将多个频带的RF信号进行放大；
输出匹配电路，其与所述功率放大器的输出连接；
第1电容器，其一端与所述输出匹配电路的输出连接；
多条输出路径；
开关，其与所述第1电容器的另一端连接，根据频带使所述RF信号进入所述多条输出路径中的某一条；以及
多个第2电容器，其具有分别与所述多条输出路径串联连接的第2电容器，
所述第1电容器的电容比所述多个第2电容器中的任何一个第2电容器的电容大。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
调整所述第1电容器的电容和所述多个第2电容器的电容，以使所述第1电容器和所述多个第2电容器的合成电容取得极大值。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1电容器的电容CIN和所述第2电容器的电容COUT满足下述公式，
【公式1】
0.8 N · C OUT _ k ≤ C IN ≤ 1.2 N · C OUT _ k
k＝1、2、…、N，N是构成所述多个第2电容器的第2电容器的数量。
7.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，
具有：
第1保护电路，其设置在所述RF信号的信号路径和接地之间，以使得ESD电涌流向接地；
电源端子，其为了向所述开关施加DC电压而设置；以及
第2保护电路，其设置在所述信号路径和所述电源端子之间，以使得ESD电涌经由所述信号路径和所述第1保护电路而流向所述接地。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
具有多个第3保护电路，该多个第3保护电路与所述第1电容器以及所述多个第2电容器的各个第2电容器并联连接，流过ESD电涌。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1～第3保护电路由二极管或者FET形成。
10.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，
在所述多个输出路径中，与行进有低频带的RF信号的输出路径连接的所述第2电容器，具有比与行进有高频带的RF信号的输出路径连接的第2电容器大的电容。
11.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，
具有多个第3电容器，该多个第3电容器由分别将所述多条输出路径和接地连接的第3电容器构成，
对所述多条输出路径分别调整所述第2电容器和所述第3电容器的电容，以针对频带不同的各个RF信号而优化输出功率的频率特性。
12.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，
所述开关由高电子迁移率晶体管形成。
CN201410503154.2A 2013-09-27 2014-09-26 半导体装置 Pending CN104518768A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013201250A JP2015070368A (ja) 2013-09-27 2013-09-27 半導体装置
JP2013-201250 2013-09-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104518768A true CN104518768A (zh) 2015-04-15

Family

ID=52739537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410503154.2A Pending CN104518768A (zh) 2013-09-27 2014-09-26 半导体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9257947B2 (zh)
JP (1) JP2015070368A (zh)
KR (1) KR101591689B1 (zh)
CN (1) CN104518768A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105553429B (zh) * 2015-12-09 2018-09-11 北京中科汉天下电子技术有限公司 一种射频放大器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1169594A (zh) * 1996-06-21 1998-01-07 三菱电机株式会社 半导体装置
CN1183673A (zh) * 1996-10-18 1998-06-03 松下电器产业株式会社 多频带高效率线性功率放大器及高效率功率放大器
CN2671286Y (zh) * 2003-11-06 2005-01-12 华为技术有限公司 一种实现esd防护的二极管电路
JP2008288769A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp 高周波回路、半導体装置、および高周波電力増幅装置
CN101826646A (zh) * 2009-03-03 2010-09-08 三菱电机株式会社 半导体开关、半导体开关mmic、切换开关rf模块、抗功率开关rf模块及收发模块
JP2011015242A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Panasonic Corp 高周波電力増幅器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE44267E1 (en) 1995-10-03 2013-06-04 Seiko Epson Corporation Method to prevent static destruction of an active element comprised in a liquid crystal display device
DE19823060C2 (de) * 1998-05-22 2001-02-22 Ericsson Telefon Ab L M Leistungsverstärker-Ausgangsschaltung
JP3705574B2 (ja) 1999-09-30 2005-10-12 株式会社タニタ 生体電気インピーダンス測定装置
KR100342818B1 (ko) 2000-08-23 2002-07-03 곽정소 수직적층형 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로
US6853235B2 (en) * 2002-04-26 2005-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch, amplifying circuit, and mobile communication terminal
JP2004193881A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 高周波信号処理回路及びそれを用いた無線電話端末
JP2005269129A (ja) 2004-03-18 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路
JP2008118624A (ja) 2006-10-13 2008-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅装置
CN101162928A (zh) 2006-10-13 2008-04-16 松下电器产业株式会社 高频功率放大器
JP5257719B2 (ja) * 2009-07-02 2013-08-07 株式会社村田製作所 無線通信用高周波回路及び無線通信機
US8750810B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation
JP2011166382A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Panasonic Corp 送信装置及びそれを備える高周波無線通信システム
JP5397307B2 (ja) * 2010-04-26 2014-01-22 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
JP2013009249A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1169594A (zh) * 1996-06-21 1998-01-07 三菱电机株式会社 半导体装置
CN1183673A (zh) * 1996-10-18 1998-06-03 松下电器产业株式会社 多频带高效率线性功率放大器及高效率功率放大器
CN2671286Y (zh) * 2003-11-06 2005-01-12 华为技术有限公司 一种实现esd防护的二极管电路
JP2008288769A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp 高周波回路、半導体装置、および高周波電力増幅装置
CN101826646A (zh) * 2009-03-03 2010-09-08 三菱电机株式会社 半导体开关、半导体开关mmic、切换开关rf模块、抗功率开关rf模块及收发模块
JP2011015242A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Panasonic Corp 高周波電力増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150035411A (ko) 2015-04-06
JP2015070368A (ja) 2015-04-13
US9257947B2 (en) 2016-02-09
US20150091652A1 (en) 2015-04-02
KR101591689B1 (ko) 2016-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3093987B1 (en) Phase correction in a doherty power amplifier
US9899962B2 (en) Power amplifier
US10411662B2 (en) Power amplification system with reactance compensation
CN104601117A (zh) 多赫蒂放大器结构
CN105048970A (zh) 超宽带多赫蒂放大器
CN106849881B (zh) 一种宽带单片集成低噪声放大器
EP2779439A1 (en) High-frequency, broadband amplifier circuit
CN112953405A (zh) 一种增益可调的低噪声放大器
US10511267B2 (en) Power amplifier
US10187015B2 (en) Doherty amplifier
Hamani et al. 167-GHz and 155-GHz high gain D-band power amplifiers in CMOS SOI 45-nm technology
JP2014072696A (ja) 電子回路
Kim et al. A 97–107 GHz Triple-Stacked-FET Power Amplifier with 23.7 dB Peak Gain, 15.1 dBm P SAT, and 18.6% PAE MAX in 28-nm FD-SOI CMOS
US11595012B2 (en) Distributed amplifier
US20180254749A1 (en) Doherty amplifier
Shailesh et al. A state-of-the art review on distributed amplifiers
CN104518768A (zh) 半导体装置
KR100882131B1 (ko) 집적형 수동 소자
Nai et al. A 2.8–6 GHz high-efficiency CMOS power amplifier with high-order harmonic matching network
EP2309642B1 (en) Bias circuit
CN103973261A (zh) 一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路
CN113659940B (zh) 一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器
Choi et al. A fully integrated 5.9 GHz RF frontend in 0.25 um GaN-on-SiC for vehicle-to-vehicle applications
US11973470B2 (en) Impedance control in merged stacked FET amplifiers
US20230396218A1 (en) High millimeter-wave Frequency Gain-Boosting Power Amplifier with Differential Complex Neutralization Feedback Network

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150415

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication