JP7063896B2 - 洗浄装置、および洗浄方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施形態1について、図1~図3に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態1に係る洗浄装置100の概略構成を示す図である。図2は、洗浄装置100の供給ユニット170の概略構成を示す模式図である。
洗浄システム600は、ベルジャー500の本体501の内壁面502を洗浄するためのシステムである。洗浄システム600は、図1に示すように、洗浄装置100、高圧ポンプ200、および洗浄液タンク300を備えている。
洗浄装置100は、ノズル112・122にエロージョンが起きにくい吐出圧で砥粒を含む洗浄液をノズル112・122から吐出する。そして、多結晶シリコンの製造に用いられるベルジャー500の内壁面502に洗浄液を衝突させて、内壁面502を洗浄する。また、洗浄装置100は、洗浄液がベルジャー500の内壁面502に衝突するときの衝突圧が、内壁面502の汚れを除去できる圧力を確保するようにノズル112・122と洗浄面(内壁面502)との距離を一定に調整する。これにより、洗浄能力を犠牲にすることなく、ノズル112・122等のエロージョンをおきにくくすることができる。以下に洗浄装置100について詳しく説明する。
第1洗浄ユニット110は、上部湾曲内壁面503aを洗浄する。第1洗浄ユニット110は、ノズルフレーム111、ノズル112、ノズルヘッダ113、およびノズルホース114を備えている。
第2洗浄ユニット120は、側部直胴内壁面504aを洗浄する。第2洗浄ユニット120は、ノズルフレーム121、ノズル122、ノズルヘッダ123、およびノズルホース124を備えている。
メインシャフト140(回転部)は、ノズルフレーム111・121に接続されており、後述する駆動部160により、回転、および上下方向に移動する。これにより、ノズルフレーム111・121を介してノズル112・122の洗浄位置を移動させる。
駆動部160(駆動機構)は、回転・上下駆動力を発生させ、メインシャフト140を回転、および上下方向に移動させる。具体的には、第1洗浄ユニット110のノズル112を上部湾曲内壁面503aに近づけた状態、かつ、第2洗浄ユニット120のノズル122を側部直胴内壁面504aに近づけた状態を考える。駆動部160は、これらの状態で、第1洗浄ユニット110および第2洗浄ユニット120をベルジャー500に対して相対的に移動させる。
供給ユニット170は、高圧ポンプ200により洗浄液タンク300から送液された洗浄水を、ノズルヘッダ113・123を介してノズル112・122に分給する。供給ユニット170は、図2に示すように、バルブヘッダサポート171、バルブヘッダ172、高圧バルブ173、およびノズルホース174を備えている。
第2洗浄ユニット120には、ノズル122が、側部直胴内壁面504aの周方向の形状に沿って環状に配置されていてもよい。また、その場合、ノズルフレーム121は、回転せず、ノズル122が側部直胴内壁面504aに近づいた状態で、ノズル122と側部直胴内壁面504aとの距離が一定になるように、上下方向に移動する。上記上下方向の移動は、昇降用モータ161(第3駆動部)により行われる。
本実施形態の洗浄方法について、図3に基づいて説明する。図3は、洗浄装置100の洗浄方法を説明するフロー図である。具体的には、図3の(a)は、洗浄方法のフロー図であり、図3の(b)は高圧バルブ173の切り換えのフロー図である。
実施形態2について、図4に基づいて説明する。図4は、本発明の実施形態2に係る洗浄装置100Aの概略構成の一部を示す図である。洗浄装置100Aは、洗浄装置100と比較し、駆動部160に代えて駆動部160aを備える点が異なり、その他の構成は同様である。
本実施形態における、ノズル、および洗浄液流路エロージョンを防止するための対策について下記にまとめる。(1)ノズル112・122と内壁面502との距離を調整することで、ノズル112・122の吐出圧を抑えつつ、洗浄液の内壁面502への衝突圧を確保する。(2)ノズル112・122、および洗浄液流路に摺動部を設けない。(3)洗浄液流路の流速を抑える。(4)洗浄液流路において、極力急激な曲がりを避ける。(5)ノズル112・122の内挿品をタングステンカーバイド製以上の硬度を有する材質とする。(6)高圧バルブ173の摩耗対策として開閉間に純水洗浄を行い、配管およびバルブ内に残留している砥粒の洗浄を行う。(7)高圧バルブ173の摩耗対策、および開閉による急激な圧力変動によるトラブル防止として開閉時は高圧ポンプ200を停止する。(8)駆動部160は全て、ベルジャー500の外付けとする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る洗浄方法は、ノズルから砥粒を含む洗浄液を吐出し、多結晶シリコンの製造に用いられるベルジャーの内壁面に衝突させて、上記内壁面を洗浄する洗浄方法であって、上記ノズルは、上記洗浄液による上記ノズルのエロージョンが500μm/時間以下となる吐出圧で上記洗浄液を吐出し、上記洗浄液の上記内壁面への衝突圧が上記内壁面の汚れを除去できる圧力を確保するように、上記ノズルと上記内壁面との距離を調整することを特徴とする。
110 第1洗浄ユニット
120 第2洗浄ユニット
112・122 ノズル
114、124 ノズルホース(洗浄液流路)
140 メインシャフト(回転部)
160 駆動部(駆動機構)
161 昇降用モータ(第2駆動部、第3駆動部)
162 回転用モータ(第1駆動部、第2駆動部)
174 ノズルホース(洗浄液流路)
180 ベルジャー駆動部
500 ベルジャー
502 内壁面
503a 上部湾曲内壁面
504a 側部直胴内壁面
Claims (9)
- ノズルから砥粒を含む洗浄液を吐出し、多結晶シリコンの製造に用いられるベルジャーの内壁面に衝突させて、上記内壁面を洗浄する洗浄方法であって、
上記ノズルは、上記洗浄液による上記ノズルのエロージョンが500μm/時間以下となる吐出圧で上記洗浄液を吐出し、
上記洗浄液の上記内壁面への衝突圧が上記内壁面の汚れを除去できる圧力を確保するように、上記ノズルと上記内壁面との距離を調整することを特徴とする洗浄方法。 - 上記衝突圧は10MPa以上とすることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
- 上記ノズルの吐出口に至るまでの洗浄液流路における上記洗浄液の流速を、上記洗浄液による上記洗浄液流路の内壁のエロージョンが1μm/時間以下となるように制御することを特徴とする請求項1または2に記載の洗浄方法。
- ノズルから砥粒を含む洗浄液を吐出し、多結晶シリコンの製造に用いられるベルジャーの内壁面に衝突させて、上記内壁面を洗浄する洗浄装置であって、
上記ベルジャーの上部湾曲内壁面の頂点を通る弧の少なくとも半分の形状に沿って配置されている複数の上記ノズルを有する第1洗浄ユニットと、
上記ベルジャーの側部直胴内壁面の高さ方向の形状に沿って配置されている他の複数の上記ノズルを有する第2洗浄ユニットと、を備え、
上記第1洗浄ユニットの上記ノズルを上記上部湾曲内壁面に近づけた状態、かつ、第2洗浄ユニットの上記ノズルを上記側部直胴内壁面に近づけた状態で、上記第1洗浄ユニットおよび上記第2洗浄ユニットを上記ベルジャーに対して相対的に移動させる駆動機構を備えていることを特徴とする洗浄装置。 - 上記駆動機構は、
上記第1洗浄ユニットの上記ノズルを上記上部湾曲内壁面に近づけた状態で、上記第1洗浄ユニットを移動させる第1駆動部と、
上記第2洗浄ユニットの上記ノズルを上記側部直胴内壁面に近づけた状態で、上記第2洗浄ユニットを移動させる第2駆動部と、
を備えていることを特徴とする請求項4に記載の洗浄装置。 - 上記第2洗浄ユニットは、上記ベルジャーの側部直胴内壁面の周方向の形状に沿って環状に配置されているさらに他の複数の上記ノズルを有し、
上記駆動機構は、
上記第1洗浄ユニットの上記ノズルを上記上部湾曲内壁面に近づけた状態で、上記第1洗浄ユニットを移動させる第1駆動部と、
上記第2洗浄ユニットの上記ノズルを上記側部直胴内壁面に近づけた状態で、上記第2洗浄ユニットを移動させる第3駆動部と、
を備えていることを特徴とする請求項4に記載の洗浄装置。 - 上記駆動機構は、洗浄空間の外部に設けられていることを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の洗浄装置。
- 当該洗浄装置の回転部からノズルまでの洗浄液流路は、可撓性を有することを特徴とする請求項4から7のいずれか1項に記載の洗浄装置。
- 上記駆動機構は、上記第1洗浄ユニットの上記ノズルを上記上部湾曲内壁面に近づけた状態、および、第2洗浄ユニットの上記ノズルを上記側部直胴内壁面に近づけた状態のうちの少なくとも一方の状態で、上記ベルジャーを移動させるベルジャー駆動部を備えていることを特徴とする請求項4に記載の洗浄装置。
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CN115854373B (zh) * | 2022-11-23 | 2023-07-21 | 安徽恒创智能装备有限公司 | 一种分解炉清结皮机器人 |
EP4406659A1 (en) * | 2023-01-26 | 2024-07-31 | B/E Aerospace, Inc. | Tank rinsing device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000297342A (ja) | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 表面調質超硬合金、被覆表面調質超硬合金およびその製法 |
JP2004356299A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置およびその接液部に用いられる部品ならびにその部品の製造方法 |
JP2006225189A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板洗浄装置及びガラス基板洗浄方法 |
JP2009164435A (ja) | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010275183A (ja) | 2009-04-28 | 2010-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン反応炉 |
WO2012063432A1 (ja) | 2010-11-11 | 2012-05-18 | 信越化学工業株式会社 | ベルジャー清浄化方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56114815A (en) | 1980-02-08 | 1981-09-09 | Koujiyundo Silicon Kk | Preliminary washing method of reaction furnace for preparing polycrystalline silicon |
US4732364A (en) * | 1984-12-17 | 1988-03-22 | Ameron Iron Works USA, Inc. | Wear resistant diamond cladding |
JPH0663096B2 (ja) | 1988-11-25 | 1994-08-17 | コマツ電子金属株式会社 | 気相成長用反応炉の洗浄方法 |
US5108512A (en) * | 1991-09-16 | 1992-04-28 | Hemlock Semiconductor Corporation | Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets |
JP2007332462A (ja) * | 2000-12-12 | 2007-12-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の再生方法,プラズマ処理容器内部材,プラズマ処理容器内部材の製造方法及びプラズマ処理装置 |
JP5166662B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | α−オレフィン低重合体の製造方法 |
US7384486B2 (en) * | 2004-03-26 | 2008-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chamber cleaning method |
DE602009001114D1 (de) * | 2008-01-25 | 2011-06-09 | Mitsubishi Materials Corp | Reaktorreinigungsvorrichtung |
CN102985364B (zh) * | 2010-06-16 | 2015-05-20 | 信越化学工业株式会社 | 钟罩清洁化方法、多晶硅的制造方法以及钟罩用干燥装置 |
JP5726450B2 (ja) | 2010-07-16 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 反応炉洗浄装置および反応炉洗浄方法 |
US20130000672A1 (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | Memc Electronic Materials, Spa | Cleaning tool for polysilicon reactor |
CN202238817U (zh) * | 2011-09-14 | 2012-05-30 | 斯普瑞喷雾系统(上海)有限公司 | 反应炉清洗和烘干系统 |
JP2013199694A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット又はバッキングプレート及びこれらの洗浄方法 |
JP6295023B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2018-03-14 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 |
JP6424776B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2018-11-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 反応炉洗浄装置及び反応炉洗浄方法 |
-
2018
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000297342A (ja) | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 表面調質超硬合金、被覆表面調質超硬合金およびその製法 |
JP2004356299A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置およびその接液部に用いられる部品ならびにその部品の製造方法 |
JP2006225189A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板洗浄装置及びガラス基板洗浄方法 |
JP2009164435A (ja) | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010275183A (ja) | 2009-04-28 | 2010-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン反応炉 |
WO2012063432A1 (ja) | 2010-11-11 | 2012-05-18 | 信越化学工業株式会社 | ベルジャー清浄化方法 |
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