JP2010232255A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 安定したキャパシタ特性を有する寸法精度の高い多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第１のガラスセラミックグリーンシート１１〜１５と、第１のガラスセラミックグリーンシート１１〜１５の焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２のガラスセラミックグリーンシート２１〜２４とが複数積層されるとともに、層間にＡｇ導体ペーストによる一対のキャパシタ形成用電極パターン４１の形成されたガラスセラミックグリーンシート積層体７を作製し、ガラスセラミックグリーンシート積層体７を第２のガラスセラミックグリーンシート２１〜２４が焼成収縮する温度で焼成する多層配線基板の製造方法であって、一対の前記キャパシタ形成用電極パターン４１を、互いに対向する側の面が前記第１のガラスセラミックグリーンシート１３、１４と接するように配置したことを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ガラスセラミックグリーンシート積層体の平面方向の焼成収縮を抑制する多層配線基板の製造方法に関するものである。

従来、移動体通信分野などで使用される多層配線基板において、配線層の材料として導電率の高い銀を主成分とし、絶縁層の材料として配線層の材料の融点よりも低い温度で焼成が可能なガラスセラミックスを用いたものが広く知られている。

この多層配線基板の製造に際しては、焼成後に絶縁層となるガラスセラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、その貫通孔に焼成後に貫通導体となるＡｇ導体ペーストを充填するとともに、ガラスセラミックグリーンシートの主面に焼成後に配線層となるＡｇ導体ペーストを塗布する。そのようにして作製されたガラスセラミックグリーンシートを複数積層してガラスセラミックグリーンシート積層体を作製した後、焼成することにより、配線層間が貫通導体により電気的に接続された多層配線基板が得られる。

ここで、焼成時にＡｇがガラスセラミックグリーンシート中に拡散することにより、焼成後の絶縁層の材料特性（誘電率や誘電損失）が部分的に変化してしまうという問題がある。この拡散は、Ａｇの濃度勾配によるとともにＡｇがガラス（液相）中に拡散しやすいことに起因している。特に、異なる層間に設けられた配線層によって形成された内蔵キャパシタのキャパシタ特性は、絶縁層の材料特性の変化を受けて大きく変化してしまう。

一方、ガラスセラミックグリーンシート積層体は、焼成により体積が４０〜５０％程度収縮する。このとき、ガラスセラミックグリーンシート積層体（多層配線基板）の主面と平行な方向（平面方向）における収縮率は一方向において平均１５〜２０％程度ばらついており、この収縮率のばらつきが多層配線基板の表面に形成された接続パッド（配線層）の位置ばらつきにつながり、寸法精度（多層配線基板の表面に形成された接続パッド間距離の精度）が悪くなっていた。なお、ここでいう収縮率とは、焼成前の寸法から焼成後の寸法を減じた値を焼成前の寸法で除した値で定義されるものである。

そこで、寸法精度を向上させる方法として、焼成収縮開始温度が異なる２種のガラスセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより、平面方向の収縮を抑制する多層配線基板の製造方法が提案されている（例えば特許文献１参照。）。

この特許文献１に記載の方法では、焼成後に第１の絶縁層となる第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度と焼成後に第２の絶縁層となる第２のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度とが異なることで、互いに平面方向の収縮を抑制しあう。具体的には、第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮（焼結）終了後に第２のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮（焼結）を開始するようになっていることから、第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮時には第２のガラスセラミックグリーンシートによって第１のガラスセラミックグリーンシートの平面方向の収縮が抑制され、第２のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮時には第１の絶縁層（第１のガラスセラミックグリーンシートがすでに焼成収縮を終了した状態）によって第２のガラスセラミックグリーンシートの平面方向の収縮が抑制される。

通常、上記の関係とするために、第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度はＡｇ導体ペーストの焼成収縮開始温度（７００〜７５０℃）よりも低い温度に設定され、第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮終了温度は８００℃よりも低い温度に設定される。

特開２００４−２００６７９号公報

ここで、前述のＡｇがガラスセラミックグリーンシート中に拡散しやすいとの問題点に関し、Ａｇがガラスセラミックグリーンシート中にかなりの量拡散する温度域がおおよそ８００〜８５０℃であることから、８００℃でガラスセラミックグリーンシートがすでに焼成収縮を終了している場合にＡｇはガラスセラミックグリーンシート中に拡散し難くなり、上記の多層配線基板の製造方法においても第１のガラスセラミックグリーンシートにはＡｇが拡散し難いことが考えられる。

しかしながら、ガラスセラミックグリーンシート積層体において、全てのガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮終了温度を低くすることは、耐薬品性の低下が懸念される。また、全てのガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮終了温度を低くすると、ガラスセラミックグリーンシート積層体の平面方向の収縮を抑制することができず、寸法精度の良好な多層配線基板を得ることができない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、安定したキャパシタ特性を有するキャパシタを内蔵する寸法精度の高い多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、第１のガラスセラミックグリーンシートと、該第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２のガラスセラミックグリーンシートとが複数積層されるとともに、層間にＡｇ導体ペーストによる一対のキャパシタ形成用電極パターンの形成されたガラスセラミックグリーンシート積層体を作製し、該ガラスセラミックグリーンシート積層体を前記第２のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮する温度で焼成する多層配線基板の製造方法であって、一対の前記キャパシタ形成用電極パターンを、互いに対向する側の面が前記第１のガラスセラミックグリーンシートと接するように配置したことを特徴とする。

ここで、前記キャパシタ形成用電極パターンを前記第１のガラスセラミックグリーンシート同士を積層した層間に配置していることが好ましい。

本発明によれば、キャパシタを形成するために対向する一対のキャパシタ形成用電極パターンを、互いに対向する側の面が第１のガラスセラミックグリーンシートと接するように配置することにより、キャパシタ形成用電極パターンからキャパシタ形成領域側の第１のガラスセラミックグリーンシートへのＡｇの拡散を抑制することが可能となり、Ａｇの拡散によるキャパシタ特性のばらつきを抑制することができる。

さらに、キャパシタ形成用電極パターンを第１のガラスセラミックグリーンシート同士を積層した層間に配置していることで、キャパシタ形成用電極パターンから上下のガラスセラミックグリーンシートへのＡｇの拡散を抑制することができる。

本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す説明図である。 図１に示す点線で囲まれたキャパシタ形成領域Ｓの拡大図である。 本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す説明図である。

本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す説明図であり、本発明の多層配線基板の製造方法は、まず、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５を作製するとともに、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５の焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４を作製する。

第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５および第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４は、８００〜１０００℃前後の比較的低い温度で焼成収縮させることができるように、ガラス粉末とセラミックフィラーとを所望の割合で調合した原料粉末を主成分とするものである。

第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５および第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４を構成するガラス粉末としては、焼成によって結晶を析出する結晶性ガラスであるのが好ましい。例えば、析出結晶としては、ディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライトのうち少なくとも１種が挙げられる。これらのうち、誘電特性の点でディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、ウィレマイト、フォルステライトが好ましく、強度の点でディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイトが好ましい。

また、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５および第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４を構成するセラミックフィラーとしては、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＢａＴｉ_４Ｏ_９、ＺｒＴｉＯ_４、ＳｒＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３、ＴｉＯ_２、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４などを例示できる。これらのうち、誘電特性の点でＡｌ_２Ｏ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＢａＴｉ_４Ｏ_９が好ましく、強度の点でＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４が好ましい。

ここで、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５は、第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４が焼成収縮を開始するまでに、自身の焼成収縮（焼結）を終了させる必要がある。したがって、軟化温度、結晶化温度、結晶化度等の特性を調整するために、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５に用いるガラス粉末と第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４に用いるガラス粉末とは組成が異なり、ガラス粉末とセラミックフィラーとの比率も異なる。例えば、第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４に含まれるガラス粉末の軟化点を、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５に含まれるガラスの結晶化点よりも高くなるように調整することで、第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４の焼成収縮開始温度を第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５の焼成収縮終了温度よりも高くすることができる。

なお、ここでいう焼成収縮の開始温度とは、対象とする材料を単独で焼成した時に、０．５％体積収縮したときの温度をいう。また、焼成収縮の終了温度とは、焼成前の状態から焼成終了後の状態までの収縮量に対し９０％以上体積収縮したときの温度をいう。体積収縮はＴＭＡ（熱機械分析）の線収縮から体積収縮に換算して決定される。

例えば、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５として、ＳｉＯ_２を１０〜３０質量％と、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜９質量％と、ＭｇＯを５〜３０質量％と、ＢａＯを２１〜３５質量％と、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜３０質量％と、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｎａ_２Ｏ、ＳｎＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２およびＬｉ_２Ｏから選ばれる少なくとも１種を０〜２０質量％とからなるガラス粉末を４０〜９０質量％と、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉ_４Ｏ_９、ＳｒＴｉＯ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＡｌＮおよびＳｉ_３Ｎ_４から選ばれる少なくとも1種を含むセラミックフィラーを１０〜６０質量％とからなる原料粉末が採用される。例えば、この第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５の焼成収縮開始温度は６００〜６５０℃、焼成収縮終了温度は７５０〜８００℃に設定される。

また、第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４として、ＳｉＯ_２を２０〜６０質量％と、Ａｌ_２Ｏ_３を１０〜２５質量％と、ＭｇＯを８〜３５質量％、ＢａＯを１０〜２０質量％と、Ｂ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｎａ_２Ｏ、ＳｎＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２およびＬｉ_２Ｏから選ばれる少なくとも１種を０〜２０質量％とからなるガラス粉末を３０〜１００質量％と、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉ_４Ｏ_９、ＳｒＴｉＯ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４から選ばれる少なくとも1種を含むセラミックフィラーを０〜７０質量％とからなる原料粉末が採用される。例えば、この第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４の焼成収縮開始温度は７５０〜８００℃、焼成収縮終了温度は９００〜９５０℃に設定される。ただし、第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４の焼成収縮開始温度は、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５の焼成収縮終了温度よりも高く設計される。

これらの原料粉末に、焼成途中で容易に揮発する有機バインダー、有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合し、スラリー化する。このスラリーを用いて、リップコーター法やドクターブレード法などによってテープ成形を行い、所定寸法に切断して、厚み５μｍ〜１００μｍの第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５および第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４を作製する。

次に、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５および第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４に、パンチングなどによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔内に焼成後に貫通導体となる貫通導体用ペースト３を充填する。

貫通導体用ペースト３としては、平均粒径１〜５μｍのＡｇ粉末を主成分とし、これに有機バインダーおよび有機溶剤を混合し、粘度や印刷条件を調整したものが用いられる。なお、貫通導体用ペースト３には、電気抵抗を劣化させない範囲で、他の金属、酸化物、ガラス、セラミックス等の無機成分が含まれていても良い。

充填には、貫通導体形成位置に相当する箇所に穿孔されたメタルマスク、あるいは、エマルジョンメッシュスクリーンマスクを用いて、スクリーン印刷する方法を用いる。ここで、通常のポリウレタン製等の板状（あるいは剣状）のスキージを用いる方法でもよく、ペースト押し出し式のスキージヘッドを用いて貫通孔に加圧注入する方法でもよい。このとき、貫通導体用ペースト３がガラスセラミックグリーンシートの表面から突出するように過充填する。その後、必要に応じて突出した貫通導体用ペースト３をプレスして、貫通孔に押し込む。

さらに、第１のガラスセラミックグリーンシートおよび第２のガラスセラミックグリーンシートの少なくとも一方の一方主面に、配線層用導体ペーストとしてのＡｇ導体ペーストによる配線パターン４やキャパシタ形成電極用導体ペーストとしてのＡｇ導体ペーストによるキャパシタ形成用電極パターン５をスクリーン印刷法などによって形成する。配線パターン４やキャパシタ形成用電極パターン５は、貫通導体用ペースト３に含まれるＡｇ粉末と同じかまたはこれよりも小さい粒子径のＡｇ粉末を主成分とするのが好ましい。なお、配線パターン４やキャパシタ形成用電極パターン５の焼成収縮開始温度は７００〜７５０℃で、Ａｇの拡散しやすくなる温度域は８００〜８５０℃である。

次に、貫通孔に貫通導体用ペースト３が充填され、少なくとも一方主面に配線パターン４やキャパシタ形成用電極パターン５の形成された第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４、１５および第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４を所定の配置に積層してガラスセラミックグリーンシート積層体７を作製する。

ここで、図２に示すように、一対のキャパシタ形成用電極パターン５を、互いに対向する側の面が第１のガラスセラミックグリーンシート１３、１４と接するように配置することが重要である。

このように配置することにより、一対のキャパシタ形成用電極パターン５から互いに対向する側（キャパシタ形成領域側）の第１のガラスセラミックグリーンシート１３、１４へのＡｇの拡散を抑制することが可能となる。

Ａｇの拡散が起こると、ガラスセラミック絶縁層（ガラスセラミックグリーンシートの焼成後の状態）の材料特性が変化する。特に、異なる層間に設けられた配線層（配線パターンの焼成後の状態）によって形成された内臓キャパシタのキャパシタ特性は、ガラスセラミック絶縁層の材料特性の変化を受けて大きく変化してしまう。

これに対し、キャパシタを形成するために対向する一対のキャパシタ形成用電極パターン５のそれぞれの互いに対向する側の面が第１のガラスセラミックグリーンシート（図１では第１のガラスセラミックグリーンシート１３と第１のガラスセラミックグリーンシート１４）と接するように配置することで、後述の焼成によるＡｇの拡散によるキャパシタ特性のばらつきを抑制することができる。

すなわち、第１のガラスセラミックグリーンシート１１、１２、１３、１４の焼成収縮終了温度は７５０〜８００℃であり、かなりの量のＡｇが拡散する温度域が８００〜８５０℃であることから、すでに焼成収縮を終了してほぼ緻密化し、ガラス相が少なくなっている第１のガラスセラミック絶縁層（第１のガラスセラミックグリーンシート１３、１４の焼成後の状態）にはＡｇが拡散し難いからである。

ここで、前記キャパシタ形成用電極パターンを前記第１のガラスセラミックグリーンシート同士を積層した層間に配置していることが好ましい。

なお、図３に示すように、キャパシタ形成用電極パターン５を、第１のガラスセラミックグリーンシート同士（第１のガラスセラミックグリーンシート１６と第１のガラスセラミックグリーンシート１７）を積層した層間に挟むように積層してガラスセラミックグリーンシート積層体７を作製するのが好ましい。このような配置にすることで、キャパシタ形成用電極パターン５から上下の第１のガラスセラミックグリーンシート１６、１７へのＡｇの拡散を抑制することができる。さらに、キャパシタ形成用電極パターン５のみならず、層間に配置される全ての配線パターン４を、第１のガラスセラミックグリーンシート同士を積層した層間に挟むように積層してガラスセラミックグリーンシート積層体を作製することで、キャパシタ特性のみならず、他の電気特性についてもばらつきのないものとすることができる。

最後に、ガラスセラミックグリーンシート積層体７を第２のガラスセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４が焼成収縮する温度で焼成する。

成形のために配合した有機バインダー成分を除去するため、大気中で５００℃前後までガラスセラミックグリーンシート積層体７の界面の剥離がないように昇温し、必要に応じて５００℃前後にて保持する。続いて、大気中で７００〜９５０℃まで再度昇温し、焼成の最高温度にて０．２〜１０時間、特に０．５〜５時間焼成する。

なお、この工程の後、必要に応じてＮｉ−ＡｕめっきやＣｕ−Ａｕめっき、Ｓｎめっき等のめっき処理を行う。

以上の製造方法によって作製された多層配線基板は、キャパシタ形成用電極パターン５からキャパシタ形成領域側の第１のガラスセラミックグリーンシート１２、１３へのＡｇ拡散が抑制され、キャパシタ特性のばらつきが抑制されたものとなる。

さらに、前記キャパシタ形成用電極パターン５を第１のガラスセラミックグリーンシート１６と第１のガラスセラミックグリーンシート１７とで挟むように積層してガラスセラミックグリーンシート積層体７を作製することで、キャパシタ形成用電極パターン５から上下の絶縁層へのＡｇの拡散を抑制することができる。なお、図１中、符号６は接続パットである。

まず、第１のガラスセラミックグリーンシートを形成するために、２３．８質量％のＳｉＯ_２、８．４質量％のＡｌ_２Ｏ_３、１５．４質量％のＭｇＯ、２６．５質量％のＢａＯ、１７．９質量％のＢ_２Ｏ_３、４．９質量％のＣａＯ、０．４質量％のＳｒＯ、１．０質量％のＳｎＯ_２、１．７質量％のＺｒＯ_２からなる６０質量％のガラス粉末と、４０質量％のＡｌ_２Ｏ_３フィラーとから構成されるガラスセラミック材料Ａを用意した。

また、第１のガラスセラミックグリーンシートを形成するために、２４．９質量％のｉＯ_２、８．８質量％のＡｌ_２Ｏ_３、１６．１質量％のＭｇＯ、２７．８質量％のＢａＯ、１４．０質量％のＢ_２Ｏ_３、５．１質量％のＣａＯ、０．４質量％のＳｒＯ、１．０質量％のＳｎＯ_２、１．８質量％のＺｒＯ_２からなる６０質量％のガラス粉末と、４０質量％のＡｌ_２Ｏ_３フィラーとから構成されるガラスセラミック材料Ｂを用意した。

一方、第２のガラスセラミックグリーンシートを形成するために、４３．３質量％のＳｉＯ_２、１２．９質量％のＡｌ_２Ｏ_３、１８．０質量％のＭｇＯ、１４．１質量％のＢａＯ、７．５質量％のＢ_２Ｏ_３、１．０質量％のＹ_２Ｏ_３、１．７質量％のＣａＯ、０．５質量％のＳｒＯ、１．０質量％のＺｒＯ_２からなる６０質量％のガラス粉末と、４０質量％のＡｌ_２Ｏ_３フィラーとから構成されるガラスセラミック材料Ｃを用意した。

これらのガラスセラミック材料Ａ、Ｂ、Ｃに、アクリル有機バインダー、可塑剤、有機溶剤を添加して、スラリーを作製し、ドクターブレード法により薄層化し、第１のガラスセラミックグリーンシートＡ、第１のガラスセラミックグリーンシートＢ、第２のガラスセラミックグリーンシートＣを作製した。このとき、第１のガラスセラミックグリーンシートＡおよび第１のガラスセラミックグリーンシートＢの厚みを１０μｍまたは２０μｍに形成し、第２のガラスセラミックグリーンシートＣの厚みを３０μｍに形成した。また、第1のガラスセラミックグリーンシートＡの焼成収縮開始温度は約６２５℃、焼成収縮終了温度は約７４０℃であり、第1のガラスセラミックグリーンシートＢの焼成収縮開始温度は約７００℃、焼成収縮終了温度は約７９５℃、第２のガラスセラミックグリーンシートＣの焼成収縮開始温度は約８００℃、焼成収縮終了温度は約９００℃である。

次に、平均粒径が５．０μｍのＡｇ粉末を準備し、Ａｇ粉末１００質量部に対して、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスを１２質量部添加し、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を添加、混錬して貫通導体用ペーストを作製した。そして、上記の第１のガラスセラミックグリーンシートＡ、第１のガラスセラミックグリーンシートＢおよび第２のガラスセラミックグリーンシートＣに、直径９０μｍの貫通孔をレーザによって形成し、上記の貫通導体用ペーストをスクリーン印刷法によりこの貫通孔に充填した。

次に、平均粒径が２．５μｍのＡｇ粉末を準備し、Ａｇ粉末１００質量部に対して、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスを０．５または１０質量部添加し、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を添加、混錬してキャパシタ形成用電極パターン用のＡｇ導体ペーストを作製した。なお、上記ガラスを０．５質量％添加したＡｇ導体ペーストをＡｇ導体ペーストＸ、上記ガラスを１０質量％添加したＡｇ導体ペーストをＡｇ導体ペーストＹとした。得られたＡｇ導体ペーストを用いて、スクリーン印刷法により、キャパシタ形成用電極パターンを印刷形成した。なお、Ａｇ導体ペーストＹはＡｇ導体ペーストよりも５０℃焼成収縮の開始が遅いものである。

また、平均粒径が５．０μｍのＡｇ粉末を準備し、Ａｇ粉末１００質量部に対して、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスを１質量部添加し、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を添加、混錬して多層配線基板の表面に設けられる接続パッド用のＡｇ導体ペーストを作製し、スクリーン印刷法により、接続パッドを形成した。

その後、図１に示すように、これらのガラスセラミックグリーンシート（第１のガラスセラミックグリーンシートＡと第２のガラスセラミックグリーンシートＣ、または第１のガラスセラミックグリーンシートＢと第２のガラスセラミックグリーンシートＣ）を所定の配置で積層し、ガラスセラミックグリーンシート積層体を作製した後、大気中４００℃で脱バインダー処理し、さらに、大気中９１０℃で焼成して多層配線基板を作製した。

ここで、図２に示すように、一対のキャパシタ形成用電極パターン５を、互いに対向する側の面が第１のガラスセラミックグリーンシート１３、１４と接するように配置することが重要である。

得られた多層配線基板について、上側の電極層（キャパシタ形成用電極パターン）と下側の電極層（キャパシタ形成用電極パターン）とで形成されるキャパシタ形成領域の間のガラスセラミック絶縁層（第１のガラスセラミックグリーンシートＡ、Ｂまたは第２のガラスセラミックグリーンシートＣ）へのＡｇ拡散量をＸ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ：Electron Probe Micro Analyzer）で測定した。具体的には、上側の電極層（キャパシタ形成用電極パターン）の下側（キャパシタ形成領域側）の面に接するガラスセラミック絶縁層（表ではガラスセラミックグリーンシートと表示）における上側の電極層（キャパシタ形成用電極パターン）との界面から１μｍ離れた５０μｍ×５０μｍのエリアをＡｇ拡散量測定エリアとし、下側の電極層（キャパシタ形成用電極パターン）の上側（キャパシタ形成領域側）の面に接するガラスセラミック絶縁層（表ではガラスセラミックグリーンシートと表示）における下側の電極層（キャパシタ形成用電極パターン）との界面から１μｍ離れた５０μｍ×５０μｍのエリアを拡散量測定エリアとした。なお、Ａｇ拡散量が３．０質量％以下を良品と判断した。その結果を表１に示す。

表１によれば、本発明の多層配線基板の製造方法により形成された試料Ｎｏ．２、４、５では、Ａｇ拡散量が３．０質量％以下であり、安定したキャパシタ特性を有する（ばらつきを低減する）ことがわかる。

これに対し、本発明範囲外である試料Ｎｏ．１、４については、Ａｇ拡散量が１０．３質量％以上であり、安定したキャパシタ特性を有する（ばらつきを低減する）ことができない。

なお、焼成収縮開始温度がＡｇ導体Ｘと比較して高温側に５０℃シフトしたＡｇ導体Ｙにおいては、Ａｇ拡散量は若干抑制できるが、大きくは変化せず、ガラスセラミックグリーンシートの配置に大きく依存していることがわかる。

１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７：第１のガラスセラミックグリーンシート
２１、２２、２３、２４：第２のガラスセラミックグリーンシート
３：貫通導体用ペースト
４：配線パターン
５：キャパシタ形成用電極パターン
６：接続パッド
７：ガラスセラミックグリーンシート積層体

Claims (2)

1. 第１のガラスセラミックグリーンシートと、該第１のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２のガラスセラミックグリーンシートとが複数積層されるとともに、層間にＡｇ導体ペーストによる一対のキャパシタ形成用電極パターンの形成されたガラスセラミックグリーンシート積層体を作製し、該ガラスセラミックグリーンシート積層体を前記第２のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮する温度で焼成する多層配線基板の製造方法であって、一対の前記キャパシタ形成用電極パターンを、互いに対向する側の面が前記第１のガラスセラミックグリーンシートと接するように配置したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記キャパシタ形成用電極パターンを前記第１のガラスセラミックグリーンシート同士を積層した層間に配置したことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。

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