TWI693615B - 線圈裝置及其製造方法 - Google Patents

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申秀貞
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Abstract

本發明提供一種能夠最小化不良，並增加導體圖案的厚度的線圈裝置。所述線圈裝置包括：基材；晶種圖案，在所述基材上形成，包括晶種區域和引入電路區域；第一導電圖案，在所述晶種區域形成；第二導電圖案，在所述第一導電圖案的至少一部分形成；及保護層，與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案及第二導電圖案中的至少一個以上相接，並且，所述引入電路區域的晶種圖案延伸至剖切線。

Description

線圈裝置及其製造方法
本發明係有關於一種線圈裝置及其製造方法。
誘導或促進電磁力的線圈裝置運用於振動馬達、天線、發電機、篩檢程式、電感器、磁片、相機模組等各種領域。其中，在相機模組領域中線圈裝置例如適用於在光學防手震(OIS；Optical Image Stabilizer)方式中的圖像感測器或機構性地調整光學鏡頭的位置或角度的制動器。並且，搭載於小型移動設備的相機模組縮小至數十mm以內，從而，在相機模組安裝的制動器也正在小型化。
解決課題：
並且，為了線圈裝置的小型化，主要使用在在基板上面以螺旋形形成有導體圖案的薄膜型(thin film type)線圈裝置。最近，開發了一種為了能夠實現在基板上面形成的導體圖案的細間距(Fine Ditch)的同時確保驅動制動器的電磁力，增加導體圖案的厚度的技術。
但，在導體圖案的電鍍技術中，為了增加厚度持續的電鍍時間越長，無法維持圖案的一定形狀，並且，因電鍍偏差，使得導體圖案的上部被過電鍍，而無法維持微細的圖案間隔，並發生短路等電路不良問題。並且，與導體圖案一同電鍍引入電路而使得厚度增加，因此，在去除引入電路的加工步驟中降低了加工性。並且，導體圖案及/或引入電路因毛邊(burr)形成不平滑的表面，或因持續的衝擊力，發生外觀損毀的問題。
本發明要解決的技術問題是最小化不良並能夠增加導體圖案的厚度的線圈裝置。
本發明要解決的技術問題是最小化不良並能夠增加導體圖案的厚度的線圈裝置的製造方法。
本發明要解決的技術問題並非限定於以上說明的問題，本發明的技術領域的普通技術人員應當明確理解未說明的其他技術問題。
本發明的技術方案在於：
用於解決上述問題，本發明的線圈裝置的一實施例(aspect)，包括：基材；晶種圖案，在所述基材上形成，包括晶種區域和引入電路區域；第一導電圖案，在所述晶種區域形成；第二導電圖案，在所述第一導電圖案的至少一部分形成；及保護層，與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案及第二導電圖案中的至少一個以上相接，並且，所述引入電路區域的晶種圖案延伸至剖切線。
在此，所述晶種圖案以0.1μm~5μm的厚度形成。
並且，所述第一導電圖案的厚度(h1)與寬幅(a)的比率為1：1至5：1。所述第二導電圖案的寬幅(b)相比與鄰接的第二導電圖案之間的間隔(s)為1至50倍。所述第二導電圖案的厚度(h2)相比與鄰接的第二導電圖案之間的間隔(s)為1.01至50倍。
並且，所述第一或第二導電圖案包括第n圖案，該第n圖案沿著第n邊形成，或被連接所述第n邊與第n-1邊的棱角區域包裹而形成。
並且，所述保護層包括：第一保護層，在引入電路區域形成；第二保護層，在引入電路區域或晶種區域形成，與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案、第二導電圖案及第一保護層中的至少一個以上相接。
並且，所述第一保護層配置在所述第一導電圖案中在最外側配置的圖案的更外側。
並且，電子裝置包括上述的線圈裝置。
用於解決上述其他問題，本發明的線圈裝置的製造方法的一實施例(aspect)，包括如下步驟：提供形成有晶種層的基材；在所述晶種層上形成第一導電圖案和保護層；去除籍由所述第一導電圖案和所述保護層裸露的所述晶種層，而形成晶種圖案；在所述第一導電圖案的至少一部分形成第二導電圖案。
在此，形成所述第一導電圖案和所述保護層包括如下步驟：在所述晶種層上形成包括多個部分圖案的第一導電圖案和虛擬圖案，所述多個部分圖案包括在所述多個部分圖案中配置在最外側的第一部分圖案和配置在所述第一部分圖案的更內側的第二部分圖案，所述虛擬圖案配置在所述第一部分圖案的更外側，在形成所述第一導電圖案後，在所述第一部分圖案與所述虛擬圖案之間形成所述保護層。
在此，還包括如下步驟：形成所述晶種圖案後去除保護層。
並且，所述晶種圖案在所述基材的棱角區域的至少一部分裸露，並且，籍由如下方式形成所述第二導電圖案，即籍由在所述棱角區域裸露的晶種圖案供應電流及電壓中的至少一個，以電鍍方式形成第二導電圖案。
並且，包括如下步驟：形成所述第二導電圖案後，還形成與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案、第二導電圖案中的至少一個以上相接的保護層。
並且，還包括如下步驟：形成所述第二導電圖案後，切割所述第一部分圖案和所述保護層、所述晶種圖案、所述基材。
其他實施例的詳細的事項包含於詳細的說明和附圖中。
10:基材
11:邊
11a:棱角區域
12:邊
12a:棱角區域
13:邊
13a:棱角區域
14:邊
14a:棱角區域
15:開口部
20:晶種圖案
20a:引入電路區域
20b:晶種區域
20c:晶種層
20d:晶種圖案
30:第一導電圖案
30a:部分圖案
30b:部分圖案
40:保護層
40a:第一保護層
40b:第二保護層
50:第二導電圖案
90:虛擬圖案
91:虛擬圖案
100:線圈裝置
a:寬幅
A-B:截斷
b:寬幅
CL:剖切線
CL2:剖切線
h1:厚度
h2:厚度
s:間隔
S210:步驟
S220:步驟
S221:步驟
S222:步驟
S230:步驟
S240:步驟
S250:步驟
圖1為根據本發明的幾個實施例的線圈裝置的平面圖；圖2為沿著圖1的A-B截斷的截面圖；圖3為根據本發明的幾個實施例的線圈裝置的平面圖；圖4a及圖4b為沿著圖3的A-B截斷的截面圖；圖5為用於說明圖1至圖4的基材的平面圖；圖6a及圖6b為用於說明圖1至圖4的晶種圖案的平面圖；圖7為用於說明根據本發明的幾個實施例的線圈裝置的製造方法的順序圖；圖8,圖10,圖12,圖14及圖16為用於說明圖7的各個步驟的平面圖；圖9,圖11,圖13,圖15為用於說明圖7的各個步驟的截面圖。
以下，參照附圖詳細說明本發明的較佳實施例。參照與附圖一同詳細說明的實施例將使得本發明的益處、特徵和達成其的方法更加明確。但，本發明並非限定於以下公開的實施例，可以各種不同的各種形態實施，本實施 例只是為了使得本發明的公開更加完整，並向本發明的技術領域的普通技術人員告知本發明的範疇而提供，本發明只籍由申請專利範圍的範疇而被定義。在整篇說明書中相同的參照符號指稱相同構成要素。
指稱為元件(elements)或層在不同層的元件或層的"上面(on)"或"上(on)"是包括不同的元件或層的直接上面及在中間介入其他層或其他元件的所有情況。相反，元件被指稱為"直接上方(directlyon)"或"直接上"是指中間未介入其他元件或層。
空間上相對的術語"下面(below)"、"在下方(beneath)"、"下面(lower)"、"上面(above)"、"上部(upper)"等是如圖所示為了容易地說明一個元件或構成要素與其他元件或構成要素之間的相關關係而使用。空間上相對性的術語要理解為在附圖中表示的方向之外還包括在使用時或動作時元件的相互不同的方向。例如，將附圖中表示的元件翻轉時，記述為另一元件的"下面(below)"或"在下方(beneath)"的元件可置於另一元件的"上面(above)"。從而，示例性的術語"下面"可都包括下面和上面的方向。元件也可由不同的方向配置，從而，空間上相對性的術語可根據定向而解釋。
雖然，第一、第二等是為了說明各種元件、構成要素及/或部分而使用，但，上述的元件、構成要素及/或部分並非限定於上述術語。這些術語是為了將一個元件、構成要素或部分與其他元件、構成要素或部分進行區分而使用。因此，以下言及的第一元件、第一構成要素或第一部分在本發明的技術思想內也可為第二元件、第二構成要素或第二部分。
本說明書中使用的術語是為了說明實施例，而非為了限制本發明。只要未特別言及，在本說明書中單數型包括複數型。說明書中使用的"包括(comprises)"及/或"包括的(comprising)"意味著言及的構成要素、步驟、動作及/或元件並不排除一個以上的其他構成要素、步驟、動作及/或元件的存在或附加。
如果沒有其他定義，本說明書中使用的所有術語(包括技術及科學性術語)可作為本發明的技術領域的普通技術人員能夠共同理解的意義使用。並且，只要未明確地特別定義，在通常使用的詞典中定義的術語不能異常地或過度地解釋。
以下，參照附圖詳細說明本發明的實施例，參照附加的附圖進行說明時，與附圖符號無關地，相同或對應的構成要素賦予相同地參照符號，並省卻重複的說明。
圖1為根據本發明的幾個實施例的線圈裝置的平面圖；圖2為沿著圖1的A-B截斷的一截面圖；圖3為根據本發明的幾個實施例的線圈裝置的平面圖；圖4a及圖4b為沿著圖3的A-B截斷的截面圖；圖5為用於說明圖1至圖4的基材的平面圖；圖6為用於說明圖1至圖4的晶種圖案的平面圖。
參照圖1及圖2，本發明的線圈裝置100包括基材10、晶種圖案20、第一導電圖案30、保護層40、第二導電圖案50等。
基材10為軟性基板或硬性基板。例如，基材10可由聚醯亞胺、PET、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、環氧基、玻璃纖維等材料製造，但，並非限定於此。以下，以基材10為聚醯亞胺薄膜為示例說明。
並且，基材10可形成為能夠形成線圈裝置的任何形狀。如圖5所示，例如，基材10包括四個邊11,12,13,14和連接四個邊11,12,13,14的四個棱角區域11a,12a,13a,14a，並且，棱角區域11a,12a,13a,14a可為進行倒角的圓角，在基材10的內側形成有開口部15。
晶種圖案20形成於基材10上。在圖2中圖示了形成於基材10的兩面，但，並非限定於此。晶種圖案20可為Ni、Cr、Cu等導電金屬或將包括其的薄膜圖案化的形態。晶種圖案20例如以0.1μm~5μm的厚度，較佳地，以0.5μm~1.5 μm的厚度形成。晶種圖案20的上述厚度可為形成後述的第一導電圖案30及/或第二導電圖案50供應充分的電流，並抑制切割等加工時發生的不良問題。
並且，晶種圖案20包括晶種區域20b和引入電路區域20a。在此，晶種區域20b為形成第一導電圖案30及/或第二導電圖案50時成為基礎的區域(即，成為晶種(seed)的區域)，引入電路區域20a為起到形成第一導電圖案30及/或第二導電圖案50時接收供應的電流的電路作用的區域。
第一導電圖案30形成於晶種區域20b上。圖1中雖未明確圖示，第一導電圖案30可為螺旋形狀，但，並非限定於此。可為制動器形成充分的驅動電磁力的任何形狀。並且，第一導電圖案30可形成單數或複數，並非局限於圖6a及圖6b中圖示的形狀。
作為一例，沿著在基材10上形成的n個邊，較長地形成第n圖案(n=2以上的自然數)。即，如果基材10包括四個邊11,12,13,14和四個棱角區域11a,12a,13a,14a，第一導電圖案30可包括沿著四個邊11,12,13,14分別較長地形成的第一圖案至第四圖案。參照圖6a，沿著第一邊11較長地配置至棱角區域11a,14a(即，圖6a中配置在左上及右上的棱角區域11a,14a)的晶種區域20b上形成第一圖案。相同地，在沿著第二邊12較長地配置至棱角區域11a,12a的晶種區域20b(即，圖6a中配置在左上及左下的棱角區域11a,12a)上形成第二圖案。類似地，沿著第三邊13較長地形成第三圖案，沿著第四邊14較長地形成第四圖案。
作為另一示例，第n圖案被籍助於基材10的第n邊和第n-1邊(n=2以上的自然數)形成的棱角區域包裹而形成。參照圖6b，第一圖案形成類似於由第一邊和第二邊形成的棱角區域11a的形狀的輪廓。相同地，第二圖案形成類似於由第二邊和第三邊形成的棱角區域12a的形狀的輪廓，並且，在棱角區域13a,14a也分別形成第三、第四圖案。
或者，雖未圖示，具有曲率的圓形或橢圓形等形狀的基材上形成有單數或多個第一導電圖案30及/或第二導電圖案50。
並且，第一導電圖案30包括多個部分圖案30a,30b。如圖2所示，附圖符號30a是指配置在最外側的第一部分圖案，附圖符號30b是指配置在第一部分圖案的更內側的第二部分圖案。
第一導電圖案30的厚度(h1)和寬幅a的比率為1：1至10：1。更詳細地，除了最外側的第一部分圖案30a之外的內側的第一導電圖案30b為3：1至5：1。最外側的第一部分圖案30a是指與基材10的剖切線(CL)最近的第一部分圖案30a。內側的第一導電圖案30b是指配置在最外側的第一部分圖案30a的更內側的圖案。該比率是能夠使得後述的第二導電圖案50形成類似於第一導電圖案30的輪廓，並能夠最小化與鄰接的第二導電圖案50之間的間隔的最佳比率。
保護層40由與第一導電圖案30不同的物質形成，例如，可為絕緣性物質的感光性樹脂、阻焊劑等。並且，保護層40包括：用於保護所述晶種圖案20，更詳細地，保護引入電路區域的晶種圖案20a的第一保護層40a和與基材10、晶種圖案20、第一導電圖案30、第一保護層40a及後述的第二導電圖案50中至少一個接觸而形成於引入電路區域或晶種區域起到保護作用的第二保護層40b。
如圖4a所示，所述第一保護層40a覆蓋第一導電圖案30的側壁的至少一部分。並且，第一保護層40a可配置在第一導電圖案30中最外側配置的圖案(例如，圖4a的最右側的第二部分圖案30a)的更外側，也可相比第二部分圖案30a相同或更高地形成。
或者,如圖4b所示，第一保護層40a也可相比第二部分圖案30a更低地形成。此時，第二部分圖案30a的側壁(與第一保護層40a相近的側壁)裸露，而在第二部分圖案30a的與第一保護層40a相近的側壁也可形成第二導電圖案50。
並且，如圖3所示，形成有第一導電圖案30時，第一保護層40a可形成於棱角區域11a,12a,13a,14a上的第一圖案至第四圖案的外側。從而，第一保護層40a可形成於圖6的基材10的左上、右上、左下、右下的棱角區域11a,12a,13a,14a。
如在下面後述，晶種層在形成第一導電圖案30後為了與第一導電圖案30之間的絕緣，將在第一導電圖案30之間裸露的晶種層去除後形成晶種圖案20。但，根據本發明的幾個實施例的線圈裝置100中，將第一保護層40a形成於部分晶種層(即，與引入電路區域20a對應)上，並不去除第一保護層40a下面的晶種層。未去除的晶種層要在形成第二導電圖案50時作為引入電路(或引入板)使用。並且，因第一保護層40a，被供應電流的引入電路在形成第二導電圖案50時並不一同電鍍，從而，並不增加引入電路的厚度而能夠維持一定的厚度。
並且，在形成第二導電圖案50後可選擇性能地去除所述第一保護層40a。即使去除第一保護層40a，可籍由第二保護層40b保護引入電路區域的晶種圖案20b，反而無層間區分地在最終產品上形成有保護層40，而提高耐久性，最小化表面的凹凸。
第二導電圖案50形成於籍由第一保護層40a裸露的第一導電圖案30的側壁和第一導電圖案30的上面中的至少一部分。並且，第二導電圖案50還可形成於晶種圖案20的側壁或第一保護層40a上面中的至少一部分。如圖所示，第二導電圖案50可沿著晶種圖案20的側壁、第一導電圖案30的側壁及上面形成。籍由形成於基材10的棱角區域的至少一部分的晶種圖案20接收電流及電壓中的至少一個，以電鍍方式形成第二導電圖案50。
如圖所示，第二導電圖案50形成相比第一導電圖案30的面積擴張的面積。在此，第二導電圖案50的面積是指包括第一導電圖案30的面積。並且，第二導電圖案50的寬幅(b)相比鄰接的第二導電圖案50之間的間隔(s)以1至50倍 形成，較佳地，為5倍至15倍。並且，第二導電圖案50的厚度(h2)相比鄰接的第二導電圖案50之間的間隔(s)以1.01至50倍形成，較佳地，為5倍至20倍。即，相比現有技術，本發明的幾個實施例的線圈裝置的導電圖案的寬幅及厚度都被擴大。並且，導電圖案之間的間隔被縮小而可形成小型化。從而，能夠實現小型化和高度整合，同時形成較高的電磁力。並且，關於第二導電圖案50的寬幅(b)範圍及厚度(h2)範圍，以間隔(s)為基準進行說明是因為，間隔(s)是用於防止鄰接的第二導電圖案50之間的短路或不妨礙形成磁場的同時增加線圈的Turn數時如同寬幅(b)或厚度(h2)重要的條件。
保護層40和晶種圖案20可延伸至剖切線(CL)。即，在形成剖切線(CL)的一面裸露保護層40和晶種圖案20。
換而言之，保護層40的剖切線(CL)與晶種圖案20的剖切線(CL)連接。相同地，晶種圖案20的剖切線(CL)與基材10的剖切線(CL)連接。如同後述，籍由切割技術將保護層40、晶種圖案20及基材10同時切割，而使得剖切線(CL)相互連接。在此，剖切線(CL)可相當於線圈裝置(最終產品)的外周面。不言而喻，根據設計不僅可進行一次切割技術，也可進行數次或其他種類的切割技術。此時，保護層40、晶種圖案20及基材10的剖切線(CL)也可未相互連接。
並且，如上述說明，保護層40形成於最外側的第一部分圖案30a的外側，從而，在保護層40的下部形成的晶種圖案20也延伸至剖切線(CL)。即，籍助於切割技術被切割的導電性物質的厚度相當於晶種圖案20的厚度。相比現有的線圈裝置，需要籍由切割技術而切斷的導電性物質的厚度顯著地薄。因此，容易加工，並能夠消除在切割截面形成的毛邊(Burr)或電路接觸不良等問題。並且，如果保護層40，較佳地，第一保護層40a形成於最外側的第一部分圖案30a的內側，在下部形成的晶種圖案20可引發短路等電路不良。因此，在本發明的幾個實施例中，保護層40形成於最外側的第一部分圖案30a的外側。
並且，保護層40的形狀與第一導電圖案30相同，或籍由在有曲折的上面形成等技術不同地形成，因此，並非局限於附圖中圖示的形狀。
整理上面的內容，保護層40可在基材10的至少一面的單數或多個區域的一部分形成。即，籍由在一部分形成的保護層40的下部形成的晶種圖案20，即可形成第二導電圖案50，還可確保預先形成的第一導電圖案30之間的絕緣性。更詳細地，保護層40的剖切線(CL)與基材10的剖切線(CL)連接地形成保護層40，從而，晶種圖案20延伸至剖切線(CL)，而接收外部電流。更詳細地，在未形成有螺旋形狀的第一導電圖案30的基材10的棱角區域，保護層40形成薄板形態，從而，不同於以往的單獨形成的條(Bar)形狀的引入線，籍助於不僅與剖切線(CL)相接的面積增大且厚度也變薄的引入電路區域的晶種圖案20，更加有效地向第一導電圖案30供應電流。
根據本發明的幾個實施例的線圈裝置可適用於電子裝置。電子裝置可為振動馬達、天線、發電機、篩檢程式、電感器、磁片、相機模組，但，並非限定於此。
以下籍由圖7至圖16說明根據本發明的幾個實施例的線圈裝置的製造方法。
圖7為用於說明本發明的幾個實施例的線圈裝置的製造方法的順序圖。圖8,圖10,圖12,圖14及圖16為用於說明圖7的各個步驟的平面圖；圖9,圖11,圖13及圖15為用於說明圖7的各個步驟的截面圖。以下，為了便於說明，以SAP(Semi Additive Plating)方式為基礎進行說明，但，並非限定於此。以下，為了便於說明，省卻利用圖1至圖6進行的說明。
參照圖8及圖9，提供形成晶種層20c的基材10(參照圖7的S210)。如圖所示，在基材10上籍由以黏合、無電鍍或電鍍及蒸鍍等方式形成晶種層20c。或者，也可使用在一面或兩面預先形成有晶種層20c的基材10。
然後，在晶種層20c上形成第一導電圖案30和保護層40(參照圖7的S220)。詳細地，如圖8及圖9所示，在晶種層20c上形成第一導電圖案30(參照圖7的S221)。可將晶種層20c作為引入電路，籍由SAP、蝕刻等技術形成第一導電圖案30，但，並非限定於此。並且，第一導電圖案30為提供磁力的螺旋形狀，並根據需要形成各種形狀。並且，在形成第一導電圖案30時，為了形成更準確的圖案，可附加形成虛擬圖案90,91。虛擬圖案91可例如為四角形形狀，虛擬圖案90可例如為圓形形狀。第一導電圖案30可形成於虛擬圖案90與虛擬圖案91之間。雖未圖示，可形成有用於獲得圖案的位置整列、加強、防熱等效果的識別圖案、加強圖案、防熱圖案等。
作為示例，第一導電圖案30包括第一圖案至第四圖案，第一圖案至第四圖案分別沿著基材10的四個邊較長地形成。
圖9表示在圖8中將螺旋形狀的第一導電圖案30沿著A-B方向切斷的截面。第一導電圖案30包括多個部分圖案30a,30b。第一部分圖案30a配置在多個部分圖案30a,30b中最外側，第二部分圖案30b可配置在第一部分圖案30a的內側。並且，虛擬圖案91可配置在第一部分圖案30a的外側。
並且，如圖10及圖11所示，在第一導電圖案30之間的一部分區域形成保護層，即第一保護層40a(參照圖7的S222)。更詳細地，第一保護層40a配置在第一導電圖案30的外側。換而言之，第一保護層40a配置在第一導電圖案30中在最外側配置的圖案的更外側。如上述地，在第一導電圖案30的外側配置有虛擬圖案91時，形成於第一導電圖案30與虛擬圖案91之間的區域。即，在第一部分圖案30a與虛擬圖案91之間形成有第一保護層40a。並且，在虛擬圖案91的外側也可形成有第一保護層40a。
在圖11中圖示了第一保護層40a的厚度相比第一部分圖案30a的厚度更厚，但，並非限定於此。第一保護層40a的厚度可根據設計而不同。例如， 第一保護層40a可相比第一導電圖案30的厚度更薄地形成，而未覆蓋所述第一導電圖案30上面。
更詳細地，如圖8所示，第一保護層40a可在棱角區域11a,12a,13a,14a上第一導電圖案30的第一圖案至第四圖案的外側形成。即，第一保護層40a可形成於圖8的基材10的左上、右上、左下、右下的棱角區域11a,12a,13a,14a。
第一保護層40a可適用絲網印刷、薄膜層合、光刻等方法，但，並非限定於此。例如，在第一導電圖案30籍由光刻方式將第一保護層40a留存於第一部分圖案30a與虛擬圖案91之間。作為另一種方式，在形成有線圈的基板上的一部分籍由印刷方式電鍍第一保護層即，抗蝕劑。此時，為了只在棱角區域電鍍，可調整抗蝕劑黏度等。
然後，去除籍由第一導電圖案30和第一保護層40a露出的晶種層20c，形成晶種圖案20d(參照圖7的S230)。
詳細地，如圖11及圖12所示，第一導電圖案30和虛擬圖案91之間的晶種層20c被第一保護層40a覆蓋，因此，不去除。相反，第一部分圖案30a與第二部分圖案30b之間的晶種層20c裸露，因此，去除裸露的晶種層20c，而完成晶種圖案20d。去除方法可適用濕式蝕刻、乾式蝕刻等各種，並非限定於特定的方法。
並且，形成晶種圖案20後，可選擇性地去除第一保護層40a，適用時並非限定於特定的方法。因構成晶種圖案20和第一保護層40a的物質不同，而在去除第一保護層40a時，降低對於晶種圖案20的損傷，但，也可選擇性地適用掩蔽等方法。並且，籍助於後述的第二保護層40b，能夠持續地保護晶種圖案20。
然後，在第一導電圖案30的側壁和第一導電圖案30的上面中的至少一部分形成第二導電圖案50(參照圖7的S240)。
詳細地，如圖13及圖14所示，沿著晶種圖案20d的側壁、第一導電圖案30的側壁/上面形成第二導電圖案50。晶種圖案20d在基材10的棱角區域的至少一部分露出。在形成第二導電圖案50時，可籍由在棱角區域露出的晶種圖案20d供應電流，以電鍍方式形成第二導電圖案50。即，在棱角區域露出的晶種圖案20d起到電流的引入電路作用。可籍由調整電鍍時間、電流密度等電鍍條件，調整第二導電圖案50的厚度及形狀。
然後，覆蓋基材10、晶種圖案20d、第一導電圖案30、第一保護層40a及第二導電圖案50中的至少一個而形成第二保護層40b。然後，執行切割技術，而完成在圖1至圖4中圖示的線圈裝置(參照圖7的S250)。
詳細地，沿著在圖16中圖示的剖切線(CL,CL2)執行切割技術，去除最終結構物中的無需的虛擬圖案90,91。即，形成第二導電圖案50後，切割配置在第一部分圖案30a與虛擬圖案91之間的第一保護層40a、晶種圖案20d、基材10，而去除外側的虛擬圖案91。並且，還去除內側的虛擬圖案90。籍由切割技術形成剖切線(CL,CL2)。籍由如上述的切割技術，如圖1及圖2所示，保護層40和晶種圖案20延伸至剖切線(CL)。即，在形成有剖切線(CL)的一面，露出保護層40和晶種圖案20。保護層40的剖切線(CL)與晶種圖案20的剖切線(CL)相互連接，晶種圖案20的剖切線(CL)與基材10的剖切線(CL)相互連接。
以上參照附圖說明瞭本發明的實施例，但，本發明的技術領域的普通技術人員應當理解本發明在不變更其技術思想或必要特徵的前提下，可以其他詳細的形態實施。因此，以上記述的實施例在所有方面是示例性的，並非限定性的。
本發明的有益效果在於：提供一種能夠最小化不良，並增加導體圖案的厚度的線圈裝置。
10:基材
20:晶種圖案
20a:引入電路區域
20b:晶種區域
30:第一導電圖案
30a:部分圖案
30b:部分圖案
40b:第二保護層
50:第二導電圖案
a:寬幅
A-B:截斷
b:寬幅
CL:剖切線
h1:厚度
h2:厚度
s:間隔

Claims (15)

  1. 一種線圈裝置，其特徵在於，包括：基材；晶種圖案，在所述基材上形成，包括晶種區域和引入電路區域；第一導電圖案，在所述晶種區域形成；第二導電圖案，在所述第一導電圖案的至少一部分形成；及保護層，與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案及第二導電圖案中的至少一個以上相接，並且，所述引入電路區域的所述晶種圖案延伸至剖切線；其中，所述第一導電圖案不形成於所述引入電路區域的所述晶種圖案上。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述晶種圖案以0.1μm~5μm的厚度形成。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述第一導電圖案的厚度(h1)與寬幅(a)的比率為1：1至5：1。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述第二導電圖案的寬幅(b)相比與鄰接的第二導電圖案之間的間隔(s)為1至50倍。
  5. 根據申請專利範圍第1項或第4項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述第二導電圖案的厚度(h2)相比與鄰接的第二導電圖案之間的間隔(s)為1.01至50倍。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述第一或第二導電圖案包括第n圖案，該第n圖案沿著第n邊形成，或被連接所述第n邊與第n-1邊的棱角區域包裹而形成。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述保護層包括：第一保護層，在所述引入電路區域形成；第二保護層，在所述引入電路區域或所述晶種區域形成，與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案、第二導電圖案及第一保護層中的至少一個以上相接。
  8. 根據申請專利範圍第1項或第7項所述的線圈裝置，其特徵在於，所述第一保護層配置在所述第一導電圖案中在最外側配置的圖案的更外側。
  9. 一種包括申請專利範圍第1項所述的線圈裝置的電子裝置。
  10. 一種線圈裝置的製造方法，其特徵在於，包括如下步驟：提供形成有晶種層的基材；在所述晶種層上形成第一導電圖案和保護層；去除籍由所述第一導電圖案和所述保護層裸露的所述晶種層，而形成晶種圖案；在所述第一導電圖案的至少一部分形成第二導電圖案；其中，所述晶種圖案包括晶種區域和引入電路區域；所述引入電路區域的所述晶種圖案延伸至所述基材之剖切線；所述第一導電圖案不形成於所述引入電路區域的所述晶種圖案上。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述的線圈裝置的製造方法，其特徵在於，形成所述第一導電圖案和所述保護層包括如下步驟：在所述晶種層上形成包括多個部分圖案的所述第一導電圖案和虛擬圖案，所述多個部分圖案包括在所述多個部分圖案中配置在最外側的第一部分圖案 和配置在所述第一部分圖案的更內側的第二部分圖案，所述虛擬圖案配置在所述第一部分圖案的更外側，在形成所述第一導電圖案後，在所述第一部分圖案與所述虛擬圖案之間形成所述保護層。
  12. 根據申請專利範圍第10項所述的線圈裝置的製造方法，其特徵在於，還包括如下步驟：形成所述晶種圖案後去除所述保護層。
  13. 根據申請專利範圍第10項或第11項所述的線圈裝置的製造方法，其特徵在於，所述晶種圖案在所述基材的棱角區域的至少一部分裸露，並且，籍由如下方式形成所述第二導電圖案，即籍由在所述棱角區域裸露的所述晶種圖案供應電流及電壓中的至少一個，以電鍍方式形成所述第二導電圖案。
  14. 根據申請專利範圍第10項所述的線圈裝置的製造方法，其特徵在於，包括如下步驟：形成所述第二導電圖案後，還形成與所述基材、晶種圖案、第一導電圖案、第二導電圖案中的至少一個以上相接的所述保護層。
  15. 根據申請專利範圍第10項所述的線圈裝置的製造方法，其特徵在於，還包括如下步驟：形成所述第二導電圖案後，切割所述第一部分圖案和所述保護層、所述晶種圖案、所述基材。
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