JP7092916B1 - 半導体装置および消去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のフラッシュメモリの消去方法は、ブロック内の複数の犠牲メモリセルを異なる書込みレベルでプログラムしておき、消去コマンドに応答して選択ブロックを消去するとき、監視用消去パルスR1をウエルに印加し、その後、複数の犠牲メモリセルをベリファイ(S_EV)し、ベリファイが不合格のとき、複数の犠牲メモリセルのベリファイが合格するまで監視用消去パルスの電圧を増加した監視用消去パルスR2を印加し、ベリファイが合格したとき、監視用消去パルスR2の電圧に基づき通常の消去パルスQ1をウエルに印加して選択ブロックを消去する。
【選択図】 図5
Description
120:入出力バッファ 130:アドレスレジスタ
140:コントローラ 150:設定情報記憶部
160:ワード線選択回路 170:ページバッファ/センス回路
180:列選択回路 190:内部電圧発生回路
S0、S1、S2:犠牲ストリング
SMC0、SMC1、SMC2:犠牲メモリセル
Claims (16)
- NAND型フラッシュメモリの消去方法であって、
ブロック内の複数の犠牲メモリセルを異なる書込みレベルでプログラムするステップと、
消去コマンドに応答して選択ブロックを消去するとき、監視用消去パルスをウエルに印加するステップと、
前記複数の犠牲メモリセルをベリファイするステップと、
前記ベリファイが不合格のとき、前記複数の犠牲メモリセルのベリファイが合格するまで前記監視用消去パルスの電圧を増加した前記監視用消去パルスを印加するステップと、
前記ベリファイが合格したとき、前記監視用消去パルスの電圧に基づき消去パルスを前記ウエルに印加して前記選択ブロックを消去するステップと、
を有する消去方法。 - 前記複数の犠牲メモリセルは、当該消去前のプログラム動作のときに用いたプログラムパルスで異なる書込みレベルにそれぞれプログラムされる、請求項1に記載の消去方法。
- 前記複数の犠牲メモリセルは、プログラム/消去のサイクル数に応じて設定されたプログラムパルスによってプログラムされる、請求項1または2に記載の消去方法。
- 前記複数の犠牲メモリセルは、第1の書込みレベルでプログラムされた第1の犠牲メモリセルと、第2の書込みレベルでプログラムされた第2の犠牲メモリセルとを含み(第2の書込みレベル>第1の書込みレベル)、
第1および第2の犠牲メモリセルが不合格であるときの前記監視用消去パルスの電圧の増加は、第1の犠牲メモリセルが合格でありかつ第2の犠牲メモリセルが不合格であるときの電圧の増加よりも大きい、請求項1ないし3いずれか1つに記載の消去方法。 - 前記消去パルスの電圧は、前記第1および第2の犠牲メモリセルが合格したときの監視用消去パルスの電圧に基づき設定される、請求項4に記載の消去方法。
- 前記監視用消去パルスは、前記消去パルスと比較して傾斜する電圧波形である、請求項1に記載の消去方法。
- 前記複数の犠牲メモリセルは、前記選択ブロックの消去後にプログラムされる、請求項1に記載の消去方法。
- 前記複数の犠牲メモリセルは、選択ページのプログラム後にプログラムされる、請求項1に記載の消去方法。
- ISPEにより消去を行うNAND型フラッシュメモリの消去方法であって、
当該消去前のプログラム動作のときのプログラムパルスを用いて複数の犠牲メモリセルを異なる書込みレベルでプログラムしておき、
選択ブロックを消去するとき、監視用消去パルスをウエルに印加し、前記複数の犠牲メモリセルのしきい値のシフト量を監視し、
監視結果に基づき選択ブロックを消去するための消去パルスを決定する、消去方法。 - ブロックが複数の犠牲メモリセルを含むNAND型メモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの選択されたブロックを消去する消去手段とを有し、
前記消去手段は、前記複数の犠牲メモリセルを異なる書込みレベルでプログラムし、消去コマンドに応答して選択ブロックを消去するとき、監視用消去パルスをウエルに印加した後前記複数の犠牲メモリセルをベリファイし、前記ベリファイが不合格のとき、前記複数の犠牲メモリセルのベリファイが合格するまで前記監視用消去パルスの電圧を増加した前記監視用消去パルスを印加し、前記ベリファイが合格したとき、前記監視用消去パルスの電圧に基づき消去パルスを前記ウエルに印加して前記選択ブロックを消去する、半導体装置。 - 前記消去手段は、プログラム/消去のサイクル数に応じて設定されたプログラムパルスによって前記複数の犠牲メモリセルをプログラムする、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記複数の犠牲メモリセルは、第1の書込みレベルでプログラムされた第1の犠牲メモリセルと、第2の書込みレベルでプログラムされた第2の犠牲メモリセルとを含み(第2の書込みレベル>第1の書込みレベル)、前記消去手段は、第1および第2の犠牲メモリセルが不合格であるときの前記監視用消去パルスの電圧の増加を、第1の犠牲メモリセルが合格でありかつ第2の犠牲メモリセルが不合格であるときの電圧の増加よりも大きくする、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記消去手段は、前記消去パルスの電圧を、前記第1および第2の犠牲メモリセルが合格したときの前記監視用消去パルスの電圧に基づき設定する、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記消去手段は、前記選択ブロックの消去後に前記複数の犠牲メモリセルをプログラムする、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記複数の犠牲メモリセルは、前記メモリセルアレイのユーザーによって使用されない領域に設けられる、請求項10に記載の半導体装置。
- 半導体装置はさらに、ISPEに関する設定情報およびISPPに関する設定情報を記憶する設定情報記憶部を含み、前記消去手段は、前記設定情報記憶部を参照して犠牲メモリセルをプログラムするための電圧およびブロックを消去するときの電圧を決定する、請求項10に記載の半導体装置。
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Citations (1)
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