JP7095785B2 - セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス - Google Patents
セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7095785B2 JP7095785B2 JP2021108324A JP2021108324A JP7095785B2 JP 7095785 B2 JP7095785 B2 JP 7095785B2 JP 2021108324 A JP2021108324 A JP 2021108324A JP 2021108324 A JP2021108324 A JP 2021108324A JP 7095785 B2 JP7095785 B2 JP 7095785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- substrate
- less
- piezoelectric substrate
- roughness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 175
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
- B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
- B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
- C04B35/053—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/057—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on calcium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/185—Mullite 3Al2O3-2SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
- C04B35/443—Magnesium aluminate spinel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/587—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/001—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating directly with other burned ceramic articles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02669—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/02—2 layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/10—Properties of the layers or laminate having particular acoustical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/538—Roughness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/748—Releasability
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/612—Machining
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/94—Products characterised by their shape
- C04B2235/945—Products containing grooves, cuts, recesses or protusions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/341—Silica or silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/343—Alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
Description
本発明はセラミック基板、積層体およびＳＡＷデバイスに関し、より特定的には圧電体基板の支持に適したセラミック基板、圧電体基板とセラミック基板とを含む積層体および当該積層体を含むＳＡＷデバイスに関するものである。
携帯電話機などの通信機器の内部には、電気信号に含まれるノイズを除去する目的で、ＳＡＷデバイス（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ；表面弾性波素子）が配置される。ＳＡＷデバイスは、入力された電気信号のうち、所望の周波数の電気信号のみを取り出す機能を有する。ＳＡＷデバイスは、圧電体基板上に電極が形成された構造を有する。そして、使用時の放熱を目的として、圧電体基板は放熱性の高い材料からなるベース基板上に配置される。
ベース基板としては、たとえば単結晶サファイアからなる基板を採用することができる。しかし、単結晶サファイアからなる基板をベース基板として採用すると、ＳＡＷデバイスの製造コストが上昇するという問題がある。これに対し、ベース基板として多結晶スピネルからなるセラミック基板を採用し、圧電体基板と表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を低減したセラミック基板とをファンデルワールス力により結合させた構造を有するＳＡＷデバイスが提案されている。これにより、ＳＡＷデバイスの製造コストを抑制することができる（たとえば、特許文献１参照）。
しかしながら、本発明者らの検討によれば、上記特許文献１に記載の技術では、圧電体基板とセラミック基板との結合力が不十分となる場合がある。そこで、圧電体基板と十分な結合力で結合することが可能なセラミック基板、圧電体基板とセラミック基板とが十分な結合力で結合した積層体、および当該積層体を含むＳＡＷデバイスを提供することを目的の１つとする。
本発明に従ったセラミック基板は、多結晶セラミックから構成され、支持主面を有するセラミック基板である。支持主面は、粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である。
上記セラミック基板によれば、圧電体基板と十分な結合力で結合することが可能なセラミック基板を提供することができる。
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願のセラミック基板は、多結晶セラミックから構成され、支持主面を有するセラミック基板である。支持主面は、粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である。
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願のセラミック基板は、多結晶セラミックから構成され、支持主面を有するセラミック基板である。支持主面は、粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である。
本発明者らは、圧電体基板と表面の算術平均粗さを低減したセラミック基板（ベース基板）とをファンデルワールス力により結合させた場合に、結合力が不十分となる場合が発生する原因について検討を行った。その結果、算術平均粗さの観点において十分に粗さが低減されている場合であっても、大きな凹凸、具体的には１ｎｍ以上の凹凸が一辺５０μｍの正方形領域内に５個以上存在する場合、または２ｎｍ以上の凹凸が一辺５０μｍの正方形領域内に１個以上存在する場合、結合力が不十分となることを見出した。すなわち、十分な結合力を得るためには、算術平均粗さの観点（平均的な粗さの観点）において十分に粗さを低減するだけでなく、稀に存在する大きな凹凸をも低減する必要がある。
本願のセラミック基板においては、支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下とされることにより、算術平均粗さの観点からの表面粗さが十分に低減される。さらに、本願のセラミック基板においては、支持主面の一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満とされる。すなわち、本願のセラミック基板においては、算術平均粗さの観点において十分に支持主面の粗さが低減されるだけでなく、支持主面に稀に存在する大きな凹凸も低減されている。その結果、本願のセラミック基板によれば、圧電体基板と十分な結合力で結合することが可能なセラミック基板を提供することができる。
上記セラミック基板において、支持主面は、粗さがＳｑで０．５ｎｍ以下であってもよい。このようにすることにより、圧電体基板との間の十分な結合力がより確実に確保される。
上記セラミック基板は、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、コージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、カルシア（ＣａＯ）、チタニア（ＴｉＯ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）および炭化珪素（ＳｉＣ）からなる群から選択される１種以上の材料から構成されていてもよい。これらの材料は、本願のセラミック基板を構成する材料として好適である。
本願の積層体は、上記セラミック基板と、支持主面上に配置され、圧電体からなる圧電体基板と、を備える。セラミック基板と圧電体基板とは、ファンデルワールス力により結合されている。
本願の積層体においては、算術平均粗さの観点において十分に支持主面の粗さが低減されるだけでなく、支持主面に稀に存在する大きな凹凸も低減されている上記セラミック基板と圧電体基板とが、ファンデルワールス力により結合されている。そのため、本願の積層体によれば、圧電体基板とセラミック基板とが十分な結合力で結合した積層体を提供することができる。
上記積層体において、セラミック基板と圧電体基板との接合強度が０．５Ｊ／ｍ２以上であってもよい。このようにすることにより、圧電体基板とセラミック基板とがより確実に結合される。圧電体基板とセラミック基板との結合力が０．５Ｊ／ｍ２未満の場合、ＳＡＷデバイスの製造において実施される電極形成工程やチップ化工程において基板の剥離、かけなどが発生するおそれがある。さらに確実な圧電体基板とセラミック基板との結合を達成する観点から、セラミック基板と圧電体基板との接合強度は１．０Ｊ／ｍ２以上であることが好ましく、１．３Ｊ／ｍ２以上、さらには１．５Ｊ／ｍ２以上であることがより好ましい。
本願のＳＡＷデバイスは、上記本願の積層体と、圧電体基板のセラミック基板とは反対側の主面上に形成される電極と、を備える。本願のＳＡＷデバイスは、圧電体基板と多結晶セラミックからなるセラミック基板とが十分な結合力で結合した本願の積層体を含む。そのため、製造コストを抑制しつつ、圧電体基板とセラミック基板とが十分な結合力で結合したＳＡＷデバイスを提供することができる。
［本願発明の実施形態の詳細］
次に、本発明にかかるセラミック基板および積層体の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
次に、本発明にかかるセラミック基板および積層体の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
図１を参照して、本実施の形態における積層体１は、セラミック基板としてのベース基板１０と圧電体基板２０とを備える。圧電体基板２０は、たとえばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）などの圧電体からなる。ベース基板１０は、スピネル、アルミナ、マグネシア、シリカ、ムライト、コージェライト、カルシアおよびチタニアからなる群から選択される一種以上、好ましくはいずれか１つの材料から構成される多結晶セラミックからなる。
ベース基板１０は、支持主面１１を有する。圧電体基板２０は、一方の主面である露出主面２１と、露出主面２１とは反対側の主面である結合主面２２とを有する。圧電体基板２０は、ベース基板１０の支持主面１１に結合主面２２において接触するように配置される。ベース基板１０と圧電体基板２０とは、ファンデルワールス力により結合されている。
ベース基板１０の支持主面１１は、粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下となっている。また、支持主面１１において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸は平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である。
積層体１においては、支持主面１１の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下とされることにより、算術平均粗さの観点からの表面粗さが十分に低減されている。さらに、積層体１においては、支持主面１１の一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満とされる。すなわち、積層体１においては、算術平均粗さの観点において十分に粗さが低減されるだけでなく、稀に存在する大きな凹凸も低減されている。その結果、積層体１は、圧電体基板２０とベース基板１０とが十分な結合力で結合した積層体となっている。なお、本願において１ｎｍ以上の凹凸とは、測定領域（一辺５０μｍの正方形領域）において平均面（平均高さ）を算出し、当該平均面から頂点（または底）までの距離が１ｎｍ以上である凹凸を意味する。
圧電体基板２０とベース基板１０との間の十分な結合力をより確実に得る観点から、支持主面の粗さはＳａで２．０ｎｍ以下とすることが好ましく、１．０ｎｍ以下とすることがより好ましい。また、支持主面１１の一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸は、平均で４個未満とすることが好ましく、３個未満とすることがより好ましく、さらには２個未満とすることが好ましい。
支持主面１１は、粗さがＳｑで０．５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、圧電体基板２０とベース基板１０との間の十分な結合力がより確実に確保される。
ベース基板１０と圧電体基板２０との接合強度は０．５Ｊ／ｍ２以上であることが好ましい。これにより、圧電体基板２０とベース基板１０とがより確実に結合される。
次に、本実施の形態におけるセラミック基板としてのベース基板１０、積層体１および積層体１を用いたＳＡＷデバイスの製造方法を説明する。図２を参照して、本実施の形態のベース基板１０、積層体１およびＳＡＷデバイスの製造方法では、まず工程（Ｓ１０）としてベース基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、図３を参照してスピネル、アルミナ、マグネシア、シリカ、ムライト、コージェライト、カルシア、チタニア、窒化珪素、窒化アルミニウムおよび炭化珪素からなる群から選択される１種以上の材料から構成される多結晶セラミックからなるベース基板１０が準備される。たとえば、上記群から選択されるいずれか１つの材料から構成される多結晶セラミックからなるベース基板１０が準備される。具体的には、たとえば多結晶スピネルからなるベース基板１０を準備する場合、マグネシア粉末とアルミナ粉末とを混合して原料粉末を準備し、成形することにより成形体を作製する。成形体は、たとえばプレス成形により予備成形を実施した後、ＣＩＰ（Ｃｏｌｄ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓ）を実施することにより作製することができる。次に、成形体に対して焼結処理を実施する。焼結処理は、たとえば真空焼結法、ＨＩＰ（Ｈｏｔ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓ）などの方法により実施することができる。これにより、焼結体が得られる。その後、焼結体に対してダイシング加工を実施することにより、所望の形状（厚み）を有するベース基板１０が得られる（図３参照）。
次に、工程（Ｓ２０）として第１研磨工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図３を参照して、工程（Ｓ１０）において準備されたベース基板１０の支持主面１１に対して粗研磨が実施される。具体的には、たとえば砥粒の番手が＃８００～＃２０００のＧＣ（Ｇｒｅｅｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ）砥石を用いて支持主面１１に対して粗研磨を実施する。
次に、工程（Ｓ３０）として第２研磨工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、工程（Ｓ２０）において粗研磨が実施された支持主面１１に対して通常研磨が実施される。具体的には、たとえば砥粒の粒径が３～５μｍのダイヤモンド砥石用いて支持主面１１に対して通常研磨を実施する。
次に、工程（Ｓ４０）として第３研磨工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、工程（Ｓ３０）において通常研磨が実施された支持主面１１に対して仕上げ研磨が実施される。具体的には、たとえば粒径が０．５～１．０μｍのダイヤモンド砥粒を用いて支持主面１１に対して仕上げ研磨を実施する。これにより、Ｓａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の支持主面１１の粗さを達成することができる。しかし、支持主面１１にはダイヤモンド砥粒によるスクラッチ傷が発生する。そのため、支持主面１１においてはＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の粗さが達成されているものの、スクラッチ傷に起因する大きな凹凸が存在する。
次に、工程（Ｓ５０）として第４研磨工程が実施される。この工程（Ｓ５０）では、工程（Ｓ４０）において仕上げ研磨が実施された支持主面１１に対してスクラッチ傷除去研磨が実施される。具体的には、たとえば支持主面１１に対してわずかな研磨量のＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を実施する。ＣＭＰによる研磨量は、数百ｎｍ程度とされる。これにより、支持主面１１の粗さをＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下に維持しつつ、支持主面１１において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸を平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸を平均で１個未満とすることができる。これにより、本実施の形態におけるセラミック基板としてのベース基板１０が完成する。
次に、工程（Ｓ６０）として貼り合わせ工程が実施される。この工程（Ｓ６０）では、工程（Ｓ２０）～（Ｓ５０）において支持主面１１が研磨されたベース基板１０と、別途準備された圧電体基板２０とが貼り合わされる。具体的には、図３および図１を参照して、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電体からなる圧電体基板２０が準備され、圧電体基板２０の結合主面２２とベース基板１０の支持主面１１とが接触するように、ベース基板１０と圧電体基板２０とが貼り合わされる。これにより、ベース基板１０と圧電体基板２０とは、ファンデルワールス力により結合する。その結果、本実施の形態の積層体１が得られる。
ここで、本実施の形態においては、算術平均粗さの観点において十分に支持主面１１の粗さが低減されるだけでなく、支持主面１１に稀に存在する大きな凹凸（スクラッチ傷）も低減されている。その結果、上記積層体１の製造方法によれば、圧電体基板２０とベース基板１０とが十分な結合力で結合した積層体１が製造される。
引き続き、積層体１を用いたＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。図２を参照して、工程（Ｓ６０）に続いて、工程（Ｓ７０）として減厚工程が実施される。この工程（Ｓ７０）では、図１および図４を参照して、工程（Ｓ６０）において得られた積層体１の圧電体基板２０の厚みを小さくする加工が実施される。具体的には、たとえば圧電体基板２０の露出主面２１に対して研削処理が実施される。これにより、圧電体基板２０の厚みが、ＳＡＷデバイスに適した厚みにまで低減される。
次に、工程（Ｓ８０）として電極形成工程が実施される。この工程（Ｓ８０）では、図４～図６を参照して、圧電体基板２０の露出主面２１に櫛歯型の電極が形成される。図５は、図６の線分Ｖ－Ｖに沿う断面図である。具体的には、図５および図６を参照して、工程（Ｓ７０）において適切な厚みに調整された圧電体基板２０の露出主面２１上に、Ａｌなどの導電体からなる導電体膜が形成される。導電体膜の形成は、たとえばスパッタリングにより実施することができる。その後、導電体膜上にレジストが塗布されてレジスト膜が形成された後、露光および現像が実施されることにより、所望の入力側電極３０および出力側電極４０の形状に対応する領域以外の領域に開口が形成される。そして、開口が形成されたレジスト膜をマスクとして用いて、たとえばウェットエッチングを実施することにより、図５および図６に示すように入力側電極３０と出力側電極４０とからなる対が複数形成される。なお、図５および図６は、一対の入力側電極３０および出力側電極４０に対応する領域を表している。入力側電極３０および出力側電極４０における櫛歯型電極の電極間隔は、出力すべき信号の周波数に応じて適宜決定することができる。
次に、工程（Ｓ９０）としてチップ化工程が実施される。この工程（Ｓ９０）では、入力側電極３０と出力側電極４０とからなる対が複数形成された積層体１が厚さ方向に切断されることにより、１対の入力側電極３０および出力側電極４０を含む複数のチップに分離される。
その後、図６および図７を参照して、工程（Ｓ９０）において作製されたチップに対して入力側配線５１および出力側配線６１が形成されることにより、実施の形態１におけるＳＡＷデバイス１００（ＳＡＷフィルター）が完成する。
図７を参照して、本実施の形態におけるＳＡＷデバイス１００は、ファンデルワールス力により結合されたベース基板１０と圧電体基板２０とを含む積層体１と、圧電体基板２０の露出主面２１上に接触するように形成された１対の櫛歯形状を有する電極である入力側電極３０および出力側電極４０と、入力側電極３０に接続された入力側配線５１と、出力側電極４０に接続された出力側配線６１とを備えている。
入力側電極３０は、第１部分３１と第２部分３２とを含む。第１部分３１は、直線状のベース部３１Ａと、ベース部３１Ａの延在方向に垂直な方向にベース部３１Ａから突出する直線状の複数の突出部３１Ｂとを含む。第２部分３２は、ベース部３１Ａと平行に延在する直線状のベース部３２Ａと、ベース部３２Ａの延在方向に垂直な方向にベース部３２Ａから突出し、隣り合う突出部３１Ｂの間に進入する直線状の複数の突出部３２Ｂとを含む。突出部３１Ｂと突出部３２Ｂとは、予め定められた一定の間隔をおいて配置される。
出力側電極４０は、第１部分４１と第２部分４２とを含む。第１部分４１は、直線状のベース部４１Ａと、ベース部４１Ａの延在方向に垂直な方向にベース部４１Ａから突出する直線状の複数の突出部４１Ｂとを含む。第２部分４２は、ベース部４１Ａと平行に延在する直線状のベース部４２Ａと、ベース部４２Ａの延在方向に垂直な方向にベース部４２Ａから突出し、隣り合う突出部４１Ｂの間に進入する直線状の複数の突出部４２Ｂとを含む。突出部４１Ｂと突出部４２Ｂとは、予め定められた一定の間隔をおいて配置される。
入力側配線５１から入力側電極３０に入力信号である交流電圧が印加されると、圧電効果により圧電体基板２０の露出主面２１（表面）に弾性表面波が生じ、出力側電極４０側に伝達される。このとき、入力側電極３０および出力側電極４０は図１に示すように櫛歯形状を有しており、突出部３１Ｂと突出部３２Ｂとの間隔、および突出部４１Ｂと突出部４２Ｂとの間隔は一定である。したがって、入力側電極３０から出力側電極４０に向かう方向において、圧電体基板２０の露出主面２１のうち電極が形成された領域は所定の周期（電極周期）で存在する。そのため、入力信号により発生した弾性表面波は、その波長が電極周期に一致する場合に最も強く励振され、電極周期とのずれが大きいほど減衰する。その結果、電極周期に近い波長の信号のみが出力側電極４０および出力側配線６１を介して出力される。
ここで、上記動作において、圧電体基板２０の温度が上昇する。本実施の形態のＳＡＷデバイス１００においては、圧電体基板２０に、放熱性の高い材料からなるベース基板１０が接触するように配置されている。そのため、ＳＡＷデバイス１００は高い信頼性を有している。さらに、本実施の形態のＳＡＷデバイス１００においては、圧電体基板２０とベース基板１０とが十分な結合力で結合している。そのため、ＳＡＷデバイス１００は高い信頼性を有するデバイスとなっている。
積層体におけるベース基板の支持主面の粗さおよび凹凸の存在状態と接合強度との関係を調査する実験を行った。実験の方法は以下の通りである。
多結晶スピネルからなるベース基板１０を準備し、上記実施の形態と同様の手順にてＳＡＷデバイスを作製した。（実施例Ａ、ＢおよびＣ）。また、ベース基板１０として多結晶アルミナからなるベース基板１０および多結晶ムライトからなるベース基板１０を準備し、それぞれ同様にＳＡＷデバイスを作製した（実施例ＤおよびＥ）。一方、比較のため、多結晶スピネルからなるベース基板を準備し、同様の手順において工程（Ｓ５０）を省略または工程（Ｓ５０）において適正量を超える研磨を実施したもの（比較例Ａ～ＦおよびＫ）、多結晶アルミナからなるベース基板を準備し、同様の手順において工程（Ｓ５０）を省略または工程（Ｓ５０）において適正量を超える研磨を実施したもの（比較例ＧおよびＨ）、多結晶ムライトからなるベース基板を準備し、同様の手順において工程（Ｓ５０）を省略または工程（Ｓ５０）において適正量を超える研磨を実施したもの（比較例ＩおよびＪ）も作製した。圧電体基板との接合前にベース基板の支持主面についてＳａ（算術平均粗さ）、Ｓｑ（二乗平均平方根高さ）、Ｓｚ（最大高さ）を測定するとともに、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上２ｎｍ未満の凹凸、２ｎｍ以上３ｎｍ未満の凹凸および３ｎｍ以上の凹凸の数を確認した。粗さおよび凹凸の数の確認は、支持主面の中央付近および外周付近の２箇所で実施した。そして、接合後、接合状態を確認するとともに、接合強度を測定した。接合強度は、クラックオープニング法により測定した。また、接合後、接合面に垂直な方向にベース基板１０と圧電基板２０とを互いに引き離す向きに引張り、両者が離れる際の応力（引張強度）も測定した。
多結晶スピネルからなるベース基板を採用した場合の実施例の実験結果を表１、比較例の実験結果を表２、多結晶アルミナからなるベース基板を採用した場合の実施例および比較例の実験結果を表３、多結晶ムライトからなるベース基板を採用した場合の実施例および比較例の実験結果を表４に示す。なお、表１～表４において、最下段に関しては、電極形成工程およびチップ化工程が良好に実施できたものについては「良好」、当該工程において積層体に剥離が生じたものについては「不良」と表示されている。
本発明者らの検討によれば、これは以下のような理由によるものと考えられる。工程（Ｓ５０）を実施しない場合、工程（Ｓ２０）～（Ｓ４０）にて実施された研磨により、支持主面に研磨傷（スクラッチ傷）が残存する。そのため、上記Ｓａの条件が満たされた場合であっても、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満を達成することができない。一方、ベース基板が多結晶体からなるため、支持主面においては、露出する結晶面によってＣＭＰによる研磨が進行しやすい部分と進行しにくい部分とが混在する。そのため、工程（Ｓ５０）において適正量を超える研磨を実施した場合、研磨の進行しやすさの支持主面内におけるばらつきに起因して、上記Ｓａの条件が満たされた場合であっても、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満を達成することができない。これに対し、工程（Ｓ５０）における研磨量が適正量である場合、上記Ｓａの条件が満たされるとともに、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満を達成することができる。
表１を参照して、多結晶スピネルからなるベース基板の支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であり、支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である実施例Ａ～Ｃについては、０．５Ｊ／ｍ２以上の接合強度が得られており、かつ主面の全面にわたって良好な接合が得られている。一方、表２を参照して、比較例Ａ～Ｆについては、ベース基板の支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であるものの、接合強度が小さく、良好な接合状態が得られていない。これは、比較例Ａ、Ｂ、Ｃ、ＥおよびＦについては、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個以上であったこと、比較例Ａ、Ｄ、ＥおよびＦについては、一辺５０μｍの正方形領域における２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個以上であったことが原因であると考えられる。なお、比較例Ｋの引張強度は実施例Ａ～Ｃと遜色ない値であるものの、接合強度は実施例Ａ～Ｃに比べて大きく劣っている。そして、電極形成工程およびチップ化工程に関する評価は「不良」となっている。このことから、引張試験によって得られる引張強度よりも、クラックオープニング法により測定される接合強度のほうが、電極形成工程およびチップ化工程の良好な実施の可否との相関が強いことが分かる。
また、表３を参照して、多結晶アルミナからなるベース基板の支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であり、支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である実施例Ｄについては、０．５Ｊ／ｍ２以上の接合強度が得られており、かつ主面の全面にわたって良好な接合が得られている。一方、比較例ＧおよびＨについては、ベース基板の支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であるものの、接合強度が小さく、良好な接合状態が得られていない。これは、上記スピネル基板の場合と同様に、比較例ＧおよびＨについては、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個以上であったこと、比較例Ｈについては、一辺５０μｍの正方形領域における２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個以上であったことが原因であると考えられる。
さらに、表４を参照して、多結晶ムライトからなるベース基板の支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であり、支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である実施例Ｅについては、０．５Ｊ／ｍ２以上の接合強度が得られており、かつ主面の全面にわたって良好な接合が得られている。一方、比較例Ｉについては、ベース基板の支持主面の粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であるものの、接合強度が小さく、良好な接合状態が得られていない。これは、上記スピネル基板の場合と同様に、比較例Ｉについては、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個以上、２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個以上であったことが原因であると考えられる。
以上の実験結果から、算術平均粗さの観点において十分に支持主面の粗さが低減されるだけでなく、支持主面に稀に存在する大きな凹凸も低減されている本願の積層体によれば、圧電体基板とベース基板とが十分な結合力で結合した積層体が得られることが確認される。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本願の積層体は、圧電体基板を含む積層体に特に有利に適用され得る。
１ 積層体
１０ ベース基板
１００ ＳＡＷデバイス
１１ 支持主面
２０ 圧電体基板
２１ 露出主面
２２ 結合主面
３０ 入力側電極
３１ 第１部分
３１Ａ ベース部
３１Ｂ 突出部
３２ 第２部分
３２Ａ ベース部
３２Ｂ 突出部
４０ 出力側電極
４１ 第１部分
４１Ａ ベース部
４１Ｂ 突出部
４２ 第２部分
４２Ａ ベース部
４２Ｂ 突出部
５１ 入力側配線
６１ 出力側配線
１０ ベース基板
１００ ＳＡＷデバイス
１１ 支持主面
２０ 圧電体基板
２１ 露出主面
２２ 結合主面
３０ 入力側電極
３１ 第１部分
３１Ａ ベース部
３１Ｂ 突出部
３２ 第２部分
３２Ａ ベース部
３２Ｂ 突出部
４０ 出力側電極
４１ 第１部分
４１Ａ ベース部
４１Ｂ 突出部
４２ 第２部分
４２Ａ ベース部
４２Ｂ 突出部
５１ 入力側配線
６１ 出力側配線
Claims (4)
- スピネル、アルミナ、マグネシア、シリカ、ムライト、コージェライト、カルシア、チタニア、窒化珪素、窒化アルミニウムおよび炭化珪素からなる群から選択される１種以上の材料の多結晶から構成され、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電体基板とファンデルワールス力により結合し、前記圧電体基板を支持する支持主面を有するセラミック基板であって、
前記支持主面は、粗さがＳａで０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であり、
前記支持主面において、一辺５０μｍの正方形領域における１ｎｍ以上の凹凸が平均で５個未満、かつ２ｎｍ以上の凹凸が平均で１個未満である、セラミック基板。 - 請求項１に記載のセラミック基板と、
前記支持主面上に配置され、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電体基板と、を備え、
前記セラミック基板と前記圧電体基板とは、ファンデルワールス力により結合されている、積層体。 - 前記セラミック基板と前記圧電体基板との接合強度が０．５Ｊ／ｍ２以上である、請求項２に記載の積層体。
- 請求項２または３に記載の積層体と、
前記圧電体基板の前記セラミック基板とは反対側の主面上に形成される電極と、を備えるＳＡＷデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016057300 | 2016-03-22 | ||
| JP2016057300 | 2016-03-22 | ||
| JP2017056125A JP7033852B2 (ja) | 2016-03-22 | 2017-03-22 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017056125A Division JP7033852B2 (ja) | 2016-03-22 | 2017-03-22 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021170782A JP2021170782A (ja) | 2021-10-28 |
| JP7095785B2 true JP7095785B2 (ja) | 2022-07-05 |
Family
ID=57006188
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017510278A Pending JPWO2016159393A1 (ja) | 2016-03-22 | 2016-04-26 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| JP2017056125A Active JP7033852B2 (ja) | 2016-03-22 | 2017-03-22 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| JP2021108324A Active JP7095785B2 (ja) | 2016-03-22 | 2021-06-30 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017510278A Pending JPWO2016159393A1 (ja) | 2016-03-22 | 2016-04-26 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| JP2017056125A Active JP7033852B2 (ja) | 2016-03-22 | 2017-03-22 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10340886B2 (ja) |
| JP (3) | JPWO2016159393A1 (ja) |
| KR (1) | KR20170110500A (ja) |
| CN (1) | CN107406335B (ja) |
| DE (1) | DE112016006627T5 (ja) |
| TW (1) | TWI590393B (ja) |
| WO (1) | WO2016159393A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10979017B2 (en) * | 2017-03-27 | 2021-04-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body and saw device |
| CN111194299A (zh) | 2017-10-12 | 2020-05-22 | 住友电气工业株式会社 | 陶瓷基板、层状体和saw器件 |
| JP7339158B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2023-09-05 | 住友電気工業株式会社 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| TWI680168B (zh) | 2017-10-18 | 2019-12-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶片 |
| SG10201905013VA (en) | 2018-06-11 | 2020-01-30 | Skyworks Solutions Inc | Acoustic wave device with spinel layer |
| US11876501B2 (en) | 2019-02-26 | 2024-01-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic |
| JP7034384B2 (ja) | 2019-12-18 | 2022-03-11 | 日本碍子株式会社 | 振動板と支持基板との接合体およびその製造方法 |
| CN113658880A (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-16 | 联华电子股份有限公司 | 芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构 |
| JP7002782B1 (ja) | 2020-09-21 | 2022-01-20 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP7055450B2 (ja) * | 2020-09-21 | 2022-04-18 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイス |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011034136A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 住友電気工業株式会社 | 基板、基板の製造方法、ｓａｗデバイスおよびデバイス |
| WO2012033125A1 (ja) | 2010-09-07 | 2012-03-15 | 住友電気工業株式会社 | 基板、基板の製造方法およびｓａｗデバイス |
| WO2012043474A1 (ja) | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 株式会社 東芝 | ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたＧａＮベース半導体の製造方法 |
| JP2014154687A (ja) | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Kyocera Corp | 複合基板 |
| WO2014129433A1 (ja) | 2013-02-19 | 2014-08-28 | 日本碍子株式会社 | 複合基板、半導体デバイス及び半導体デバイスの製法 |
| WO2014192597A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
| WO2015186560A1 (ja) | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 日本碍子株式会社 | ムライト焼結体、その製法及び複合基板 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122960A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH11116397A (ja) | 1997-10-17 | 1999-04-27 | Kazuhiko Yamanouchi | （０２０）配向ペロブスカイト型ニオブ酸カリウム薄膜及び該薄膜を有する弾性表面波素子 |
| JP2005294356A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 |
| FR2917232B1 (fr) * | 2007-06-06 | 2009-10-09 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure pour epitaxie sans zone d'exclusion. |
| DE102007037502B4 (de) * | 2007-08-08 | 2014-04-03 | Epcos Ag | Bauelement mit reduziertem Temperaturgang |
| JP2009126750A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶透明セラミックス基板の製造方法およびスピネル基板の製造方法 |
| KR20110020741A (ko) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판의 제조 방법 |
| JP5549167B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2014-07-16 | 住友電気工業株式会社 | Ｓａｗデバイス |
| JP5539602B1 (ja) | 2012-08-17 | 2014-07-02 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 |
| CN104641453B (zh) * | 2012-10-12 | 2018-03-30 | 住友电气工业株式会社 | Iii族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造iii族氮化物半导体器件的方法 |
| TWI629753B (zh) * | 2013-04-26 | 2018-07-11 | 日本碍子股份有限公司 | 半導體用複合基板之操作基板 |
| CN104798177B (zh) * | 2013-07-18 | 2017-03-15 | 日本碍子株式会社 | 半导体用复合基板的操作基板 |
| US20150065012A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 3M Innovative Properties Company | Method of finishing a stone surface and abrasive article |
| US20150183179A1 (en) * | 2013-12-31 | 2015-07-02 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Article comprising a transparent body including a layer of a ceramic material and a method of forming the same |
| US10766165B2 (en) * | 2015-06-29 | 2020-09-08 | Corning Incorporated | Manufacturing line, process, and sintered article |
| CN109716508B (zh) * | 2016-06-24 | 2023-08-15 | 克罗米斯有限公司 | 多晶陶瓷衬底及其制造方法 |
| US10580666B2 (en) * | 2016-07-01 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Carrier substrates for semiconductor processing |
| JP6375471B1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-08-15 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
-
2016
- 2016-04-26 CN CN201680001823.3A patent/CN107406335B/zh active Active
- 2016-04-26 US US15/317,563 patent/US10340886B2/en active Active
- 2016-04-26 WO PCT/JP2016/062959 patent/WO2016159393A1/ja active Application Filing
- 2016-04-26 KR KR1020167035330A patent/KR20170110500A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-04-26 DE DE112016006627.9T patent/DE112016006627T5/de active Pending
- 2016-04-26 JP JP2017510278A patent/JPWO2016159393A1/ja active Pending
- 2016-05-05 TW TW105113988A patent/TWI590393B/zh active
-
2017
- 2017-03-22 JP JP2017056125A patent/JP7033852B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-30 JP JP2021108324A patent/JP7095785B2/ja active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011034136A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 住友電気工業株式会社 | 基板、基板の製造方法、ｓａｗデバイスおよびデバイス |
| WO2012033125A1 (ja) | 2010-09-07 | 2012-03-15 | 住友電気工業株式会社 | 基板、基板の製造方法およびｓａｗデバイス |
| WO2012043474A1 (ja) | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 株式会社 東芝 | ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたＧａＮベース半導体の製造方法 |
| JP2014154687A (ja) | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Kyocera Corp | 複合基板 |
| WO2014129433A1 (ja) | 2013-02-19 | 2014-08-28 | 日本碍子株式会社 | 複合基板、半導体デバイス及び半導体デバイスの製法 |
| WO2014192597A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
| WO2015186560A1 (ja) | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 日本碍子株式会社 | ムライト焼結体、その製法及び複合基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170279435A1 (en) | 2017-09-28 |
| CN107406335B (zh) | 2020-12-08 |
| JP2021170782A (ja) | 2021-10-28 |
| KR20170110500A (ko) | 2017-10-11 |
| CN107406335A (zh) | 2017-11-28 |
| JP2017175618A (ja) | 2017-09-28 |
| US10340886B2 (en) | 2019-07-02 |
| WO2016159393A1 (ja) | 2016-10-06 |
| TW201735278A (zh) | 2017-10-01 |
| JP7033852B2 (ja) | 2022-03-11 |
| JPWO2016159393A1 (ja) | 2019-01-31 |
| DE112016006627T5 (de) | 2018-12-06 |
| TWI590393B (zh) | 2017-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7095785B2 (ja) | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス | |
| JP2023025095A (ja) | 積層体およびｓａｗデバイス | |
| WO2012033125A1 (ja) | 基板、基板の製造方法およびｓａｗデバイス | |
| TWI637540B (zh) | Method for manufacturing piezoelectric device, piezoelectric device and piezoelectric independent substrate | |
| WO2011034136A1 (ja) | 基板、基板の製造方法、ｓａｗデバイスおよびデバイス | |
| JP7180607B2 (ja) | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス | |
| JP7339158B2 (ja) | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス | |
| JP2018041888A (ja) | セラミック基板の研削方法および圧電素子の製造方法 | |
| JP2021008367A (ja) | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス | |
| JPH10135162A (ja) | 半導体ウェ−ハの製造方法および半導体ウェ−ハの表面平坦度測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210729 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210729 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220518 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220606 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7095785 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |