CN201898119U - 一种晶圆清洗装置 - Google Patents

一种晶圆清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN201898119U
CN201898119U CN2010206441626U CN201020644162U CN201898119U CN 201898119 U CN201898119 U CN 201898119U CN 2010206441626 U CN2010206441626 U CN 2010206441626U CN 201020644162 U CN201020644162 U CN 201020644162U CN 201898119 U CN201898119 U CN 201898119U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cleaning
cleaning device
signal
receiving end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010206441626U
Other languages
English (en)
Inventor
许金海
李佩
马智勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2010206441626U priority Critical patent/CN201898119U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201898119U publication Critical patent/CN201898119U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：清洗槽；转动机构，所述转动机构一端固定于清洗槽，另一端与晶圆的侧边接触；进液装置，配置于所述清洗槽内，设置于所述晶圆上方；清洗刷，所述清洗刷的刷头在清洗过程与所述晶圆接触；还包括，晶圆转动监测装置，配置于所述清洗槽内，位于所述晶圆的侧面。本实用新型所述晶圆清洗装置增加转动监测装置，通过在晶圆清洗装置中设置晶圆监测装置，监测晶圆转动过程中对转动监测装置信号的周期性改变，当晶圆停止转动或转速超出设定范围时发出报警，从而实时监测清洗过程中晶圆是否转动及转速情况的转动监测装置。

Description

一种晶圆清洗装置
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆清洗装置，尤其涉及一种能够监测晶圆转动情况的晶圆清洗装置。
背景技术
在半导体制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般说来，在半导体的整个制造工艺中，高达20％的步骤为清洗步骤，清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。
在目前半导体器件的制造工艺中，常采用化学机械研磨来进行金属或介质膜的整体平整。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是机械研磨和化学反应组合的技术，化学机械抛光技术借助超微粒的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的平面。化学机械抛光技术是集成电路(IC)向细微化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物，已经成为半导体制造行业的主流技术，也是晶片向200mm、300mm乃至更大的直径过度、提高生产效率、降低制造成本以及衬底全局化平坦化必备的工艺技术。
在化学机械研磨工艺中会使用到研磨浆料，例如二氧化铈、氧化铝、或者气体或胶态二氧化硅之类的颗粒，以及适用于化学机械研磨处理的表面活性剂、侵蚀剂和其他添加剂。在化学机械研磨处理后，由抛光浆料的颗粒、添加至浆料中的化学品、以及抛光浆料的反应产生物所构成的污染物会留在晶圆的表面上。这些污染物必须在进入到下一个工艺之前都清洗干净，以避免降低器件的可靠性，以及对器件引入缺陷。
在现有清洗设备中，晶圆放入清洗槽中，在晶圆转动机构的带动下自身旋转，并利用清洗刷进行刷洗。如果晶圆转动机构发生故障无法转动晶圆或晶圆转速不正常时，清洗工作将无法顺利进行下去，甚至损伤晶圆。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能够实时监测清洗过程中晶圆是否转动的清洗装置。
为解决上述问题，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：清洗槽；转动机构，所述转动机构一端固定于清洗槽，另一端与晶圆的侧边接触；进液装置，配置于所述清洗槽内，设置于所述晶圆上方；清洗刷，所述清洗刷的刷头在清洗过程中与所述晶圆接触；还包括，晶圆转动监测装置，配置于所述清洗槽内，位于所述晶圆的侧面。
进一步的，所述晶圆转动监测装置包括信号发射端与信号接收端，所述信号发射端与所述信号接收端位置正对。
进一步的，所述信号发射端和所述信号接收端之间的连线垂直于所述晶圆，且所述连线到晶圆圆心的垂直距离小于晶圆的半径，大于所述晶圆的缺角标记内顶点到所述晶圆圆心的距离。
所述信号接收端接收所述信号发射端发出光线信号。
进一步的，所述光线信号为激光。
进一步的，所述光线信号为LED光。
可选的，所述信号接收端接收所述信号发射端发出声纳信号。
进一步的，所述转动机构包括至少三个固定头，所述固定头与晶圆的侧边接触，固定所述晶圆，且能够带动所述晶圆旋转。
进一步的，所述清洗刷至少包括两个，在清洗过程中分别与所述晶圆的正面和背面相接触。
本实用新型所述晶圆清洗装置增加转动监测装置，通过在晶圆清洗装置中设置晶圆监测装置，监测晶圆转动过程中对转动监测装置信号的周期性改变，当晶圆停止转动或者转速超出设定范围时发出报警，从而实时监测清洗过程中晶圆是否转动及转速情况的转动监测装置。
附图说明
图1为本实用新型一实施例中所述晶圆清洗装置的结构示意图。
图2为本实用新型一实施例中所述晶圆清洗装置的一状态图。
图3为本实用新型一实施例中晶圆转动监测装置监测信号示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。
其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。
本实用新型的核心思想是：通过在晶圆清洗装置中设置晶圆监测装置，实时监测清洗过程中晶圆是否转动及转动速度情况的转动监测装置，当晶圆停止转动或者转速超出设定范围时发出报警。
图1为本实用新型一实施例中所述晶圆清洗装置的结构示意图，请参考图1，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：清洗槽101；转动机构103，所述转动机构103一端固定于清洗槽101，另一端与晶圆100的侧边接触；进液装置107，配置于所述清洗槽101内，设置于所述晶圆100上方；清洗刷105，所述清洗刷105的刷头在清洗过程中与所述晶圆100接触；还包括，晶圆100转动监测装置，配置于所述清洗槽101内，位于所述晶圆101的侧面。
所述晶圆100转动监测装置实时监测晶圆100是否在转动机构103的带动下进行转动，当晶圆100停止转动或者转速超出设定范围时及时发出报警，停止清洗工作进行检修。
在本实施例中，所述晶圆100转动监测装置包括信号发射端110与信号接收端112，所述信号发射端110与所述信号接收端112位置正对。所述信号发射端110和所述信号接收端112之间的连线垂直于所述晶圆100，且所述连线到晶圆100圆心的垂直距离小于晶圆100的半径，大于所述晶圆100的缺角标记内顶点到所述晶圆100圆心的距离。在本实施例中，所述信号发射端110和所述信号接收端112位于所述晶圆100上方，且所述连线的位置低于所述晶圆100的最高点，高度差小于所述晶圆100的缺角标记的长度。此外，其他位置能够满足在晶圆转动过程中晶圆的缺角标记周期性遮挡信号发射端110发出的信号的都在本实用新型的思想范围内。在本实施例中所述晶圆转动监测装置还包括信号控制端114，所述信号控制端与所述信号接收端112相连，显示并判断所述信号接收端112的信号，当所述信号接收端112接收的信号发生异常时，及时控制晶圆清洗装置停止工作，进行检修。
图2为本实用新型一实施例中所述晶圆清洗装置的一状态图，请结合图2和图1，当晶圆100转动到某一位置时，所述信号发射端110、晶圆的缺角标记100a与信号接收端112位于同一条直线上，信号发射端110发出的光线信号通过晶圆100的缺角标记传递到信号接收端112，晶圆继续转动，晶圆100将信号发射端110和信号接收端112之间阻隔，信号接收端112无法接收到信号发射端110发出的光线信号。则在晶圆100旋转清洗过程中，信号接收端112能够周期性接收到信号发射端110发出的光线信号，一旦一周期后无法没有接收到光线信号，则判断晶圆100停止转动或转动出现异常，及时停止清洗工作并进行检修。
进一步的，所述光线信号可以为激光或LED光，其中激光更佳，因为激光具有更好的直线传播和低散射性。
本实用新型中另一实施例，所述信号接收端112接收所述信号发射端110发出声纳信号。在转动过程中，由于每周期晶圆缺角对声纳信号发生干涉，则信号接收端112接收的声纳信号发生周期性变化，如果声纳信号停止周期性变化或周期发生改变则判断晶圆转动异常，停止清洗工作并进行检修。
进一步的，所述转动机构103包括至少三个固定头，所述固定头与晶圆100的侧边接触，固定所述晶圆100。固定头抓紧晶圆100并带动晶圆100自身旋转，晶圆的高度保持不变，以晶圆自身中心垂线为轴线旋转。
进一步的，所述清洗刷105至少包括两个，清洗刷105的刷头在清洗过程中分别与所述晶圆100的正面和背面相接触，并且可以左右水平移动，调整清洗刷105的刷头与所述晶圆100之间的距离，保证最佳的清洗状态。在晶圆100转动的过程中，所述清洗刷以自身轴转转动，从而清洗刷与晶圆100转动摩擦，从而刷洗晶圆100表面的化学残留物。
本实用新型所述晶圆清洗装置一实施例的使用过程为：将晶圆100置入清洗槽101中，转动机构103固定夹持晶圆100，转动晶圆100，清洗刷105，同时移向晶圆100且刷洗晶圆表面100，进液装置107向清洗槽101内流入清洗液，冲洗晶圆100的污垢，同时开启晶圆转动监测装置，晶圆100在正常转动的过程中，周期性阻隔信号发射端110发出的光线信号，从而在信号接收端112可以接收到周期性信号，图3为本实用新型一实施例中晶圆转动监测装置监测信号示意图，如图3所示，在时间T之前晶圆100正常转动，在时间T后，光线信号不变化，则此时晶圆转动100不正常转动，此外若变化周期发生改变，亦判断晶圆100转动不正常，则及时停止清洗工作进行检修，从而达到了实时监测的目的。
综上所述，本实用新型所述晶圆清洗装置增加转动监测装置，通过在晶圆清洗装置中设置晶圆监测装置，监测晶圆转动过程中对转动监测装置信号的周期性改变，当晶圆停止转动时发出报警，从而实时监测清洗过程中晶圆是否转动或转速是否正常的转动监测装置。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (9)

1.一种晶圆清洗装置，包括：
清洗槽；
转动机构，所述转动机构一端固定于清洗槽，另一端与晶圆的侧边接触；
进液装置，配置于所述清洗槽内，设置于所述晶圆上方；
清洗刷，所述清洗刷的刷头在清洗过程中与所述晶圆接触；
其特征在于，还包括，
晶圆转动监测装置，配置于所述清洗槽内，位于所述晶圆的侧面。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆转动监测装置包括信号发射端与信号接收端，所述信号发射端与所述信号接收端位置正对。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述信号发射端和所述信号接收端之间的连线垂直于所述晶圆，且所述连线到晶圆圆心的垂直距离小于晶圆的半径，大于所述晶圆的缺角标记内顶点到所述晶圆圆心的距离。
4.如权利要求2或3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述信号接收端接收所述信号发射端发出光线信号。
5.如权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述光线信号为激光。
6.如权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述光线信号为LED光。
7.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述信号接收端接收所述信号发射端发出声纳信号。
8.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述转动机构包括至少三个固定头，所述固定头与晶圆的侧边接触，固定所述晶圆，且能够带动所述晶圆旋转。
9.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗刷至少包括两个，在清洗过程中分别与所述晶圆的正面和背面相接触。
CN2010206441626U 2010-12-06 2010-12-06 一种晶圆清洗装置 Expired - Fee Related CN201898119U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010206441626U CN201898119U (zh) 2010-12-06 2010-12-06 一种晶圆清洗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010206441626U CN201898119U (zh) 2010-12-06 2010-12-06 一种晶圆清洗装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201898119U true CN201898119U (zh) 2011-07-13

Family

ID=44256015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010206441626U Expired - Fee Related CN201898119U (zh) 2010-12-06 2010-12-06 一种晶圆清洗装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201898119U (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102658273A (zh) * 2012-05-09 2012-09-12 上海宏力半导体制造有限公司 清洗装置
CN103341457A (zh) * 2013-06-03 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 硅片转速测定装置及其测定方法
CN104867810A (zh) * 2014-02-26 2015-08-26 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗装置
CN104952695A (zh) * 2014-03-24 2015-09-30 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗方法和设备
CN106449476A (zh) * 2016-09-29 2017-02-22 无锡宏纳科技有限公司 晶圆片边缘处理装置的清洗槽结构
CN106944381A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗装置及其清洗方法
CN107999457A (zh) * 2017-11-29 2018-05-08 德淮半导体有限公司 旋转清洗设备、用于旋转清洗设备的检测设备以及检测方法
CN113889429A (zh) * 2021-12-06 2022-01-04 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于晶圆的寻位装置、寻位方法及晶圆计速方法
TWI766697B (zh) * 2021-05-24 2022-06-01 聯毅科技股份有限公司 監控裝置及方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102658273A (zh) * 2012-05-09 2012-09-12 上海宏力半导体制造有限公司 清洗装置
CN103341457A (zh) * 2013-06-03 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 硅片转速测定装置及其测定方法
CN104867810A (zh) * 2014-02-26 2015-08-26 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗装置
CN104952695A (zh) * 2014-03-24 2015-09-30 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗方法和设备
CN106944381A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗装置及其清洗方法
CN106449476A (zh) * 2016-09-29 2017-02-22 无锡宏纳科技有限公司 晶圆片边缘处理装置的清洗槽结构
CN107999457A (zh) * 2017-11-29 2018-05-08 德淮半导体有限公司 旋转清洗设备、用于旋转清洗设备的检测设备以及检测方法
TWI766697B (zh) * 2021-05-24 2022-06-01 聯毅科技股份有限公司 監控裝置及方法
CN113889429A (zh) * 2021-12-06 2022-01-04 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于晶圆的寻位装置、寻位方法及晶圆计速方法
WO2023103695A1 (zh) * 2021-12-06 2023-06-15 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于晶圆的寻位装置、寻位方法及晶圆计速方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201898119U (zh) 一种晶圆清洗装置
CN100487870C (zh) 化学机械研磨系统及研磨液
US6171436B1 (en) Apparatus for removing slurry particles
KR101378259B1 (ko) 콜로이드성 실리카를 사용하는 산화규소 연마 방법
Banerjee et al. Chemical mechanical planarization historical review and future direction
US10453702B2 (en) Chemical mechanical polishing device and chemical mechanical polishing method
CN101671527A (zh) 高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液及制备方法
JP2011508423A (ja) 金属除去速度を制御するためのハロゲン化物アニオン
CN100592960C (zh) 在铜化学机械研磨工艺中减少晶片被腐蚀的方法
CN106944381A (zh) 晶圆清洗装置及其清洗方法
CN100533674C (zh) 化学机械抛光的方法与研磨液及半导体器件及其制造方法
US8334190B2 (en) Single step CMP for polishing three or more layer film stacks
CN103909474A (zh) Cmp站清洁的系统和方法
CN203245737U (zh) 多功能研磨液供应结构及研磨装置
CN201898118U (zh) 一种晶圆清洗装置
CN104745089A (zh) 一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法
CN204075983U (zh) 化学机械研磨机台
CN203955646U (zh) 晶圆清洗装置
CN102371532B (zh) 化学机械研磨工艺的返工方法
CN202003963U (zh) 一种晶圆清洗装置
CN103205205A (zh) 一种碱性化学机械抛光液
CN103035504A (zh) 化学机械抛光方法和化学机械抛光设备
CN201940892U (zh) 研磨垫调整装置
CN109666410A (zh) 蓝宝石抛光液添加剂及其制备方法和用途
CN202825548U (zh) 研磨垫调整器清洗装置及化学机械研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

Free format text: FORMER OWNER: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORPORATION

Effective date: 20130412

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 100176 DAXING, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130412

Address after: 100176 No. 18, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing

Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110713

Termination date: 20181206

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee