CN107993921A - 一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺 - Google Patents

一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN107993921A
CN107993921A CN201711202581.7A CN201711202581A CN107993921A CN 107993921 A CN107993921 A CN 107993921A CN 201711202581 A CN201711202581 A CN 201711202581A CN 107993921 A CN107993921 A CN 107993921A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
spray
wafer
curing means
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711202581.7A
Other languages
English (en)
Inventor
孙强
柏友荣
沈思情
宋洪伟
陈猛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201711202581.7A priority Critical patent/CN107993921A/zh
Publication of CN107993921A publication Critical patent/CN107993921A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明涉及晶圆片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台、喷淋槽和喷头，其中，所述喷淋台上开设有多个所述喷淋槽，所述喷淋槽用于放置抛盘，所述抛盘的直径为D；多组所述喷头一一对应设置于多个所述喷淋槽的正上方，所述喷头出水时的圆心角为α；所述喷头的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头中相邻喷头之间的间距L2小于等于0.25D。本发明按照此公式设计，能够保证喷头喷出的保湿剂可以全部有效覆盖抛盘以保证喷淋效果。

Description

一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺
技术领域
本发明涉及晶圆片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺。
背景技术
化学机械抛光工艺(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的晶圆片或其它衬底材料进行平滑处理。包括化学过程和物理过程，其中，化学过程是研磨液中的化学品和晶圆片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；物理过程是研磨液中的磨粒和晶圆片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。经CMP工艺处理后必然会造成晶圆片的表面缺陷，一般包括擦伤、残留物和表面污染，所以，在CMP工艺后必须对晶圆片进行有效的清洗来实现CMP的工艺优点，而清洗工艺能够有效清洗晶圆片表面缺陷的前提是CMP工艺处理后的晶圆片表面必需始终保持湿润不干状态，否则会清洗不干净，导致产品不合格。
因此，亟需一种在晶圆片抛光后能够在晶圆片表面形成一层水性保护膜的养护装置及养护工艺，确保晶圆片在清洗时能清洗干净。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺，以解决现有技术中存在的晶圆片抛光后清洗不干净的技术问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台、喷淋槽和喷头，其中，所述喷淋台上开设有多个所述喷淋槽，所述喷淋槽用于放置抛盘，所述抛盘的直径为D；多组所述喷头一一对应设置于多个所述喷淋槽的正上方，所述喷头出水时的圆心角为α；所述喷头的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头中相邻喷头之间的间距L2小于等于0.25D。
作为优选，每组所述喷头的中心点与对应的所述喷淋槽的中心线共线。
作为优选，每组所述喷头包括至少两个喷头。
作为优选，所述喷淋槽上方设置有喷淋管路，多组所述喷头均匀间隔设置于所述喷淋管路上，所述喷淋管路上还设置有控制所述喷头开闭的控制阀。
作为优选，所述喷淋槽的长度L3和宽度L4均等于1.5D。
一种如以上任一项所述的晶圆片抛光后的养护装置的养护工艺，将吸附有多个抛光后的晶圆片的抛盘放置到喷淋槽中，并使所述抛盘的轴线正对所述喷淋槽的中心线；打开喷头对所述抛光盘中的所述晶圆片进行喷淋，所述喷头中喷出的液体在所述晶圆片的表面形成一层水性保护膜。
作为优选，所述喷头中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释后的保湿剂。
作为优选，所述喷头中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释20倍以上后的保湿剂。
作为优选，多个所述晶圆片沿所述抛盘的轴线呈圆周分布。
本发明的有益效果：
本发明提供的晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺，相比于现有技术具有以下有益效果：
1)喷头的安装高度L1以及每组喷头中相邻喷头的间距L2由抛盘的直径D和喷头出水时的圆心角α决定，L1大于等于0.5D*cot0.5α，L2小于等于0.25D，按照此公式设计，能够保证喷头喷出的保湿剂可以全部有效覆盖抛盘以保证喷淋效果；
2)喷淋槽的尺寸也根据抛盘的直径D设计，喷淋槽的长度L3和宽度L4均等于1.5D，喷淋槽的长度和宽度按照此公式设计，既能保证抛盘的有效放置，又不会有多余的面积浪费，有效节约了制造成本。
附图说明
图1是本发明提供的晶圆片抛光后的养护装置的结构示意图。
图中：
1-喷淋台；2-喷淋槽；3-抛盘；4-喷头；5-喷淋管路；6-支撑杆；7-控制阀。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。
如图1所示，本发明提供一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台1、喷淋槽2、喷淋管路5和喷头4，其中，喷淋台1上开设有多个喷淋槽2；喷淋管路5由支撑杆6支撑于喷淋槽2上方，喷淋管路5上均匀间隔设置有多组喷头4，且多组喷头4一一对应设置在多个喷淋槽2的正上方，每组包括至少两个喷头4，且每组喷头4的中心点与对应的喷淋槽2的中心线共线；在喷淋管路5上还设置有控制喷头4开闭的控制阀7。
在本实施例中，喷头4的安装高度L1以及每组喷头4中相邻喷头4的间距L2由抛盘3的直径和喷头4出水时的圆心角决定。设定抛盘3的直径为D，喷头4出水时的圆心角为α，那么：
喷头4的安装高度L1大于等于0.5D*cot0.5α；相邻喷头4之间的间距L2小于等于0.25D。按照此公式设计，能够保证喷头4喷出的保湿剂可以全部有效覆盖抛盘3以保证喷淋效果。
此外，喷淋槽2的尺寸也根据抛盘3的直径D设计，喷淋槽2的长度L3和宽度L4均等于1.5D；喷淋台1的高度可以根据实际作业需要自由确定。喷淋槽2的长度和宽度按照此公式设计，既能保证抛盘3的有效放置，又不会有多余的面积浪费，有效节约了制造成本。
在实际制造时，可以根据需要按照比例灵活设计该养护装置的大小，该养护装置具有制作简单、价格低廉、使用方便、喷淋效果显著、且通用性极强的优势。
本发明提供的晶圆片抛光后的养护装置的养护工艺如下：
首先，将吸附有多个晶圆片的抛盘3由精抛光机上卸下，在本实施例中，抛盘3上吸附有三个晶圆片，且三个晶圆片沿抛盘3的轴线呈圆周分布；
然后，将盛有多个晶圆片的抛盘3放置到喷淋槽2中，并使抛盘3的竖直轴线正对喷淋槽2的中心线和对应的该组喷头4的中心点；
最后，控制阀7控制喷头4打开，喷头4对抛盘3中的晶圆片进行喷淋，喷头4中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释20倍以上后的保湿剂，保湿剂在晶圆片的表面形成一层水性保护膜。
采用上述养护工艺能够在抛光后的晶圆片表面迅速形成水性保护膜且水性保护膜持续时间较长；缓解了晶圆片抛光后的分界面化学反应，降低了晶圆片抛光后的痕迹产生和颗粒的干燥固着所引起的清洗不良的可能，确保晶圆片在CMP工艺后能够被有效的清洗，改善金属微粒子的残存。
表1为清洗后的晶圆片表面的金属微粒子残存对比表，由表1可以看出，先采用本发明提供的养护工艺在晶圆片表面形成水性保护膜，再对晶圆片进行清洗的方法，相比于没有采用养护工艺就直接进行清洗的方法来说，金属微粒子的残存量大大减少了。
表1
显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台(1)、喷淋槽(2)和喷头(4)，其中，所述喷淋台(1)上开设有多个所述喷淋槽(2)，所述喷淋槽(2)用于放置抛盘(3)，所述抛盘(3)的直径为D；多组所述喷头(4)一一对应设置于多个所述喷淋槽(2)的正上方，所述喷头(4)出水时的圆心角为α；
其特征在于，所述喷头(4)的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头(4)中相邻喷头(4)之间的间距L2小于等于0.25D。
2.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，每组所述喷头(4)的中心点与对应的所述喷淋槽(2)的中心线共线。
3.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，每组所述喷头(4)包括至少两个喷头(4)。
4.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，所述喷淋槽(2)上方设置有喷淋管路(5)，多组所述喷头(4)均匀间隔设置于所述喷淋管路(5)上，所述喷淋管路(5)上还设置有控制所述喷头(4)开闭的控制阀(7)。
5.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，所述喷淋槽(2)的长度L3和宽度L4均等于1.5D。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的晶圆片抛光后的养护装置的养护工艺，其特征在于，将吸附有多个抛光后的晶圆片的抛盘(3)放置到喷淋槽(2)中，并使所述抛盘(3)的竖直轴线正对所述喷淋槽(2)的中心线；打开喷头(4)对所述抛光盘中的所述晶圆片进行喷淋，所述喷头(4)中喷出的液体在所述晶圆片的表面形成一层水性保护膜。
7.根据权利要求6所述的养护工艺，其特征在于，所述喷头(4)中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释后的保湿剂。
8.根据权利要求7所述的养护工艺，其特征在于，所述喷头(4)中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释20倍以上后的保湿剂。
9.根据权利要求6所述的养护工艺，其特征在于，多个所述晶圆片沿所述抛盘(3)的轴线呈圆周分布。
CN201711202581.7A 2017-11-27 2017-11-27 一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺 Pending CN107993921A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711202581.7A CN107993921A (zh) 2017-11-27 2017-11-27 一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711202581.7A CN107993921A (zh) 2017-11-27 2017-11-27 一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107993921A true CN107993921A (zh) 2018-05-04

Family

ID=62033108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711202581.7A Pending CN107993921A (zh) 2017-11-27 2017-11-27 一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107993921A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110682204A (zh) * 2019-11-20 2020-01-14 上海超硅半导体有限公司 一种卸载装置及化学机械抛光辅助设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1457507A (zh) * 2001-03-06 2003-11-19 住友电气工业株式会社 化合物半导体晶片的制备方法
CN101062503A (zh) * 2006-04-24 2007-10-31 联华电子股份有限公司 化学机械研磨后的晶片清洗方法
CN202088090U (zh) * 2011-05-24 2011-12-28 北京通美晶体技术有限公司 一种抛光机
CN203031439U (zh) * 2012-10-30 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种半导体晶片抛光系统
CN203049415U (zh) * 2012-12-24 2013-07-10 成都市新筑路桥机械股份有限公司 一种用于可折叠式多重叠沥青洒布装置的喷管

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1457507A (zh) * 2001-03-06 2003-11-19 住友电气工业株式会社 化合物半导体晶片的制备方法
CN101062503A (zh) * 2006-04-24 2007-10-31 联华电子股份有限公司 化学机械研磨后的晶片清洗方法
CN202088090U (zh) * 2011-05-24 2011-12-28 北京通美晶体技术有限公司 一种抛光机
CN203031439U (zh) * 2012-10-30 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种半导体晶片抛光系统
CN203049415U (zh) * 2012-12-24 2013-07-10 成都市新筑路桥机械股份有限公司 一种用于可折叠式多重叠沥青洒布装置的喷管

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110682204A (zh) * 2019-11-20 2020-01-14 上海超硅半导体有限公司 一种卸载装置及化学机械抛光辅助设备
CN110682204B (zh) * 2019-11-20 2024-05-17 上海超硅半导体股份有限公司 一种卸载装置及化学机械抛光辅助设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105261577B (zh) 药液排出机构、液处理装置以及药液排出方法
CN205673072U (zh) 一种陶瓷浆料电磁除铁机
CN103909474B (zh) Cmp站清洁的系统和方法
CN106944381A (zh) 晶圆清洗装置及其清洗方法
CN106141905B (zh) 一种晶圆研磨头清洗装置及清洗方法
CN107993921A (zh) 一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺
CN109759937A (zh) 一种硅片的处理方法和装置
CN104552008B (zh) 研磨方法及研磨装置
CN105364699B (zh) 一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备
CN106002641A (zh) 一种节水型除油除锈装置
CN103846250A (zh) 一种超声波清洗槽的过滤器排液装置及排液方法
CN106637223A (zh) 一种钛合金材料抛光方法
CN103035504A (zh) 化学机械抛光方法和化学机械抛光设备
CN105312268A (zh) 晶圆清洗装置
CN108284383A (zh) 一种化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
CN102773787A (zh) 化学机械抛光系统
CN102601084B (zh) 排气管道自动清洁装置及涂胶显影机台
CN206277261U (zh) 研磨组件
CN202003963U (zh) 一种晶圆清洗装置
CN206567987U (zh) 清洗装置及机械研磨设备
KR102098992B1 (ko) 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치
TW201244878A (en) Chemical mechanical polishing system
CN202825548U (zh) 研磨垫调整器清洗装置及化学机械研磨装置
CN203875045U (zh) 搅拌主机清洗装置及搅拌主机
CN112775757A (zh) 一种半导体机台及研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180504

RJ01 Rejection of invention patent application after publication