CN202003963U - 一种晶圆清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种晶圆清洗装置，用于清洗晶圆，包括：晶圆固定转台，其上固定放置所述晶圆；清洗罩，设置于所述晶圆外围，所述清洗罩上设置有通孔；清洗液喷管，固定于所述清洗罩的通孔上，其喷嘴朝向所述晶圆；及废液吸收管，固定于所述清洗罩的通孔上，位于所述清洗液喷管下方、所述晶圆周围。本实用新型所述清洗液喷管喷出清洗液冲洗晶圆的同时，所述废液吸收管快速将冲洗过晶圆的清洗液吸收排出，从而快速排除残留在晶圆表面的污染杂质，从而快速彻底地完成清洗。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制造工艺设备，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
背景技术
随着半导体元件特征的尺寸逐渐缩小至深次微米的范围，为了确保元件的可靠度，在制作集成电路或其他电子装置时，提供极度平坦的晶片表面或基底表面是十分重要的。
在半导体制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般说来，在半导体的整个制造工艺中，高达20％的步骤为清洗步骤，清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。
在目前半导体器件的制造工艺中，常采用化学机械研磨来进行金属或介质膜的整体平整。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是机械研磨和化学反应组合的技术，化学机械抛光技术借助超微粒的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的平面。化学机械抛光技术是集成电路(IC)向细微化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物，已经成为半导体制造行业的主流技术，也是晶片向200mm、300mm乃至更 大的直径过度、提高生产效率、降低制造成本以及衬底全局化平坦化必备的工艺技术。
在化学机械研磨工艺中会使用到研磨浆料，例如二氧化铈、氧化铝、或者气体或胶态二氧化硅之类的颗粒，以及适用于化学机械研磨处理的表面活性剂、侵蚀剂和其他添加剂。在化学机械研磨处理后，由抛光浆料的颗粒、添加至浆料中的化学品、以及抛光浆料的反应产生物所构成的污染物会留在晶圆的表面上。这些污染物必须在进入到下一个工艺之前都清洗干净，以避免降低器件的可靠性，以及对器件引入缺陷。
然而现有技术中，晶圆清洗过程十分耗时，不能快速彻底清除晶圆上的残留物质。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是，提供一种快速有效清洗晶圆的装置。为解决上述技问题，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：
晶圆固定转台，其上固定放置所述晶圆；
清洗罩，设置于所述晶圆外围，所述清洗罩上设置有通孔；
清洗液喷管，设置于所述清洗罩的第一通孔上，其喷嘴朝向所述晶圆；及
废液吸收管，设置于所述清洗罩的第二通孔上，位于所述清洗液喷管下方、所述晶圆周围。
进一步的，所述晶圆水平放置于所述晶圆固定转台上。
进一步的，所述晶圆竖直放置于所述晶圆固定转台上。
进一步的，所述清洗液喷管喷出的清洗液包括去离子水。
进一步的，所述清洗液喷管的喷液量为100ml/min～1000ml/min。
进一步的，所述清洗罩为圆筒型，其底面直径大于所述晶圆直径。
综上所述，本实用新型所述清洗液喷管喷出清洗液冲洗晶圆的同时，所述废液吸收管快速将冲洗过晶圆的清洗液吸收排出，从而快速排除残留在晶圆表面的污染杂质，从而快速彻底地完成清洗。
附图说明
图1为本实用新型中晶圆清洗装置一实施例的结构示意图。
图2为本实用新型中晶圆清洗装置另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。
其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。
图1为本实用新型中晶圆清洗装置一实施例的结构示意图。如图1所示， 本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：晶圆固定转台101，清洗罩103，清洗液喷管102，以及废液吸收管104。
晶圆固定转台101，其上固定放置晶圆100，在清洗过程中，晶圆固定转台101固定晶圆100，并带动晶圆100自身转动，均匀清洗；
清洗罩103，设置于所述晶圆100外围，所述清洗罩103上设置有通孔；
清洗液喷管102，设置于所述清洗罩103的第一通孔105a上，其喷嘴朝向所述晶圆100；
以及，废液吸收管104，固定于所述清洗罩103的第二通孔105b上，位于所述清洗液喷管102下方，及所述晶圆100周围。
所述清洗液喷管102与废液吸收管104可以为多个，数量不被限定，以增加清洗的流量，提高清洗效率，相应地，所述第一通孔105a与所述第二通孔105b也包括多个，数量分别与清洗液喷管102、废液吸收管104的数量相配。
所述清洗罩103，不仅固定所述清洗液喷管102和废液吸收管104，同时有效防止清洗液冲洗晶圆100时，废液溅落到其他设备上造成污染。
进一步的，所述清洗液喷管102喷出的清洗液包括去离子水。
进一步的，所述清洗液喷管102的喷液量为100ml/min～1000ml/min。所述废液吸收管104能够充分吸收所述清洗液喷管102喷出的液体，达到充分清洗的效果。
进一步的，所述清洗罩103为圆筒型，其底面直径大于所述晶圆100直径，所述圆筒型清洗罩103有利于在晶圆100转动过程中防止划伤或磕伤。
如图1所示，所述晶圆100水平放置于所述晶圆固定转台101上。图2为 本实用新型中晶圆清洗装置另一实施例的结构示意图。如图2，所述晶圆100竖直放置于所述晶圆固定转台101上。清洗过程中晶圆100的放置位置和方向不被限定，能够完成较佳冲洗的放置方式都在本实用新型的思想范围内。
综上所述，本实用新型通过设置清洗液喷管和废液吸收管，所述清洗液喷管喷出清洗液冲洗晶圆的同时，所述废液吸收管快速将冲洗过晶圆的清洗液吸收排出，从而快速排除残留在晶圆表面的污染杂质，从而快速彻底地完成清洗。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (2)
1.一种晶圆清洗装置，用于清洗晶圆，其特征在于，包括：
晶圆固定转台，其上固定放置所述晶圆；
清洗罩，设置于所述晶圆外围，所述清洗罩上设置有通孔；
清洗液喷管，设置于所述清洗罩的第一通孔上，其喷嘴朝向所述晶圆；及
废液吸收管，设置于所述清洗罩的第二通孔上，位于所述清洗液喷管下方及所述晶圆周围。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗罩为圆筒型，其底面直径大于所述晶圆直径。
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|---|---|---|---|
| CN2010206902980U CN202003963U (zh) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 一种晶圆清洗装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN202003963U true CN202003963U (zh) | 2011-10-05 |
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| CN2010206902980U Expired - Fee Related CN202003963U (zh) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 一种晶圆清洗装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN202003963U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106269626A (zh) * | 2015-05-13 | 2017-01-04 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 防溅射护罩 |
| CN108493132A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-09-04 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆清洗装置及其控制方法 |
| CN110791764A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-14 | 奇景光电股份有限公司 | 清洗治具 |
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2010
- 2010-12-30 CN CN2010206902980U patent/CN202003963U/zh not_active Expired - Fee Related
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
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Granted publication date: 20111005 Termination date: 20181230 |