CN112262446A - 线圈装置及其制造方法 - Google Patents

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CN112262446A CN201980039146.8A CN201980039146A CN112262446A CN 112262446 A CN112262446 A CN 112262446A CN 201980039146 A CN201980039146 A CN 201980039146A CN 112262446 A CN112262446 A CN 112262446A
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韩昌勋
金东坤
申秀贞
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Abstract

提供一种可以在将不良率最小化的同时增加导体图案的厚度的线圈装置。上述线圈装置，包括：基材；晶种图案，形成于上述基材上，包括晶种区域以及进线导线区域；第1导电图案，形成于上述晶种区域上；第2导电图案，形成于上述第1导电图案的至少一部分；以及，保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案以及第2导电图案中的至少一个以上接触的方式形成；其中，上述进线导线区域的晶种图案延长至切割线。

Description

线圈装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种线圈装置及其制造方法。
背景技术
用于感应或促进电磁力的线圈装置，广泛适用于如振动电机、天线、发电机、滤波器、电感器、磁盘、摄像头模块等多种领域。其中，在摄像头模块领域中的线圈装置，可以在如光学影像稳定器(OIS；Optical Image Stabilizer)方式中适用于对图像传感器或镜头光学系统的位置或角度进行机械性调节的执行机构中。而且，随着搭载于小型移动设备的摄像头模块缩小至几十mm以内的大小，安装在摄像头模块中的执行机构也趋于小型化。
发明内容
发明所要解决的问题
与此同时，为了实现线圈装置的小型化，主要使用在基板上侧面以螺旋形形成导体图案的薄膜型(thin film type)线圈装置。最近，为了在实现形成于基板上侧面的导体图案的微间距(Fine pitch)的同时确保可以驱动执行机构的电磁力，开发出了增加导体图案的厚度的技术。
但是，当在导体图案的电镀工程中为了增加厚度而延长电镀时间时会导致无法稳定地维持图案形状的问题，而且还会因为电镀偏差而造成导体图案上部电镀过度的现象，从而因为无法维持微细的图案间距而导致短路等电路不良的问题。此外，因为进线导线会与导体图案一起被电镀并变厚，因此会导致移除进线导线的加工步骤中的加工性的下降。不仅如此，导体图案和/或进线导线会因为毛刺(burr)而形成不光滑的表面，或因为持续施加的冲击力而导致外观损坏的问题。
本发明拟解决的课题在于提供一种可以在将不良率最小化的同时增加导体图案厚度的线圈装置。
本发明拟解决的另一课题在于提供一种可以在将不良率最小化的同时增加导体图案厚度的线圈装置的制造方法。
本发明的课题并不限定于在上述内容中提及的课题，相关从业人员将可以通过下述记载进一步明确理解未被提及的其他课题。
用于解决问题的方案
为了达成如上所述的课题，本发明的线圈装置的一方面(aspect)，包括：基材；晶种图案，形成于上述基材上，包括晶种区域以及进线导线区域；第1导电图案，形成于上述晶种区域上；第2导电图案，形成于上述第1导电图案的至少一部分；以及，保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案以及第2导电图案中的至少一个以上接触的方式形成；其中，上述进线导线区域的晶种图案延长至切割线。
其中，上述晶种图案可以以0.1μm～5μm的厚度形成。
此外，上述第1导电图案的厚度h1与宽度a的比例可以是1:1至5:1。上述第2导电图案的宽度b可以是相邻的第2导电图案之间的间隔s的1至50倍。上述第2导电图案的厚度h2可以是相邻的第2导电图案之间的间隔s的1.01至50倍。
此外，上述第1或第2导电图案，可以包括沿着第n边形成或以被连接上述第n边以及第n-1边的转角区域围绕的方式形成的第n图案。
此外，上述保护层，可以包括：第1保护层，形成于进线导线区域；以及，第2保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案、第2导电图案以及第1保护层中的至少一个以上接触的方式形成于进线导线区域或晶种区域。
上述第1保护层可以配置在上述第1导电图案中配置在最外侧的图案的外侧。
同时，电子装置可以包括如上所述的线圈装置。
为了达成如上所述的另一课题，本发明的线圈装置的制造方法的一方面(aspect)，可以包括：提供形成有晶种层的基材；在上述晶种层上形成第1导电图案以及保护层；移除通过上述第1导电图案以及上述保护层裸露的上述晶种层，从而形成晶种图案；以及，在上述第1导电图案的至少一部分形成第2导电图案。
其中，形成上述第1导电图案以及上述保护层时，可以在上述晶种层上形成包括多个部分图案的第1导电图案以及虚拟图案，上述多个部分图案可以包括配置在上述多个部分图案中的最外侧的第1部分图案以及配置在上述第1部分图案的内侧的第2部分图案，上述虚拟图案可以配置在上述第1部分图案的外侧，而在形成上述第1导电图案之后，还可以包括：在上述第1部分图案与上述虚拟图案之间形成上述保护层。
其中，在形成上述晶种图案之后，还可以包括：移除保护层的过程。
此外，上述晶种图案可以裸露于上述基材的转角区域的至少一部分，在形成上述第2导电图案时，可以通过裸露于上述转角区域的晶种图案加载电流以及电压中的至少一种而以电镀方式形成第2导电图案。
此外，在形成上述第2导电图案之后，还可以包括：形成与上述基材、晶种图案、第1导电图案、第2导电图案中的至少一个以上接触的保护层的过程。
此外，在形成上述第2导电图案之后，还可以包括：对上述第1部分图案和上述保护层、上述晶种图案、上述基材进行切割。
其他实施例的具体事项包含于详细的说明以及附图中。
发明效果
通过本发明，可以将线圈装置的不良率最小化，并增加线圈装置内的导电图案的厚度。
附图说明
图1是是适用本发明之若干实施例的线圈装置的平面图。
图2是沿图1的A-B进行切割的截面图。
图3是适用本发明之若干实施例的线圈装置的平面图。
图4a以及图4b是沿图3的A-B进行切割的截面图。
图5是用于对图1至图4的基材进行说明的平面图。
图6a以及图6b是用于对图1至图4的晶种图案进行说明的平面图。
图7是用于对适用本发明之若干实施例的线圈装置的制造方法进行说明的顺序图。
图8、图10、图12、图14以及图16是用于对图7的各个步骤进行说明的平面图。
图9、图11、图13以及图15是用于对图7的各个步骤进行说明的截面图。
具体实施方式
接下来，将参阅附图对本发明的较佳实施例进行详细的说明。本发明的优点和特征及其达成方法，将可以通过结合附图进行详细说明的后续的实施例得到进一步明确。但是，本发明并不限定于在下述内容中公开的实施例，而是可以通过多种不同的形态实现，下述实施例只是为了更加完整地公开本发明，并向具有本发明所属技术领域之一般知识的人员更加完整地介绍本发明的范畴，本发明只应通过权利要求书的范畴做出定义。在整个说明书中，相同的参考符号代表相同的构成要素。
当记载为元件(elements)或层位于其他元件或层的“上部(on)”或“上(on)”时，不仅包括直接位于其他元件或层的上部的情况，还包括中间介有其他层或其他元件的情况。而与此相反，当记载为元件“直接位于……上部(directly on)”或“正上部”时，表示中间没有其他元件或层存在。
为了对一个元件或构成要素与其他元件或构成要素之间的相关关系进行明确说明，可能会使用空间上的相对术语即“下方(below)”、“下侧(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等。空间上的相对术语应理解为是在附图中所图示的方向的基础上还包括使用时或运行时的元件的不同方向的术语。例如，当对附图中所图示的元件进行翻转时，被记载为位于其他元件的“下方(below)”或“下侧(beneath)”的元件可能会位于其他元件的“上方(above)”。因此，示例性的术语“下方”可以同时包括下侧以及上侧方向。元件也可以按照不同的方向进行配置，因此空间性的相对术语可以按照其配置方向做出解释。
虽然为了对不同的元件、构成要素和/或部分进行说明可能会使用如第1、第2等术语，但是上述元件、构成要素和/或部分并不因为所使用的术语而受到限定。上述术语只是用于将一个元件、构成要素或部分与其他元件、构成要素或部分进行区分。因此，在下述内容中所提及的第1元件、第1构成要素或第1部分在本发明的技术思想范围内也可以是第2元件、第2构成要素或第2部分。
在本说明书中所使用的术语只是用于对实施例进行说明，并不是为了对本发明做出限定。在本说明书中，除非另有明确的提及，否则单数型语句还包括复数型含义。在本说明书中所使用的如“包含(comprises)”和/或“包括(comprising)”并不排除所提及的构成要素、步骤、动作和/或元件之外的一个以上的其他构成要素、步骤、动作和/或元件存在或被附加的可能性。
除非另有定义，否则在本说明书中使用的所有术语(包括技术性以及科学性术语)的含义与具有本发明所属技术领域之一般知识的人员所通常理解的含义相同。此外，除非另有明确的定义，否则通常所使用的已在词典中做出定义的术语不应做出过于理想化或夸张的解释。
接下来，将参阅附图对本发明的实施例进行详细的说明，而在参阅附图进行说明的过程中，与图号无关，为相同或对应的构成要素分配了相同的参考编号并省略与其相关的详细说明。
图1是适用本发明之若干实施例的线圈装置的平面图。图2是沿图1的A-B进行切割的一截面图。图3是适用本发明之若干实施例的线圈装置的平面图。图4a以及图4b是沿图3的A-B进行切割的截面图。图5是用于对图1至图4的基材进行说明的平面图。图6是用于对图1至图4的晶种图案进行说明的平面图。
首先，参阅图1以及图2，本发明的线圈装置100包括基材10、晶种图案20、第1导电图案30、保护层50以及第2导电图案50等。
基材10可以是柔性基板或硬性基板。例如，基材10可以利用如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、环氧树脂、玻璃纤维等材料进行制造，但是并不限定于。接下来，将基材10为聚酰亚胺薄膜的情况为例进行说明。
此外，作为基材10可以使用能够实现线圈装置的任意形状。如图5所示，基材10可以包括如四个边11、12、13、14以及对四个边11、12、13、14进行连接的四个转角区域11a、12a、13a、14a，转角区域11a、12a、13a、14a可以是圆形倒角的形状，在基材10的内侧可以形成开口部15。
晶种图案20形成于基材10上。在图2中对形成于基材10的两侧面的情况进行了图示，但是并不限定于此。晶种图案20可以是如Ni、Cr、Cu等导电性金属或对包括上述导电性金属的薄膜进行图案化的形态。晶种图案20可以以如0.1μm～5μm的厚度，较佳地以0.5μm～1.5μm的厚度形成。通过以如上所述的厚度形成晶种图案20，可以加载形成后续说明的第1导电图案30和/或第2导电图案50所需的充分的电流，还可以对执行如切割等加工时发生的不良问题进行抑制。
此外，晶种图案20包括晶种区域20b以及进线导线区域20a。其中，晶种区域20b是形成第1导电图案30和/或第2导电图案50时作为基础的区域(即作为晶种(seed)的区域)，而进线导线区域20a是在形成第1导电图案30和/或第2导电图案50时起到接收所加载的电流的导线作用的区域。
第1导电图案30形成于晶种区域20b上。虽然在图1中并没有进行明确图示，但是第1导电图案30可以是螺旋形状，但是并不限定于此。可以使用能够为执行机构形成充分的驱动电磁力的任意形状。此外，可以形成单个或多个第1导电图案30，并不限定于如图6a以及图6b所示的形状。
作为一实例，可以沿着形成于基材10上的n个边较长地形成第n图案(n＝2以上的自然数)。即，在基材10包括四个边11、12、13、14以及四个转角区域11a、12a、13a、14a的情况下，第1导电图案30可以包括沿着四个边11、12、13、14分别较长地形成的第1图案至第4图案。参阅图6a，可以在沿着第1边11较长地配置在转角区域11a、14a(即在图6中配置在左上以及右上的转角区域11a、14a)的晶种区域20b上形成第1图案。同理，可以在沿着第2边12较长地配置在转角区域11a、12a(即在图6中配置在左上以及左下的转角区域11a、12a)的晶种区域20b上形成第2图案。类似地，可以沿着第3边13较长地形成第3图案，并沿着第4边14较长地形成第4图案。
作为另一实例，可以以被通过基材10的第n边以及第n-1边(n＝2以上的自然数)形成的转角区域围绕的方式形成第n图案。参阅图6b，可以以与通过第1边以及第2边形成的转角区域11a的形状类似的轮廓形成第1图案。同理，可以以与通过第2边以及第3边形成的转角区域12a的形状类似的轮廓形成第2图案，而且在转角区域13a、14a上也可以分别形成第3、第4图案。
或者，虽未图示，可以在一定曲率的圆形或椭圆形等形状的基材上形成单个或多个第1导电图案30和/或第2导电图案50。
此外，第1导电图案30包括多个部分图案30a、30b。如图2所示，附图编号30a代表配置在最外侧的第1部分图案，而附图编号30b代表配置在第1部分图案的内侧的第2部分图案。
第1导电图案30的厚度h1与宽度a的比例可以是1:1至10:1。具体来讲，除最外侧的第1部分图案30a之外的内侧的第1导电图案30b可以是3:1至5:1。最外侧的第1部分图案30a代表与基材10的切割线CL最接近的第1部分图案30a。内侧的第1导电图案30b代表配置在最外侧的第1部分图案30a的内侧的图案。如上所述的比例相当于第2导电图案50在以与第1导电图案30类似的轮廓形成的同时还可以将与相邻的第2导电图案50之间的间隔最小化的最佳比例。
保护层40利用与第1导电图案30不同的物质构成，例如可以是作为绝缘性物质的感光树脂、阻焊剂等。此外，保护层40包括：第1保护层40a，用于对上述晶种图案20，具体来讲是用于对进线导线区域的晶种图案20a进行保护；以及，第2保护层40b，以与基材10、晶种图案20、第1导电图案30、第1保护层40a以及后续说明的第2导电图案50中的至少一个接触的方式形成于进线导线区域或晶种区域并提供保护。
上述第1保护层40a如图4a所示，对第1导电图案30的侧壁的至少一部分进行覆盖。此外，第1保护层40a可以配置在第1导电图案30中配置于最外侧的图案(例如图4a的最右侧的第2部分图案30a)的外侧，其高度可以等于或高于第2部分图案30a。
或者，如图4b所示，第1保护层40a的高度也可以低于第2部分图案30a。在如上所述的情况下，可以使第2部分图案30a的侧壁(接近于第1保护层40a的侧壁)裸露并在第2部分图案30a中接近于第1保护层40a的侧壁上形成第2导电图案50。
此外，在按照如图3所示的方式形成第1导电图案30的情况下，第1保护层40a可以形成于转角区域11a、12a、13a、14a上的第1图案至第4图案的外侧。借此，第1保护层40a可以形成于图6的基材10的左上、右上、左下、右下的转角区域11a、12a、13a、14a。
如后所述，晶种层在形成第1导电图案30之后为了实现第1导电图案30之间的绝缘而移除裸露于第1导电图案30之间的晶种层，从而形成晶种图案20。但是，在适用本发明之若干实施例的线圈装置100中，通过在一部分晶种层(即，与进线导线区域20a对应)上形成第1保护层40a而不需要移除第1保护层40a下部的晶种层。没有移除的晶种层将在形成第2导电图案50时作为进线导线(或进线板)使用。此外，借助于第1保护层40a，加载电流的进线导线将在形成第2导电图案50时不会一起被电镀，从而避免进线导线厚度的增加而维持一定的厚度。
此外，第1保护层40a可以在形成第2导电图案50之后选择性地进行移除。即使是在移除第1保护层40a的情况下也可以通过第2保护层40b对进线导线区域的晶种图案20b提供保护，而且因为可以在没有层间区分的情况下在最终产品上形成保护层40，因此可以提升其耐久性并将表面的凹凸最小化。
第2导电图案50形成于通过第1保护层40a裸露的第1导电图案30的侧壁以及第1导电图案30的上侧面中的至少一部分。此外，第2导电图案50也可以形成于晶种图案20的侧壁或第1保护层40a的上侧面中的至少一部分。如图所示，第2导电图案50可以沿着晶种图案20的侧壁、第1导电图案30的侧壁以及上侧面形成。可以通过形成于基材10的转角区域的至少一部分的晶种图案20加载电流以及电压中的至少一个而以电镀方式形成第2导电图案50。
如图所示，第2导电图案50的形成面积可以大于第1导电图案30的面积。此时，第2导电图案50的面积是包括第1导电图案30的面积的概念。此外，第2导电图案的宽度b可以是相邻的第2导电图案50之间的间隔s的1至50倍，较佳地可以是5倍至15倍。此外，第2导电图案的厚度h2可以是相邻的第2导电图案50之间的间隔s的1.01至50倍，较佳地可以是5倍至20倍。即，适用本发明之若干实施例的线圈装置与现有技术相比，其导电图案的宽度以及厚度都得可以得到增加。此外，还可以通过缩小导电图案之间的间隔而实现小型化。借此，可以在实现小型化以及高集成化的同时实现较高的电磁力。此外，在对第2导电图案50的宽度b范围以及厚度h2范围进行说明时以间隔s作为基准的理由在于，间隔s是在防止相邻的第2导电图案50之间的短路现象，或者在不妨碍磁场形成的情况下增加线圈的匝(Turn)数的方面与宽度b或厚度h2同样重要的必须考虑的条件。
保护层40以及晶种图案20延长至切割线CL。即，保护层40以及晶种图案20可以裸露于形成有切割线CL的面。
换言之，保护层40的切割线CL以及晶种图案20的切割线CL相互连接。同理，晶种图案20的切割线CL以及基材10的切割线CL相互连接。如后所述，因为通过切割工程同时对保护层40、晶种图案20以及基材10同时进行切割，因此切割线CL可以相互连接。其中，切割线CL可以相当于线圈装置(最终产品)的外周面。但是，可以根据设计使用多次或不同类型的切割工程而不是单次的切割工程。在如上所述的情况下，保护层40、晶种图案20以及基材10的切割线CL也可以互不连接。
此外，如上所述，通过形成于保护层40的最外侧的第1部分图案30a的外侧而形成于保护层40下部的晶种图案20同样延长至切割线CL。即，通过切割工程进行切割的导电性物质的厚度，相当于晶种图案20的厚度。与现有的线圈装置相比，可以显著减小需要通过切割工程进行切割的导电性物质的厚度。借此，不仅可以轻易地进行加工，还可以解决在切割截面上形成的毛刺(Burr)或电路接触不良等问题。此外，当保护层40较佳地为第1保护层40a形成于最外侧的第1部分图案30a的内侧时，可能会因为形成于下部的晶种图案20而导致短路等电路不良的问题。因此，在适用本发明的若干实施例中，保护层40形成于最外侧的第1部分图案30a的外侧。
此外，因为保护层40的形状可以与第1导电图案30相同，或者是通过以弯曲的上侧面形成等工艺以不同形状形成，因此并不限定于如图所示的形状。
总而言之，保护层40可以在基材10的至少一侧面的单个或多个区域部分形成。即，通过形成于部分形成的保护层40下部的晶种图案20，可以在形成第2导电图案50的同时确保预先形成的第1导电图案30之间的绝缘性。具体来讲，通过以保护层40的切割线CL与基材10的切割线CL连接的方式形成保护层40，可以使得晶种图案20延长至切割线CL并接收外部电流的加载。更具体来讲，通过在没有形成螺旋形状的第1导电图案30的基材10的转角区域以薄膜形态形成保护层40，与现有的单独形成的杆(Bar)状形状的进线导线相比，可以通过与切割线CL接触的面积增加且厚度变薄的进线导线区域的晶种图案20更加有效地向第1导电图案30加载电流。
适用本发明之若干实施例的线圈装置可以适用于电子装置。电子装置可以是振动电机、天线、发电机、滤波器、电感器、磁盘、摄像头模块，但是并不限定于此。
接下来，将参阅图7至图16对适用本发明之若干实施例的线圈装置的制造方法进行说明。
图7是用于对适用本发明之若干实施例的线圈装置的制造方法进行说明的顺序图。图8、图10、图12、图14以及图16是用于对图7的各个步骤进行说明的平面图。图9、图11、图13以及图15是用于对图7的各个步骤进行说明的截面图。接下来，为了说明的便利，将以半加成电镀(SAP，Semi Additive Plating)方式为基础进行说明，但是并不限定于此。接下来，为了说明的便利，将对结合图1至图6进行说明的内容进行省略。
参阅图8以及图9，提供形成有晶种层20c的基材10(参阅图7的S210)。如图所示，可以在基材10上通过粘接、无电解或电解电镀以及蒸镀等方式形成晶种层。或者，也可以使用预先在一侧面或者两侧面形成有晶种层20c的基材10。
接下来，在晶种层20c上形成第1导电图案30以及保护层40(参阅图7的S220)。具体来讲，如图8以及图9所示，在晶种层20c上形成第1导电图案30(参阅图7的S221)。可以将晶种层20c作为进线导线通过半加成电镀(SAP)、蚀刻等工艺形成第1导电图案30，但是并不限定于此。此外，第1导电图案30可以是能够提供磁力的螺旋形状，也可以根据需要以多种不同的形状形成。同时，在形成第1导电图案30时，可以为了更加准确地形成图案而追加形成虚拟图案90、91。虚拟图案91可以是如四边形形状，而虚拟图案90可以是如圆形形状。第1导电图案30可以形成于虚拟图案90与虚拟图案91之间。虽未图示，为了实现图案的位置排列、补强、散热等效果，可以实现识别图案、补强图案、散热图案等。
作为一实例，第1导电图案30可以包括第1图案至第4图案，第1图案至第4图案可以分别沿着基材10的四个边较长地形成。
图9对将如图8所示的螺旋形状的第1导电图案30沿着A-B方向进行切割的截面图进行了图示。第1导电图案30包括多个部分图案30a、30b。第1部分图案30a可以配置在多个部分图案30a、30b中的最外侧，而第2部分图案可以配置在第1部分图案30a的内侧。此外，虚拟图案91可以配置在第1部分图案30a的外侧。
此外，如图10以及图11所示，在第1导电图案30之间的区域的一部分形成保护层即第1保护层40a(参阅图7的S222)。具体来讲，第1保护层40a配置在第1导电图案30的外侧。换言之，第1保护层40a可以配置在第1导电图案30中配置于最外侧的图案的外侧。在如上所述的在第1导电图案30的外侧配置虚拟图案91时，可以形成于第1导电图案30与虚拟图案91之间的区域。即，可以在第1部分图案30a与虚拟图案91之间形成第1保护层40a。此外，还可以在虚拟图案91的外侧形成第1保护层40a。
在图11中，对第1保护层40a的厚度大于第1部分图案30a的厚度的情况进行了图示，但是并不限定于此。第1保护层40a的厚度可以根据设计进行变更。例如，第1保护层40a的厚度可以小于第1导电图案30的厚度，从而不会上述第1导电图案30的上侧面进行覆盖。
具体来讲，如图8所示，第1保护层40a可以形成于转角区域11a、12a、13a、14a上的第1导电图案30的第1图案至第4图案的外侧。即，第1保护层40a可以形成于图8的基材10的左上、右上、左下、右下的转角区域11a、12a、13a、14a。
第1保护层40a可以通过如丝网印刷、薄膜层压以及光刻等方法形成，但是并不限定于此。例如，可以在第1导电图案30上通过光刻方式在第1部分图案30a与虚拟图案91之间形成第1保护层40a。作为另一种方式，可以在形成有线圈的基板上的一部分以印刷方式涂布第1保护层(即阻焊剂)。此时，可以通过对阻焊剂的粘度等进行调节而仅在转角区域进行涂布。
接下来，移除通过第1导电图案30以及第1保护层40a裸露的晶种层20c，从而形成晶种图案20d(参阅图7的S230)。
具体来讲，如图11以及图12所示，第1导电图案30与虚拟图案91之间的晶种层20c会被第1保护层40a覆盖，因此不会被移除。而与此相反，因为第1部分图案30a与第2部分图案30b之间的晶种层20c裸露于外部，因此所裸露的晶种层20c会被移除，从而完成晶种图案20d。作为移除方法，可以适用如湿法蚀刻、干法蚀刻等多种方式，并不限定于特定的方法。
同时，在形成晶种图案20之后，可以选择性地移除第1保护层40a，而此时所采用的方法并不限定于特定的方法。因为构成晶种图案20以及第1保护层40a的物质不同，因此在移除第1保护层40a时对晶种图案20的损伤可能相对较小，但是可以选择性地适用如掩蔽等方法。此外，可以通过后续说明的第2保护层40b持续性地对晶种图案20提供保护。
接下来，在第1导电图案30的侧壁以及第1导电图案30的上侧面中的至少一部分形成第2导电图案50(参阅图7的S240)。
具体来讲，如图13以及图14所示，沿着晶种图案20d的侧壁以及第1导电图案30的侧壁/上侧面形成第2导电图案50。晶种图案20d在基材10的转角区域的至少一部分裸露到外部。在形成第2导电图案50时，可以通过裸露于转角区域的晶种图案20d加载电流而以电镀方式形成第2导电图案。即，裸露于转角区域的晶种图案20d起到电流的进线导线的作用。可以通过对电镀时间、电流密度等电镀条件进行调节而对第2导电图案50的厚度以及形状进行调节。
接下来，以对基材10、晶种图案20d、第1导电图案30、第1保护层40a以及第2导电图案50中的至少一个进行覆盖的方式形成第2保护层40b。接下来，通过执行切割工程而完成如图1至图4所示的线圈装置(参阅图7的S250)。
具体来讲，通过沿着如图16所示的切割线CL、CL2执行切割工程而去除最终结构体中不必要的虚拟图案90、91。即，在形成第2导电图案50之后，通过对配置在第1部分图案30a与虚拟图案91之间的第1保护层40a、晶种图案20d、基材10进行切割而溢出外侧的虚拟图案91。此外，移除内侧的虚拟图案90。通过切割工程，形成切割线CL、CL2。通过如上所述的切割工程，如图1以及图2所示，保护层40以及晶种图案20将延长至切割线CL。即，保护层40以及晶种图案20可以裸露于形成有切割线CL的面。保护层40的切割线CL以及晶种图案20的切割线CL相互连接，而且晶种图案20的切割线CL以及基材10的切割线CL相互连接。
在上述内容中参阅附图对本发明的实施例进行了说明，但是具有本发明所属技术领域之一般知识的人员应可以理解，本发明可以在不对本发明的技术思想或必要特征进行变更的前提下以其他具体的形态实施。因此，在上述内容中记述的实施例在所有方面仅为示例性目的而非限定。
工业实用性
本发明可以适用于在如振动电机、天线、发电机、滤波器、电感器、磁盘、摄像头模块等多种领域的线圈装置。

Claims (15)

1.一种线圈装置，其特征在于，包括：
基材；
晶种图案，形成于上述基材上，包括晶种区域以及进线导线区域；
第1导电图案，形成于上述晶种区域上；
第2导电图案，形成于上述第1导电图案的至少一部分；以及，
保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案以及第2导电图案中的至少一个以上接触的方式形成；
其中，上述进线导线区域的晶种图案延长至切割线。
2.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：
上述晶种图案以0.1μm～5μm的厚度形成。
3.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：
上述第1导电图案的厚度(h1)与宽度(a)的比例为1:1至5:1。
4.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：
上述第2导电图案的宽度(b)是相邻的第2导电图案之间的间隔(s)的1至50倍。
5.根据权利要求1或权利要求4所述的线圈装置，其特征在于：
上述第2导电图案的厚度(h2)是相邻的第2导电图案之间的间隔(s)的1.01至50倍。
6.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：
上述第1或第2导电图案，包括沿着第n边形成或以被连接上述第n边以及第n-1边的转角区域围绕的方式形成的第n图案。
7.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：
上述保护层，包括：第1保护层，形成于进线导线区域；以及，第2保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案、第2导电图案以及第1保护层中的至少一个以上接触的方式形成于进线导线区域或晶种区域。
8.根据权利要求1或权利要求7所述的线圈装置，其特征在于：
上述第1保护层配置在上述第1导电图案中配置在最外侧的图案的外侧。
9.一种包括根据权利要求1所述的线圈装置的电子装置。
10.一种线圈装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供形成有晶种层的基材；
在上述晶种层上形成第1导电图案以及保护层；
移除通过上述第1导电图案以及上述保护层裸露的上述晶种层，从而形成晶种图案；以及，
在上述第1导电图案的至少一部分形成第2导电图案。
11.根据权利要求10所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：
形成上述第1导电图案以及上述保护层时，
在上述晶种层上形成包括多个部分图案的第1导电图案以及虚拟图案，上述多个部分图案包括配置在上述多个部分图案中的最外侧的第1部分图案以及配置在上述第1部分图案的内侧的第2部分图案，上述虚拟图案配置在上述第1部分图案的外侧，
在形成上述第1导电图案之后，还包括：在上述第1部分图案与上述虚拟图案之间形成上述保护层。
12.根据权利要求10所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：
在形成上述晶种图案之后，还包括：移除保护层的过程。
13.根据权利要求10或权利要求11所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：
上述晶种图案裸露于上述基材的转角区域的至少一部分，
在形成上述第2导电图案时，通过裸露于上述转角区域的晶种图案加载电流以及电压中的至少一种而以电镀方式形成第2导电图案。
14.根据权利要求10或权利要求13所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：
在形成上述第2导电图案之后，还包括：形成与上述基材、晶种图案、第1导电图案、第2导电图案中的至少一个以上接触的保护层的过程。
15.根据权利要求10或权利要求13所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：
在形成上述第2导电图案之后，还包括：对上述第1部分图案和上述保护层、上述晶种图案、上述基材进行切割。
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