JP2019175888A - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 21
- 101000635761 Homo sapiens Receptor-transporting protein 3 Proteins 0.000 description 11
- 102100030849 Receptor-transporting protein 3 Human genes 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67282—Marking devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8312—Aligning
- H01L2224/83121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
- H01L2224/83122—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors by detecting inherent features of, or outside, the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83129—Shape or position of the other item
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
本開示の課題は、位置決め精度をより向上させるダイボンディング装置を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、ダイボンディング装置は、ピックアップしたダイを基板に載置するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドの上部に設けられる光を発するターゲットマーカと、前記基板の位置認識マークおよび前記ターゲットマーカを撮像する撮像装置と、を備える。前記撮像装置は、焦点がずれた状態で、前記ターゲットマーカを撮像する。
次に、上述した課題を解決する一例である実施形態について図5〜8を用いて説明する。図5は実施形態のカメラとボンディングヘッドと基板との関係を示す図である。図6は発光ターゲットマーカと位置合わせマークとの関係を説明する図である。図7は図6の発光ターゲットマーカの撮像画像を示す図である。図8は発光ターゲットマーカの構成例を示す図である。
(1)一つのカメラでワークである基板とボンディングヘッドの位置を測定することで、一つのカメラ画像の座標系で相対位置検出が可能となる。カメラ間やユニット間の座標合わせによる不要な補正処理を行わなくてよい。
(2)ボンディングヘッドの座標を都度測定が可能となる。よって、着工前に生成した補正データへの依存度を減らすことが可能となる。
(3)発光ターゲットマーカを用いることで、焦点が合っていない状態での撮像画像を安定的に得ることが可能となる。
(4)ボンディングヘッドの空間的な位置を正確に把握することでボンディングの精度向上が可能となる。
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
第一変形例はボンディングヘッドの回転および高さを測定する例であり、図11を用いて説明する。
第二変形例はボンディングヘッドの傾き成分を検出する例であり、図12〜14を用いて説明する。
第三変形例はボンディングヘッドの回転、高さおよび傾きを測定する例であり、図15を用いて説明する。図15は第三変形例の発光ターゲットマーカを説明する図である。
図16は第四変形例の発光ターゲットマーカの構成例を示す図である。図17は近接円形像の重なりを説明する図である。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
実施例のダイボンディング工程では、まず、制御部8は、ウェハ11を保持しているウェハリング14をウェハカセットから取り出してウェハ保持台12に載置し、ウェハ保持台12をダイDのピックアップが行われる基準位置まで搬送する(ウェハローディング(工程P1))。次いで、制御部8は、ウェハ認識カメラ24によって取得した画像から、ウェハ11の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整を行う。
また、実施例ではウェハの裏面にDAFが貼付されているが、DAFはなくてもよい。
また、実施例ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ1つ備えているが、それぞれ2つ以上であってもよい。また、実施例では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。
また、実施例ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。
1・・・ダイ供給部
13・・・突上げユニット
2・・・ピックアップ部
24・・・ウェハ認識カメラ
3・・・中間ステージ部
31・・・中間ステージ
32・・・ステージ認識カメラ
4・・・ボンディング部
41・・・ボンディングヘッド
42・・・コレット
44・・・基板認識カメラ
5・・・搬送部
51・・・基板搬送爪
8・・・制御部
S・・・基板
BS・・・ボンディングステージ
D・・・ダイ
P・・・パッケージエリア
CA・・・カメラ
HD・・・ボンディングヘッド
LTM・・・発光ターゲットマーカ
Claims (15)
- ピックアップしたダイを基板に載置するボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドの上部に設けられる光を発するターゲットマーカと、
前記基板の位置認識マークおよび前記ターゲットマーカを撮像する撮像装置と、
を備え、
前記撮像装置は、焦点がずれた状態で、前記ターゲットマーカを撮像するダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
さらに、前記ボンディングヘッドおよび前記撮像装置を制御する制御装置を備え、
前記撮像装置は焦点を前記位置認識マークに合わせた状態で、前記ターゲットマーカを撮像するダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの位置を測定するダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
前記ボンディングヘッドは前記ターゲットマーカを直線上に複数備え、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの回転または高さを測定するダイボンディング装置。 - 請求項3のダイボンディング装置において、
前記ボンディングヘッドは前記ターゲットマーカを直線上に複数備え、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの回転または高さを測定するダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きまたは傾きの向きを測定するダイボンディング装置。 - 請求項3のダイボンディング装置において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きまたは傾きの向きを測定するダイボンディング装置。 - 請求項4のダイボンディング装置において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記制御装置は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きまたは傾きの向きを測定するダイボンディング装置。 - 請求項1から8の何れか一つのダイボンディング装置において、
前記ターゲットマーカの光源は前記ボンディングヘッドから離れて位置し、前記ターゲットマーカと前記光源とは光ファイバで接続されるダイボンディング装置。 - 請求項1から8の何れか一つのダイボンディング装置において、さらに、
前記ダイをピックアップするピックアップヘッドと、
ピックアップされた前記ダイが載置される中間ステージと、
を備え、
前記ボンディングヘッドは前記中間ステージの上に載置された前記ダイをピックアップするダイボンディング装置。 - (a)その上部に光を発するターゲットマーカを搭載するボンディングヘッドと、基板の位置認識マークおよび前記ターゲットマーカを撮像する撮像装置と、を備えるダイボンディング装置を準備する工程と、
(b)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
(c)基板を搬入する工程と、
(d)前記ダイをピックアップする工程と、
(e)ピックアップした前記ダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
を備え、
前記(e)工程において、前記撮像装置は、焦点がずれた状態で、前記ターゲットマーカを撮像する半導体装置の製造方法。 - 請求項11の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程において、前記撮像装置は焦点を前記位置認識マークに合わせた状態で、前記ターゲットマーカを撮像する半導体装置の製造方法。 - 請求項12の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの位置を測定する半導体装置の製造方法。 - 請求項13の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングヘッドは前記ターゲットマーカを直線上に複数備え、
前記(e)工程は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの回転または高さを測定する半導体装置の製造方法。 - 請求項14の半導体装置の製造方法において、
複数の前記ターゲットマーカの高さが異なり、
前記(e)工程は、前記ターゲットマーカの円形像に基づいて、前記ボンディングヘッドの傾きを測定する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018059008A JP7018341B2 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
TW108105393A TWI702660B (zh) | 2018-03-26 | 2019-02-19 | 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 |
KR1020190024614A KR102215915B1 (ko) | 2018-03-26 | 2019-03-04 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN201910188130.5A CN110364455B (zh) | 2018-03-26 | 2019-03-13 | 芯片贴装装置及半导体装置的制造方法 |
KR1020200157894A KR102399836B1 (ko) | 2018-03-26 | 2020-11-23 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018059008A JP7018341B2 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019175888A true JP2019175888A (ja) | 2019-10-10 |
JP7018341B2 JP7018341B2 (ja) | 2022-02-10 |
Family
ID=68167558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018059008A Active JP7018341B2 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7018341B2 (ja) |
KR (2) | KR102215915B1 (ja) |
CN (1) | CN110364455B (ja) |
TW (1) | TWI702660B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114566445A (zh) * | 2022-01-22 | 2022-05-31 | 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 | 一种面向晶圆三维集成的高精度微组装设备 |
CN115586191A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-01-10 | 苏州恒视智能科技有限公司 | 新能源电池的极耳叠层自动调整检测机构 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI730506B (zh) * | 2019-11-21 | 2021-06-11 | 日商新川股份有限公司 | 電子零件封裝裝置 |
JP7465199B2 (ja) * | 2019-12-11 | 2024-04-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 実装装置 |
KR102350557B1 (ko) * | 2020-03-06 | 2022-01-14 | 세메스 주식회사 | 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치 |
JP7373436B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-11-02 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
JP7436251B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-02-21 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
JP7437987B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-02-26 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
KR102652796B1 (ko) * | 2020-07-20 | 2024-03-28 | 세메스 주식회사 | 반도체 소자 본딩 장치 및 반도체 소자 본딩 방법 |
CN112070834B (zh) * | 2020-08-11 | 2024-05-10 | 深圳市大族半导体装备科技有限公司 | 兼容多芯片定位方法、装置、设备和介质 |
DE102021111953A1 (de) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | Mühlbauer Gmbh & Co. Kg | Optische Bauteilinspektion |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257500A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toray Eng Co Ltd | チップ実装装置およびその装置におけるアライメント方法 |
KR20090091341A (ko) * | 2006-12-22 | 2009-08-27 | 쿨리케 앤드 소파 다이 본딩 게엠베하 | 위치 설정 공구의 x-y 위치 설정을 보정하는 방법 및 이 위치 설정 공구를 구비한 장치 |
KR20100056978A (ko) * | 2008-11-20 | 2010-05-28 | 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 | 본딩 툴을 위치시키기 위한 비전 시스템 |
JP2010541293A (ja) * | 2007-10-09 | 2010-12-24 | エセック エージー | 半導体チップをウエハテーブルから取り上げて、取り外された半導体チップを基板上に実装するための方法 |
JP2014036068A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Shinkawa Ltd | ダイボンダおよびボンディングツールの位置検出方法 |
JP2016197630A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2821972B2 (ja) * | 1993-03-25 | 1998-11-05 | ローム株式会社 | 発光ダイオードチップの吸着確認装置 |
JPH11214428A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Kaijo Corp | ボンディング装置 |
JP2001185474A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Nikon Corp | アライメント方法、アライメント装置、基板、マスク、及び露光装置 |
CH697294B1 (de) * | 2003-12-22 | 2008-08-15 | Oerlikon Assembly Equipment Ag | Verfahren für die Kalibration der Greifachse des Bondkopfs eines Automaten für die Montage von Halbleiterchips auf einem Substrat. |
CN102386118B (zh) * | 2010-09-02 | 2016-03-23 | 丽佳达普株式会社 | 基板粘合装置以及基板粘合方法 |
JP2012248728A (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ及びボンディング方法 |
KR101897825B1 (ko) * | 2012-01-02 | 2018-09-12 | 세메스 주식회사 | 다이 본딩 장치 |
JP2014179561A (ja) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ボンディングヘッドとそれを備えたダイボンダ |
JP6276545B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2018-02-07 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ |
JP6510837B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-05-08 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
JP6510838B2 (ja) | 2015-03-11 | 2019-05-08 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
JP6438826B2 (ja) | 2015-04-02 | 2018-12-19 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
JP6667326B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-03-18 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダおよびボンディング方法 |
-
2018
- 2018-03-26 JP JP2018059008A patent/JP7018341B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-19 TW TW108105393A patent/TWI702660B/zh active
- 2019-03-04 KR KR1020190024614A patent/KR102215915B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-13 CN CN201910188130.5A patent/CN110364455B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-23 KR KR1020200157894A patent/KR102399836B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257500A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toray Eng Co Ltd | チップ実装装置およびその装置におけるアライメント方法 |
KR20090091341A (ko) * | 2006-12-22 | 2009-08-27 | 쿨리케 앤드 소파 다이 본딩 게엠베하 | 위치 설정 공구의 x-y 위치 설정을 보정하는 방법 및 이 위치 설정 공구를 구비한 장치 |
JP2010541293A (ja) * | 2007-10-09 | 2010-12-24 | エセック エージー | 半導体チップをウエハテーブルから取り上げて、取り外された半導体チップを基板上に実装するための方法 |
KR20100056978A (ko) * | 2008-11-20 | 2010-05-28 | 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 | 본딩 툴을 위치시키기 위한 비전 시스템 |
JP2014036068A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Shinkawa Ltd | ダイボンダおよびボンディングツールの位置検出方法 |
JP2016197630A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114566445A (zh) * | 2022-01-22 | 2022-05-31 | 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 | 一种面向晶圆三维集成的高精度微组装设备 |
CN114566445B (zh) * | 2022-01-22 | 2023-09-08 | 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 | 一种面向晶圆三维集成的高精度微组装设备 |
CN115586191A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-01-10 | 苏州恒视智能科技有限公司 | 新能源电池的极耳叠层自动调整检测机构 |
CN115586191B (zh) * | 2022-11-11 | 2023-03-14 | 苏州恒视智能科技有限公司 | 新能源电池的极耳叠层自动调整检测机构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110364455B (zh) | 2023-04-07 |
CN110364455A (zh) | 2019-10-22 |
JP7018341B2 (ja) | 2022-02-10 |
KR102399836B1 (ko) | 2022-05-20 |
KR20190112641A (ko) | 2019-10-07 |
KR102215915B1 (ko) | 2021-02-16 |
TW201941315A (zh) | 2019-10-16 |
KR20200135260A (ko) | 2020-12-02 |
TWI702660B (zh) | 2020-08-21 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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