JP7145077B2 - 構造物、その製造方法、半導体素子及び電子回路 - Google Patents
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Description
低逆方向電流特性を有するショットキー接合は、形成することが困難であった。
本発明者らは、ショットキー接合の制御が困難であった金属酸化物半導体薄膜に対し、鋭意研究を行った結果、低逆方向電流特性を特徴とするショットキーバリアが機能するショットキー接合を見出し、本発明に至った。
1.金属酸化物半導体層と、
貴金属酸化物層と、を含み、
前記金属酸化物半導体層及び前記貴金属酸化物層は隣接し、
前記貴金属酸化物層の膜厚が10nm超である構造物。
2.空乏領域を有する1に記載の構造物。
3.前記貴金属酸化物層が多結晶構造を含む1又は2に記載の構造物。
4.前記貴金属酸化物層と隣接して、前記金属酸化物半導体層と反対の側に、さらに、貴金属層を含む1~3のいずれかに記載の構造物。
5.前記貴金属層と隣接して、前記貴金属酸化物層の反対の側に、さらに、低抵抗卑金属層を含む4に記載の構造物。
6.前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物が、酸化パラジウム、酸化ルテニウム、酸化白金、酸化イリジウム、酸化銀、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化ロジウム、酸化ニッケル及び酸化金からなる群から選択される1以上である1~5のいずれかに記載の構造物。
7.前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物が、PdO構造のPdO、ルチル構造のRuO2、α-PtO2構造のPtO2、ルチル構造のIrO2、Cu2O構造のAg2O、スクッテルダイト構造のReO3、ルチル構造のOsO2、コランダム構造のRh2O3、NiO構造のNiO、及びAu2O3構造のAu2O3からなる群から選択される1以上である1~6のいずれかに記載の構造物。
8.前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物の平均結晶粒径が、前記貴金属酸化物層の膜厚以下である1~7のいずれかに記載の構造物。
9.前記貴金属酸化物層の界面粗さが5nm以下である1~8のいずれかに記載の構造物。
10.前記金属酸化物半導体層と前記貴金属酸化物層とのショットキー界面の炭素濃度が2×1019cm-3以下である1~9のいずれかに記載の構造物。
11.前記貴金属酸化物層の抵抗率が1×10-2Ω・cm以下である1~10のいずれかに記載の構造物。
12.前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物の仕事関数が4.8eV以上である1~11のいずれかに記載の構造物。
13.前記金属酸化物半導体層が、アモルファス又は多結晶である1~12のいずれかに記載の構造物。
14.前記金属酸化物半導体層の金属酸化物が、In、Sn、Cd、Zn、Ga及びGeからなる群から選択される1以上の金属元素の酸化物である1~13のいずれかに記載の構造物。
15.前記金属酸化物半導体層におけるGa又はInの含有率が、前記金属酸化物半導体層の全金属元素に対し、45原子%以上である1~14のいずれかに記載の構造物。
16.前記金属酸化物半導体層がランダム配向である1~15のいずれかに記載の構造物。
17.前記貴金属酸化物層と、前記金属酸化物半導体層との、ショットキー障壁高さが0.7eV以上である1~16のいずれかに記載の構造物。
18.前記貴金属酸化物層の、前記金属酸化物半導体層と反対の側に、さらに、基板を含む1~17のいずれかに記載の構造物。
19.さらに、オーミック電極層を有し、前記オーミック電極層と前記貴金属酸化物層が接触しない1~18のいずれかに記載の構造物。
20.前記金属酸化物半導体層が、1層又は2層以上であり、2層以上の場合には、いずれか1層が貴金属酸化物層に隣接する1~19のいずれかに記載の構造物。
21.逆方向電圧印加時の耐圧が0.5MV/cm以上である1~20のいずれかに記載の構造物。
22.0.2MV/cmの逆バイアス印加時に電流密度が1×10-6A/cm2以下である1~21のいずれかに記載の構造物。
23.順方向バイアス印加時のダイオード理想係数が1.5以下である1~22のいずれかに記載の構造物。
24.順方向バイアスが5V以下で、電流密度が1000A/cm2に達する1~23のいずれかに記載の構造物。
25.前記金属酸化物半導体層を、水素又は水を導入した雰囲気中で、スパッタリングによって成膜し、1~24のいずれかに記載の構造物を得る、構造物の製造方法。
26.前記貴金属酸化物層を、導入ガス流量の50%以上が酸素である雰囲気で、スパッタリングによって成膜し、1~24のいずれかに記載の構造物を得る、構造物の製造方法。
27.前記貴金属酸化物層及び前記金属酸化物半導体層を成膜した後、220~500℃でアニールを行う25又は26に記載の構造物の製造方法。
28.前記貴金属酸化物層及び前記金属酸化物半導体層をスパッタリングによって連続で成膜するか、又は前記貴金属酸化物層の成膜と、前記金属酸化物半導体層の成膜との間を、真空又は不活性の雰囲気とする25~27のいずれか記載の構造物の製造方法。
29.1~24のいずれかに記載の構造物を用いた半導体素子。
30.パワー半導体素子、ダイオード素子、ショットキーバリアダイオード素子、静電気放電保護ダイオード、過渡電圧保護ダイオード、発光ダイオード、金属半導体電界効果トランジスタ、接合型電界効果トランジスタ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、ショットキーソース/ドレイン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、アバランシェ増倍型光電変換素子、固体撮像素子、太陽電池素子、光センサ素子、タッチセンサ素子、表示素子、又は抵抗変化メモリである29に記載の半導体素子。
31.29又は30に記載の半導体素子を用いた電子回路。
32.31に記載の電子回路を用いた電気機器、電子機器、車両、又は動力機関。
これを用いることで、面内均一性に優れ、低接触抵抗、高on-off比、高障壁高さ、低逆方向電流特性であるショットキーバリアが機能する半導体素子を形成することができる。
また、低温成膜可能でプロセス適応性に優れ、基板を自由に選択できる。
また、薄膜にてショットキー接合を形成できるため、プロセス汎用性、低温成膜、基板を選択しない等の利点を得ることができる。また、フレキシビリティを活かしたデバイス応用、様々なデバイスとの混載等が可能となる。
アモルファスの場合、大面積均一性に優れ、逆バイアス印加時のインパクトイオン化を低減し、耐圧向上させやすい。また、電気特性のバラつきや大幅な特性劣化を緩和することができる。また、高耐圧で信頼性の高い大電流ダイオードやスイッチング素子を高い歩留まりで製造することができる。多結晶の場合、大面積均一性及び伝導特性を向上させやすく、より安定性に優れる傾向がある。
また、「非晶質」は一部に結晶化や微結晶化した部分がある場合も含む。一部結晶化した部分に電子線を照射すると、回折像が認められることがある。
「微結晶構造」とは、結晶粒径のサイズがサブミクロン以下であり、明解な粒界が存在しないものを言う。明解な粒界の有無は、例えば断面TEMより観察でき、結晶粒径サイズは回折像のマッピングより取得できる。回折像が等しい部分が同一粒内と定義できる。
「多結晶」とは、結晶粒径のサイズがミクロンサイズを超え、明解な粒界が存在するものを言う。明解な粒界は、例えば断面TEMより観察できる。明確な粒界が存在するため、平面TEMや電子線後方散乱回折法(EBSD)によって粒径サイズを定義することができる。
ランダム配向とは、各結晶粒の配向が特定の配向成分に偏っていないことを意味する。
例えば、XRDにて薄膜を分析したときに、得られたスペクトル中の複数のピークの相対強度が粉末X線パターンにおける相対強度と一致する場合、ランダム配向である。具体的には、粉末X線パターンの強度が最大である面方位のピーク強度(以下、粉末X線NO.1ピークと言う。)に対して、粉末X線パターンの2番目及び3番目のピーク強度(以下、それぞれ粉末X線NO.2ピーク、粉末X線NO.3ピークと言う。)とし、粉末X線NO.1ピーク/粉末X線NO.2ピーク(粉末X線ピーク強度比1)及び粉末X線NO.1ピーク/粉末X線NO.3ピークとのピーク強度比(粉末X線ピーク強度比2)とする。その場合に、測定して得られたスペクトル中の複数のピークのうち、粉末X線NO.1~NO.3ピークの2θ位置に対して±1°に収まるピークがそれぞれ存在し、粉末X線NO.1に対応するピークを薄膜X線ピーク1、粉末X線NO.2に対応するピークを薄膜X線ピーク2、粉末X線NO.3に対応するピークを薄膜X線ピーク3としたときに、薄膜X線ピーク1/薄膜X線ピーク2のピーク強度比の値が粉末X線ピーク強度比1の値の0.3~3倍の値となり、薄膜X線ピーク1/薄膜X線ピーク3のピーク強度比の値が粉末X線ピーク強度比2の値の0.3~3倍の値となる場合、金属酸化物半導体層はランダム配向であるとみなす。
これにより、s軌道の球状のオービタルを導電パスとして利用できるため、多結晶、アモルファスを問わず、電気特性を面内方向で安定させやすい。
また、金属酸化物半導体層におけるGa又はIn含有率が、金属酸化物半導体層の全金属元素に対し、45原子%以上であることが好ましい。金属元素がGaの場合、50~100原子%がより好ましく、Inの場合50~70原子%がより好ましい。
Inが45原子%以上の場合、高導電性や高キャリア濃度の金属酸化物半導体層を得やすく、低抵抗であるショットキー界面を形成することができる。
Znが45原子%以上の場合、化学的反応性に富み、ウェットエッチング等の加工がしやすいショットキー界面を形成することができる。
Snが45原子%以上の場合、化学的安定性に富み、耐久性の観点で優位なショットキー界面を形成することができる。
0≦x/(x+y+z)≦0.8 (A)
0≦y/(x+y+z)≦0.8 (B)
0≦z/(x+y+z)≦1.0 (C)
(式中、xはIn、Sn、Ge及びTiからなる群から選択される1種以上の元素の原子数を表し、
yはZn、Y、Sm、Ce及びNdからなる群から選択される1種以上の元素の原子数を表し、
zはGa及びAlからなる群から選択される1種以上の元素の原子数を表す。)
0≦x/(x+y+z)≦0.7 (A-1)
0≦y/(x+y+z)≦0.8 (B-1)
zの元素がGaのとき:0.02≦z/(x+y+z)≦1.0
zの元素がAlのとき:0.005≦z/(x+y+z)≦0.5 (C-1)
(式中、x、y及びzは上記式(A)~(C)と同じである。)
0.1≦x/(x+y+z)≦0.5 (A-2)
0.1≦y/(x+y+z)≦0.5 (B-2)
0.03≦z/(x+y+z)≦0.5 (C-2)
(式中、x及びyは上記式(A)~(C)と同じであり、zはGaの原子数である。)
0≦x/(x+y+z)≦0.25 (A-3)
0.3≦z/(x+y+z)≦1.0 (C-3)
(式中、x、y及びzは上記式(A)~(C)と同じである。)
例えば、InGaO(47:53)は、高バンドギャップと低抵抗特性を得ることができる。
Sn-In-Zn系の場合は、全金属元素において、Inの含有量は15原子%以上が好ましい。
金属酸化物半導体層は、2層以上の場合には、各層の膜厚が上記範囲でもよく、2層以上の層の全層の合計の膜厚が上記範囲でもよい。
また、貴金属酸化物層の貴金属酸化物の平均結晶粒径が、貴金属酸化物層の膜厚以下であることが好ましい。これにより、多結晶粒界が分断され、粒界を伝わる伝導が抑制でき面内でのばらつきが低減でき、均一性を有するショットキーバリアが発現しやすい。
尚、平均結晶粒径は、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)にて、50万倍で観察した膜厚方向の像が得られる断面TEM像の同一深度の10点の結晶粒の粒径の平均値である。結晶粒は、干渉縞を利用し、干渉縞が平行となっている箇所を単結晶とみなし定義する。各単結晶における最大フェレ径を結晶粒径とした。
本発明の構造物の各層の膜厚は、上記と同様の方法で測定することができる。
高いショットキー障壁を形成し、安定的な構造物を形成する観点から、酸化パラジウム、酸化ルテニウム、酸化白金、酸化イリジウムが好ましい。中でも、酸化パラジウムはスパッタリング成膜時のウインドウが広く、工業的な観点から優位性をもつため、好ましい。
貴金属酸化物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。
また、酸化ルテニウムは、ドライエッチングによってパターニングすることが可能である。例えば、酸素ガス、フッ化炭素ガス、フッ素ガス、塩素ガス、臭素ガス、沃素ガス、オゾンガス、ハロゲン化水素ガス、ハロゲン化炭素ガスによって反応性エッチングができる。また、上記ガス種を混合して用いてもよい。
特定の面配向成分の割合が大きい場合、表面に段差ができやすく、また弱配向成分が面内で安定しないため、実質的なショットキーバリアが低下してしまうおそれがある。
具体的には、断面TEMを3カ所撮影し、貴金属酸化物層と金属酸化物半導体層の界面の凹凸をトレースし、このトレースした線をJISB0601-2001に規格された二乗平均平方根粗さ(RMS)の算出方法に準拠して、貴金属酸化物層の界面の粗さを求めることができる。断面TEMは、貴金属酸化物層と金属酸化物半導体の界面のトレース線を引いたときに、極大値を5つ以上もち、かつ、隣り合う極大値と極小値の差が明瞭に判断できる倍率で取得することが好ましい。
貴金属酸化物層の比抵抗は、例えばファンデルポー法を用いて、測定することができる。直接電気測定によって測定してもよい。
貴金属酸化物層の貴金属酸化物の仕事関数は、例えばX線光電子分光法(XPS)、紫外光電子分光法(UPS)、大気光電子分光法、ケルビンプローブ顕微鏡(KPM)を用いて、測定することができる。
金属酸化物半導体層が2層以上の場合、空乏領域の厚さは、貴金属酸化物層に隣接する金属酸化物半導体層において、上記範囲でもよく、2層以上の層の全層の合計の膜厚に対して、上記範囲でもよい。
ショットキー界面での炭素濃度は、例えば2次イオン質量分析法(SIMS)のデプスプロファイルを用いて、測定することができる。
I0:飽和電流[A]
R:金属酸化物半導体及び電極等による接触抵抗[Ω]
n:ダイオード理想係数
k:ボルツマン定数(8.617×10-5eV/K)
T:測定時のサンプル温度(K)
q:素電荷[1.602×10-19C]
V:印加電圧[V]
A:ダイオード実効面積[cm2]
A**:リチャードソン係数[Acm-2K-2]
これにより、基板と貴金属酸化物層の相互作用を防止し、接触抵抗を低減することができる。また、貴金属酸化物層の基板への密着性を改善し、貴金属酸化物層の表面平滑性を向上させることができる。
これにより、整流特性制御や空乏領域の厚さを制御することができる。
また、オーミック電極層を2以上の層で構成することもできる。例えば、金属酸化物半導体層に接する方に、Mo電極層を用い、さらに低抵抗金属であるAuやAl等の金属層を厚く積層し、この層をワイヤボンディングの土台とすることができる。オーミック電極層を用いることで、電力ロスなく電流を取り出すことができる。
オーミック電極層は、2層以上の場合には、各層の膜厚が上記範囲でもよく、2層以上の層の全層の合計の膜厚が上記範囲でもよい。
また、SiC基板、GaN基板、GaAs基板等を用いてもよい。
また、Al、Cu、Ni、SUS(ステンレス鋼)、Au、Ag、W、Ti等の金属基板を用いてもよい。
半導体基板の材料は、表面の平滑性が保たれていれば、特に限定されない。
半導体基板としては、キャリア濃度を1×1018cm-3以下に調整したSi基板、GaN基板、SiC基板、GaP基板、GaAs基板、ZnO基板、Ga2O3基板、GaSb基板、InP基板、InAs基板、InSb基板、ZnS基板、ZnTe基板、ダイヤモンド基板等を用いることができる。
半導体基板は単結晶であってもよいし、多結晶であってもよい。また、非晶質基板又は非晶質を部分的に含む基板でもよい。導電性基板、半導体基板、絶縁性基板の上に、化学気相成長(CVD)等の手法を用いて半導体膜を形成した基板を使用してもよい。
例えば、石英ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス等の、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基板、セラミック基板、及び本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板(例えばポリイミド基板)等を用いることができる。プラスチック基板の場合、フレキシブル性があってもよい。
また、絶縁性基板として、誘電性基板も用いてもよい。誘電性基板としては、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板、酸化亜鉛基板、水晶基板、サファイア基板等が挙げられる。
さらに、ステンレス合金等の金属基板の表面に絶縁膜や誘電膜を設けた基板を用いてもよい。また基板に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。下地膜として、CVD法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、又は窒化酸化珪素膜等の単層又は積層を形成できる。
任意の構造の材料としては、例えば、大規模集積回路(LSI)上のバックエンドオブラインを形成する金属、層間絶縁膜等の様々な金属や絶縁物の複合材料が挙げられる。
応力緩衝層としては、AlGaN層等が挙げられる。
遮光層としては、例えば金属、金属-有機物等を含むブラックマトリックス層、カラーフィルタ層が挙げられる。
電子/ホール輸送層としては、酸化物半導体層、有機半導体層等が挙げられる。
発光層としては、無機半導体層、有機半導体層等が挙げられる。
電子/ホールブロッキング層としては、酸化物半導体層等が挙げられる。
層構造の層は、単層でもよく、2以上の層でもよい。
また、耐圧のばらつきは、0.1MV/cm以下であることが好ましい。
例えば、耐圧は、逆方向電圧印加時のブレークダウン電圧を測定し、ブレークダウン電圧を、金属酸化物半導体層の膜厚で割り、算出することができる。耐圧のばらつきは、例えば同一プロセス同一基板上で測定した50点以上の耐圧の標準偏差値とする。
金属酸化物半導体層を、水素又は水を導入した雰囲気中で、成膜することが好ましい。これにより、金属酸化物半導体層をランダム配向にすることができる。
貴金属酸化物層の成膜の雰囲気としては、導入ガス流量の50%以上(より好ましくは70~100%)が酸素であることが好ましい。これにより、安定な貴金属酸化物層を形成でき、ショットキーバリアの安定性を向上することができる。
スパッタリングターゲットと基板距離(TS間隔)は好ましくは、10mm~200mmである。10mm未満の場合、放電ができないおそれがある。200mmを超える場合、半導体の膜質が疎になり、特性温度が大きな膜になるおそれがある。
これにより、界面の清浄度を保った状態で構造体を作製することができる。
これにより、安定したショットキー界面を形成することができる。
図1では、構造物1において、基板10の上に、低抵抗卑金属層20、貴金属層30、貴金属酸化物層40、金属酸化物半導体層50、第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61がこの順で積層されている。
第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
また、各層間を電気的に絶縁する層間絶縁膜を有してもよい。層間絶縁膜の形成方法によっては、各層が横方向に段差を有してもよい。各層間の一部が短絡され、残りの部分が層間絶縁膜によって絶縁されていてもよい。
第1のオーミック電極層60が金属酸化物半導体層50に接する領域は、金属酸化物半導体層50の端部まで及ばないことが好ましい。さらに、第1のオーミック電極層60が金属酸化物半導体層50に接する領域が、金属酸化物半導体層50の端部まで及ばず、かつ、積層面に対し垂直方向から見た場合に、第1のオーミック電極層60が金属酸化物半導体層50に接する領域の端部が、貴金属酸化物層40が金属酸化物半導体層50に接する領域の端部よりも内側に存在していることが好ましい。上記の配置であれば、リーク電流をより抑制できる。
第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
低抵抗卑金属層20及びキャップメタル70は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
低抵抗卑金属層20及びキャップメタル70は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
低抵抗卑金属層20及びキャップメタル70は、横方向への引き出しを考慮して、長くてもよい。
図10Aは、本発明の構造物の他の実施形態を模式的に示した断面図であり、図10Bは、基板とポリイミドを除いた図10Aの平面図である。
図10Aでは、構造物101において、ガラス基板12の上に、低抵抗卑金属層20、貴金属層30、貴金属酸化物層40、金属酸化物半導体層50がこの順で積層され、ポリイミド81が形成された後、ポリイミド81が開口され、さらに、第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61がこの順で積層されている。
図10Bは、図10Aのガラス基板12とポリイミド81を除いた平面図であり、図10Bの破線の部分の断面図が、図10Aである。
図10Cでは、構造物102において、ガラス基板12の上に、低抵抗卑金属層20、貴金属層30、貴金属酸化物層40、金属酸化物半導体層50がこの順で積層され、ポリイミド81が形成された後、ポリイミド81が開口され、さらに、第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61がこの順で積層されている。
図10Dは、図10Cのガラス基板12とポリイミド81を除いた平面図であり、図10Dの破線の部分の断面図が、図10Dである。
図10Eでは、構造物103において、ガラス基板12の上に、低抵抗卑金属層20、貴金属層30、貴金属酸化物層40、金属酸化物半導体層50がこの順で積層され、ポリイミド81が形成された後、ポリイミド81が開口され、さらに、第1のオーミック電極層60及び第2のオーミック電極層61がこの順で積層されている。
図10Fは、図10Eのガラス基板12とポリイミド81を除いた平面図であり、図10Fの破線の部分の断面図が、図10Eである。
基板上に回路、多層構造を有するものとして、Si基板上に多層配線を有するバックエンドオブライン構造、抵抗変化メモリ、ロジックIC等が挙げられる。また、誘電体基板上に形成された高周波デバイスと組み合わせてもよい。
電気抵抗率1mΩ・cmのn型Si基板(直径4インチ、Pドープ)をスパッタリング装置CS-200(株式会社アルバック製)に装着し、雰囲気を真空にした。低抵抗卑金属層としてTiを15nm成膜した。成膜条件は、DC300W、Ar雰囲気にて0.5Pa、100秒間とした。
続いて、貴金属層としてPdを50nm成膜した。成膜条件は、DC300W、Ar雰囲気にて0.5Pa、60秒間とした。
次に貴金属酸化物層としてPdOを40nm成膜した。成膜条件は、DC300W、O2雰囲気にて0.5Pa(導入ガス流量中、100%が酸素)、270秒間とした。
金属酸化物半導体層として、金属酸化物半導体InGaZnO(1:1:1)を200nm成膜した。成膜条件は、DC300W、Ar99%、H2O1%の混合ガス雰囲気にて0.5Pa、780秒間とした。
低抵抗卑金属層から金属酸化物半導体層までの成膜は、CS-200にセットした3種類の4inchターゲットを用いて、n型Si基板を装着し真空にした後、基板を取り出すことなく一貫成膜した。
成膜後、この基板を取り出し、電気炉によって空気中300℃の条件で1時間アニールした。この基板を再度エリアマスク(直径500μm成膜用)とともにCS-200にセットした後、第1のオーミック電極層としてMo150nmを、第2のオーミック電極層としてAu500nmを積層成膜し(第1のオーミック電極層及び第2のオーミック電極層をまとめて、オーミック電極層とよぶ。)、素子(構造物)を得た。成膜条件は、DC100W、Ar雰囲気0.5Paとした。
尚、裏面に測定用の取り出し電極としてTiを100nm成膜した。成膜条件は、CS-200を用い、DC300W、Ar雰囲気にて0.5Pa、700秒間とした。
尚、得られた素子は図1に示す構造である。
断面TEM測定の際に、貴金属酸化物層の平均結晶粒径が、貴金属酸化物層の膜厚以下であることを確認した。実施例1の素子の断面TEMの拡大図を図12及び13に示す。
図14中、○で表記されているグラフの内、一番下のグラフは実施例2の素子のCV測定の結果であり、下から順に、実施例1の素子のCV測定の結果、実施例3の素子のCV測定の結果、一番上のグラフは実施例4の素子のCV測定の結果である。
実施例1において、空乏領域の厚さは、210nmであった。
破線は、後述の図15及びその温度依存性結果より取得したVshottkyに対応する空乏領域の厚みの変化を表す。J. Appl. Phys. 104,123706,2008を参考にして、初期フリーキャリア濃度の存在を仮定した、指数関数型トラップ介在のSCLCモデルよりシミュレーションに沿って解析した。
Cは容量値(F)であり、Aは電極の実効面積(cm2)であり、εは金属酸化物半導体の比誘電率(InGaZnO(1:1:1)の場合、16)である。比誘電率は膜厚既知であるサンプルのCV測定の膜厚依存性結果から求めたものである。
ε0は、真空の誘電率(8.854×10-14F/cm)である。
ここで、電極の実効面積Aは、素子の積層面に対し垂直方向から見た場合に、貴金属酸化物層、金属酸化物半導体層及びオーミック電極層が重複する部分の面積を表す。直径500μmのオーミック電極層の面積をAとした。
測定は、注目元素にC(カーボン、質量数12)を選択し、一次イオン種Cs+、一次イオンの加速エネルギー3keV、二次イオン極性Negativeにて行った。尚、帯電補償は行わず、質量分解能Normalとした。
炭素濃度は、酸化インジウム-酸化スズ(ITO)標準薄膜試料での強度と炭素濃度の比を用い、定量した。
ショットキー界面を、金属酸化物半導体層のGaOの強度値のデプスプロファイル及び貴金属酸化物層のPdOの強度値のデプスプロファイルが交わる箇所とし、その±20nmに存在するCスペクトル(Cのデプスプロファイル)の最大値をショットキー界面での炭素濃度とした。結果を表1に示す。
室温(25℃)での測定の他に、温度依存性測定を、温調チャックPA200(カスケードマイクロテック社製)を用いて実施した。
実施例1では、Cheungプロットから算出したI0及び有効質量0.3を用いて室温でのショットキー障壁高さを求めたところ1.2eVであった。
また、温度依存性よりアンダーソンプロットを実施し、ショットキー障壁高さ及びリチャードソン定数を求めたところ、それぞれ1.24eV、42Acm-2K-2となった。ダイオード理想係数は1.2であった。
ショットキー障壁高さとして、Cheungプロットから算出した値を、表1に示す。
図17中、一番下のグラフが298Kのグラフであり、下から順に、308Kのグラフ、318Kのグラフ、323Kのグラフ、328Kのグラフ、333Kのグラフ、338Kのグラフとなっており、一番上のグラフが343Kのグラフである。
図20中、○は実験値、点線はシミュレーション結果を表し、一番下のグラフが298Kの実験値及びシミュレーション結果であり、下から二番目のグラフが323Kの実験値及びシミュレーション結果であり、一番上のグラフが343Kの実験値及びシミュレーション結果である。
得られた実施例1に関する金属酸化物半導体層付きの石英基板及び後述の実施例2~4に関する金属酸化物半導体層付きの石英基板について、UV-VIS装置V-370(日本分光株式会社製)を用い透過スペクトルを測定し、図22に示す、横軸にhv、縦軸に(αhv)1/2をプロットした図を作成した。αは吸収係数であり、hはプランク定数であり、vは入射光の振動数である。実施例1~4の結果を、それぞれ「200nm」、「100nm」、「500nm」及び「1000nm」として示す。
グラフ上のプロットした曲線を描き、変曲点の位置で接線を引き横軸と接線が交わる点を、バンドギャップとした。結果を表1に示す。
実施例1及び後述の実施例2~4について、金属酸化物半導体層付きの石英基板のXRDパターン(基板情報を差分した結果)を図23に、実施例1及び後述の実施例2~4について、金属酸化物半導体層付きの石英基板のXRDパターン(図23をさらに金属酸化物半導体層の膜厚で規格化した結果)を図24に示す。
図23中、一番下のグラフが実施例2についてのXRDパターンであり、下から順に、実施例1についてのXRDパターン、実施例3についてのXRDパターン、一番上のグラフが実施例4についてのXRDパターンである。
図24中、一番下のグラフが実施例2についてのXRDパターンであり、下から順に、実施例1についてのXRDパターン、実施例3についてのXRDパターン、一番上のグラフが実施例4についてのXRDパターンである。
貴金属酸化物層及び金属酸化物半導体層の結晶構造の結果を表1に示す。
図25中、一番下のグラフはω=0.3°のXRDパターンであり、下から二番目のグラフはω=0.4°のXRDパターンであり、一番上のグラフがω=0.5°のXRDパターンである。ω=0.3°のXRDパターンは、サンプルに対してX線を最も浅く入射させた測定結果、下地のPdからの信号が重畳せず、貴金属酸化物層のみに由来するスペクトルである。
これらの結果より、貴金属酸化物はランダム配向の多結晶PdO構造を持つPdOであったと同定した。
上述の貴金属酸化物層付きの石英基板及び金属酸化物半導体層付きの石英基板について、基板をそれぞれ1cm四方にカットし、4隅にIn電極を取り付け、室温にてホール効果測定装置Resitest8400(東陽テクニカ製)を用いて、ファンデルポー法により、金属酸化物半導体層及び貴金属酸化物層の比抵抗測定を行った。また、ホール効果測定より、金属酸化物半導体層のキャリア濃度を測定した。金属酸化物半導体層の比抵抗値及びキャリア濃度値を用い、金属酸化物半導体層の移動度を算出した。
また、0.2MV/cmの逆バイアス印加時の電流密度、及び順方向バイアスを0~5V印加時の電流密度を、B1500を用いて、評価した。結果を表1に示す。
図29中、左上が実施例2の絶縁破壊電圧値のヒストグラムであり、右上が実施例1の絶縁破壊電圧値のヒストグラム、左下が実施例3の絶縁破壊電圧値のヒストグラム、右下が実施例4の絶縁破壊電圧値のヒストグラムである。
図30中、左上が実施例2の耐圧のヒストグラムであり、右上が実施例1の耐圧のヒストグラム、左下が実施例3の耐圧のヒストグラム、右下が実施例4の耐圧のヒストグラムである。
表1~13に示す条件とし、実施例1と同様にして素子を作製し、評価した。結果を表1~13に示す。
また、表中、膜厚の記載のない層については、積層しなかったことを示す。
表中、金属酸化物半導体について、「Ga2O3/InGaZnO(1:1:1)」は、第1の金属酸化物半導体層として、Ga2O3を、第2の金属酸化物半導体層として、InGaZnO(1:1:1)を積層成膜したことを示す。金属酸化物半導体層を積層成膜した場合の、金属酸化物半導体層の結晶構造、配向キャリア濃度、移動度、比抵抗、バンドギャップは記載しない。
図31では、「Ga2O3 200nm」が実施例5(43.0V、2.15MV/cm)を示し、「Ga2O3/IGZO 50/300nm」が実施例6(63.0V、1.80MV/cm)を示し、「Ga2O3/IGZO 50/500nm」が実施例7(97.5V、1.77MV/cm)を示す。
図32では、「Ga2O3 200nm」が実施例5を示し、「Ga2O3/IGZO 50/300nm」が実施例6を示し、「Ga2O3/IGZO 50/500nm」が実施例7を示す。
図33中、「PdO(40)Pd(50)Ti(15)」が実施例1を示し、(PdO(15)Pd(50)Ti(15)が実施例8を示し、「PdO(50)Ti(15)」が実施例10を示し、「PdO(40)」が実施例22を示し、「Ti(15)」が比較例2を示し、「Pd(10)Ti(15)」が比較例3を示す。
「IGZO 100nm」が実施例2を示し、「IGZO 200nm」が実施例1を示し、「IGZO 500nm」が実施例3を示し、「IGZO 1000nm」が実施例4を示し、「Ga2O3 200nm」が実施例5を示し、「Ga2O3/IGZO 50/300nm」が実施例6を示し、「Ga2O3/IGZO 50/500nm」が実施例7を示す。
抵抗率1mΩ・cmのn型Si基板(直径4インチ、Pドープ)をCS-200に装着し、雰囲気を真空にした。尚、裏面に測定用の取り出し電極としてTiを100nm成膜している。成膜条件は、CS-200を用い、DC300W、Ar雰囲気にて0.5Pa、700秒間とした。
オーミック電極層としてMo15nmを、成膜した。成膜条件は、DC100W、Ar雰囲気0.5Paとした。
続いて、金属酸化物半導体層として、金属酸化物半導体InGaZnO(1:1:1)を200nm成膜した。成膜条件は、DC300W、Ar99%、H2O1%の混合ガス雰囲気にて0.5Pa、780秒間とした。
オーミック電極層から金属酸化物半導体までの成膜は、CS-200にセットした4inchターゲットを用いて、n型Si基板を装着し真空にした後、基板を取り出すことなく一貫成膜した。
貴金属酸化物層としてPdOを40nm成膜した。成膜条件は、DC300W、O2雰囲気にて0.5Pa、270秒間とした。
続いて、貴金属層としてPdを50nm成膜した。成膜条件は、DC300W、Ar雰囲気にて0.5Pa、60秒間とした。
低抵抗卑金属層としてAlを1000nm成膜した。成膜条件は、DC300W、Ar雰囲気にて0.5Pa、6000秒間とした。
成膜後、この基板を取り出し、電気炉によって空気中300℃の条件で1時間アニールし、素子(構造物)を得た。
表14に示す条件とし、実施例48と同様にして素子を作製し、評価した。結果を表14に示す。
表中、オーミック電極層の電極構成について、「In/Mo」は、第1のオーミック電極層として、Moを、第2のオーミック電極層として、Inを積層成膜したことを示す。成膜条件は、In及びMoともDC100W、Ar雰囲気0.5Paとした。Inが上層となるようにし、金属酸化物半導体と接触するようにした。
ガラス基板上(4inch Eagle XG基板)にフォトマスクを用い素子を作製した。実施例1と各層の成膜条件は同一である。
まず、ガラス基板の一面に、低抵抗卑金属層としてMoを、貴金属層としてPdを、それぞれ150nm及び50nmスパッタリングした。次に、フォトマスク1を用い、Mo/Pdの積層膜をパターニングした。フォトレジストには、AZ1500(AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を用い、フォトマスク1を介し露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド(TMAH)にて現像を行い、AURUM-302(関東化学製)でPdを第一のパターニングし、Moが露出したところで、PAN(リン酸―酢酸-硝酸の混酸)エッチャントでMoを第二のパターニングをして、下層電極を形成した。
まず、熱硬化非感光性ポリイミド溶液をスピンコータで基板一面に8μm程度塗布し、続いてAZ5214及びフォトマスク3を用いパターニングした。AZ5214を、フォトマスク3を介して露光し、反転ベーク工程後に全面露光し、TMAHにて現像した。続いて、TMAHで熱硬化非感光性ポリイミドをエッチングし、パターニングした。パターニング後、熱硬化非感光性ポリイミドを200℃1時間、大気中で加熱し硬化した。
続いて、イメージリバーサルレジストAZ5214及びフォトマスク4を用い、オーミック電極層をリフトオフプロセスにてパターニングした。AZ5214を、フォトマスク4を介して露光し、反転ベーク工程後に全面露光し、TMAHにて現像した。パターニングされたレジスト付き基板に対し、第1のオーミック電極層としてMo150nmを、第2のオーミック電極層としてAu500nmを一貫して成膜した。その後、アセトン中でリフトオフすることにより、オーミック電極層をパターニングした。
図10A及びBに示す構造の素子を得た。評価は実施例1と同様に行った。結果を表15に示す。
実施例52で使用したフォトマスク1~4とは異なるパターンのフォトマスク5~8を使用した以外は、実施例52と同様に素子を作製し、図10C及びDに示す構造の素子を得た。評価は実施例1と同様に行った。結果を表15に示す。
実施例52で使用したフォトマスク1~4とは異なるパターンのフォトマスク9~12を使用した以外は、実施例52と同様に素子を作製し、図10E及びFに示す構造の素子を得た。評価は実施例1と同様に行った。結果を表15に示す。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (31)
- 金属酸化物半導体層と、
貴金属酸化物層と、を含み、
前記金属酸化物半導体層及び前記貴金属酸化物層は隣接し、
前記金属酸化物半導体層がアモルファス又は多結晶であり、
前記金属酸化物半導体層の膜厚が5~8000nmであり、
前記貴金属酸化物層の膜厚が10nm超である、ショットキーバリアが機能する構造物。 - 空乏領域を有する請求項1に記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層が多結晶構造を含む請求項1又は2に記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層と隣接して、前記金属酸化物半導体層と反対の側に、さらに、貴金属層を含む請求項1~3のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属層と隣接して、前記貴金属酸化物層の反対の側に、さらに、低抵抗卑金属層を含む請求項4に記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物が、酸化パラジウム、酸化ルテニウム、酸化白金、酸化イリジウム、酸化銀、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化ロジウム、酸化ニッケル及び酸化金からなる群から選択される1以上である請求項1~5のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物が、PdO構造のPdO、ルチル構造のRuO2、α-PtO2構造のPtO2、ルチル構造のIrO2、Cu2O構造のAg2O、スクッテルダイト構造のReO3、ルチル構造のOsO2、コランダム構造のRh2O3、NiO構造のNiO、及びAu2O3構造のAu2O3からなる群から選択される1以上である請求項1~6のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物の平均結晶粒径が、前記貴金属酸化物層の膜厚以下である請求項1~7のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の界面粗さが5nm以下である請求項1~8のいずれかに記載の構造物。
- 前記金属酸化物半導体層と前記貴金属酸化物層とのショットキー界面の炭素濃度が2×1019cm-3以下である請求項1~9のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の抵抗率が1×10-2Ω・cm以下である請求項1~10のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の貴金属酸化物の仕事関数が4.8eV以上である請求項1~11のいずれかに記載の構造物。
- 前記金属酸化物半導体層の金属酸化物が、In、Sn、Cd、Zn、Ga及びGeからなる群から選択される1以上の金属元素の酸化物である請求項1~12のいずれかに記載の構造物。
- 前記金属酸化物半導体層におけるGa又はInの含有率が、前記金属酸化物半導体層の全金属元素に対し、45原子%以上である請求項1~13のいずれかに記載の構造物。
- 前記金属酸化物半導体層がランダム配向である請求項1~14のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層と、前記金属酸化物半導体層との、ショットキー障壁高さが0.7eV以上である請求項1~15のいずれかに記載の構造物。
- 前記貴金属酸化物層の、前記金属酸化物半導体層と反対の側に、さらに、基板を含む請求項1~16のいずれかに記載の構造物。
- さらに、オーミック電極層を有し、前記オーミック電極層と前記貴金属酸化物層が接触しない請求項1~17のいずれかに記載の構造物。
- 前記金属酸化物半導体層が、1層又は2層以上であり、2層以上の場合には、いずれか1層が貴金属酸化物層に隣接する請求項1~18のいずれかに記載の構造物。
- 逆方向電圧印加時の耐圧が0.5MV/cm以上である請求項1~19のいずれかに記載の構造物。
- 0.2MV/cmの逆バイアス印加時に電流密度が1×10-6A/cm2以下である請求項1~20のいずれかに記載の構造物。
- 順方向バイアス印加時のダイオード理想係数が1.5以下である請求項1~21のいずれかに記載の構造物。
- 順方向バイアスが5V以下で、電流密度が1000A/cm2に達する請求項1~22のいずれかに記載の構造物。
- 前記金属酸化物半導体層を、水素又は水を導入した雰囲気中で、スパッタリングによって成膜し、請求項1~23のいずれかに記載の構造物を得る、構造物の製造方法。
- 前記貴金属酸化物層を、導入ガス流量の50%以上が酸素である雰囲気で、スパッタリングによって成膜し、請求項1~23のいずれかに記載の構造物を得る、構造物の製造方法。
- 前記貴金属酸化物層及び前記金属酸化物半導体層を成膜した後、220~500℃でアニールを行う請求項24又は25に記載の構造物の製造方法。
- 前記貴金属酸化物層及び前記金属酸化物半導体層をスパッタリングによって連続で成膜するか、又は
前記貴金属酸化物層の成膜と、前記金属酸化物半導体層の成膜との間を、真空又は不活性の雰囲気とする請求項24~26のいずれか記載の構造物の製造方法。 - 請求項1~23のいずれかに記載の構造物を用いた半導体素子。
- パワー半導体素子、ダイオード素子、ショットキーバリアダイオード素子、静電気放電保護ダイオード、過渡電圧保護ダイオード、発光ダイオード、金属半導体電界効果トランジスタ、接合型電界効果トランジスタ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、ショットキーソース/ドレイン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、アバランシェ増倍型光電変換素子、固体撮像素子、太陽電池素子、光センサ素子、タッチセンサ素子、表示素子、又は抵抗変化メモリである請求項28に記載の半導体素子。
- 請求項28又は29に記載の半導体素子を用いた電子回路。
- 請求項30に記載の電子回路を用いた電気機器、電子機器、車両、又は動力機関。
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