JP6975296B1 - 半導体記憶装置および動作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに本発明は、パワーオン動作後に設定情報の再読出しを行う機能を備えた半導体記憶装置を提供することを目的とする。
120:入出力バッファ 130:アドレスレジスタ
140:コントローラ 150:ワード線選択回路
160:ページバッファ/センス回路 170:列選択回路
180:ステータスレジスタ 190:電圧検出部
200:内部電圧発生回路
Claims (14)
- メモリセルアレイと、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に記憶する記憶手段と、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶手段から前記設定情報を読出し、読出した設定情報をデータ保持部にセットし、かつ前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するパワーオン動作手段と、
外部からのリセットコマンドに応じてリセットを行うリセット手段とを含み、
前記リセット手段は、前記識別情報が前記設定情報の読出しが正しくないことを示す場合には、前記記憶手段から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットする、半導体記憶装置。 - メモリセルアレイと、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に記憶する記憶手段と、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶手段から前記設定情報を読出し、読出した設定情報をデータ保持部にセットし、かつ前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するパワーオン動作手段と、
前記パワーオン動作手段の実施後に内部リセットコマンドに応じてリセットを行うリセット手段とを含み、
前記リセット手段は、前記識別情報が前記設定情報の読出しが正しくないことを示す場合には、前記記憶手段から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットする、半導体記憶装置。 - メモリセルアレイと、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に記憶する記憶手段と、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶手段から前記設定情報を読出し、読出した設定情報をデータ保持部にセットし、かつ前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するパワーオン動作手段と、
外部からの特定のコマンドが入力されたとき、前記識別情報が前記設定情報の読出しが正しくないことを示す場合には、前記記憶手段から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットする再読出し手段と、
を含む半導体記憶装置。 - メモリセルアレイと、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に記憶する記憶手段と、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶手段から前記設定情報を読出し、読出した設定情報をデータ保持部にセットし、かつ前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するパワーオン動作手段と、
外部からの読出しコマンドに応じて前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルのデータを読み出す読出し手段とを含み、
前記読出し手段は、読出し動作を実行する前に、前記識別情報が前記設定情報の読出しが正しくないことを示す場合には、前記記憶手段から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットする、半導体記憶装置。 - メモリセルアレイと、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に記憶する記憶手段と、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶手段から前記設定情報を読出し、読出した設定情報をデータ保持部にセットし、かつ前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するパワーオン動作手段と、
外部からのプログラムコマンドに応じて前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルにデータをプログラムするプログラム手段とを含み、
前記プログラム手段は、プログラム動作を実行する前に、前記識別情報が前記設定情報の読出しが正しくないことを示す場合には、前記記憶手段から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットする、半導体記憶装置。 - メモリセルアレイと、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に記憶する記憶手段と、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶手段から前記設定情報を読出し、読出した設定情報をデータ保持部にセットし、かつ前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するパワーオン動作手段と、
外部からのプログラムコマンドに応じて前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルのデータを消去する消去手段とを含み、
前記消去手段は、消去動作を実行する前に、前記識別情報が前記設定情報の読出しが正しくないことを示す場合には、前記記憶手段から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットする、半導体記憶装置。 - 前記パワーオン動作手段は、前記設定情報が正しく読み出されたか否かを判定し、読出しが正しく行われなかったと判定した場合には前記設定情報の再読出しを行い、前記識別情報は、前記設定情報の読出し回数に基づき決定される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、外部からのコマンドに応じて前記レジスタから識別情報を読出し、読み出した識別情報を外部に出力する出力手段を含む、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記パワーオン検出レベルは、コマンドを実行するときの動作電圧より低い、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルアレイは、NAND型の不揮発性メモリセルアレイである、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置の動作方法であって、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に予め記憶するステップ、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶領域から前記設定情報を読出し、前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを判定し、読出しが正しく行われなかったと判定した場合には、規定回数の範囲内で前記設定情報を再度読出を行い、前記記憶領域から読み出した設定情報をデータ保持部にセットするステップと、
前記設定情報の読出しが前記規定回数まで行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するステップと、
リセットコマンドに応答して、前記識別情報が前記規定回数の読出しを示す場合には、前記記憶領域から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットするステップと、を含む動作方法。 - 外部からのコマンドに応じて前記レジスタから識別情報を読出し、読み出した識別情報を外部に出力するステップを含む、請求項11に記載の動作方法。
- 半導体記憶装置の動作方法であって、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に予め記憶するステップ、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶領域から前記設定情報を読出し、前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを判定し、読出しが正しく行われなかったと判定した場合には、規定回数の範囲内で前記設定情報を再度読出を行い、前記記憶領域から読み出した設定情報をデータ保持部にセットするステップと、
前記設定情報の読出しが前記規定回数まで行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するステップと、
外部からの特定のコマンドに応答して、前記識別情報が前記規定回数の読出しを示す場合には、前記記憶領域から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットするステップと、を含む動作方法。 - 半導体記憶装置の動作方法であって、
動作の設定に関する設定情報を不揮発性の記憶領域に予め記憶するステップ、
電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき、前記記憶領域から前記設定情報を読出し、前記設定情報の読出しが正しく行われたか否かを判定し、読出しが正しく行われなかったと判定した場合には、規定回数の範囲内で前記設定情報を再度読出を行い、前記記憶領域から読み出した設定情報をデータ保持部にセットするステップと、
前記設定情報の読出しが前記規定回数まで行われたか否かを識別する識別情報を、外部からのコマンドに応じて読出し可能なレジスタに格納するステップと、
外部からの読出し、プログラムまたは消去のコマンドに応答して、前記識別情報が前記規定回数の読出しを示す場合には、前記記憶領域から設定情報を読出し、読み出した設定情報を前記データ保持部にセットするステップと、を含む動作方法。
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