JP2020202528A - 高周波回路および通信装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】回路素子数が低減され小型化された高周波回路を提供する。【解決手段】高周波回路１は、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号を増幅可能な電力増幅器１０を備え、電力増幅器１０に第１高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に第１バイアス信号が印加され、電力増幅器１０に第２高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に第１バイアス信号と異なる第２バイアス信号が印加される。【選択図】図１

Description

本発明は、高周波回路および当該高周波回路を備えた通信装置に関する。
特許文献１には、プライマリ（メイン）回路とセカンダリ（ダイバーシティ）回路とを有するトランシーバフロントエンド回路（高周波回路）の構成が開示されている。
米国特許出願公開第２０１８／００３４１５２号明細書
特許文献１に開示された高周波回路を、例えば第４世代移動通信システム（４Ｇ）の高周波信号と第５世代移動通信システム（５Ｇ）の高周波信号とを同時伝送する回路として適用する場合、プライマリ回路を４Ｇ用の伝送回路とし、セカンダリ回路を５Ｇ用の伝送回路とすることが想定される。この場合、プライマリ回路には４Ｇに対応した増幅器などの回路素子が配置され、セカンダリ回路には５Ｇに対応した増幅器などの回路素子が配置されるが、プライマリ回路とセカンダリ回路とで、個別に回路素子が配置されるため回路素子数が増え、高周波回路が大型化してしまう。また、特許文献１に開示された高周波回路を、例えば通信システムは同じであるが、異なる周波数帯域を有する通信バンドの高周波信号を同時伝送する回路に適用する場合であっても、プライマリ回路とセカンダリ回路とで、個別に回路素子が配置されるため回路素子数が増え、高周波回路が大型化してしまう。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、増幅器などの回路素子数が低減され小型化された高周波回路および通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号を増幅可能な増幅器を備え、前記増幅器に前記第１高周波信号が入力されている場合には、前記増幅器に第１バイアス信号が印加され、前記増幅器に前記第２高周波信号が入力されている場合には、前記増幅器に前記第１バイアス信号と異なる第２バイアス信号が印加される。
本発明によれば、増幅器などの回路素子数が低減され小型化された高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態１に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。 入力信号電力、ＥＴ電源電圧、およびバイアス電圧の関係を説明する模式波形図である。 実施の形態１に係る電力増幅器の回路構成の一例を示す回路図である。 実施の形態２に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。 実施の形態２の変形例１に係る高周波回路およびその周辺回路の構成図である。 実施の形態２の変形例２に係る高周波回路およびその周辺回路の構成図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
高周波回路１は、アンテナ共通端子１００と、電力増幅器１０と、フィルタ１１と、スイッチ１４および１５と、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７と、ＮＲ用ＥＴ電源１８と、を備える。高周波回路１は、ＲＦＩＣ３で生成された高周波信号を、アンテナ２を介して送信するための送信回路である。
電力増幅器１０は、増幅器の一例であり、帯域幅の異なる第１高周波信号（Ｓｉｇ１、帯域幅ＢＷ１）および第２高周波信号（Ｓｉｇ２、帯域幅ＢＷ２）を増幅することが可能である。また、電力増幅器１０には、利得等の増幅パラメータの調整のため、バイアス信号が印加される。
第１高周波信号は、例えば、第４世代移動通信システム（４Ｇ）に対応した信号であり、Ｅ−ＵＴＲＡ（Ｅｖｏｌｖｅｄ Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ Ｒａｄｉｏ Ａｃｃｅｓｓ）で用いられる通信バンドＡにおける所定のチャネルの信号である。なお、本明細書および図面において、Ｅ−ＵＴＲＡは、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）と記されている場合がある。なお、上記の通信バンドＡは、例えば、Ｅ−ＵＴＲＡのＢａｎｄ４１（帯域：２４９６−２６９０ＭＨｚ）である。
第２高周波信号は、例えば、第５世代移動通信システム（５Ｇ）に対応した信号であり、ＮＲ（Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ）で用いられる通信バンドＢにおける所定のチャネルの信号である。なお、上記の通信バンドＢは、例えば、ＮＲのｎ４１（帯域：２４９６−２６９０ＭＨｚ）である。
つまり、４Ｇに対応した第１高周波信号の帯域幅とは、Ｅ−ＵＴＲＡで用いられる通信バンドにおける所定のチャネルの周波数帯域であり、５Ｇに対応した第２高周波信号の帯域幅とは、ＮＲで用いられる通信バンドにおける所定のチャネルの周波数帯域である。
ここで、電力増幅器１０に第１高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に第１バイアス信号が印加される。一方、電力増幅器１０に第２高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に、第１バイアス信号と異なる第２バイアス信号が印加される。
これによれば、電力増幅器１０には、入力される高周波信号の帯域幅に応じて異なるバイアス信号が印加されるので、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化される。このため、入力される高周波信号の帯域幅が異なっても同じバイアス信号が印加される場合と比較して、電力増幅器１０の増幅性能を高め、消費電力を低減することが可能となる。これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。よって、高周波回路１を小型化できる。
ＬＴＥ用ＥＴ電源１７は、第１バイアス電源回路の一例であり、ＲＦＩＣ３の制御部が出力する制御信号ＳＬＴＥに基づいて、ＥＴ（Ｅｎｖｅｌｏｐｅ Ｔｒａｃｋｉｎｇ）モード用の第１バイアス信号（バイアス電圧Ｖｂｉａｓ１）を電力増幅器１０に向けて出力する。
ＮＲ用ＥＴ電源１８は、第２バイアス電源回路の一例であり、ＲＦＩＣ３の制御部が出力する制御信号ＳＮＲに基づいて、ＥＴモード用の第２バイアス信号（バイアス電圧Ｖｂｉａｓ２）を電力増幅器１０に向けて出力する。
ＬＴＥ用ＥＴ電源１７およびＮＲ用ＥＴ電源１８は、電力増幅器１０をＥＴ方式による増幅モードで動作させるためのバイアス信号供給源である。ＥＴ方式による増幅モードとは、電力増幅器１０の高周波入力信号（または高周波出力信号）の電力振幅（エンベロープ）を追跡し、当該電力振幅に応じて電力増幅器１０へ供給されるバイアス信号（直流バイアス電圧または直流バイアス電流）を可変するモードである。
スイッチ１５は、第１スイッチの一例であり、共通端子１５ａ、選択端子１５ｂおよび１５ｃを有し、共通端子１５ａが電力増幅器１０に接続され、選択端子１５ｂがＬＴＥ用ＥＴ電源１７に接続され、選択端子１５ｃがＮＲ用ＥＴ電源１８に接続されている。この接続構成により、スイッチ１５は、第１バイアス信号の電力増幅器１０への印加と、第２バイアス信号の電力増幅器１０への印加と、を切り替える。スイッチ１５は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチである。
スイッチ１４は、第２スイッチの一例であり、共通端子１４ａ、選択端子１４ｂおよび１４ｃを有し、共通端子１４ａが電力増幅器１０の入力端子に接続され、選択端子１４ｂがＲＦＩＣ３のＬＴＥ端子３１に接続され、選択端子１４ｃがＲＦＩＣ３のＮＲ端子３２に接続されている。この接続構成により、スイッチ１４は、第１高周波信号の電力増幅器１０への入力と、第２高周波信号の電力増幅器１０への入力と、を切り替える。スイッチ１４は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチである。
フィルタ１１は、一方の端子がアンテナ共通端子１００に接続され、他方の端子が電力増幅器１０の出力端子に接続され、第１高周波信号の周波数帯域および第２高周波信号の周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域としている。
アンテナ２は、アンテナ共通端子１００に接続され、アンテナ共通端子１００を介して高周波回路１から出力された高周波信号を放射する。
ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路であり、ＬＴＥ端子３１と、ＮＲ端子３２と、を備える。ＲＦＩＣ３は、図示していないが、ＬＴＥ用信号処理回路およびＮＲ用信号処理回路を含む。ＬＴＥ端子３１は、第１出力端子の一例であり、ＬＴＥ用信号処理回路に接続され、ＬＴＥ端子３１から第１高周波信号が出力される。ＮＲ端子３２は、第２出力端子の一例であり、ＮＲ用信号処理回路に接続され、ＮＲ端子３２から第２高周波信号が出力される。
具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された第１高周波信号および第２高周波信号を高周波回路１に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＬＴＥ端子３１から第１高周波信号が出力される場合に、制御信号ＳＬＴＥをＬＴＥ用ＥＴ電源１７に出力し、ＮＲ端子３２から第２高周波信号が出力される場合に、制御信号ＳＮＲをＮＲ用ＥＴ電源１８に出力する。
なお、本実施の形態では、ＲＦＩＣ３は、ＬＴＥ用信号処理回路およびＮＲ用信号処理回路を含む、１チップ化されたＲＦ信号処理回路となっている。しかしながら、本発明に係る通信装置において、ＬＴＥ用信号処理回路とＮＲ用信号処理回路とは、別チップで形成されていてもよい。
ＢＢＩＣ４は、高周波信号を処理する信号処理回路であり、高周波回路１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
高周波回路１の上記構成によれば、スイッチ１４および１５の切り換え動作に連動して、電力増幅器１０における第１高周波信号の増幅動作と第２高周波信号の増幅動作とが切り換えられる。より具体的には、スイッチ１４および１５は、共通端子１４ａと選択端子１４ｂとを導通状態とし、かつ、共通端子１５ａと選択端子１５ｂとを導通状態とすることで、第１高周波信号の電力増幅器１０への入力と第１バイアス信号の電力増幅器１０への印加とを同期させる。また、スイッチ１４および１５は、共通端子１４ａと選択端子１４ｃとを導通状態とし、かつ、共通端子１５ａと選択端子１５ｃとを導通状態とすることで、第２高周波信号の電力増幅器１０への入力と第２バイアス信号の電力増幅器１０への印加とを同期させる。
スイッチ１４および１５が配置されていることで、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。つまり、スイッチという簡素化された回路の付加により高周波回路１を小型化できる。
図２は、電力増幅器１０の入力信号電力、ＥＴ電源電圧、およびバイアス電圧の関係を説明する模式波形図である。同図には、電力増幅器１０に入力される高周波信号の（搬送波）電力波形（図２の入力信号電力（Ｐｉｎ））、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７およびＮＲ用ＥＴ電源１８の電源電圧（図２のＥＴ電源電圧（Ｖｓ））、ならびにＬＴＥ用ＥＴ電源１７およびＮＲ用ＥＴ電源１８から出力されるバイアス信号の電圧波形（図２のバイアス電圧（Ｖｂｉａｓ））が示されている。
電力増幅器を有する高周波回路では、電力増幅器での電力消費が高周波回路の電力消費の大きな部分を占めており、高周波回路の低消費電力化のためには電力増幅器の高効率化が課題である。電力増幅器の高効率化の手法として、ＥＴ方式が挙げられる。ＥＴ方式は、高周波信号の電力振幅（エンベロープ）を追跡し、当該エンベロープに応じて電力増幅器へ供給されるバイアス信号（直流バイアス電圧または直流バイアス電流）を可変するモードである。特に、無線通信に使用されるＯＦＤＭ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ：直交周波数分割多重）などの変調方式では、電力増幅器の入力信号のピーク電力と平均電力との比（ＰＡＰＲ：Ｐｅａｋ ｔｏ Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｏｗｅｒ Ｒａｔｉｏ、平均電力比）が大きくなっている。このような変調信号を増幅して送信するには、ピーク電力時の入力信号に対して圧縮領域で動作するように、電力増幅器を構成する増幅トランジスタにバイアス電圧をかける。つまり、平均電力時に過剰なバイアス電圧とならぬよう、電力増幅器の入力変調信号に応じてバイアス電圧を変化させることにより、電力増幅器の消費電力を低減することができる。ただし、ＥＴ方式の場合、圧縮領域で電力増幅器を動作させることとなるため、入力変調信号に対するバイアス電圧の追従性が高くなるほど、出力信号の歪特性が劣化する傾向にある。
上記観点から、図２に示すように、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７およびＮＲ用ＥＴ電源１８では、電力増幅器１０に入力される高周波信号の電力（Ｐｉｎ）振幅に対応させてＥＴ電源電圧（Ｖｓ）を変化させる。このＥＴ電源電圧（Ｖｓ）の変化により、電力増幅器１０に印加されるバイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）は、入力信号電力（Ｐｉｎ）の電力振幅に対して、所定の遅れ時間をもって追従するように変化する。
つまり、第１バイアス信号のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１は、第１高周波信号の電力振幅の変化に対して第１の追従度で可変し、第２バイアス信号のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ２は、第２高周波信号の電力振幅の変化に対して第２の追従度で可変する。ここで、本実施の形態において、第１バイアス信号と第２バイアス信号とが異なるとは、例えば、第１の追従度と第２の追従度とが異なることである。
表１に、通信システムの違い（４Ｇおよび５Ｇ）対する帯域幅、ＰＡＰＲおよび要求される追従性の比較結果を示す。
Figure 2020202528
表１に示すように、５Ｇは、４Ｇと比べて帯域幅が大きいため、帯域幅の逆数（１／ＢＷ）で示される振幅の変化期間が短い。また、５Ｇは、４Ｇと比べてＰＡＰＲが大きい。つまり、電力増幅器１０に入力される高周波信号の帯域幅が異なると、ＰＡＰＲが異なる。
このため、帯域幅の逆数（１／ＢＷ）およびＰＡＰＲが異なる場合、５Ｇにおける入力電力振幅に対するバイアス電圧Ｖｂｉａｓ２の追従性（第２の追従度）は、４Ｇにおける入力電力振幅に対するバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１の追従性（第１の追従度）と比べて、高いことが要求される。
これによれば、帯域幅が相対的に広い５Ｇの第２高周波信号が電力増幅器１０に入力される場合には、追従性の高い第２バイアス信号が電力増幅器１０に印加され、帯域幅が相対的に狭い４Ｇの第１高周波信号が電力増幅器１０に入力される場合には、追従性の低い第１バイアス信号が電力増幅器１０に印加される。つまり、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化される。このため、入力される高周波信号の帯域幅が異なっても同じ第１バイアス信号が印加される場合と比較して、消費電力を低減することが可能となる。また、入力される高周波信号の帯域幅が異なっても同じ第２バイアス信号が印加される場合と比較して、歪特性を改善することが可能となる。これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。さらに、増幅された第１高周波信号および増幅された第２高周波信号は、１つのフィルタ１１を通過してアンテナ共通端子１００から出力される。よって、増幅器およびフィルタの数を低減できるので高周波回路１を小型化できる。
なお、バイアス電圧の入力電力振幅に対する追従性（トラッキング性能）とは、電力増幅器１０へ入力される（または、電力増幅器１０から出力される）高周波信号の電力振幅の変化に対するバイアス電圧の即応性であり、例えば、バイアス電圧のステップ応答時の遷移時間（立ち上がり時間または立ち下がり時間）に相当する。つまり、追従性が高い、とは、即応性が高いことであり遷移時間が短いことである。
つまり、本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置５では、ＰＡＰＲが相対的に小さい第１高周波信号が電力増幅器１０に入力されている場合には、追従性が相対的に低い第１バイアス信号がＬＴＥ用ＥＴ電源１７から電力増幅器１０に印加される。一方、ＰＡＰＲが相対的に大きい第２高周波信号が電力増幅器１０に入力されている場合には、追従性が相対的に高い第２バイアス信号がＮＲ用ＥＴ電源１８から電力増幅器１０に印加される。
なお、上記の追従性の観点より、本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置５において、ＮＲ用ＥＴ電源１８は、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７よりもＲＦＩＣ３に近く配置されていることが望ましい。また、ＮＲ用ＥＴ電源１８は、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７よりも電力増幅器１０に近く配置されていることが望ましい。これによれば、ＲＦＩＣ３とＮＲ用ＥＴ電源１８とを結ぶ制御配線、および、ＮＲ用ＥＴ電源１８と電力増幅器１０とを結ぶバイアス信号配線を相対的に短くできるので、第１バイアス信号よりも高い追従性が要求される第２バイアス信号の追従性を向上することができる。
また、第２バイアス信号の追従性（第２の追従度）が、第１バイアス信号の追従性（第１の追従度）よりも高いとは、ＮＲ用ＥＴ電源１８が出力する第２バイアス信号の追従性が、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７が出力する第１バイアス信号の追従性よりも高いということである。これを実現すべく、例えば、ＮＲ用ＥＴ電源１８から出力されるバイアス電圧Ｖｂｉａｓ２のダイナミックレンジが、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７から出力されるバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１のダイナミックレンジよりも大きくてもよい。また、例えば、ＮＲ用ＥＴ電源１８が制御信号ＳＬＴＥを検知してからバイアス電圧Ｖｂｉａｓ２を出力するまでの応答速度が、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７が制御信号ＳＮＲを検知してからバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１を出力するまでの応答速度より高くてもよい。
なお、本実施の形態では、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号として、それぞれ、４Ｇおよび５Ｇに対応した信号を例示したが、これに限られず、第１高周波信号と第２高周波信号との変調方式が異なっていてもよい。この場合には、第１高周波信号と第２高周波信号とは、同じ通信システム（例えば、いずれも４Ｇ、または、いずれも５Ｇ）に対応した信号であってもよい。例えば、第１高周波信号の変調方式が、ＳＣ−ＦＤＭＡ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）であり、第２高周波信号の変調方式が、ＯＦＤＭＡ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）である場合である。
また、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号として、通信システムが同じであり、かつ、変調方式が同じであるが、ＰＡＰＲが異なっていてもよい。
例えば、第１高周波信号が、４Ｇ（Ｅ−ＵＴＲＡ）の通信バンドＡの第１チャネルの信号であり、第２高周波信号が、通信バンドＡと通過帯域幅が異なる、４Ｇ（Ｅ−ＵＴＲＡ）の通信バンドＢの第２チャネルの信号である場合である。
また、例えば、第１高周波信号が、５Ｇ（ＮＲ）の通信バンドＣの第１チャネルの信号であり、第２高周波信号が、通信バンドＣと通過帯域幅が異なる、５Ｇ（ＮＲ）の通信バンドＤの第２チャネルの信号である場合である。
さらには、例えば、第１高周波信号が、５Ｇ（ＮＲ）の通信バンドＣの第１チャネルの信号であり、第２高周波信号が、同じ通信バンドＣの第２チャネルの信号である場合である。この場合、５Ｇ（ＮＲ）の通信バンドＣの第１チャネルの信号と第２チャネルの信号との周波数が一部重複していてもよい。
図３は、実施の形態１に係る電力増幅器１０の回路構成の一例を示す回路図である。同図に示すように、電力増幅器１０は、例えば、ゲート（Ｇ）、ドレイン（Ｄ）およびソース（Ｓ）を有する電界効果型のトランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）を有している。ＦＥＴのゲートは入力端子１１０を介してスイッチ１４（図３に図示せず）に接続されており、ＦＥＴのドレインは出力端子１２０およびスイッチ１５に接続されており、ＦＥＴのソースはグランドに接続されている。
上記構成により、電力増幅器１０は、入力端子１１０から入力された高周波信号を増幅し、当該増幅された高周波信号を出力端子１２０へ出力する。ここで、第１高周波信号が電力増幅器１０に入力されている場合には、第１バイアス信号（バイアス電圧Ｖｂｉａｓ１）がＬＴＥ用ＥＴ電源１７からＦＥＴのドレインに印加され、第２高周波信号が電力増幅器１０に入力されている場合には、第２バイアス信号（バイアス電圧Ｖｂｉａｓ２）がＮＲ用ＥＴ電源１８からＦＥＴのドレインに印加される。
なお、電力増幅器１０に印加される第１バイアス信号および第２バイアス信号は、ＦＥＴのドレインに印加される、いわゆるバイアス電源電圧であることに限定されない。電力増幅器１０に印加される第１バイアス信号および第２バイアス信号は、高周波信号とともにＦＥＴのゲートに印加されるバイアス電圧であってもよい。この場合には、スイッチ１５の共通端子１５ａは、ＦＥＴのゲートに接続される。また、電力増幅器１０に印加される第１バイアス信号および第２バイアス信号は、ＦＥＴのドレインに印加されるバイアス電源電圧とＦＥＴのゲートに印加されるバイアス電圧の双方であってもよい。
また、電力増幅器１０は、複数のＦＥＴが多段接続された構成を有していてもよい。また、電力増幅器１０を構成するトランジスタは、ベース、エミッタおよびコレクタを有するバイポーラ型のトランジスタであってもよい。また、電力増幅器１０を構成するトランジスタは、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタであってもよく、また、ＧａＡｓまたはＳｉＧｅからなるトランジスタであってもよい。
なお、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ１１、スイッチ１４および１５、ならびに、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７およびＮＲ用ＥＴ電源１８は、本発明に係る高周波回路に必須の構成要素ではない。
また、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
また、制御信号ＳＬＴＥおよびＳＮＲを出力する制御部は、ＲＦＩＣ３に含まれていなくてもよく、ＢＢＩＣ４に含まれていてもよく、また、ＲＦＩＣ３およびＢＢＩＣ４以外の通信装置５に含まれていてもよい。
また、高周波回路１において、電力増幅器１０、スイッチ１４および１５は、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に形成されていてもよい。言い換えると、電力増幅器１０、スイッチ１４および１５は、同一のＩＣ基板に形成されており、１チップ化されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩプロセスにより構成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
また、電力増幅器１０は、所定の利得以上で増幅可能な周波数帯域が可変してもよい。また、フィルタ１１は、通過帯域が可変してもよい。
（実施の形態２）
実施の形態１では、異なるバイアス信号を出力するために個別のＥＴ電源が配置された高周波回路１の構成例を示したが、本実施の形態では、異なる複数のバイアス信号を出力できる１つのＥＴ電源が配置された高周波回路１Ａの構成例を示す。
図４は、実施の形態２に係る高周波回路１Ａおよび通信装置５Ａの回路構成図である。同図に示すように、通信装置５Ａは、高周波回路１Ａと、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３Ａと、ＢＢＩＣ４と、を備える。本実施の形態に係る通信装置５Ａは、実施の形態１に係る通信装置５と比較して、高周波回路１ＡおよびＲＦＩＣ３Ａの回路構成が異なる。以下、本実施の形態に係る通信装置５Ａについて、実施の形態１に係る通信装置５と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
ＲＦＩＣ３Ａは、スイッチ１４を有している。つまり、ＲＦＩＣ３Ａは、実施の形態１に係るＲＦＩＣ３にスイッチ１４を取り込んだものであり、ＲＦＩＣ３Ａから高周波回路１Ａへ高周波信号を出力するための出力端子は１つとなっている。ＲＦＩＣ３Ａにおいて、第１高周波信号が出力される端子は選択端子１４ｂであり、第２高周波信号が出力される端子は選択端子１４ｃである。
高周波回路１Ａは、アンテナ共通端子１００と、電力増幅器１０と、フィルタ１１と、共用ＥＴ電源１９と、を備える。本実施の形態に係る高周波回路１Ａは、実施の形態１に係る高周波回路１と比較して、スイッチ１４および１５がなく、ＬＴＥ用ＥＴ電源１７およびＮＲ用ＥＴ電源１８の代わりに共用ＥＴ電源１９が配置されている点が異なる。以下、本実施の形態に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態１に係る高周波回路１と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
電力増幅器１０は、増幅器の一例であり、帯域幅の異なる第１高周波信号（Ｓｉｇ１、帯域幅ＢＷ１）および第２高周波信号（Ｓｉｇ２、帯域幅ＢＷ２）を増幅することが可能である。また、電力増幅器１０には、利得等の増幅パラメータの調整のため、バイアス信号が印加される。
第１高周波信号は、例えば、４Ｇに対応した信号であり、Ｅ−ＵＴＲＡ（ＬＴＥ）で用いられる通信バンドにおける所定のチャネルの信号である。 第２高周波信号は、例えば、５Ｇに対応した信号であり、ＮＲで用いられる通信バンドにおける所定のチャネルの信号である。
ここで、電力増幅器１０に第１高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に第１バイアス信号が印加される。一方、電力増幅器１０に第２高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に、第１バイアス信号と異なる第２バイアス信号が印加される。
共用ＥＴ電源１９は、バイアス電源回路の一例であり、ＲＦＩＣ３Ａの制御部が出力する制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲに基づいて、ＥＴモード用の第１バイアス信号（バイアス電圧Ｖｂｉａｓ１）および第２バイアス信号（バイアス電圧Ｖｂｉａｓ２）を電力増幅器１０に向けて出力する。
ＲＦＩＣ３Ａが有するスイッチ１４の切り換え動作により、第１高周波信号が共通端子１４ａから電力増幅器１０に入力されている場合には、ＲＦＩＣ３Ａからの制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲ（例えば第１ディジタル値）に基づいて、共用ＥＴ電源１９から電力増幅器１０へ第１バイアス信号が印加される。また、スイッチ１４の切り換え動作により、第２高周波信号が共通端子１４ａから電力増幅器１０に入力されている場合には、ＲＦＩＣ３Ａからの制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲ（例えば第２ディジタル値）に基づいて、共用ＥＴ電源１９から電力増幅器１０へ第２バイアス信号が印加される。
高周波回路１ＡおよびＲＦＩＣ３Ａの上記構成によれば、ＲＦＩＣ３Ａから出力される高周波信号および制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲに基づいて、電力増幅器１０における第１高周波信号の増幅動作と第２高周波信号の増幅動作とが切り換えられる。より具体的には、ＲＦＩＣ３Ａは、第１高周波信号の電力増幅器１０への入力と制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲ（第１ディジタル値）の出力とを同期させ、第２高周波信号の電力増幅器１０への入力と制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲ（第２ディジタル値）の出力とを同期させる。
これによれば、帯域幅が相対的に広い５Ｇの第２高周波信号が電力増幅器１０に入力される場合には、追従性の高い第２バイアス信号が電力増幅器１０に印加され、帯域幅が相対的に狭い４Ｇの第１高周波信号が電力増幅器１０に入力される場合には、追従性の低い第１バイアス信号が電力増幅器１０に印加される。つまり、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化される。このため、入力される高周波信号の帯域幅が異なっても同じ第１バイアス信号が印加される場合と比較して、消費電力を低減することが可能となる。また、入力される高周波信号の帯域幅が異なっても同じ第２バイアス信号が印加される場合と比較して、歪特性を改善することが可能となる。さらに、第１バイアス信号と第２バイアス信号とが、１つの共用ＥＴ電源１９から出力されるので、ＥＴ電源を小型化できる。これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。よって、高周波回路１Ａおよび通信装置５Ａを小型化できる。
なお、ＲＦＩＣ３Ａから出力される第１高周波信号および第２高周波信号は、スイッチ１４により時分割して出力されてもよく、または、スイッチ１４によらず、混合（変調）された形で電力増幅器１０に入力されてもよい。
ＲＦＩＣ３Ａから出力される第１高周波信号および第２高周波信号が混合（変調）された形式で電力増幅器１０に入力される場合には、ＲＦＩＣ３Ａから出力される制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲ（例えば第３ディジタル値）に対応したバイアス信号が電力増幅器１０に印加される。ここで、ＲＦＩＣ３Ａから出力される制御信号ＳＬＴＥ／ＮＲ（第３ディジタル値）に対応したバイアス信号とは、第１バイアス信号成分と第２バイアス信号成分とが混合（変調）された信号である。つまり、第１高周波信号と第２高周波信号とが混合（変調）された高周波入力信号は、電力増幅器１０にて、第１バイアス信号成分と第２バイアス信号成分とが混合（変調）されたバイアス信号によって増幅されることで、第１高周波信号が増幅された高周波信号と第２高周波信号が増幅された高周波信号とに分離され得る。
なお、ＲＦＩＣ３Ａは、スイッチ１４を有さなくてもよい。この場合には、実施の形態１に係るＲＦＩＣ３と同様に、ＲＦＩＣ３Ａは、第１高周波信号を出力するＬＴＥ端子３１と、第２高周波信号を出力するＮＲ端子３２と、を備えてもよい。
図５は、実施の形態２の変形例１に係る高周波回路１Ｂおよび周辺回路の回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｂは、アンテナ共通端子１００と、電力増幅器１０と、フィルタ１１、１２および１３と、共用ＥＴ電源１９と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｂは、実施の形態２に係る高周波回路１Ａと比較して、フィルタ１２および１３が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｂについて、実施の形態２に係る高周波回路１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
フィルタ１１は、一方の端子がアンテナ共通端子１００に接続され、他方の端子が電力増幅器１０の出力端子に接続され、第１高周波信号の周波数帯域および第２高周波信号の周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域としている。フィルタ１１は、例えば、４Ｇ（Ｅ−ＵＴＲＡ）のＢａｎｄ３（送信帯域：１７１０−１７８５ＭＨｚ）および５Ｇ（ＮＲ）のｎ３（送信帯域：１７１０−１７８５ＭＨｚ）を通過帯域としている。
フィルタ１２は、一方の端子がアンテナ共通端子１００に接続され、フィルタ１１の通過帯域と異なる通過帯域を有している。フィルタ１２は、例えば、４Ｇ（Ｅ−ＵＴＲＡ）のＢａｎｄ１（送信帯域：１９２０−１９８０ＭＨｚ）を通過帯域としている。
フィルタ１３は、一方の端子がアンテナ共通端子１００に接続され、フィルタ１１および１２の通過帯域と異なる通過帯域を有している。フィルタ１３は、例えば、４Ｇ（Ｅ−ＵＴＲＡ）のＢａｎｄ４０（帯域：２３００−２４００ＭＨｚ）を通過帯域としている。
フィルタ１１、１２および１３は、アンテナ共通端子１００に接続されたマルチプレクサを構成している。
また、図５には図示されていないが、フィルタ１２の他方の端子、および、フィルタ１３の他方の端子には、それぞれ、電力増幅器が接続されていてもよい。
また、フィルタ１１〜１３とアンテナ共通端子１００とは、直接接続されていなくてもよく、スイッチを介して接続されていてもよい。また、フィルタ１１〜１３の数は３に限定されず任意である。
上記構成によれば、高周波回路１Ｂは、電力増幅器１０による４Ｇと５Ｇとの同時伝送（ＥＮ−ＤＣ：Ｅ−ＵＴＲＡ−ＮＲ Ｄｕａｌ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ）を実行するだけでなく、さらに、４Ｇのキャリアアグリゲーション（例えば、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０との同時伝送）を実行することが可能となる。
図６は、実施の形態２の変形例２に係る高周波回路１Ｃおよびその周辺回路の回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｃは、スイッチ１６と、電力増幅器１０と、フィルタ１１と、共用ＥＴ電源１９と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｃは、実施の形態２に係る高周波回路１Ａと比較して、スイッチ１６が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｃについて、実施の形態２に係る高周波回路１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
スイッチ１６は、共通端子１６ａ、選択端子１６ｂおよび１６ｃを有し、共通端子１６ａがフィルタ１１の一方の端子に接続され、選択端子１６ｂがアンテナ２１に接続され、選択端子１６ｃがアンテナ２２に接続されている。スイッチ１６は、フィルタ１１とアンテナ２１との接続、および、フィルタ１１とアンテナ２２との接続を切り換える。スイッチ１６は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチである。
上記構成において、例えば、共通端子１４ａと選択端子１４ｂとが接続されている場合には、共通端子１６ａと選択端子１６ｂとが接続されており、共通端子１４ａと選択端子１４ｃとが接続されている場合には、共通端子１６ａと選択端子１６ｃとが接続されている状態となる。これによれば、電力増幅器１０に第１高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０から出力される高周波信号はアンテナ２１から放射され、電力増幅器１０に第２高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０から出力される高周波信号はアンテナ２２から放射される。よって、電力増幅器１０で増幅された第１高周波信号の増幅信号と、電力増幅器１０で増幅された第２高周波信号の増幅信号とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
（効果等）
以上のように、実施の形態１および２によれば、高周波回路１は、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号を増幅可能な電力増幅器１０を備え、電力増幅器１０に第１高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に第１バイアス信号が印加され、電力増幅器１０に第２高周波信号が入力されている場合には、電力増幅器１０に第１バイアス信号と異なる第２バイアス信号が印加される。
これによれば、電力増幅器１０には、入力される高周波信号の帯域幅に応じて異なるバイアス信号が印加されるので、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化され得る。このため、入力される高周波信号の帯域幅が変化しても同じバイアス信号が印加される場合と比較して、電力増幅器１０の増幅性能を高め、消費電力を低減することが可能となる。これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。よって、高周波回路１を小型化できる。
また、第１バイアス信号と第２バイアス信号とは、ＰＡＰＲが異なっていてもよい。
これによれば、電力増幅器１０には、入力される高周波信号の帯域幅に応じて異なるＰＡＰＲを有するバイアス信号が印加されるので、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化され得る。これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。よって、高周波回路１を小型化できる。
また、第１バイアス信号のバイアス電圧は、第１高周波信号の電力振幅の変化に対して第１の追従度で可変し、第２バイアス信号のバイアス電圧は、第２高周波信号の電力振幅の変化に対して第２の追従度で可変し、第１の追従度と第２の追従度とは異なってもよい。
これにより、電力増幅器１０には、入力される高周波信号の帯域幅に応じて、高周波信号の電力振幅に対する追従度の異なるバイアス信号が印加されるので、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化され得る。よって、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。このため、高周波回路１を小型化できる。
また、さらに、第１バイアス信号の電力増幅器１０への印加と、第２バイアス信号の電力増幅器１０への印加とを切り替えるスイッチ１５を備えてもよい。
また、さらに、第１高周波信号の電力増幅器１０への入力と、第２高周波信号の電力増幅器１０への入力とを切り替えるスイッチ１４を備え、スイッチ１４および１５は、第１高周波信号の電力増幅器１０への入力と第１バイアス信号の電力増幅器１０への印加とを同期させ、第２高周波信号の電力増幅器１０への入力と第２バイアス信号の電力増幅器１０への印加とを同期させてもよい。
これにより、帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。よって、スイッチという簡素化された回路の付加により高周波回路１を小型化できる。
また、第１高周波信号の変調方式と、第２高周波信号の変調方式とは異なってもよい。
これにより、電力増幅器１０には、入力される高周波信号の変調方式に応じて異なるバイアス信号が印加されるので、入力される高周波信号の変調方式に応じてバイアス信号が最適化され得る。よって、変調方式の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。このため、高周波回路１を小型化できる。
また、第１高周波信号は、４Ｇに対応した信号であり、第２高周波信号は、５Ｇに対応した信号であってもよい。
これにより、１つの電力増幅器１０による小型化された構成で、４Ｇと５ＧとのＥＮ−ＤＣを実行することが可能となる。
また、第１バイアス信号のＰＡＰＲは、第２バイアス信号のＰＡＰＲよりも小さくてもよい。
これによれば、帯域幅が相対的に広い５Ｇの第２高周波信号が電力増幅器１０に入力される場合には、ＰＡＰＲの大きい第２バイアス信号が電力増幅器１０に印加され、帯域幅が相対的に狭い４Ｇの第１高周波信号が電力増幅器１０に入力される場合には、ＰＡＰＲの小さい第１バイアス信号が電力増幅器１０に印加される。つまり、入力される高周波信号の帯域幅に応じてバイアス信号が最適化される。このため、入力される高周波信号の帯域幅が変化しても同じ第１バイアス信号が印加される場合と比較して、消費電力を低減することが可能となる。また、入力される高周波信号の帯域幅が変化しても同じ第２バイアス信号が印加される場合と比較して、歪特性を改善することが可能となる。これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を、高い増幅性能および低消費電力を確保しつつ、１つの電力増幅器１０で増幅できる。よって、高周波回路１を小型化できる。
また、実施の形態２によれば、高周波回路１Ａは、第１バイアス信号および第２バイアス信号を電力増幅器１０に出力する共用ＥＴ電源１９を備えてもよい。
これにより、第１バイアス信号と第２バイアス信号とが、１つの共用ＥＴ電源１９から出力されるので、ＥＴ電源を小型化できる。よって、高周波回路１Ａおよび通信装置５Ａを小型化できる。
また、実施の形態１によれば、高周波回路１は、第１バイアス信号を電力増幅器１０に出力するＬＴＥ用ＥＴ電源１７と、第２バイアス信号を電力増幅器１０に出力するＮＲ用ＥＴ電源１８と、を備えてもよい。
また、さらに、電力増幅器１０の出力端子に接続され、第１高周波信号の周波数帯域および第２高周波信号の周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とするフィルタ１１を備えてもよい。
これにより、電力増幅器１０から出力される高周波送信信号の信号品質を向上させることが可能となる。
また、通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３で処理された高周波信号を入力する高周波回路１と、を備える。
これにより、帯域幅の異なる複数の高周波信号を１つの電力増幅器１０で増幅可能な小型化された通信装置５を提供できる。
また、ＲＦＩＣ３は、第１高周波信号を高周波回路１に出力するＬＴＥ端子３１と、第２高周波信号を高周波回路１に出力するＮＲ端子３２と、を備えてもよい。
（その他の実施の形態）
以上、実施の形態に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明の高周波回路および通信装置は、上記実施の形態およびその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
なお、上記実施の形態に係る高周波回路および通信装置は、上述したように、典型的には、４Ｇ（Ｅ−ＵＴＲＡ）の高周波信号と５Ｇ（ＮＲ）の高周波信号とを同時伝送するシステムに適用される。例えば、Ｅ−ＵＴＲＡの通信バンドＡ／ＮＲの通信バンドＢの組み合わせとして、（１）実施の形態１で挙げたＢａｎｄ４１／ｎ４１、（２）Ｂａｎｄ２０（送信帯域：８３２−８６２ＭＨｚ、受信帯域７９１−８２１ＭＨｚ）／ｎ２８（送信帯域：７０３−７４８ＭＨｚ、受信帯域７５８−８０３ＭＨｚ）、などが挙げられる。
また、上記実施の形態に係る高周波回路および通信装置は、上記（１）および（２）のように周波数帯域が少なくとも一部重複する通信バンドＡおよび通信バンドＢの組み合わせだけでなく、周波数帯域が重複しない２つの通信バンドの高周波信号を同時伝送するシステムにも適用できる。
また、上記実施の形態およびその変形例では、異なる帯域幅を有する２つの第１高周波信号および第２高周波信号を送信する場合の構成を例示したが、本発明に係る高周波回路および通信装置の構成は、異なる帯域幅を有する３つ以上の高周波信号を送信する場合の構成にも適用できる。つまり、異なる帯域幅を有する３つ以上の高周波信号を送信する構成であって、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波回路または通信装置の構成を含む高周波回路または通信装置も、本発明に含まれる。
また、例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波回路および通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に別の高周波回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
また、本発明に係る制御部は、集積回路であるＩＣ、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）として実現されてもよい。また、集積回路化の手法は、専用回路または汎用プロセッサで実現してもよい。ＬＳＩ製造後に、プログラムすることが可能なＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）や、ＬＳＩ内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用しても良い。さらには、半導体技術の進歩または派生する別技術によりＬＳＩに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、当然、その技術を用いて機能ブロックの集積化を行ってもよい。
本発明は、特に、ＥＮ−ＤＣ方式を採用するマルチバンド／マルチモード対応のフロントエンドモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 高周波回路
２、２１、２２ アンテナ
３、３Ａ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５、５Ａ 通信装置
１０ 電力増幅器
１１、１２、１３ フィルタ
１４、１５、１６ スイッチ
１４ａ、１５ａ、１６ａ 共通端子
１４ｂ、１４ｃ、１５ｂ、１５ｃ、１６ｂ、１６ｃ 選択端子
１７ ＬＴＥ用ＥＴ電源
１８ ＮＲ用ＥＴ電源
１９ 共用ＥＴ電源
３１ ＬＴＥ端子
３２ ＮＲ端子
１００ アンテナ共通端子
１１０ 入力端子
１２０ 出力端子

Claims (13)

  1. 帯域幅の異なる第１高周波信号および第２高周波信号を増幅可能な増幅器を備え、
    前記増幅器に前記第１高周波信号が入力されている場合には、前記増幅器に第１バイアス信号が印加され、
    前記増幅器に前記第２高周波信号が入力されている場合には、前記増幅器に前記第１バイアス信号と異なる第２バイアス信号が印加される、
    高周波回路。
  2. 前記第１バイアス信号と前記第２バイアス信号とは、ＰＡＰＲ（Ｐｅａｋ ｔｏ Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｏｗｅｒ Ｒａｔｉｏ）が異なる、
    請求項１に記載の高周波回路。
  3. 前記第１バイアス信号のバイアス電圧は、前記第１高周波信号の電力振幅の変化に対して第１の追従度で可変し、
    前記第２バイアス信号のバイアス電圧は、前記第２高周波信号の電力振幅の変化に対して第２の追従度で可変し、
    前記第１の追従度と前記第２の追従度とは異なる、
    請求項１または２に記載の高周波回路。
  4. さらに、
    前記第１バイアス信号の前記増幅器への印加と、前記第２バイアス信号の前記増幅器への印加とを切り替える第１スイッチを備える、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波回路。
  5. さらに、
    前記第１高周波信号の前記増幅器への入力と、前記第２高周波信号の前記増幅器への入力とを切り替える第２スイッチを備え、
    前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、
    前記第１高周波信号の前記増幅器への入力と前記第１バイアス信号の前記増幅器への印加とを同期させ、
    前記第２高周波信号の前記増幅器への入力と前記第２バイアス信号の前記増幅器への印加とを同期させる、
    請求項４に記載の高周波回路。
  6. 前記第１高周波信号の変調方式と、前記第２高周波信号の変調方式とは異なる、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波回路。
  7. 前記第１高周波信号は、第４世代移動通信システム（４Ｇ）に対応した信号であり、
    前記第２高周波信号は、第５世代移動通信システム（５Ｇ）に対応した信号である、
    請求項６に記載の高周波回路。
  8. 前記第１バイアス信号のＰＡＰＲは、前記第２バイアス信号のＰＡＰＲよりも小さい、
    請求項７に記載の高周波回路。
  9. さらに、
    前記第１バイアス信号および前記第２バイアス信号を前記増幅器に出力するバイアス電源回路を備える、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波回路。
  10. さらに、
    前記第１バイアス信号を前記増幅器に出力する第１バイアス電源回路と、
    前記第２バイアス信号を前記増幅器に出力する第２バイアス電源回路と、を備える、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波回路。
  11. さらに、
    前記増幅器の出力端子に接続され、前記第１高周波信号の周波数帯域および前記第２高周波信号の周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とするフィルタを備える、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波回路。
  12. 高周波信号を処理する信号処理回路と、
    前記信号処理回路で処理された高周波信号を入力する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波回路と、を備える、
    通信装置。
  13. 前記信号処理回路は、
    前記第１高周波信号を前記高周波回路に出力する第１出力端子と、
    前記第２高周波信号を前記高周波回路に出力する第２出力端子と、を備える、
    請求項１２に記載の通信装置。
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