JP7157231B2 - 発光装置及びこれを備えた表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及びこれを備えた表示装置に関する。
発光ダイオード(Light Emitting Diode、以下、LEDという)は、劣悪な環境条件下でも比較的良好な耐久性を示し、寿命及び輝度の側面でも優れた性能を有する。最近では、このような発光ダイオードを様々な表示装置に適用するための研究が活発に行われている。
当該研究の一環として、無機結晶構造、例えば、窒化物系半導体を成長させた構造を利用してマイクロスケールまたはナノスケール程度に小さい超小型棒状発光ダイオードを製作する技術が開発されている。例えば、棒状発光ダイオードは自発光表示装置の画素などを構成することができる程度に小さいサイズに製作されることができる。
本発明は、棒状発光ダイオードを含む発光装置及びこれを備えた表示装置を提供することに目的がある。
本発明の一実施例による発光装置は、複数の単位発光領域を含む基板と、上記基板上に提供され、第1方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第1発光素子と、上記第1方向と交差する第2方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第2発光素子と、上記第1及び第2発光素子のそれぞれの第1及び第2端部の何れか1つに連結された第1電極と残り1つに連結された第2電極と、上記基板上において上記第2方向に沿って延長され、上記第1電極に連結された第1整列配線と、上記第1整列配線と一定間隔離隔され、上記第2電極に連結された第2整列配線と、を含んでもよい。
本発明の一実施例によると、各単位発光領域は、上記第1発光素子が提供される第1サブ発光領域と上記第2発光素子が提供される第2サブ発光領域を含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1電極は、上記第1サブ発光領域に提供された第1-1電極と上記第2サブ発光領域に提供された第1-2電極を含んでもよい。上記第2電極は、上記第1サブ発光領域に提供された第2-1電極と上記第2サブ発光領域に提供された第2-2電極を含んでもよい。
本発明の一実施例によると、平面上で見たとき、上記第1-1電極と上記第2-1電極は上記第2方向に沿って延長されてもよい。平面上で見たとき、上記第1-2電極と上記第2-2電極は上記第1方向に沿って延長されてもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1-1電極と上記第2-1電極の間の間隔は、上記第1-2電極と上記第2-2電極の間の間隔と同じであってもよい。
本発明の一実施例によると、上記発光装置は、上記基板上において上記第1方向に延長され、上記第1整列配線と上記第1電極を電気的に連結する第1連結配線と、上記基板上において上記第1連結配線と平行に延長され、上記第2整列配線と上記第2電極を電気的に連結する第2連結配線と、をさらに含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1-1電極は上記第1連結配線から上記第2方向に沿って上記第1サブ発光領域に分岐され、上記第2-1電極は上記第2連結配線から上記第2方向に沿って上記第1サブ発光領域に分岐され、上記第1-1電極と上記第2-1電極は上記第1サブ発光領域において上記第1方向に沿って交互に配置されてもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1-2電極は上記第1整列配線から上記第1方向に沿って上記第2サブ発光領域に分岐され、上記第2-2電極は上記第2整列配線から上記第1方向に沿って上記第2サブ発光領域に分岐され、上記第1-2電極と上記第2-2電極は上記第2サブ発光領域において上記第2方向に沿って交互に配置されてもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1連結配線は上記第1整列配線に連結された一側端部と上記一側端部に対向する他側端部を含んでもよい。上記他側端部は丸い形状であってもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1-2及び第2-2電極のうち上記第2サブ発光領域の最上側に配置された1つの電極と上記第1連結配線の間の間隔は、上記第1-2電極と上記第2-2電極の間の間隔より大きくてもよい。
本発明の一実施例によると、上記発光装置は、上記基板と上記第1電極の間に提供される第1隔壁(またはバンク)と、上記基板と上記第2電極の間に提供され、上記第1隔壁と一定間隔離隔された第2隔壁(またはバンク)と、上記第1電極上に提供され、対応する発光素子の第1及び第2端部の何れか1つの端部と上記第1電極を連結する第1コンタクト電極と、上記第2電極上に提供され、上記対応する発光素子の残り1つの端部と上記第2電極を連結する第2コンタクト電極と、をさらに含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記発光装置は、上記基板と上記第1及び第2発光素子の間に配置された第1絶縁層と、上記第1及び第2発光素子上に提供され、上記第1及び第2発光素子のそれぞれの第1及び第2端部を露出させる第2絶縁層と、上記第1コンタクト電極上に提供されて上記第1コンタクト電極をカバーする第3絶縁層と、上記第2コンタクト電極上に提供されて上記第2コンタクト電極をカバーする第4絶縁層と、をさらに含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記発光装置は、平面上で見たとき、上記第1整列配線の一部と重畳する第1絶縁パターンと上記第2整列配線の一部と重畳する第2絶縁パターンをさらに含んでもよい。上記第1及び第2絶縁パターンは上記第1絶縁層と同じ層に提供され、上記第1及び第2電極の間に形成される電界の一部を遮蔽させてもよい。
本発明の一実施例によると、上記発光装置は、上記第1絶縁パターン上に提供された第1導電パターン及び上記第2絶縁パターン上に提供された第2導電パターンをさらに含んでもよい。上記第1及び第2導電パターンは上記第1コンタクト電極と同じ層に提供されてもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1整列配線は上記第1電極と同じ層に提供され、上記第1電極と一体で提供され、上記第2整列配線は上記第2電極と同じ層に提供され、上記第2電極と一体で提供されてもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1電極は上記第1整列配線から上記第1方向に沿って突出した複数個の枝電極を含み、上記第2電極は上記第2方向に沿って配列された複数個の突出電極及び隣接する突出電極の間に提供された複数個の空洞を含んでもよい。上記枝電極のそれぞれは1つの空洞に対応するように提供されてもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1電極と上記第2電極は電気的に分離され、上記第1及び第2電極のうち1つの電極は他の1つの電極の周りを取り囲む形状であってもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1及び第2発光素子のそれぞれは、第1導電性ドーパントがドープされた第1導電性半導体層(または半導体層)と、第2導電性ドーパントがドープされた第2導電性半導体層(または半導体層)と、上記第1導電性半導体層と上記第2導電性半導体層の間に提供された活性層と、を含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記第1及び第2発光素子のそれぞれは、マイクロスケールまたはナノスケールを有する円柱状あるいは多角柱状の発光ダイオードを含んでもよい。
本発明の一実施例による発光装置を備えた表示装置は、表示領域及び非表示領域を含む基板と、上記表示領域に提供され、少なくとも1つのトランジスタを含む画素回路部と、上記画素回路部上に提供され、光が出射される複数の単位発光領域を備える表示素子層と、を含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記表示素子層は、上記画素回路部上に提供され、第1方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第1発光素子と、上記第1方向と交差する第2方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第2発光素子と、上記画素回路部上に提供され、上記第1及び第2発光素子のそれぞれの第1及び第2端部の何れか1つに連結された第1電極と、残り1つに連結された第2電極と、上記画素回路部上において上記第2方向に沿って延長され、上記第1電極に連結された第1整列配線と、上記第1整列配線と一定間隔離隔され、上記第2電極に連結された第2整列配線と、上記第1電極上に提供され、対応する発光素子の第1及び第2端部の何れか1つの端部と上記第1電極を連結する第1コンタクト電極と、上記第2電極上に提供され、上記対応する発光素子の残り1つの端部と上記第2電極を連結する第2コンタクト電極と、を含んでもよい。
本発明の一実施例によると、光の効率を向上させることができる発光装置及びこれを備えた表示装置が提供されることができる。
本発明の一実施例による棒状発光ダイオードを示した斜視図である。 本発明の一実施例による発光装置の単位発光領域を示した回路図である。 本発明の一実施例による発光装置の単位発光領域を示した回路図である。 図1の棒状発光ダイオードを含む発光装置の単位発光領域を示した平面図である。 図3のI~I’線に沿った断面図である。 図3の発光装置の単位発光領域を他の実施例に応じて示した平面図である。 図3の発光装置の単位発光領域を他の実施例に応じて示した平面図である。 図6のII~II’線に沿った断面図である。 図3の発光装置の単位発光領域を他の実施例に応じて示した平面図である。 図8のIII~III’線に沿った断面図である。 本発明の一実施例による表示装置を示したものであり、特に、図1に示された棒状LEDLDを発光源として使用した表示装置の概略的な平面図である。 図10に示された画素のうち1つの画素に含まれた第1~第3サブ画素を概略的に示した平面図である。 図11のIV~IV’線に沿った断面図である。 図11の第1及び第2整列配線と第1及び第2電極だけを示した平面図である。 図11の表示装置において、1つの画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つの画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つの画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。 図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。
本発明は多様に変更し、また、様々な形態を有することができるため、特定の実施例を図面に例示し以下で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物ないし代替物を含むと理解すべきである。
各図面を説明するにあたり、類似する構成要素には類似する参照符号を使用した。添付の図面における構造物の寸法は、本発明を明確にするために拡大して示した。第1、第2などの用語は様々な構成要素を説明するために用いられるが、上記構成要素は上記用語により限定されてはならない。上記用語は一構成要素を他の構成要素と区別するためだけに用いられる。例えば、本発明の権利範囲から外れない範囲内で、第1構成要素は第2構成要素と称されてもよく、これと同様に第2構成要素も第1構成要素と称されてもよい。単数の表現は文脈上明らかに違う意味を持たない限り、複数の表現を含む。
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらの組み合わせが存在することを示すものであり、1つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらの組み合わせの存在または付加可能性を事前に排除するものではないと理解すべきである。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるというときは、他の部分の「真上に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が介在されている場合も含む。また、本明細書において、ある層、膜、領域、板などの部分が他の部分上(on)に形成されたというときは、上記形成された方向は上部方向のみに限らず、側面や下部方向に形成されたものを含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」あるというときは、他の部分の「真下に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が介在されている場合も含む。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例による棒状発光ダイオードを示した斜視図である。図1には円柱状の棒状発光ダイオードLDを示したが、本発明はこれに限定されない。棒状発光ダイオードLDは発光素子である。
図1を参照すると、本発明の一実施例による棒状発光ダイオード(または発光素子)LDは、第1導電性半導体層11と、第2導電性半導体層13と、上記第1及び第2導電性半導体層11、13との間に介在された活性層12と、を含んでもよい。
例えば、上記棒状発光ダイオードLDは、上記第1導電性半導体層11、上記活性層12、及び上記第2導電性半導体層13が順に積層された積層体で具現されてもよい。以下の実施例では、説明の便宜のため、上記棒状発光ダイオードLDを「棒状LEDLD」と称する。
本発明の一実施例によると、上記棒状LEDLDは一方向に沿って延長された棒状に提供されてもよい。上記棒状LEDLDの延長方向を長さ方向とすると、上記棒状LEDLDは上記長さ方向に沿って一側端部と他側端部を有することができる。
本発明の一実施例において、上記一側端部には上記第1及び第2導電性半導体層11、13のうち1つ、上記他側端部には上記第1及び第2導電性半導体層11、13の残り1つが配置されてもよい。
本発明の一実施例において、上記棒状LEDLDは円柱状に提供されてもよい。しかし、ここで、「棒状」とは、円柱、多角柱などのように上記長さ方向に長い(即ち、縦横比が1より大きい)ロット状(rod-like shape)或いはバー状(bar-like shape)を含んでもよい。例えば、上記棒状LEDLDの長さはその直径より大きくてもよい。
上記棒状LEDLDは、例えば、マイクロスケールまたはナノスケール程度の直径及び/または長さを有する程度に小さく製作することができる。
但し、本発明の一実施例による上記棒状LEDLDの大きさはこれに限定されず、上記棒状LEDLDが適用される表示装置の要求条件に適合するように上記棒状LEDLDの大きさが変更されてもよい。
上記第1導電性半導体層11は、例えば、少なくとも1つのn型半導体層を含んでもよい。例えば、上記第1導電性半導体層11は、InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNのうち何れか1つの半導体材料を含み、Si、Ge、Snなどの第1導電性ドーパントがドープされた半導体層を含んでもよい。
上記第1導電性半導体層11を構成する物質はこれに限定されず、その他にも多様な物質で上記第1導電性半導体層11を構成してもよい。
上記活性層12は上記第1導電性半導体層11上に形成され、単一または多重量子井戸構造で形成されてもよい。本発明の一実施例によると、上記活性層12の上部及び/または下部には導電性ドーパントがドープされたクラッド層(不図示)が形成されてもよい。例えば、上記クラッド層はAlGaN層またはInAlGaN層で具現されることができる。その他にAlGaN、AlInGaNなどの物質も上記活性層12として利用してもよい。
上記棒状LEDLDの両端に所定電圧以上の電界を印加すると、上記活性層12において電子-正孔対が結合して上記棒状LEDLDが発光するようになる。
上記第2導電性半導体層13は上記活性層12上に提供され、上記第1導電性半導体層11と異なるタイプの半導体層を含んでもよい。例えば、上記第2導電性半導体層13は少なくとも1つのp型半導体層を含んでもよい。例えば、上記第2導電性半導体層13は、InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNのうち少なくとも1つの半導体材料を含み、Mgなどのような第2導電性ドーパントがドープされた半導体層を含んでもよい。
上記第2導電性半導体層13を構成する物質はこれに限定されず、その他にも多様な物質が上記第2導電性半導体層13を構成してもよい。
本発明の一実施例によると、上記棒状LEDLDは、上述した上記第1導電性半導体層11、上記活性層12、及び上記第2導電性半導体層13の他にも各層の上部及び/または下部に他の蛍光体層、活性層、半導体層及び/または電極層をさらに含んでもよい。
また、上記棒状LEDLDは絶縁性被膜14をさらに含んでもよい。但し、本発明の一実施例によると、上記絶縁性被膜14は省略されてもよく、上記第1導電性半導体層11、上記活性層12、及び上記第2導電性半導体層13の一部のみを覆うように提供されてもよい。
例えば、上記絶縁性被膜14は、上記棒状LEDLDの両端部を除いた部分に提供されることで、上記棒状LEDLDの両端部が露出されてもよい。
説明の便宜上、図1には上記絶縁性被膜14の一部を削除した様子を示しており、実際の棒状LEDLDは円柱の側面が全て上記絶縁性被膜14で覆われてもよい。
上記絶縁性被膜14は、上記第1導電性半導体層11、上記活性層12及び/または上記第2導電性半導体層13の外周面の少なくとも一部を覆うように提供されてもよい。例えば、上記絶縁性被膜14は、少なくとも上記活性層12の外周面を覆うように提供されることができる。
本発明の一実施例によると、上記絶縁性被膜14は透明な絶縁物質を含んでもよい。例えば、上記絶縁性被膜14は、SiO2、Si3N4、Al2O3及びTiO2からなる群より選択された1つ以上の絶縁物質を含んでもよいが、これに限定されず、絶縁性を有する様々な材料を使用することができる。
上記絶縁性被膜14が上記棒状LEDLDに提供されると、上記活性層12が図示されていない第1及び/または第2電極と短絡することを防止することができる。
また、上記絶縁性被膜14を形成することにより、上記棒状LEDLDの表面欠陥を最小化して寿命及び効率を向上させることができる。また、複数の棒状LEDLDが密接して配置される場合、上記絶縁性被膜14は棒状LEDLDの間で発生し得る所望しない短絡を防止することができる。
上述した棒状LEDLDは様々な表示装置の発光源として用いられてもよい。例えば、上記棒状LEDLDは照明装置や自発光表示装置の光源素子として用いられてもよい。
図2a及び図2bは、本発明の一実施例による発光装置の単位発光領域を示した回路図である。
特に、図2a及び図2bには能動型発光表示パネルを構成するサブ画素の一例を示した。本発明の一実施例において、上記単位発光領域は1つのサブ画素の画素領域であってもよい。
図2aを参照すると、サブ画素SPは、1つ以上の棒状LEDLDと、これに接続されて上記棒状LEDLDを駆動する駆動回路144と、を含んでもよい。
上記棒状LEDLDの第1電極(例えば、アノード電極)は上記駆動回路144を経由して第1駆動電源VDDに接続され、第2電極(例えば、カソード電極)は第2駆動電源VSSに接続される。
上記第1駆動電源VDD及び上記第2駆動電源VSSは、互いに異なる電位を有してもよい。例えば、上記第2駆動電源VSSは、上記第1駆動電源VDDの電位より上記棒状LEDLDのしきい電圧以上低い電位を有することができる。
上記棒状LEDLDは、上記駆動回路144によって制御される駆動電流に相応する輝度で発光することができる。
一方、図2aには、上記サブ画素SPに1つの上記棒状LEDLDだけが含まれる実施例を開示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記サブ画素SPは、互いに並列に連結される複数の上記棒状LEDLDを含んでもよい。
本発明の一実施例によると、上記駆動回路144は、第1及び第2トランジスタM1、M2とストレージキャパシタCstを含んでもよい。但し、上記駆動回路144の構造は図2aに示された実施例に限定されない。
上記第1トランジスタM1(スイッチングトランジスタ)の第1電極はデータ線Djに接続され、第2電極は第1ノードN1に接続される。ここで、上記第1トランジスタM1の上記第1電極と上記第2電極は互いに異なる電極であり、例えば、上記第1電極がソース電極であれば、上記第2電極はドレイン電極であってもよい。そして、上記第1トランジスタM1のゲート電極は走査線Siに接続される。
このような上記第1トランジスタM1は、上記走査線Siから上記第1トランジスタM1がターンオンできる電圧(例えば、ロー電圧)の走査信号が供給されるときターンオンされて、上記データ線Djと上記第1ノードN1を電気的に連結する。このとき、上記データ線Djには該当フレームのデータ信号が供給され、これにより、上記第1ノードN1に上記データ信号が伝達される。上記第1ノードN1に伝達された上記データ信号は、上記ストレージキャパシタCstに充電される。
上記第2トランジスタM2(駆動トランジスタ)の第1電極は上記第1駆動電源VDDに接続され、第2電極は上記棒状LEDLDの上記第1電極に接続される。上記第2トランジスタM2のゲート電極は上記第1ノードN1に接続される。このような上記第2トランジスタM2は、上記第1ノードN1の電圧に対応して上記棒状LEDLDに供給される駆動電流の量を制御する。
上記ストレージキャパシタCstの一電極は上記第1駆動電源VDDに接続され、他の電極は上記第1ノードN1に接続される。このような上記ストレージキャパシタCstは、上記第1ノードN1に供給される上記データ信号に対応する電圧を充電し、次のフレームのデータ信号が供給されるまで充電された電圧を保持する。
便宜上、図2aには、上記データ信号を上記サブ画素SPの内部に伝達するための上記第1トランジスタM1と、上記データ信号を貯蔵するための上記ストレージキャパシタCstと、上記データ信号に対応する駆動電流を上記棒状LEDLDに供給するための上記第2トランジスタM2とを含む比較的単純な構造の上記駆動回路144を示した。
しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、上記駆動回路144の構造は多様に変更されて実施されてもよい。例えば、上記駆動回路144は、上記第2トランジスタM2のしきい電圧を補償するためのトランジスタ素子、上記第1ノードN1を初期化するためのトランジスタ素子、及び/または上記棒状LEDLDの発光時間を制御するためのトランジスタ素子などの少なくとも1つのトランジスタ素子や、上記第1ノードN1の電圧をブーストするためのブーストキャパシタなどの他の回路素子をさらに含むことができる。
また、図2aには、上記駆動回路144に含まれるトランジスタ、例えば、上記第1及び第2トランジスタM1、M2を全てP型トランジスタで図示したが、本発明はこれに限定されない。即ち、上記駆動回路144に含まれる上記第1及び第2トランジスタM1、M2のうち少なくとも1つは、N型トランジスタに変更されてもよい。
図2bを参照すると、本発明の一実施例によると、第1及び第2トランジスタM1、M2はN型トランジスタで具現されてもよい。図2bに示された駆動回路144は、トランジスタのタイプ変更による一部の構成要素の接続位置の変更を除けば、その構成や動作が図2aの駆動回路144と類似する。従って、これに対する詳細な説明は省略する。
図3は図1の棒状発光ダイオードを含む発光装置の単位発光領域を示した平面図であり、図4は図3のI~I’線に沿った断面図である。
図3において、単位発光領域は、発光表示パネルに含まれた1つのサブ画素の画素領域であってもよい。
図1~図4を参照すると、本発明の一実施例による発光装置は、複数の単位発光領域を含む基板SUB、バリア層BRL、複数の棒状LEDLD、第1及び第2隔壁PW1、PW2、第1及び第2電極REL1、REL2、第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、第1及び第2コンタクト電極CNE1、CNE2を含んでもよい。
上記基板SUBはガラス、有機高分子、水晶などの絶縁性材料を含んでもよい。また、上記基板SUBは曲がったり折り曲げられるように可撓性(flexibility)を有する材料からなってもよく、単層構造や多層構造であってもよい。
上記バリア層BRLは、上記棒状LEDLDに不純物が拡散するのを防止することができる。
上記棒状LEDLDのそれぞれは、第1導電性半導体層11と、第2導電性半導体層13と、上記第1及び第2導電性半導体層11、13との間に介在された活性層12と、を含んでもよい。実施例に応じて、上記棒状LEDLDのそれぞれは上記第2導電性半導体層13の上部に提供された電極層(不図示)をさらに含んでもよい。
上記棒状LEDLDのそれぞれは、第1端部EP1と第2端部EP2を含んでもよい。
上記第1端部EP1には上記第1及び第2導電性半導体層11、13のうち1つが、上記第2端部EP2には上記第1及び第2導電性半導体層11、13の残り1つが配置されてもよい。本発明の一実施例において、各棒状LEDLDは、カラー及び/または白色光のうち何れか1つの光を出射することができる。
上記棒状LEDLDのそれぞれの下部には、第1絶縁層INS1が提供されてもよい。
上記第1絶縁層INS1は、上記棒状LEDLDのそれぞれと上記基板SUBの間の空間を埋め、上記棒状LEDLDのそれぞれを安定的に支持し、各棒状LEDLDの離脱を防止することができる。
上記棒状LEDLD上には、上記棒状LEDLDのそれぞれの上面一部をカバーする第2絶縁層INS2が提供されてもよい。これにより、上記棒状LEDLDのそれぞれの両端部EP1、EP2は外部に露出されてもよい。
上記棒状LEDLDは、第1棒状LEDLD1と第2棒状LEDLD2を含んでもよい。
上記第1棒状LEDLD1は、第1方向DR1に上記第1及び第2端部EP1、EP2を含んでもよい。ここで、上記第1方向DR1は、平面上で見たとき、水平方向を意味することができる。
上記第2棒状LEDLD2は、上記第1方向DR1と交差する第2方向DR2に上記第1及び第2端部EP1、EP2を含んでもよい。ここで、上記第2方向DR2は、平面上で見たとき、垂直方向を意味することができる。
本発明の一実施例において、上記第1棒状LEDLD1は上記水平方向に整列され、上記第2棒状LEDLD2は上記垂直方向に整列されることができる。
上記発光装置の各単位発光領域は、上記第1棒状LEDLD1が提供される第1サブ発光領域SEMA1と、上記第2棒状LEDLD2が提供される第2サブ発光領域SEMA2と、を含んでもよい。
上記第1及び第2隔壁PW1、PW2は、1つのサブ画素SP内で上記単位発光領域を区画することができる。
上記第1及び第2隔壁PW1、PW2は、上記基板SUB上において互いに一定間隔離隔されるように提供されてもよい。上記第1及び第2隔壁PW1、PW2は、1つの棒状LEDLDの長さ以上に上記基板SUB上に離隔されてもよい。
上記第1及び第2隔壁PW1、PW2は無機材料または有機材料を含む絶縁物質を含んでもよいが、これに限定されない。上記第1及び第2隔壁PW1、PW2は、断面上で見たとき、その側面が所定の角度で傾斜した台形状であってもよいが、これに限定されず、半楕円形、円形、四角形などの様々な形状であってもよい。
上記第1隔壁PW1は、上記第1サブ発光領域SEMA1に提供された第1-1隔壁PW1_1と、上記第2サブ発光領域SEMA2に提供された第1-2隔壁PW1_2と、を含んでもよい。
上記第2隔壁PW2は、上記第1サブ発光領域SEMA1に提供された第2-1隔壁PW2_1と、上記第2サブ発光領域SEMA2に提供された第2-2隔壁PW2_2と、を含んでもよい。
上記第1-1隔壁PW1_1と上記第1-2隔壁PW1_2は一体で提供され、上記第2-1隔壁PW2_1と上記第2-2隔壁PW2_2は一体で提供されてもよい。
上記第1-1隔壁PW1_1と上記第2-1隔壁PW2_1は、上記第1サブ発光領域SEMA1の上記基板SUB上において一定間隔離隔されてもよい。上記第1-1隔壁PW1_1と上記第2-1隔壁PW2_1は、平面上で見たとき、上記第2方向DR2に沿って延長されてもよい。
上記第1-2隔壁PW1_2と上記第2-2隔壁PW2_2は、上記第2サブ発光領域SEMA2の上記基板SUB上において一定間隔離隔されてもよい。上記第1-2隔壁PW1_2と上記第2-2隔壁PW2_2は、平面上で見たとき、上記第1方向DR1に沿って延長されてもよい。
上記第1-1隔壁PW1_1、上記第1-2隔壁PW1_2、上記第2-1隔壁PW2_1、及び上記第2-2隔壁PW2_2は、上記基板SUB上の同一平面上に配置されてもよく、同じ高さであってもよい。
上記第1電極REL1は上記第1隔壁PW1上に提供され、上記第2電極REL2は上記第2隔壁PW2上に提供されてもよい。
上記第1電極REL1は、対応する棒状LEDLDの両端部EP1、EP2の何れか1つの端部に隣接して配置され、上記第2電極REL2は、上記対応する棒状LEDLDの両端部EP1、EP2のうち残り1つの端部に隣接して配置されてもよい。
上記第1電極REL1は、上記第1コンタクト電極CNE1を介して上記対応する棒状LEDLDに電気的に連結され、上記第2電極REL2は、上記第2コンタクト電極CNE2を介して上記対応する棒状LEDLDに電気的に連結されてもよい。
上記第1電極REL1は、上記第1-1隔壁PW1_1上に提供された第1-1電極REL1_1と、上記第1-2隔壁PW1_2上に提供された第1-2電極REL1_2と、を含んでもよい。
上記第1-1電極REL1_1は上記第1サブ発光領域SEMA1に提供され、平面上で見たとき、上記第1-1隔壁PW1_1に重畳されてもよい。上記第1-1電極REL1_1は上記第1サブ発光領域SEMA1内において上記第2方向DR2に延長されてもよい。
上記第1-1電極REL1_1は、上記第1方向DR1に沿って延長された第1連結配線CNL1から上記第2方向DR2に分岐され、上記第1サブ発光領域SEMA1内に複数個で提供されてもよい。
上記第1連結配線CNL1は上記第1整列配線ARL1に連結されてもよい。上記第1連結配線CNL1は上記第1整列配線ARL1と一体で提供されてもよいが、本発明はこれに限定されない。
上記第1-2電極REL1_2は上記第2サブ発光領域SEMA2に提供され、平面上で見たとき、上記第1-2隔壁PW1_2に重畳されてもよい。上記第1-2電極REL1_2は、上記第2サブ発光領域SEMA2内において上記第1方向DR1に延長されてもよい。
上記第1-2電極REL1_2は、上記第2方向DR2に沿って延長された上記第1整列配線ARL1から上記第1方向DR1に分岐され、上記第2サブ発光領域SEMA2内に複数個で提供されてもよい。
上記第1-1電極REL1_1上には、IZOなどの透明な導電性材料からなる第1-1キャップ層CPL1_1が提供されてもよい。上記第1-1キャップ層CPL1_1は、上記発光装置の製造工程時に発生する不良などによる上記第1-1電極REL1-1の損傷を防止し、上記第1-1電極REL1-1と上記基板SUBの接着力をさらに強化させることができる。
上記第1-2電極REL1_2上にも上記第1-1キャップ層CPL1_1と同じ物質を含む第1-2キャップ層(不図示)が提供されてもよい。
上記第2電極REL2は、上記第2-1隔壁PW2_1上に提供された第2-1電極REL2_1と、上記第2-2隔壁PW2_2上に提供された第2-2電極REL2_2と、を含んでもよい。
上記第2-1電極REL2_1は上記第1サブ発光領域SEMA1に提供され、平面上で見たとき、上記第2-1隔壁PW2_1に重畳されてもよい。上記第2-1電極REL2_1は、上記第1サブ発光領域SEMA1内において上記第2方向DR2に延長されてもよい。
上記第2-1電極REL2_1は、上記第1方向DR1に沿って延長された第2連結配線CNL2から上記第2方向DR2に分岐され、上記第1サブ発光領域SEMA1内に複数個で提供されてもよい。
上記第2連結配線CNL2は上記第2整列配線ARL2に連結されてもよい。上記第2連結配線CNL2は上記第2整列配線ARL2と一体で提供されてもよいが、本発明はこれに限定されない。
上記第2-2電極REL2_2は上記第2サブ発光領域SEMA2に提供され、平面上で見たとき、上記第2-2隔壁PW2-2に重畳されてもよい。上記第2-2電極REL2_2は、上記第2サブ発光領域SEMA2内において上記第1方向DR1に延長されてもよい。
上記第2-2電極REL2_2は、上記第2方向DR2に沿って延長された上記第2整列配線ARL2から上記第1方向DR1に分岐され、上記第2サブ発光領域SEMA2内に複数個で提供されてもよい。
上記第2-1電極REL2_1上には、IZOなどの透明な導電性材料からなる第2-1キャップ層CPL2_1が提供されてもよい。上記第2-2電極REL2_2上にも上記第2-1キャップ層CPL2_1と同じ物質を含む第2-2キャップ層(不図示)が提供されてもよい。
平面上で見たとき、上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1は、上記第1サブ発光領域SEMA1内で上記第1方向DR1に沿って交互に提供されてもよい。
また、平面上で見たとき、上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2は、上記第2サブ発光領域SEMA2内で上記第2方向DR2に沿って交互に提供されてもよい。
上記第1サブ発光領域SEMA1における上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1の間の間隔d1と上記第2サブ発光領域SEMA2における上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間の間隔d2は、同一に設計されてもよい。
これは、上記第1サブ発光領域SEMA1に整列される上記第1棒状LEDLD1の整列面積と上記第2サブ発光領域SEMA2に整列される上記第2棒状LEDLD2の整列面積を同一にするためである。
上記第1及び第2サブ発光領域SEMA1、SEMA2のそれぞれにおける整列面積が同一である場合、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2が一部領域に偏ることを防止することができる。
上記第1及び第2電極REL1、REL2は、上記第1及び第2隔壁PW1、PW2の形状に対応するように提供されてもよい。従って、上記第1電極REL1は上記第1隔壁PW1の傾斜度に対応する傾斜を有し、上記第2電極REL2は上記第2隔壁PW2の傾斜度に対応する傾斜を有することができる。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2電極REL1、REL2は一定の反射率を有する導電性材料からなってもよい。上記第1及び第2電極REL1、REL2は、対応する棒状LEDLDの両端部EP1、EP2から出射される光を画像が表示される方向(例えば、正面方向)に進行させることができる。
上記第1及び第2電極REL1、REL2のうち何れか1つの電極はアノード電極で、残り1つの電極はカソード電極であってもよい。本発明の一実施例では、上記第1電極REL1がアノード電極で、上記第2電極REL2がカソード電極であってもよい。
上記第1電極REL1と上記第2電極REL2は同じ平面上に配置されてもよく、同じ高さであってもよい。
説明の便宜上、上記第1及び第2電極REL1、REL2が上記基板SUB上に直接提供されるものを示したが、これに限定されるものではない。例えば、上記第1及び第2電極REL1、REL2と上記基板SUBの間には、上記発光装置がパッシブマトリックスまたはアクティブマトリックスで駆動されるための構成要素がさらに提供されてもよい。
上記第1整列配線ARL1は上記単位発光領域内で上記第2方向DR2に沿って延長され、上記第1電極REL1と電気的に連結されてもよい。平面上で見たとき、上記第1整列配線ARL1は上記第1隔壁PW1と重畳されてもよい。
上記第2整列配線ARL2は上記単位発光領域内で上記第1整列配線ARL1と一定間隔離隔され、上記第2電極REL2と電気的に連結されてもよい。平面上で見たとき、上記第2整列配線ARL2は上記第2隔壁PW2と重畳されてもよい。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2は、上記第1及び第2電極REL1、REL2と同じ層に配置されてもよいが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2のそれぞれは、上記第1及び第2電極REL1、REL2と異なる層に提供されてコンタクトホールなどを介して対応する電極に電気的に連結されてもよい。
上記第1整列配線ARL1には第1整列電圧が印加され、上記第2整列配線ARL2には上記第1整列電圧と異なる電圧レベルを有する第2整列電圧が印加されてもよい。
上記第1整列配線ARL1は、上記棒状LEDLDを上記1つのサブ画素SP内に整列させるために上記第1電極REL1に上記第1整列電圧を伝達することができる。上記第2整列配線ARL2は、上記棒状LEDLDを上記1つのサブ画素SP内に整列させるために上記第2電極REL2に上記第2整列電圧を伝達することができる。
本発明の一実施例では、上記第1整列配線ARL1には上記第1整列電圧としてグラウンド電圧GNDが印加され、上記第2整列配線ARL2には上記第2整列電圧として交流電圧が印加されてもよい。
上記第1整列配線ARL1と上記第2整列配線ARL2のそれぞれに互いに異なる電圧レベルを有する所定の電圧が印加されることによって、上記第1電極REL1と上記第2電極REL2との間に電界が形成されることができる。
上記第1及び第2電極REL1、REL2、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、上記第1及び第2連結配線CNL1、CNL2は、導電性材料からなってもよい。上記導電性材料としては、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti、これらの合金のような金属、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)のような導電性酸化物、PEDOTのような導電性高分子などを含んでもよい。
また、上記第1及び第2電極REL1、REL2、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、上記第1及び第2連結配線CNL1、CNL2は、単一膜で形成されてもよいが、これに限定されず、金属、合金、導電性酸化物、導電性高分子のうち2以上の物質が積層された多重膜で形成されてもよい。
上記第1サブ発光領域SEMA1において、上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1の間には、上記第1棒状LEDLD1が提供されてもよい。
上記第1棒状LEDLD1の両端部EP1、EP2のうち何れか1つの端部は上記第1-1電極REL1_1に連結され、残り1つの端部は上記第2-1電極REL2_1に連結されてもよい。
例えば、上記第1棒状LEDLD1の第1端部EP1が上記第1-1電極REL1_1に連結され、上記第1棒状LEDLD1の第2端部EP2が上記第2-1電極REL2_1に連結されてもよい。また、上記第1棒状LEDLD1の第1端部EP1が上記第2-1電極REL2_1に連結され、上記第1棒状LEDLD1の第2端部EP2が上記第1-1電極REL1_1に連結されてもよい。
以下では、便宜上、上記第1端部EP1が上記第1-1電極REL1_1に連結される上記第1棒状LEDLD1を第1-1棒状LEDLD1_1と説明する。また、上記第1端部EP1が上記第2-1電極REL2_1に連結される上記第1棒状LEDLD1を第1-2棒状LEDLD1_2と説明する。
上記第2サブ発光領域SEMA2において、上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2の間には、上記第2棒状LEDLD2が提供されてもよい。
上記第2棒状LEDLD2の両端部EP1、EP2のうち何れか1つの端部は上記第1-2電極REL1_2に連結され、残り1つの端部は上記第2-2電極REL2_2に連結されてもよい。
例えば、上記第2棒状LEDLD2の第1端部EP1が上記第1-2電極REL1_2に連結され、上記第2棒状LEDLD2の第2端部EP2が上記第2-2電極REL2_2に連結されてもよい。また、上記第2棒状LEDLD2の第1端部EP1が上記第2-2電極REL2_2に連結され、上記第2棒状LEDLD2の第2端部EP2が上記第1-2電極REL1_2に連結されてもよい。
以下では、便宜上、上記第1端部EP1が上記第1-2電極REL1_2に連結される上記第2棒状LEDLD2を第2-1棒状LEDLD2_1と説明する。また、上記第1端部EP1が上記第2-2電極REL2_2に連結される上記第2棒状LEDLD2を第2-2棒状LEDLD2_2と説明する。
上記第1電極REL1上には上記第1コンタクト電極CNE1が提供されてもよい。
上記第1コンタクト電極CNE1は、平面上で見たとき、上記第1電極REL1をカバーし、上記第1電極REL1に重畳されてもよい。また、上記第1コンタクト電極CNE1は、各棒状LEDLDの両端部EP1、EP2のうち何れか1つの端部に部分的に重畳されてもよい。
上記第1コンタクト電極CNE1は、上記第1-1電極REL1_1上に提供された第1-1コンタクト電極CNE1_1と、上記第1-2電極REL1_2上に提供された第1-2コンタクト電極CNE1_2と、を含んでもよい。
上記第1-1コンタクト電極CNE1_1は上記第1サブ発光領域SEMA1に提供され、上記第1-2コンタクト電極CNE1_2は上記第2サブ発光領域SEMA2に提供されてもよい。
平面上で見たとき、上記第1-1コンタクト電極CNE1_1は、上記第1-1電極REL1_1及び上記第1-1棒状LEDLD1-1の第1端部EP1に重畳されてもよい。また、上記第1-1コンタクト電極CNE1_1は、上記第1-2棒状LEDLD1_2の第2端部EP2にも重畳されてもよい。
上記第1-2コンタクト電極CNE1_2は、平面上で見たとき、上記第2-2棒状LEDLD2-2のそれぞれの第2端部EP2と上記第1-2電極REL1_2に重畳されてもよい。また、上記第1-2コンタクト電極CNE1_2は、平面上で見たとき、上記第2-1棒状LEDLD2_1のそれぞれの第1端部EP1に重畳されてもよい。
上記第1コンタクト電極CNE1上には、上記第1コンタクト電極CNE1をカバーする第3絶縁層INS3が提供されてもよい。上記第3絶縁層INS3は、上記第1コンタクト電極CNE1が外部に露出しないようにすることで、上記第1コンタクト電極CNE1の腐食を防止することができる。
上記第3絶縁層INS3は無機材料を含む無機絶縁膜または有機材料を含む有機絶縁膜であってもよい。上記第3絶縁層INS3は、図面に示されたように単層からなってもよいが、これに限定されるものではなく、多重層からなってもよい。
上記第2電極REL2上には上記第2コンタクト電極CNE2が提供されてもよい。
上記第2コンタクト電極CNE2は、平面上で見たとき、上記第2電極REL2をカバーし、上記第2電極REL2に重畳されてもよい。また、上記第2コンタクト電極CNE2は、各棒状LEDLDの両端部EP1、EP2のうち何れか1つの端部に部分的に重畳されてもよい。
本発明の一実施例において、上記第2コンタクト電極CNE2は、上記第2-1電極REL2_1上に提供された第2-1コンタクト電極CNE2_1と、上記第2-2電極REL2_2上に提供された第2-2コンタクト電極CNE2_2と、を含んでもよい。
上記第2-1コンタクト電極CNE2_1は上記第1サブ発光領域SEMA1に提供され、上記第2-2コンタクト電極CNE2_2は上記第2サブ発光領域SEMA2に提供されてもよい。
平面上で見たとき、上記第2-1コンタクト電極CNE2_1は、上記第1-1棒状LEDLD1_1のそれぞれの第2端部EP2と上記第2-1電極REL2_1に重畳されてもよい。また、上記第2-1コンタクト電極CNE2_1は、上記第1-2棒状LEDLD1_2のそれぞれの第1端部EP1に重畳されてもよい。
上記第2-2コンタクト電極CNE2_2は、平面上で見たとき、上記第2-2棒状LEDLD2-2の第1端部EP1と上記第-2電極REL_2に重畳されてもよい。また、上記第2-2コンタクト電極CNE2_2は、上記第2-1棒状LEDLD2_1の第2端部EP2に重畳されてもよい。
上記第2コンタクト電極CNE2は、上記第1コンタクト電極CNE1と同じ物質からなってもよいが、これに限定されない。
上記第2コンタクト電極CNE2上には、上記第2コンタクト電極CNE2をカバーする第4絶縁層INS4が提供されてもよい。
上記第4絶縁層INS4は、上記第2コンタクト電極CNE2が外部に露出しないようにして上記第2コンタクト電極CNE2の腐食を防止することができる。上記第4絶縁層INS4は、無機絶縁膜または有機絶縁膜のうち何れか1つの絶縁膜で構成されてもよい。
上記第4絶縁層INS4上にはオーバーコート層OCが提供されてもよい。
上記オーバーコート層OCは、その下部に配置された上記第1及び第2隔壁PW1、PW2、上記第1及び第2電極REL1、REL2、上記第1及び第2コンタクト電極CNE1、CNE2などにより生じた段差を緩和させる平坦化層であってもよい。また、上記オーバーコート層OCは、上記棒状LEDLDに酸素及び水分などが浸透するのを防止する封止層であってもよい。
上述したように、上記第1サブ発光領域SEMA1において、上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1が上記第2方向DR2に沿って延長されるため、上記第1棒状LEDLD1は上記第1方向DR1に整列されることができる。
上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1を介して上記第1棒状LEDLD1のそれぞれの両端部EP1、EP2に所定電圧以上の電界を印加すると、上記第1棒状LEDLD1のそれぞれの活性層12において電子-正孔対が結合して上記第1棒状LEDLD1が発光するようになる。
上記第1棒状LEDLD1のそれぞれから放出された光は、上記第1棒状LEDLD1のそれぞれの長さ方向、即ち、上記第1方向DR1に進行することができる。上記第1方向DR1に進行した光は、上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1によって反射されて上記正面方向に進行することができる。
上記第2サブ発光領域SEMA2において、上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2が上記第1方向DR1に沿って延長されるため、上記第2棒状LEDLD2のそれぞれは上記第2方向DR2に整列されることができる。
上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2を介して上記第2棒状LEDLD2のそれぞれの両端部EP1、EP2に所定電圧以上の電界を印加すると、上記第2棒状LEDLD2のそれぞれの活性層12において電子-正孔対が結合して上記第2棒状LEDLD2が発光するようになる。
上記第2棒状LEDLD2から放出された光は、上記第2棒状LEDLD2の長さ方向、即ち、上記第2方向DR2に進行することができる。上記第2方向DR2に進行した光は、上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2によって反射されて上記正面方向に進行することができる。
本発明の一実施例では、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2が上記1つのサブ画素SP内で互いに異なる方向に整列されるため、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2のそれぞれから放出された光は、特定方向に集中しないことができる。これにより、上記発光装置は全領域にわたって均一な出光分布を有することができる。
もし、既存の発光装置のように、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2が上記1つのサブ画素SPで同じ方向、例えば、水平方向に整列されると、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2から放出された光は、上記水平方向に進行することができる。このような場合、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2の整列方向に沿って上記光が集中することがある。
上記1つのサブ画素SP内で特定方向に上記光が集中すると、上記既存の発光装置の領域によって上記光の出光効率が異なることができる。上記領域による光の出光効率の差は、上記既存の発光装置を光源として採用した表示装置において画質不良を発生させることができる。
このため、本発明の一実施例による発光装置は、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2を互いに異なる方向に整列することで、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2から放出された光が上記1つのサブ画素SP内で特定方向に集中しないようにすることができる。
図5は図3の発光装置の単位発光領域を他の実施例に応じて示した平面図である。本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。
図5に示された発光装置は、第1連結配線の一側端部が丸い形状からなり、上記第1連結配線と第2サブ発光領域の最上側に配置された電極の間の間隔を調整した点を除き、図3の発光装置と実質的に同一または類似する構成を有することができる。
図5を参照すると、本発明の他の実施例による発光装置は、複数の単位発光領域を含む基板SUB、バリア層BRL、複数の棒状LEDLD、第1及び第2隔壁PW1、PW2、第1及び第2電極REL1、REL2、第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、第1及び第2コンタクト電極CNE1、CNE2を含んでもよい。
上記第1電極REL1は、第2方向DR2に沿って延長された第1-1電極REL1_1と、上記第2方向DR2に交差する第1方向DR1に沿って延長された第1-2電極REL1_2と、を含んでもよい。
上記第2電極REL2は、上記第2方向DR2に沿って延長された第2-1電極REL2_1と、上記第1方向DR1に沿って延長された第2-2電極REL2_2と、を含んでもよい。
上記棒状LEDLDは、上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1の間に整列された第1棒状LEDLD1と、上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2の間に整列された第2棒状LEDLD2と、を含んでもよい。
本発明の一実施例において、上記第1棒状LEDLD1は、上記第1方向DR1に沿って整列され、上記第1方向DR1に第1及び第2端部EP1、EP2を含んでもよい。また、上記第2棒状LEDLD2は、上記第2方向DR2に沿って整列され、上記第2方向DR2に第1及び第2端部EP1、EP2を含んでもよい。
各単位発光領域は、上記第1棒状LEDLD1が提供される第1サブ発光領域SEMA1と、上記第2棒状LEDLD2が提供される第2サブ発光領域SEMA2と、を含んでもよい。
上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1は上記第1サブ発光領域SEMA1に提供され、上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2は上記第2サブ発光領域SEMA2に提供されてもよい。
上記各単位発光領域には、上記第1方向DR1に延長された第1連結配線CNL1が提供されてもよい。
上記第1連結配線CNL1は、上記第1整列配線ARL1に連結された一側端部と上記一側端部に対向する他側端部CONを含んでもよい。上記第1連結配線CNL1の他側端部CONは丸い形状であってもよい。
上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2が対応するサブ発光領域に整列されるとき、上記第2整列配線ARL2と上記第1連結配線CNL1の他側端部の間(以下、「第1領域」という)に電界が集中することができる。上記第1領域に上記電界が集中すると、上記棒状LEDLDが上記第1領域に偏って整列されることができる。
上記棒状LEDLDが一部領域に偏ることを防止するため、本発明の実施例では、上記第1連結配線CNL1の他側端部CONを丸い形状に設計し、上記第1領域に集中する電界を分散させることができる。
また、本発明の一実施例では、上記第2サブ発光領域SEMA2の最上側に配置された1つの電極と上記第1連結配線CNL1の間の間隔d3を上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間の間隔d2より大きく設計することができる。
これは、上記第2サブ発光領域SEMA2の最上側に配置された1つの電極と上記第1連結配線CNL1の間に電界が集中することを防止するためである。
さらに、本発明の一実施例では、上記第2-2電極REL2_2のそれぞれと上記第1整列配線ARL1の間の間隔d4を上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間の間隔d2より大きく設計することができる。
図6は図3の発光装置の単位発光領域を他の実施例に応じて示した平面図であり、図7は図6のII~II’線に沿った断面図である。本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。
図6及び図7に示した発光装置は、第1整列配線に重畳した第1絶縁パターンと第2整列配線に重畳した第2絶縁パターンを含むという点を除き、図3の発光装置と実質的に同一または類似の構成を有することができる。
図6及び図7を参照すると、本発明の他の実施例による発光装置は、複数の単位発光領域を含む基板SUB、バリア層BRL、複数の棒状LEDLD、第1及び第2隔壁PW1、PW2、第1及び第2電極REL1、REL2、第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、第1及び第2コンタクト電極CNE1、CNE2を含んでもよい。
上記第1電極REL1は、第2方向DR2に沿って延長された第1-1電極REL1_1と、上記第2方向DR2に交差する第1方向DR1に沿って延長された第1-2電極REL1_2と、を含んでもよい。
上記第2電極REL2は、上記第2方向DR2に沿って延長された第2-1電極REL2_1と、上記第1方向DR1に沿って延長された第2-2電極REL2_2と、を含んでもよい。
上記棒状LEDLDは、上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1の間に整列された第1棒状LEDLD1と、上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2の間に整列された第2棒状LEDLD2と、を含んでもよい。
各単位発光領域は、上記第1棒状LEDLD1が提供される第1サブ発光領域SEMA1と、上記第2棒状LEDLD2が提供される第2サブ発光領域SEMA2と、を含んでもよい。
上記発光装置は、上記各単位発光領域に提供される第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2をさらに含んでもよい。
上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記棒状LEDLDを上記各単位発光領域に整列させるとき、電界が集中する領域に対応するように配置されてもよい。
上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記電界が集中する領域において上記電界を部分的に遮蔽することができる。これにより、上記電界が集中する領域に上記棒状LEDLDが偏ることを防止することができる。
上記電界が集中する領域は、例えば、上記第1整列配線ARL1と上記第1-2電極REL1_2との間及び上記第2整列配線ARL2と上記第2-2電極REL2-2との間であってもよい。
平面上で見たとき、上記第1絶縁パターンINSP1は、上記第1整列配線ARL1及び上記第1-2電極REL1_2と重畳するように提供されてもよく、上記第2絶縁パターンINP2は、上記第2整列配線
上記第1絶縁パターンINSP1は上記第1整列配線ARL1の延長された方向に沿って延長され、上記第2絶縁パターンINSPは上記第2整列配線ARL2の延長された方向に沿って延長されてもよい。
上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記棒状LEDLDのそれぞれの下部に配置された第1絶縁層INS1と同じ層に提供され、同じ物質を含んでもよい。
上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2と上記第1絶縁層INS1は無機材料を含む無機絶縁膜または有機材料を含む有機絶縁膜の何れか1つからなってもよい。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記第2方向DR2に延長されたバー(Bar)状に提供されてもよいが、これに限定されない。上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記電界が集中する領域に配置されて上記電界を遮蔽することができる範囲内で様々な形状に提供されてもよい。
図8は図3の発光装置の単位発光領域を他の実施例に応じて示した平面図であり、図9は図8のIII~III’線に沿った断面図である。本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。
図8及び図9に示した発光装置は、第1絶縁パターン上に第1遮蔽導電パターンが提供され、第2絶縁パターン上に第2遮蔽導電パターンが提供される点を除き、図6の発光装置と実質的に同一または類似する構成を有することができる。
図8及び図9を参照すると、本発明の他の実施例による発光装置は、複数の単位発光領域を含む基板SUB、バリア層BRL、複数の棒状LEDLD、第1及び第2隔壁PW1、PW2、第1及び第2電極REL1、REL2、第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、第1及び第2コンタクト電極CNE1、CNE2を含んでもよい。
上記第1電極REL1は、第2方向DR2に沿って延長された第1-1電極REL1_1と、上記第2方向DR2に交差する第1方向DR1に沿って延長された第1-2電極REL1_2と、を含んでもよい。
上記第2電極REL2は、上記第2方向DR2に沿って延長された第2-1電極REL2_1と、上記第1方向DR1に沿って延長された第2-2電極REL2_2と、を含んでもよい。
上記棒状LEDLDは、上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1の間に整列された第1棒状LEDLD1と、上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2の間に整列された第2棒状LEDLD2と、を含んでもよい。
各単位発光領域は、上記第1棒状LEDLD1が提供される第1サブ発光領域SEMA1と、上記第2棒状LEDLD2が提供される第2サブ発光領域SEMA2と、を含んでもよい。
上記発光装置は、上記各単位発光領域に提供される第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2と、第1及び第2遮蔽導電パターンSCP1、SCP2と、をさらに含んでもよい。
上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記棒状LEDLDを上記各単位発光領域に整列させるとき、電界が集中する領域に対応するように配置されてもよい。
上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2は、上記電界が集中する領域において上記電界を部分的に遮蔽することができる。これにより、上記電界が集中する領域に上記棒状LEDLDが偏ることを防止することができる。
上記第1及び第2遮蔽導電パターンSCP1、SCP2のそれぞれは、上記電界が集中する領域において上記電界をさらに遮蔽するために、上記第1及び第2絶縁パターンINSP1、INSP2の何れか1つの絶縁パターン上に提供されてもよい。
例えば、上記第1遮蔽導電パターンSCP1は上記第1絶縁パターンINSP1上に提供され、上記第2遮蔽導電パターンSCP2は上記第2絶縁パターンINSP2上に提供されてもよい。
平面上で見たとき、上記第1遮蔽導電パターンSCP1は上記第1絶縁パターンINSP1の延長された方向に沿って延長され、上記第1絶縁パターンINSP1と重畳してもよい。また、上記第2遮蔽導電パターンSCP2は上記第2絶縁パターンINSP2の延長された方向に沿って延長され、上記第2絶縁パターンINSP2と重畳してもよい。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2遮蔽導電パターンSCP1、SCP2は、上記第1コンタクト電極CNE1と同じ層に提供され、同じ物質を含んでもよい。
上記第1及び第2遮蔽導電パターンSCP1、SCP2は、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2のそれぞれから放出された光の損失を最小化するために、透明な導電性材料からなってもよい。
上記第1及び第2遮蔽導電パターンSCP1、SCP2は、上記電界が集中する領域に配置されて上記電界を遮蔽することができる範囲内で様々な形状に提供されてもよい。
図10は本発明の一実施例による表示装置を示したものであり、特に、図1に示された棒状LEDLDを発光源として使用した表示装置の概略的な平面図である。
図1及び図10を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、基板SUBと、上記基板SUB上に提供された画素PXLと、上記基板SUB上に提供され、上記画素PXLを駆動する駆動部と、上記画素PXLと上記駆動部を連結する配線部(不図示)と、を含んでもよい。
上記基板SUBは、表示領域DA及び非表示領域NDAを含んでもよい。
上記表示領域DAは、映像を表示する上記画素PXLが提供される領域であってもよい。上記非表示領域NDAは、上記画素PXLを駆動するための駆動部、及び上記画素PXLと上記駆動部を連結する配線部(不図示)の一部が提供される領域であってもよい。
上記非表示領域NDAは上記表示領域DAの少なくとも一側に提供されてもよい。本発明の一実施例において、上記非表示領域NDAは上記表示領域DAの周りを取り囲んでもよい。
上記画素PXLは上記基板SUB上の上記表示領域DA内に提供されてもよい。上記画素PXLのそれぞれは映像を表示する最小単位であり、複数個で提供されることができる。上記画素PXLは、白色光及び/またはカラー光を出射する発光素子を含んでもよい。
上記駆動部は上記配線部を介して各画素PXLに信号を提供し、これによって上記画素PXLの駆動を制御することができる。図10には、説明の便宜上、上記配線部が省略されている。
上記駆動部は、走査線を介して上記画素PXLに走査信号を提供する走査駆動部SDVと、発光制御線を介して上記画素PXLに発光制御信号を提供する発光駆動部EDVと、データ線を介して上記画素PXLにデータ信号を提供するデータ駆動部DDVと、タイミング制御部(不図示)と、を含んでもよい。上記タイミング制御部は、上記走査駆動部SDV、上記発光駆動部EDV、及び上記データ駆動部DDVを制御することができる。
図11は図10に示した画素の何れか1つの画素に含まれた第1~第3サブ画素を概略的に示した平面図であり、図12は図11のIV~IV’線に沿った断面図であり、図13は図11の第1及び第2整列配線と第1及び第2電極だけを示した平面図である。
図11では、図示の便宜上、上記棒状LEDに連結されるトランジスタ及び上記トランジスタに連結された信号配線の図示を省略した。
本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。図11において、単位発光領域は1つのサブ画素の画素領域であってもよい。
図1~図13を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、複数の画素PXLが提供された基板SUBを含んでもよい。
上記複数の画素PXLのそれぞれは、上記基板SUB上に提供された第1サブ画素SP1、第2サブ画素SP2、及び第3サブ画素SP3を含んでもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1、SP2、SP3のそれぞれは、上記基板SUBと、上記基板SUB上に提供された画素回路部PCLと、上記画素回路部PCL上に提供された表示素子層DPLと、を含んでもよい。
上記画素回路部PCLは、上記基板SUB上に配置されたバッファ層BFLと、上記バッファ層BFL上に配置された第1及び第2トランジスタT1、T2と、駆動電圧配線DVLと、を含んでもよい。また、上記画素回路部PCLは、上記第1及び第2トランジスタT1、T2と上記駆動電圧配線DVL上に提供された保護層PSVをさらに含んでもよい。
上記表示素子層DPLは、上記保護層PSV上に提供された第1及び第2隔壁PW1、PW2、第1及び第2電極REL1、REL2、第1及び第2整列配線ARL1、ARL2、棒状LEDLD、第1及び第2コンタクト電極CNE1、CNE2を含んでもよい。
便宜のため、上記画素回路部PCLを説明してから上記表示素子層DPLを説明する。
上記バッファ層BFLは上記基板SUB上に提供され、上記第1及び第2トランジスタT1、T2に不純物が拡散するのを防止することができる。
上記第1トランジスタT1は、上記表示素子層DPLに備えられた上記棒状LEDLDの一部に電気的に連結されて対応する棒状LEDLDを駆動する駆動トランジスタであり、上記第2トランジスタT2は、上記第1トランジスタT1をスイッチングするスイッチングトランジスタであってもよい。
上記第1及び第2トランジスタT1、T2のそれぞれは、半導体層SCL、ゲート電極GE、ソース電極SE、及びドレイン電極DEを含んでもよい。
上記半導体層SCLは上記バッファ層BFL上に配置されてもよい。上記半導体層SCLは、上記ドレイン電極DEに接触される第1領域と上記ソース電極SEに接触される第2領域を含んでもよい。上記第1領域と上記第2領域の間の領域はチャネル領域であってもよい。本発明の一実施例において、上記第1領域はドレイン領域で、上記第2領域はソース領域であってもよい。
上記半導体層SCLは、ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体などからなる半導体パターンであってもよい。上記チャネル領域は不純物でドープされていない半導体パターンで、真性半導体であってもよい。上記第1領域及び上記第2領域は、上記不純物がドープされた半導体パターンであってもよい。
上記ゲート電極GEは、ゲート絶縁層GIを挟んで上記半導体層SCL上に提供されてもよい。
上記ドレイン電極DEと上記ソース電極SEのそれぞれは、層間絶縁層ILDと上記ゲート絶縁層GIを貫通するコンタクトホールを介して上記半導体層SCLの第1領域及び第2領域に接触されることができる。
上記駆動電圧配線DVLは上記層間絶縁層ILD上に提供されてもよい。上記駆動電圧配線DVLには第2駆動電源VSSが印加されてもよい。
上記保護層PSVは、上記第1トランジスタT1のドレイン電極DEを露出するコンタクトホール及び上記駆動電圧配線DVLを露出するコンタクトホールを含んでもよい。
上記第1及び第2隔壁PW1、PW2は、上記保護層PSV上において一定間隔離隔されてもよい。上記第1隔壁PW1上には上記第1電極REL1が提供され、上記第2隔壁PW2上には上記第2電極REL2が提供されてもよい。
上記第1電極REL1は、第2方向DR2に沿って延長された第1-1電極REL1_1と、上記第2方向DR2に交差する第1方向DR1に沿って延長された第1-2電極REL1_2と、を含んでもよい。
上記第1-1電極REL1_1は、上記第1トランジスタT1の第1電極EL1の一部を露出する上記保護層PSVのコンタクトホールを介して上記第1トランジスタT1のドレイン電極DEに電気的に連結されてもよい。これにより、上記第1-1電極REL1_1には、上記第1トランジスタT1に印加された信号が伝達されることができる。
上記第2電極REL2は、上記第2方向DR2に沿って延長された第2-1電極REL2_1と、上記第1方向DR1に沿って延長された第2-2電極REL2_2と、を含んでもよい。
上記第2-1電極REL2_1は、上記駆動電圧配線DVLの一部を露出する上記保護層PSVのコンタクトホールを介して上記駆動電圧配線DVLに電気的に連結されてもよい。これにより、上記第2-1電極REL2_1には、上記駆動電圧配線DVLの第2駆動電源VSSが伝達されることができる。
上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1上には、それぞれ第1-1キャップ層CPL1_1と第2-1キャップ層CPL2_1が提供されてもよい。
上記第1電極REL1上には、上記第1電極REL1と対応する棒状LEDLDを電気的及び/または物理的に安定して連結するための上記第1コンタクト電極CNE1が提供されてもよい。平面上で見たとき、上記第1コンタクト電極CNE1は上記第1電極REL1に重畳されてもよい。
上記対応する棒状LEDLDは、上記第1コンタクト電極CNE1を介して上記第1電極REL1と電気的に連結されるため、上記第1トランジスタT1のドレイン電極DEに印加された信号は上記対応する棒状LEDLDの両端部EP1、EP2の何れか1つの端部に最終的に印加されることができる。
上記第1コンタクト電極CNE1上には第3絶縁層INS3が提供されてもよい。
上記第2電極REL2上には、上記第2電極REL2と対応する棒状LEDLDを電気的及び/または物理的に安定して連結するための上記第2コンタクト電極CNE2が提供されてもよい。平面上で見たとき、上記第2コンタクト電極CNE2は上記第2電極REL2に重畳されてもよい。
上記対応する棒状LEDLDは、上記第2コンタクト電極CNE2を介して上記第2電極REL2と電気的に連結されるため、上記駆動電圧配線DVLの第2駆動電源VSSは上記対応する棒状LEDLDの両端部EP1、EP2の何れか1つの端部に最終的に印加されることができる。
上記対応する棒状LEDLDの両端部EP1、EP2に所定電圧以上が印加されると、上記対応する棒状LEDLDが発光するようになる。
上記第2コンタクト電極CNE2上には第4絶縁層INS4が提供され、上記第4絶縁層INS4上にはオーバーコート層OCが提供されてもよい。
上記第1整列配線ARL1は、上記棒状LEDLDを対応するサブ画素に整列させるために上記第1電極REL1に上記第1整列電圧を伝達することができる。上記第2整列配線ARL2は、上記棒状LEDLDを対応するサブ画素に整列させるために上記第2電極REL2に上記第2整列電圧を伝達することができる。
本発明の一実施例では、上記第1整列配線ARL1には上記第1整列電圧としてグラウンド電圧GNDが印加され、上記第2整列配線ARL2には上記第2整列電圧として交流電圧が印加されてもよい。
上記第1整列配線ARL1と上記第2整列配線ARL2のそれぞれに互いに異なる電圧レベルを有する所定の電圧が印加されることによって、上記第1電極REL1と上記第2電極REL2との間に電界が形成されることができる。
上記棒状LEDLDのそれぞれは、第1導電性半導体層11と、第2導電性半導体層13と、上記第1及び第2導電性半導体層11、13との間に介在された活性層12と、を含んでもよい。
上記棒状LEDLDは、上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1の間に整列された第1棒状LEDLD1と、上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2の間に整列された第2棒状LEDLD2と、を含んでもよい。
本発明の一実施例において、上記第1棒状LEDLD1は、上記第1方向DR1に沿って整列され、上記第1方向DR1に第1及び第2端部EP1、EP2を含んでもよい。また、上記第2棒状LEDLD2は、上記第2方向DR2に沿って整列され、上記第2方向DR2に第1及び第2端部EP1、EP2を含んでもよい。
上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2のそれぞれの下部には、第1絶縁層INS1が提供されてもよい。上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2上には、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2のそれぞれの上面の一部をカバーする第2絶縁層INS2が提供されてもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれの単位発光領域は、上記第1棒状LEDLD1が提供される第1サブ発光領域SEMA1と、上記第2棒状LEDLD2が提供される第2サブ発光領域SEMA2と、を含んでもよい。
以下では、図13を参照して上記第1及び第2電極REL1、REL2と上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2の配置関係について説明する。
図13に示したように、上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれの上記第1サブ発光領域SEMA1には上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1が提供され、上記第2サブ発光領域SEMA2には上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2が提供されてもよい。
上記第1-1電極REL1_1は、上記第1方向DR1に延長された第1連結配線CNL1から上記第2方向DR2に分岐され、上記第1サブ発光領域SEMA1内に複数個で提供されてもよい。
上記第1連結配線CNL1は、上記第1整列配線ARL1に連結されて上記第1整列配線ARL1の第1整列電圧を上記第1-1電極REL1_1に伝達することができる。上記第1連結配線CNL1は上記第1整列配線ARL1に一体で提供され、同じ層に配置されてもよい。
上記第2-1電極REL2_1は、上記第1方向DR1に延長された第2連結配線CNL2から上記第2方向DR2に分岐され、上記第1サブ発光領域SEMA1内に複数個で提供されてもよい。
上記第2連結配線CNLは、上記第2整列配線ARL2に連結されて上記第2整列配線ARL2の第2整列電圧を上記第2-1電極REL2_1に伝達することができる。上記第2連結配線CNL2は上記第2整列配線ARL2に一体で提供され、同じ層に配置されてもよい。
上記第1サブ発光領域SEMA1において、上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1は上記第1方向DR1に沿って交互に配置されてもよい。
上記棒状LEDLDを対応するサブ画素内に整列させるとき、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2を介して上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1のそれぞれに所定電圧が印加されることができる。
これにより、上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1の間に電界が形成され、上記棒状LEDLDのうち上記第1棒状LEDLD1が上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1の間に整列されることができる。
上記第1サブ発光領域SEMA1において、上記第1棒状LEDLD1の両端部EP1、EP2の何れか1つが上記第1-1電極REL1_1に連結され、残り1つが上記第2-1電極REL2_1に連結されるため、上記第1棒状LEDLD1は上記第1方向DR1に整列されることができる。
上記第1-2電極REL1_2は、上記第1整列配線ARL1から上記第1方向DR1に分岐され、上記第2サブ発光領域SEMA内に複数個で提供されてもよい。
上記第2-2電極REL2_2は、上記第2整列配線ARL2から上記第1方向DR1に分岐され、上記第2サブ発光領域SEMA2内に複数個で提供されてもよい。
上記第2サブ発光領域SEMA2において、上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2は上記第2方向DR2に沿って交互に配置されてもよい。
上記棒状LEDLDを対応するサブ画素に整列させるとき、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2を介して上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2のそれぞれに所定電圧が印加されることができる。
これにより、上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間に電界が形成され、上記棒状LEDLDのうち上記第2棒状LEDLD2が上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間に整列されることができる。
上記第2サブ発光領域SEMA2において、上記第2棒状LEDLD2の両端部EP1、EP2の何れか1つが上記第1-2電極REL1_2に連結され、残り1つが上記第2-2電極REL2_2に連結されるため、上記第2棒状LEDLD2は上記第2方向DR2に整列されることができる。
上記第1サブ発光領域SEMA1における上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1の間の間隔d1と上記第2サブ発光領域SEMA2における上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間の間隔d2は、同一に設計されてもよい。
上述したように、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2が対応するサブ発光領域において互いに異なる方向に整列されるため、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2のそれぞれから放出された光は特定方向に集中しないことができる。これにより、上記表示装置は全領域にわたって均一な出光分布を有することができる。
図14~図16は、図11の表示装置において、1つの画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。
図14~図16では、便宜上、第1及び第2サブ発光領域に提供される第1及び第2電極、第1及び第2連結配線、第1及び第2整列配線だけを示した。
まず、図11、図12及び図14を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、複数の画素PXLが提供される基板SUBを含んでもよい。各画素PXLは、第1~第3サブ画素SP1~SP3を含んでもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれは、第1及び第2サブ発光領域SEMA1、SEMA2を含んでもよい。
本発明の一実施例において、上記第1及び第3サブ画素SP1、SP3のそれぞれの第1サブ発光領域SEMA1には、第2方向DR2に延長された第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1が提供されてもよい。
上記第1及び第3サブ画素SP1、SP3のそれぞれの第2サブ発光領域SEMA2には、上記第2方向DR2と交差した第1方向DR1に延長された第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2が提供されてもよい。
上記第1及び第3サブ画素SP1、SP3において、上記第1サブ発光領域SEMA1には第1棒状LEDLD1が提供され、上記第2サブ発光領域SEMA2には第2棒状LEDLD2が提供されてもよい。
上記第2サブ画素SP2の第1サブ発光領域SEMA1には、上記第1方向DR1に延長された第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2が提供され、上記第2サブ発光領域SEMA2には、上記第2方向DR2に延長された第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1が提供されてもよい。
上記第2サブ画素SP2において、上記第1サブ発光領域SEMA1には上記第2棒状LEDLD2が提供され、上記第2サブ発光領域SEMA2には上記第1棒状LEDLD1が提供されてもよい。
上記第1及び第3サブ画素SP1、SP3のそれぞれの第1サブ発光領域SEMA1において、上記第1棒状LEDLD1は上記第1方向DR1に整列されてもよい。上記第2サブ画素SP2の第2サブ発光領域SEMA2において、上記第1棒状LEDLD1は上記第方向DRに整列されてもよい。
上記第1及び第3サブ画素SP1、SP3のそれぞれの第2サブ発光領域SEMA2において、上記第2棒状LEDLD2は上記第2方向DR2に整列されてもよい。上記第2サブ画素SP2の第1サブ発光領域SEMA1において、上記第2棒状LEDLD2は上記第方向DRに整列されてもよい。
上述したように、隣接する2つのサブ画素のそれぞれの第1サブ発光領域SEMA1に提供される棒状LEDLDが異なる方向に整列され、隣接する2つのサブ画素のそれぞれの第2サブ発光領域SEMA2に提供される棒状LEDLDが異なる方向に整列されてもよい。
これにより、上記第1及び第2棒状LEDLD1、LD2のそれぞれから放出された光は特定方向にさらに集中せずに様々な方向に進行することができる。従って、上記表示装置は全領域にわたって均一な出光分布を有することができる。
図11、図12、及び図15を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、複数の画素PXLが提供される基板SUBを含んでもよい。各画素PXLは、第1~第3サブ画素SP1~SP3を含んでもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1、SP2、SP3のそれぞれの単位発光領域は、第1及び第2サブ発光領域SEMA1、SEMA2を含んでもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれの上記第1サブ発光領域SEMA1には第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1が提供され、上記第2サブ発光領域SEMA2には第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2が提供されてもよい。
上記第1-1電極REL1_1は、第1連結配線CNL1から第2方向DR2に沿って分岐されて上記第1サブ発光領域SEMA1に提供されてもよい。上記第1連結配線CNL1は上記第1-1電極REL1_1と一体で提供されてもよい。
上記第2-1電極REL2_1は、第2連結配線CNL2から上記第2方向DR2に沿って分岐されて上記第1サブ発光領域SEMA1に提供されてもよい。上記第2連結配線CNL2は上記第2-1電極REL2_1と一体で提供されてもよい。
上記第1-2電極REL1_2は上記第2方向DR2に交差する第1方向DR1に沿って上記第2サブ発光領域SEMA2に延長され、上記第2-2電極REL2_2も上記第1方向DR1に沿って上記第2サブ発光領域SEMA2に延長されてもよい。
本発明の一実施例において、上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれの上記第1サブ発光領域SEMA1には、上記第1方向DR1に整列された第1棒状LEDLD1が提供されてもよい。また、上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれの上記第2サブ発光領域SEMA2には、上記第2方向DR2に整列された第2棒状LEDLD2が提供されてもよい。
上記第1サブ発光領域SEMA1において、上記第1連結配線CNL1は第1コンタクトホールH1を介して第1整列配線ARL1に電気的に連結され、上記第2連結配線CNL2は第2コンタクトホールH2を介して第2整列配線ARL2に電気的に連結されてもよい。
上記第2サブ発光領域SEMA2において、上記第1-2電極REL1_2は第3コンタクトホールH3を介して上記第1整列配線ARL1に連結され、上記第2-2電極REL2_は第4コンタクトホールH4を介して上記第2整列配線ARL2に連結されてもよい。
上記第1連結配線CNL1、上記第1-1及び第1-2電極REL1_1、REL1_2は、上記第1整列配線ARL1と異なる層に提供されてもよい。本発明の一実施例において、上記第1整列配線ARL1は、画素回路部PCLに含まれた構成要素の何れか1つと同じ層に提供されてもよい。例えば、上記第1整列配線ARL1は上記画素回路部PCLの駆動電圧配線DVLと同じ層に提供されることができる。
上記第2連結配線CNL2、上記第2-1及び第2-2電極REL2_1、REL2_2は、上記第2整列配線ARL2と異なる層に提供されてもよい。本発明の一実施例において、上記第2整列配線ARL2は上記第1整列配線ARL1と同じ層に提供されてもよい。
図11、図12、及び図16を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、複数の画素PXLが提供される基板SUBを含んでもよい。各画素PXLは第1~第3サブ画素SP1~SP3を含んでもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれは単位発光領域EMAを含んでもよい。
上記第1~第3サブ画素SP1~SP3のそれぞれは、電気的に互いに分離された第1及び第2電極REL1、REL2と、上記第1電極REL1に連結された第1整列配線ARL1と、上記第2電極REL2に連結された第2整列配線ARL2と、を含んでもよい。
上記第1電極REL1は、第2方向DR2に延長された上記第1整列配線ARL1から上記第2方向DR2と交差する第1方向DR1に分岐された複数の枝電極BRE1~BRE5を含んでもよい。上記枝電極BRE1~BRE5のそれぞれは、上記第2方向DR2に隣接して配置された枝電極と一定間隔離隔されてもよい。
上記枝電極BRE1~BRE5は、上記第1方向DR1に沿って上記第1整列配線ARL1の両側に延長されてもよい。上記枝電極BRE1~BRE5は上記第1整列配線ARL1と一体で提供されてもよい。
上記第2電極REL2は、上記第2方向DR2に延長された上記第2整列配線ARL2から上記第1方向DR1に突出した複数の突出電極PRE1~PRE6を含んでもよい。上記突出電極PRE1~PRE6は上記第2整列配線ARL2と一体で提供されてもよい。
上記突出電極PRE1~PRE6のそれぞれは、上記第2方向DR2に隣接する突出電極と一定間隔離隔され、その間に空洞VOが提供されてもよい。
本発明の一実施例において、上記第1電極REL1の1つの枝電極は、上記第2電極REL2の空洞VOに対応するように配置されてもよい。平面上で見たとき、上記第1電極REL1の1つの枝電極は、上記第2電極REL2の1つの突出電極と離隔して配置されてもよい。
上記第2電極REL2は、上記第1電極REL1の周りを取り囲む形状に提供されてもよい。
棒状LEDLDを対応するサブ画素内に整列させるとき、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2を介して上記第1及び第2電極REL1、REL2のそれぞれに所定電圧が印加されることができる。これにより、上記第1及び第2電極REL1、REL2の間に電界が形成され、上記棒状LEDLDが上記第1及び第2電極REL1、REL2の間に整列されることができる。
上記棒状LEDLDの一部は上記第1方向DR1に整列され、他の一部は上記第2方向DR2に整列されてもよく、残りは上記第1及び第2方向DR1、DR2の斜線方向に整列されてもよい。
上述したように、上記棒状LEDLDが対応する単位発光領域EMAで互いに異なる方向に整列されるため、上記棒状LEDLDのそれぞれから放出された光は、特定方向に集中しないことができる。
図17a~図17cは、図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。
図11、図17a~図17cを参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、複数の画素PXLが提供された基板SUBを含んでもよい。各画素PXLは第1~第3サブ画素SP1~SP3を含んでもよい。
上記第1サブ画素SP1は、電気的に互いに分離された第1及び第2電極REL1、REL2と、上記第1電極REL1に連結された第1整列配線ARL1と、上記第2電極REL2に連結された第2整列配線ARL2と、を含んでもよい。
上記第1整列配線ARL1は第2方向DR2に沿って延長され、上記第1電極REL1と一体で提供されてもよい。上記第2整列配線ARL2は上記第2方向DR2に沿って延長され、上記第2電極REL2と一体で提供されてもよい。
上記第1サブ画素SP1の単位発光領域は、第1及び第2サブ発光領域SEMA1、SEMA2を含んでもよい。
上記第1電極REL1は、上記第1整列配線ARL1から分岐された第1-1及び第1-2電極REL1_1、REL1_2を含んでもよい。上記第2電極REL2は、上記第2整列配線ARL2から分岐された第2-1及び第2-2電極REL2_1、REL2_2を含んでもよい。
上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1は上記第1サブ発光領域SEMA1に提供され、上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2は上記第2サブ発光領域SEMA2に提供されてもよい。
上記第1サブ発光領域SEMA1において、上記第2-1電極REL2_1は上記第1-1電極REL1_1の周りを取り囲む形状に提供されてもよい。上記第1-1電極REL1_1と上記第2-1電極REL2_1は一定間隔離隔して電気的に互いに分離された状態であってもよい。
上記第1-1電極REL1_1は、平面上で見たとき、四角状、円形、多角状などからなってもよいが、これに限定されず、様々な形状で提供されてもよい。上記第1-1電極REL1_1の周りを取り囲む上記第2-1電極REL2_1は、上記第1-1電極REL1_1の形状に対応する形状で提供されてもよい。
上記第2サブ発光領域SEMA2において、上記第2-2電極REL2_2は、上記第1-2電極REL1_2の周りを取り囲む形状で提供されてもよい。上記第1-2電極REL1_2と上記第2-2電極REL2_2は一定間隔離隔して電気的に互いに分離された状態であってもよい。
上記第1-2電極REL1_2は、平面上で見たとき、四角状、円形、多角状などからなってもよいが、これに限定されず、様々な形状で提供されてもよい。上記第1-2電極REL1_2の周りを取り囲む上記第2-2電極REL2_2は、上記第1-2電極REL1_2の形状に対応する形状で提供されることができる。
上記第1サブ発光領域SEMA1における上記第1-1及び第2-1電極REL1_1、REL2_1の間の間隔d1と上記第2サブ発光領域SEMA2における上記第1-2及び第2-2電極REL1_2、REL2_2の間の間隔d2は、同一に設計されてもよい。
棒状LEDLDを上記第1サブ画素SP1内に整列させるとき、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2を介して上記第1及び第2電極REL1、REL2のそれぞれに所定電圧が印加されることができる。
これにより、上記第1及び第2電極REL1、REL2の間に電界が形成され、上記棒状LEDLDが上記第1及び第2電極REL1、REL2の間に整列されることができる。
上記棒状LEDLDは、上記第1及び第2電極REL1、REL2の間で上記第2方向DR2に整列されてもよく、上記第2方向DR2と交差する第1方向DR1に整列されてもよい。
上記第2及び第3サブ画素SP2、SP3は、上記第1サブ画素SP1と同じ形状で提供されることができるため、上記第2及び第3サブ画素SP2、SP3に対する説明は省略する。
図18a~図18d、図19a~図19d、及び図20a~図20dは、図11の表示装置において、1つのサブ画素内に配置された第1及び第2整列配線、第1及び第2電極を他の実施例に応じて示した平面図である。本発明の一実施例では、重複する説明を避けるために上述した一実施例と相違する点を中心として説明する。本実施例において特に説明しない部分は上述した一実施例に従い、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を示す。
図11、図18a~図18d、図19a~図19d、及び図20a~図20dを参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、複数の画素PXLが提供された基板SUBを含んでもよい。各画素PXLは第1~第3サブ画素SP1~SP3を含んでもよい。
上記第1サブ画素SP1は、互いに電気的に分離された第1及び第2電極REL1、REL2と、上記第1電極REL1に連結された第1整列配線ARL1と、上記第2電極REL2に連結された第2整列配線ARL2と、を含んでもよい。
上記第1整列配線ARL1は第2方向DR2に沿って延長され、上記第1電極REL1と一体で提供され、同じ層に配置されてもよいが、本発明はこれに限定されない。
実施例によって、上記第1整列配線ARL1は、図18a、図18b、図18d、図19a、図19b、図19d、図20a、図20b、及び図20dに示したように第1コンタクトホールCH1を介して上記第1電極REL1に電気的に連結されてもよい。このような場合、上記第1整列配線ARL1は上記第1電極REL1と異なる層に提供されてもよい。
上記第2整列配線ARL2は上記第2方向に沿って延長され、上記第2電極REL2と一体で提供され、同じ層に配置されてもよいが、本発明はこれに限定されない。
実施例によって、上記第2整列配線ARL2は、図18b、図18d、図19b、図19d、図20b、及び図20dに示したように第2コンタクトホールCH2を介して上記第2電極REL2に電気的に連結されてもよい。このような場合、上記第2整列配線ARL2は上記第2電極REL2と異なる層に提供されてもよい。
上記第1電極REL1は、上記第1サブ画素SP1の単位発光領域内で少なくとも1つ以上提供されてもよい。
上記第1及び第2電極REL1、REL2の何れか1つは他の1つの内部に提供されてもよい。例えば、上記第1電極REL1が上記第2電極REL2の内部に配置され、上記第2電極REL2と電気的に分離されてもよい。
本発明の一実施例において、上記第1電極REL1は四角状、円形、多角状などからなってもよいが、これに限定されず、様々な形状で提供されてもよい。上記第1電極REL1の周りを取り囲む上記第2電極REL2は、上記第1電極REL1の形状に対応する形状で提供されてもよい。
平面上で見たとき、上記第2電極REL2は上記第1電極REL1の周りを取り囲む形状で提供されてもよい。上記第1電極REL1は上記第2電極REL2に取り囲まれた孤立した島状に提供されてもよいが、本発明はこれに限定されない。
実施例によって、上記第1電極REL1の一部領域は、図18c、図18d、図19c、図19d、図20c、及び図20dに示したように上記第2電極REL2に取り囲まれなくてもよい。このような場合、上記第1電極REL1は、上記第2方向DR2に隣接して配置された第1電極REL1と一体で提供されて電気的に連結されることができる。
上記第1電極REL1が上記第2電極REL2によって完全に取り囲まれた孤立した島状である場合、上記第1電極REL1は、図18a、図18b、図19a、図19b、図20a、及び図20bに示したように上記第1コンタクトホールCH1を介して上記第1整列配線ARL1に連結されることができる。
また、上記第1電極REL1が上記第2電極REL2によって完全に取り囲まれた孤立した島状である場合、上記第1電極REL1は、上記第2方向DR2に隣接して配置された第1電極REL1と一定間隔離隔されてもよい。
棒状LEDLDを上記第1サブ画素SP1内に整列させるとき、上記第1及び第2整列配線ARL1、ARL2を介して上記第1及び第2電極REL1、REL2のそれぞれに所定電圧が印加されることができる。これにより、上記第1及び第2電極REL1、REL2の間に電界が形成されることができる。
上記第1及び第2電極REL1、REL2の間に形成された上記電界によって上記棒状LEDLDが上記第1サブ画素SP1の単位発光領域内で上記第1電極REL1の周りに沿って整列されることができる。上記棒状LEDLDは様々な方向に整列されることができる。
上記第1電極REL1が図18a~図18dに示したように四角状である場合、上記棒状LEDLDの一部は上記第1方向DR1に整列され、他の一部は上記第2方向DR2に整列されてもよく、残りは上記第1及び第2方向DR1、DR2の斜線方向に整列されてもよい。
上記第1電極REL1が図19a~図19dに示したように円形である場合、上記第1及び第2電極REL1、REL2の間には放射状の電界が形成されることができる。これにより、上記棒状LEDLDは、上記第1電極REL1の円周に沿って様々な方向に整列されることができる。
上記第1電極REL1が図20a~図20dに示したように多角の菱形である場合、上記棒状LEDLDの大半は上記第1及び第2方向DR1、DR2の斜線方向に整列され、残りの一部は上記第1方向DR1及び/または上記第2方向DR2に整列されることができる。
一方、図18c、図18d、図19c、図19d、図20c、及び図20dに示したように、上記第1電極REL1の一部領域が上記第2電極REL2により取り囲まれないと、上記一部領域に上記電界が集中することができる。このような場合、上記一部領域に上記棒状LEDLDが偏って整列されることができる。
これを防止するために、上記一部領域に遮蔽手段(不図示)を配置することで、上記一部領域に集中する上記電界を部分的に遮蔽することができる。
上記第2及び第3サブ画素SP2、SP3は、上記第1サブ画素SP1と同じ形状で提供されることができるため、上記第2及び第3サブ画素SP2、SP3に対する説明を省略する。
本発明の一実施例による表示装置は多様な電子機器に採用されることができる。例えば、表示装置は、テレビジョン、ノート型パソコン、携帯電話、スマートフォン、スマートパッド(PD)、ポータブルマルチメディアプレーヤー(PMP)、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ナビゲーション、スマートウォッチなどの各種ウェアラブル機器などに適用されることができる。
以上では、本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者または該当技術分野で通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることが理解できるだろう。
従って、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。

Claims (19)

  1. 複数の単位発光領域を含む基板と、
    前記基板上に提供され、第1方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第1発光素子と、
    前記第1方向と交差する第2方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第2発光素子と、
    前記第1及び第2発光素子のそれぞれの第1及び第2端部の何れか1つに連結された第1電極と残り1つに連結された第2電極と、
    前記基板上において前記第2方向に沿って延長され、前記第1電極に連結された第1整列配線と、
    前記第1整列配線と一定間隔離隔され、前記第2電極に連結された第2整列配線と、
    前記基板と前記第1及び第2発光素子の間に配置された第1絶縁層と、
    平面上で見たとき、前記第1整列配線の一部と重畳する第1絶縁パターンと前記第2整列配線の一部と重畳する第2絶縁パターンと、を含み、
    前記第1及び第2絶縁パターンは前記第1絶縁層と同じ層に提供され、
    前記第1及び第2絶縁パターンは、前記第1及び第2電極の間に形成される電界の一部を遮蔽させる
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 各単位発光領域は、前記第1発光素子が提供される第1サブ発光領域と前記第2発光素子が提供される第2サブ発光領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第1電極は、前記第1サブ発光領域に提供された第1-1電極と前記第2サブ発光領域に提供された第1-2電極を含み、
    前記第2電極は、前記第1サブ発光領域に提供された第2-1電極と前記第2サブ発光領域に提供された第2-2電極を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 平面上で見たとき、前記第1-1電極と前記第2-1電極は前記第2方向に沿って延長され、
    平面上で見たとき、前記第1-2電極と前記第2-2電極は前記第1方向に沿って延長されることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記第1-1電極と前記第2-1電極の間の間隔は、前記第1-2電極と前記第2-2電極の間の間隔と同じであることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記基板上において前記第1方向に延長され、前記第1整列配線と前記第1電極を電気的に連結する第1連結配線と、
    前記基板上において前記第1連結配線と平行に延長され、前記第2整列配線と前記第2電極を電気的に連結する第2連結配線と、をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記第1-1電極は前記第1連結配線から前記第2方向に沿って前記第1サブ発光領域に分岐され、
    前記第2-1電極は前記第2連結配線から前記第2方向に沿って前記第1サブ発光領域に分岐され、
    前記第1-1電極と前記第2-1電極は前記第1サブ発光領域において前記第1方向に沿って交互に配置されることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記第1-2電極は前記第1整列配線から前記第1方向に沿って前記第2サブ発光領域に分岐され、
    前記第2-2電極は前記第2整列配線から前記第1方向に沿って前記第2サブ発光領域に分岐され、
    前記第1-2電極と前記第2-2電極は前記第2サブ発光領域において前記第2方向に沿って交互に配置されることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  9. 前記第1連結配線は前記第1整列配線に連結された一側端部と前記一側端部に対向する他側端部を含み、
    前記他側端部は丸い形状であることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  10. 前記第1-2及び第2-2電極のうち前記第2サブ発光領域の最上側に配置された1つの電極と前記第1連結配線の間の間隔は、前記第1-2電極と前記第2-2電極の間の間隔より大きいことを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  11. 前記基板と前記第1電極の間に提供される第1隔壁と、
    前記基板と前記第2電極の間に提供され、前記第1隔壁と一定間隔離隔された第2隔壁と、
    前記第1電極上に提供され、対応する発光素子の第1及び第2端部の何れか1つの端部と前記第1電極を連結する第1コンタクト電極と、
    前記第2電極上に提供され、前記対応する発光素子の残り1つの端部と前記第2電極を連結する第2コンタクト電極と、をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  12. 前記第1及び第2発光素子上に提供され、前記第1及び第2発光素子のそれぞれの第1及び第2端部を露出させる第2絶縁層と、
    前記第1コンタクト電極上に提供されて前記第1コンタクト電極をカバーする第3絶縁層と、
    前記第2コンタクト電極上に提供されて前記第2コンタクト電極をカバーする第4絶縁層と、をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記第1絶縁パターン上に提供された第1導電パターン及び前記第2絶縁パターン上に提供された第2導電パターンをさらに含み、
    前記第1及び第2導電パターンは前記第1コンタクト電極と同じ層に提供されることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
  14. 前記第1整列配線は前記第1電極と同じ層に提供され、前記第1電極と一体で提供され、前記第2整列配線は前記第2電極と同じ層に提供され、前記第2電極と一体で提供されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  15. 前記第1電極は前記第1整列配線から前記第1方向に沿って突出した複数個の枝電極を含み、
    前記第2電極は前記第2方向に並んで配置され前記第1方向に突出して配列された複数個の突出電極及び隣接する突出電極の間に提供された複数個の空洞を含み、
    前記枝電極のそれぞれは1つの空洞に対応するように提供されることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
  16. 前記第1電極と前記第2電極は電気的に分離され、前記第1及び第2電極のうち1つの電極は他の1つの電極の周りを取り囲む形状であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  17. 前記第1及び第2発光素子のそれぞれは、
    第1導電性ドーパントがドープされた第1導電性半導体層と、
    第2導電性ドーパントがドープされた第2導電性半導体層と、
    前記第1導電性半導体層と前記第2導電性半導体層の間に提供された活性層と、を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
  18. 前記第1及び第2発光素子のそれぞれは、マイクロスケールまたはナノスケールを有する円柱状あるいは多角柱状の発光ダイオードを含むことを特徴とする請求項17に記載の発光装置。
  19. 表示領域及び非表示領域を含む基板と、
    前記表示領域に提供され、少なくとも1つのトランジスタを含む画素回路部と、
    前記画素回路部上に提供され、光が出射される複数の単位発光領域を備える表示素子層と、を含み、
    前記表示素子層は、
    前記画素回路部上に提供され、第1方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第1発光素子と、
    前記第1方向と交差する第2方向に第1端部と第2端部を有する少なくとも1つの第2発光素子と、
    前記画素回路部上に提供され、前記第1及び第2発光素子のそれぞれの第1及び第2端部の何れか1つに連結された第1電極と、残り1つに連結された第2電極と、
    前記画素回路部上において前記第2方向に沿って延長され、前記第1電極に連結された第1整列配線と、
    前記第1整列配線と一定間隔離隔され、前記第2電極に連結された第2整列配線と、
    前記第1電極上に提供され、対応する発光素子の第1及び第2端部の何れか1つの端部と前記第1電極を連結する第1コンタクト電極と、
    前記基板と前記第1及び第2発光素子の間に配置された第1絶縁層と、
    平面上で見たとき、前記第1整列配線の一部と重畳する第1絶縁パターンと前記第2整列配線の一部と重畳する第2絶縁パターンと、
    前記第2電極上に提供され、前記対応する発光素子の残り1つの端部と前記第2電極を連結する第2コンタクト電極と、を含み、
    前記第1及び第2絶縁パターンは前記第1絶縁層と同じ層に提供され、
    前記第1及び第2絶縁パターンは、前記第1及び第2電極の間に形成される電界の一部を遮蔽させる
    ことを特徴とする表示装置。
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