JP7129497B2 - コイル装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明はコイル装置およびその製造方法に関する。

電磁気力を誘導したり促進するコイル装置は、振動モータ、アンテナ、発電機、フィルタ、インダクタ、磁気ディスク、カメラモジュールなど多様な分野に活用される。その中でもカメラモジュール分野におけるコイル装置は、例えば、光学式手ぶれ補正（ＯＩＳ；Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｍａｇｅ Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）方式においてイメージセンサやレンズ光学系の位置や角度を機構的に調節するアクチュエータに適用されることができる。一方、小型モバイル機器に搭載されるカメラモジュールは数十ｍｍ以内で小さくなるにつれ、カメラモジュールに取り付けられるアクチュエータも小型化されている。

一方、コイル装置の小型化のために、基板上面に導体パターンが螺旋形で形成される薄膜型（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｙｐｅ）コイル装置が主に使用される。最近では基板上面に形成される導体パターンのファインピッチ化（Ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ）を達成しながらもアクチュエータが駆動できる電磁気力を確保するために、導体パターンの厚さを拡張させる技術が開発されてきた。

しかし、導体パターンのメッキ工程で厚さを拡張させるためにメッキ時間が持続するほどパターンが一定の形状を維持できず、メッキ偏差によって導体パターン上部が過メッキされて微細なパターン間隔を維持できずショートなどの回路不良問題が発生した。また、導体パターンと同時に引込配線がメッキされて厚くなることにより、引込配線を除去する加工段階で、加工性が低下した。のみならず、導体パターンおよび／または引込配線はバー（ｂｕｒｒ）によってなめらかでない表面を有したり、持続的に加えられる衝撃力により外観が毀損する問題が発生した。

本発明が解決しようとする課題は、不良を最小化して導体パターンの厚さを増加させることができるコイル装置を提供することにある。

本発明が解決しようとする他の課題は、不良を最小化して導体パターンの厚さを増加させることができるコイル装置の製造方法を提供することにある。

本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。

前記課題を達成するための本発明のコイル装置の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、ベース基材と、前記ベース基材上に形成され、シード領域と引込配線領域を含むシードパターンと、前記シード領域上に形成される第１導電パターンと、前記第１導電パターンの少なくとも一部に形成される第２導電パターンと、前記ベース基材、シードパターン、第１導電パターンおよび第２導電パターンのうち少なくともいずれか一つ以上と接するように形成される保護層を含み、前記引込配線領域のシードパターンはカットラインまで延びる。

ここで、前記シードパターンは、０．１μｍ～５μｍの厚さで形成され得る。

また、前記第１導電パターンの厚さｈ１と幅ａの比率は、１：１～５：１であり得る。前記第２導電パターンの幅ｂは隣接する第２導電パターンの間の間隔ｓに対して１～５０倍であり得る。前記第２導電パターンの厚さｈ２は、隣接する第２導電パターンの間の間隔ｓに対して１．０１～５０倍であり得る。

また、前記第１または第２導電パターンは第ｎ辺に沿って形成されたり前記第ｎ辺と第ｎ－１辺を連結する角領域に囲まれるように形成される第ｎパターンを含み得る。

また、前記保護層は、引込配線領域に形成される第１保護層と前記ベース基材、シードパターン、第１導電パターン、第２導電パターンおよび第１保護層のうち少なくともいずれか一つ以上と接するように引込配線領域またはシード領域に形成される第２保護層を含み得る。

前記第１保護層は、前記第１導電パターンの最も外側に配置されたパターンより外側に配置され得る。

さらに、電子装置は前述したコイル装置を含み得る。

前記他の課題を達成するための本発明のコイル装置の製造方法の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、シード層が形成されたベース基材を提供し、前記シード層上に第１導電パターンと保護層を形成し、前記第１導電パターンと前記保護層によって露出した前記シード層を除去してシードパターンを形成し、前記第１導電パターンの少なくとも一部に第２導電パターンを形成することを含み得る。

ここで、前記第１導電パターンと前記保護層を形成することは、前記シード層上に多数の部分パターンを含む第１導電パターンとダミーパターンを形成し、前記多数の部分パターンは、前記多数の部分パターンの最も外側に配置された第１部分パターンと、前記第１部分パターンより内側に配置された第２部分パターンを含み、前記ダミーパターンは前記第１部分パターンより外側に配置され、前記第１導電パターンを形成した後に、前記第１部分パターンと前記ダミーパターンの間に前記保護層を形成することを含み得る。

ここで、前記シードパターン形成後、保護層を除去する過程をさらに含み得る。

また、前記シードパターンは、前記ベース基材の角領域の少なくとも一部で露出し、前記第２導電パターンを形成することは、前記角領域に露出したシードパターンを介して電流および電圧のうち少なくとも一つを印加してメッキ方式で第２導電パターンを形成することができる。

また、前記第２導電パターン形成後、前記ベース基材、シードパターン、第１導電パターン、第２導電パターンのうち少なくとも一つ以上と接する保護層をさらに形成する過程を含み得る。

また、前記第２導電パターンを形成した後に、前記第１部分パターンと前記保護層、前記シードパターン、前記ベース基材をカットすることをさらに含み得る。

その他実施形態の具体的な内容は、詳細な説明および図面に含まれている。

本発明によれば、コイル装置の不良を最小化することができ、コイル装置内の導体パターンの厚さを増加させることができる。

本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の平面図である。 図１のＡ－Ｂに沿って切断した断面図である。 本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の平面図である。 図３のＡ－Ｂに沿って切断した断面図である。 図３のＡ－Ｂに沿って切断した断面図である。 図１～図４のベース基材を説明するための平面図である。 図１～図４のシードパターンを説明するための平面図である。 図１～図４のシードパターンを説明するための平面図である。 本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図７の各段階を説明するための平面図である。 図７の各段階を説明するための断面図である。 図７の各段階を説明するための平面図である。 図７の各段階を説明するための断面図である。 図７の各段階を説明するための平面図である。 図７の各段階を説明するための断面図である。 図７の各段階を説明するための平面図である。 図７の各段階を説明するための断面図である。 図７の各段階を説明するための平面図である。

以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下で掲示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、単に本実施形態は本発明の掲示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「上（ｏｎ）」または「の上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子を介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「すぐ上」と称する場合、中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。

空間的に相対的な用語である「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上方（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使われる。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下方（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上方（ａｂｏｖｅ）」に置かれられることができる。したがって、例示的な用語である「下」は下と上の方向をすべて含み得る。素子は他の方向にも配向されることができ、そのため空間的に相対的な用語は配向により解釈されることができる。

第１、第２などが多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これら素子、構成要素および／またはセクションはこれら用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使う。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得ることはもちろんである。

本明細書で使われた用語は実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使われる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含み（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」と言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。

特に定義しない限り、本明細書で使われるすべての用語（技術的および科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に共通して理解されることができる意味で使われる。また、一般に使われる辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。

以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたって、図面符号に関係なく同一であるか対応する構成要素は同じ参照番号を付与してこれに対する重複する説明は省略する。

図１は本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の平面図である。図２は図１のＡ－Ｂに沿って切断した一断面図である。図３は本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の平面図である。図４ａおよび図４ｂは図３のＡ－Ｂに沿って切断した断面図である。図５は図１～図４のベース基材を説明するための平面図である。図６は図１～図４のシードパターンを説明するための平面図である。

まず、図１および図２を参照すると、本発明のコイル装置１００はベース基材１０、シードパターン２０、第１導電パターン３０、保護層４０、第２導電パターン５０などを含む。

ベース基材１０はフレキシブル基板または硬性基板であり得る。例えば、ベース基材１０はポリイミド、ＰＥＴ、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、エポキシ、ガラス繊維などの材料で製造されるが、これに限定されない。以下ではベース基材１０を例示的にポリイミドフィルムであると説明する。

また、ベース基材１０はコイル装置を実現できる形状であればいかなるものでも可能である。図５に示すように、ベース基材１０は、例えば、４個の辺１１，１２，１３，１４と、４個の辺１１，１２，１３，１４を連結する４個の角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを含み、角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａは丸く面取りされた形状であり得、ベース基材１０の内側に開口部１５が形成され得る。

シードパターン２０はベース基材１０上に形成される。図２ではベース基材１０の両面に形成された場合を示すが、これに限定されない。シードパターン２０は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの伝導性金属またはこれらを含む薄膜をパターニングした形態であり得る。シードパターン２０は、例えば、０．１μｍ～５μｍの厚さで、好ましくは０．５μｍ～１．５μｍの厚さで形成され得る。シードパターン２０のこのような厚さは、後述する第１導電パターン３０および／または第２導電パターン５０が形成されるように十分な電流を印加することができ、カッティングなどの加工時発生する不良問題を抑制することができる。

また、シードパターン２０はシード領域２０ｂと引込配線領域２０ａを含む。ここで、シード領域２０ｂは第１導電パターン３０および／または第２導電パターン５０を形成する時ベースになる領域（すなわち、シード（ｓｅｅｄ）になる領域）であり、引込配線領域２０ａは第１導電パターン３０および／または第２導電パターン５０を形成する時電流の印加を受ける配線の役割をするための領域である。

第１導電パターン３０はシード領域２０ｂ上に形成される。図１では明確に示していないが、第１導電パターン３０はスパイラル形状であり得、これに限定されない。アクチュエータに十分な駆動電磁気力を形成できる形状であればいかなるものでも可能である。また、第１導電パターン３０は単数または複数で形成され得、図６ａおよび図６ｂに示す形状に限定されない。

一例として、ベース基材１０に形成されたｎ個の辺に沿って第ｎパターンが長く形成され得る（ｎ＝２以上の自然数）。すなわち、ベース基材１０が４個の辺１１，１２，１３，１４と、４個の角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを含む場合、第１導電パターン３０は４個の辺１１，１２，１３，１４に沿ってそれぞれ長く形成された第１パターン～第４パターンを含み得る。図６ａを参照すると、第１辺１１に沿って角領域１１ａ，１４ａ（すなわち、図６ａで左上および右上に配置された角領域１１ａ，１４ａ）まで長く配置されたシード領域２０ｂ上に第１パターンが形成され得る。同様に、第２辺１２に沿って角領域１１ａ，１２ａまで長く配置されたシード領域２０ｂ（すなわち、図６ａで左上および左下に配置された角領域１１ａ，１２ａ）上に第２パターンが形成され得る。同様に、第３辺１３に沿って長く第３パターンが形成され、第４辺１４に沿って長く第４パターンが形成され得る。

また他の例として、ベース基材１０の第ｎ辺と第ｎ－１辺（ｎ＝２以上の自然数）により形成された角領域によって囲まれるように第ｎパターンが形成され得る。図６ｂを参照すると、第１辺と第２辺によって形成された角領域１１ａの形状と類似のプロファイルで第１パターンが形成され得る。同様に第２辺と第３辺によって形成された角領域１２ａの形状と類似のプロファイルで第２パターンが形成され得、角領域１３ａ，１４ａにもそれぞれ第３，第４パターンが形成され得る。

または、図面に示していないが、曲率を有する円形や楕円形などの形状のベース基材に単数または複数の第１導電パターン３０および／または第２導電パターン５０が形成され得る。

一方、第１導電パターン３０は多数の部分パターン３０ａ，３０ｂを含む。図２に示すように、図面符号３０ａは最外側に配置された第１部分パターンを意味し、図面符号３０ｂは第１部分パターンより内側に配置された第２部分パターンを意味する。

第１導電パターン３０の厚さｈ１と幅ａの比率は１：１～１０：１であり得る。より詳細には、最外側の第１部分パターン３０ａを除いた内側の第１導電パターン３０ｂの場合、３：１～５：１であり得る。最外側の第１部分パターン３０ａはベース基材１０のカットラインＣＬと最も近い第１部分パターン３０ａを意味する。内側の第１導電パターン３０ｂは最外側の第１部分パターン３０ａより内側に配置されたパターンを意味する。このような比率は後述する第２導電パターン５０が第１導電パターン３０と類似のプロファイルで形成されながらも、隣接する第２導電パターン５０の間の間隔を最小化できる最適な比率に該当する。

保護層４０は第１導電パターン３０とは相異する物質で構成され、例えば絶縁性物質として感光性樹脂、ソルダレジストなどであり得る。また、保護層４０は前記シードパターン２０、より詳細には引込配線領域のシードパターン２０ａを保護する第１保護層４０ａとベース基材１０、シードパターン２０、第１導電パターン３０、第１保護層４０ａおよび後述する第２導電パターン５０の少なくとも一つと接するように引込配線領域またはシード領域に形成されて保護する第２保護層４０ｂを含んでなる。

前記第１保護層４０ａは図４ａに示すように、第１導電パターン３０の側壁の少なくとも一部をカバーする。また、第１保護層４０ａは第１導電パターン３０の最も外側に配置されたパターン（例、図４ａの最も右側の第２部分パターン３０ａ）より外側に配置され得、第２部分パターン３０ａと同じであるかさらに高く形成されることもできる。

または、図４ｂに示すように、第１保護層４０ａは第２部分パターン３０ａより低く形成されることもできる。このような場合、第２部分パターン３０ａの側壁（第１保護層４０ａに近い側壁）が露出し、第２部分パターン３０ａの第１保護層４０ａに近い側壁にも第２導電パターン５０が形成され得る。

また、図３に示すように第１導電パターン３０が形成される場合、第１保護層４０ａは角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ上に、第１パターン～第４パターンの外側に形成され得る。したがって、第１保護層４０ａは図６のベース基材１０の左上、右上、左下、右下の角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに形成され得る。

後述するが、シード層は第１導電パターン３０を形成した後に、第１導電パターン３０間の絶縁のために、第１導電パターン３０の間に露出するシード層を除去することによってシードパターン２０を形成する。しかし、本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置１００で、第１保護層４０ａを一部のシード層（すなわち、引込配線領域２０ａに対応する）上に形成することによって、第１保護層４０ａの下のシード層を除去しない。除去されていないシード層は第２導電パターン５０形成時引込配線（または引込パッド）として使われる。また、第１保護層４０ａによって電流が印加される引込配線は第２導電パターン５０形成時共にメッキされないことにより、引込配線の厚さは増加せず、一定に維持される。

一方、前記第１保護層４０ａは第２導電パターン５０形成後、選択的に除去され得る。第１保護層４０ａが除去されても第２保護層４０ｂにより引込配線領域のシードパターン２０ｂは保護され得、かえって層間区分なしで保護層４０が最終製品に形成されるので耐久性が向上し、表面の凹凸を最小化することができる。

第２導電パターン５０は、第１保護層４０ａによって露出する第１導電パターン３０の側壁と、第１導電パターン３０の上面の少なくとも一部に形成される。また、第２導電パターン５０はシードパターン２０の側壁または第１保護層４０ａ上面の少なくとも一部にも形成され得る。図面に示すように、第２導電パターン５０はシードパターン２０の側壁、第１導電パターン３０の側壁および上面に沿って形成され得る。ベース基材１０の角領域の少なくとも一部に形成されたシードパターン２０を介して電流および電圧の少なくとも一つの印加を受け、メッキ方式で第２導電パターン５０が形成され得る。

図面に示すように、第２導電パターン５０は第１導電パターン３０面積に対して拡張された面積で形成され得る。ここで、第２導電パターン５０の面積は第１導電パターン３０の面積を含むことを意味する。また、第２導電パターン５０の幅ｂは隣接する第２導電パターン５０の間の間隔ｓに対して１～５０倍で形成され、好ましくは５倍～１５倍であり得る。また、第２導電パターン５０の厚さｈ２は隣接する第２導電パターン５０の間の間隔ｓに対して１．０１～５０倍で形成され、好ましくは５倍～２０倍であり得る。すなわち、本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置では、従来技術に比べて導電パターンの幅および厚さがすべて拡張され得る。また、導電パターンの間の間隔は縮小されて小型化が可能である。結果的に、小型化および高集積化が可能ながらも高い電磁気力を実現することができる。また、第２導電パターン５０の幅ｂ範囲および厚さｈ２範囲に対して、間隔ｓを基準に説明した理由は、間隔ｓが隣接する第２導電パターン５０間のショートを防止したり、または磁場形成を妨げずコイルのＴｕｒｎ数を増加させるにあたって、幅ｂや厚さｈ２ほど重要に考慮されるべき条件であるからである。

保護層４０とシードパターン２０はカットラインＣＬまで延びる。すなわち、カットラインＣＬが形成された面に、保護層４０とシードパターン２０が露出し得る。

言い換えると、保護層４０のカットラインＣＬとシードパターン２０のカットラインＣＬは連結される。同様にシードパターン２０のカットラインＣＬとベース基材１０のカットラインＣＬは連結される。後述するが、カッティング工程によって保護層４０、シードパターン２０およびベース基材１０を同時にカッティングするため、カットラインＣＬが互いに連結され得る。ここで、カットラインＣＬはコイル装置（最終製品）の外周面に該当する。もちろん、設計によっては、一度のカッティング工程でなく、複数回または異なる種類のカッティング工程が利用されることができる。このような場合、保護層４０、シードパターン２０およびベース基材１０のカットラインＣＬは互いに連結されなくてもよい。

また、前述したように、保護層４０が最外側の第１部分パターン３０ａの外側に形成されることにより保護層４０の下部に形成されたシードパターン２０もカットラインＣＬまで延びる。すなわち、カッティング工程によってカッティングされる導電性物質の厚さは、シードパターン２０の厚さに該当する。従来のコイル装置に比べて、カッティング工程によって切断されるべき導電性物質の厚さが顕著に薄い。したがって、加工が容易で、カッティング断面に形成されるバー（Ｂｕｒｒ）または回路接続不良などの問題を解消することができる。また、保護層４０は好ましくは第１保護層４０ａが最外側の第１部分パターン３０ａの内側に形成されると、下部に形成されたシードパターン２０によりショートなどの回路不良を引き起こされ得る。したがって、本発明のいくつかの実施形態で、保護層４０は最外側の第１部分パターン３０ａの外側に形成される。

一方、保護層４０の形状は第１導電パターン３０と同一であるか屈曲がある上面に形成されるなど工法により多様に形成されるので、図面に示す形状に限定されない。

整理すると、保護層４０はベース基材１０の少なくとも一面の単数または複数の領域に部分的に形成されることができる。すなわち、部分的に形成された保護層４０の下部に形成されたシードパターン２０により、第２導電パターン５０を形成しながらも、あらかじめ形成された第１導電パターン３０間の絶縁性を確保することができる。より具体的には、保護層４０のカットラインＣＬがベース基材１０のカットラインＣＬと連結されるように保護層４０が形成されることによって、シードパターン２０がカットラインＣＬまで延びて外部電流の印加を受けることができる。さらに具体的には、スパイラル形状の第１導電パターン３０が形成されていないベース基材１０の角領域に対して保護層４０がシート状に形成されることによって、従来の別に形成されたバー（Ｂａｒ）形状の引込線とは異なり、カットラインＣＬと接する面積が広くなるだけでなく、厚さも薄くなった引込配線領域のシードパターン２０を介して第１導電パターン３０により効率的に電流を印加することができる。

本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置は電子装置に適用することができる。電子装置は振動モータ、アンテナ、発電機、フィルタ、インダクタ、磁気ディスク、カメラモジュールであり得るが、これに限定されない。

以下で、図７ないし図１６を利用して本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の製造方法を説明する。

図７は本発明のいくつかの実施形態によるコイル装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図８、図１０、図１２、図１４および図１６は図７の各段階を説明するための平面図である。図９、図１１、図１３および図１５は図７の各段階を説明するための断面図である。以下では説明の便宜上でＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｌａｔｉｎｇ）方式に基づいて説明するが、これに限定されない。以下、説明の便宜上、図１ないし図６を利用して説明した内容は省略する。

図８および図９を参照すると、シード層２０ｃが形成されたベース基材１０を提供する（図７のＳ２１０参照）。図面に示すように、ベース基材１０上にシード層２０ｃを接着、無電解または電解メッキおよび蒸着などの方式で形成されることができる。または、シード層２０ｃが一面または両面にあらかじめ形成されたベース基材１０を使ってもよい。

引き続き、シード層２０ｃ上に第１導電パターン３０と保護層４０を形成する（図７のＳ２２０参照）。具体的には図８および図９に示すように、シード層２０ｃ上に第１導電パターン３０を形成する（図７のＳ２２１参照）。シード層２０ｃを引込配線としてＳＡＰ、エッチングなどの工法で第１導電パターン３０を形成することができ、これに限定されるものではない。また、第１導電パターン３０は磁気力の提供が可能なスパイラル形状であり得、必要に応じて多様な形状に形成されることができる。さらに、第１導電パターン３０形成時、より正確なパターン形成のためのダミーパターン９０，９１を追加的に形成することができる。ダミーパターン９１は、例えば、四角形形状であり、ダミーパターン９０は例えば、円形形状であり得る。第１導電パターン３０はダミーパターン９０とダミーパターン９１の間に形成され得る。図面に示していないが、パターンの位置整列、補強、放熱などの効果の実現のための認識パターン、補強パターン、放熱パターンなどが形成されることができる。

例示的に、第１導電パターン３０は第１パターン～第４パターンを含み、第１パターン～第４パターンそれぞれはベース基材１０の４個の辺に沿って長く形成されることができる。

図９は、図８でスパイラル形状の第１導電パターン３０をＡ－Ｂ方向に切断した断面を図示している。第１導電パターン３０は多数の部分パターン３０ａ，３０ｂを含む。第１部分パターン３０ａは多数の部分パターン３０ａ，３０ｂの最も外側に配置され、第２部分パターン３０ｂは第１部分パターン３０ａより内側に配置され得る。また、ダミーパターン９１は第１部分パターン３０ａの外側に配置され得る。

また、図１０および図１１に示すように、第１導電パターン３０の間の領域の一部に保護層、すなわち第１保護層４０ａを形成する（図７のＳ２２２参照）。具体的には、第１保護層４０ａは第１導電パターン３０より外側に配置される。言い換えると、第１保護層４０ａは第１導電パターン３０の最も外側に配置されたパターンより外側に配置され得る。前述したように、第１導電パターン３０の外側にダミーパターン９１が配置されている場合には、第１導電パターン３０とダミーパターン９１の間の領域に形成され得る。すなわち、第１部分パターン３０ａとダミーパターン９１の間に第１保護層４０ａが形成され得る。また、ダミーパターン９１の外側にも第１保護層４０ａが形成され得る。

第１保護層４０ａの厚さは、図１１では第１部分パターン３０ａの厚さよりさらに厚い場合を示しているが、これに限定されない。第１保護層４０ａの厚さは、設計によって異なってもよい。例えば、第１保護層４０ａは第１導電パターン３０の厚さよりさらに薄く形成されて前記第１導電パターン３０上面を覆わなくてもよい。

さらに具体的には、図８に示すように、第１保護層４０ａは、角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ上に、第１導電パターン３０の第１パターン～第４パターンの外側に形成され得る。すなわち、第１保護層４０ａは図８のベース基材１０の左上、右上、左下、右下の角領域１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに形成され得る。

第１保護層４０ａはスクリーン印刷、フィルムラミネーション、フォトリソグラフィーなどの方法が利用されるが、これに限定されない。例えば、第１導電パターン３０上にフォトリソグラフィー方式で第１保護層４０ａを第１部分パターン３０ａとダミーパターン９１の間に残すことができる。他の方式で、コイルが形成された基板に部分的に第１保護層（すなわち、レジスト）を印刷方式で塗布することができる。この時、角領域にのみ塗布されるようにレジスト粘度などを調節することができる。

引き続き、第１導電パターン３０と第１保護層４０ａにより露出したシード層２０ｃを除去し、シードパターン２０ｄを形成する（図７のＳ２３０参照）。

具体的には、図１１および図１２に示すように、第１導電パターン３０とダミーパターン９１の間のシード層２０ｃは第１保護層４０ａによりカバーされるので、除去されない。反面、第１部分パターン３０ａと第２部分パターン３０ｂの間のシード層２０ｃは露出しているので、露出したシード層２０ｃが除去されてシードパターン２０ｄが完成される。除去方法は湿式エッチング、乾式エッチングなど多様に適用することができ、特定の方法に限定されない。

さらに、シードパターン２０形成後、第１保護層４０ａは選択的に除去され得、特定の方法に限定されず適用される。シードパターン２０と第１保護層４０ａを構成する物質が相異するため第１保護層４０ａの除去時シードパターン２０に対する損傷が少ないこともあるが、選択的にマスキングなどの方法を採択して適用することもできる。また、後述する第２保護層４０ｂによりシードパターン２０は持続的な保護が可能である。

引き続き、第１導電パターン３０の側壁と、第１導電パターン３０の上面の少なくとも一部に第２導電パターン５０を形成する（図７のＳ２４０参照）。

具体的には、図１３および図１４に示すように、シードパターン２０ｄの側壁、第１導電パターン３０の側壁／上面に沿って第２導電パターン５０を形成する。シードパターン２０ｄはベース基材１０の角領域の少なくとも一部で露出する。第２導電パターン５０を形成する時、角領域に露出したシードパターン２０ｄを介して電流を印加してメッキ方式で第２導電パターン５０を形成することができる。すなわち、角領域に露出したシードパターン２０ｄが電流の引込配線の役割をする。メッキ時間、電流密度などのメッキ条件を調節して第２導電パターン５０の厚さおよび形状を調節することができる。

引き続き、ベース基材１０、シードパターン２０ｄ、第１導電パターン３０、第１保護層４０ａおよび第２導電パターン５０の少なくとも一つを覆うように第２保護層４０ｂを形成する。引き続き、カッティング工程を行って図１ないし図４に示すコイル装置が完成される（図７のＳ２５０参照）。

具体的には、図１６に示すカットラインＣＬ，ＣＬ２に沿ってカッティング工程を行い、最終構造物で不要なダミーパターン９０，９１を除去する。すなわち、第２導電パターン５０を形成した後に、第１部分パターン３０ａとダミーパターン９１の間に配置される第１保護層４０ａ、シードパターン２０ｄ、ベース基材１０をカッティングし、外側のダミーパターン９１を除去する。また、内側のダミーパターン９０も除去する。カッティング工程によって、カットラインＣＬ，ＣＬ２が形成される。このようなカッティング工程によって、図１および図２に示すように、保護層４０とシードパターン２０はカットラインＣＬまで延びる。すなわち、カットラインＣＬが形成された面に、保護層４０とシードパターン２０が露出し得る。保護層４０のカットラインＣＬとシードパターン２０のカットラインＣＬは互いに連結され、シードパターン２０のカットラインＣＬとベース基材１０のカットラインＣＬは互いに連結される。

以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

本発明は振動モータ、アンテナ、発電機、フィルタ、インダクタ、磁気ディスク、カメラモジュールなど多様な分野に活用されるコイル装置に適用することができる。

Claims (15)

1. ベース基材と、
   前記ベース基材上に形成され、シード領域と引込配線領域を含むシードパターンと、
   前記シード領域上に形成される第１導電パターンと、
   前記第１導電パターンの少なくとも一部に形成される第２導電パターンと、
   前記ベース基材、シードパターン、第１導電パターンおよび第２導電パターンのうち少なくともいずれか一つ以上と接するように形成される保護層とを含み、
   前記引込配線領域のシードパターンはカットラインまで延びる、コイル装置。
2. 前記シードパターンは、０．１μｍ～５μｍの厚さで形成される、請求項１に記載のコイル装置。
3. 前記第１導電パターンの厚さｈ１と幅ａの比率は、１：１～５：１である、請求項１に記載のコイル装置。
4. 前記第２導電パターンの幅ｂは、隣接する第２導電パターンの間の間隔ｓに対して１～５０倍である、請求項１に記載のコイル装置。
5. 前記第２導電パターンの厚さｈ２は、隣接する第２導電パターンの間の間隔ｓに対して１．０１～５０倍である、請求項１または４に記載のコイル装置。
6. 前記第１または第２導電パターンは、第ｎ辺に沿って形成されたり前記第ｎ辺と第ｎ－１辺を連結する角領域に囲まれるように形成される第ｎパターンを含む、請求項１に記載のコイル装置。
7. 前記保護層は、引込配線領域に形成される第１保護層と前記ベース基材、シードパターン、第１導電パターン、第２導電パターンおよび第１保護層のうち少なくともいずれか一つ以上と接するように引込配線領域またはシード領域に形成される第２保護層を含む、請求項１に記載のコイル装置。
8. 前記第１保護層は、前記第１導電パターンの最も外側に配置されたパターンより外側に配置される、請求項７に記載のコイル装置。
9. 請求項１に記載のコイル装置を含む、電子装置。
10. シード層が形成されたベース基材を提供し、
    前記シード層上に第１導電パターンと保護層を形成し、
    前記第１導電パターンと前記保護層によって露出した前記シード層を除去してシードパターンを形成し、
    前記第１導電パターンの少なくとも一部に第２導電パターンを形成することを含み、
    前記シードパターンは前記ベース基材上に形成され、シード領域と引込配線領域を含み、かつ前記引込配線領域の前記シードパターンはカットラインまで延びている、コイル装置の製造方法。
11. 前記第１導電パターンと前記保護層を形成することは、
    前記シード層上に多数の部分パターンを含む第１導電パターンとダミーパターンを形成し、前記多数の部分パターンは、前記多数の部分パターンの最も外側に配置された第１部分パターンと、前記第１部分パターンより内側に配置された第２部分パターンを含み、前記ダミーパターンは前記第１部分パターンより外側に配置され、
    前記第１導電パターンを形成した後に、前記第１部分パターンと前記ダミーパターンの間に前記保護層を形成することを含む、請求項１０に記載のコイル装置の製造方法。
12. 前記シードパターン形成後、保護層を除去する過程をさらに含む、請求項１０に記載のコイル装置の製造方法。
13. 前記シードパターンは、前記ベース基材の角領域の少なくとも一部で露出し、
    前記第２導電パターンを形成することは、前記角領域に露出したシードパターンを介して電流および電圧のうち少なくとも一つを印加してメッキ方式で第２導電パターンを形成する、請求項１０または１１に記載のコイル装置の製造方法。
14. 前記第２導電パターン形成後、前記ベース基材、シードパターン、第１導電パターン、第２導電パターンのうち少なくとも一つ以上と接する保護層をさらに形成する過程を含む、請求項１０に記載のコイル装置の製造方法。
15. 前記第２導電パターンを形成した後に、前記第１部分パターンと前記保護層、前記シードパターン、前記ベース基材をカットすることをさらに含む、請求項１１に記載のコイル装置の製造方法。

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