JP7018341B2 - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の課題は、位置決め精度をより向上させるダイボンディング装置を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、ダイボンディング装置は、ピックアップしたダイを基板に載置するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドの上部に設けられる光を発するターゲットマーカと、前記基板の位置認識マークおよび前記ターゲットマーカを撮像する撮像装置と、を備える。前記撮像装置は、焦点がずれた状態で、前記ターゲットマーカを撮像する。
次に、上述した課題を解決する一例である実施形態について図5~8を用いて説明する。図5は実施形態のカメラとボンディングヘッドと基板との関係を示す図である。図6は発光ターゲットマーカと位置合わせマークとの関係を説明する図である。図7は図6の発光ターゲットマーカの撮像画像を示す図である。図8は発光ターゲットマーカの構成例を示す図である。
(1)一つのカメラでワークである基板とボンディングヘッドの位置を測定することで、一つのカメラ画像の座標系で相対位置検出が可能となる。カメラ間やユニット間の座標合わせによる不要な補正処理を行わなくてよい。
(2)ボンディングヘッドの座標を都度測定が可能となる。よって、着工前に生成した補正データへの依存度を減らすことが可能となる。
(3)発光ターゲットマーカを用いることで、焦点が合っていない状態での撮像画像を安定的に得ることが可能となる。
(4)ボンディングヘッドの空間的な位置を正確に把握することでボンディングの精度向上が可能となる。
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
第一変形例はボンディングヘッドの回転および高さを測定する例であり、図11を用いて説明する。
第二変形例はボンディングヘッドの傾き成分を検出する例であり、図12~14を用いて説明する。
第三変形例はボンディングヘッドの回転、高さおよび傾きを測定する例であり、図15を用いて説明する。図15は第三変形例の発光ターゲットマーカを説明する図である。
図16は第四変形例の発光ターゲットマーカの構成例を示す図である。図17は近接円形像の重なりを説明する図である。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
実施例のダイボンディング工程では、まず、制御部8は、ウェハ11を保持しているウェハリング14をウェハカセットから取り出してウェハ保持台12に載置し、ウェハ保持台12をダイDのピックアップが行われる基準位置まで搬送する(ウェハローディング(工程P1))。次いで、制御部8は、ウェハ認識カメラ24によって取得した画像から、ウェハ11の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整を行う。
また、実施例ではウェハの裏面にDAFが貼付されているが、DAFはなくてもよい。
また、実施例ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ1つ備えているが、それぞれ2つ以上であってもよい。また、実施例では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。
また、実施例ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。
1・・・ダイ供給部
13・・・突上げユニット
2・・・ピックアップ部
24・・・ウェハ認識カメラ
3・・・中間ステージ部
31・・・中間ステージ
32・・・ステージ認識カメラ
4・・・ボンディング部
41・・・ボンディングヘッド
42・・・コレット
44・・・基板認識カメラ
5・・・搬送部
51・・・基板搬送爪
8・・・制御部
S・・・基板
BS・・・ボンディングステージ
D・・・ダイ
P・・・パッケージエリア
CA・・・カメラ
HD・・・ボンディングヘッド
LTM・・・発光ターゲットマーカ
Claims (15)
- ピックアップしたダイを基板に載置するボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドの上部に設けられる光を発するターゲットマーカと、
前記基板の位置認識マークおよび前記ターゲットマーカを撮像する撮像装置と、
を備え、
前記撮像装置は、焦点を前記位置認識マークに合わせ、前記ターゲットマーカを焦点がずれた状態で撮像するダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
さらに、前記ボンディングヘッドおよび前記撮像装置を制御する制御装置を備えるダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの位置を測定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
前記ボンディングヘッドは前記ターゲットマーカを直線上に複数備え、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの回転または高さを測定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項3のダイボンディング装置において、
前記ボンディングヘッドは前記ターゲットマーカを直線上に複数備え、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの回転または高さを測定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きまたは傾きの向きを測定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項3のダイボンディング装置において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きまたは傾きの向きを測定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項4のダイボンディング装置において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きまたは傾きの向きを測定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項1から8の何れか一つのダイボンディング装置において、
前記ターゲットマーカの光源は前記ボンディングヘッドから離れて位置し、前記ターゲットマーカと前記光源とは光ファイバで接続されるダイボンディング装置。 - 請求項1から8の何れか一つのダイボンディング装置において、さらに、
前記ダイをピックアップするピックアップヘッドと、
ピックアップされた前記ダイが載置される中間ステージと、
を備え、
前記ボンディングヘッドは前記中間ステージの上に載置された前記ダイをピックアップするダイボンディング装置。 - (a)その上部に光を発するターゲットマーカを搭載するボンディングヘッドと、基板の位置認識マークおよび前記ターゲットマーカを撮像する撮像装置と、を備えるダイボンディング装置を準備する工程と、
(b)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
(c)基板を搬入する工程と、
(d)前記ダイをピックアップする工程と、
(e)ピックアップした前記ダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
を備え、
前記(e)工程において、前記撮像装置は、焦点を前記位置認識マークに合わせ、前記ターゲットマーカを焦点がずれた状態で撮像する半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンディング装置は、さらに、前記ボンディングヘッドおよび前記撮像装置を制御する制御装置を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの位置を測定する半導体装置の製造方法。 - 請求項13の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングヘッドは前記ターゲットマーカを直線上に複数備え、
前記(e)工程は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの回転または高さを測定する半導体装置の製造方法。 - 請求項14の半導体装置の製造方法において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記(e)工程は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きを測定する半導体装置の製造方法。
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