JP2005294356A - 積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 - Google Patents
積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005294356A JP2005294356A JP2004103929A JP2004103929A JP2005294356A JP 2005294356 A JP2005294356 A JP 2005294356A JP 2004103929 A JP2004103929 A JP 2004103929A JP 2004103929 A JP2004103929 A JP 2004103929A JP 2005294356 A JP2005294356 A JP 2005294356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- electrode layer
- ceramic substrate
- electrode
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 37
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 28
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 28
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWXHSRDXUJENGJ-UHFFFAOYSA-N calcium;magnesium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Mg+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O NWXHSRDXUJENGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052637 diopside Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0753—Insulation
- H05K2201/0769—Anti metal-migration, e.g. avoiding tin whisker growth
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【解決手段】 焼成後の基板において誘電体層を挟み対向する電極層の対向面積が少なくとも一部の電極層で0.4mm2以下となるように、電極層を誘電体層の上に形成してセラミックグリーンシートを作製し積層する工程と、焼成後の基板における誘電体層と電極層の界面の凹凸の粗さRmaxが基準長さ100μm当たり6μm以下であり、かつ誘電体層の焼結密度が実質的に一定となる範囲内の温度で、グリーンシートを焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
アルミナ及びホウケイ酸ガラスからなるガラスセラミック材料を用いて、グリーンシートを形成し、このグリーンシートの上に銀からなる配線パターンを、スクリーン印刷法で形成した。このセラミックグリーンシートを図2に示すように積層して、所定の温度で焼成し、積層セラミック基板を形成した。誘電体層のガラスセラミック材料としては、Al2O344〜52重量%、SiO233〜40重量%、CaO8.0〜13.0重量%、及びK2O1.0〜3.0重量%の組成のものを用いた。また、焼成後の基板における誘電体層の平均厚みは30μmであり、電極層の平均厚みは10μmであった。
(ここで、D1は、標準焼成温度880℃(結晶化度が25%となる焼成温度)における焼結密度であり、D2は各サンプルの焼結密度である。)ここで、結晶化度は、使用するガラスセラミック材料のガラス成分とセラミック成分であるアルミナとのX線回折におけるメインピークの強度比I(ガラス)/I(アルミナ)で示される値である。
電極層の対向面積及び対向距離が、表2に示すような値となる部分を有する積層セラミック基板を、上記実施例1と同様にして作製した。焼成温度は880℃及び850℃とした。なお、配線印刷時に用いたAgペーストの粘度は320Pasであり、焼成の際の湿度は60%である。
2…誘電体層
3,3a,3b…電極層
4…誘電体層と電極層の界面の凹凸
4a…誘電体層と電極層の界面の凹凸の頂点
4b…誘電体層と電極層の界面の凹凸の底点
Claims (3)
- ガラスセラミック材料からなる誘電体層の上に、銀からなる電極層を形成したセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより積層セラミック基板を製造する方法であって、
焼成後の基板において前記誘電体層を挟み対向する前記電極層の対向面積が少なくとも一部の電極層で0.4mm2以下となるように、前記電極層を前記誘電体層の上に形成して前記セラミックグリーンシートを作製し積層する工程と、
焼成後の基板における前記誘電体層と前記電極層の界面の凹凸の粗さRmaxが基準長さ100μm当たり6μm以下であり、かつ前記誘電体層の焼結密度が実質的に一定となる範囲内の温度で、前記グリーンシートを焼成する工程とを備えることを特徴とする積層セラミック基板の製造方法。 - 請求項1に記載の方法により製造されたことを特徴とする積層セラミック基板。
- ガラスセラミック材料からなる誘電体層の上に、銀からなる電極層を形成したセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、
前記誘電体層と前記電極層の界面の凹凸の粗さRmaxが基準長さ100μm当たり6μm以下であり、かつ前記誘電体層を挟み対向する前記電極層の対向面積が少なくとも一部の電極層で0.4mm2以下であることを特徴とする積層セラミック基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004103929A JP2005294356A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 |
US11/082,970 US7088568B2 (en) | 2004-03-31 | 2005-03-18 | Method for manufacture of multilayer ceramic substrate and multilayer ceramic substrate |
CNB2005100627343A CN100512607C (zh) | 2004-03-31 | 2005-03-29 | 层叠陶瓷基板制造方法及层叠陶瓷基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004103929A JP2005294356A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005294356A true JP2005294356A (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=35050402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004103929A Pending JP2005294356A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7088568B2 (ja) |
JP (1) | JP2005294356A (ja) |
CN (1) | CN100512607C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014156025A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体装置及び放熱機構 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007267488A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujinon Corp | 駆動装置、それに用いられる電気機械変換素子、撮像装置、及び携帯電話 |
DE112016006627T5 (de) * | 2016-03-22 | 2018-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Keramisches Substrat, Schichtkörper und SAW-Vorrichtung |
JP2022156320A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3215007B2 (ja) | 1995-04-20 | 2001-10-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
JPH10150269A (ja) | 1996-11-21 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | セラミック多層回路基板およびその製造方法並びに電子デバイス実装体 |
JP3882954B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2007-02-21 | Tdk株式会社 | チップ型積層セラミックコンデンサ |
GB9814317D0 (en) * | 1997-07-23 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co | Ceramic electronic part and method for producing the same |
JP3678260B2 (ja) | 1997-07-28 | 2005-08-03 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスセラミックス組成物 |
DE10051388B4 (de) * | 1999-10-18 | 2009-02-12 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Grünfolie und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtbauelements |
JP4454105B2 (ja) | 2000-05-30 | 2010-04-21 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004103929A patent/JP2005294356A/ja active Pending
-
2005
- 2005-03-18 US US11/082,970 patent/US7088568B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-29 CN CNB2005100627343A patent/CN100512607C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014156025A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体装置及び放熱機構 |
JP2014192209A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体装置及び放熱機構 |
US9607922B2 (en) | 2013-03-26 | 2017-03-28 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Semiconductor device and heat-dissipating mechanism |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050219774A1 (en) | 2005-10-06 |
CN100512607C (zh) | 2009-07-08 |
CN1678176A (zh) | 2005-10-05 |
US7088568B2 (en) | 2006-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101565640B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR101514512B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR101548797B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
JP2023003087A (ja) | セラミック電子部品 | |
KR101496814B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
US11715593B2 (en) | Multi-layer ceramic capacitor | |
JP2007036003A (ja) | 積層コンデンサ | |
KR20150058824A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 실장 기판 | |
JP2010147101A (ja) | 電子部品 | |
JP2943380B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
WO2020129945A1 (ja) | 積層体及び電子部品 | |
JP4809173B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2004235377A (ja) | セラミック電子部品 | |
KR101878764B1 (ko) | 절연성 세라믹 페이스트, 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
KR101565725B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
US7088568B2 (en) | Method for manufacture of multilayer ceramic substrate and multilayer ceramic substrate | |
JP2005159121A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP4145262B2 (ja) | 積層セラミック基板 | |
JP4308062B2 (ja) | 積層セラミック基板及びその製造方法 | |
JP5071493B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
JP5998785B2 (ja) | 積層電子部品 | |
JP2011171651A (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2006216781A (ja) | 電子部品 | |
JP2010232255A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP4428001B2 (ja) | セラミックコンデンサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100209 |