TW202013025A - 發光裝置及包含其之顯示裝置 - Google Patents

發光裝置及包含其之顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202013025A
TW202013025A TW108124157A TW108124157A TW202013025A TW 202013025 A TW202013025 A TW 202013025A TW 108124157 A TW108124157 A TW 108124157A TW 108124157 A TW108124157 A TW 108124157A TW 202013025 A TW202013025 A TW 202013025A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
light
light emitting
sub
led
Prior art date
Application number
TW108124157A
Other languages
English (en)
Inventor
林載翊
梁銀娥
崔海潤
Original Assignee
南韓商三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商三星顯示器有限公司 filed Critical 南韓商三星顯示器有限公司
Publication of TW202013025A publication Critical patent/TW202013025A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

發光裝置可以包括：基板，其包括複數個單位發光區；至少一個第一發光元件，其在第一方向上具有第一端部和第二端部；至少一個第二發光元件，其在與第一方向交叉的第二方向上具有第一端部和第二端部；第一電極，其連接第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部中的任一個；第二電極，其連接第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部中的另一個；第一校準線，其在基板上沿第二方向延伸，並連接到第一電極；以及連接到第二電極的第二校準線。

Description

發光裝置及包含其之顯示裝置
相關申請案之交互參照
本案要求於2018年7月9日在韓國智慧財產局提交的韓國專利申請第10-2018-0079540號的優先權和權益，其全部公開內容透過引用合併於此。
本發明涉及發光裝置和具有該發光裝置的顯示裝置。
發光二極體(以下稱為LED)即使在惡劣的環境條件下也表現出相對令人滿意的耐久性，並且在壽命和亮度方面具有優異的性能。近來，已經積極進行了將這種LED應用於各種顯示裝置的研究。
作為這些研究的一部分，已經開發了一種技術，該技術利用無機晶體結構(例如，於其中生長了基於氮化物的半導體的結構)來製造小至微米或奈米級尺寸的微條型LED(micro bar type LED)。例如，所製造的條型LED可以小到足以構成自發光顯示裝置的一個像素以及其他類似的配置。
本發明的目的是提供一種具有條型LED的發光裝置以及具有該發光裝置的顯示裝置。
根據本發明的一個態樣，提供了一種發光裝置，其包括：基板，其包括複數個單位發光區；至少一個第一發光元件，其設置在基板上，該至少一個第一發光元件在第一方向上具有第一端部和第二端部；至少一個第二發光元件，其在與第一方向交叉的第二方向上具有第一端部和第二端部；第一電極，其連接到第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部中的任一個；第二電極，其連接到第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部中的另一個；第一校準線(alignment line)，其在基板上沿著第二方向延伸，第一校準線連接到第一電極；以及第二校準線，其與第一校準線隔開一定距離，第二校準線連接到第二電極。
根據本發明的實施例，每個單位發光區可以包括於其中設置有第一發光元件的第一子發光區以及於其中設置有第二發光元件的第二子發光區。
根據本發明的實施例，第一電極可以包括設置在第一子發光區中的第(1-1)電極和設置在第二子發光區中的第(1-2)電極發射區。第二電極可以包括設置在第一子發光區中的第(2-1)電極和設置在第二子發光區中的第(2-2)電極。
根據本發明的實施例，當在平面上觀察時，第(1-1)電極和第(2-1)電極可以沿著第二方向延伸。當在平面上觀察時，第(1-2)電極和第(2-2)電極可以沿著第一方向延伸。
根據本發明的實施例，第(1-1)電極和第(2-1)電極之間的距離可以等於第(1-2)電極和第(2-2)電極之間的距離。
根據本發明的實施例，發光裝置可以進一步包括：在基板上沿第一方向延伸的第一連接線，第一連接線電性連接第一校準線和第一電極；以及在基板上平行第一連接線延伸的第二連接線，第二連接線電性連接第二校準線和第二電極。
根據本發明的實施例，第(1-1)電極可以從第一連接線沿第二方向分支到第一子發光區，第(2-1)電極可以從第二連接線沿第二方向分支到第一子發光區，並且第(1-1)電極和第(2-1)電極可以沿第一方向在第一子發光區中交替設置。
根據本發明的實施例，第(1-2)電極可以從第一校準線沿第一方向分支到第二子發光區，第(2-2)電極可以從第二校準線沿第一方向分支到第二子發光區，且第(1-2)電極和第(2-2)電極可以沿第二方向在第二子發光區中交替設置。
根據本發明的實施例，第一連接線可以包括連接至第一校準線的一端部以及與該端部相對的另一端部。該另一端部可以具有圓形形狀。
根據本發明的實施例，第(1-2)電極和第(2-2)電極之中設置在第二子發光區的最上側的該電極與第一連接線之間的距離可以大於第(1-2)電極和第(2-2)電極之間的距離。
根據本發明的實施例，發光裝置可以進一步包括：第一分隔壁，其設置在基板和第一電極之間；第二分隔壁，設置在基板與第二電極之間，第二分隔壁與第一分隔壁隔開一定距離；第一接觸電極，設置在第一電極上，第一接觸電極將對應的發光元件的第一端部和第二端部中的任一個與第一電極連接；第二接觸電極，設置在第二電極上，第二接觸電極連接對應的發光元件的第一端部和第二端部中的另一個與第二電極。
根據本發明的實施例，發光裝置可以進一步包括：第一絕緣層，設置在基板與第一和第二發光元件之間；第二絕緣層設置在第一發光元件和第二發光元件上方，第二絕緣層暴露第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部；第三絕緣層，設置在第一接觸電極上以覆蓋第一接觸電極；第四絕緣層，設置在第二接觸電極上以覆蓋第二接觸電極。
根據本發明的實施例，當在平面上觀察時，發光裝置還可以包括與第一校準線的一部分重疊的第一絕緣圖案以及與第二校準線的一部分重疊的第二絕緣圖案。第一絕緣圖案和第二絕緣圖案可以設置在與第一絕緣層相同的層中，並且屏蔽形成在第一電極和第二電極之間的一部分電場。
根據本發明的實施例，發光裝置可以進一步包括設置在第一絕緣圖案上的第一導電圖案和設置在第二絕緣圖案上的第二導電圖案。可以在與第一接觸電極相同的層中設置第一導電圖案和第二導電圖案。
根據本發明的實施例，第一校準線可以與第一電極設置在同一層中，並且與第一電極一體地設置。第二校準線可以設置在與第二電極相同的層中，並且與第二電極一體地設置。
根據本發明的實施例，第一電極可以包括從第一校準線沿第一方向突出的複數個分支電極，並且第二電極可以包括沿第二方向設置的複數個突出電極，以及設置在相鄰的突出電極之間的複數個空隙。可以將每個分支電極設置為與一個空隙對應。
根據本發明的實施例，第一電極和第二電極可以彼此電性分離，且第一電極和第二電極中的一個可以具有圍繞第一電極和第二電極中的另一個的外圍的形狀。
根據本發明的實施例，第一發光元件和第二發光元件中的每一個可以包括：摻雜有第一導電摻雜劑的第一導電半導體層；摻雜有第二導電摻雜劑的第二導電半導體層；設置在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的主動層。
根據本發明的實施例，第一發光元件和第二發光元件中的每一個可以包括具有微米級尺寸或奈米級尺寸的圓柱狀發光二極體或多邊形柱狀發光二極體。
根據本發明的另一個態樣，提供一種具有發光裝置的顯示裝置，該顯示裝置包括：基板，其包括顯示區域和非顯示區域；像素電路層，其設置在顯示區域中，像素電路層包括至少一個電晶體；顯示元件層，其設置在像素電路層上，並包括複數個從其發射光的單位發光區。
根據本發明的實施例，顯示元件層可以包括：設置在像素電路層上的至少一個第一發光元件，至少一個第一發光元件在第一方向上具有第一端部和第二端部；至少一個第二發光元件，其在與第一方向交叉的第二方向上具有第一端部和第二端部；第一電極，其連接到第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部中的任一個；第二電極，連接到第一發光元件和第二發光元件中的每一個的第一端部和第二端部中的另一個，其中，第一電極和第二電極設置在像素電路層上；在像素電路層上沿著第二方向延伸的第一校準線，第一校準線連接到第一電極；與第一校準線隔開一定距離的第二校準線，第二校準線連接到第二電極；第一接觸電極，設置在第一電極上，該第一接觸電極將對應的發光元件的第一端部和第二端部中的任一個與第一電極連接；第二接觸電極，其設置在第二電極上，第二接觸電極連接對應的發光元件的第一端部和第二端部中的另一個與第二電極。
根據本發明，可以提供一種能夠提高光效率的發光裝置以及具有該發光裝置的顯示裝置。
本發明可以應用各種改變和不同的形狀，因此僅以特定的例子進行詳細說明。但是，這些示例並不限於某些形狀，而是適用於所有變化以及等同的材料和替換。且為了較佳的理解，以一種擴展各圖式的方式來示出所附圖式。
貫穿全文，同樣的元件符號指同樣的元件。在所附圖式中，為了清楚起見，某些線、層、部件、元件或特徵的厚度可能被誇大。將理解的是，儘管在本文中可以使用術語｢第一｣、｢第二｣等來描述各種元件，但是這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件和另一個元件。因此，在不脫離本發明的教示的情況下，下面討論的｢第一｣元件也可以被稱為｢第二｣元件。如本文所使用的，單數形式也意圖包括複數形式，除非上下文另外明確指示。
將進一步理解的是，當在本說明書中使用時，術語｢包括｣和/或｢包含｣指明了存在特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除一個或複數個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在和/或添加。此外，將諸如層、區域、基板或板之類的元件放置在另一元件｢上｣或｢上方｣的表述不僅表示該元件｢直接位於另一元件上｣或｢在另一元件上方｣的情況，也表述了在該元件和另一元件之間插入再一元件的情況。相對地，將諸如層、區域、基板或板之類的元件放置在另一元件｢下｣或｢下方｣的表述不僅表示該元件｢直接位於另一元件下｣或｢下方｣的情況，以表述了在該元件與另一個元件之間插入再一個元件的情況。
在下文中，將參照所附圖式詳細描述本發明的示例性實施例。
第1圖係繪示根據本發明實施例的發光二極體的透視圖。在第1圖中，示出了圓柱狀的條狀的發光二極體LD，但本發明不限於此。
參照第1圖，根據本發明實施例的發光二極體LD可以包括第一導電半導體層11、第二導電半導體層13以及設置於第一導電半導體層11和第二導電半導體層13之間的主動層12。
在示例中，發光二極體LD可以於其中順序地堆疊第一導電半導體層11、主動層12和第二導電半導體層13的堆疊結構來實現。為了便於描述，將發光二極體LD稱為｢LED LD｣。
根據本發明的實施例，LED LD可以沿著一個方向延伸的條形來設置。假定LED LD的延伸方向為長度方向時，LED LD可具有沿長度方向的一個端部和另一端部。
在本發明的實施例中，第一半導體層11和第二導電半導體層13中的一個可以設置在一端部，且第一半導體層11和第二導電半導體層13中的另一個可以設置在另一端部。
在本發明的實施例中，LED LD可以設置成圓柱狀，例如條形。然而，術語｢條型｣可以包括在其長度方向上較長(即，其長寬比大於1)的棒狀或條狀，例如圓柱或多邊形柱。例如，LED LD的長度可以大於其直徑。
所製造的LED LD可以小到足以具有例如微米或奈米級的直徑和/或長度。
然而，根據本發明的實施例的LED LD的尺寸不限於此，並且可以改變LED LD的尺寸以對應應用了LED LD的顯示裝置的需要條件。
第一導電半導體層11可以包括例如至少一個n型半導體層。例如，第一導電半導體層11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一種半導體材料，並且可以包括摻雜有諸如Si、Ge或Sn的第一導電摻雜劑的半導體層。
構成第一導電半導體層11的材料不限於此，且第一導電半導體層11可以包括各種材料。
主動層12形成在第一導電半導體層11上，並且可以單一量子井結構或多量子井結構形成。根據本發明的實施例，可以在主動層12的頂部和/或底部上形成摻雜有導電摻雜劑的覆蓋層(未示出)。在示例中，覆蓋層可以AlGaN層或InAlGaN層來實現。另外，顯而易見的是，諸如AlGaN或AlInGaN的材料也可以用於主動層12。
當具有預定電壓或更大的電壓施加到LED LD的兩端時，LED LD在電子電洞對於主動層12中結合時發光。
第二導電半導體層13形成在主動層12上，並且可以包括具有與第一導電半導體層11的類型不同的半導體層。在示例中，第二導電半導體層13可以包括至少一個p型半導體層。例如，第二導電半導體層13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一種半導體材料，並且包括摻雜有諸如Mg的第二導電摻雜劑的半導體層。
構成第二導電半導體層13的材料不限於此，第二導電半導體層13可以包括各種材料。
根據本發明的實施例，除了第一導電半導體層11、主動層12和第二導電半導體層13，LED LD可以進一步包括另一螢光粉層、另一主動層、另一半導體層和/或在每層的頂部和/或底部上的另一電極層。
此外，LED LD可以進一步包括絕緣膜14。然而，根據本發明的實施例，可以省略絕緣膜14，且絕緣膜14可以僅覆蓋部分的第一導電半導體層11、主動層12和第二導電半導體層13。
例如，絕緣膜14可以設置在除了LED LD的兩個端部外的部分，以暴露LED LD的兩個端部。
為了便於描述，第1圖繪示了移除一部分絕緣膜14的狀態。在實際的LED LD中，圓柱體的整個側面可以被絕緣膜14圍繞。
可以設置絕緣膜14以包圍第一導電半導體層11、主動層12和/或第二導電半導體層13的外周表面的至少一部分。在一示例中，可以設置絕緣膜14以至少圍繞主動層12的外周表面。
根據本發明的實施例，絕緣膜14可以包括透明絕緣材料。例如，絕緣膜14可以包括選自由SiO2 ，Si3 N4 ，Al2 O3 和TiO2 組成的群組的至少一種絕緣材料。但是，本發明不限於此，可以使用具有絕緣性的各種材料。
當在LED LD中設置絕緣膜14時，可以防止主動層12與第一電極(未示出)和/或第二電極(未示出)短路。
此外，當形成有絕緣膜14時，LED LD中出現的表面缺陷被最小化，從而可以提高LED LD的壽命和效率。此外，當密集地設置複數個LED LD時，絕緣膜14可以防止在LED LD之間可能發生的有害短路。
上述的LED LD可以用作各種顯示裝置的發光源。在示例中，LED LD可以用作照明裝置或自發光顯示裝置的光源裝置。
第2A圖和第2B圖係繪示根據本發明實施例之發光裝置的單位發光區的電路圖。
尤其，第2A圖和第2B圖繪示了構成主動發光顯示面板的子像素的示例。在本發明的一個實施例中，單位發光區可以是一個子像素的像素區域。
參照第2A圖，子像素SP可以包括至少一個LED LD以及連接到LED LD以驅動LED LD的驅動電路144。
LED LD的第一電極(例如，陽極)透過驅動電路144連接到第一驅動電源VDD，且LED LD的第二電極(例如，陰極)連接到第二驅動電源VSS。
第一驅動電源VDD和第二驅動電源VSS可以具有不同的電位。在示例中，第二驅動電源VSS的電位可以比第一驅動電源VDD的電位低了一LED LD閾值電壓。
LED LD可以由驅動電路144控制的驅動電流對應的亮度來發光。
與此同時，儘管第2A圖所揭示的實施例中的子像素SP中僅包括一個LED LD，本發明不限於此。例如，子像素SP可以包括彼此並聯連接的複數個LED LD。
根據本發明的實施例，驅動電路144可以包括第一電晶體Ml、第二電晶體M2以及存儲電容器Cst。然而，驅動電路144的結構不限於第2A圖所示的實施例。
第一電晶體(開關電晶體)Ml的第一電極連接至數據線Dj，且第一電晶體Ml的第二電極連接至第一節點Nl。第一電晶體M1的第一電極和第二電極是不同的電極。例如，當第一電極是源電極時，第二電極可以是汲電極。另外，第一電晶體M1的閘電極連接至掃描線Si。
當從掃描線Si提供可以使第一電晶體M1導通的電壓(例如，低電壓)時，第一電晶體M1導通，以電性連接數據線Dj和第一節點N1。與畫面對應的數據訊號提供至數據線Dj。因此，數據訊號被傳送到第一節點N1。傳送到第一節點N1的數據訊號在存儲電容器Cst中充電。
第二電晶體(驅動電晶體)M2的第一電極連接至第一驅動電源VDD，且第二電晶體M2的第二電極連接至LED LD的第一電極。另外，第二電晶體M2的閘電極連接至第一節點N1。第二電晶體M2控制提供給LED LD的驅動電流量，其與第一節點N1的電壓相對應。
存儲電容器Cst的一個電極連接到第一驅動電源VDD，且存儲電容器Cst的另一個電極連接到第一節點Nl。存儲電容器Cst充入與提供給第一節點N1的數據訊號相對應的電壓，並且保持該充電電壓直到提供下一個畫面的數據訊號。
為了方便起見，第2A圖繪示了具有相對簡單結構的驅動電路144，其包括用於將數據訊號傳輸到子像素SP內的第一電晶體M1、用於存儲數據訊號的存儲電容器Cst以及用於提供與流向LED LD的數據訊號相對應的驅動電流的第二電晶體M2。
然而，本發明不限於此，並且可以對驅動電路144的結構進行各種修改和實現。在一個示例中，顯而易見的是，驅動電路144可以進一步包括至少一個電晶體元件或其他電路元件，所述至少一個電晶體元件係指諸如用於補償第二電晶體M2的閾值電壓的電晶體元件、用於初始化第一節點N1的電晶體元件、和/或用於控制LED LD的發光時間的電晶體，所述其他電路元件係指諸如用於升高第一節點N1的電壓的升壓電容器。
儘管第2A圖所繪示的包括在驅動電路144中的第一電晶體M1和第二電晶體M2這兩個電晶體均是以P型電晶體來實現，但是本發明不限於此。即，第一電晶體M1和第二電晶體M2中的至少一個可以用N型電晶體來實現。
參照第2B圖，根據本發明的實施例，第一電晶體M1和第二電晶體M2可以用N型電晶體來實現。第2B圖中所示的驅動電路144的配置和操作與在第2A圖中所示的驅動電路144的配置和操作相同，除了一些組件的連接位置因為電晶體的類型不同而改變之外。因此，將省略對此的詳細描述。
第3圖係繪示包含有第1圖的條型LED的發光裝置的單位發光區的平面圖。第4圖係繪示沿第3圖的線I-I’截取的截面圖。
在圖中，如第3圖所示，單位發光區可以是發光顯示面板中包括的一個子像素的像素區域。
參照第1圖至第4圖，根據本發明實施例的發光裝置可以包括基板SUB、阻擋層BRL、複數個LED LD、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2、以及第一接觸電極CNE1和第二接觸電極CNE2。
基板SUB可以包括諸如玻璃、有機聚合物或石英的絕緣材料。而且，基板SUB可以由具有可撓性而可彎曲或可折疊的材料製成，並且可以具有單層或多層結構。
阻擋層BRL可以防止雜質擴散到LED LD中。
每個LED LD可以包括第一導電半導體層11、第二導電半導體層13以及設置於第一導電半導體層11和第二導電半導體層13之間的主動層12。在一些實施例中，每個LED LD可以進一步包括設置在第二導電半導體層13的頂部上的電極層(未示出)。
每個LED LD可以包括第一端部EP1和第二端部EP2。
第一導電半導體層11和第二導電半導體層13中的一個可以設置在第一端部EP1處，且第一導電半導體層11和第二導電半導體層13中的另一個可以設置在第二端部EP2處。在本發明的實施例中，每個LED LD可以發射彩色光和/或白色光中的任何一種光。
第一絕緣層INS1可以設置在每個LED LD的底部上。
第一絕緣層INS1可以填充每個LED LD和基板SUB之間的空間，穩定地支撐每個LED LD，並且防止每一個LED LD分離。
覆蓋每個LED LD的部分上表面的第二絕緣層INS2可以設置在LED LD上方。因此，每個LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2都可以暴露於外。
LED LD可以包括第一LED LD1和第二LED LD2。
第一LED LD1可以在第一方向DR1上包括第一端部EP1和第二端部EP2。當在平面圖上觀看時，第一方向DR1可以表示水平方向。
第二LED LD2可以包括在與第一方向DR1相交的第二方向DR2上的第一端部EP1和第二端部EP2。當在平面上觀察時，第二方向DR2可以表示垂直方向。
在本發明的實施例中，可以在水平方向上排列(align)第一LED LD1，並在垂直方向上排列第二LED LD2。
發光裝置的每個單位發光區可以包括於其中設置有第一LED LD1的第一子發光區SEMA1以及於其中設置有第二LED LD2的第二子發光區SEMA2。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在一個子像素SP中限定單位發光區。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以設置在基板SUB上，而以一定的距離彼此隔開。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以等於或大於一個LED LD的長度的距離彼此間隔開地設置在基板SUB上。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以包括絕緣材料，該絕緣材料包括無機材料或有機材料，但是本發明不限於此。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有梯形形狀，當在截面上觀察時，其側面以預定角度傾斜。然而，本發明不限於此，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有各種形狀，例如半橢圓形、圓形和四邊形。
第一分隔壁PW1可以包括設置在第一子發光區SEMA1中的第(1-1)分隔壁PW1_1和設置在第二子發光區SEMA2中的第(1-2)分隔壁PW1_2。
第二分隔壁PW2可包括設置在第一子發光區SEMA1中的第(2-1)分隔壁PW2_1以及設置在第二子發光區SEMA2中的第(2-2)分隔壁PW2_2。
第(1-1)分隔壁PW1_1和第(1-2)分隔壁PW1_2可以一體設置，且第(2-1)分隔壁PW2_1和第(2-2)分隔壁PW2_2可以一體設置。
第(1-1)分隔壁PW1_1和第(2-1)分隔壁PW2_1可以設置在第一子發光區SEMA1的基板SUB上，以一定距離彼此隔開。當在平面上觀察時，第(1-1)分隔壁PW1_1和第(2-1)分隔壁PW2_1可以沿著第二方向DR2延伸。
第(1-2)分隔壁PW1_2和第(2-2)分隔壁PW2_2可以設置在第二子發光區SEMA2的基板SUB上，以一定距離彼此隔開。當在平面上觀察時，第(1-2)分隔壁PW1_2和第(2-2)分隔壁PW2_2可以沿著第一方向DR1延伸。
可以將第(1-1)分隔壁PW1_1、第(1-2)分隔壁PW1_2、第(2-1)分隔壁PW2_1和第(2-2)分隔壁PW2_2設置在基板SUB上的同一平面上，並且具有相同的高度。
第一電極REL1可以設置在第一分隔壁PW1上，第二電極REL2可以設置在第二分隔壁PW2上。
第一電極REL1可以與對應的LED LD的第一和第二端部EP1和EP2中的一個相鄰設置，第二電極REL2可以與對應的LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2中的另一個相鄰設置。
第一電極REL1可以透過第一接觸電極CNE1電性連接到對應的LED LD，第二電極REL2可以透過第二接觸電極CNE2電性連接到對應的LED LD。
第一電極REL1可以包括設置在第(1-1)分隔壁PW1_1上的第(1-1)電極REL1_1以及設置在第(1-2)分隔壁PW1_2上的第(1-2)電極REL1_2。
第(1-1)電極REL1_1可以設置在第一子發光區SEMA1中，並且，當在平面上觀察時，與第(1-1)分隔壁PW1_1重疊。第(1-1)電極REL1_1可以在第一子發光區SEMA1中沿第二方向DR2延伸。
第(1-1)電極REL1_1可以從第一連接線CNL1沿第二方向DR2分支，以在第一子發光區SEMA1設置有多個，其中該第一連接線CNL1沿著第一方向DR1延伸。
第一連接線CNL1可以連接至第一校準線ARL1。第一連接線CNL1可以與第一校準線ARL1一體地設置，但是本發明不限於此。
第(1-2)電極REL1_2可以設置在第二子發光區SEMA2中，並且在平面上觀察時與第(1-2)分隔壁PW1_2重疊。第(1-2)電極REL1_2可以在第二子發光區SEMA2中延伸於第一方向DR1上。
第(1-2)電極REL1_2可以從第一校準線ARL1沿第一方向DR1分支，以在第二子發光區SEMA2中設置多個，其中第一校準線ARL1沿第二方向DR2延伸。
由諸如IZO的透明導電材料製成的第(1-1)覆蓋層CPL1_1可以設置在第(1-1)電極REL1_1上。第(1-1)覆蓋層CPL1_1可以避免第(1-1)電極REL1_1因為在發光裝置的製造過程中發生的失誤而損壞，並且進一步增強第(1-1)電極REL1_1和基板SUB之間的黏著性。
包含有與第(1-1)覆蓋層CPL1_1相同的材料的第(1-2)覆蓋層(未示出)也可以設置在第(1-2)電極REL1_2上。
第二電極REL2可以包括設置在第(2-1)分隔壁PW2_1上的第(2-1)電極REL2_1和設置在第(2-2)分隔壁PW2_2上的第(2-2)電極REL2_2。
第(2-1)電極REL2_1可以設置在第一子發光區SEMA1中，並且在平面上觀察時與第(2-1)分隔壁PW2_1重疊。第(2-1)電極REL2_1可以在第一子發光區SEMA1中沿第二方向DR2延伸。
第(2-1)電極REL2_1可以從第二連接線CNL2沿第二方向DR2分支，以在第一子發光區SEMA1中設置多個，其中第二連接線CNL2沿著第一方向DR1延伸。
第二連接線CNL2可以連接至第二校準線ARL2。第二連接線CNL2可以與第二校準線ARL2一體地設置，但是本發明不限於此。
第(2-2)電極REL2_2可以設置在第二子發光區SEMA2中，並且在平面上觀察時與第(2-2)分隔壁PW2_2重疊。第(2-2)電極REL2_2可以在第二子發光區SEMA2中延伸於第一方向DR1上。
第(2-2)電極REL2_2可以從第二校準線ARL2沿著第一方向DR1分支，以在第二子發光區SEMA2中設置多個，其中第二校準線ARL2沿著第二方向DR2延伸。
由諸如IZO的透明導電材料製成的第(2-1)覆蓋層CPL2_1可以設置在第(2-1)電極REL2_1上。也可以在第(2-2)電極REL2_2上設置包含有與第(2-1)覆蓋層CPL2_1相同的材料的第(2-2)覆蓋層(未示出)。
當在平面上觀察時，可以在第一子發光區SEMA1中沿著第一方向DR1交替地設置第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1。
另外，當在平面上觀察時，可以在第二子發光區SEMA2中沿著第二方向DR2交替地設置第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2。
在第一子發光區SEMA1中的第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間的距離d1以及在第二子發光區SEMA2中的第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的距離d2可以設計為相同。
這是出於在第一子發光區SEMA1中排列(align)的第一LED LD1以及在第二子發光區SEMA2中排列(align)的第二LED LD2具有相同的排列面積(alignment area)的目的。
當第一子發光區SEMA1和第二子發光區SEMA2中的排列面積(alignment area)相同時，可以防止第一LED LD1和第二LED LD2偏向部分區域。
可以設置第一電極REL1和第二電極REL2以對應第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形狀。因此，第一電極REL1可以具有與第一分隔壁PW1的斜率(gradient)相對應的斜率(slope)，第二電極REL2可以具有與第二分隔壁PW2的斜率(gradient)相對應的斜率(slope)。
在本發明的實施例中，第一電極REL1和第二電極REL2可以由具有恆定反射率的導電材料製成。第一電極REL1和第二電極REL2可以允許從對應的LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2發射的光沿顯示影像的方向(例如，向前的方向)行進。
第一電極REL1和第二電極REL2中的任何一個可以是陽極，並且第一電極REL1和第二電極REL2中的另一個可以是陰極。在本發明的實施例中，第一電極REL1可以是陽極，第二電極REL2可以是陰極。
第一電極REL1和第二電極REL2可以設置在同一平面上，並且具有相同的高度。
儘管為了便於描述而示出了將第一電極REL1和第二電極REL2直接設置在基板SUB上的情況，但是本發明不限於此。例如，可以在第一電極REL1和第二電極REL2與基板SUB之間進一步設置用於以被動矩陣方式或主動矩陣方式驅動發光裝置的部件。
第一校準線ARL1可以在單位發光區中沿著第二方向DR2延伸，並且電性連接到第一電極REL1。當在平面上觀看時，第一校準線ARL1可以與第一分隔壁PW1重疊。
第二校準線ARL2可以在單位發光區中與第一校準線ARL1隔開一定距離，並且電性連接到第二電極REL2。當在平面上觀看時，第二校準線ARL2可以與第二分隔壁PW2重疊。
在本發明的實施例中，第一校準線ARL1和第二校準線ARL2可以與第一電極REL1和第二電極REL2設置在同一層中，但是本發明不限於此。例如，第一校準線ARL1和第二校準線ARL2中的每一個可以設置在與第一電極REL1和第二電極REL2不同的層中，以透過接觸孔或其他類似結構電性連接到對應的電極。
可以將第一校準電壓施加到第一校準線ARL1，並且可以將具有與第一校準電壓不同的電壓位準的第二校準電壓施加到第二校準線ARL2。
第一校準線ARL1可以將第一校準電壓傳送到第一電極REL1，使得LED LD在一個子像素SP中校準(align)。第二校準線ARL2可以將第二校準電壓傳送到第二電極REL2，使得LED LD在一個子像素SP中校準。
在本發明的實施例中，可以將接地電壓(GND)作為第一校準電壓施加到第一校準線ARL1，並且可以將AC電壓作為第二校準電壓施加到第二校準線ARL2。
當具有不同電壓位準的預定電壓分別施加到第一校準線ARL1和第二校準線ARL2時，可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成電場。
第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2以及第一連接線CNL1和第二連接線CNL2可以由導電材料製成。導電材料可以包括金屬、導電氧化物、導電聚合物以及其他類似的物質，其中所述金屬係例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金屬或其任何合金，所述導電氧化物係例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或銦錫氧化鋅(ITZO)，所述導電聚合物係例如PEDOT。
另外，第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2以及第一連接線CNL1和第二連接線CNL2可以形成為單層。然而，本發明不限於此，並且第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2以及第一連接線CNL1和第二連接線CNL2可以形成為多層，並於該多層中堆疊了金屬、合金、導電氧化物和導電聚合物中的兩種或更多種的材料。
在第一子發光區SEMA1中，第一LED LD1可以設置在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間。
第一LED LD1的第一端部EPl和第二端部EP2中的任何一個可以連接到第(1-1)電極REL1_1，並且第一LED LD1的第一端部EPl和第二端部EP2中的另一個LED LD1可以連接到第(2-1)電極REL2_1。
例如，第一LED LD1的第一端部EP1可以連接到第(1-1)電極REL1_1，並且第一LED LD1的第二端部EP2可以連接到第(2-1)電極REL2_1。而且，第一LED LD1的第一端部EP1可以連接到第(2-1)電極REL2_1，並且第一LED LD1的第二端部EP2可以連接到第(1-1)電極REL1_1。
在下文中，為了方便起見，將具有連接到第(1-1)電極REL1_1的第一端部EP1的第一LED LD1描述為第(1-1)LED LD1_1。另外，將具有連接到第(2-1)電極REL2_1的第一端部EP1的第一LED LD1描述為第(2-1)LED LD2_1。
在第二子發光區SEMA2中，第二LED LD2可以設置在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間。
第二LED LD2的第一端部EP1和第二端部EP2中的任何一個可以連接至第(1-2)電極REL1_2，第二LED LD2的第一端部EP1和第二端部EP2中的另一個可以連接到第(2-2)電極REL2_2。
例如，第二LED LD2的第一端部EP1可以連接至第(1-2)電極REL1_2，第二LED LD2的第二端部EP2可以連接至(2-2)電極REL2_2。另外，第二LED LD2的第一端部EP1可以連接至第(2-2)電極REL2_2，第二LED LD2的第二端部EP2可以連接至第(1-2)電極REL1_2。
在下文中，為了方便起見，將具有連接到第(1-2)電極REL1_2的第一端部EP1的第二LED LD2描述為第(1-2)LED LD1_2。另外，將具有連接到第(2-2)電極REL2_2的第一端部EP1的第二LED LD2描述為第(2-2)LED LD2_2。
第一接觸電極CNE1可以設置在第一電極REL1上。
當在平面上觀看時，第一接觸電極CNE1可以覆蓋第一電極REL1並且與第一電極REL1重疊。而且，第一接觸電極CNE1可以與每個LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2中的一個部分重疊。
第一接觸電極CNE1可以包括設置在第(1-1)電極REL1_1上的第(1-1)接觸電極CNE1_1和設置在第(1-2)電極REL1_2上的第(1-2)接觸電極CNE1_2。
可以在第一子發光區SEMA1中設置第(1-1)接觸電極CNE1_1，並且可以在第二子發光區SEMA2中設置第(1-2)接觸電極CNE1_2。
當在平面上觀察時，第(1-1)接觸電極CNE1_1可以與第(1-1)電極REL1_1和第(1-1)LED LD1_1的第一端部EP1重疊。另外，第(1-1)接觸電極CNE1_1也可以與第(1-2)LED LD1_2的第二端部EP2重疊。
當在平面上觀看時，第(1-2)接觸電極CNE1_2可以與每一個第(2-2)LED LD2_2的第二端部EP2以及第(1-2)電極REL1_2重疊。此外，當在平面上觀看時，第(1-2)接觸電極CNE1_2可以與每一個第(2-1)LED LD2_1的第一端部EP1重疊。
覆蓋第一接觸電極CNE1的第三絕緣層INS3可以設置在第一接觸電極CNE1之上。第三絕緣層INS3使得第一接觸電極CNE1不會暴露於外部，從而可以防止第一接觸電極CNE1的腐蝕。
第三絕緣層INS3可以是包括無機材料的無機絕緣層或包括有機材料的有機絕緣層。如圖所示，第三絕緣層INS3可以設置在單層中。然而，本發明不限於此，第三絕緣層INS3可以設置為多層。
第二接觸電極CNE2可以設置在第二電極REL2上。
當在平面上觀察時，第二接觸電極CNE2可以覆蓋第二電極REL2並與第二電極REL2重疊。而且，第二接觸電極CNE2可以與每個LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2中的一個部分地重疊。
在本發明的實施例中，第二接觸電極CNE2可以包括設置在第(2-1)電極REL2_1上的第(2-1)接觸電極CNE2_1以及設置在第(2-2)電極REL2_2上的第(2-2)接觸電極CNE2_2。
可以在第一子發光區SEMA1中設置第(2-1)接觸電極CNE2_1，並且可以在第二子發光區SEMA2中設置第(2-2)接觸電極CNE2_2。
當在平面上觀察時，第(2-1)接觸電極CNE2_1可以與每一個第(1-1)LED LD1_1的第二端部EP2和第(2-1)電極REL2_1重疊。另外，第(2-1)接觸電極CNE2_1可以與每一個第(1-2)LED LD1_2的第一端部EP1重疊。
當在平面上觀看時，第(2-2)接觸電極CNE2_2可以與每一個第(2-2)LED LD2_2的第一端部EP1和第(1-2)電極REL1_2重疊。而且，第(2-2)接觸電極CNE2_2可以與每一個第(2-1)LED LD2_1的第二端部EP2重疊。
第二接觸電極CNE2可以由與第一接觸電極CNE1相同的材料製成，但是本發明不限於此。
覆蓋第二接觸電極CNE2的第四絕緣層INS4可以設置在第二接觸電極CNE2之上。
第四絕緣層INS4使得第二接觸電極CNE2不會暴露於外部，從而可以防止第二接觸電極CNE2的腐蝕。可以無機絕緣層和有機絕緣層中的任何一種來設置第四絕緣層INS4。
可以在第四絕緣層INS4上設置保護膜層OC。
保護膜層OC可以是用於減小由設置於其下方的第一分隔壁PWl和第二分隔壁PW2、第一電極REL1和第二電極REL2、第一接觸電極CNE1和第二接觸電極CNE2以及其他類似的結構所產生的高度差(step difference)。另外，保護膜層OC可以是用於防止氧氣、濕氣等滲透到LED LD中的封裝層。
如上所述，第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1在第一子發光區SEMA1中沿著第二方向DR2延伸，因此，第一LED LD1可以在第一方向DR1上排列。
當具有預定電壓或具有更高電壓的電場透過第(1-1)電極REL1_1以及第(2-1)電極REL2_1施加到每一個第一LED LDl的第一端部EP1和第二端部EP2，且當電子電洞對在主動層12中結合時，第一LED LD1發光。
從每個第一LED LD1發出的光可以在每個第一LED LD1的長度方向行進，意即，在第一方向DR1上行進。沿第一方向DR1行進的光可以被第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1反射，以行進在向前的方向上。
由於在第二子發光區SEMA2中的第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2沿著第一方向DR1延伸，每個第二LED LD2可以在第二方向DR2上排列。
當具有預定電壓或具有更高電壓的電場透過第(1-2)電極REL1_2電極和第(2-2)電極REL2_2被施加到每個第二LED LD2的第一端部EP1和第二端部EP2至中，且當電子電洞對在主動層12中結合時，第二LED LD2發光。
從第二LED LD2發出的光可以沿第二LED LD2的長度方向行進，意即，在第二方向DR2上行進。沿第二方向DR2行進的光可以被第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2反射，以行進在向前的方向上。
在本發明的實施例中，第一LED LD1和第二LED LD2在一個子像素SP中係沿著不同的方向排列，因此，從第一LED LD1和第二LED LD2分別發射的光並不集中在一個特定的方向上。因此，發光裝置可以在整個區域上具有均勻的光輸出分佈。
在現有的發光裝置中，當在一個子像素SP中將第一LED LD1和第二LED LD2沿相同方向(例如水平方向)排列時，從每一個第一LED LD1和第二LED LD2發出的光會沿著水平方向行進。光會沿著第一LED LD1和第二LED LD2的排列方向會聚。
當光在一個子像素SP中沿著特定方向集中時，現有發光裝置的不同區域會有不同的的光輸出效率。在採用現有發光裝置作為光源的顯示裝置中，因區域而異的光輸出效率會造成失敗的影像品質。
因此，在根據本發明實施例的發光裝置中，由於第一LED LD1和第二LED LD2排列在不同的方向上，一個子像素SP中的每一個第一LED LD1和第二LED LD2所發出的光並不集中在特定的方向上。
第5圖係繪示第3圖的發光裝置的單位發光區的另一實施例的平面圖。在本實施例中，將主要描述與上述實施例的不同部分以避免重複。在此實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指相同的元件，而相似的元件符號指相似的元件。
第5圖的發光裝置可以具有與第3圖的發光裝置基本上相同或相似的配置，除了第一連接線的一個端部係形成為圓形且調整了第一連接線與設置在第二子發光區的最上側的電極之間的距離之外。
參照第5圖，根據本發明另一實施例的發光裝置可以包括：基板SUB、阻擋層BRL、複數個LED LD、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2以及第一接觸電極CNE1和第二接觸電極CNE2，其中基板SUB包括複數個單位發光區。
第一電極REL1可以包括沿著第二方向DR2延伸的第(1-1)電極REL1_1和沿著與第二方向DR2相交的第一方向DR1延伸的第(1-2)電極REL1_2。
第二電極REL2可以包括沿第二方向DR2延伸的第(2-1)電極REL2_1和沿第一方向DR1延伸的第(2-2)電極REL2_2。
LED LD可以包括排列在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間的第一LED LD1以及排列在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的第二LED LD2。
在本發明的實施例中，第一LED LD1可以沿著第一方向DR1排列，並且包括在第一方向DR1上的第一端部EP1和第二端部EP2。另外，第二LED LD2可以沿著第二方向DR2排列，並且包括在第二方向DR2上的第一端部EP1和第二端部EP2。
每個單位發光區可以包括其中設置有第一LED LD1的第一子發光區SEMA1和其中設置有第二LED LD2的第二子發光區SEMA2。
可以在第一子發光區SEMA1中設置第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1，並且在第二子發光區SEMA2中設置第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2。
沿第一方向DR1延伸的第一連接線CNL1可以設置在每個單位發光區中。
第一連接線CNL1可以包括連接至第一校準線ARL1的一端部以及與該端部相對的另一端部CON。第一連接線CNL1的該另一端部CON可以具有圓形形狀。
當第一LED LDl和第二LED LD2在對應的子發光區中排列時，電場可能會集中在第二校準線ARL2和第一連接線CNL1的該另一端部之間(以下稱為｢第一區域｣)。當電場集中在第一區域中時，LED LD會偏向排列在第一區域中。
為了防止LED LD偏向部分區域，在本發明的實施例中，第一連接線CNL1的另一端部CON可以設計成圓形，從而可以分散集中在第一區域的電場。
此外，在本發明的實施例中，可以將第二子發光區SEMA2的最上側處的一個電極與第一連接線CNL1之間的距離d3設計為大於第(1-2)電極REL1_2和第2-2電極REL2_2之間的距離d2。
這是為了防止電場集中在設置在第二子發光區SEMA2中的最上側處的一個電極與第一連接線CNL1之間。
另外，在本發明的實施例中，每一個第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2與第一校準線ARL1之間的距離d4可被設計為大於在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的距離d2。
第6圖係繪示第3圖的發光裝置的單位發光區的另一實施例的平面圖。第7圖係繪示沿第6圖的線II-II’截取的截面圖。在這個實施例中，將主要描述與上述實施例不同的部分以避免重複。在本實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指相同的元件，且相似的元件符號指相似的元件。
第6圖和第7圖所示的發光裝置可具有與第3圖的發光裝置基本上相同或相似的配置，除了第6圖和第7圖所示出的發光裝置包括了與第一校準線重疊的第一絕緣圖案以及與第二校準線重疊的第二絕緣圖案之外。
參照第6圖和第7圖，根據本發明另一實施例的發光裝置可以包括基板SUB、阻擋層BRL、複數個LED LD、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2、以及第一接觸電極CNE1和第二接觸電極CNE2，其中基板SUB包括複數個單位發光區。
第一電極REL1可以包括沿著第二方向DR2延伸的第(1-1)電極REL1_1以及沿著與第二方向DR2相交的第一方向DR1延伸的第(1-2)電極REL1_2。
第二電極REL2可以包括沿第二方向DR2延伸的第(2-1)電極REL2_1以及沿第一方向DR1延伸的第(2-2)電極REL2_2。
LED LD可以包括排列在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間的第一LED LD1以及排列在第(1-2)電極REL1_2和(2-2)電極REL2_2之間的第二LED LD2。
每個單位發光區可以包括於其中設置有第一LED LD1的第一子發光區SEMA1以及於其中設置有第二LED LD2的第二子發光區SEMA2。
發光裝置可以進一步包括設置在每個單位發光區中的第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2。
可以設置第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2以對應當LED LD在每個單位發光區中排列時電場集中的區域。
第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2可以部分地屏蔽在集中電場的區域中的電場。因此，可以防止LED LD偏向電場集中的區域。
電場集中的區域可以是例如在第一校準線ARL1與第(1-2)電極REL1_2之間，以及在第二校準線ARL2與第(2-2)電極REL2_2之間。
當在平面上觀看時，第一絕緣圖案INSP1可以被設置為與第一校準線ARL1和第(1-2)電極REL1_2重疊，且第二絕緣圖案INSP2可以被設置為與第二校準線ARL2和第(2-2)電極REL2_2重疊。
第一絕緣圖案INSP1可以沿著第一校準線ARL1的延伸方向延伸，第二絕緣圖案INSP2可以沿著第二校準線ARL2延伸的方向延伸。
第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2可以與設置在每個LED LD的底部上的第一絕緣層INS1設置在相同的層中，並且可以包括相同的材料。
可以將第一絕緣圖案INSP1、第二絕緣圖案INSP2以及第一絕緣層INS1配置為包含了無機材料的無機絕緣層以及包含了有機材料的有機絕緣層中的任何一個。
在本發明的實施例中，第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2可以設置為在第二方向DR2上延伸的條形，但是本發明不限於此。可以將第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2設置在電場集中的區域中，並且以各種得以屏蔽電場的形狀來設置。
第8圖係繪示第3圖的發光裝置的單位發光區的另一實施例的平面圖。第9圖係繪示沿第8圖的線III-III’截取的截面圖。在這個實施例中，將主要描述與上述實施例不同的部分，以避免重複。在本實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指相同的元件，且相似的元件符號指相似的元件。
第8圖和第9圖的發光裝置可具有與第6圖的發光裝置大致上相同或相似的配置，除了在第一絕緣圖案上設置第一導電圖案並在第二絕緣圖案上設置第二導電圖案之外。
參照第8圖和第9圖，根據本發明另一實施例的發光裝置可以包括基板SUB、阻擋層BRL、複數個LED LD、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2、以及第一接觸電極CNE1和第二接觸電極CNE2，其中基板SUB包括複數個單位發光區。
第一電極REL1可以包括沿著第二方向DR2延伸的第(1-1)電極REL1_1以及沿著與第二方向DR2相交的第一方向DR1延伸的第(1-2)電極REL1_2。
第二電極REL2可以包括沿著第二方向DR2延伸的第(2-1)電極REL2_1以及沿著第一方向DR1延伸的第(2-2)電極REL2_2。
LED LD可以包括排列在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間的第一LED LD1以及排列在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的第二LED LD2。
每個單位發光區可以包括於其中設置有第一LED LD1的第一子發光區SEMA1以及於其中設置有第二LED LD2的第二子發光區SEMA2。
發光裝置可以進一步包括設置在每個單位發光區中的第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2以及第一屏蔽導電圖案SCP1和第二屏蔽導電圖案SCP2。
可以設置第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2以對應當LED LD在每個單位發光區中排列時電場集中的區域。
第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2可以部分地屏蔽電場集中的區域中的電場。因此，可以防止LED LD偏向電場集中的區域。
第一屏蔽導電圖案SCP1和第二屏蔽導電圖案SCP2中的每一個可以設置在第一絕緣圖案INSP1和第二絕緣圖案INSP2中的任何一個上，以進一步屏蔽電場集中的區域中的電場。
例如，第一屏蔽導電圖案SCP1可以設置在第一絕緣圖案INSP1上，第二屏蔽導電圖案SCP2可以設置在第二絕緣圖案INSP2上。
當在平面上觀察時，第一屏蔽導電圖案SCP1可以沿著第一絕緣圖案INSP1的延伸方向延伸並且與第一絕緣圖案INSP1重疊。當在平面上觀察時，第二屏蔽導電圖案SCP2可以沿著第二絕緣圖案INSP2的延伸方向延伸並且與第二絕緣圖案INSP2重疊。
在本發明的實施例中，第一屏蔽導電圖案SCP1和第二屏蔽導電圖案SCP2可設置在與第一接觸電極CNE1相同的層中，並且包括相同的材料。
第一屏蔽導電圖案SCP1和第二屏蔽導電圖案SCP2可以透明導電材料製成，以最小化從每一個第一LED LD1和第二LED LD發出的光的損失。
可以將第一屏蔽導電圖案SCP1和第二屏蔽導電圖案SCP2設置在電場集中的區域中，並且以各種得以屏蔽電場的形狀來設置。
第10圖繪示了根據本發明實施例的顯示裝置，尤其是以第1圖所示的條型LED作為發光源的顯示裝置的示意性平面圖。
參照第1圖至第10圖，根據本發明的顯示裝置可以包括基板SUB、設置在基板SUB上的像素PXL、設置在基板SUB上並驅動像素PXL的驅動單元、以及連接像素PXL和驅動單元的線單元(未示出)。
基板SUB可以包括顯示區域DA和非顯示區域NDA。
顯示區域DA可以是於其中設置有用於顯示影像的像素PXL的區域。非顯示區域NDA可以是於其中設置有用於驅動像素PXL的驅動單元以及連接像素PXL和驅動單元的一部分線單元(未示出)的區域。
非顯示區域NDA可以設置在顯示區域DA的至少一側。在本發明的實施例中，非顯示區域NDA可以圍繞顯示區域DA的周圍。
像素PXL可以設置在基板SUB上的顯示區域DA中。每個像素PXL是用於顯示影像的最小單位，並且可以複數個來設置。每個像素PXL可以包括發射白光和/或彩色光的發光元件。
驅動單元透過線單元向每個像素PXL提供訊號，因此，可以控制像素PXL的驅動。在第10圖中，為了便於描述，省略了線單元。
驅動單元可以包括：掃描驅動器SDV，用於透過掃描線向像素PXL提供掃描訊號；發射驅動器EDV，用於透過發射控制線向像素PXL提供發射控制訊號；數據驅動器DDV，用於透過數據線向像素PXL提供數據訊號；以及時序控制器(未示出)。時序控制器可以控制掃描驅動器SDV、發射驅動器EDV和數據驅動器DDV。
第11圖示意性地繪示了第10圖所示的像素中的一個像素所包括的第一子像素至第三子像素的平面圖。第12圖係繪示沿第11圖的線IV-IV’截取的截面圖。第13圖係繪示第11圖僅有第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極時的平面圖。
在第11圖中，為了便於描述，省略了與條型LED連接的電晶體以及與該電晶體連接的訊號線的圖示。在這個實施例中，將主要描述與上述實施例不同的部分以避免重複。在這個實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指相同的元件，且相似的元件符號指相似的元件。在第11圖中，單位發光區可以是一個子像素的像素區域。
參照第1圖至第13圖，根據本發明實施例的顯示裝置可以包括基板SUB，而且在基板SUB上設置有複數個像素PXL。
複數個像素PXL中的每一個可以包括設置在基板SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
第一子像素SP1、第二子像素SP2及第三子像素SP3中的每一個可以包括基板SUB、設置在基板SUB上的像素電路層PCL、以及設置在像素電路層PCL上的顯示元件層DPL。
像素電路層PCL可以包括設置在基板SUB上的緩衝層BFL、設置在緩衝層BFL上的第一電晶體Tl和第二電晶體T2、以及驅動電壓線DVL。而且，像素電路層PCL還可以包括設置在第一電晶體T1和第二電晶體T2以及驅動電壓線DVL上的保護層PSV。
顯示元件層DPL可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一電極REL1和第二電極REL2、第一校準線ARL1和第二校準線ARL2、LED LD以及第一接觸電極CNE1和第二接觸電極CNE2。
為了方便起見，首先描述像素電路層PCL，然後描述顯示元件層DPL。
緩衝層BFL可以設置在基板SUB上，並防止雜質擴散到第一電晶體Tl和第二電晶體T2中。
第一電晶體T1可以是與設置在顯示元件層DPL中的一些LED LD電性連接以驅動對應的LED LD的驅動電晶體，第二電晶體T2可以是切換第一電晶體T1的開關電晶體。
第一電晶體Tl和第二電晶體T2中的每一個可以包括半導體層SCL、閘電極GE、源電極SE和汲電極DE。
半導體層SCL可以設置在緩衝層BFL上。半導體層SCL可以包括與汲電極DE接觸的第一區域以及與源電極SE接觸的第二區域。在第一區域和第二區域之間的區域可以是通道區域(channel region)。在本發明的實施例中，第一區域可以是汲極區域，第二區域可以是源極區域。
半導體層SCL可以是由多晶矽、非晶矽、氧化物半導體以及其他類似材料所製成的半導體圖案。通道區域是未摻雜雜質的半導體圖案，並且可以是本質半導體(intrinsic semiconductor)。第一區域和第二區域是摻雜有雜質的半導體圖案。
閘電極GE可以設置在半導體層SCL上，並於其間插入閘極絕緣層GI。
汲極DE和源極SE可以分別透過穿過層間絕緣層ILD和閘極絕緣層GI的接觸孔與半導體層SCL的第一區域和第二區域接觸。
驅動電壓線DVL可以設置在層間絕緣層ILD上。可以將第二驅動電源VSS施加到驅動電壓線DVL。
保護層PSV可以包括用來暴露第一電晶體T1的汲極DE的接觸孔以及用來暴露驅動電壓線DVL的接觸孔。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以設置在保護層PSV上，以彼此隔開一定距離。第一電極REL1可以設置在第一分隔壁PW1上，且第二電極REL2可以設置在第二分隔壁PW2上。
第一電極REL1可以包括沿著第二方向DR2延伸的第(1-1)電極REL1_1以及沿著與第二方向DR2相交的第一方向DR1延伸的第(1-2)電極REL1_2。
第(1-1)電極REL1_1可以透過保護層PSV的接觸孔與第一電晶體T1的汲極DE電性連接，該接觸孔露出第一電晶體T1的汲極DE的一部分。因此，施加到第一電晶體T1的訊號可以被傳送到第(1-1)電極REL1_1。
第二電極REL2可以包括沿著第二方向DR2延伸的第(2-1)電極REL2_1以及沿著第一方向DR1延伸的第(2-2)電極REL2_2。
第(2-1)電極REL2_1可以透過保護層PSV的接觸孔電性連接到驅動電壓線DVL，該接觸孔暴露出一部分的驅動電壓線DVL。因此，驅動電壓線DVL的第二驅動電源VSS可以轉送到第(2-1)電極REL2_1。
可以在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1上分別設置第(1-1)覆蓋層CPL1_1和第(2-1)覆蓋層CPL2_1。
可以在第一電極REL1上設置用來電性穩定和/或物理性穩定地連接第一電極REL1和對應的LED LD的第一接觸電極CNE1。當在平面上觀看時，第一接觸電極CNE1可以與第一電極REL1重疊。
因為對應的LED LD係透過第一接觸電極CNE1電性連接到第一電極REL1，所以施加到第一電晶體T1的汲極DE的訊號最終可以被施加到對應的LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2中的任何一個。
可以在第一接觸電極CNE1上設置第三絕緣層INS3。
用來電性穩定和/或物理性穩定地連接第二電極REL2和對應的LED LD的第二接觸電極CNE2可以設置在第二電極REL2上。當在平面上觀看時，第二接觸電極CNE2可以與第二電極REL2重疊。
因為對應的LED LD係透過第二接觸電極CNE2電性連接到第二電極REL2，所以驅動電壓線DVL的第二驅動電源VSS最終可以被施加到對應的LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2中的任何一個。
當預定電壓或更高的電壓被施加到對應的LED LD的第一端部EP1和第二端部EP2時，對應的LED LD發光。
可以在第二接觸電極CNE2上設置第四絕緣層INS4，並且可以在第四絕緣層INS4上設置保護膜層OC。
第一校準線ARL1可以將第一校準電壓傳送到第一電極REL1，以在對應的子像素中排列LED LD。第二校準線ARL2可以將第二校準電壓傳送到第二電極REL2，以在對應的子像素中排列LED LD。
在本發明的實施例中，接地電壓(GND)可以作為施加到第一校準線ARL1的第一校準電壓，並且可以將AC電壓作為施加到第二校準線ARL2的第二校準電壓。
當具有不同電壓位準的預定電壓分別施加到第一校準線ARL1和第二校準線ARL2時，可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成電場。
每個LED LD可以包括第一導電半導體層11、第二導電半導體層13、以及置於第一半導體層11和第二導電半導體層13之間的主動層12。
LED LD可以包括排列在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間的第一LED LD1以及排列在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的第二LED LD2。
在本發明的實施例中，第一LED LD1可以沿著第一方向DR1排列，並在第一方向DR1上包含了第一端部EP1和第二端部EP2。另外，第二LED LD2可以沿著第二方向DR2排列，並在第二方向DR2上包含了第一端部EP1和第二端部EP2。
第一絕緣層INS1可以設置在每一個第一LED LD1和第二LED LD2的底部上。覆蓋每一個第一LED LD1和第二LED LD2的部分上表面的第二絕緣層INS2可以設置在第一LED LD1和第二LED LD2上。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的單位發光區可以包括於其中設置有第一LED LD1的第一子發光區SEMA1以及於其中設置有第二LED LD2的第二子發光區SEMA2。
在下文中，將參照第13圖描述第一電極RELl和第二電極REL2以及第一校準線ARL1和第二校準線ARL2的配置關係。
如第13圖所示，第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1可以設置在每一個第一子像素SP1至第三子像素SP3的第一子發光區SEMA1中，且第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2可以設置在每一個第一子像素SP1至第三子像素SP3的第二子發光區SEMA2中。
第(1-1)電極REL1_1可以從第一連接線CNL1沿著第二方向DR2分支，該第一連接線CNL1沿著第一方向DR1延伸，並且可以在第一子發光區SEMA1中設置多個第(1-1)電極REL1_1。
第一連接線CNL1可以連接至第一校準線ARL1，以將第一校準線ARL1的第一校準電壓傳輸至第(1-1)電極REL1_1。第一連接線CNL1可以與第一校準線ARL1一體地設置，並且設置在同一層中。
第(2-1)電極REL2_1可以從第二連接線CNL2在第二方向DR2上分支，該第二連接線CNL2在第一方向DR1上延伸，並且可以在第一子發光區SEMA1中設置多個第(2-1)電極REL2_1。
第二連接線CNL2可以連接至第二校準線ARL2，以將第二校準線ARL2的第二校準電壓傳輸至第(2-1)電極REL2_1。第二連接線CNL2可以與第二校準線ARL2一體地設置，並且設置在同一層中。
在第一子發光區SEMA1中，第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1可以沿著第一方向DR1交替地設置。
當LED LD在對應的子像素中排列時，可以透過第一校準線ARL1和第二校準線ARL2將預定電壓施加到第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1中的每一個。
因此，可以在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間形成電場，且LED LD中的第一LED LD1可以在第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間排列。
在第一子發光區SEMA1中，第一LED LD1的第一端部EPl和第二端部EP2中的任何一個連接至第(1-1)電極REL1_1，且第一LED LD1的第一端部EPl和第二端部EP2中的另一個連接到第(2-1)電極REL2_1。因此，第一LED LD1可以在第一方向DR1上排列。
第(1-2)電極REL1_2可以從第一校準線ARL1沿第一方向DR1分支，並且可以在第二子發光區SEMA2中設置多個第(1-2)電極REL1_2。
第(2-2)電極REL2_2可以從第二校準線ARL2沿第一方向DR1分支，並且可以在第二子發光區SEMA2中設置多個第(2-2)電極REL2_2。
在第二子發光區SEMA2中，可以沿著第二方向DR2交替地設置第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2。
當LED LD在對應的子像素中排列時，可以透過第一校準線ARL1和第二校準線ARL2將預定電壓施加到第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2中的每一個。
因此，可以在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL(2-2)之間形成電場，且LED LD中的第二LED LD2可以在第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL(2-2)之間排列。
在第二子發光區SEMA2中，第二LED LD2的第一端部EPl和第二端部EP2中的任何一個連接至第(1-2)電極REL1_2，且第二LED LD2的第一端部EPl和第二端部EP2中的另一個連接到第(2-2)電極REL2_2。因此，第二LED LD2可以在第二方向DR2上排列。
可以將在第一子發光區SEMA1中的第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1之間的距離d1以及在第二子發光區SEMA2中的第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的距離d2設計為相同。
如上所述，第一LED LD1和第二LED LD2在對應的子發光區中沿不同的方向排列，因此分別從第一LED LD1和第二LED LD2發出的光沒有集中在特定方向上。因此，顯示裝置可以在整個區域上具有均勻的光輸出分佈。
第14圖至第16圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置的一個像素中的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的另一實施例的平面圖。在這個實施例中，將主要描述與上述實施例不同的部分，以避免重複。在這個實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指同的元件，且相似的元件符號指相似的元件。
在第14圖至第16圖中，為了方便起見，僅示出了設置在第一和第二子發光區中的第一和第二電極、第一和第二連接線以及第一和第二校準線。
首先，參照第11圖、第12圖和第14圖，根據本發明實施例的顯示裝置可以包括於其上設置有複數個像素PXL的基板SUB。每個像素PXL可以包括第一子像素SP1至第三子像素SP3。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的單位發光區可以包括第一子發光區SEMA1和第二子發光區SEMA2。
在本發明的實施例中，可以在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的第一子發光區SEMA1中設置沿第二方向DR2延伸的第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1。
可以在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的第二子發光區SEMA2中設置沿著與第二方向DR2相交的第一方向DR1延伸的第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2。
在第一子像素SP1和第三子像素SP3中，可以在第一子發光區SEMA1中設置第一LED LD1，並且可以在第二子發光區SEMA2中設置第二LED LD2。
可以在第二子像素SP2的第一子發光區SEMA1中設置沿第一方向DR1延伸的第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2，並且可以在第二子像素SP2的第二子發光區SEMA2中設置在第二方向DR2上延伸的第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1。
在第二子像素SP2中，第二LED LD2可以設置在第一子發光區SEMA1中，且第一LED LD1可以設置在第二子發光區SEMA2中。
在第一子像素SP1和第三子像素SP3中的每一個的第一子發光區SEMA1中，第一LED LD1可以在第一方向DR1上排列。在第二子像素SP2的第二子發光區SEMA2中，第一LED LD1可以在第二方向DR2上排列。
在第一子像素SP1和第三子像素SP3中的每一個的第二子發光區SEMA2中，第二LED LD2可以在第二方向DR2上排列。在第二子像素SP2的第一子發光區SEMA1中，第二LED LD2可以在第一方向DR1上排列。
如上所述，設置在兩個相鄰子像素的第一子發光區SEMA1中的LED LD可以排列在不同方向上，且設置在兩個相鄰子像素的第二子發光區SEMA2中的LED LD可以排列在不同的方向上。
因此，分別從第一LED LD1和第二LED LD2發射的光不再進一步集中在特定方向上，而是可以在各個方向上行進。因此，顯示裝置可以在整個區域上具有均勻的光輸出分佈。
參照第11圖、第12圖和第15圖，根據本發明實施例的顯示裝置可以包括於其上設置有複數個像素PXL的基板SUB。每個像素PXL可以包括第一子像素SP1至第三子像素SP3。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的單位發光區可以包括第一子發光區SEMA1和第二子發光區SEMA2。
第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1可設置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的第一子發光區SEMA1中，並且第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2可設置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的第二子發光區SEMA2。
第(1-1)電極REL1_1可以從第一連接線CNL1沿第二方向DR2分支，以設置在第一子發光區SEMA1中。第一連接線CNL1可以與第(1-1)電極REL1_1一體地設置。
第(2-1)電極REL2_1可以從第二連接線CNL2沿第二方向DR2分支，以設置在第一子發光區SEMA1中。第二連接線CNL2可以與第(2-1)電極REL2_1一體地設置。
第(1-2)電極REL1_2可以沿著與第二方向DR2相交的第一方向DR1在第二子發光區SEMA2中延伸，第(2-2)電極REL2_2也可以沿著第一方向DR1在第二子發光區SEMA2中延伸。
在本發明的實施例中，可以在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的第一子發光區SEMA1中設置沿第一方向DR1排列的第一LED LD1。另外，可以在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個的第二子發光區SEMA2中設置沿第二方向DR2排列的第二LED LD2。
在第一子發光區SEMA1中，第一連接線CNL1可以透過第一接觸孔H1電性連接到第一校準線ARL1，且第二連接線CNL2可以透過第二接觸孔H2電性連接到第二校準線ARL2。
在第二子發光區SEMA2中，第(1-2)電極REL1_2可以透過第三接觸孔H3連接到第一校準線ARL1，且第(2-2)電極REL2_2可以透過第四接觸孔H4連接到第二校準線ARL2。
第一連接線CNL1以及第(1-1)電極REL1_1和第(1-2)電極REL1_2可以設置在與第一校準線ARL1不同的層中。在本發明的實施例中，第一校準線ARL1可以與像素電路層PCL所包括的任何一個元件設置在同一層中。例如，可以將第一校準線ARL1設置在與像素電路層PCL的驅動電壓線DVL相同的層中。
第二連接線CNL2以及第(2-1)電極REL2_1和第(2-2)電極REL2_2可以設置在與第二校準線ARL2不同的層中。在本發明的實施例中，第二校準線ARL2可以被設置在與第一校準線ARL1相同的層中。
參照第11圖、第12圖和第16圖，根據本發明實施例的顯示裝置可以包括於其上設置有複數個像素PXL的基板SUB。每個像素PXL可以包括第一子像素SP1至第三子像素SP3。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個可以包括單位發光區EMA。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一個可以包括彼此電性分離的第一電極REL1和第二電極REL2、連接到第一電極REL1的第一校準線ARL1以及連接到第二電極REL2的第二校準線ARL2。
第一電極REL1可以包括複數個分支電極BRE1至BRE5，分支電極BRE1至BRE5從第一校準線ARL1在第一方向DR1上分支，其中第一校準線ARL1在與第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。分支電極BRE1至BRE5中的每一個可以在第二方向DR2上和與其相鄰設置的分支電極間隔開一定的距離。
分支電極BRE1至BRE5可以沿著第一方向DR1延伸到第一校準線ARL1的兩側。分支電極BRE1至BRE5可以與第一校準線ARL1一體地設置。
第二電極REL2可以包括自第二校準線ARL2在第一方向DR1上突出的複數個突出電極PRE1至PRE6，其中第二校準線ARL2在第二方向DR2上延伸。突出電極PRE1至PRE6可以與第二校準線ARL2一體地設置。
每個突出電極PRE1至PRE6可以在第二方向DR2上和與其相鄰的突出電極間隔開一定的距離，並且可以在相鄰的突出電極之間設置空隙VO。
在本發明的實施例中，可以將第一電極REL1的一個分支電極設置為對應於第二電極REL2的空隙VO。當在平面上觀察時，第一電極REL1的一個分支電極可以被設置為與第二電極REL2的一個突出電極間隔開。
可以將第二電極REL2設置為圍繞第一電極REL1的周圍的形狀。
當LED LD在對應的子像素中排列時，預定電壓可以分別透過第一校準線ARL1和第二校準線ARL2施加到第一電極REL1和第二電極REL2。因此，可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成電場，並且LED LD可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間排列。
一些LED LD可以在第一方向DR1上排列，另一些LED LD可以在第二方向DR2上排列，而其他LED LD可以在第一方向DR1與第二方向DR2之間的斜向方向上排列。
如上所述，LED LD在對應的單位發光區EMA中沿著不同的方向排列，使得從各個LED LD發射的光不會集中在特定的方向上。
第17A圖至第17C圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置中的一個像素內的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的另一實施例的平面圖。在本實施例中，將主要描述與上述實施例不同的部分，以避免重複。在這個實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指相同的元件，且相似的元件符號指相似的元件。
參照第11圖以及第17A圖至第17C圖，根據本發明實施例的顯示裝置可以包括於其上設置有複數個像素PXL的基板。每個像素PXL可以包括第一子像素SP1至第三子像素SP3。
第一子像素SP1可以包括彼此電性分離的第一電極REL1和第二電極REL2、連接到第一電極REL1的第一校準線ARL1、以及連接到第二電極REL2的第二校準線ARL2。
第一校準線ARL1可以沿著第二方向DR2延伸，並且與第一電極REL1一體地設置。第二校準線ARL2可以沿著第二方向DR2延伸，並且與第二電極REL2一體地設置。
第一子像素SP1的單位發光區可以包括第一子發光區SEMA1和第二子發光區SEMA2。
第一電極REL1可以包括從第一校準線ARL1分支出的第(1-1)電極REL1_1和第(1-2)電極REL1_2。第二電極REL2可以包括從第二校準線ARL2分支出的第(2-1)電極REL2_1和第(2-2)電極REL2_2。
可以在第一子發光區SEMA1中設置第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1，並且可以在第二子發光區SEMA2中設置第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2。
在第一子發光區SEMA1中，可以將第(2-1)電極REL2_1設置為圍繞第(1-1)電極REL1_1外圍的形狀。第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1可以一定的距離彼此間隔開，使得第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極REL2_1處於彼此電性隔離的狀態。
當在平面上觀察時，第(1-1)電極REL1_1可以四邊形、圓形、多邊形或其他類似的形狀來設置。然而，本發明不限於此，可以將第(1-1)電極REL1_1設置為各種形狀。圍繞第(1-1)電極REL1_1外圍的第(2-1)電極REL2_1可以設置為與第(1-1)電極REL1_1的形狀相對應的形狀。
在第二子發光區SEMA2中，可以將第(2-2)電極REL2_2設置為圍繞第(1-2)電極REL1_2外圍的形狀。第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2可以一定距離彼此間隔開，使得第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2處於彼此電性隔離的狀態。
當在平面上觀察時，第(1-2)電極REL1_2可以四邊形、圓形、多邊形或其他類似的形狀來設置。然而，本發明不限於此，可以將第(1-2)電極REL1_2設置為各種形狀。圍繞第(1-2)電極REL1_2外圍的第(2-2)電極REL2_2可以設置為與第(1-2)電極REL1_2的形狀相對應的形狀。
在第一子發光區SEMA1中的第(1-1)電極REL1_1和第(2-1)電極RELL2_1之間的距離d1以及在第二子發光區SEMA2中的第(1-2)電極REL1_2和第(2-2)電極REL2_2之間的距離d2可以設計為相同。
當在第一子像素SP1中排列LED LD時，可以分別透過第一校準線ARL1和第二校準線ARL2將預定電壓施加到第一電極REL1和第二電極REL2。
因此，可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成電場，且LED LD可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間排列。
LED LD可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間沿著第二方向DR2以及與第二方向DR2相交的第一方向DR1排列。
可以與第一子像素SP1相同的形狀來設置第二子像素SP2和第三子像素SP3，因此，將省略對第二子像素SP2和第三子像素SP3的描述。
第18A圖至第18D圖、第19A圖至第19D圖以及第20A圖至第20D圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置中的一個像素內的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的其他實施方式的平面圖。在本實施例中，將主要描述與上述實施例不同的部分，以避免重複。在這個實施例中沒有特別描述的部分則遵循上述實施例的描述。另外，相同的元件符號指相同的元件，且相似的元件符號指相似的元件。
參照第11圖、第18A圖至第18D圖、第19A圖至第19D圖以及第20A圖至第20D圖，根據本發明實施例的顯示裝置可以包括於其上設置有複數個像素PXL的基板SUB。每個像素PXL可以包括第一子像素SP1至第三子像素SP3。
第一子像素SP1可以包括彼此電性分離的第一電極REL1和第二電極REL2、連接到第一電極REL1的第一校準線ARL1、以及連接到第二電極REL2的第二校準線ARL2。
第一校準線ARL1可以沿著第二方向DR2延伸、與第一電極REL1一體地設置、並且與第一電極REL1設置在同一層中。然而，本發明不限於此。
在一些實施例中，第一校準線ARL1可以透過第一接觸孔CHl電性連接到第一電極RELl，如第18A圖、第18B圖、第18D圖、第19A圖、第19B圖、第19D圖、第20A圖、第20B圖和第20D圖所示。第一校準線ARL1可以設置在與第一電極REL1不同的層中。
第二校準線ARL2可以在第二方向DR2上延伸、與第二電極REL2一體地設置、並且與第二電極REL2設置在同一層中。然而，本發明不限於此。
在一些實施例中，第二校準線ARL2可以透過第二接觸孔CH2電性連接到第二電極REL2，如第18B圖、第18D圖、第19B圖、第19D圖、第20B圖和第20D圖所示。第二校準線ARL2可以設置在與第二電極REL2不同的層中。
可以將至少一個第一電極REL1設置在第一子像素SP1的單位發光區中。
第一電極REL1和第二電極REL2中的一個可以設置在第一電極REL1和第二電極REL2中的另一個中。例如，第一電極REL1可以設置在第二電極REL2中，並與第二電極REL2電性隔離。
在本發明的實施方式中，第一電極REL1可以設置為四邊形、圓形、多邊形或其他類似的形狀。然而，本發明不限於此，可以各種形狀來設置第一電極REL1。可以將圍繞第一電極REL1外圍的第二電極REL2設置為與第一電極REL1的形狀相對應的形狀。
當在平面上觀察時，可以將第二電極REL2設置為圍繞第一電極REL1外圍的形狀。第一電極REL1可以被第二電極REL2包圍的孤立的島狀來設置，但是本發明不限於此。
在一些實施例中，第一電極REL1的部分區域可以不被第二電極REL2圍繞，如第18C圖、第18D圖、第19C圖、第19D圖、第20C圖和第20D圖所示。第一電極REL1可以在第二方向DR2上和與其相鄰設置的一個第一電極REL1一體地設置以電性連接。
當第一電極REL1具有完全被第二電極REL2包圍的孤立島狀時，第一電極REL1可以透過第一接觸孔CH1連接到第一校準線ARL1，如第18A圖、第18B圖、第19A圖、第19B圖、第20A圖和第20B圖所示。
此外，當第一電極REL1具有完全被第二電極REL2包圍的孤立島狀時，第一電極REL1可以在第二方向DR2上和與其相鄰設置的第一電極REL1隔開一定的距離。
當LED LD在第一子像素SP1中排列時，可以分別透過第一校準線ARL1和第二校準線ARL2將預定電壓施加到第一電極REL1和第二電極REL2。因此，可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成電場。
藉由在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成的電場，LED LD可以在第一子像素SP1的單位發光區中沿著第一電極REL1的外圍排列。 LED LD可以在多個方向上排列。
當第一電極REL1具有如第18A圖至第18D圖所示的四邊形形狀時，一些LED LD可以在第一方向DR1上排列，其他的一些LED LD可以在第二方向DR2上排列，而其餘的LED LD可以在第一方向DR1和第二方向DR2之間的一個斜向的方向上排列。
當第一電極REL1具有如第19A圖至第19D圖所示的圓形時，可以在第一電極REL1和第二電極REL2之間形成具有徑向形狀的電場。因此，LED LD可以沿著第一電極REL1的周圍排列在各種方向上。
當第一電極REL1具有如第20A圖至第20D圖所示的多邊菱形形狀時，大多數的LED LD可以在第一方向DR1和第二方向DR2之間的一個斜向方向上排列，而其餘的LED LD可以在第一方向DR1和/或第二方向DR2上排列。
同時，如第18C圖、第18D圖、第19C圖、第19D圖、第20C圖和第20D圖所示，當第一電極REL1的部分區域未被第二電極REL2圍繞時，電場可以集中在該部分區域上。LED LD可以偏向該部分區域排列。
為了防止這種情況，在該部分區域中設置了屏蔽裝置(未示出)，從而可以部分地屏蔽集中在該部分區域上的電場。
第二子像素SP2和第三子像素SP3可以與第一子像素SP1相同的形狀來設置，因此，將省略對第二子像素SP2和第三子像素SP3的描述。
根據本公開的實施例的顯示裝置可以被用在各種電子裝置中。例如，適用於電視、筆記型電腦、行動電話、智慧型手機、智能平板、PMP、PDA、導航系統的顯示設備，以及像是智能手錶及其他類似設備的各種可穿戴設備。
雖然已經結合較佳的實施例來描述本發明，但是本領域技術人員將理解，在不脫離由所附申請專利範圍所限定的本發明的精神和範圍的情況下，可以對其進行各種變型和變化。
因此，本發明的範圍不應限制於本文所描述的特定實施例，而是應由所附的申請專利範圍及其等同物來限定。
11:第一導電半導體層 12:主動層 13:第二導電半導體層 14:絕緣膜 144:驅動電路 ARL1:第一校準線 ARL2:第二校準線 BRL:阻擋層 BFL:緩衝層 BRE1~BRE5:分支電極 CNE1:第一接觸電極 CNE2:第二接觸電極 CNE1_1:第(1-1)接觸電極 CNE1_2:第(1-2)接觸電極 CNE2_1:第(2-1)接觸電極 CNE2_2:第(2-2)接觸電極 Cst:存儲電容器 CNL1:第一連接線 CNL2:第二連接線 CPL1_1:第(1-1)覆蓋層 CPL2_1:第(2-1)覆蓋層 CON:端部 CHl:第一接觸孔 CH2:第二接觸孔 d1、d2、d3、d4:距離 Dj:數據線 DR1:第一方向 DR2:第二方向 DA:顯示區域 DDV:數據驅動器 DPL:顯示元件層 DVL:驅動電壓線 DE:汲電極 EP1:第一端部 EP2:第二端部 EDV:發射驅動器 EMA:單位發光區 GE:閘電極 GI:閘極絕緣層 H1:第一接觸孔 H2:第二接觸孔 H3:第三接觸孔 H4:第四接觸孔 INS1:第一絕緣層 INS2:第二絕緣層 INS3:第三絕緣層 INS4:第四絕緣層 INSP1:第一絕緣圖案 INSP2:第二絕緣圖案 ILD:層間絕緣層 LD:發光二極體 LD1:第一發光二極體 LD1_1:第(1-1) 發光二極體 LD2_1:第(2-1) 發光二極體 LD2:第二發光二極體 LD1_2:第(1-2) 發光二極體 LD2_2:第(2-2) 發光二極體 Ml:第一電晶體 M2:第二電晶體 Nl:第一節點 NDA:非顯示區域 OC:保護膜層 PW1:第一分隔壁 PW2:第二分隔壁 PW1_1:第(1-1)分隔壁 PW1_2:第(1-2)分隔壁 PW2_1:第(2-1)分隔壁 PW2_2:第(2-2)分隔壁 PXL:像素 PCL:像素電路層 PSV:保護層 PRE1~PRE6:突出電極 REL1:第一電極 REL2:第二電極 REL1_1:第(1-1)電極 REL1_2:第(1-2)電極 REL2_1:第(2-1)電極 REL2_2:第(2-2)電極 SP:子像素 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素 SP3:第三子像素 Si:掃描線 SUB:基板 SEMA1:第一子發光區 SEMA2:第二子發光區 SCP1:第一屏蔽導電圖案 SCP2:第二屏蔽導電圖案 SDV:掃描驅動器 SCL:半導體層 SE:源電極 Tl:第一電晶體 T2:第二電晶體 VDD:第一驅動電源 VSS:第二驅動電源 VO:空隙
第1圖係繪示根據本發明實施例的發光二極體(LED)的透視圖。 第2A圖和第2B圖係繪示根據本發明實施例之發光裝置的單位發光區的電路圖。 第3圖係繪示包含有第1圖的條型LED的發光裝置的單位發光區的平面圖。 第4圖係繪示沿第3圖的線I-I’截取的截面圖。 第5圖係繪示第3圖的發光裝置的單位發光區的另一實施例的平面圖。 第6圖係繪示第3圖的發光裝置的單位發光區的另一實施例的平面圖。 第7圖係繪示沿第6圖的線II-II’截取的截面圖。 第8圖係繪示第3圖的發光裝置的單位發光區的另一實施例的平面圖。 第9圖係繪示沿第8圖的線III-III’截取的截面圖。 第10圖繪示了根據本發明實施例的顯示裝置，尤其是以第1圖所示的條型LED作為發光源的顯示裝置的示意性平面圖。 第11圖示意性地繪示了第10圖所示的像素中的一個像素所包括的第一子像素至第三子像素的平面圖。 第12圖係繪示沿第11圖的線IV-IV’截取的截面圖。 第13圖係繪示第11圖僅有第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極時的平面圖。 第14圖至第16圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置的一個像素中的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的另一實施例的平面圖。 第17A圖至第17C圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置中的一個像素內的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的另一實施例的平面圖。 第18A圖至第18D圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置中的一個像素內的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的其他實施方式的平面圖。 第19A圖至第19D圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置中的一個像素內的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的其他實施方式的平面圖。 第20A圖至第20D圖係繪示設置在第11圖的顯示裝置中的一個像素內的第一校準線和第二校準線以及第一電極和第二電極的其他實施方式的平面圖。
ARL1:第一校準線
ARL2:第二校準線
CNE1:第一接觸電極
CNE2:第二接觸電極
CNE1_1:第(1-1)接觸電極
CNE1_2:第(1-2)接觸電極
CNE2_1:第(2-1)接觸電極
CNE2_2:第(2-2)接觸電極
CNL1:第一連接線
CNL2:第二連接線
DR1:第一方向
DR2:第二方向
d1、d2:距離
EP1:第一端部
EP2:第二端部
LD:發光二極體
LD1:第一發光二極體
LD1_1:第(1-1)發光二極體
LD2_1:第(2-1)發光二極體
LD2:第二發光二極體
LD1_2:第(1-2)發光二極體
LD2_2:第(2-2)發光二極體
PW1:第一分隔壁
PW2:第二分隔壁
PW1_1:第(1-1)分隔壁
PW1_2:第(1-2)分隔壁
PW2_1:第(2-1)分隔壁
PW2_2:第(2-2)分隔壁
REL1:第一電極
REL2:第二電極
REL1_1:第(1-1)電極
REL1_2:第(1-2)電極
REL2_1:第(2-1)電極
REL2_2:第(2-2)電極
SP:子像素
SEMA1:第一子發光區
SEMA2:第二子發光區

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，其包括： 一基板，包括複數個單位發光區； 至少一第一發光元件，位於該基板上，該至少一第一發光元件沿第一方向具有一第一端部和一第二端部； 至少一第二發光元件，沿著與該第一方向相交的一第二方向具有一第一端部和一第二端部； 一第一電極，連接每一個該第一發光元件和每一個該第二發光元件的該第一端部和該第二端部中的任一個； 一第二電極，連接每一個該第一發光元件和每一個該第二發光元件的該第一端部和該第二端部中的另一個； 一第一校準線，在該基板上沿該第二方向延伸，且該第一校準線連接該第一電極；以及 一第二校準線，與該第一校準線間隔開一距離，且該第二校準線連接該第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中每一個該單位發光區包括於其中提供有該第一發光元件的一第一子發光區以及於其中提供有該第二發光元件的一第二子發光區。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中該第一電極包括在該第一子發光區中的一第(1-1)電極以及在該第二子發光區中的一第(1-2)電極，且該第二電極包括在該第一子發光區中的一第(2-1)電極以及在該第二子發光區中的一第(2-2)電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中該第(1-1)電極以及該(2-1)電極係沿該第二方向延伸，且該第(1-2)電極以及該第(2-2)電極係沿該第一方向延伸。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置，其中該第(1-1)電極以及該第(2-1)電極之間的一距離等於該第(1-2)電極以及該(2-2)電極之間的一距離。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，進一步包括： 一第一連接線，在該基板上沿該第一方向延伸，該第一連接線電性連接該第一校準線以及該第一電極；以及 一第二連接線，在該基板上平行於該第一連接線延伸，該第二連接線電性連接該第二校準線以及該第二電極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該第(1-1)電極在該第一子發光區中從該第一連接線沿著該第二方向分支，該第(2-1)電極在該第一子發光區中從該第二連接線沿著該第二方向分支，並且第(1-1)電極以及該第(2-1)電極在該第一子發光區中沿著該第一方向交替設置。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該第(1-2)電極在該第二子發光區中從該第一校準線沿著該第一方向分支，該第(2-2)電極在該第二子發光區中從該第二校準線沿著該第一方向分支，且該第(1-2)電極以及該第(2-2)電極在該第二子發光區中沿著該第二方向交替設置。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該第一連接線包括連接該第一校準線的一端部以及與該端部相對的另一端部，其中該另一端部具有圓形形狀。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該第(1-2)電極以及該第(2-2)電極中設置在該第二子發光區的最上側的其一與該第一連接線之間的一距離大於該第(1-2)電極與該第(2-2)電極之間的一距離。
  11. 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，進一步包括： 一第一分隔壁，在該基板與該第一電極之間； 一第二分隔壁，在該基板與該第二電極之間，該第二分隔壁與該第一分隔壁隔開一距離； 一第一接觸電極，在該第一電極上，該第一接觸電極連接一對應的發光元件的一第一端部和一第二端部中的任何一個與該第一電極；以及 一第二接觸電極，在該第二電極上，該第二接觸電極連接該對應的發光元件的該第一端部和該第二端部中的另一個和該第二電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的發光裝置，進一步包括： 一第一絕緣層，在該基板與該第一發光元件和該第二發光元件之間； 一第二絕緣層，在該第一發光元件和該第二發光元件上方，該第二絕緣層暴露每一個該第一發光元件和每一個該第二發光元件的該第一端部和該第二端部； 一第三絕緣層，在該第一接觸電極上以覆蓋該第一接觸電極；以及 一第四絕緣層，在該第二接觸電極上以覆蓋該第二接觸電極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光裝置，進一步包括當在平面上觀察時，重疊一部分該第一校準線的一第一絕緣圖案以及重疊一部分該第二校準線的一第二絕緣圖案，其中該第一絕緣圖案和該第二絕緣圖案提供在與該第一絕緣層相同的層中，且屏蔽形成在該第一電極和該第二電極之間的電場的一部分。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的發光裝置，進一步包括在該第一絕緣圖案上的一第一導電圖案以及在該第二絕緣圖案上的一第二導電圖案，其中該第一導電圖案以及該第二導電圖案與該第一接觸電極在同一層中。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一校準線與該第一電極在同一層中，且與該第一電極一體地設置；而該第二校準線與該第二電極在同一層中，且與該第二電極一體地設置。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的發光裝置，其中該第一電極包括從該第一校準線沿該第一方向突出的複數個分支電極，且該第二電極包括沿該第二方向配置的複數個突出電極以及提供於相鄰的該複數個突出電極之間的複數個空隙，其中該複數個分支電極的每一個係對應於一個空隙提供。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，該第一電極和該第二電極彼此電性分離，且該第一電極和該第二電極中之其一具有圍繞該第一電極和該第二電極中的另一個的外圍的形狀。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的發光裝置，其中每一個該第一發光元件和每一個該第二發光元件包括： 一第一導電半導體層，摻雜有一第一導電摻雜劑； 一第二導電半導體層，摻雜有一第二導電摻雜劑；以及 一主動層，在該第一導電半導體層以及該第二導電半導體層之間。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置，其中每一個該第一發光元件和每一個該第二發光元件包括具有微米級尺寸或奈米級尺寸的一圓柱狀發光二極體或一多邊形柱狀發光二極體。
  20. 一種顯示裝置，其包括： 一基板，包括一顯示區域和一非顯示區域； 一像素電路層，在該顯示區域中，該像素電路層包括至少一電晶體；以及 一顯示元件層，在該像素電路層上，該顯示元件層包括複數個單位發光區，且光從該複數個單位發光區發射； 其中顯示元件層包括： 至少一第一發光元件，在該像素電路層上，該至少一第一發光元件在一第一方向上具有一第一端部和一第二端部； 至少一第二發光元件，在與該第一方向交叉的一第二方向上具有一第一端部和一第二端部； 一第一電極，連接到每一個該第一發光元件以及每一個該第二發光元件的該第一端部和該第二端部中的任一個； 一第二電極，連接到每一個該第一發光元件以及每一個該第二發光元件的該第一端部和該第二端部中的另一個，其中該第一電極和該第二電極在該像素電路層上； 一第一校準線，在該像素電路層上沿著該第二方向延伸，該第一校準線連接該第一電極； 一第二校準線，與該第一校準線間隔開一距離，該第二校準線連接該第二電極； 一第一接觸電極，在該第一電極上，該第一接觸電極連接一對應的發光元件的一第一端部和一第二端部中的任何一個與該第一電極；以及 一第二接觸電極，在該第二電極上，該第二接觸電極連接該對應的發光元件的該第一端部以及該第二端部中的另一個和該第二電極。
TW108124157A 2018-07-09 2019-07-09 發光裝置及包含其之顯示裝置 TW202013025A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180079540A KR102593430B1 (ko) 2018-07-09 2018-07-09 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR10-2018-0079540 2018-07-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202013025A true TW202013025A (zh) 2020-04-01

Family

ID=69141587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108124157A TW202013025A (zh) 2018-07-09 2019-07-09 發光裝置及包含其之顯示裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210288033A1 (zh)
EP (1) EP3823028A4 (zh)
JP (1) JP7157231B2 (zh)
KR (1) KR102593430B1 (zh)
CN (1) CN112335051A (zh)
TW (1) TW202013025A (zh)
WO (1) WO2020013386A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102299992B1 (ko) * 2018-04-25 2021-09-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
KR102600602B1 (ko) * 2018-07-09 2023-11-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치
US11271032B2 (en) * 2019-06-20 2022-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20210053391A (ko) * 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4095841A4 (en) * 2020-01-21 2023-03-22 BOE Technology Group Co., Ltd. LIGHT EMITTING PLATE, CIRCUIT BOARD AND DISPLAY DEVICE
KR20210102560A (ko) * 2020-02-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210115116A (ko) * 2020-03-11 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210132257A (ko) * 2020-04-24 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210132786A (ko) * 2020-04-27 2021-11-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
KR20210143969A (ko) * 2020-05-20 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021242074A1 (ko) * 2020-05-26 2021-12-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210157949A (ko) 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2022023266A (ja) * 2020-07-27 2022-02-08 沖電気工業株式会社 発光装置、発光素子フィルム、発光ディスプレイ、及び発光装置の製造方法
KR20220016418A (ko) * 2020-07-31 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220037015A (ko) * 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220058756A (ko) * 2020-10-30 2022-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220080814A (ko) * 2020-12-07 2022-06-15 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함한 표시 장치
KR20220149884A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023113148A1 (ko) * 2021-12-16 2023-06-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137209A1 (ja) * 2009-05-29 2010-12-02 シャープ株式会社 液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法
KR101730977B1 (ko) * 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
KR20180007025A (ko) * 2016-07-11 2018-01-22 삼성디스플레이 주식회사 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102568252B1 (ko) * 2016-07-21 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 그의 제조방법
KR20180055021A (ko) * 2016-11-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102587215B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP3823028A4 (en) 2022-04-13
WO2020013386A1 (ko) 2020-01-16
EP3823028A1 (en) 2021-05-19
JP2021529999A (ja) 2021-11-04
US20210288033A1 (en) 2021-09-16
KR20200006208A (ko) 2020-01-20
KR102593430B1 (ko) 2023-10-26
CN112335051A (zh) 2021-02-05
JP7157231B2 (ja) 2022-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202013025A (zh) 發光裝置及包含其之顯示裝置
KR102517560B1 (ko) 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
KR102493479B1 (ko) 표시 장치의 제조 방법
KR102587215B1 (ko) 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US10991865B2 (en) Display device
EP3855495A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR20200034904A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112470294B (zh) 发光装置、其制造方法以及设置有其的显示装置
KR102663635B1 (ko) 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
CN112789726A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20220067647A (ko) 표시 장치
CN113994472A (zh) 显示装置及其制造方法
EP4080568A1 (en) Display device
KR102668651B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20240072104A (ko) 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20210141828A (ko) 화소 및 이를 구비한 표시 장치