JP7436251B2 - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えばファンアウト型パネルレベルパッケージまたはファンアウト型ウエハレベルパッケージ用のダイプレースに適用可能である。

電子部品実装の分野では、仮基板と仮基板上に形成された粘着層上に配置された複数の半導体チップを封止樹脂で一括封止することにより、複数の半導体チップと複数の半導体チップを覆う封止樹脂とを備える封止体を形成した後、封止体から粘着層を含む仮基板を剥離し、次いで封止体の粘着層が貼り付けられていた面上に再配線層を形成する工程がある。この場合、再配線層と半導体チップとの接合精度は、仮基板上のチップの位置決め精度に依存する。そこで、仮基板上への半導体チップの取り付けの際の位置決め精度を上げることが必要である。

特開２０１４－４５０１３号公報 特開２０１８－１３３３５３号公報

仮基板にボンド目標位置の位置決め補正用マークを施し、このマーク位置を使ってボンド位置決め位置を補正することで、仮固定時の半導体チップの仮基板に対する位置決め精度を高くすることができる。しかしながら、マークを仮基板上のどのような位置に施すかは、半導体チップの構造やサイズ、最終的な半導体チップと封止体の配置関係に応じて、決められる。すなわち、最終製品の構造やサイズ、部品配置に応じた、所定のマークを有する仮基板を準備する必要がある。したがって、製品ごとに所定のマークを有する仮基板を多数枚作成しなければいけないので、コストが上がるという問題がある。

本開示の課題は、マークが施されていない基板に、位置決め精度良く、半導体チップ（ダイ）を基板に取り付けるダイボンディング装置を提供することである。

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、基板の外形の特徴部の位置を撮像装置により認識して計測し、計測した位置を初期位置として保存し、計測した位置に基づいて基準位置を定義し、基準位置を基準としてボンディングヘッドによりダイを順次ボンドするよう構成される。

上記ダイボンディング装置によれば、ダイプレースの精度を向上することができる。

実施形態におけるダイボンディング装置の概要を示す図である。 第一実施形態における基板を示す上面図である。 図２の基板の中心の算出を説明する上面図である。 基板の中心を基準にダイをボンドした状態を示す上面図である。 基板の伸縮を説明する上面図である。 基板の伸縮を補正して基板の中心を基準にダイをボンドした状態を示す上面図である。 第一実施形態の第一変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第一実施形態の第二変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第一実施形態の第三変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第一実施形態の第四変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第一実施形態の第五変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第一実施形態の第六変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第一実施形態の第七変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。 第二実施形態におけるボンドステージを示す上面図である。 第二実施形態における基板搬送治具を説明する図である。 第二実施形態における基板の中心を算出する方法を説明する上面図である。 基板のエッジの検出を説明する図である。 基板の傾きの検出を説明する図である。 ノッチの位置を計測する方法を説明する図である。 第二実施形態の第一変形例における基板の中心を算出する方法を説明する上面図である。 最小二乗法で近似円を算出し、近似円の中心（Ｘｃ、Ｙｃ）、半径（Ｒ）を求める方法を説明する図である。 最小二乗法で近似円を算出し、近似円の中心（Ｘｃ、Ｙｃ）、半径（Ｒ）を求める方法に使用する式を示す図である。 第二実施形態の第二変形例における基板の中心および大きさの算出方法を説明する上面図である。 第二実施形態の第三変形例におけるボンドステージを示す上面図である。 第二実施形態の第三変形例における基板搬送治具を説明する図である。 第二実施形態の第四変形例におけるボンドステージを示す上面図である。 第二実施形態の第四変形例における基板搬送治具を説明する図である。 実施例におけるフリップチップボンダの概略を示す上面図である。 図２８において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップフリップヘッド、トランスファヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。 図２８のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。 図２８のフリップチップボンダで実施されるボンド方法を示すフローチャートである。

以下、実施形態、変形例および実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

ファンアウト型ウエハレベルパッケージ（Fan Out Wafer Level Package：ＦＯＷＬＰ）はチップ面積を超える広い領域に再配線層を形成するパッケージである。ファンアウト型パネルレベルパッケージ（Fan Out Panel Level Package：ＦＯＰＬＰ）は、ＦＯＷＬＰの一括製造の考え方をさらに突き進めたものである。ＦＯＷＬＰは、例えば直径が３００ｍｍのウエハに多数のシリコンダイを載せてパッケージの製造を一括して実施することで、パッケージ１個当たりの製造コストを低減する。この一括製造の考え方を、ウエハよりも大きなパネル（パネル状の基板）に適用したのが、ＦＯＰＬＰである。パネルにはプリント基板またはガラス基板（例えば液晶パネル製造用基板など）を使う。

ＦＯＰＬＰの製造プロセスには多くの種類があるが、その１つに仮基板としてのパネル（以下、基板ともいう。）上にウエハからピックアップしたダイを、基板上に塗布した粘着性の基剤を介してボンドし仮固定してから封止樹脂で一括封止し、その封止体を基板から剥離して再配線やパッド（ＰＡＤ）の形成を行う方法がある。その方法では歩留まり、品質を維持するために基板上に精度よくダイを実装する必要があり、ダイの小型化、高密度配線化により３～５μｍなどの高精度が要求されている。

製造装置の高精度化にむけ、基板上に予め位置決めの基準となるマークなどを配置しアライメントする方法が考えられるが、基板に加工してターゲットマークを形成する場合、製造する部品サイズが変更になった場合など基板（型として）の再使用が困難なうえ、基板上に３～５μｍ以内の精度でアライメントマークを形成するにはコストがかかり、基板のコストの上昇はパッケージ価格の上昇につながる。そのため、マークなしの無地の基板上にダイを高精度に実装する必要があり、製造装置も高価なものになってしまう。ＦＯＰＬＰのコスト低減のためには高精度かつ低価格で実装が可能な製造装置の実現が必要である。

また、ＦＯＰＬＰではサイズが大きく（例えば、５１５ｍｍ×５１０ｍｍなど）、位置決め基準が設けられていない基板上にダイを３～５μｍなどの高精度で、かつ大量にボンドする必要がある。しかし、環境の温度変化やプロセスで必要とする基板温度の変化、装置の経時変化などによる影響で、ボンド途中に基板の伸縮など変化することがあり、ボンド後の精度に影響する。

そこで、本開示の実施形態では、基板の角やエッジ等の基板の外形の特徴として計測できる位置を認識して基板の基準位置を算出し、基準位置に基づいてダイのボンドを行う。基板外形の特徴の認識は、一つの基板におけるボンド中に複数回行い、基準位置等を修正して、ダイのボンドを行う。これにより、ボンド途中に基板の伸縮などの変化によるボンド精度への影響を低減することが可能である。本実施形態はＦＯＰＬＰの仮基板の他にＦＯＷＬＰのウエハにも適用可能である。

＜第一実施形態＞
第一実施形態はＦＯＰＬＰを対象とし、無地でマークの無い矩形状の基板の角またはエッジを認識し、位置計測することで、基板の位置とサイズ、伸縮を補正しながらダイをボンドする。これについて図１から図６を用いて説明する。図１は実施形態におけるダイボンディング装置の概要を示す図である。図２は第一実施形態における基板を示す上面図である。図３は図２の基板の中心の算出を説明する上面図である。図４は基板の中心を基準にダイをボンドした状態を示す上面図である。図５は基板の伸縮を説明する上面図である。図６は基板の伸縮を補正して基板の中心を基準にダイをボンドした状態を示す上面図である。

図１に示すように、第一実施形態におけるダイボンディング装置ＢＤは、基板Ｐを固定するボンドステージＢＳと、基板ＰにダイＤをボンドするボンディングヘッドＢＨと、ダイＤや基板Ｐを撮像する撮像装置ＣＭと、ボンディングヘッドＢＨおよび撮像装置ＣＭを制御する制御装置ＣＮＴと、を備える。ボンドステージＢＳは基板Ｐを固定するための真空吸着する機構および基板Ｐを加熱する機構を備える。制御装置ＣＮＴは不図示のＣＰＵとそのＣＰＵが実行するプログラムやデータを格納する記憶装置ＭＭを備える。

第一実施形態のボンド方法について図２から図６を用いて以下に説明する。

（ステップ１）
まず、基板Ｐがダイボンディング装置ＢＤのボンドステージＢＳに搬入されたら基板Ｐの角やエッジなど基板Ｐの外形の特徴として計測できる位置を認識し、初期位置を保存する。ここで、図２に示すように、基板Ｐは平面視で矩形状であり、一辺はＸ軸方向に延在し、一辺に交わる他辺はＹ軸方向に延在する。

例えば、制御装置ＣＮＴは、基板ＰをボンドステージＢＳに搬送して、基板Ｐを真空吸着した後、すぐに基板Ｐの角の認識動作を開始する。図２に示すように、認識動作では、制御装置ＣＮＴは、基板Ｐの角ＣＲＵ，ＣＬＵ，ＣＬＤ，ＣＲＤのうち少なくとも二つの角を撮像装置ＣＭで撮像して、基板Ｐの角の位置を認識（計測）し、その位置および距離を記憶装置ＭＭに保存する。

（ステップ２）
ステップ１で計測した基板Ｐの角の位置から基板Ｐの中心や角など基準となる位置（基板基準位置）を定義する。

例えば、図３に示すように、基板Ｐの右上の角ＣＲＵおよび左上の角ＣＬＵの二点を認識して位置計測し、基板Ｐの上辺の直線ＳＬ１を定義して算出し、角ＣＲＵと角ＣＬＵの二点の中点ＣＰ１を算出する。この中点ＣＰ１から上辺の直線ＳＬ１に垂直な直線ＳＬ２を算出し、基板Ｐのサイズ（奥行きの寸法の１／２の位置）より基板Ｐの中心ＣＮを算出する。中心ＣＮを基準に上辺の直線ＳＬ１の傾きで基板上のＸＹ座標系を定義する。ここで、中心ＣＮは基板基準位置の一例である。

（ステップ３）
基板基準位置からダイＤをボンドする位置を予め登録しておき、その位置にダイＤを順次ボンドする。

例えば、図４に示すように、左下のダイＤがボンドされる位置は基板基準位置としての中心ＣＮからＸ方向に－ｘ１、Ｙ方向に－ｙ１の位置であり、その座標は（－ｘ１，－ｙ１）である。まず、制御装置ＣＮＴはボンディングヘッドＢＨによりダイＤを予め登録された１６（＝４×４）箇所の位置にボンドする。

（ステップ４）
一定時間または一定個数など、時間経過に類する設定に基づいてその期間を過ぎたら再度基板Ｐの角などステップ１で予め計測登録した初期位置の場所を計測し、初期位置からの変位を計測する。

例えば、制御装置ＣＮＴは１６箇所の位置にダイＤをボンドし終えたときに、図５に示すように、ステップ１と同様に基板Ｐの角ＣＲＵ，ＣＬＵ，ＣＬＤ，ＣＲＤの認識動作を行い、ステップ２と同様に基板Ｐの中心ＣＮを算出する。図５では、基板Ｐは二点破線で示した初期状態よりも縮小している。

（ステップ５）
ステップ４における計測した結果から基板基準位置の変化、伸縮変化などを算出し、基板基準位置および基板サイズを修正する。

例えば、制御装置ＣＮＴは、ステップ２で算出した基板Ｐの中心ＣＮおよびステップ４で算出した基板Ｐの中心ＣＮと、ステップ１で算出した二つの角の距離に基づいて算出された基板Ｐのサイズおよびステップ４で算出した二つの角の距離に基づいて算出された基板Ｐのサイズと、に基づいて基板Ｐの中心ＣＮおよび基板Ｐのサイズを修正する。

（ステップ６）
修正された基板基準位置および基板サイズの情報に基づいて、予め登録されているダイＤをボンドする位置を修正された基板基準位置を基準として伸縮、傾きを修正して、ダイＤをボンドする。これにより、基板基準位置および基板サイズの変化に追従して、ボンドすることができる。

例えば、制御装置ＣＮＴはステップ５で算出した中心ＣＮおよび基板サイズに基づいて、次の１６箇所のボンドする位置を予め登録されている位置を修正して算出する。制御装置ＣＮＴは修正された１６箇所のボンドする位置に基づいてダイＤを基板Ｐにボンドする。

実施形態によれば、マークの無い基板でもより高精度に、熱収縮などの影響も低減しボンディングすることが可能となる。また、ボンドステージＢＳは加熱されるが、熱収縮による基準位置や基板サイズの変化に追従できるので、基板がボンドステージＢＳに搬送されたときの温度に関係なく、上述のステップ１を実施することが可能である。よって、認識動作も待ち時間が必要ない。

＜第一実施形態の変形例＞
以下、第一実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

（第一変形例）
基板Ｐの中心および傾きの算出方法は図３に示した方法以外にも幾つかある。第一変形例について図７を用いて説明する。図７は第一実施形態の第一変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図７に示すように、基板Ｐの右上の角ＣＲＵおよび左上の角ＣＬＵの二点を認識して位置計測し、基板Ｐの上辺の直線ＳＬ１を定義して算出し、角ＣＲＵと角ＣＬＵの二点の中点ＣＰ１を算出する。この中点ＣＰ１から上辺の直線ＳＬ１に垂直な直線ＳＬ２を定義して算出する。基板Ｐの右上の角ＣＲＵおよび右下の角ＣＲＤの二点を認識して位置計測し、基板Ｐの右辺の直線ＳＬ３を定義して算出し、角ＣＲＵと角ＣＲＤの二点の中点ＣＰ２を算出する。この中点ＣＰ２から右辺の直線ＳＬ３に垂直な直線ＳＬ４を定義して算出する。二本の直交する直線ＳＬ２，ＳＬ４の交点を基板Ｐの中心ＣＮとして算出する。中心ＣＮを基準に上辺の直線ＳＬ１または右辺の直線ＳＬ３の傾きで基板上のＸＹ座標系を定義する。

（第二変形例）
第二変形例について図８を用いて説明する。図８は第一実施形態の第二変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図８に示すように、基板Ｐの角ＣＲＵ，ＣＬＵ，ＣＬＤ，ＣＲＤの四点を認識して位置計測し、対角の角を結ぶ直線である対角線ＳＬ５，ＳＬ６を二本定義し、二本の対角線ＳＬ５，ＳＬ６の交点を中心ＣＮとして算出する。対角線ＳＬ５，ＳＬ６の中線ＳＬ７，ＳＬ８を定義し、中心ＣＮを基準に対角線ＳＬ７または対角線ＳＬ８の傾きで基板上のＸＹ座標系を定義する。

（第三変形例）
第三変形例について図９を用いて説明する。図９は第一実施形態の第三変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図９に示すように、基板Ｐの左右の二辺のエッジＥＧ１，ＥＧ２を認識して位置計測し、エッジＥＧ１，ＥＧ２の二点を結ぶ直線ＳＬ９を定義して算出し、直線ＳＬ９の中点ＣＰ３を算出する。この中点ＣＰ３から直線ＳＬ９に垂直な直線ＳＬ１０を定義して算出する。直線ＳＬ１０上における基板Ｐの上下の二辺のエッジＥＧ３，ＥＧ４を認識して位置計測する。エッジＥＧ３，ＥＧ４の中点を中心ＣＮとして算出する。中心ＣＮを基準に直線ＳＬ９または直線ＳＬ１０の傾きで基板上のＸＹ座標系を定義する。

（第四変形例）
第四変形例について図１０を用いて説明する。図１０は第一実施形態の第四変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図１０に示すように、基板Ｐの上辺の二点のエッジＥＧ５，ＥＧ６を認識して位置計測し、エッジＥＧ５，ＥＧ６の二点を結ぶ直線ＳＬ１１を定義し、直線ＳＬ１１を基板Ｐの傾きとする。直線ＳＬ１１に平行な直線を直線ＳＬ１１から基板Ｐの幅の１／２のところに定義し、直線ＳＬ１２とする。直線ＳＬ１２上で基板Ｐの左右の二辺のエッジＥＧ７，ＥＧ８を認識して位置計測し、その中点ＣＰ４を求める。この中点ＣＰ４を通り、直線ＳＬ１１および直線ＳＬ１２に垂直な直線を直線ＳＬ１３と定義する。直線ＳＬ１３上の基板Ｐの下辺のエッジＥＧ９を認識して位置計測し、直線ＳＬ１１とエッジＥＧ９の距離を算出する。直線ＳＬ１１と直線ＳＬ１３の交点ＣＰ１から、算出した直線ＳＬ１１とエッジＥＧ９の距離の１／２の点を中心ＣＮとして算出する。

（第五変形例）
第五変形例について図１１を用いて説明する。図１１は第一実施形態の第五変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図１１に示すように、基板Ｐの左上のエッジＥＧ１０，ＥＧ１１を認識して交点位置を計測し、基板Ｐの角ＣＬＵを求める。次に基板Ｐの右下のエッジＥＧ１２，ＥＧ１３を認識して交点位置を計測し、基板Ｐの角ＣＲＤを求める。二つの角ＣＬＵ，ＣＲＤを結ぶ直線ＳＬ１４を定義し、直線ＳＬ１４上の、二つの角ＣＬＵ，ＣＲＤを結ぶ中点を算出し、それを中心ＣＮとする。中心ＣＮを基準に対角線ＳＬ１４の傾きからＸＹ方向の直線ＳＬ１５、ＳＬ１６を定義し、で基板上のＸＹ座標系を定義する。

（第六変形例）
第六変形例について図１２を用いて説明する。図１２は第一実施形態の第六変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図１２に示すように、基板Ｐの上下の二辺のエッジＥＧ１４，ＥＧ１５を認識して位置計測し、その中点ＣＰ５を求める。同様に二辺のエッジＥＧ１６，ＥＧ１７を認識して位置計測し、その中点ＣＰ６を求める。二つの中点ＣＰ５，ＣＰ６を通る直線ＳＬ１７を定義し、直線ＳＬ１７上にある基板Ｐの左右のエッジＥＧ１８，ＥＧ１９を認識して位置計測し、その中点を中心ＣＮとする。中心ＣＮを基準に直線ＳＬ１７の傾きで基板上のＸＹ座標を定義する。

（第七変形例）
第七変形例について図１３を用いて説明する。図１３は第一実施形態の第七変形例における基板の中心および傾きの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図１３に示すように、基板Ｐの上下の二辺のエッジＥＧ２０，ＥＧ２１を認識して位置計測し、その中点ＣＰ７を求める。同様に二辺のエッジＥＧ２２，ＥＧ２３を認識して位置計測し、その中点ＣＰ８を求める。つづいて基板Ｐの左右の二辺のエッジＥＧ２４，ＥＧ２５を認識して位置計測し、その中点ＣＰ９を求める。同様に二辺のエッジＥＧ２６，ＥＧ２７を認識して位置計測し、その中点ＣＰ１０を求める。二つの中点ＣＰ７，ＣＰ８を通る直線ＳＬ２２を定義する。また、二つの中点ＣＰ９，ＣＰ１０を通る直線ＳＬ２３を定義する。二つの直線ＳＬ２２，ＳＬ２３の交点を求め、その点を中心ＣＮとする。中心ＣＮを基準に直線ＳＬ２２または直線ＳＬ２３の傾きで基板上のＸＹ座標系を定義する。

＜第二実施形態＞
第二実施形態はＦＯＷＬＰを対象とし、無地でマークの無い円形状の基板としてのウエハのエッジを認識し、位置計測することで、基板の位置とサイズ、伸縮を補正しながらダイをボンドする。

まず、第二実施形態におけるボンドステージについて図１４を用いて説明する。図１４は第二実施形態におけるボンドステージを示す上面図である。第二実施形態におけるダイボンディング装置ＢＤは、基板Ｐおよび基板Ｐを固定するボンドステージＢＳが第一実施形態と異なるが、その他は第一実施形態と同様である。

図１４に示すように、ボンドステージＢＳはＦＯＰＬＰ用の矩形状の基板（パネル）およびＦＯＷＬＰ用の円形状の基板（ウエハ）の両方を真空吸着および加熱するように構成されている。矩形状の基板は、例えば、５１５ｍｍ×５１０ｍｍの大きさの基板が載置可能であり、円形状の基板は、例えば、１２インチおよび８インチのウエハサイズの基板が載置可能である。

ボンドステージＢＳは、中央の円に円形状の基板用の真空吸着用溝ＶＴ１およびヒータＨＴ１と、外周に矩形状の基板用の真空吸着溝ＶＴ２およびヒータＨＴ２と、基板搬送治具用の逃がし穴ＥＨ１，ＥＨ２と、を備える。逃がし穴ＥＨ１は後述する基板保持爪ＷＳＣ用であり、逃がし穴ＥＨ２は後述する基板位置決め爪ＷＰＭ用である。円形状の基板を載置する場合は、中央の円のヒータＨＴ１および真空吸着溝ＶＴ１のみを用い、矩形状の基板を載置する場合は、中央の円のヒータＨＴ１と外周のヒータＨＴ２および真空吸着溝ＶＴ１，ＶＴ２を用いる。

次に、基板搬送治具について図１５を用いて説明する。図１５は第二実施形態における基板搬送治具を説明する図であり、図１５（ａ）は基板搬送治具を示す上面図であり、図１５（ｂ）は基板搬送治具がボンドステージに載置される前の状態を示す図１５（ａ）のＡ－Ａ線における断面図であり、図１５（ｃ）は基板搬送治具がボンドステージに載置された状態を示す図１５（ａ）のＡ－Ａ線における断面図である。

基板搬送治具ＷＣは、中央に孔が形成された矩形状の基板ＷＣＳと、基板Ｐを保持する四か所で保持する四つの基板保持爪ＷＳＣと、基板位置決め爪ＷＰＭと、を備える。図１５（ｂ）に示すように、基板保持爪ＷＳＣは、基板ＷＣＳの上面に当接して固定される部分ＷＳＣａと、基板Ｐの下面に当接して基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂを有する。基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂの上面は、基板Ｐの下面と当接する。図１５（ｃ）に示すように、基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂはボンドステージＢＳの逃がし穴に埋没して基板Ｐの下面がボンドステージＢＳの上面と当接するように構成されている。基板位置決め爪ＷＰＭが基板Ｐに形成されているノッチ（切り欠き）ＮＴに勘合して基板Ｐが位置決めされる。

第二実施形態のボンド方法について図１６から図１９を用いて説明する。図１６は第二実施形態における基板の中心を算出する方法を説明する上面図である。図１７は基板のエッジの検出を説明する図であり、図１７（ａ）はエッジＥＧ３１、図１７（ｂ）はエッジＥＧ３２、図１７（ｃ）はエッジＥＧ３３、図１７（ｄ）はエッジＥＧ３４の拡大図である。図１８は基板の傾きの検出を説明する図であり、図１８（ａ）は傾きがない状態を示す上面図であり、図１８（ｂ）は傾きがある状態を示す上面図である。図１９はノッチの位置を計測する方法を説明する図であり、図１９（ａ）はパターンマッチングによる方法、図１９（ｂ）は形状による方法を示す上面図である。

第二実施形態のボンド方法について、第一実施形態と異なる点を中心に図１６から図１９を用いて以下に説明する。
（ステップ１）
まず、基板搬送治具ＷＣに保持された基板Ｐがダイボンディング装置ＢＤのボンドステージＢＳに搬入されたら基板Ｐのエッジなど基板Ｐの外形の特徴として計測できる位置を認識し、初期位置を保存する。ここで、図１６に示すように、基板Ｐは平面視で円形状である。

例えば、制御装置ＣＮＴは、基板搬送治具ＷＣにより保持された基板ＰをボンドステージＢＳに搬送して、基板Ｐを真空吸着した後、すぐに基板Ｐのエッジの認識動作を開始する。図１６に示すように、認識動作では、制御装置ＣＮＴは、基板Ｐの四つのエッジを撮像装置ＣＭで撮像して、基板Ｐの四つのエッジの位置を認識（計測）し、その位置および距離を記憶装置ＭＭに保存する。

（ステップ２）
ステップ１で計測した基板Ｐの四つのエッジの位置から基板Ｐの中心など基準となる位置（基板基準位置）および基板Ｐの大きさを定義する。

例えば、図１６に示すように、基板Ｐの左右の二つのエッジＥＧ３１，ＥＧ３２を認識して位置計測し、エッジＥＧ３１，ＥＧ３２の二点を結ぶ直線ＳＬ３１を定義して算出し、直線ＳＬ３１の中点ＣＰ３１を算出する。この中点ＣＰ３１から直線ＳＬ３１に垂直な直線ＳＬ３２を定義して算出する。直線ＳＬ３２上における基板Ｐの上下の二つのエッジＥＧ３３，ＥＧ３４を認識して位置計測する。エッジＥＧ３３，ＥＧ３４の中点を中心ＣＮとして算出する。また、中心ＣＮとエッジＥＧ３１，ＥＧ３２，ＥＧ３３，ＥＧ３４の位置から基板Ｐの大きさとしての半径（Ｒ）を算出する。なお、エッジＥＧ３１，ＥＧ３２，ＥＧ３３，ＥＧ３４の検出は撮像装置ＣＭによるエッジスキャンにより行うが、レーザ高さセンサなどによる高さスキャンで変化位置を計測してもよい。

基板Ｐの設置傾きを計測する場合は基板Ｐの中心ＣＮを算出後、基板Ｐに設置された位置決めノッチＮＴの位置を計測して中心ＣＮの位置（Ｘｃ，Ｙｃ）とノッチＮＴの位置（Ｘ，Ｙ）から軸を定義し、傾きを算出する。ノッチＮＴの位置算出方法としては、図１９（ａ）に示すようにパターン認識（パターンマッチング）でノッチＮＴの位置を計測するようにしてもよいし、図１９（ｂ）に示すように形状エッジ認識によりノッチＮＴの位置を計測するようにしてもよい。

（ステップ３）
第一実施形態と同様に、基板基準位置からダイＤをボンドする位置を予め登録しておき、その位置に基準ダイＤを順次ボンドする。

（ステップ４）
第一実施形態と同様に、一定時間または一定個数など、時間経過に類する設定に基づいてその期間を過ぎたら再度基板Ｐのエッジをステップ１で予め計測登録した初期位置の場所を計測し、初期位置からの変位を計測する。

（ステップ５）
第一実施形態と同様に、ステップ４における計測した結果から基板基準位置の変化、伸縮変化などを算出し、基板基準位置および基板サイズを修正する。

（ステップ６）
第一実施形態と同様に、修正された基板基準位置および基板サイズの情報に基づいて、予め登録されているダイＤをボンドする位置を修正された基板基準位置を基準として修正して、ダイＤをボンドする。

第二実施形態では、ボンドステージ上に設置されたウエハの中心（基板基準位置）と半径（基板サイズ）を検出し、中心基準で位置のアライメント、半径変化で伸縮補正を実施する。これにより、熱収縮による基板基準位置および基板サイズの変化に追従して、ボンドすることができる。

＜第二実施形態の変形例＞
以下、第二実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

（第一変形例）
第二実施形態の処理は簡便だが、毎回四点の計測が必要であり、時間がかかる。そこで、第一変形例では、三点のエッジの測定結果から、最小二乗法で近似円を算出し、近似円の中心（Ｘｃ、Ｙｃ）、半径（Ｒ）を求める。測定点が三点で済み、四点に比べ測定時間の短縮可能である。

第一変形例のボンド方法について図２０から図２２を用いて説明する。図２０は第二実施形態の第一変形例における基板の中心を算出する方法を説明する上面図である。図２１は最小二乗法で近似円を算出し、近似円の中心（Ｘｃ、Ｙｃ）、半径（Ｒ）を求める方法を説明する図である。図２１は最小二乗法で近似円を算出し、近似円の中心（Ｘｃ、Ｙｃ）、半径（Ｒ）を求める方法に使用する式を示す図である。

第二実施形態と異なる点を中心に以下に説明する。
（ステップ１）
図２０に示すように、認識動作では、制御装置ＣＮＴは、基板Ｐの三つのエッジを撮像装置ＣＭで撮像して、基板Ｐの三つのエッジの位置を認識（計測）し、その位置および距離を記憶装置ＭＭに保存する。

（ステップ２）
ステップ１で計測した基板Ｐの三つのエッジの位置から基板Ｐの中心など基準となる位置（基板基準位置）および基板Ｐの大きさを定義する。

例えば、図２０に示すように、基板Ｐの左右の二つのエッジＥＧ３１，ＥＧ３２を認識して位置計測し、エッジＥＧ３１，ＥＧ３２の二点を結ぶ直線ＳＬ３１を定義して算出し、直線ＳＬ３１の中点ＣＰ３１を算出する。この中点ＣＰ３１から直線ＳＬ３１に垂直な直線ＳＬ３２を定義して算出する。直線ＳＬ３２上における基板Ｐの下のエッジＥＧ３３を認識して位置計測する。

ここで、複数の測定点（ｘｉ，ｙｉ）から円を最小自乗法で近似し、円の中心（Ｘｃ，Ｙｃ）を算出する方法について図２１および図２２を用いて説明する。なお、図２１に示すように、測定点は三点以上あれば近似円を算出可能である。

近似する円の中心ＣＮの座標（Ｘｃ，Ｙｃ）を（ａ，ｂ)、半径をｒとすると、近似する円の式は、図２２に示す式（１）で表される。式（１）を変形して、図２２に示す式（２）のように変形することができる。ここで、式（２）のパラメータＡ、Ｂ、Ｃは、図２２に示す式（３）で表される。

複数の測定点（ｘｉ，ｙｉ)（ｉ=１～ｎ）を使い、最小二乗法によりパラメータＡ，Ｂ，Ｃを算出する。すなわち、図２２に示す式（４）を用いてパラメータＡ，Ｂ，Ｃを算出する。

式（４）をパラメータＡ，Ｂ，Ｃで偏微分すると、図２２に示す式（５）（６）（７）のようになる。式（５）（６）（７）を行列式で表現すると、図２２に示す式（８）のようになり、式（８）を変形すると、図２２に示す式（９）のようになる。式（９）からパラメータＡ，Ｂ，Ｃを算出する。

式（９）から算出したＡ，Ｂを式（３）に代入して（ａ，ｂ）を算出する。式（３）から算出した（ａ，ｂ）および式（９）から算出したＣを式（３）に代入してｒを算出する。ここで、ｒは第二実施形態の基板Ｐの半径（Ｒ）に対応する。

（第二変形例）
第二変形例について図２３を用いて説明する。図２３は第二実施形態の第二変形例における基板の中心および大きさの算出方法を説明する上面図である。

例えば、図２３に示すように、基板Ｐの左右の二つのエッジＥＧ３１，ＥＧ３２を認識して位置計測し、エッジＥＧ３１，ＥＧ３２の二点を結ぶ直線ＳＬ３１を定義して算出し、直線ＳＬ３１の中点ＣＰ３１を算出する。この中点ＣＰ３１から直線ＳＬ３１に垂直な直線ＳＬ３２を定義して算出する。

エッジＥＧ３２から直線ＳＬ３１に垂直な直線ＳＬ３３を定義して算出する。直線ＳＬ３３上における基板ＰのエッジＥＧ３４を認識して位置計測する。直線ＳＬ３３の中点ＣＰ３２を算出し、この中点ＣＰ３２から直線ＳＬ３３に垂直な直線ＳＬ３４を定義して算出する。２本の直線ＳＬ３２，ＳＬ３４の交点から円の中心（Ｘｃ，Ｙｃ）を算出する。エッジＥＧ３１、ＥＧ３４の二点を結ぶ直線ＳＬ３５を定義して、この中点である円の中心を算出する。算出した二つの円の中心を比較確認する。

半径（Ｒ）はエッジＥＧ３１，ＥＧ３２，ＥＧ３４と中心（Ｘｃ，Ｙｃ）のそれぞれの距離の平均とする。または、エッジＥＧ３１，ＥＧ３２，ＥＧ３４の三点で形成する三角形の各辺の長さをａ，ｂ，ｃとして、３角形の外接円の半径を算出する図２３に示す式（１０）により半径（Ｒ）を算出する。第一変形例と同様に、エッジＥＧ３１，ＥＧ３２，ＥＧ３４の三点の最小二乗法による中心（Ｘｃ，Ｙｃ）および半径（Ｒ）の算出結果と比較し平均してもよい。

第二変形例によれば、第一変形例と同様に測定点が三点で済み、第二実施形態の四点に比べ測定時間の短縮可能である。

（第三変形例）
第三変形例におけるボンドステージについて図２４を用いて説明する。図２４は第二実施形態の第三変形例におけるボンドステージを示す上面図である。

図２４に示すように、第三変形例のボンドステージＢＳは、第二実施形態と同様にＦＯＰＬＰ用の矩形状の基板（パネル）およびＦＯＷＬＰ用の円形状の基板（ウエハ）の両方を真空吸着および加熱するように構成されている。ボンドステージＢＳは、中央の円に円形状の基板用の真空吸着用溝ＶＴ１およびヒータＨＴ１と、外周に矩形状の基板用の真空吸着溝ＶＴ２およびヒータＨＴ２と、基板搬送治具用の逃がし溝ＥＴと、を備える。円形状の基板を載置する場合は、中央の円のヒータＨＴ１および真空吸着溝ＶＴ１のみを用い、矩形状の基板を載置する場合は、中央の円のヒータＨＴ１と外周のヒータＨＴ２および真空吸着溝ＶＴ１とＶＴ２を用いる。

次に、基板搬送治具について図２５を用いて説明する。図２５は第二実施形態の第三変形例における基板搬送治具を説明する図であり、図２５（ａ）は基板搬送治具を示す上面図であり、図２５（ｂ）は基板搬送治具がボンドステージに載置される前の状態を示す図２５（ａ）のＡ－Ａ線における断面図であり、図２５（ｃ）は基板搬送治具がボンドステージに載置された状態を示す図２５（ａ）のＡ－Ａ線における断面図である。

基板搬送治具ＷＣは、中央に孔が形成された矩形状の基板ＷＣＳと、基板位置決め爪ＷＰＭと、を備える。図２５（ｂ）に示すように、基板ＷＣＳは、基板Ｐの下面に当接して基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂを有する。基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂの上面は、基板Ｐの下面と当接する。図２５（ｃ）に示すように、基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂはボンドステージＢＳの逃がし溝ＥＴに埋没して基板Ｐの下面がボンドステージＢＳの上面と当接するように構成されている。基板位置決め爪ＷＰＭが基板Ｐに形成されているノッチ（切り欠き）ＮＴに勘合して基板Ｐが位置決めされる。

（第四変形例）
第四変形例におけるボンドステージについて図２６を用いて説明する。図２６は第四変形例におけるボンドステージを示す上面図である。

図２６に示すように、第四変形例のボンドステージＢＳは、第二実施形態と同様にＦＯＰＬＰ用の矩形状の基板（パネル）およびＦＯＷＬＰ用の円形状の基板（ウエハ）の両方を真空吸着および加熱するように構成されている。ボンドステージＢＳは、中央の円に円形状の基板用の真空吸着用溝ＶＴ１およびヒータＨＴ１と、外周に矩形状の基板用の真空吸着溝ＶＴ２およびヒータＨＴ２と、中央分離溝ＳＴと、を備える。円形状の基板を載置する場合は、中央分離溝ＳＴの内側のヒータＨＴ１および真空吸着溝ＶＴ１のみを用いる。この場合、中央分離溝ＳＴの内側のみが数ｍｍせり上がり、基板Ｐを持ち上げてサポートする。矩形状の基板を載置する場合は、中央分離溝ＳＴの内側のヒータＨＴ１と外周のヒータＨＴ２および真空吸着溝ＶＴ１とＶＴ２を用いる。

次に、基板搬送治具について図２７を用いて説明する。図２７は第二実施形態の第四変形例における基板搬送治具を説明する図であり、図２７（ａ）は基板搬送治具を示す上面図であり、図２７（ｂ）は基板搬送治具がボンドステージに載置される前の状態を示す図２７（ａ）のＡ－Ａ線における断面図であり、図２７（ｃ）は基板搬送治具がボンドステージに載置された状態を示す図２７（ａ）のＡ－Ａ線における断面図である。

図２７（ａ）に示すように、基板搬送治具ＷＣは中央に孔が形成された矩形状の基板ＷＣＳを備える。図２７（ｂ）に示すように、基板ＷＣＳは、基板Ｐの下面に当接して基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂを有する。基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂの上面は、基板Ｐの下面と当接する。図２７（ｃ）に示すように、基板Ｐを保持する部分ＷＳＣｂはボンドステージＢＳの中央分離溝ＳＴに埋没して基板Ｐの下面がボンドステージＢＳの上面と当接するように構成されている。中央分離溝ＳＴの内側のボンドステージＢＳは上昇して基板Ｐを支持する。なお、上述したように、ノッチＮＴの位置が測定できるので、第二実施形態の基板位置決め爪ＷＰＭは必要ない。

以下、実施例としてＦＯＰＬＰに適用する例について説明するが、これに限定されるものではなく、第二実施形態で説明したＦＯＷＬＰにも適用可能である。

図２８は実施例におけるフリップチップボンダの概略を示す上面図である。図２９は図２８において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップフリップヘッド、トランスファヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。

ダイボンディング装置としてのフリップチップボンダ１０は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２と、トランスファ部８と、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５と、基板供給部６Ｋと、基板搬出部６Ｈと、各部の動作を監視し制御する制御装置７と、を有する。

まず、ダイ供給部１は、基板Ｐに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、分割されたウエハ１１を保持するウエハ保持台１２と、ウエハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、ウエハリング供給部１８と、を有する。ダイ供給部１は、図示しない駆動手段によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。ウエハリング供給部１８はウエハリング１４（図２９参照）が収納されたウエハカセットを有し，順次ウエハリング１４をダイ供給部１に供給し、新しいウエハリング１４に交換する。ダイ供給部１は、所望のダイＤをウエハリング１４からピックアップできるように、ピックアップポイントに、ウエハリング１４を移動する。ウエハリング１４は、ウエハ１１が固定され、ダイ供給部１に取り付け可能な治具である。

ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップして反転するピックアップフリップヘッド２１と、コレット２２を昇降、回転、反転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。このような構成によって、ピックアップフリップヘッド２１は、ダイをピックアップし、ピックアップフリップヘッド２１を１８０度回転させ、ダイＤのバンプを反転させて下面に向け、ダイＤをトランスファヘッド８１に渡す姿勢にする。

トランスファ部８は、反転したダイＤをピックアップフリップヘッド２１から受けとり、中間ステージ３１に載置する。トランスファ部８は、ピックアップフリップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット８２を備えるトランスファヘッド８１と、トランスファヘッド８１をＹ方向に移動させるＹ駆動部８３と、を有する。

中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１およびステージ認識カメラ３４を有する。中間ステージ３１は図示しない駆動部によりＹ軸方向に移動可能である。

ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板Ｐ上にボンディングする。ここで、基板Ｐとしてガラスパネルを用いる。ボンディング部４は、ピックアップフリップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ軸方向に移動させる駆動部としてのＹビーム４３と、基板Ｐ等を撮像し、ボンディング位置を認識する撮像装置としての基板認識カメラ４４と、Ｘビーム４５と、を有する。図２８に示すように、Ｘビーム４５は搬送レール５１，５２の近傍に設けられ、Ｙビーム４３は、ボンドステージＢＳの上を跨るようにＹ軸方向に伸び、両端部はＸビーム４５によってＸ軸方向に移動自在に支持されている。

ボンディングヘッド４１は、真空吸着によりダイＤを着脱自在に保持するコレット４２を有する装置であり、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に往復動自在にＹビーム４３に取り付けられている。ボンディングヘッド４１は中間ステージ３１からピックアップしたダイＤを保持して搬送し、ボンドステージＢＳに吸着固定された基板Ｐ上にダイＤを取り付ける機能を備えている。なお、ボンディングヘッド４１がＸビーム４５よりも中間ステージ３１側に移動する場合は、コレット４２がＸビーム４５よりも高くなるようにボンディングヘッド４１が上昇する。

このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＰにダイＤをボンディングする。ボンディングヘッド４１は実施形態のボンディングヘッドＢＨに対応し、基板認識カメラ４４は実施形態の撮像装置ＣＭに対応する。

搬送部５は、基板ＰがＸ軸方向に移動する搬送レール５１，５２を備える。搬送レール５１，５２は平行に設けられる。このような構成によって、基板供給部６Ｋから基板Ｐを搬出し、搬送レール５１，５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後基板搬出部６Ｈまで移動して、基板搬出部６Ｈに基板Ｐを渡す。基板ＰにダイＤをボンディング中に、基板供給部６Ｋは新たな基板Ｐを搬出し、搬送レール５１，５２上で待機する。

制御装置７は、フリップチップボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。例えば、制御装置７は、基板認識カメラ４４及び基板認識カメラ４４からの画像情報、ボンディングヘッド４１の位置などの各種情報を取り込んでメモリに格納し、ボンディングヘッド４１のボンディング動作など各構成要素の各動作を制御する。

図３０は図２８のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。図３０に示すように、ダイ供給部１は、ウエハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウエハリング１４に保持され複数のダイＤが粘着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、ダイＤを上方に突き上げるための突上げユニット１３と、を有する。所定のダイＤをピックアップするために、突上げユニット１３は、図示しない駆動機構によって上下方向に移動し、ダイ供給部１は水平方向には移動するようになっている。

次に、実施例のフリップチップボンダにおいて実施されるボンド方法（半導体装置の製造方法）について図３１を用いて説明する。図３０は図２８のフリップチップボンダで実施されるボンド方法を示すフローチャートである。下記ステップに先立ち、フリップチップボンダに、ダイＤを有するダイシングテープ１６を保持するウエハリング１４および複数の領域を有する基板Ｐを搬入する。搬入された基板ＰはボンディングステージＢＳに搬送されて、基板Ｐの中心および基板サイズを算出しそれを初期値として登録する。

（ステップＳ２１：ウエハダイピックアップ）
制御装置７はピックアップするダイＤが突上げユニット１３の真上に位置するようにウエハ保持台１２を移動し、剥離対象ダイを突上げユニット１３とコレット２２に位置決めする。ダイシングテープ１６の裏面に突上げユニット１３の上面が接触するように突上げユニット１３を移動する。このとき、制御装置７は、ダイシングテープ１６を突上げユニット１３の上面に吸着する。制御装置７は、コレット２２を真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、ダイＤを吸着する。制御装置７はコレット２２を上昇させ、ダイＤをダイシングテープ１６から剥離する。これにより、ダイＤはピックアップフリップヘッド２１によりピックアップされる。

（ステップＳ２２：ピックアップフリップヘッド移動）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１をピックアップ位置から反転位置に移動させる。

（ステップＳ２３：ピックアップフリップヘッド反転）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１を１８０度回転させ、ダイＤのバンプ面（表面）を反転させて下面に向け、ダイＤをトランスファヘッド８１に渡す姿勢にする。

（ステップＳ２４：トランスファヘッド受渡し）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１のコレット２２からトランスファヘッド８１のコレット８２によりダイＤをピックアップして、ダイＤの受渡しが行われる。

（ステップＳ２５：ピックアップフリップヘッド反転）
制御装置７は、ピックアップフリップヘッド２１を反転し、コレット２２の吸着面を下に向ける。

（ステップＳ２６：トランスファヘッド移動）
ステップＳ２５の前または並行して、制御装置７はトランスファヘッド８１を中間ステージ３１に移動する。

（ステップＳ２７：中間ステージダイ載置）
制御装置７はトランスファヘッド８１に保持しているダイＤを中間ステージ３１に載置する。

（ステップＳ２８：トランスファヘッド移動）
制御装置７はトランスファヘッド８１をダイＤの受渡し位置に移動させる。

（ステップＳ２９：中間ステージ位置移動）
ステップＳ２８の後または並行して、制御装置７は中間ステージ３１をボンディングヘッド４１との受渡し位置に移動させる。

（ステップＳ２Ａ：ボンディングヘッド受渡し）
制御装置７は中間ステージ３１からボンディングヘッド４１のコレットによりダイＤをピックアップして、ダイＤの受渡しが行われる。

（ステップＳ２Ｂ：中間ステージ位置移動）
制御装置７は中間ステージ３１をトランスファヘッド８１との受渡し位置に移動させる。

（ステップＳ２Ｃ：ボンディングヘッド移動）
制御装置７は、ボンディングヘッド４１のコレット４２が保持しているダイＤを基板Ｐ上に移動する。

（ステップＳ２Ｄ：ボンド）
制御装置７は、中間ステージ３１からボンディングヘッド４１のコレット４２でピックアップしたダイＤを粘着性の基剤（粘着層）が塗布された基板Ｐ上にボンドする。より具体的には、制御装置７は、例えば、上述した第一実施形態のステップ１からステップ６によりダイＤを基板Ｐ上にボンドする。

（ステップＳ２Ｅ：ボンディングヘッド移動）
制御装置７はボンディングヘッド４１を中間ステージ３１との受渡し位置に移動させる。

また、ステップＳ２Ｅの後に、制御装置７は基板搬出部６Ｈで搬送レール５１，５２からダイＤがボンディングされた基板Ｐを取り出す。フリップチップボンダ１０から基板Ｐを搬出する。

その後、基板Ｐの粘着層の上に配置された複数のダイ（半導体チップ）を封止樹脂で一括封止することにより、複数の半導体チップと複数の半導体チップを覆う封止樹脂とを備える封止体を形成した後、封止体から基板Ｐを剥離し、次いで封止体の基板Ｐが貼り付けられていた面上に再配線層を形成してＦＯＰＬＰを製造する。

以上、本開示者らによってなされた発明を実施形態、変形例および実施例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態、変形例および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、実施例では、ピックアップ部２、トランスファ部８、中間ステージ部３およびボンディング部４が一つの例を説明したが、ピックアップ部２、トランスファ部８、中間ステージ部３およびボンディング部４はそれぞれ二組あってもよい。

また、実施例では、Ｙビーム４３には一つのボンディングヘッド４１が設けられる例を説明したが、複数のボンディングヘッドを設けてもよい。

また、実施例ではフリップチップボンダについて説明したが、ダイ供給部からピックアップしたダイを反転しないでボンディングするダイボンダにも適用可能である。

ＢＨ：ボンディングヘッド
ＢＤ：ダイボンディング装置
ＣＭ：撮像装置
ＣＮＴ：制御装置
Ｄ：ダイ
Ｐ：基板
ＣＮ：中心（基準位置）
ＣＬＵ，ＣＲＵ，ＣＬＤ，ＣＲＤ：角（特徴部）

Claims (23)

1. ピックアップしたダイを基板の上面に載置するボンディングヘッドと、
   前記基板を撮像する撮像装置と、
   前記ボンディングヘッドと前記撮像装置とを制御する制御装置と、
   を備え、
   前記制御装置は、
   前記基板の外形の特徴部の位置を前記撮像装置により認識して計測し、前記計測した位置を初期位置として保存し、
   前記計測した位置に基づいて基準位置を定義し、
   前記基準位置を基準として前記ボンディングヘッドによりダイを順次ボンドし、
   所定時間経過後または所定個数ボンドされた後、再度前記特徴部の位置を計測し、前記初期位置からの変位を計測し、
   前記計測した変位に基づいて前記基板の前記基準位置の変化、前記基板の伸縮変化を算出し、前記基準位置および前記基板のサイズを修正し、
   前記修正された基準位置およびサイズの情報に基づいてダイをボンドする位置を修正し、ダイをボンドする
   よう構成されるダイボンディング装置。
2. 請求項１のダイボンディング装置において、
   前記基板は平面視で矩形状であり、
   前記特徴部は平面視における前記基板の角またはエッジであり、
   前記基準位置は平面視における前記基板の中心であるダイボンディング装置。
3. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の二つの角に基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
4. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の三つの角に基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
5. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の四つの角に基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
6. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の四つのエッジに基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
7. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の五つのエッジに基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
8. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の四つのエッジと二つの角に基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
9. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、平面視における前記基板の六つのエッジに基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
10. 請求項２のダイボンディング装置において、
    前記制御装置は、平面視における前記基板の八つのエッジに基づいて前記基準位置を算出するダイボンディング装置。
11. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記基板は平面視で円形状であり、
    前記特徴部は平面視における前記基板のエッジであり、
    前記基準位置は平面視における前記基板の中心であるダイボンディング装置。
12. 請求項１１のダイボンディング装置において、
    前記制御装置は、平面視における前記基板の四つのエッジに基づいて前記基準位置を算出するよう構成されるダイボンディング装置。
13. 請求項１１のダイボンディング装置において、
    前記制御装置は、平面視における前記基板の三つのエッジに基づいて前記基準位置を算出するよう構成されるダイボンディング装置。
14. （ａ）ダイを有するダイシングテープを保持するウエハリングを搬入する工程と、
    （ｂ）基板を搬入する工程と、
    （ｃ）前記ウエハリングから前記ダイをピックアップし、前記ピックアップされたダイを前記基板に載置する工程と、
    を備え、
    前記（ｃ）工程は、
    前記基板の外形の特徴部の位置を撮像装置により認識して計測し、前記計測した位置を初期位置として保存し、
    前記計測した位置に基づいて基準位置を定義し、
    前記基準位置を基準としてダイを順次ボンドし、
    所定時間経過後または所定個数ボンドされた後、再度前記特徴部の位置を計測し、前記初期位置からの変位を計測し、
    前記計測した変位に基づいて前記基板の前記基準位置の変化、前記基板の伸縮変化を算出し、前記基準位置および前記基板のサイズを修正し、
    前記修正された基準位置およびサイズの情報に基づいてダイをボンドする位置を修正し、ダイをボンドする
    半導体装置の製造方法。
15. 請求項１４の半導体装置の製造方法において、
    前記基板は平面視で矩形状であり、
    前記特徴部は平面視における前記基板の角またはエッジであり、
    前記基準位置は平面視における前記基板の中心である半導体装置の製造方法。
16. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の二つの角に基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。
17. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の三つの角に基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。
18. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の四つの角に基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。
19. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の四つのエッジに基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。
20. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の五つのエッジに基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。
21. 請求項１４の半導体装置の製造方法において、
    前記基板は平面視で円形状であり、
    前記特徴部は平面視における前記基板のエッジであり、
    前記基準位置は平面視における前記基板の中心である半導体装置の製造方法。
22. 請求項２１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の四つのエッジに基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。
23. 請求項２１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、平面視における前記基板の三つのエッジに基づいて前記基準位置を算出する半導体装置の製造方法。

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