JP7115252B2 - 酸化物単結晶の製造方法及び結晶育成装置 - Google Patents
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Description
育成中の単結晶の重量測定値と過去の単結晶育成のデータとから予測重量を算出するステップと、
算出した予測重量から、単結晶の予想直径を算出するステップと、
前記単結晶の予測直径に基づいて、予測直径変化速度を算出するステップと、
前記予測直径変化速度を管理しながら、前記単結晶を育成するステップと、を有する。
引上げを開始させたのち、手動で高周波誘導加熱炉の出力操作を行い、所望の結晶径まで成長させ、育成される結晶径が所定径になるように自動制御(以下、高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御)へ移行させる。例えばLT単結晶の直径が150mmの単結晶を育成する場合、種結晶150を接触させたから高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御に移行させる単結晶肩部の直径はφ30mm程度である。この出力操作に起因して、しばし育成中の単結晶が急成長等の問題が発生する。このため、従来は、高周波誘導加熱炉上部の観察窓に設置したカメラで撮影された映像をもとに、形成される結晶状態の目視確認、坩堝10の底に設置している熱電対の温度変化、及び引上げ軸の上方に設置しているロードセルでの結晶重量測定値を確認し、結晶の急成長等の不具合を抑制の為に、高周波誘導加熱炉の出力操作を行っていた。しかし、ロードセルでの結晶重量測定値は小さく、高周波誘導加熱炉の出力操作の変更量は作業者でバラツキがあった為、安定して結晶を得る事が出来なかった。
肩部育成時に単結晶の肩部が急成長し多結晶が発生した育成結晶等を含め、引上げ開始から自動制御開始までの出力操作の変更量(自動制御開始時の出力量-引上げ開始時の出力量)、及び引上げ開始から自動制御開始までの移行時間、熱電対の温度変化量(自動制御開始時の温度-引上げ開始時の温度)を調査した。図2及び図3にこの調査結果を示す。
図2、図3の調査結果から、引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間が結晶欠陥に関係がある事が判った。発明者らは、多結晶の発生原因は、引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間が早い、すなわち、肩部育成時の急成長が育成結晶の単結晶化率に関係すると考えた。つまり、図2に示されるように、引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間が4時間以上の場合には、安定して単結晶を製造することができ、4時間未満の場合には、多結晶が製造されている。よって、引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間を4時間以上とするような制御を行うことが、本実施形態に係る酸化物単結晶の製造方法の一態様として挙げられる。なお、図2において、多結晶を示す三角形のプロット点のうち、1点だけ頂点が4時間に接触している点があるが、実際の移行時間は三角形の重心の位置であるから、4時間以上のプロット点は総て単結晶となっている。
例えば、n=2のとき、以下の関係式(2)のようになる。
なお、上記において、W0が最初のデータ、数字が大きいほど新しいデータとし、各データの測定周期は任意で良いが、1~2分程度が好ましい。また、取得するデータの個数は任意だが、測定重量のバラツキから最適化してもよい。例えば、測定重量を複数取得しその平均値を使用する等を行ってもよい。以後、測定周期をステップでカウントすることとする。
ここで、w(n+1)を(1)式から求め、(3)式を用いれば、当然に予測直径d(n+1)が求められる。(w(n+1)~w(n-5)の傾きの算出方法は、例えば、個々のデータより線形回帰直線の傾きを求めてもよい。
その後、(nは29以上の自然数)を用いて予想直径変化速度v(n+1)(nは29以上の自然数)とした場合、関係式(4)から予想直径変化速度v(n+1)を算出する。(d(n+1)~d(n-29)の傾き=v(n+1) (4)
ここで、d(n+1)を(3)式から求め、(4)式を用いれば、当然に予測直径変化速度v(n+1)が求められる。
次に、本発明の実施例について具体的に説明する。
高周波誘導加熱炉内に図1に示す構成を構築し、引上げ開始後の重量変化をもとに、プログラムの1ステップ先の予想重量、予想直径、予想直径変化量を算出し、それに応じて高周波誘導加熱炉の出力操作を行い、LT単結晶育成を行った。この時、引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間は4時間から6時間に設定した。
引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間が10時間以上とした。出力を調整した以外は、実施例1と同一の条件でLT単結晶育成を行った。
高周波誘導加熱炉上部の観察窓に設置したカメラで撮影された映像をもとに、形成される結晶の目視確認、坩堝の底に設置している熱電対の温度変化、及び引上げ軸の上方に設置しているロードセルでの結晶重量測定値を確認しながら、高周波誘導加熱炉の出力操作を行い、LT単結晶育成を行った。引上げ開始から高周波誘導加熱炉プログラムの自動制御へ移行させるまでの時間は3時間~15時間であった。出力を調整した以外は、実施例1と同一の条件で結晶育成を行った。
20 坩堝台
30 リフレクタ
40 アフター・ヒーター
50 断熱材
60 耐火物
70 ヒータ
80 引上げ軸
90 載置台
100 チャンバー
110 制御部
111 記憶部
120 電源
150 種結晶
160 原料融液
Claims (7)
- 坩堝内に投入された原料を加熱溶融した後に、原料融液に種結晶を接触させて、回転させながら引上げることで単結晶を育成するCz法による酸化物単結晶育成方法であって、
育成中の単結晶の重量測定値と過去の単結晶育成のデータとから単結晶の予測重量を算出するステップと、
算出した予測重量から、単結晶の予想直径を算出するステップと、
前記単結晶の予測直径に基づいて、予測直径変化速度を算出するステップと、
前記予測直径変化速度を管理しながら、前記単結晶を育成するステップと、を有する酸化物単結晶の製造方法。 - 前記単結晶を育成するステップは、前記予測直径変化速度が略一定となるように前記単結晶を育成するステップを含む請求項1に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記予測直径変化速度が略一定となるように前記単結晶を育成するステップは、自動制御により行われる請求項2に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 引上げ開始から前記単結晶の所定の直径の肩部を形成するまでは、所定の時間以上かけて前記単結晶を育成する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記所定の時間は4時間以上である請求項4に記載に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記酸化物単結晶が、タンタル酸リチウム、若しくはニオブ酸リチウムである請求項1乃至5のいずれか一項に記載された酸化物単結晶の製造方法。
- 原料融液を貯留する坩堝と、
種結晶を保持し、前記原料融液に種結晶を接触させて単結晶を育成しながら引き上げる引上げ軸と、
前記単結晶の重量を測定する重量測定手段と、
過去の単結晶育成データを記憶する記憶部と、
単結晶の育成動作を制御する制御部と、を有し、
該制御部は、育成中の単結晶の重量測定値と過去の単結晶育成のデータとから単結晶の予測重量を算出するステップと、
算出した予測重量から、単結晶の予想直径を算出するステップと、
前記単結晶の予測直径に基づいて、予測直径変化速度を算出するステップと、
前記予測直径変化速度を管理しながら、前記単結晶を育成するステップと、を実行する結晶育成装置。
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JP2018222049A JP7115252B2 (ja) | 2018-11-28 | 2018-11-28 | 酸化物単結晶の製造方法及び結晶育成装置 |
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