CN114361041B - 一种改善Flip chip bump桥接的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，包括：S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度；用以减少Flip chip bump bridge，提高封装良率，提高产品可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及倒装芯片技术领域，特别涉及一种改善Flip chip bump桥接的制造方法。
背景技术
目前，随着技术的发展，对Flip chip(倒装芯片)封装提出了更高的要求，为了使Flip chip更小型化和多功能化，在相同大小的Flip chip上bump(凸点)设计的个数要求越来越多，且间距越来越小，Flip chip bump bridge(倒装芯片凸点桥桥接)一直是FCCSP(flip chip chip scale package，即为晶片尺寸覆晶基板)或者FCBGA(Flip Chip BallGrid Array，即为倒装芯片球栅格阵列)失效的主要原因，在高要求的现在此问题变的更为突出，减少Flip chip bump bridge，提高封装良率，提高产品可靠性迫在眉睫。
因此，本发明提出一种改善Flip chip bump桥接的制造方法。
发明内容
本发明提供一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，用以减少Flip chip bumpbridge，提高封装良率，提高产品可靠性。
本发明提供一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，包括：
S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；
S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；
S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；
S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；
S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径，包括：
S101：采集倒装芯片的基板在生成过程中的第一视频；
S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型；
S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数；
S104：基于所述出厂变化参数，确定出目标凸点的定位直径。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型，包括：
提取所述基板在所述第一视频中每一帧图像中的所有第一边缘线段；
按照第一预设确定规则，确定出所述第一边缘线段中的所有第一追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第一追踪点进行追踪排序，获得每个第一追踪点对应的第一追踪轨迹；
确定所述第一视频中第一帧图像中的基板图像区域；
确定出所述基板图像区域中每个像素点的视觉参数，基于所述视觉参数和预设划分规则，将所述基板图像区域划分为多个追踪区域；
确定出所述追踪区域对应的第二边缘线段；
按照第二预设确定规则，确定出所述第二边缘线条中的所有第二追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第二追踪点进行追踪排序，获得每个第二追踪点对应的第二追踪轨迹；
按照第三预设确定规则，确定出所述追踪区域中的第三追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第三追踪点进行追踪排序，获得每个追踪区域的对应的第三追踪轨迹；
获得与所述第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差；
基于所述第一偏差调整所述第二追踪轨迹，获得第二校正轨迹；
获得与所述第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二校正轨迹与对应的第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差；
基于所述第二偏差调整所述第一追踪轨迹，获得第一校正轨迹；
基于所述第一帧图像中的第一边缘线段和基板预设三维结构，构建基本的初始静态模型；
确定出所述初始静态模型中与所述第一追踪点对应的第一目标追踪点，并将每个第一追踪点对应的第一校正轨迹与所述第一目标追踪点一一对应；
基于所述初始静态模型和所述第一目标追踪点对应的第一校正轨迹，生成所述基板在生产过程中的三维动态模型。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数，包括：
从所述三维动态模型中提取出所述基板对应的三维动态侧视轮廓和三维动态俯视轮廓；
按照预设周期确定出所述三维动态侧视轮廓的第一长度值和所述三维动态俯视轮廓的第二长度值；
基于每个预设周期对应的第一长度值生成对应的侧视轮廓变化曲线，同时，基于每个预设周期对应的第二长度值生成对应的俯视轮廓变化曲线；
按照预设周期确定出所述三维动态模型的侧视面积和俯视面积；
基于每个预设周期对应的侧视面积生成对应的侧视面积变化曲线，同时，基于每个预设周期对应的俯视面积生成对应的俯视面积变化曲线；
判断所述侧视轮廓变化曲线和所述侧视面积变化曲线的单调性是否一致，若是，则将所述侧视面积变化曲线作为最终侧视面积曲线；
否则，将所述侧视面积变化曲线中与所述侧视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除，将删除后的侧视面积曲线重新拟合，获得最终侧视面积曲线；
将所述最终侧视面积曲线上的第一终止值和第一起始值的第一差值作为所述基板的第一出厂变化参数；
判断所述俯视轮廓变化曲线和所述俯视面积变化曲线的单调性是否一致，若是，则将所述俯视面积变化曲线作为最终俯视面积曲线；
否则，将所述俯视面积变化曲线中与所述俯视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除，将删除后的俯视面积变化曲线重新拟合，获得最终俯视面积曲线；
将所述最终俯视面积曲线上的第二终止值和第二起始值的第二差值作为所述基板的第二出厂变化参数；
其中，所述出厂变化参数包括：第一出厂变化参数、第二出厂变化参数。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S104：基于所述出厂变化参数，确定出凸点的定位直径，包括：
当所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中存在正数时，则判定所述基板为胀态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为正数的值确定出定位直径调整值，将所述定位直径调整值和预设定位直径的和作为所述目标凸点的定位直径；
否则，判断所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数是否存在负数，若是，则判定所述基板为缩态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为负数的值确定出定位直径调整值，将预设定位直径和所述定位直径调整值的差值作为所述目标凸点的定位直径；
否则，将预设定位直径作为所述目标凸点的定位直径。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围，包括：
S201：读取焊接任务中的目标凸点位置；
S202：以所述目标凸点位置为圆心，以所述定位半径为直径，确定出圆范围，将所述圆范围作为对应的目标焊接范围。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点，包括：
S301：基于所述目标焊接范围确定出网状覆盖物的形状；
S302：利用所述网状覆盖物将所述基板中除所述目标焊接范围以外的剩余区域固定之后进行回流焊接，形成初始目标凸点。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率，包括：
获取所述初始目标凸点在降温过程中的第二视频和红外测温视频；
按照预设周期获取所述第二视频中的视频帧中的凸点图像以及所述红外测温视频中的凸点红外图像；
基于所述凸点图像确定出每个预设周期对应的凸点面积；
基于所述凸点红外图像中所有像素点的红外温度值确定出每个预设周期对应的凸点平均温度；
基于每个周期对应的凸点面积确定出每个预设周期对应的凸点变化程度；
基于每个周期对应的凸点平均温度确定出每个预设周期对应的凸点变化温度；
基于所述凸点变化程度和凸点变化温度，确定出对应的最优降温速率。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，基于所述凸点变化程度和凸点变化温度，确定出对应的最优降温速率，包括：
确定出最小凸点变化程度对应预设周期的凸点变化温度；
基于所述凸点变化温度和预设周期，确定出对应的最优降温速率。
优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度，包括：
基于降温速率和环境温度的映射关系以及所述最优降温速率，确定出最优环境温度；
将环境温度设置为所述最优环境温度。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种改善Flip chip bump桥接的制造方法流程图；
图2为本发明实施例中又一种改善Flip chip bump桥接的制造方法流程图；
图3为本发明实施例中再一种改善Flip chip bump桥接的制造方法流程图；
图4为本发明实施例中再一种改善Flip chip bump桥接的制造方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1：
本发明提供了一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，参考图1，包括：
S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；
S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；
S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；
S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；
S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度。
该实施例中，倒装芯片(Flip chip)是一种无引脚结构，一般含有电路单元。设计用于通过适当数量的位于其面上的锡球(导电性粘合剂所覆盖)，在电气上和机械上连接于电路。
该实施例中，Flip chip又称倒装片，是在I/O pad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合，本发明中的基板即为陶瓷基板。
该实施例中，生产过程即为基板在制程中可能发生形态变化的过程。
该实施例中，变化情况即为基板在生产过程中的形态变化为缩或者胀。
该实施例中，目标凸点即为即将在有源区面上焊接的凸点电极。
该实施例中，定位直径即为目标凸点的最大直径。
该实施例中，凸点位置即为凸点的中心点位置坐标。
该实施例中，目标焊接范围即为对应目标凸点的焊接范围。
该实施例中，网状覆盖物即为根据凸点位置确定的可以包裹住基板上除凸点位置以外其他部分的固定装置。
该实施例中，初始目标凸点即为基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成的凸点。
该实施例中，降温过程即初始目标凸点制程中降温过程中的形态变化和温度变化。
该实施例中，最优降温速率即为使得凸点最大程度保持原始形状的降温速率。
该实施例中，环境温度凸点在降温过程中的环境温度
以上技术的有益效果为：减少Flip chip bump bridge，提高封装良率，提高产品可靠性。
实施例2：
在实施例1的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径，参考图2，包括：
S101：采集倒装芯片的基板在生成过程中的第一视频；
S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型；
S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数；
S104：基于所述出厂变化参数，确定出目标凸点的定位直径。
该实施例中，第一视频即为记录倒装芯片的基板的生产过程的视频。
该实施例中，三维动态模型即为表征基板在生产过程中变化的动态模型。
该实施例中，出厂变化参数即为表征基板在生产过程中形状变化的参数。
该实施例中，定位直径即为确定的目标凸点在基板上的最大直径。
以上技术的有益效果为：充分考虑到了基板在生产过程中的形变对凸点位置和形状的误差影响，从而确定出目标凸点的定位直径，有利于后续生成网格覆盖物，为形成更加标准的凸点提供了基础，也为减少Flip chip bump bridge、提高封装良率、提高产品可靠性提供了基础。
实施例3：
在实施例2的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型，包括：
提取所述基板在所述第一视频中每一帧图像中的所有第一边缘线段；
按照第一预设确定规则，确定出所述第一边缘线段中的所有第一追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第一追踪点进行追踪排序，获得每个第一追踪点对应的第一追踪轨迹；
确定所述第一视频中第一帧图像中的基板图像区域；
确定出所述基板图像区域中每个像素点的视觉参数，基于所述视觉参数和预设划分规则，将所述基板图像区域划分为多个追踪区域；
确定出所述追踪区域对应的第二边缘线段；
按照第二预设确定规则，确定出所述第二边缘线条中的所有第二追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第二追踪点进行追踪排序，获得每个第二追踪点对应的第二追踪轨迹；
按照第三预设确定规则，确定出所述追踪区域中的第三追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第三追踪点进行追踪排序，获得每个追踪区域的对应的第三追踪轨迹；
获得与所述第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差；
基于所述第一偏差调整所述第二追踪轨迹，获得第二校正轨迹；
获得与所述第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二校正轨迹与对应的第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差；
基于所述第二偏差调整所述第一追踪轨迹，获得第一校正轨迹；
基于所述第一帧图像中的第一边缘线段和基板预设三维结构，构建基本的初始静态模型；
确定出所述初始静态模型中与所述第一追踪点对应的第一目标追踪点，并将每个第一追踪点对应的第一校正轨迹与所述第一目标追踪点一一对应；
基于所述初始静态模型和所述第一目标追踪点对应的第一校正轨迹，生成所述基板在生产过程中的三维动态模型。
该实施例中，第一边缘线段即为基板在第一视频中每一帧图像中的边缘线段。
该实施例中，第一预设确定规则即为确定第一边缘线段中的第一追踪点的规则，例如，每间隔1mm选定一个第一追踪点。
该实施例中，第一追踪轨迹即为第一追踪点按照第一视频中每一帧图像的顺序形成的轨迹。
该实施例中，基板图像区域即为第一视频中第一图像中的基板的图像。
该实施例中，视觉参数即为有关像素点的参数，例如：亮度。
该实施例中，预设划分规则即为按照预设亮度梯度，将亮度值在对应亮度梯度范围内的像素点组成的区域作为一个追踪区域，预设亮度梯度可以人为设置，例如：[0,10]Nit，(10,20]Nit，(20,30]Nit。
该实施例中，追踪区域即为按照预设划分规则将基板图像区域划分获得的区域。
该实施例中，第二边缘线段即为追踪区域的边缘线段。
该实施例中，第二预设确定规则即为确定第二边缘线段中的第二追踪点的规则，例如，每间隔1mm选定一个第二追踪点。
该实施例中，第二追踪轨迹即为第二追踪点按照第一视频中每一帧图像的顺序形成的轨迹。
该实施例中，第三预设确定规则即为确定追踪区域中的第三追踪点的规则。例如，每个第三追踪点以整行整列排列且上下左右最小间隔距离为1mm。
该实施例中，第三追踪点即为按照第三预设确定规则确定的追踪区域中的点。
该实施例中，第三追踪轨迹即为第三追踪点按照第一视频中每一帧图像的顺序形成的轨迹。
该实施例中，第一偏差即为与所述第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的偏差。
该实施例中，获得与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差，包括：
将与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹首尾对齐，并统一在预设坐标系中；
获取与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹上的所有第一像素点的坐标值，同时，获取对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的所有第二像素点的坐标值；
基于所有与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹上的所有第一像素点的坐标值以及所有对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的第二像素点的坐标值，计算出与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差：
式中，Δ1为与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差，i为第i个与第二追踪点重合的第三追踪点，j为每个与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹上的第j个第一像素点，n为与第二追踪点重合的第三追踪点的总个数，mi为第i个与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹中的第一像素点的总个数，x1ij为与第二追踪点重合的第i个第三追踪点对应的第三追踪轨迹上的第j个第一像素点的横坐标值，x2ij为与第二追踪点重合的第i个第三追踪点的对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的第二像素点的横坐标值，y1ij为与第二追踪点重合的第i个第三追踪点对应的第三追踪轨迹上的第j个第一像素点的纵坐标值，y2ij为与第二追踪点重合的第i个第三追踪点的对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的第二像素点的纵坐标值；
例如，和第二追踪点重合的第三追踪点只有一个，且对应的第三追踪轨迹中的像素点依次是(1,2)、(5,7)、(3,9)，而第二追踪轨迹中的像素点依次是(2,8)、(4,7)、(7,9)，则与第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差为11.08。
该实施例中，基于所述第一偏差调整所述第二追踪轨迹，获得第二校正轨迹，包括：
确定出第一像素点和第二像素点之间的线段上与对应第二像素点距离为第一偏差值的第一校正点，将第一校正点作为新的对应第二像素点；
基于所有新确定的第二像素点确定出第二校正轨迹。
该实施例中，第二校正轨迹即为将第二追踪轨迹调整后获得的轨迹。
该实施例中，获得与所述第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二校正轨迹与对应的第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差，包括：
获取与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的所有第二像素点的坐标值，同时，获取对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹上的所有第三像素点的坐标值；
基于所有与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的所有第二像素点的坐标值以及所有对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹上的第三像素点的坐标值，计算出与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹与对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差：
式中，Δ2为与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹与对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差，p为第p个与第一追踪点重合的第二追踪点，q为每个与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的第q个第二像素点，c为与第一追踪点重合的第二追踪点的总个数，dp为第p个与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹中的第二像素点的总个数，x2pq为与第一追踪点重合的第p个第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的第q个第二像素点的横坐标值，x3pq为与第一追踪点重合的第p个第二追踪点的对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹上的第三像素点的横坐标值，y2pq为与第一追踪点重合的第p个第二追踪点对应的第二追踪轨迹上的第q个第二像素点的纵坐标值，y3pq为与第一追踪点重合的第p个第二追踪点的对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹上的第三像素点的纵坐标值；
例如，和第一追踪点重合的第二追踪点只有一个，且对应的第二追踪轨迹中的像素点依次是(1,2)、(5,7)、(3,9)，而第一追踪轨迹中的像素点依次是(2,8)、(4,7)、(7,9)，则与第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二追踪轨迹与对应第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第一偏差为11.08。
该实施例中，基于所述第二偏差调整所述第一追踪轨迹，获得第一校正轨迹，包括：
确定出第三像素点和第二像素点之间的线段上与对应第三像素点距离为第二偏差值的第二校正点，将第二校正点作为新的对应第三像素点；
基于所有新确定的第三像素点确定出第一校正轨迹。
该实施例中，第一校正轨迹即为将第一追踪轨迹调整后获得的轨迹。
该实施例中，基板预设三维结构即表征基板三维结构。
该实施例中，初始静态模型即为反应基板初始状态的三模模型。
该实施例中，第一目标追踪点即为第一追踪点在初始静态模型中的点。
以上技术的有益效果为：通过对基板生产过程中的视频中每一帧图像中的基板边缘线条和基板图像区域中包含的子区域和线条进行分别追踪，获得对应的追踪轨迹，基于多途径获得的追踪轨迹进行互相校正，获得最终的追踪轨迹，利用追踪轨迹和基板图像区域的边缘线条可以准确地构建出表征基板生成过程中形态变化的三维动态模型，为后续准确获取基板的出厂变化参数并确定凸点范围提供了基础，也为减少Flip chip bumpbridge、提高封装良率、提高产品可靠性提供了基础。
实施例4：
在实施例3的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数，包括：
从所述三维动态模型中提取出所述基板对应的三维动态侧视轮廓和三维动态俯视轮廓；
按照预设周期确定出所述三维动态侧视轮廓的第一长度值和所述三维动态俯视轮廓的第二长度值；
基于每个预设周期对应的第一长度值生成对应的侧视轮廓变化曲线，同时，基于每个预设周期对应的第二长度值生成对应的俯视轮廓变化曲线；
按照预设周期确定出所述三维动态模型的侧视面积和俯视面积；
基于每个预设周期对应的侧视面积生成对应的侧视面积变化曲线，同时，基于每个预设周期对应的俯视面积生成对应的俯视面积变化曲线；
判断所述侧视轮廓变化曲线和所述侧视面积变化曲线的单调性是否一致，若是，则将所述侧视面积变化曲线作为最终侧视面积曲线；
否则，将所述侧视面积变化曲线中与所述侧视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除，将删除后的侧视面积曲线重新拟合，获得最终侧视面积曲线；
将所述最终侧视面积曲线上的第一终止值和第一起始值的第一差值作为所述基板的第一出厂变化参数；
判断所述俯视轮廓变化曲线和所述俯视面积变化曲线的单调性是否一致，若是，则将所述俯视面积变化曲线作为最终俯视面积曲线；
否则，将所述俯视面积变化曲线中与所述俯视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除，将删除后的俯视面积变化曲线重新拟合，获得最终俯视面积曲线；
将所述最终俯视面积曲线上的第二终止值和第二起始值的第二差值作为所述基板的第二出厂变化参数；
其中，所述出厂变化参数包括：第一出厂变化参数、第二出厂变化参数。
该实施例中，三维动态侧视轮廓即为从三维动态模型中确定的基板在生产过程中变化的侧视轮廓。
该实施例中，三维动态俯视轮廓即为从三维动态模型中确定的基板在生产过程中变化的俯视轮廓。
该实施例中，第一长度即为三维动态侧视轮廓的长度值。
该实施例中，第二长度即为三维动态俯视轮廓的长度值。
该实施例中，侧视轮廓变化曲线即为反映基板在生产过程中侧视轮廓长度变化的曲线。
该实施例中，俯视轮廓变化曲线即为反映基板在生产过程中俯视轮廓长度变化的曲线。
该实施例中，侧视面积即为三维动态模型中基板的侧视面积。
该实施例中，俯视面积即为三维动态模型中基板的俯视面积。
该实施例中，侧视面积变化曲线即为反映基板在生产过程中侧视面积变化的曲线。
该实施例中，俯视面积变化曲线即为反映基板在生产过程中俯视面积变化的曲线。
该实施例中，最终侧视面积曲线即为将侧视面积变化曲线中与侧视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除后获得的曲线。
该实施例中，第一终止值即为最终侧视面积曲线上表征基板在生产过程中最后的侧视面积的数值。
该实施例中，第一起始值即为最终侧视面积曲线上表征基板在生产过程中起始的侧视面积的数值。
该实施例中，第一差值即为最终侧视面积曲线上的第一终止值和第一起始值的差值。
该实施例中，第一出厂变化参数即为表征基板在生产过程中的侧视面积变化数值。
该实施例中，最终俯视面积曲线即为将俯视面积变化曲线中与俯视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除后获得的曲线。
该实施例中，第二终止值即为最终俯视面积曲线上表征基板在生产过程中最后的俯视面积的数值。
该实施例中，第二起始值即为最终俯视面积曲线上表征基板在生产过程中起始的俯视面积的数值。
该实施例中，第二差值即为最终俯视面积曲线上的第二终止值和第二起始值的差值。
该实施例中，第二出厂变化参数即为表征基板在生产过程中的俯视面积变化数值。
以上技术的有益效果为：基于基板在生产过程中侧视面积和俯视面积的变化情况，可以准确地获得基板的出厂变化参数，为确定出凸点的定位直径提供而基础，也为减少Flip chip bump bridge、提高封装良率、提高产品可靠性提供了基础。
实施例5：
在实施例4的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S104：基于所述出厂变化参数，确定出凸点的定位直径，包括：
当所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中存在正数时，则判定所述基板为胀态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为正数的值确定出定位直径调整值，将所述定位直径调整值和预设定位直径的和作为所述目标凸点的定位直径；
否则，判断所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数是否存在负数，若是，则判定所述基板为缩态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为负数的值确定出定位直径调整值，将预设定位直径和所述定位直径调整值的差值作为所述目标凸点的定位直径；
否则，将预设定位直径作为所述目标凸点的定位直径。
该实施例中，胀态即为基板的形态经过生产过程后与初始形态相比发生膨胀。
该实施例中，基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为正数的值确定出定位直径调整值，包括：
式中，ΔR为定位直径调整值，Y为第一出厂变化参数和第二出厂变化参数中为正数的值，Y0为第一出厂变化参数和第二出厂变化参数中为正数的值对应的预设值(第一出厂变化参数对应的预设值为基板的侧视初始面积，第二出厂变化参数对应的预设值为基板的俯视初始面积)，R为预设直径；
例如，Y为1，Y0为1000，R为100，则100.1。
该实施例中，缩态即为基板的形态经过生产过程后与初始形态相比发生回缩。
以上技术的有益效果为：基于出厂变化参数判定基板在生产过程中的形态变化，可以进一步准确地确定出凸点的定位直径，为减少Flip chip bump bridge、提高封装良率、提高产品可靠性提供了基础。
实施例6：
在实施例1的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围，参考图3，包括：
S201：读取焊接任务中的目标凸点位置；
S202：以所述目标凸点位置为圆心，以所述定位半径为直径，确定出圆范围，将所述圆范围作为对应的目标焊接范围。
该实施例中，焊接任务即为包含凸点在基板上的具体位置以及个数的任务。
该实施例中，目标焊接范围即为对应凸点在基板上的焊接范围。
该实施例中，圆范围即为以目标凸点位置为圆心、以定位半径为直径，确定出的圆。
以上技术的有益效果为：基于前述步骤确定出定位直径和凸点位置确定出一个圆范围，把确定出的圆范围作为凸点的焊接范围，既保证了凸点定位的准确性，也保证了凸点之间间距的准确性，也减少了Flip chip bump bridge、提高了封装良率、提高了产品可靠性。
实施例7：
在实施例1的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点，参考图4，包括：
S301：基于所述目标焊接范围确定出网状覆盖物的形状；
S302：利用所述网状覆盖物将所述基板中除所述目标焊接范围以外的剩余区域固定之后进行回流焊接，形成初始目标凸点。
该实施例中，网状覆盖物即为可以将基板中除每个凸点对应的焊接范围以外的区域覆盖并固定住的装置。
该实施例中，回流焊接即为倒装芯片制程中将凸点焊接至基板上的步骤。
该实施例中，初始目标凸点即为将凸点焊接至基板上后形成的凸点。
以上技术的有益效果为：基于目标焊接范围确定出网状覆盖物的形状，利用网状覆盖物将基板中除目标焊接范围以外的剩余区域固定之后进行回流焊接形成的初始目标凸点，可以进一步避免倒装芯片凸点的桥接现象，从而进一步地减少了Flip chip bumpbridge、提高了封装良率、提高了产品可靠性。
实施例8：
在实施例1的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率，包括：
获取所述初始目标凸点在降温过程中的第二视频和红外测温视频；
按照预设周期获取所述第二视频中的视频帧中的凸点图像以及所述红外测温视频中的凸点红外图像；
基于所述凸点图像确定出每个预设周期对应的凸点面积；
基于所述凸点红外图像中所有像素点的红外温度值确定出每个预设周期对应的凸点平均温度；
基于每个周期对应的凸点面积确定出每个预设周期对应的凸点变化程度；
基于每个周期对应的凸点平均温度确定出每个预设周期对应的凸点变化温度；
基于所述凸点变化程度和凸点变化温度，确定出对应的最优降温速率。
该实施例中，第二视频即为记录在降温过程中的初始目标凸点的视频。
该实施例中，红外测温视频即为记录在降温过程中的初始目标凸点上的温度的红外视频。
该实施例中，凸点图像即为第二视频中的视频帧中初始目标凸点的图像。
该实施例中，凸点红外图像即为红外测温视频中表征初始目标凸点上温度的图像。
该实施例中，凸点面积即为凸点图像中凸点的面积。
该实施例中，基于所述凸点红外图像中所有像素点的红外温度值确定出每个预设周期对应的凸点平均温度，即为：将每张凸点红外图像中所有像素点的红外温度值的平均值作为凸点平均温度。
该实施例中，红外温度值即为凸点红外图像中反映出每个像素点对应的温度值。
该实施例中，凸点变化程度即为当前预设周期的凸点面积与上一预设周期的凸点面积相比的变化程度，具体为：当前预设周期对应的凸点面积和上一预设周期对应的凸点面积之间的差值与上一预设周期对应的凸点面积的比值。
该实施例中，凸点变化温度即为当前预设周期的凸点平均温度和上一预设周期的凸点平均温度之间的差值。
以上技术的有益效果为：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于降温过程中每个预设周期内凸点面积的变化情况和凸点平均温度的变化情况，可以确定出凸点的最优降温速率，有利于后续调整环境温度，从而减少凸点在降温过程中的形变，进而为减少Flipchip bump bridge、提高封装良率、提高产品可靠性提供了基础。
实施例9：
在实施例8的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，基于所述凸点变化程度和凸点变化温度，确定出对应的最优降温速率，包括：
确定出最小凸点变化程度对应预设周期的凸点变化温度；
基于所述凸点变化温度和预设周期，确定出对应的最优降温速率。
该实施例中，最优降温速率即为凸点变化温度和预设周期的比值。
以上技术的有益效果为：确定出最小凸点变化程度对应预设周期的凸点变化温度；
基于所述凸点变化温度和预设周期，确定出对应的最优降温速率，有利于减少凸点在降温过程中的形变程度，更进一步地减少了Flip chip bump bridge、提高了封装良率、提高了产品可靠性。
实施例10：
在实施例1的基础上，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度，包括：
基于降温速率和环境温度的映射关系以及所述最优降温速率，确定出最优环境温度；
将环境温度设置为所述最优环境温度。
该实施例中，基于降温速率和环境温度的映射关系以及所述最优降温速率，确定出最优环境温度，即为：将最优降温速率代入至降温速率和环境温度的映射关系中，获得最优环境温度。
该实施例中，最优环境温度即为凸点在降温过程中形变程度最小时对应的降温速率。
以上技术的有益效果为：基于所述最优降温速率，调整环境温度，可以减少凸点在降温过程中的形变程度，更进一步地减少了Flip chip bump bridge、提高了封装良率、提高了产品可靠性。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，包括：
S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；
S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；
S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；
S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；
S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度；
S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径，包括：
S101：采集倒装芯片的基板在生成过程中的第一视频；
S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型；
S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数；
S104：基于所述出厂变化参数，确定出目标凸点的定位直径，包括：
当第一出厂变化参数和第二出厂变化参数中存在正数时，则判定所述基板为胀态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为正数的值确定出定位直径调整值，将所述定位直径调整值和预设定位直径的和作为所述目标凸点的定位直径；
否则，判断所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数是否存在负数，若是，则判定所述基板为缩态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为负数的值确定出定位直径调整值，将预设定位直径和所述定位直径调整值的差值作为所述目标凸点的定位直径；
否则，将预设定位直径作为所述目标凸点的定位直径；
其中，最优降温速率即为使得凸点最大程度保持原始形状的降温速率。
2.根据权利要求1所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型，包括：
提取所述基板在所述第一视频中每一帧图像中的所有第一边缘线段；
按照第一预设确定规则，确定出所述第一边缘线段中的所有第一追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第一追踪点进行追踪排序，获得每个第一追踪点对应的第一追踪轨迹；
确定所述第一视频中第一帧图像中的基板图像区域；
确定出所述基板图像区域中每个像素点的视觉参数，基于所述视觉参数和预设划分规则，将所述基板图像区域划分为多个追踪区域；
确定出所述追踪区域对应的第二边缘线段；
按照第二预设确定规则，确定出所述第二边缘线段中的所有第二追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第二追踪点进行追踪排序，获得每个第二追踪点对应的第二追踪轨迹；
按照第三预设确定规则，确定出所述追踪区域中的第三追踪点；
按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第三追踪点进行追踪排序，获得每个追踪区域的对应的第三追踪轨迹；
获得与所述第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差；
基于所述第一偏差调整所述第二追踪轨迹，获得第二校正轨迹；
获得与所述第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二校正轨迹与对应的第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差；
基于所述第二偏差调整所述第一追踪轨迹，获得第一校正轨迹；
基于所述第一帧图像中的第一边缘线段和基板预设三维结构，构建基本的初始静态模型；
确定出所述初始静态模型中与所述第一追踪点对应的第一目标追踪点，并将每个第一追踪点对应的第一校正轨迹与所述第一目标追踪点一一对应；
基于所述初始静态模型和所述第一目标追踪点对应的第一校正轨迹，生成所述基板在生产过程中的三维动态模型。
3.根据权利要求2所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数，包括：
从所述三维动态模型中提取出所述基板对应的三维动态侧视轮廓和三维动态俯视轮廓；
按照预设周期确定出所述三维动态侧视轮廓的第一长度值和所述三维动态俯视轮廓的第二长度值；
基于每个预设周期对应的第一长度值生成对应的侧视轮廓变化曲线，同时，基于每个预设周期对应的第二长度值生成对应的俯视轮廓变化曲线；
按照预设周期确定出所述三维动态模型的侧视面积和俯视面积；
基于每个预设周期对应的侧视面积生成对应的侧视面积变化曲线，同时，基于每个预设周期对应的俯视面积生成对应的俯视面积变化曲线；
判断所述侧视轮廓变化曲线和所述侧视面积变化曲线的单调性是否一致，若是，则将所述侧视面积变化曲线作为最终侧视面积曲线；
否则，将所述侧视面积变化曲线中与所述侧视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除，将删除后的侧视面积曲线重新拟合，获得最终侧视面积曲线；
将所述最终侧视面积曲线上的第一终止值和第一起始值的第一差值作为所述基板的第一出厂变化参数；
判断所述俯视轮廓变化曲线和所述俯视面积变化曲线的单调性是否一致，若是，则将所述俯视面积变化曲线作为最终俯视面积曲线；
否则，将所述俯视面积变化曲线中与所述俯视轮廓变化曲线单调性不一致的点删除，将删除后的俯视面积变化曲线重新拟合，获得最终俯视面积曲线；
将所述最终俯视面积曲线上的第二终止值和第二起始值的第二差值作为所述基板的第二出厂变化参数；
其中，所述出厂变化参数包括：第一出厂变化参数、第二出厂变化参数。
4.根据权利要求1所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围，包括：
S201：读取焊接任务中的目标凸点位置；
S202：以所述目标凸点位置为圆心，以所述定位半径为直径，确定出圆范围，将所述圆范围作为对应的目标焊接范围。
5.根据权利要求1所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点，包括：
S301：基于所述目标焊接范围确定出网状覆盖物的形状；
S302：利用所述网状覆盖物将所述基板中除所述目标焊接范围以外的剩余区域固定之后进行回流焊接，形成初始目标凸点。
6.根据权利要求1所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率，包括：
获取所述初始目标凸点在降温过程中的第二视频和红外测温视频；
按照预设周期获取所述第二视频中的视频帧中的凸点图像以及所述红外测温视频中的凸点红外图像；
基于所述凸点图像确定出每个预设周期对应的凸点面积；
基于所述凸点红外图像中所有像素点的红外温度值确定出每个预设周期对应的凸点平均温度；
基于每个周期对应的凸点面积确定出每个预设周期对应的凸点变化程度；
基于每个周期对应的凸点平均温度确定出每个预设周期对应的凸点变化温度；
基于所述凸点变化程度和凸点变化温度，确定出对应的最优降温速率。
7.根据权利要求6所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，基于所述凸点变化程度和凸点变化温度，确定出对应的最优降温速率，包括：
确定出最小凸点变化程度对应预设周期的凸点变化温度；
基于所述凸点变化温度和预设周期，确定出对应的最优降温速率。
8.根据权利要求1所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度，包括：
基于降温速率和环境温度的映射关系以及所述最优降温速率，确定出最优环境温度；
将环境温度设置为所述最优环境温度。
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