TWI795727B - 晶片接合裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

晶片接合裝置及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI795727B
TWI795727B TW110104164A TW110104164A TWI795727B TW I795727 B TWI795727 B TW I795727B TW 110104164 A TW110104164 A TW 110104164A TW 110104164 A TW110104164 A TW 110104164A TW I795727 B TWI795727 B TW I795727B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
aforementioned
wafer
reference position
plan
Prior art date
Application number
TW110104164A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202201569A (zh
Inventor
酒井一信
井出桐人
Original Assignee
日商捷進科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商捷進科技有限公司 filed Critical 日商捷進科技有限公司
Publication of TW202201569A publication Critical patent/TW202201569A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI795727B publication Critical patent/TWI795727B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/13—Edge detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws

Abstract

[課題]提供一種晶片接合裝置，在未施予標記的基板，以高定位精度，將半導體晶片(晶片)安裝於基板。 [解決手段]晶片接合裝置，藉由攝像裝置辨識並量測基板的外形的特徵部的位置，將量測到的位置作為初始位置保存；基於量測到的位置定義基準位置，將基準位置作為基準藉由接合頭依序接合晶片。

Description

晶片接合裝置及半導體裝置的製造方法
本揭示係有關於晶片接合裝置，例如能適用於扇出型面板級封裝或扇出型晶圓級封裝用的晶片載置。
電子部件實裝的領域中，有藉由將暫基板與在形成於暫基板上的黏著層上配置的複數半導體晶片以封裝樹脂進行總括封裝，形成具備複數半導體晶片與覆蓋複數半導體晶片的封裝樹脂的封裝體後，從封裝體將包含黏著層的暫基板剝離，接著在貼附封裝體的黏著層的面上形成再配線層的工程。此時，再配線層與半導體晶片的接合精度，相依於暫基板上的晶片的定位精度。在此，有提升向暫基板上的半導體晶片的安裝時的定位精度之必要。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2014-45013號公報 [專利文獻2]特開2018-133353號公報
[發明所欲解決的問題]
對暫基板施予接合目標位置的定位補正用標記，藉由使用該標記位置補正接合定位位置，能夠提高暫固定時的對半導體晶片的暫基板的定位精度。不過，將標記施予至暫基板上的哪個位置，會因應半導體晶片的構造及尺寸、最終的半導體晶片與封裝體的配置關係來決定。亦即，有準備因應最終製品的構造及尺寸、部件配置的具有預定的標記的暫基板之必要。因此，因為必須對每個製品作成多數片具有預定的標記的暫基板，有成本上升的問題。
本揭示的課題為提供一種晶片接合裝置，在未施予標記的基板，以高定位精度，將半導體晶片(晶片)安裝於基板。 [解決問題的手段]
本揭示之中代表者的概要簡單說明如下。 亦即，晶片接合裝置，藉由攝像裝置辨識並量測基板的外形的特徵部的位置，將量測到的位置作為初始位置保存；基於量測到的位置定義基準位置，將基準位置作為基準藉由接合頭依序接合晶片。 [發明的效果]
根據上述晶片接合裝置，能夠提升晶片載置的精度。
以下，關於實施形態、變形例及實施例，利用圖式說明。但是，在以下的說明中，有相同構成要素附加相同符號省略重複的說明的情形。此外，圖式為了使說明更明確，與實際的態樣相比，雖有就各部分的寬度、厚度、形狀等示意地表示的情形，但其僅為一例，並非限定本發明的解釋。
扇出型晶圓級封裝(Fan Out Wafer Level Package：FOWLP)為在超過晶片面積的廣區域形成再配線層的封裝。扇出型面板級封裝(Fan Out Panel Level Package：FOPLP)為將FOWLP的總括製造的想法再突破者。FOWLP，藉由在例如直徑為300mm的晶圓乘載多數矽晶片將封裝的製造總括實施，降低了每1個封裝的製造成本。將該總括製造的想法適用於比晶圓還大的面板(面板狀的基板)的是FOPLP。在面板使用印刷基板或玻璃基板(例如液晶面板製造用基板等)。
在FOPLP的製程雖有多數種類，但其1個為在作為暫基板的面板(以下，也稱為基板。)上將從晶圓拾取的晶片，經由在基板上塗佈的黏著性的基劑進行接合及暫固定後以封裝樹脂進行總括封裝，將該封裝體從基板剝離進行再配線及墊片(PAD)的形成的方法。該方法中為了維持良率、品質，有在基板上高精度實裝晶片的必要，藉由晶片的小型化、高密度配線化要求3～5μm等的高精度。
適用製造裝置的高精度化，雖考慮在基板上配置成為預先定位的基準的標記等進行對準的方法，但在基板進行加工形成靶極標記時，製造的部件尺寸變更的情形等基板(作為模)的再使用困難，再加上在基板上以3～5μm以內的精度形成對準標記花費成本，基板的成本的上升會與封裝價格的上升有關連。因此，有在無標記的素基板上將晶片高精度地實裝必要，製造裝置也會變得高價。為了FOPLP的成本降低有能以高精度且低價格實裝的製造裝置的實現之必要。
又，FOPLP中有在尺寸大(例如，515mm× 510mm等)，未設置定位基準的基板上將晶片以3～5μm等的高精度，且大量接合的必要。不過，因環境的溫度變化及製程上必要的基板溫度變化、裝置的經時變化等所致的影響，有在接合途中基板的伸縮等發生變化的情形，對接合後的精度會有影響。
在此，本揭示的實施形態中，辨識作為基板的角及邊緣等基板的外形的特徵能夠量測位置並算出基板的基準位置，基於基準位置進行晶片的接合。基板外形的特徵的辨識，在一個基板的接合中進行複數次，修正基準位置等，進行晶片的接合。藉此，能夠降低在接合途中基板的伸縮等的變化所致的對接合精度的影響。本實施形態除了FOPLP的暫基板以外也能夠適用於FOWLP的晶圓。
＜第一實施形態＞ 第一實施形態將FOPLP作為對象，藉由辨識素且無標記的矩形狀的基板的角或邊緣，進行位置量測，補正基板的位置與尺寸、伸縮同時將晶片接合。關於此利用圖1至圖6說明。圖1為表示實施形態的晶片接合裝置的概要的圖。圖2為表示第一實施形態的基板的俯視圖。圖3為說明圖2的基板的中心的算出的俯視圖。圖4為表示以基板的中心為基準接合晶片的狀態的俯視圖。圖5為說明基板的伸縮的俯視圖。圖6為表示補正基板的伸縮以基板的中心為基準接合晶片的狀態的俯視圖。
如圖1所示，第一實施形態的晶片接合裝置BD，具備將基板P固定的接合載台BS、在基板P接合晶片D的接合頭BH、攝像晶片D及基板P的攝像裝置CM、控制接合頭BH及攝像裝置CM的控制裝置CNT。接合載台BS具備用來將基板P固定的進行真空吸附的機構及將基板P加熱的機構。控制裝置CNT具備未圖示的CPU與儲存該CPU執行的程式及資料的記憶裝置MM。
關於第一實施形態的接合方法使用圖2到圖6在以下說明。
(步驟1) 首先，辨識基板P被搬入至晶片接合裝置BD的接合載台BS後作為基板P的角及邊緣等基板P的外形的特徵能夠量測的位置，保存初始位置。其中，如圖2所示，基板P在平面視為矩形狀，一邊在X軸方向延伸，與一邊交叉的另一邊在Y軸方向延伸。
例如，控制裝置CNT，將基板P搬送至接合載台BS，將基板P進行真空吸附後，馬上開始基板P的角的辨識動作。如圖2所示，在辨識動作中，控制裝置CNT，以攝像裝置CM攝像基板P的角CRU、CLU、CLD、CRD之中的至少二個角，辨識(量測)基板P的角的位置，將該位置及距離保存於記憶裝置MM。
(步驟2) 從以步驟1量測到的基板P的角的位置定義成為基板P的中心及角等基準的位置(基板基準位置)。
例如，如圖3所示，辨識基板P的右上的角CRU及左上的角CLU的二點進行位置量測，定義基板P的上邊的直線SL1並算出，算出角CRU與角CLU的二點的中點CP1。從該中點CP1算出垂直於上邊的直線SL1的直線SL2，從基板P的尺寸(縱深的尺寸的1/2的位置)算出基板P的中心CN。將中心CN作為基準以上邊的直線SL1的傾斜定義基板上的XY座標系。其中，中心CN為基板基準位置的一例。
(步驟3) 預先登錄從基板基準位置接合晶片D的位置，在該位置依序接合晶片D。
例如，如圖4所示，左下的晶片D被接合的位置從作為基板基準位置的中心CN起算在X方向為-x1、在Y方向為-y1的位置，該座標為(-x1、-y1)。首先，控制裝置CNT藉由接合頭BH將晶片D接合至預先登錄的16(＝4×4)處的位置。
(步驟4) 基於一定時間或一定個數等類似時間經過的設定經過期間後再度以基板P的角等步驟1量測預先量測登錄的初始位置的處所，量測從初始位置的變位。
例如，控制裝置CNT在16處的位置結束接合晶片D時，如圖5所示，與步驟1一樣進行基板P的角CRU、CLU、CLD、CRD的辨識動作，與步驟2一樣算出基板P的中心CN。圖5中，基板P比以二點虛線所示的初始狀態還要縮小。
(步驟5) 從步驟4中的量測到的結果算出基板基準位置的變化、伸縮變化等，修正基板基準位置及基板尺寸。
例如，控制裝置CNT，根據以步驟2算出的基板P的中心CN及以步驟4算出的基板P的中心CN、與基於以步驟1算出的二個角的距離算出的基板P的尺寸及基於以步驟4算出的二個角的距離算出的基板P的尺寸，修正基板P的中心CN及基板P的尺寸。
(步驟6) 基於修正後的基板基準位置及基板尺寸的資訊，將修正預先登錄的接合晶片D的位置的基板基準位置作為基準修正伸縮、傾斜，接合晶片D。藉此，能夠追隨基板基準位置及基板尺寸的變化，進行接合。
例如，控制裝置CNT基於以步驟5算出的中心CN及基板尺寸，修正預先登錄接著16處的進行接合的位置的位置並算出。控制裝置CNT基於被修正的16處的進行接合的位置將晶片D接合至基板P。
根據實施形態，即便是在無標記的基板也能夠以更高精度，並降低熱收縮等的影響進行接合。又，接合載台BS雖被加熱，但因為能夠追隨熱收縮所致的基準位置及基板尺寸的變化，與基板被搬送至接合載台BS時的溫度無關，能夠實施上述步驟1。因此，無需辨識動作及等待時間。
＜第一實施形態的變形例＞ 以下，關於第一實施形態的代表的變形例，例示了幾個。在以下的變形例的說明中，對與在上述實施形態說明者同樣的構造及機能部分，會使用與上述實施形態同樣的符號。接著，關於相關的部分的說明，在技術上無矛盾的範圍內，會適宜援用上述實施形態中的說明。又，上述實施形態的一部分、及複數變形例的全部或一部分，在技術上無矛盾的範圍內，會適宜、複合地適用。
(第一變形例) 基板P的中心及傾斜的算出方法除了圖3所示的方法以外還有幾個。使用圖7說明關於第一變形例。圖7為說明第一實施形態的第一變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖7所示，辨識基板P的右上的角CRU及左上的角CLU的二點進行位置量測，定義基板P的上邊的直線SL1並算出，算出角CRU與角CLU的二點的中點CP1。從該中點CP1定義垂直於上邊的直線SL1的直線SL2並算出。辨識基板P的右上的角CRU及右下的角CRD的二點進行位置量測，定義基板P的右邊的直線SL3並算出，算出角CRU與角CRD的二點的中點CP2。從該中點CP2定義垂直於右邊的直線SL3的直線SL4並算出。將二條垂直的直線SL2、SL4的交點作為基板P的中心CN算出。將中心CN作為基準以上邊的直線SL1或右邊的直線SL3的傾斜定義基板上的XY座標系。
(第二變形例) 使用圖8說明關於第二變形例。圖8為說明第一實施形態的第二變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖8所示，辨識基板P的角CRU、CLU、CLD、CRD的四點進行位置量測，定義二條連結對角的角的直線即對角線SL5、SL6，將二條對角線SL5、SL6的交點作為中心CN算出。定義對角線SL5、SL6的中線SL7、SL8，將中心CN作為基準以對角線SL7或對角線SL8的斜率定義基板上的XY座標系。
(第三變形例) 使用圖9說明關於第三變形例。圖9為說明第一實施形態的第三變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖9所示，辨識基板P的左右二邊的邊緣EG1、EG2進行位置量測，定義連結邊緣EG1、EG2的二點的直線SL9並算出，算出直線SL9的中點CP3。從該中點CP3定義垂直於直線SL9的直線SL10並算出。辨識直線SL10上的基板P的上下二邊的邊緣EG3、EG4進行位置量測。將邊緣EG3、EG4的中點作為中心CN算出。將中心CN作為基準以直線SL9或直線SL10的傾斜定義基板上的XY座標系。
(第四變形例) 使用圖10說明關於第四變形例。圖10為說明第一實施形態的第四變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖10所示，辨識基板P的上邊的二點的邊緣EG5、EG6進行位置量測，定義連結邊緣EG5、EG6的二點的直線SL11，將直線SL11作為基板P的傾斜。將平行於直線SL11的直線從直線SL11定義於基板P的寬的1/2處，作為直線SL12。在直線SL12上辨識基板P的左右的二邊的邊緣EG7、EG8進行位置量測，求出其中點CP4。通過該中點CP4，將垂直於直線SL11及直線SL12的直線定義成直線SL13。辨識直線SL13上的基板P的下邊的邊緣EG9進行位置量測，算出直線SL11與邊緣EG9的距離。從直線SL11與直線SL13的交點CP1，將算出的直線SL11與邊緣EG9的距離的1/2的點作為中心CN算出。
(第五變形例) 使用圖11說明關於第五變形例。圖11為說明第一實施形態的第五變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖11所示，辨識基板P的左上的邊緣EG10、EG11量測交點位置，求出基板P的角CLU。接著辨識基板P的右下的邊緣EG12、EG13量測交點位置，求出基板P的角CRD。定義連結二個角CLU、CRD的直線SL14，算出直線SL14上的連結二個角CLU、CRD的中點，將其作為中心CN。將中心CN作為基準從對角線SL14的傾斜定義XY方向的直線SL15、SL16，定義基板上的XY座標系。
(第六變形例) 使用圖12說明關於第六變形例。圖12為說明第一實施形態的第六變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖12所示，辨識基板P的上下的二邊的邊緣EG14、EG15進行位置量測，求出其中點CP5。同樣地辨識二邊的邊緣EG16、EG17進行位置量測，求出其中點CP6。定義通過二個中點CP5、CP6的直線SL17，辨識位於直線SL17上的基板P的左右的邊緣EG18、EG19進行位置量測，將該中點作為中心CN。將中心CN作為基準以直線SL17的傾斜定義基板上的XY座標。
(第七變形例) 使用圖13說明關於第七變形例。圖13為說明第一實施形態的第七變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。
例如，如圖13所示，辨識基板P的上下的二邊的邊緣EG20、EG21進行位置量測，求出其中點CP7。同樣地辨識二邊的邊緣EG22、EG23進行位置量測，求出其中點CP8。接著辨識基板P的左右的二邊的邊緣EG24、EG25進行位置量測，求出其中點CP9。同樣地辨識二邊的邊緣EG26、EG27進行位置量測，求出其中點CP10。定義通過二個中點CP7、CP8的直線SL22。又，定義通過二個中點CP9、CP10的直線SL23。求出二個直線SL22、SL23的交點，將該點作為中心CN。將中心CN作為基準以直線SL22或直線SL23的傾斜定義基板上的XY座標系。
＜第二實施形態＞ 第二實施形態將FOWLP作為對象，藉由辨識素且無標記的圓形狀的作為基板的晶圓的邊緣，進行位置量測，補正基板的位置與尺寸、伸縮同時將晶片接合。
首先，利用圖14說明關於第二實施形態的接合載台。圖14為表示第二實施形態的接合載台的俯視圖。第二實施形態的晶片接合裝置BD，雖基板P及固定基板P的接合載台BS與第一實施形態不同，但其他與第一實施形態一樣。
如圖14所示，接合載台BS將FOPLP用的矩形狀的基板(面板)及FOWLP用的圓形狀的基板(晶圓)兩者進行真空吸附及加熱。矩形狀的基板，例如，能載置515mm×510mm的大小的基板，圓形狀的基板，例如，能載置12吋及8吋的晶圓尺寸的基板。
接合載台BS，具備在中央的圓呈圓形狀的基板用真空吸附用溝VT1及加熱器HT1、在外周呈矩形狀的基板用的真空吸附溝VT2及加熱器HT2、基板搬送治具用的逸散孔EH1、EH2。逸散孔EH1為後述基板保持爪WSC用、逸散孔EH2為後述基板定位爪WPM用。載置圓形狀的基板時，僅使用中央的圓的加熱器HT1及真空吸附溝VT1，載置矩形狀的基板時，使用中央的圓的加熱器HT1與外周的加熱器HT2及真空吸附溝VT1、VT2。
接著，使用圖15說明關於基板搬送治具。圖15為說明第二實施形態的基板搬送治具的圖、圖15(a)為表示基板搬送治具的俯視圖、圖15(b)為表示基板搬送治具載置於接合載台前的狀態的圖15(a)的A-A線中的剖面圖、圖15(c)為表示基板搬送治具載置於接合載台的狀態的圖15(a)的A-A線中的剖面圖。
基板搬送治具WC，具備在中央形成孔的矩形狀的基板WCS、在保持基板P的四處保持的四個基板保持爪WSC、基板定位爪WPM。如圖15(b)所示，基板保持爪WSC，具有抵接於基板WCS的上面並固定的部分WSCa、抵接於基板P的下面並保持基板P的部分WSCb。保持基板P的部分WSCb的上面與基板P的下面抵接。如圖15(c)所示，保持基板P的部分WSCb埋入接合載台BS的逸散孔而基板P的下面與接合載台BS的上面抵接。基板定位爪WPM嵌合於形成於基板P的缺口(切口)NT並定位基板P。
關於第二實施形態的接合方法使用圖16到圖19說明。圖16為說明第二實施形態的算出基板的中心的方法的俯視圖。圖17為說明基板的邊緣的檢出的圖、圖17(a)為邊緣EG31、圖17(b)為邊緣EG32、圖17(c)為邊緣EG33、圖17(d)為邊緣EG34的擴大圖。圖18為說明基板的傾斜的檢出的圖、圖18(a)為表示無傾斜的狀態的俯視圖、圖18(b)為表示有傾斜的狀態的俯視圖。圖19為說明量測缺口的位置的方法的圖、圖19(a)為表示圖案匹配所致的方法、圖19(b)為表示形狀所致的方法的俯視圖。
關於第二實施形態的接合方法，以與第一實施形態不同的點作為中心使用圖16到圖19在以下說明。 (步驟1) 首先，辨識保持於基板搬送治具WC的基板P被搬入至晶片接合裝置BD的接合載台BS後作為基板P的邊緣等基板P的外形的特徵能夠量測的位置，保存初始位置。其中，如圖16所示，基板P在平面視為圓形狀。
例如，控制裝置CNT，將藉由基板搬送治具WC保持的基板P搬送至接合載台BS，將基板P進行真空吸附後，馬上開始基板P的邊緣的辨識動作。如圖16所示，在辨識動作中，控制裝置CNT，以攝像裝置CM攝像基板P的四個邊緣，辨識(量測)基板P的四個邊緣的位置，將該位置及距離保存於記憶裝置MM。
(步驟2) 從以步驟1量測到的基板P的四個邊緣的位置定義成為基板P的中心等基準的位置(基板基準位置)及基板P的大小。
例如，如圖16所示，辨識基板P的左右二邊的邊緣EG31、EG32進行位置量測，定義連結邊緣EG31、EG32的二點的直線SL31並算出，算出直線SL31的中點CP31。從該中點CP31定義垂直於直線SL31的直線SL32並算出。辨識直線SL32上的基板P的上下的二個邊緣EG33、EG34進行位置量測。將邊緣EG33、EG34的中點作為中心CN算出。又，從中心CN與邊緣EG31、EG32、EG33、EG34的位置算出作為基板P的大小的半徑(R)。此外，邊緣EG31、EG32、EG33、EG34的檢出雖藉由攝像裝置CM所致的邊緣掃描進行，但以雷射高度感測器等所致的高度掃描量測變化位置也可以。
量測基板P的設置傾斜的情形為在算出基板P的中心CN後，量測設置於基板P的定位缺口NT的位置從中心CN的位置(Xc、Yc)與缺口NT的位置(X、Y)定義軸，算出斜率。作為缺口NT的位置算出方法，如圖19(a)所示以圖案辨識(圖案匹配)量測缺口NT的位置也可以、如圖19(b)所示藉由形狀邊緣辨識量測缺口NT的位置也可以。
(步驟3) 與第一實施形態一樣，從基板基準位置預先登錄接合晶片D的位置，在該位置將基準晶片D依序接合。
(步驟4) 與第一實施形態一樣，基於一定時間或一定個數等類似時間經過的設定經過期間後再度量測將基板P的邊緣以步驟1進行預先量測登錄的初始位置的處所，量測從初始位置的變位。
(步驟5) 與第一實施形態一樣，從步驟4中的量測到的結果算出基板基準位置的變化、伸縮變化等，修正基板基準位置及基板尺寸。
(步驟6) 與第一實施形態一樣，基於修正後的基板基準位置及基板尺寸的資訊，將修正預先登錄的接合晶片D的位置的基板基準位置作為基準修正，接合晶片D。
第二實施形態中，檢出設置於接合載台上的晶圓的中心(基板基準位置)與半徑(基板尺寸)，以中心基準實施位置的對準、以半徑變化實施伸縮補正。藉此，能夠追隨熱收縮所致的基板基準位置及基板尺寸的變化，進行接合。
＜第二實施形態的變形例＞ 以下，關於第二實施形態的代表的變形例，例示了幾個。在以下的變形例的說明中，對與在上述實施形態說明者同樣的構造及機能部分，會使用與上述實施形態同樣的符號。接著，關於相關的部分的說明，在技術上無矛盾的範圍內，會適宜援用上述實施形態中的說明。又，上述實施形態的一部分、及複數變形例的全部或一部分，在技術上無矛盾的範圍內，會適宜、複合地適用。
(第一變形例) 第二實施形態的處理雖簡便，但需要每次四點的量測，花費時間。在此，於第一變形例中，從三點的邊緣的測定結果，以最小平方法算出近似圓，求出近似圓的中心(Xc、Yc)、半徑(R)。測定點為三點即可，相較於四點能縮短測定時間。
關於第一變形例的接合方法使用圖20到圖22說明。圖20為說明第二實施形態的第一變形例的算出基板的中心的方法的俯視圖。圖21為說明以最小平方法算出近似圓，求出近似圓的中心(Xc、Yc)、半徑(R)的方法的圖。圖22為表示在以最小平方法算出近似圓，求出近似圓的中心(Xc、Yc)、半徑(R)的方法使用的式的圖。
將與第二實施形態不同的點作為中心在以下說明。 (步驟1) 如圖20所示，在辨識動作中，控制裝置CNT，以攝像裝置CM攝像基板P的三個邊緣，辨識(量測)基板P的三個邊緣的位置，將該位置及距離保存於記憶裝置MM。
(步驟2) 從以步驟1量測到的基板P的三個邊緣的位置定義成為基板P的中心等基準的位置(基板基準位置)及基板P的大小。
例如，如圖20所示，辨識基板P的左右的二個邊緣EG31、EG32進行位置量測，定義連結邊緣EG31、EG32的二點的直線SL31並算出，算出直線SL31的中點CP31。從該中點CP31定義垂直於直線SL31的直線SL32並算出。辨識直線SL32上的基板P之下的邊緣EG33進行位置量測。
其中，使用圖21及圖22說明關於從複數測定點(xi、yi)將圓以最小平方法近似，將圓的中心(Xc、Yc)算出的方法。此外，如圖21所示，測定點若為三點以上則可算出近似圓。
將近似的圓的中心CN的座標(Xc、Yc)設為(a、b)、半徑設為r後，近似的圓之式以圖22所示之式(1)表示。能夠將式(1)變形，如圖22所示的式(2)那樣變形。其中，式(2)的參數A、B、C以圖22所示之式(3)表示。
使用複數測定點(xi、yi)(i=1～n)，藉由最小平方法將參數A、B、C算出。亦即，使用圖22所示的式(4)算出參數A、B、C。
將式(4)以參數A、B、C進行偏微分，成為如圖22所示的式(5)(6)(7)。將式(5)(6)(7)以行列式表現後，成為圖22所示的式(8)那樣，將式(8)變形後，成為圖22所示的式(9)那樣。從式(9)算出參數A、B、C。
將從式(9)算出的A、B代入式(3)算出(a、b)。將從式(3)算出(a、b)及從式(9)算出的C代入式(3)算出r。其中，r對應第二實施形態的基板P的半徑(R)。
(第二變形例) 使用圖23說明關於第二變形例。圖23為說明第二實施形態的第二變形例的基板的中心及大小的算出方法的俯視圖。
例如，如圖23所示，辨識基板P的左右的二個邊緣EG31、EG32進行位置量測，定義連結邊緣EG31、EG32的二點的直線SL31並算出，算出直線SL31的中點CP31。從該中點CP31定義垂直於直線SL31的直線SL32並算出。
從邊緣EG32定義垂直於直線SL31的直線SL33並算出。辨識直線SL33上的基板P的邊緣EG34進行位置量測。算出直線SL33的中點CP32，從該中點CP32定義垂直於直線SL33的直線SL34並算出。從2條直線SL32、SL34的交點算出圓的中心(Xc、Yc)。定義連結邊緣EG31、EG34的二點的直線SL35，算出該中點即圓的中心。將算出的二個圓的中心進行比較確認。
半徑(R)設為邊緣EG31、EG32、EG34與中心(Xc、Yc)的各自的距離的平均。或將以邊緣EG31、EG32、EG34三點形成的三角形的各邊的長度設為a、b、c，藉由算出3角形的外接圓的半徑的圖23所示之式(10)算出半徑(R)。與第一變形例一樣，與邊緣EG31、EG32、EG34三點的最小平方法所致的中心(Xc、Yc)及半徑(R)的算出結果進行比較並平均也可以。
根據第二變形例，與第一變形例一樣，測定點為三點即可，與第二實施形態的四點相比能夠縮短測定時間。
(第三變形例) 利用圖24說明關於第三變形例的接合載台。圖24為表示第二實施形態的第三變形例的接合載台的俯視圖。
如圖24所示，第三變形例的接合載台BS，與第二實施形態一樣將FOPLP用的矩形狀的基板(面板)及FOWLP用的圓形狀的基板(晶圓)兩者進行真空吸附及加熱。接合載台BS，具備在中央的圓呈圓形狀的基板用真空吸附用溝VT1及加熱器HT1、在外周呈矩形狀的基板用的真空吸附溝VT2及加熱器HT2、基板搬送治具用的逸散溝ET。載置圓形狀的基板時，僅使用中央的圓的加熱器HT1及真空吸附溝VT1，載置矩形狀的基板時，使用中央的圓的加熱器HT1與外周的加熱器HT2及真空吸附溝VT1與VT2。
接著，使用圖25說明關於基板搬送治具。圖25為說明第二實施形態的第三變形例的基板搬送治具的圖、圖25(a)為表示基板搬送治具的俯視圖、圖25(b)為表示基板搬送治具載置於接合載台前的狀態的圖25(a)的A-A線中的剖面圖、圖25(c)為表示基板搬送治具載置於接合載台的狀態的圖25(a)的A-A線中的剖面圖。
基板搬送治具WC，具備在中央形成孔的矩形狀的基板WCS、及基板定位爪WPM。如圖25(b)所示，基板WCS，具有抵接於基板P的下面並保持基板P的部分WSCb。保持基板P的部分WSCb的上面與基板P的下面抵接。如圖25(c)所示，保持基板P的部分WSCb埋入接合載台BS的逸散溝ET而基板P的下面與接合載台BS的上面抵接。基板定位爪WPM嵌合於形成於基板P的缺口(切口)NT並定位基板P。
(第四變形例) 利用圖26說明關於第四變形例的接合載台。圖26為表示第四變形例的接合載台的俯視圖。
如圖26所示，第四變形例的接合載台BS，與第二實施形態一樣將FOPLP用的矩形狀的基板(面板)及FOWLP用的圓形狀的基板(晶圓)兩者進行真空吸附及加熱。接合載台BS，具備在中央的圓呈圓形狀的基板用真空吸附用溝VT1及加熱器HT1、在外周呈矩形狀的基板用的真空吸附溝VT2及加熱器HT2、中央分離溝ST。載置圓形狀的基板時，僅使用中央分離溝ST的內側的加熱器HT1及真空吸附溝VT1。此時，僅中央分離溝ST的內側上升數mm，將基板P頂起支持。載置矩形狀的基板時，使用中央分離溝ST的內側的加熱器HT1與外周的加熱器HT2及真空吸附溝VT1與VT2。
接著，使用圖27說明關於基板搬送治具。圖27為說明第二實施形態的第四變形例的基板搬送治具的圖、圖27(a)為表示基板搬送治具的俯視圖、圖27(b)為表示基板搬送治具載置於接合載台前的狀態的圖27(a)的A-A線中的剖面圖、圖27(c)為表示基板搬送治具載置於接合載台的狀態的圖27(a)的A-A線中的剖面圖。
如圖27(a)所示，基板搬送治具WC，具備在中央形成孔的矩形狀的基板WCS。如圖27(b)所示，基板WCS，具有抵接於基板P的下面並保持基板P的部分WSCb。保持基板P的部分WSCb的上面與基板P的下面抵接。如圖27(c)所示，保持基板P的部分WSCb埋入接合載台BS的中央分離溝ST而基板P的下面與接合載台BS的上面抵接。中央分離溝ST的內側的接合載台BS上升並支持基板P。此外，如同上述，因為缺口NT的位置能夠測定，不需要第二實施形態的基板定位爪WPM。
以下，作為實施例說明關於適用FOPLP之例，但不限定於此，也能夠適用於第二實施形態說明的FOWLP。 [實施例]
圖28為表示實施例的反轉晶片接合器的概略的俯視圖。圖29為在圖28中從箭頭A方向看時，說明拾取反轉頭、轉移頭及接合頭的動作的圖。
作為晶片接合裝置的反轉晶片接合器10大抵具有晶片供應部1、拾取部2、轉移部8、中間載台部3、接合部4、搬送部5、基板供應部6K、基板搬出部6H、監視各部的動作並控制的控制裝置7。
首先，晶片供應部1供應在基板P實裝的晶片D。晶片供應部1具有保持被分割的晶圓11的晶圓保持台12、從晶圓11將晶片D頂起的以虛線表示的頂起單元13、晶圓環供應部18。晶片供應部1藉由圖未示的驅動手段在XY方向移動，使進行拾取的晶片D移動至頂起單元13的位置。晶圓環供應部18具有收納晶圓環14(圖29參照)的晶圓卡匣，依序將晶圓環14供應至晶片供應部1，交換成新的晶圓環14。晶片供應部1，以能夠從晶圓環14拾取所期望的晶片D的方式，將晶圓環14移動至拾取點。晶圓環14為固定晶圓11，且能安裝於晶片供應部1的治具。
拾取部2，具有拾取晶片D並反轉的拾取反轉頭21、使收集器22升降、旋轉、反轉及在X軸方向移動的圖未示的各驅動部。藉由該構造，拾取反轉頭21，拾取晶片，使拾取反轉頭21進行180度旋轉，使晶片D的凸塊反轉朝向下面，設為將晶片D傳遞轉移頭81的姿勢。
轉移部8，從拾取反轉頭21接收反轉的晶片D，並載置於中間載台31。轉移部8，與拾取反轉頭21一樣具有具備將晶片D吸附保持在前端的收集器82的轉移頭81、及使轉移頭81在Y方向移動的Y驅動部83。
中間載台部3具備將晶片D暫時載置的中間載台31及載台辨識攝影機34。中間載台31藉由圖未示的驅動部而能在Y軸方向移動。
接合部4，從中間載台31拾取晶片D，接合至搬送來的基板P上。其中，作為基板P使用玻璃面板。接合部4具有具備與拾取反轉頭21一樣將晶片D吸附保持於前端的收集器42的接合頭41、使接合頭41在Y軸方向移動的作為驅動部的Y樑43、攝像基板P等並辨識接合位置的作為攝像裝置的基板辨識攝影機44、X樑45。如圖28所示，X樑45設於搬送軌道51、52附近，Y樑43以跨越接合載台BS之上的方式在Y軸方向延伸，兩端部藉由X樑45在X軸方向移動自如地被支持。
接合頭41為具有藉由真空吸附將晶片D裝卸自如地保持的收集器42的裝置，以在Y軸方向及Z軸方向往返運動自如地安裝於Y樑43。接合頭41保持從中間載台31拾取的晶片D並搬送，具有在吸附固定於接合載台BS的基板P上安裝晶片D的機能。此外，接合頭41移動至比X樑45還靠中間載台31側時，接合頭41以收集器42變得比X樑45還高的方式上升。
藉由這種構造，接合頭41，從中間載台31拾取晶片D，基於基板辨識攝影機44的攝像資料在基板P接合晶片D。接合頭41對應實施形態的接合頭BH，基板辨識攝影機44對應實施形態的攝像裝置CM。
搬送部5具備基板P在X軸方向移動的搬送軌道51、52。搬送軌道51、52設為平行。藉由這種構造，從基板供應部6K搬出基板P，沿著搬送軌道51、52移動至接合位置，接合後移動至基板搬出部6H，將基板P傳遞至基板搬出部6H。將晶片D接合至基板P中，基板供應部6K搬出新的基板P，在搬送軌道51、52上待機。
控制裝置7，具備儲存監視反轉晶片接合器10的各部的動作進行控制的程式(軟體)的記憶體、執行儲存於記憶體的程式的中央處理裝置(CPU)。例如，控制裝置7，取得基板辨識攝影機44及來自基板辨識攝影機44的影像資訊、接合頭41的位置等的各種資訊並儲存於記憶體，控制接合頭41的接合動作等各構成要素的各動作。
圖30為表示圖28的晶片供應部的主要部的概略剖面圖。如圖30所示，晶片供應部1，具有保持晶圓環14的擴展環15、保持於晶圓環14將黏著複數晶片D的切割膠帶16水平定位的支持環17、用來將晶片D向上方頂起的頂起單元13。為了拾取預定的晶片D，頂起單元13，藉由圖未示的驅動機構在上下方向移動，晶片供應部1在水平方向移動。
接著，使用圖31說明關於實施例的反轉晶片接合器中實施的接合方法(半導體裝置的製造方法)。圖31為表示以圖28的反轉晶片接合器實施的接合方法的流程圖。在下記步驟之前，於反轉晶片接合器，搬入保持具有晶片D的切割膠帶16的晶圓環14及具有複數區域的基板P。搬入的基板P被搬送至接合載台BS，算出基板P的中心及基板尺寸將其作為初期值登錄。
(步驟S21：晶圓晶片拾取) 控制裝置7以拾取的晶片D位於頂起單元13的正上方的方式移動晶圓保持台12，將剝離對象晶片定位於頂起單元13與收集器22。以頂起單元13的上面接觸切割膠帶16的裏面的方式移動頂起單元13。此時，控制裝置7，將切割膠帶16吸附於頂起單元13的上面。控制裝置7，將收集器22進行真空吸引同時使其下降，使其著地至剝離對象的晶片D之上，吸附晶片D。控制裝置7使收集器22上升，將晶片D從切割膠帶16剝離。藉此，晶片D被拾取反轉頭21拾取。
(步驟S22：拾取反轉頭移動) 控制裝置7使拾取反轉頭21從拾取位置移動至反轉位置。
(步驟S23：拾取反轉頭反轉) 控制裝置7使拾取反轉頭21進行180度旋轉，使晶片D的凸塊面(表面)反轉朝向下面，設為將晶片D傳遞至轉移頭81的姿勢。
(步驟S24：轉移頭收授) 控制裝置7從拾取反轉頭21的收集器22藉由轉移頭81的收集器82拾取晶片D，進行晶片D的收授。
(步驟S25：拾取反轉頭反轉) 控制裝置7反轉拾取反轉頭21，使收集器22的吸附面朝下。
(步驟S26：轉移頭移動) 在步驟S25之前或同時進行，控制裝置7將轉移頭81移動至中間載台31。
(步驟S27：中間載台晶片載置) 控制裝置7將保持於轉移頭81的晶片D載置於中間載台31。
(步驟S28：轉移頭移動) 控制裝置7將轉移頭81移動至晶片D的收授位置。
(步驟S29：中間載台位置移動) 在步驟S28之後或同時進行，控制裝置7使中間載台31移動至與接合頭41的收授位置。
(步驟S2A：接合頭收授) 控制裝置7從中間載台31藉由接合頭41的收集器拾取晶片D，進行晶片D的收授。
(步驟S2B：中間載台位置移動) 控制裝置7使中間載台31移動至與轉移頭81的收授位置。
(步驟S2C：接合頭移動) 控制裝置7將接合頭41的收集器42保持的晶片D移動至基板P上。
(步驟S2D：接合) 控制裝置7，從中間載台31將以接合頭41的收集器42拾取的晶片D接合至塗佈黏著性的基劑(黏著層)的基板P上。更具體為控制裝置7，例如，藉由上述第一實施形態的步驟1到步驟6將晶片D接合至基板P上。
(步驟S2E：接合頭移動) 控制裝置7使接合頭41移動至與中間載台31的收授位置。
又，在步驟S2E之後，控制裝置7以基板搬出部6H從搬送軌道51、52取出接合晶片D的基板P。從反轉晶片接合器10將基板P搬出。
之後，藉由將在基板P的黏著層之上配置的複數晶片(半導體晶片)以封裝樹脂進行總括封裝，形成具備複數半導體晶片與覆蓋複數半導體晶片的封裝樹脂的封裝體後，從封裝體將基板P剝離，接著在貼附封裝體的基板P之面上形成再配線層製造FOPLP。
以上，雖基於實施形態、變形例及實施例具體說明本揭示者們進行的發明，但本揭示不限於上述實施形態、變形例及實施例，能夠進行各種變更。
例如，實施例中，以一例說明拾取部2、轉移部8、中間載台部3及接合部4，但拾取部2、轉移部8、中間載台部3及接合部4分別為二組也可以。
又，實施例中，雖說明Y樑43設置一個接合頭41之例，但設置複數接合頭也可以。
又，實施例中雖說明關於反轉晶片接合器，但也能適用於不反轉從晶片供應部拾取的晶片而接合的晶片接合器。
BH:接合頭 BD:晶片接合裝置 CM:攝像裝置 CNT:控制裝置 D:晶片 P:基板 CN:中心(基準位置) CLU,CRU,CLD,CRD:角(特徵部)
[圖1]表示實施形態的晶片接合裝置的概要的圖。 [圖2]表示第一實施形態的基板的俯視圖。 [圖3]說明圖2的基板的中心的算出的俯視圖。 [圖4]表示以基板的中心為基準接合晶片的狀態的俯視圖。 [圖5]說明基板的伸縮的俯視圖。 [圖6]表示補正基板的伸縮以基板的中心為基準接合晶片的狀態的俯視圖。 [圖7]說明第一實施形態的第一變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖8]說明第一實施形態的第二變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖9]說明第一實施形態的第三變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖10]說明第一實施形態的第四變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖11]說明第一實施形態的第五變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖12]說明第一實施形態的第六變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖13]說明第一實施形態的第七變形例的基板的中心及傾斜的算出方法的俯視圖。 [圖14]表示第二實施形態的接合載台的俯視圖。 [圖15]說明第二實施形態的基板搬送治具的圖。 [圖16]說明第二實施形態的算出基板的中心的方法的俯視圖。 [圖17]說明基板的邊緣的檢出的圖。 [圖18]說明基板的傾斜的檢出的圖。 [圖19]說明量測缺口的位置的方法的圖。 [圖20]說明第二實施形態的第一變形例的算出基板的中心的方法的俯視圖。 [圖21]說明以最小平方法算出近似圓，求出近似圓的中心(Xc、Yc)、半徑(R)的方法的圖。 [圖22]表示在以最小平方法算出近似圓，求出近似圓的中心(Xc、Yc)、半徑(R)的方法使用的式的圖。 [圖23]說明第二實施形態的第二變形例的基板的中心及大小的算出方法的俯視圖。 [圖24]表示第二實施形態的第三變形例的接合載台的俯視圖。 [圖25]說明第二實施形態的第三變形例的基板搬送治具的圖。 [圖26]表示第二實施形態的第四變形例的接合載台的俯視圖。 [圖27]說明第二實施形態的第四變形例的基板搬送治具的圖。 [圖28]表示實施例的反轉晶片接合器的概略的俯視圖。 [圖29]在圖28中從箭頭A方向看時，說明拾取反轉頭、轉移頭及接合頭的動作的圖。 [圖30]表示圖28的晶片供應部的主要部的概略剖面圖。 [圖31]表示以圖28的反轉晶片接合器實施的接合方法的流程圖。
P:基板
CN:中心(基準位置)
CLU,CRU,CLD,CRD:角(特徵部)
D:晶片

Claims (25)

  1. 一種晶片接合裝置，具備：將拾取到的晶片載置於基板的上面的接合頭； 攝影前述基板的攝像裝置； 控制前述接合頭與前述攝像裝置的控制裝置； 其中， 前述控制裝置， 藉由前述攝像裝置辨識並量測前述基板的外形的特徵部的位置，將前述量測到的位置作為初始位置保存； 基於前述量測到的位置定義基準位置； 將前述基準位置作為基準藉由前述接合頭依序接合晶片。
  2. 如請求項1的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置， 在預定時間經過後或預定個數接合後，再度量測前述特徵部的位置，量測從前述初始位置的變位； 基於前述量測到的變位算出前述基板的前述基準位置的變化、前述基板的伸縮變化，修正前述基準位置及前述基板的尺寸； 基於前述修正後的基準位置及尺寸的資訊修正接合晶片的位置，將晶片接合。
  3. 如請求項1或2的晶片接合裝置，其中， 前述基板在平面視為矩形狀； 前述特徵部為平面視中的前述基板的角或邊緣； 前述基準位置為平面視中的前述基板的中心。
  4. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的二個角算出前述基準位置。
  5. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的三個角算出前述基準位置。
  6. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的四個角算出前述基準位置。
  7. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的四個邊緣算出前述基準位置。
  8. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的五個邊緣算出前述基準位置。
  9. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的四個邊緣與二個角算出前述基準位置。
  10. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的六個邊緣算出前述基準位置。
  11. 如請求項3的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的八個邊緣算出前述基準位置。
  12. 如請求項1或2的晶片接合裝置，其中， 前述基板在平面視為圓形狀； 前述特徵部為平面視中的前述基板的邊緣； 前述基準位置為平面視中的前述基板的中心。
  13. 如請求項12的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的四個邊緣算出前述基準位置。
  14. 如請求項12的晶片接合裝置，其中， 前述控制裝置基於平面視中的前述基板的三個邊緣算出前述基準位置。
  15. 一種半導體裝置的製造方法，具備：(a)將保持具有晶片的切割膠帶的晶圓環搬入的工程； (b)將基板搬入的工程； (c)從前述晶圓環拾取前述晶片，將前述拾取的晶片載置於前述基板的工程； 其中， 前述(c)工程， 藉由攝像裝置辨識並量測前述基板的外形的特徵部的位置，將前述量測到的位置作為初始位置保存； 基於前述量測到的位置定義基準位置； 將前述基準位置作為基準依序接合晶片。
  16. 如請求項15的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程， 在預定時間經過後或預定個數接合後，再度量測前述特徵部的位置，量測從前述初始位置的變位； 基於前述量測到的變位算出前述基板的前述基準位置的變化、前述基板的伸縮變化，修正前述基準位置及前述基板的尺寸； 基於前述修正後的基準位置及尺寸的資訊修正接合晶片的位置，將晶片接合。
  17. 如請求項15或16的半導體裝置的製造方法，其中， 前述基板在平面視為矩形狀； 前述特徵部為平面視中的前述基板的角或邊緣； 前述基準位置為平面視中的前述基板的中心。
  18. 如請求項17的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的二個角算出前述基準位置。
  19. 如請求項17的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的三個角算出前述基準位置。
  20. 如請求項17的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的四個角算出前述基準位置。
  21. 如請求項17的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的四個邊緣算出前述基準位置。
  22. 如請求項17的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的五個邊緣算出前述基準位置。
  23. 如請求項15或16的半導體裝置的製造方法，其中， 前述基板在平面視為圓形狀； 前述特徵部為平面視中的前述基板的邊緣； 前述基準位置為平面視中的前述基板的中心。
  24. 如請求項23的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的四個邊緣算出前述基準位置。
  25. 如請求項23的半導體裝置的製造方法，其中， 前述(c)工程基於平面視中的前述基板的三個邊緣算出前述基準位置。
TW110104164A 2020-03-16 2021-02-04 晶片接合裝置及半導體裝置的製造方法 TWI795727B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020045259A JP7436251B2 (ja) 2020-03-16 2020-03-16 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2020-045259 2020-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202201569A TW202201569A (zh) 2022-01-01
TWI795727B true TWI795727B (zh) 2023-03-11

Family

ID=77677581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110104164A TWI795727B (zh) 2020-03-16 2021-02-04 晶片接合裝置及半導體裝置的製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7436251B2 (zh)
KR (1) KR102534445B1 (zh)
CN (1) CN113410213A (zh)
TW (1) TWI795727B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114361041B (zh) * 2021-12-21 2023-03-14 广东气派科技有限公司 一种改善Flip chip bump桥接的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017135257A1 (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置と実装方法、およびパッケージ部品の製造方法
TW201903909A (zh) * 2017-03-09 2019-01-16 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
CN109906029A (zh) * 2017-12-08 2019-06-18 爱立发株式会社 电子部件安装装置以及电子部件安装方法
TW201941315A (zh) * 2018-03-26 2019-10-16 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
TW202017883A (zh) * 2018-08-01 2020-05-16 日商日本電氣硝子股份有限公司 照相機的校準方法、校準裝置及校準用標靶

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4117762B2 (ja) 2001-07-04 2008-07-16 松下電器産業株式会社 基板の位置決め方法と装置
JP4126503B2 (ja) * 2006-02-02 2008-07-30 智雄 松下 位置決め装置
JP5362404B2 (ja) 2009-03-25 2013-12-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP2012186249A (ja) 2011-03-04 2012-09-27 Nec Corp 半導体チップ搭載装置及び半導体チップ搭載方法
JP6043939B2 (ja) 2012-08-24 2016-12-14 ボンドテック株式会社 基板上への対象物の位置決め方法及び装置
JP6849468B2 (ja) 2017-02-13 2021-03-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR101911511B1 (ko) * 2017-06-13 2018-10-24 팸텍주식회사 웨이퍼 얼라인 방법
JP7090219B2 (ja) 2017-09-13 2022-06-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 位置特定方法および位置特定装置
JP7178782B2 (ja) * 2018-01-10 2022-11-28 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置および実装方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017135257A1 (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置と実装方法、およびパッケージ部品の製造方法
TW201903909A (zh) * 2017-03-09 2019-01-16 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
CN109906029A (zh) * 2017-12-08 2019-06-18 爱立发株式会社 电子部件安装装置以及电子部件安装方法
TW201941315A (zh) * 2018-03-26 2019-10-16 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
TW202017883A (zh) * 2018-08-01 2020-05-16 日商日本電氣硝子股份有限公司 照相機的校準方法、校準裝置及校準用標靶

Also Published As

Publication number Publication date
TW202201569A (zh) 2022-01-01
JP7436251B2 (ja) 2024-02-21
KR102534445B1 (ko) 2023-05-26
CN113410213A (zh) 2021-09-17
JP2021150313A (ja) 2021-09-27
KR20210116329A (ko) 2021-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11062964B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device, and mounting apparatus
TWI702660B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
US7727800B2 (en) High precision die bonding apparatus
TWI619184B (zh) 確定和調整半導體元件接合相關平行度級別的系統和方法
JP4840862B2 (ja) 実装装置のチップ供給方法、及びその実装装置
TWI795727B (zh) 晶片接合裝置及半導體裝置的製造方法
TWI741256B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
JP5309503B2 (ja) 位置決め装置と、位置決め方法と、これらを有する半導体製造装置
JP5104127B2 (ja) ウェハ移載装置と、これを有する半導体製造装置
TWI768337B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
TWI700767B (zh) 用於將設有凸塊的半導體晶片安裝在基板的基板定位的方法
JP5690535B2 (ja) ダイボンダ及び半導体製造方法
TWI820540B (zh) 晶粒接合裝置及半導體裝置的製造方法
JP5516684B2 (ja) ウェハ貼り合わせ方法、位置決め方法と、これを有する半導体製造装置
JP2011181675A (ja) 回路部品の実装装置
KR100718973B1 (ko) 반도체 칩 검사장치 및 검사방법
JP2014112660A (ja) アライメント装置、位置合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法
TWI632838B (zh) 雙晶片模組的取置焊接系統及雙晶片模組的組裝方法
KR20180001890A (ko) 실리콘 기판 직접 접합 방법, 그 장치, 및 실리콘 기판 직접 접합 장치의 정렬부 검증 방법
JP4394822B2 (ja) 部品実装装置
TWI571992B (zh) 倒裝晶片之導電性凸起的識別補正方法
TW202245305A (zh) 接合裝置及固體攝像裝置之製造方法
CN117995688A (zh) 一种外形不规则晶片的倒装贴装方法及外形不规则晶片
JP2002368493A (ja) 電子部品位置決め装置およびその方法
JP2004014693A (ja) アライメント・マーク位置検出方法