TW202310144A - 工件處理系統、校準工件處理系統的方法及製造半導體封裝的方法 - Google Patents

工件處理系統、校準工件處理系統的方法及製造半導體封裝的方法 Download PDF

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Abstract

一種工件處理系統包括載體、下部成像裝置及傳遞機構。載體被配置成承載至少一個工件。下部成像裝置設置在載體旁邊。傳遞機構可移動地設置在下部成像裝置及載體之上，其中傳遞機構包括被配置成拾取及放置所述至少一個工件的末端執行器以及設置在末端執行器旁邊的上部成像裝置。更提供一種校準工件處理系統的方法以及一種製造半導體封裝的方法。

Description

工件處理系統、校準工件處理系統的方法及製造半導體封裝的方法
本發明實施例是有關於一種工件處理系統、校準工件處理系統的方法及製造半導體封裝的方法。
現代製程通常高度自動化，以操作材料及裝置並製造最終產品。品質控制、對位、校準及維護製程常常依賴於人工技能、知識及專業技能，以便在製造期間及作為最終產品均對所製造的產品進行檢查。
在本發明的一實施例中，一種工件處理系統包括載體、下部成像裝置及傳遞機構。所述載體被配置成承載至少一個工件。所述下部成像裝置設置在所述載體旁邊。所述傳遞機構可移動地設置在所述下部成像裝置及所述載體之上，其中所述傳遞機構包括被配置成拾取及放置所述至少一個工件的末端執行器以及設置在所述末端執行器旁邊的上部成像裝置。
在本發明的一實施例中，一種校準工件處理系統的方法包括以下步驟。移動傳遞機構以將所述傳遞機構的上部成像裝置與設置在所述傳遞機構下方的下部成像裝置對位，從而獲得參考點。移動所述傳遞機構以將所述傳遞機構的末端執行器與所述下部成像裝置對位，從而根據所述參考點獲得末端執行器偏移，其中所述末端執行器被配置成拾取至少一個工件。移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與被配置成承載所述至少一個工件的載體對位，從而根據所述參考點獲得載體偏移。
在本發明的一實施例中，一種製造半導體封裝的方法包括以下步驟。將傳遞機構的上部成像裝置與下部成像裝置對位以獲得參考點。將所述傳遞機構的末端執行器與所述下部成像裝置對位，以獲得末端執行器偏移。將所述上部成像裝置與載體對位，以獲得載體偏移。根據所述末端執行器偏移及所述載體偏移，利用所述末端執行器及所述載體對多個積體電路進行處理。
以下揭露提供用於實施本發明的不同特徵的許多不同實施例或實例。以下闡述元件及排列的具體實例以簡化本揭露。當然，該些僅為實例且不旨在進行限制。舉例而言，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵「之上」或第二特徵「上」可包括其中第一特徵與第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵進而使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可能在各種實例中重複使用參考數字及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如「位於…之下（beneath）」、「位於…下方（below）」、「下部的（lower）」、「位於…上方（above）」、「上部的（upper）」等空間相對性用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一（其他）元件或特徵的關係。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的定向外亦囊括裝置在使用或操作中的不同定向。設備可具有其他定向（旋轉90度或處於其他定向），且本文中所使用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。
根據各種示例性實施例，提供一種工件處理系統、校準工件處理系統的方法及利用工件處理系統製造半導體封裝的方法。在具體說明所示實施例之前，將大概說明本揭露實施例的某些有利特徵及方面。工件處理系統可用於在對至少一個工件實行製程之前或期間對工件處理系統中的裝置中的每一者進行對位及校準。下面闡述的是一種工件處理系統，所述工件處理系統具有設置在被配置成拾取及放置工件的傳遞機構下方的下部成像裝置。對應地，上部成像裝置相對於下部成像裝置設置在傳遞機構上。因此，上部成像裝置、下部成像裝置可彼此對位用於初始校準，且載體及傳遞機構的末端執行器的偏移可在實行製程期間校準。因此，工件處理系統的對位及校準可自動實行，而不是手動實行，且可顯著節省勞動力及勞動力成本。根據一些實施例示出形成結合校準製程的半導體封裝的中間階段。討論了一些實施例的一些變化。在各個視圖及例示性實施例中，相同的參考編號用於表示相同的元件。
圖1至圖3示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統在不同操作場景下的示意性側視圖。參照圖1至圖3，在一些實施例中，工件處理系統10可包括：下部成像裝置110、被配置成拾取及放置待處理的至少一個工件的傳遞機構120以及用於承載所述至少一個工件的載體130。應注意，本文中使用的用語「工件（workpiece）」可包括整個晶圓、部分晶圓（例如晶粒）、封裝或具有一個或多個平坦表面區域的其他類型的整體或部分物體或元件，在所述一個或多個平坦表面區域上可實行一組檢查製程、測試製程及/或其他處理操作。在下面的說明中，用語「載體（carrier）」一般是指支撐構件、托盤或框架，所述支撐構件、托盤或框架例如被配置成用於承載或支撐工件，且工件以相關領域具有通常知識者理解的方式被安裝或黏附到其上。
根據本揭露的一些實施例，傳遞機構120可為拾取及放置設備。傳遞機構120包括一個或多個末端執行器124，所述一個或多個末端執行器124被配置成從例如載體等元件進給器（component feeders）拾取一個或多個工件200，並在x、y及z方向上移動，以將工件200以適當方向（orientation）放置在待放置或待安裝工件200處（例如，另一載體）的適當位置處。在一些實施例中，傳遞機構120更可包括感測器（未示出），當傳遞機構120將工件200從拾取位置移動到放置位置（即載體的位置）時，感測器可在由末端執行器124所保持的工件200下方通過。感測器使得傳遞機構120能夠觀察由末端執行器124所保持的工件200的下側，使得當工件200從工件拾取位置移動到放置位置時可實現工件定位並在某種程度上實現工件測試及/或檢查。其他拾取及放置機器可採用放置頭，所述放置頭在靜止的攝像機之上移動以對元件成像。
在一些實施例中，工件處理系統10更可包括控制器（未示出），所述控制器（未示出）耦合到下部成像裝置110、傳遞機構120及載體130，用於管理或控制系統操作的各個方面（例如，通過執行儲存的程式指令）。控制器可包括電腦系統或計算裝置，所述電腦系統或計算裝置包括處理器（例如，微處理器或微控制器等）、記憶體（例如，固定及/或可移動隨機存取記憶體（random access memory，RAM）、唯讀記憶體（read-only memory，ROM）等）、通訊資源（例如，標準訊號傳遞及/或網路介面等）、資料儲存資源（例如，硬碟驅動器、光碟驅動器等）以及顯示裝置（例如，平板顯示螢幕等）。
根據一些實施例，傳遞機構120可包括機械臂。如上所述，機械臂可為可程式設計機械臂，以抓取、保持及操作工件。機械臂可包括基座、至少一個連桿及末端執行器124。出於簡潔及説明理解的目的，本文中使用的用語「末端執行器（end effector）」可為用於抓取或保持工件的任何類型的末端執行器。在本實施例中，末端執行器124是通過吸力抓取工件的噴嘴。然而，在替代性實施例中，可採用其他末端執行器，例如壓力末端執行器（例如，通過向工件施加壓力來夾緊，例如通過鉗形運動）、區域末端執行器（例如，通過環繞待操作的工件來夾緊）以及磁性末端執行器（例如，通過使用電磁力來夾緊）。本揭露不限於此。末端執行器124可安裝在具有至少一個自由度（例如，三個自由度）的機械臂上，所述機械臂將末端執行器124連接到基座。舉例來說，末端執行器124可為噴嘴，所述噴嘴選擇性地施加真空力以在傳遞機構120（例如，作為拾取及放置頭的真空保持器）的傳輸期間擷取、保持及放置工件（例如，晶粒）。
圖4示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的上部成像裝置的示意圖。現在參照圖1及圖4，在一些實施例中，傳遞機構120更可包括上部成像裝置122，上部成像裝置122可為向下看的攝像機。在一些實施例中，如圖1中所示，上部成像裝置122設置在末端執行器124旁邊。即，上部成像裝置122及末端執行器124以並排的方式設置在傳遞機構120上。根據本揭露的一些實施例，上部成像裝置122可包括光檢測器1221，例如但不限於電荷耦合裝置（charge coupled device，CCD）、二極體陣列、光電倍增管陣列、電荷注入裝置（charge injection device，CID）、互補金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）檢測器及雪崩光電二極體。在一些實施例中，光檢測器1221可為單色或彩色感測器。在一些實施例中，光檢測器1221可被配置成在寬波長範圍或窄波長範圍中工作。在一些實施例中，上部成像裝置122更可包括向下輸出光的光源1222。在一些其他實施例中，光檢測器1221可被配置成接收來自光源的反射及/或散射的非螢光光或者由於光源1222的激發而由缺陷或特徵發射的螢光光。舉例來說，光源1222朝向目標（例如，下部成像裝置110上的對位標記114）發射光，且光撞擊對位標記114並被反射回到上部成像裝置122中。因此，上部成像裝置122被配置成找到（locate）在工件200、下部成像裝置110及載體130上的對位標記，因而可容易地計算出傳遞機構120相對於工件200、下部成像裝置110及載體130的相對位置。
在一些實施例中，下部成像裝置110設置在傳遞機構120下方。換句話說，傳遞機構120可移動地設置在下部成像裝置110及載體130之上。在一些實施方式中，下部成像裝置110被固定到系統10中的參考位置，且傳遞機構120相對於下部成像裝置110移動，用於從載體130拾取工件200及/或將工件200放置在載體130上。在實施方式中的一者中，下部成像裝置110設置在載體130旁邊（如圖9中所示）。
根據本揭露的一些實施例，下部成像裝置110可包括光檢測器116，例如但不限於電荷耦合裝置（CCD）、二極體陣列、光電倍增管陣列、電荷注入裝置（CID）、CMOS檢測器及雪崩光電二極體。在一些實施例中，光檢測器116可為單色或彩色感測器。在一些實施例中，光檢測器116可被配置成在寬波長範圍或窄波長範圍中工作。在一些其他實施例中，光檢測器116可被配置成接收來自光源的反射及/或散射的非螢光光或者由於光源（例如，圖5及圖6中所示的光源118）的激發而由缺陷或特徵發射的螢光光。在一些實施例中，下部成像裝置110更可包括具有板對位標記114的校準板112。在一些實施例中，校準板112的材料可包括玻璃或其他合適的透明材料。因此，對於初始校準，傳遞機構120被配置成移動到下部成像裝置110的頂部，以將上部成像裝置122與下部成像裝置110的板對位標記114對位（對準），從而獲得系統中的參考點（例如，原點）。
圖5示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的下部成像裝置的示意圖。圖6示出根據本揭露一些實施例的圖5中的下部成像裝置的示意性分解圖。現在詳細參照圖1、圖5及圖6，例如下部成像裝置110可更包括光源118及折射器119。光源118面對校準板112，且折射器119設置在來自光源118的光的行進路徑上。因此，光源118向校準板112輸出光，且光可撞擊校準板112上的板對位標記114。然後，至少一束光被反射回折射器119，並朝向光檢測器116折射。然而，本揭露不限於此。
現在參照圖2，在上部成像裝置122與下部成像裝置110（例如，校準板112上的板對位標記114）對位之後，設置系統的參考點。然後，由控制器控制的傳遞機構120可被移動以將末端執行器124與下部成像裝置110對位，從而根據參考點獲得末端執行器偏移（offset）以用於末端執行器校準。舉例來說，下部成像裝置110可捕獲末端執行器124的影像。在一些實施例中，影像可為末端執行器124的中心（開口）的數位化影像。通過利用光源118對傳遞機構120進行輻射或掃描並確定影像（例如，基於輻射的反射）來獲得影像。掃描可包括對末端執行器124上的光學可讀目標（例如，中心開口）進行光學掃描。由下部成像裝置110提供的末端執行器124的影像提供用於確定末端執行器124’的目標（預定）位置（以虛線示出）及末端執行器124的實際位置（以實線示出）之間的末端執行器偏移（值）OS1的資料。
在一些實施例中，為了校準工件處理系統，可產生目標偏移地圖及實際偏移地圖，以確定工件處理系統中的每一設備（例如，末端執行器、傳輸機構、載體等）的偏移值。當建立新系統或系統中的新設備時，可產生目標偏移地圖。在此實例中，從系統中的每一設備的目標（預定）位置產生目標偏移地圖。根據目標偏移地圖，可基於每一設備的目標位置來確定從每一設備到參考點（例如，下部成像裝置的位置）的目標間距（距離）及/或目標角度。
實際地圖可根據工件處理系統中的每一設備（例如，末端執行器、傳輸機構、載體等）的實際位置產生，所述實際位置由成像裝置110、122獲得。成像裝置110、122可形成設備（例如，末端執行器、載體等）的影像。可對影像進行處理以匯出設備的X、Y、Z移動及/或旋轉角度規格。根據實際偏移地圖，可基於每一設備的實際位置來確定從每一設備到參考點（例如，上部成像裝置122的位置）的實際間距（距離）及/或實際角度。一旦產生目標偏移地圖及實際偏移地圖，則可實行偏移補償演算法（offset compensation algorithm）來確定用於補償工件處理系統中的設備的移位的偏移值。
詳細來說，在本實施例中，通過比較末端執行器124’根據目標偏移地圖的目標位置（以虛線示出）與末端執行器124相對於參考點根據實際偏移地圖的實際位置（以實線示出）來獲得末端執行器偏移（值）OS1。舉例來說，為了判斷末端執行器124是否相對於目標位置偏移（移位），移動傳遞機構120以將末端執行器124與下部成像裝置110（例如，參考點）對位。然後，可進行計算及測量以確定實際位置處的末端執行器124與上部成像裝置122（例如，參考點）之間的間距（例如，距離）P1。然後，末端執行器偏移OS1（如果有的話）可通過計算末端執行器124的實際位置與末端執行器124’相對於參考點的目標位置之間的差來確定。圖2中所示的實施例示出例如在X方向上的末端執行器偏移OS1。然而，同樣的方法可用於確定末端執行器例如在Y方向上的偏移及/或末端執行器124相對於目標位置的偏斜或旋轉。
應注意，零末端執行器偏移OS1意味著末端執行器124的實際位置與末端執行器124’的目標位置相匹配。換句話說，末端執行器124的中心（開口）呈現出位於末端執行器124’的目標位置內的中心。在圖2的實施例中，末端執行器124’的目標位置與末端執行器124的實際位置之間的差實質上不等於零（例如，大於預定值）。換句話說，末端執行器124已相對於目標位置移位，且施加調整來補償所述移位。對設備（例如，末端執行器124、載體130等）的移位的補償將稍後在本揭露中闡述。
圖7示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的載體的示意性俯視圖。現在參照圖3及圖7，在一些實施例中，可移動由控制器控制的傳遞機構120以將上部成像裝置122與載體130對位，從而根據參考點（例如，下部成像裝置110的位置）獲得載體偏移（值）。在一些實施例中，載體130具有載體對位標記132及用於接收所述至少一個工件200的至少一個狹槽134。因此，傳遞機構120被配置成移動以將上部成像裝置122與載體對位標記132對位，用於載體校準。
為了測量目標位置與實際位置之間的偏移，常常使用對位標記。在本實施例中，載體對位標記132呈圓形形狀。為了便於參考，在附圖中的一個或多個中示出代表性的對位標記。儘管出於闡釋的目的，在本文中示出圓形圖案的對位標記，但是應理解，也可使用各種各樣的其他對位標記，且本揭露決不限於圓形圖案中的對位標記。根據一些實施例，可採用其他可能的對位圖案設計，例如十字形狀、L形狀、靶心（bullseye）形狀、菱形形狀等。
在一些實施例中，載體對位標記132可由導電材料製成。在一些實施例中，載體對位標記132是與載體130電去耦（decoupled）或電隔離的虛設（dummy）結構。在其他實施例中，載體對位標記132可由非導電材料（例如絕緣材料，包括電介質或聚合物（例如PBO、環氧樹脂、BCB、聚醯亞胺或聚醯亞胺衍生物）等）製成。對位標記應在視覺上不同於載體130，使得當從頂側觀察時，可區分對位標記與載體130之間的可見差異。根據一些實施例，載體對位標記132可為被示出為嵌入載體130中的嵌入對位標記。嵌入的對位標記通過在載體130中製造出凹槽或開口來形成。可形成這樣的凹槽以將對位圖案嵌入到載體130中。凹槽可例如通過磨擦（grating）、雕刻、蝕刻等形成。
在一些實例中，上部成像裝置122在載體130上方移動，且可捕獲載體130的影像。在一些實施例中，影像可為載體130的載體對位標記132的數位化影像。通過使用光源1222對傳遞機構120進行輻射或掃描並確定影像（例如，基於輻射的反射）來獲得影像。掃描可包括對載體上的光學可讀目標（例如，載體對位標記132）進行光學掃描。由上部成像裝置122提供的載體對位標記132的影像提供用於確定載體130的目標（預定）位置與實際位置之間的載體偏移的資料。
在一些實施例中，為了校準載體130，上部成像裝置122可形成載體130的影像（例如，載體對位標記132）。可對影像進行處理以匯出載體130的X、Y、Z移位及/或旋轉角度規格。根據影像，可基於載體130的實際位置來確定從載體130到參考點（例如，下部成像裝置110的位置）的實際間距（距離）及/或實際角度。因此，通過比較載體130相對於參考點的目標位置與實際位置，可執行偏移補償演算法來確定用於補償工件處理系統中載體130的移位的偏移值。
在本實施例中，例如，為了判斷載體130在目標偏移地圖中是否相對於目標位置偏移（移位），移動傳遞機構120以將上部成像裝置122與載體130對位。然後，可進行計算及測量以確定實際位置處的載體與下部成像裝置110（例如，參考點）之間的距離。然後，可通過計算載體對位標記132的實際位置與相對於參考點的目標位置之間的差來確定載體偏移（如果有的話）。
應注意，零載體偏移意味著載體對位標記132的實際位置與載體對位標記的目標位置相匹配。如果載體對位標記的目標位置與載體對位標記132的實際位置之間的差實質上不等於零（例如，大於預定值），這意味著載體130已相對於目標位置移位，且應施加調整來補償所述移位。
圖8示出根據本揭露一些實施例的製造半導體封裝中的中間階段的流程圖。因此，本揭露中的工件處理系統可結合到用於製造半導體封裝的潔淨室（例如，晶圓廠）中，以便在製程之前及/或期間對位及瞄準潔淨室的設備。根據一些實施例，通過由下部成像裝置110及上部成像裝置122啟動載體130與傳遞機構120之間的校準程式來初始化系統的校準。參照圖1及圖8，在一些實施例中，所述方法在步驟S110處開始，其中傳遞機構120的上部成像裝置122與下部成像裝置110對位以獲得參考點。傳遞機構120可移動地設置在下部成像裝置110之上。在一些實施方式中，下部成像裝置110被固定到系統中的參考位置，且傳遞機構120相對於下部成像裝置110移動，用於從載體拾取工件200及/或將工件200放置在載體上。
在一些實施例中，下部成像裝置110可包括具有板對位標記114的校準板112。在一些實施例中，校準板112可為校準玻璃等。因此，對於初始校準，傳遞機構120被配置成移動到下部成像裝置110的頂部，以將上部成像裝置122與下部成像裝置110的板對位標記114對位，從而獲得系統中的參考點（例如，原點）。舉例來說，上部成像裝置122的光源可發射光束作為光學參考，且傳遞機構120在下部成像裝置110上方移動，以在下部成像裝置110的板對位標記114之上對位來自上部成像裝置122的光束。一般來說，參考點可與特定的固定位置（例如點位置）相關聯，所述特定的固定位置可具有一些物理意義且可被定義。在這種情況下，可提供額外的資訊來精確定位與參考點相關聯的位置。在本實施例中，參考點可被設置成下部成像裝置110上的板對位標記114的位置及/或上部成像裝置122與下部成像裝置110對位的位置。系統中的其他設備（例如載體130及末端執行器124）可根據參考點定位。
現在參照圖2及圖8，一旦上部成像裝置122與下部成像裝置110對位，則所述方法接續進行到步驟S120，在步驟S120，移動傳遞機構120以將傳遞機構120的末端執行器124與下部成像裝置110對位，從而獲得末端執行器偏移（值）。舉例來說，當末端執行器124移動到下部成像裝置110的視野內的位置時，下部成像裝置110可捕獲末端執行器124的影像。在一些實施例中，影像可為末端執行器124的中心（例如噴嘴124的開口）的數位化影像。由下部成像裝置110提供的末端執行器124的影像提供用於確定末端執行器124’的目標（預定）位置（圖2中以虛線示出）與末端執行器124的實際位置（圖2中以實線示出）之間的末端執行器偏移OS1的資料。圖2中所示的實施例示出例如在X方向上的末端執行器偏移OS1。然而，同樣的方法可用於確定末端執行器例如在Y方向上的偏移及/或末端執行器124相對於目標位置的偏斜或旋轉。如果末端執行器124’的目標位置與末端執行器124的實際位置之間的差實質上不等於零（例如，大於預定值），這意味著末端執行器124已相對於目標位置移位，則在隨後的製程期間施加調整來補償所述移位。
現在參照圖3及圖8，在一些實施例中，所述方法接著進行到步驟S130，在步驟S130，移動傳遞機構120以將上部成像裝置122與載體130對位，從而根據參考點（例如，下部成像裝置110的位置）獲得載體偏移（值）。在一些實施例中，載體130具有載體對位標記132及用於接收所述至少一個工件200的至少一個狹槽134。因此，傳遞機構120被配置成移動以將上部成像裝置122與載體對位標記132對位，用於載體校準。
在一些實例中，當上部成像裝置122移動到載體130位於上部成像裝置122的視野內的位置時，上部成像裝置122可捕獲載體130的影像。在一些實施例中，影像可為載體130的載體對位標記132的數位化影像。由上部成像裝置122提供的載體對位標記132的影像提供用於確定載體130的目標（預定）位置與實際位置之間的載體偏移的資料。
在一些實施例中，為了校準載體130，可對由上部成像裝置122捕獲的載體的影像進行處理，以匯出載體130的X、Y、Z移位及/或旋轉角度規格。根據影像，可基於載體130的實際位置來確定從載體130到參考點（例如，下部成像裝置110的位置）的實際間距（距離）及/或實際角度。因此，通過比較載體130相對於參考點的目標位置與實際位置，可實行偏移補償演算法來確定用於補償載體130在後續製程期間的移位的偏移值。如果載體對位標記的目標位置與載體對位標記132的實際位置之間的差實質上不等於零（例如，大於預定值），這意味著載體130已相對於目標位置移位，且在隨後的製程期間施加調整來補償所述移位。
一旦獲得末端執行器偏移及載體偏移，所述方法接續進行到步驟S140，在步驟S140，可根據噴嘴偏移及載體偏移使用末端執行器124及載體130對工件200進行處理。在一些實施例中，本文中的工件200可包括整個晶圓、部分晶圓（例如，晶粒）、封裝或具有一個或多個平坦表面區域的其他類型的整體或部分物體或元件，在所述一個或多個平坦表面區域上可施加一組檢查製程、測試製程及/或其他處理操作。在本實施例中，工件可為單體化製程之後的多個積體電路或半導體封裝，但是本揭露不限於此。
在例示性實施例中，從下部成像裝置110及上部成像裝置122獲得資料（例如末端執行器偏移及載體偏移），以在如果偏移實質上不等於零（例如，大於預定值）時識別設備（例如，末端執行器124及/或載體130）移位。此後可實行偏移補償來校準設備移位。偏移補償包括根據從先前步驟確定的噴嘴偏移及載體偏移實行即時補償。舉例來說，如果沒有設備移位發生（例如，末端執行器偏移及載體偏移約等於零），則積體電路200在沒有任何偏移補償的情況下以原始設置進行處理。如果發生設備移位（例如，末端執行器偏移及/或載體偏移不等於零），則可基於工程師或用戶指定的任何定義（例如，末端執行器偏移及/或載體偏移的絕對值大於或等於預定值）來判斷是否施加偏移補償。在應施加偏移補償的情況下，在步驟S140處實行偏移補償，以校正末端執行器124及/或載體130的移位。
在一些實施例中，對於末端執行器124的偏移補償，判斷末端執行器偏移（例如，末端執行器124的實際位置與目標位置之間的差）是否大於零。大於零的差意味著末端執行器124已經朝正方向偏移（例如，向右移位）且需要調整。差本身表示用於補償末端執行器移位的偏移值。因此，被配置成傳遞積體電路200的傳遞機構120自動地在相反的方向上移位（例如，向左移位）所述差，以通過實際位置的末端執行器124拾取或放置積體電路200。相反地，如果末端執行器偏移（例如，末端執行器124的實際位置與目標位置之間的差）不大於零，則判斷末端執行器124的實際位置與目標位置之間的差是否小於零。小於零的差更意味著末端執行器124已經朝負方向偏移（例如，向左移位）且需要調整。差本身表示用於補償末端執行器移位的偏移值。因此，傳遞機構120自動地在相反方向上移位（例如，向左移位）所述差。然而，如果末端執行器124的實際位置與目標位置之間的差不小於零，則由於目標位置與實際位置之間沒有差意味著沒有發生末端執行器移位而不進行調整。
類似地，對於載體130的偏移補償，例如判斷載體偏移（例如，載體130的實際位置與目標位置之間的差）是否大於零。如果是，則被配置成傳遞積體電路200的傳遞機構120相應地自動移位所述差，以從載體130的實際位置放置或拾取積體電路200。相反，如果載體偏移（例如，載體130的實際位置與目標位置之間的差）小於零，則傳遞機構120相應地自動移位所述差。然而，如果載體130的實際位置與目標位置之間的差不小於零，則由於目標位置與實際位置之間沒有差意味著沒有發生載體移位而不進行調整。因此，在積體電路200的製程期間，末端執行器124可移動以根據末端執行器偏移及/或載體偏移拾取積體電路200，且末端執行器124可根據末端執行器偏移及/或載體偏移將積體電路200放置到載體130上。
圖9示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的示意性平面圖。注意，圖9僅示出其中結合工件處理系統的潔淨室的可能佈局之一。本揭露不限於此，且也可採用其他佈局。參照圖1至圖3及圖9，工件處理系統10可包括至少一個裝載埠150，使得其上設置有積體電路200的載體130可放置在裝載埠150內，以由傳遞機構120移動。
在本實施例中，載體130可包括第一載體130a/130c及第二載體130b/130d。末端執行器124被配置成從第一載體130a或130c一個接一個地拾取積體電路200，並將積體電路200一個接一個地放置在第二載體130b或130d上。詳細來說，潔淨室可包括兩組工件處理系統10、10’，用於將積體電路200傳輸到不同的工作站。工件處理系統10包括第一載體130a及第二載體130b，且末端執行器124被配置成從第一載體130a一個接一個地拾取積體電路200，並將積體電路200一個接一個地放置在第二載體130b上用於檢查。在完成檢查之後，末端執行器124’被配置成從第一載體130c中一個接一個地拾取積體電路200，並將積體電路200一個接一個地放置在第二載體130d上，用於對積體電路200進行分類及輸出。
對於工件處理系統10，在一些實施例中，在將積體電路200從晶圓上鋸下並單體化之後，積體電路200中的每一者可經歷檢查。然後，傳遞機構120可將單體化的積體電路200一個接一個地從第一載體130a傳輸到第二載體130b，第二載體130b可為到檢查站300的梭子（shuttle），用於檢查積體電路200中的每一者。然而，本揭露不限於此，站300也可為用於進一步處理積體電路200的任何合適的製程室。對於需要高溫環境的一些站300，第一載體130a可包括熱板等，用於在積體電路200被裝載到站300中之前對積體電路200進行預熱。下部成像裝置110可設置在載體130旁邊。在本實施例中，下部成像裝置110設置在多個第二載體130b之間。載體對位標記132a、132b可分別設置在第一載體130a及第二載體130b上，用於上述對位及校準製程。
圖10至圖11示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統在不同操作場景下的示意性側視圖。參照圖9至圖11，在一些實施例中，為了校準第一載體130a與第二載體130b，移動傳遞機構120以將上部成像裝置122與第一載體130a對位，從而獲得第一載體偏移。沒有特別的順序，移動傳遞機構120以將上部成像裝置122與第二載體130b對位，從而獲得第二載體偏移。上部成像裝置122可捕獲第一載體130a及第二載體130b的影像，且可對影像進行處理以匯出第一載體130a及第二載體130b的X、Y、Z移位及/或旋轉角度規格（specifications）。根據影像，可確定第一載體130a及第二載體130b相對於參考點（例如，下部成像裝置110的位置）的實際距離及/或實際角度。因此，通過比較第一載體130a及第二載體130b相對於參考點的目標位置與實際位置，可實行偏移補償，以確定用於分別補償第一載體130a及第二載體130b在後續製程期間的移位的偏移值。舉例來說，傳遞機構120根據末端執行器偏移及第一載體偏移由末端執行器124從第一載體130a拾取積體電路200，並根據末端執行器偏移及第二載體偏移將積體電路200放置到第二載體130b上。
類似地，對於工件處理系統10’，在一些實施例中，在積體電路200被站300檢查或處理之後，傳遞機構120’接著可將積體電路200一個接一個地從第一載體130c傳輸到第二載體130d，用於從站300卸載積體電路200。在站300是檢查站的實施例中，第二載體130d的數量可以是多個，用於針對不同的檢查結果對積體電路200進行整理。舉例來說，第二載體130d中的一些第二載體可為用於接收通過檢查的積體電路200（即，好晶粒）的通過目標載體，而其餘的第二載體130d可為用於接收未通過檢查的積體電路200（即，壞晶粒）的失敗載體。然而，本揭露不限於此，站300也可為用於進一步處理積體電路200的任何合適的製程室。第一載體130c與第二載體130d的校準可與上述第一載體130a與第二載體130b的校準相同或至少相似。出於清楚及簡單起見，可省略相同或相似的校準方法的詳細說明。
圖12至圖14示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統在不同操作場景下的示意性側視圖。應注意，圖12至圖14中所示的工件處理系統包含許多與前述實施例中揭露的工件處理系統相同或相似的特徵。出於清楚及簡單起見，可省略相同或相似特徵的詳細說明，且相同或相似的參考編號表示相同或相似的元件。圖12至圖14中所示的工件處理系統與前述實施例中揭露的工件處理系統之間的主要區別如下所述。
現在參照圖12，在一些實施例中，傳遞機構120可包括多個末端執行器124、126，用於同時拾取或放置多個積體電路。因此，傳遞機構120能夠在一次操作中處理多個積體電路。傳遞機構120一次處理積體電路的能力可與末端執行器124、126的數量相同。對於這種工件處理系統，校準方法可包括以下步驟。在一些實施例中，移動傳遞機構120以將上部成像裝置122與下部成像裝置110對位，從而獲得（設置）系統中的參考點。傳遞機構120可移動地設置在下部成像裝置110之上。在一些實施方式中，下部成像裝置110被固定到系統中的參考位置，且傳遞機構120相對於下部成像裝置110移動，用於從載體130拾取多個積體電路及/或將積體電路放置在載體上。
在一些實施例中，下部成像裝置110可包括具有板對位標記114的校準板112。因此，對於初始校準，傳遞機構120被配置成移動到下部成像裝置110的頂部，以將上部成像裝置122與下部成像裝置110的板對位標記114對位，從而獲得系統中的參考點（例如，原點）。在本實施例中，參考點被設置成下部成像裝置110上的板對位標記114的位置及/或上部成像裝置122與下部成像裝置110對位的位置。系統中的其他設備（例如載體130及末端執行器124、126）可根據參考點定位。
現在參照圖13，一旦上部成像裝置122與下部成像裝置110對位，則然後移動傳遞機構120以將傳遞機構120的（第一）末端執行器124與下部成像裝置110對位，從而獲得（第一）末端執行器偏移。舉例來說，當末端執行器124移動到下部成像裝置110的視野內的位置時，下部成像裝置110可捕獲末端執行器124的影像。在一些實施例中，影像可為末端執行器124的中心的數位化影像。由下部成像裝置110提供的末端執行器124的影像提供用於確定末端執行器124的目標（預定）位置與實際位置之間的末端執行器偏移的資料。舉例來說，可進行計算及測量來確定末端執行器124與上部成像裝置122（例如，參考點）之間的間距P1。然後，末端執行器偏移（如果有的話）可通過計算（比較）間距P1與目標間距之間的差來確定，目標間距是末端執行器124的目標位置與上部成像裝置122（例如，參考點）之間的間距。圖13中所示的實施例示出測量末端執行器124在例如X方向上的間距P1，以便確定末端執行器在X方向上的偏移。然而，同樣的方法可用於確定末端執行器例如在Y方向上的偏移及/或末端執行器124相對於目標位置的偏斜或旋轉。如果末端執行器124的目標位置與實際位置之間的差實質上不等於零（例如，大於或小於預定值），這意味著末端執行器124已相對於目標位置移位，則在隨後的製程期間施加調整以補償所述移位。
現在參照圖14，類似地，為了校準（第二）末端執行器126，移動傳遞機構120以將傳遞機構120的（第二）末端執行器126與下部成像裝置110對位，從而獲得（第二）末端執行器偏移。舉例來說，當末端執行器126移動到下部成像裝置110的視野內的位置時，下部成像裝置110可捕獲末端執行器126的影像。由下部成像裝置110提供的末端執行器126的影像提供用於確定末端執行器126的目標（預定）位置與實際位置之間的末端執行器偏移的資料。舉例來說，可進行計算及測量來確定末端執行器126與上部成像裝置122（例如，參考點）之間的間距P2。然後，末端執行器偏移（如果有的話）可通過計算（比較）間距P2與目標間距之間的差來確定，目標間距是末端執行器126的目標位置與上部成像裝置122（例如，參考點）之間的間距。圖14中所示的實施例示出測量末端執行器126在例如X方向上的間距P2，以便確定末端執行器在X方向上的偏移。然而，同樣的方法可用於確定末端執行器例如在Y方向上的偏移及/或末端執行器126相對於目標位置的偏斜或旋轉。如果末端執行器126的目標位置與實際位置之間的差實質上不等於零（例如，大於或小於預定值），這意味著末端執行器126已相對於目標位置移位，則在隨後的製程期間施加調整以補償所述移位。
根據本揭露的一些實施例，一種工件處理系統包括載體、下部成像裝置及傳遞機構。所述載體被配置成承載至少一個工件。所述下部成像裝置設置在所述載體旁邊。所述傳遞機構可移動地設置在所述下部成像裝置及所述載體之上，其中所述傳遞機構包括被配置成拾取及放置所述至少一個工件的末端執行器以及設置在所述末端執行器旁邊的上部成像裝置。在一實施例中，所述下部成像裝置更包括具有板對位標記的校準板，且所述傳遞機構被配置成移動以將所述上部成像裝置與所述下部成像裝置的所述板對位標記對位，用於初始校準。在一實施例中，所述下部成像裝置更包括面向所述校準板的光源及設置在來自所述光源的光的行進路徑上的折射器。在一實施例中，所述下部成像裝置被固定到參考位置且所述傳遞機構相對於所述下部成像裝置移動。在一實施例中，所述載體具有載體對位標記，且所述傳遞機構被配置成移動以將所述上部成像裝置與所述載體對位標記對位，用於載體校準。在一實施例中，所述傳遞機構被配置成移動以將所述末端執行器與所述下部成像裝置對位，用於末端執行器校準。在一實施例中，所述載體包括第一載體及第二載體，所述末端執行器被配置成從所述第一載體拾取所述至少一個工件並將所述至少一個工件放置到所述第二載體上。在一實施例中，所述第二載體包括多個第二載體，且所述下部成像裝置設置在所述多個第二載體之間。
根據本揭露的一些實施例，一種校準工件處理系統的方法包括以下步驟。移動傳遞機構以將所述傳遞機構的上部成像裝置與設置在所述傳遞機構下方的下部成像裝置對位，從而獲得參考點。移動所述傳遞機構以將所述傳遞機構的末端執行器與所述下部成像裝置對位，從而根據所述參考點獲得末端執行器偏移，其中所述末端執行器被配置成拾取至少一個工件。移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與被配置成承載所述至少一個工件的載體對位，從而根據所述參考點獲得載體偏移。在一實施例中，所述下部成像裝置更包括具有板對位標記的校準板，且移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與所述下部成像裝置的所述板對位標記對位。在一實施例中，所述載體具有載體對位標記，且移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與所述載體對位標記對位。在一實施例中，通過比較所述末端執行器相對於所述參考點的目標位置與實際位置來獲得所述末端執行器偏移。在一實施例中，通過比較所述載體相對於所述參考點的目標位置與實際位置來獲得所述載體偏移。在一實施例中，所述載體包括第一載體及第二載體，且移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與所述載體對位包括：移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與所述第一載體對位，從而獲得第一載體偏移；以及移動所述傳遞機構以將所述上部成像裝置與所述第二載體對位，從而獲得第二載體偏移。
根據本揭露的一些實施例，一種製造半導體封裝的方法包括以下步驟。將傳遞機構的上部成像裝置與下部成像裝置對位以獲得參考點。將所述傳遞機構的末端執行器與所述下部成像裝置對位，以獲得末端執行器偏移。將所述上部成像裝置與載體對位，以獲得載體偏移。根據所述末端執行器偏移及所述載體偏移，利用所述末端執行器及所述載體對多個積體電路進行處理。在一實施例中，利用所述末端執行器及所述載體對所述多個積體電路進行處理包括：所述末端執行器根據所述末端執行器偏移拾取所述多個積體電路；以及所述末端執行器根據所述末端執行器偏移及所述載體偏移將所述多個積體電路放置到所述載體上。在一實施例中，通過比較所述末端執行器相對於所述參考點的目標位置與實際位置來獲得所述末端執行器偏移。在一實施例中，通過比較所述載體相對於所述參考點的目標位置與實際位置來獲得所述載體偏移。在一實施例中，所述載體包括第一載體及第二載體，且將所述上部成像裝置與所述載體對位包括：將所述上部成像裝置與所述第一載體對位，以獲得第一載體偏移；以及將所述上部成像裝置與所述第二載體對位，以獲得第二載體偏移。在一實施例中，對所述多個積體電路進行處理包括：所述末端執行器根據所述末端執行器偏移及所述第一載體偏移從所述第一載體拾取所述多個積體電路；以及根據所述末端執行器偏移及所述第二載體偏移將所述多個積體電路放置到所述第二載體上。
前述內容概述了若干實施例的特徵，以將所屬領域具有通常知識者可更好地理解本揭露的各方面。所屬領域具有通常知識者應理解，他們可容易地使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或實現與本文中所介紹的實施例相同的優點。所屬領域具有通常知識者更應意識到此種等效構造並不背離本揭露的精神及範圍，且他們可在不背離本揭露的精神及範圍的情況下在本文中作出各種改變、替代及更改。
10:工件處理系統/系統 10’:工件處理系統 110:下部成像裝置/成像裝置 112:校準板 114:對位標記/板對位標記 116:光檢測器 118:光源 119:折射器 120:傳遞機構/傳送機構 120’:傳遞機構 122:上部成像裝置/成像裝置 124:末端執行器/噴嘴/（第一）末端執行器 124’:末端執行器 126:末端執行器/（第二）末端執行器 130:載體 130a、130c:第一載體 130b、130d:第二載體 132、132a、132b:載體對位標記 134:狹槽 150:裝載埠 200:工件/積體電路 300:檢查站/站 1221:光檢測器 1222:光源 OS1:末端執行器偏移 P1、P2:間距 S110、S120、S130、S140:步驟 x、y、z:方向
結合附圖閱讀以下詳細說明，能理解本揭露的各個方面。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特徵未按比例繪製。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。 圖1至圖3示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統在不同操作場景下的示意性側視圖。 圖4示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的上部成像裝置的示意圖。 圖5示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的下部成像裝置的示意圖。 圖6示出根據本揭露一些實施例的圖5中的下部成像裝置的示意性分解圖。 圖7示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的載體的示意性俯視圖。 圖8示出根據本揭露一些實施例的在製造半導體封裝中的中間階段的流程圖。 圖9示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統的示意性平面圖。 圖10至圖11示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統在不同操作場景下的示意性側視圖。 圖12至圖14示出根據本揭露一些實施例的工件處理系統在不同操作場景下的示意性側視圖。
10:工件處理系統/系統
110:下部成像裝置/成像裝置
112:校準板
114:對位標記/板對位標記
120:傳遞機構/傳送機構
122:上部成像裝置/成像裝置
124:末端執行器/噴嘴/(第一)末端執行器

Claims (1)

  1. 一種工件處理系統，包括： 載體，承載至少一個工件； 下部成像裝置，設置在所述載體旁邊；以及 傳遞機構，能夠移動地設置在所述下部成像裝置及所述載體之上，其中所述傳遞機構包括被配置成拾取及放置所述至少一個工件的末端執行器以及設置在所述末端執行器旁邊的上部成像裝置。
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