CN103341457A - 硅片转速测定装置及其测定方法 - Google Patents
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Abstract
一种硅片转速测定装置，包括：支撑体，用于设置所述硅片转速测定装置的功能部件；清洗毛刷，呈轴状，并活动设置在所述支撑体的承载臂上；主动轮，设置在与所述支撑体之底板固定连接的支撑板上，且所述主动轮通过设置在所述支撑体上的传动装置带动旋转；以及镭射光探测装置，进一步包括呈面向设置的镭射光发生器和镭射光接收器，所述镭射光探测装置设置在所述主动轮之间，且位于所述主动轮与所述硅片形成弧上。本发明通过将所述镭射光探测装置设置在所述主动轮之间，且位于所述主动轮与所述硅片形成弧上，可进行累积计数，精确测量硅片清洗速度，及时反馈至机台，并对清洗过程进行严格控制，从而达到最佳清洗效果，保证所述硅片的电性良好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术设备，尤其涉及一种硅片转速测定装置及其测定方法。
背景技术
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polisher,CMP）工艺方法，是采用化学药液研磨硅片的正面，研磨完之后需要对硅片的表面进行清洗，以保证芯片的成品率和下道工序的顺利开展。在硅片后洗净过程中，采用刷子清洗是一个重要的步骤。
通常地，所述硅片清洗过程包括：轴状清洗毛刷闭合使之接触所述硅片表面，并自身绕轴旋转；位于两侧的主动轮通过马达带动进行自身旋转，从而带动所述硅片旋转。为了确保所述硅片能够按照清洗程式中设定的最佳转速转动，所述硅片底部的从动轮会进行计数，并推算所述硅片的实际转速，同时实时反馈至机台对实际转速定量控制。
但是，所述硅片在清洗过程中，通过从动轮的转动间接推算所述硅片的转速存在以下不足：当所述硅片边缘从所述从动轮摩擦力变化或者所述从动轮随着使用时间的增长而自身转动摩擦力改变，势必造成所述硅片与所述从动轮之间的相对位移，从而导致所述从动轮未能正确反映出所述硅片的实际转速，导致清洗效果不佳。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种硅片转速测定装置及其测定方法。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统的硅片清洗过程中，通过从动轮间接推算所述硅片转速的方法可靠性差、精确性低等缺陷提供一种硅片转速测定装置。
本发明的又一目的是针对现有技术中，传统的硅片清洗过程中，通过从动轮间接推算所述硅片转速的方法可靠性差、精确性低等缺陷提供一种硅片转速测定的方法。
为了解决上述问题，本发明提供一种硅片转速测定装置，所述硅片转速测定装置包括：支撑体，所述支撑体具有呈面向设置的承载臂，所述支撑体用于设置所述硅片转速测定装置的功能部件；清洗毛刷，所述清洗毛刷呈轴状，所述清洗毛刷的两端并活动设置在所述支撑体的承载臂上；主动轮，所述主动轮设置在与所述支撑体之底板固定连接的支撑板上，且所述主动轮通过设置在所述支撑体上的传动装置带动旋转；以及镭射光探测装置，所述镭射光探测装置进一步包括呈面向设置的镭射光发生器和镭射光接收器，所述镭射光探测装置设置在所述主动轮之间，且位于所述主动轮与所述硅片形成弧上。
可选地，所述硅片转速测定装置进一步包括在所述硅片的上部、左部、右部的其中之一，或者在所述硅片的不同方位组合设置所述镭射光探测装置。
为实现本发明之又一目的，本发明提供一种硅片转速测定装置的转速测定方法，所述方法包括：当所述硅片之凹口未在所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光被所述硅片阻挡；当所述硅片之凹口旋转到所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光便通过所述凹口被所述镭射光接收器接受，从而进行累积计数，以精准的获得所述硅片的转速。
综上所述，本发明所述硅片转速测定装置通过将所述镭射光探测装置设置在所述主动轮之间，且位于所述主动轮与所述硅片形成弧上，当所述硅片之凹口未在所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光被所述硅片阻挡；当所述硅片之凹口旋转到所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光便通过所述凹口被所述镭射光接收器接受，并可进行累积计数，精确测量硅片清洗速度，及时反馈至机台，并对清洗过程进行严格控制，从而达到最佳清洗效果，保证所述硅片的电性良好。
附图说明
图1所示为本发明硅片转速测定装置的结构示意图；
图2所示为通过本发明所述硅片转速测定装置进行测定后清洗硅片的效果图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1，图1所示为本发明硅片转速测定装置的结构示意图。所述硅片转速测定装置1包括支撑体11，所述支撑体11具有呈面向设置的承载臂111，所述支撑体11用于设置所述硅片转速测定装置1的功能部件；清洗毛刷12，所述清洗毛刷12呈轴状，所述清洗毛刷12的两端并活动设置在所述支撑体11的承载臂111上；主动轮13，所述主动轮13设置在与所述支撑体11之底板112固定连接的支撑板113上，且所述主动轮13通过设置在所述支撑体11上的传动装置14带动旋转；以及镭射光探测装置15，所述镭射光探测装置15进一步包括呈面向设置的镭射光发生器151和镭射光接收器（未图示），所述镭射光探测装置15设置在所述主动轮13之间，且位于所述主动轮13与所述硅片2形成弧21上。
请继续参阅图1，详述本发明硅片转速测定装置1的工作原理。所述镭射光探测装置15设置在所述主动轮13之间，且位于所述主动轮13与所述硅片2形成弧21上。故，在所述硅片2在清洗过程中，所述主动轮13在所述传动装置14的带动下旋转，并进而带动所述硅片2旋转。当所述硅片2之凹口（未图示）未在所述镭射光探测装置15处时，所述镭射光发生器151发出的镭射光被所述硅片2阻挡；当所述硅片2之凹口旋转到所述镭射光探测装置15处时，所述镭射光发生器151发出的镭射光便通过所述凹口被所述镭射光接收器接受。
更具体地，在所述硅片2准备清洗前，将所述硅片2设置在所述清洗毛刷12之间，并承载在所述主动轮13上，所述镭射光探测装置15之镭射光发生器151与镭射光接收器分别位于所述硅片2的两侧；在所述硅片2清洗过程中，所述主动轮13在所述传动装置14的带动下旋转，并进而带动所述硅片2旋转。显然地，当所述硅片2之凹口（未图示）未在所述镭射光探测装置15处时，所述镭射光发生器151发出的镭射光被所述硅片2阻挡；当所述硅片2之凹口旋转到所述镭射光探测装置15处时，所述镭射光发生器151发出的镭射光便通过所述凹口被所述镭射光接收器接受，从而进行累积计数，以精准的获得所述硅片2的转速。
作为本领域技术人员，容易理解地，为了进一步增强所述硅片转速测定装置1的数据可靠性，非限制性的列举，可在所述硅片2的上部、左部、右部的其中之一，或者在所述硅片2的不同方位组合设置所述镭射光探测装置15进行速度探测。
请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为通过本发明所述硅片转速测定装置进行测定后清洗硅片的效果图。由图2可知，本发明硅片转速测定装置可实现对硅片真实转速的定量测定，及时反馈至机台，并对清洗过程进行严格控制，从而达到最佳清洗效果，保证所述硅片2的电性良好。
综上所述，本发明所述硅片转速测定装置通过将所述镭射光探测装置设置在所述主动轮之间，且位于所述主动轮与所述硅片形成弧上，当所述硅片之凹口未在所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光被所述硅片阻挡；当所述硅片之凹口旋转到所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光便通过所述凹口被所述镭射光接收器接受，并可进行累积计数，精确测量硅片清洗速度，及时反馈至机台，并对清洗过程进行严格控制，从而达到最佳清洗效果，保证所述硅片的电性良好。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。
Claims (3)
1.一种硅片转速测定装置，其特征在于，所述硅片转速测定装置包括：
支撑体，所述支撑体具有呈面向设置的承载臂，所述支撑体用于设置所述硅片转速测定装置的功能部件；
清洗毛刷，所述清洗毛刷呈轴状，所述清洗毛刷的两端并活动设置在所述支撑体的承载臂上；
主动轮，所述主动轮设置在与所述支撑体之底板固定连接的支撑板上，且所述主动轮通过设置在所述支撑体上的传动装置带动旋转；以及，
镭射光探测装置，所述镭射光探测装置进一步包括呈面向设置的镭射光发生器和镭射光接收器，所述镭射光探测装置设置在所述主动轮之间，且位于所述主动轮与所述硅片形成弧上。
2.如权利要求1所述的硅片转速测定装置，其特征在于，所述硅片转速测定装置进一步包括在所述硅片的上部、左部、右部的其中之一，或者在所述硅片的不同方位组合设置所述镭射光探测装置。
3.如权利要求1所述的硅片转速测定装置的转速测定方法，其特征在于，所述方法包括：当所述硅片之凹口未在所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光被所述硅片阻挡；当所述硅片之凹口旋转到所述镭射光探测装置处时，所述镭射光发生器发出的镭射光便通过所述凹口被所述镭射光接收器接受，从而进行累积计数，以精准的获得所述硅片的转速。
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