CN115312104B - 闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：基于上电读取电压读取配置信息并生成读取信息；根据读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息；在标记信息表示配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待电源电压稳定后基于上电读取电压再次读取配置信息，若电源电压已升压至预期稳定值，则根据标记信息调节上电读取电压并基于调节后的上电读取电压再次读取配置信息；该方法实现上电读取电压的自适应匹配调节，以使该读取信息准确无误，具有足够的安全性，以避免闪存芯片的功能和性能出现异常。

Description

闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及闪存芯片技术领域，具体而言，涉及一种闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

闪存芯片读取配置信息的过程为对存储配置信息对应的存储器施加字线电压（上电读取电压）而生成读取信息，读取信息的正确性决定了闪存芯片是否能按照预期状态正常运行。

现有技术的闪存芯片在运行过程中无法获知对应于配置信息的读取信息的正确性并进行读取调节，读取信息出错会影响闪存芯片的功能和性能。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质，以使读取信息准确无误，具有足够的安全性。

第一方面，本申请提供了一种闪存芯片配置信息读取方法，用于读取闪存芯片的配置信息，所述方法包括以下步骤：

基于上电读取电压读取所述配置信息并生成读取信息；

根据所述读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示所述配置信息是否读取成功的标记信息；

在所述标记信息表示所述配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待所述电源电压稳定后基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息，若所述电源电压已升压至所述预期稳定值，则根据所述标记信息调节所述上电读取电压并基于调节后的所述上电读取电压再次读取所述配置信息。

本申请的闪存芯片配置信息读取方法，基于在读取成功时对应于配置信息前面部分的读取信息的首部信息为固定数据的这一特点来判断首部信息的正确性以作为判断配置信息读取是否成功的判断基准，并根据判断结果生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息，使得闪存芯片的存储器电路能根据该标记信息分析出配置信息是否读取成功，并在配置信息读取失败时进行相关调节以重新读取配置信息，以使该读取信息足够安全，确保闪存芯片能正常使用。

所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其中，所述标记信息为用于表示所述上电读取电压与所述配置信息所需的读取电压匹配的第一标记位数据、用于表示所述上电读取电压大于所述配置信息所需的读取电压的第二标记位数据及用于表示所述上电读取电压小于所述配置信息所需的读取电压的第三标记位数据中的一种。

在该示例的闪存芯片配置信息读取方法中，对应于配置信息读取失败的情况的标记信息区分为第二标记位数据和第三标记位数据，用于在标记信息表示配置信息读取失败且电源电压已升压至预期稳定值时，指导上电读取电压的调节方向，以使上电读取电压定向匹配至配置信息所需的读取电压。

所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其中，所述根据所述标记信息调节所述上电读取电压并基于调节后的所述上电读取电压再次读取所述配置信息的步骤包括：

当所述标记信息为所述第二标记位数据时，根据预设的电压间隔减小所述上电读取电压，利用减小后的所述上电读取电压读取所述配置信息；当所述标记信息为所述第三标记位数据时，根据预设的电压间隔增大所述上电读取电压，利用增大后的所述上电读取电压读取所述配置信息。

所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其中，所述待所述电源电压稳定后基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息的步骤包括：

获取所述电源电压；

在所述电源电压稳定在预设范围内时，基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息。

在该示例的闪存芯片配置信息读取方法中，在电源电压稳定后闪存芯片各个可执行操作的运行条件均已建立，在此情况下，若上电读取电压与配置信息所需的读取电压匹配便能读取到与配置信息一致的读取信息；若读取信息的首部信息仍不正确则表明上电读取电压与配置信息所需的读取电压不匹配，需要对上电读取电压进行调节。

所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其中，所述根据所述读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示所述配置信息是否读取成功的标记信息的步骤包括：

比较所述读取信息的首部信息与预设的比对信息，所述比对信息与所述配置信息的首部信息一致；

根据所述读取信息的首部信息和所述比对信息的一致性生成所述标记信息。

在该示例的闪存芯片配置信息读取方法中，上述步骤通过预存的比对信息与读取信息的首部信息进行比较，能在较少数据量的比对下快速判断读取信息是否正确，生成用于表示配置信息读取是否成功的标记信息，能在尽可能不影响闪存芯片的启动时间的情况下分析出上电读取操作的准确性，从而提高上电读取的信息安全性，避免闪存芯片因配置信息读取错误而引起功能和性能异常。

所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其中，所述首部信息为所述读取信息的首位字节数据。

所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其中，所述上电读取电压在3V-8V之间。

第二方面，本申请还提供了一种闪存芯片配置信息读取装置，用于读取闪存芯片的配置信息，所述装置包括：

上电读取模块，用于基于上电读取电压读取所述配置信息并生成读取信息；

读取标记模块，用于根据所述读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示所述配置信息是否读取成功的标记信息；

再次读取模块，用于在所述标记信息表示所述配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待所述电源电压稳定后基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息，若所述电源电压已升压至所述预期稳定值，则根据所述标记信息调节所述上电读取电压并基于调节后的所述上电读取电压再次读取所述配置信息。

本申请的闪存芯片配置信息读取装置，基于在读取成功时对应于配置信息前面部分的读取信息的首部信息为固定数据的这一特点来判断首部信息的正确性以作为判断配置信息读取是否成功的判断基准，并根据判断结果生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息，使得闪存芯片的存储器电路能根据该标记信息分析出配置信息是否读取成功，并在配置信息读取失败时进行相关调节以重新读取配置信息，以使该读取信息足够安全，确保闪存芯片能正常使用。

第三方面，本申请还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。

第四方面，本申请还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。

由上可知，本申请提供了一种闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，读取方法通过对读取信息的首部信息进行分析能确定配置信息是否读取正确，并基于分析结果生成对应的标记信息，根据标记信息实现上电读取电压的自适应匹配调节，以使该读取信息准确无误，具有足够的安全性，以避免闪存芯片的功能和性能出现异常。

附图说明

图1为本申请实施例提供的闪存芯片配置信息读取方法的流程图。

图2为本申请实施例提供的闪存芯片配置信息读取装置的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

附图标记：201、上电读取模块；202、读取标记模块；203、再次读取模块；301、处理器；302、存储器；303、通信总线。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

闪存芯片读取配置信息的过程为对存储配置信息的存储器施加字线电压（上电读取电压）而生成读取信息，读取信息的正确性决定了闪存芯片是否能按照预期状态正常运行，即决定了闪存芯片使用时的功能和性能，因此，若对应于配置信息的读取信息为完全正确的，则可视该读取信息为安全的，能确保芯片具有正常的功能和性能。

现有技术中，无法通过内部信息交互来判断闪存芯片的配置信息是否读取正确，仅能通过外部设备进行监控，并根据监控结果进行调节；然而，根据闪存芯片实际运行过程发现，读取信息出错主要原因为两类：一类是在不同工艺偏差的情况加上不同上电速度的情形下，电源电压可能很低的时候，就开始了上电读操作，非易失性存储单元的读操作条件可能仍未建立好，导致读取信息出错，使得芯片的功能和性能可能会产生异常；另一类是长期使用下或预设参数不正确原因导致上电读取电压与配置信息所需的读取电压存在一定偏差，从而导致读取信息出错，使得芯片的功能和性能可能会产生异常。

第一方面，请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种闪存芯片配置信息读取方法，用于读取闪存芯片的配置信息，方法包括以下步骤：

S1、基于上电读取电压读取配置信息并生成读取信息；

具体地，该步骤中采用的上电读取电压为预设的电压值或上一次正确读取闪存芯片的配置信息时所用的电压值。

更具体地，读取信息为根据上电读取电压读取配置信息输出的数据，若配置信息被顺利且正确地读取，读取信息应当与配置信息的数据保持一致，若配置信息读取失败，则会引起读取信息中部分数据0或部分数据1翻转，即使得读取信息与配置信息不完全一致。

S2、根据读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息；

具体地，首部信息为位于读取信息前面部分的数据信息，其数据内容对应于配置信息的前面部分的数据信息，配置信息用于存储闪存芯片运行的配置数据，可以根据闪存芯片运行进行数据调整，但其前面部分的数据信息一般为固定不变的数据信息，即在闪存芯片正确读取的情况下，与配置信息前面部分数据信息对应的读取信息的首部信息应当为某一预期固定的数据，反之，若该首部信息与预期固定的数据不匹配，则说明闪存芯片的配置信息读取过程中出现问题，因此，在本申请实施例中通过判断首部信息是否与预期固定的数据一致来验证其正确性。

更具体地，标记信息仅用于表征配置信息是否读取成功，在本申请实施例中优选为一个标记位信息，可以存储在闪存芯片的特定位置的寄存器中，也可以存储在读取信息前或后的字节段上；在本申请实施例中，标记信息优选为存储在闪存芯片的特定位置的寄存器中，利于本申请实施例的读取方法定向读取该标记信息来判断闪存芯片的配置信息是否被成功读取。

S3、在标记信息表示配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待电源电压稳定后基于上电读取电压再次读取配置信息，若电源电压已升压至预期稳定值，则根据标记信息调节上电读取电压并基于调节后的上电读取电压再次读取配置信息。

具体地，由前述内容可知，基于S1步骤中的上电读取电压读取配置信息失败主要是因为上电读取电压与配置信息需要的读取电压不匹配或者是闪存芯片中的电源电压过小导致存储单元单元的读操作条件未完全建立好而造成的，因此，步骤S3需根据上述两种不同的原因进行对应操作以使配置信息的读取操作成功执行。

更具体地，在电源电压未稳定而出现读取失败的情况中，无法确定步骤S1的上电读取电压是否与配置信息需要的读取电压匹配，因此，需要待电源电压稳定后基于上电读取电压再次读取配置信息；在电源电压稳定而出现读取失败的情况中，可以确定上电读取电压与配置信息需要的读取电压不匹配，故需要调节上电读取电压的电压值，并利用调节后的上电读取电压再次读取配置信息来判断调节后的上电读取电压是否与配置信息需要的读取电压匹配。

本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法，基于在读取成功时对应于配置信息前面部分的读取信息的首部信息为固定数据的这一特点来判断首部信息的正确性以作为判断配置信息读取是否成功的判断基准，并根据判断结果生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息，使得闪存芯片的存储器电路能根据该标记信息分析出配置信息是否读取成功，并在配置信息读取失败时进行相关调节以重新读取配置信息，以使该读取信息足够安全，确保闪存芯片能正常使用。

更具体地，步骤S3中再次读取配置信息的操作应当理解为重新执行步骤S1-S3，直至配置信息读取成功。

更具体地，若本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法是基于电源电压稳定的前提下执行的话，则配置信息读取失败的原因仅为上电读取电压与配置信息需要的读取电压不匹配，此时，步骤S3应理解为：在标记信息表示配置信息读取失败时，根据标记信息调节上电读取电压并基于调节后的上电读取电压再次读取配置信息。

更具体地，在电源电压未稳定时，存储单元的读操作条件也可能已经完全建立，此时，上电读取电压能顺利读取配置信息，使得本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法无需在满足电源电压稳定的前提下执行，并能针对配置信息读取失败的情况进行自动调节以使配置信息读取成功，从而减少了闪存芯片对上电时序的依赖；上电读取电压能根据配置信息所需的读取电压进行自适应调节，减少了闪存芯片对于上电读取电压与配置信息所需的读取电压的一致性的依赖。

在一些别的实施例中，步骤S3还可以变形为：在标记信息表示配置信息读取失败时，根据标记信息调节上电读取电压并基于调节后的上电读取电压再次读取配置信息；该执行方式中无视电压是否稳定的情况进行上电读取电压的连续化调节，直至配置信息读取成功；该执行方式可简化整个配置信息的读取逻辑。

标记信息在闪存芯片运行过程中直接反映出配置信息读取成功与否的状态，因此，在一些优选的实施例中，本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法的步骤S2还可以包括：

输出标记信息。

具体地，标记信息可以通过显示模块或日志信息进行输出，以使使用者获知该闪存芯片的配置信息是否读取成功，从而便于使用者掌控该闪存芯片的运行状态并进行相关测试调节。

在一些优选的实施方式中，标记信息为用于表示上电读取电压与配置信息所需的读取电压匹配的第一标记位数据、用于表示上电读取电压大于配置信息所需的读取电压的第二标记位数据及用于表示上电读取电压小于配置信息所需的读取电压的第三标记位数据中的一种。

具体地，对应于配置信息读取失败的情况的标记信息区分为第二标记位数据和第三标记位数据，用于在标记信息表示配置信息读取失败且电源电压已升压至预期稳定值时，指导上电读取电压的按照对应的方向进行调节，以使上电读取电压定向匹配至配置信息所需的读取电压。

更具体地，在电源电压未稳定且配置信息读取失败时，标记信息可能为第二标记位数据，也可能为第三标记位数据，在该情况下并不需要调节上电读取电压，仅利用第二标记位数据或第三标记位数据来判断出在电压未稳定时出现配置信息读取失败，以待电源电压稳定后再利用原本的上电读取电压再次读取配置信息，若仍然出现配置信息读取失败的情况，再根据表现为第二标记位数据或第三标记位数据的标记信息来调节上电读取电压。

更具体地，读取信息为根据上电读取电压与配置信息所需的读取电压（读取条件）关系来决定的，当上电读取电压与配置信息所需的读取电压一致时，读取信息与配置信息一致，当上电读取电压大于配置信息所需的读取电压时，配置信息中的部分数据0会读取为数据1；当上电读取电压小于配置信息所需的读取电压时，配置信息中的部分数据1会读取为数据0；因此，本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法步骤S2能根据读取信息的首部信息的数据0和数据1的正确性来判断上电读取电压和配置信息所需的读取电压之间的大小关系，进而生成对应的标记信息。

在一些优选的实施例方式中，标记信息为两位易失的标记位组成，两位易失的标记位可组成00、01、10共三种数据组合形式。

在一些优选的实施例方式中，第一标记位数据选用00数据组合形式，第二标记位数据选用01数据组合形式，第三标记位数据选用10数据组合形式；步骤S2根据读取信息的首部信息的正确性，将对应的数据组合形式写入该两位易失的标记位中以生成对应的标记信息。

在一些优选的实施方式中，根据标记信息调节上电读取电压并基于调节后的上电读取电压再次读取配置信息的步骤包括：

当标记信息为第二标记位数据时，根据预设的电压间隔减小上电读取电压，利用减小后的上电读取电压读取配置信息；当标记信息为第三标记位数据时，根据预设的电压间隔增大上电读取电压，利用增大后的上电读取电压读取配置信息。

具体地，由前述内容可知，标记信息能表征上电读取电压与配置信息所需的读取电压之间的大小关系，因此，当标记信息为第二标记位数据时，表明上电读取电压的电压值过大导致配置信息中的部分数据0误读为1，故需将上电读取电压调小以匹配配置信息所需的读取电压；同理，当标记信息为第三标记位数据时，表明上电读取电压的电压值过小导致配置信息中的部分数据1误读为0，故需将上电读取电压调大以匹配配置信息所需的读取电压。

更具体地，由前述内容可知，调节上电读取电压的过程为持续执行步骤S1-S3的匹配过程，即利用调节后的上电读取电压读取配置信息后还需生成读取信息、更新标记信息，并根据新的标记信息表征的配置信息的读取成功与否的状态来判断是否需要继续调节上电读取电压，以使得上电读取电压逐渐靠近配置信息所需的读取电压以实现上电读取电压的自适应调节，即使得步骤S2中标记信息更新为第一标记位数据时结束上电读取电压的调节。

更具体地，预设的电压间隔为每次调节上电读取电压的最大电压值或固定电压值，在本申请实施例中，预设的电压间隔优选为100mV，使得上电读取电压每次增大或减小的电压值优选为100mV，使得上电读取电压能较为平稳地逐步接近配置信息所需的读取电压而不过冲。

在一些优选的实施方式中，待芯片的电源电压稳定后基于上电读取电压再次读取配置信息的步骤包括：

获取电源电压；

在电源电压稳定在预设范围内时，基于上电读取电压再次读取配置信息。

具体地，在电源电压稳定后闪存芯片各个可执行操作的运行条件均已建立，在此情况下，若上电读取电压与配置信息所需的读取电压匹配便能读取到与配置信息一致的读取信息；若读取信息的首部信息仍不正确则表明上电读取电压与配置信息所需的读取电压不匹配，需要对上电读取电压进行调节。

在一些优选的实施方式中，根据读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息的步骤包括：

比较读取信息的首部信息与预设的比对信息，比对信息与配置信息的首部信息一致；

根据读取信息的首部信息和比对信息的一致性生成标记信息。

具体地，上述步骤通过预存的比对信息与读取信息的首部信息进行比较，能在较少数据量的比对下快速判断读取信息是否正确，生成用于表示配置信息读取是否成功的标记信息，能在尽可能不影响闪存芯片的启动时间的情况下分析出上电读取操作的准确性，从而提高上电读取的信息安全性，避免闪存芯片因配置信息读取错误而引起功能和性能异常。

更具体地，分析读取信息的首部信息和比对信息的一致性的过程可以为分析两种信息中的数据内容是否完全一致，还可以为分析两种信息中的数据0的数量是否完全一致，还可以为分析两种信息中的数据1的数量是否完全一致；由前述内容可知，上电读取电压过大及过小会分别导致读取信息中的数据1增多及数据0增多，因此，本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法能通过比较数据0或数据1的数量来判断读取信息的首部信息和比对信息是否一致来生成对应的标记信息；在实际闪存芯片运行过程中，配置信息一般是以byte（字节）为单位进行存储的，直接比较数据内容是否完全一致（比较对应存储数据的值的大小）能更快速地完成信息比对以生成对应的标记信息。

在一些优选的实施方式中，首部信息为读取信息的首位字节数据。

具体地，闪存芯片的配制信息一般是首位字节采用固定规律进行填写，如55和AA，为提高读取信息正确性判断的准确率和效率，在本申请实施例中，首部信息为读取信息的首位字节数据，如已知某一闪存芯片中的配置信息的第一个字节的信息为55，则根据读取信息中的首位字节数据与55的大小关系来生成对应的标记信息，即读取信息中的首位字节数据为55便生成第一标记位数据，读取信息中的首位字节数据为56及以上便生成第二标记位数据，读取信息中的首位字节数据为54及以下便生成第三标记位数据。

在一些优选的实施方式中，上电读取电压在3V-8V之间。

具体地，市面上不同的闪存芯片中的上电读取电压范围差异较大，在本申请实施例的闪存芯片配置信息读取方法的上电读取电压范围设置在3V-8V能较为通用地应用在市面上的闪存芯片中。

实施例1

针对一配置信息的首位字节数据为AA的闪存芯片，本申请实施例第一方面提供的闪存芯片配置信息读取方法在具体实施时，包括如下步骤：

A1、基于上电读取电压读取配置信息并生成读取信息；

A2、判断读取信息中首位字节数据与AA的大小关系：若该首位字节数据大于AA，将用于标记配置信息读取是否成功的两位易失的标记位写为01；若该首位字节数据小于AA，将用于标记配置信息读取是否成功的两位易失的标记位写为10；若该首位字节数据为AA，将用于标记配置信息读取是否成功的两位易失的标记位写为00；

A3、判断标记位数据是否为00，若是跳转到步骤A7，若否执行步骤A4；

A4、判断电源电压是否在预设范围内，若是执行步骤A5，若否则待电源电压调节至预设范围内后跳转到步骤A1；

A5、若标记位数据为01，将上电读取电压调小100mV；若标记位数据为10，将上电读取电压调大100mV；其中，调节上电读取电压的过程为改变读取配置信息的字线电压的电压值；

A6、跳转到步骤A1；

A7、输出读取信息。

上述实施方式实现了上电读取电压的自适应调节，能保证读取信息准确性、安全性，以确保闪存芯片能正常使用。

第二方面，请参照图2，图2是本申请一些实施例中提供的一种闪存芯片配置信息读取装置，用于读取闪存芯片的配置信息，装置包括：

上电读取模块201，用于基于上电读取电压读取配置信息并生成读取信息；

读取标记模块202，用于根据读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息；

再次读取模块203，用于在标记信息表示配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待电源电压稳定后基于上电读取电压再次读取配置信息，若电源电压已升压至预期稳定值，则根据标记信息调节上电读取电压并基于调节后的上电读取电压再次读取配置信息。

本申请实施例的闪存芯片配置信息读取装置，基于在读取成功时对应于配置信息前面部分的读取信息的首部信息为固定数据的这一特点来判断首部信息的正确性以作为判断配置信息读取是否成功的判断基准，并根据判断结果生成用于表示配置信息是否读取成功的标记信息，使得闪存芯片的存储器电路能根据该标记信息分析出配置信息是否读取成功，并在配置信息读取失败时进行相关调节以重新读取配置信息，以使该读取信息足够安全，确保闪存芯片能正常使用。

在一些优选的实施方式中，上述闪存芯片配置信息读取装置优选为用于执行第一方面提供的闪存芯片配置信息读取方法。

第三方面，请参照图3，图3为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。

第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

综上，本申请实施例提供了一种闪存芯片配置信息读取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，读取方法通过对读取信息的首部信息进行分析能确定配置信息是否读取正确，并基于分析结果生成对应的标记信息，根据标记信息实现上电读取电压的自适应匹配调节，以使该读取信息准确无误，具有足够的安全性，以避免闪存芯片的功能和性能出现异常。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种闪存芯片配置信息读取方法，用于读取闪存芯片的配置信息，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

基于上电读取电压读取所述配置信息并生成读取信息；

根据所述读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示所述配置信息是否读取成功的标记信息；

在所述标记信息表示所述配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待所述电源电压稳定后基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息，若所述电源电压已升压至所述预期稳定值，则根据所述标记信息调节所述上电读取电压并基于调节后的所述上电读取电压再次读取所述配置信息。

2.根据权利要求1所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其特征在于，所述标记信息为用于表示所述上电读取电压与所述配置信息所需的读取电压匹配的第一标记位数据、用于表示所述上电读取电压大于所述配置信息所需的读取电压的第二标记位数据及用于表示所述上电读取电压小于所述配置信息所需的读取电压的第三标记位数据中的一种。

3.根据权利要求2所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其特征在于，所述根据所述标记信息调节所述上电读取电压并基于调节后的所述上电读取电压再次读取所述配置信息的步骤包括：

当所述标记信息为所述第二标记位数据时，根据预设的电压间隔减小所述上电读取电压，利用减小后的所述上电读取电压读取所述配置信息；当所述标记信息为所述第三标记位数据时，根据预设的电压间隔增大所述上电读取电压，利用增大后的所述上电读取电压读取所述配置信息。

4.根据权利要求1所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其特征在于，所述待所述电源电压稳定后基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息的步骤包括：

获取所述电源电压；

在所述电源电压稳定在预设范围内时，基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息。

5.根据权利要求1所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其特征在于，所述根据所述读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示所述配置信息是否读取成功的标记信息的步骤包括：

比较所述读取信息的首部信息与预设的比对信息，所述比对信息与所述配置信息的首部信息一致；

根据所述读取信息的首部信息和所述比对信息的一致性生成所述标记信息。

6.根据权利要求1所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其特征在于，所述首部信息为所述读取信息的首位字节数据。

7.根据权利要求1所述的一种闪存芯片配置信息读取方法，其特征在于，所述上电读取电压在3V-8V之间。

8.一种闪存芯片配置信息读取装置，用于读取闪存芯片的配置信息，其特征在于，所述装置包括：

上电读取模块，用于基于上电读取电压读取所述配置信息并生成读取信息；

读取标记模块，用于根据所述读取信息的首部信息的正确性，生成用于表示所述配置信息是否读取成功的标记信息；

再次读取模块，用于在所述标记信息表示所述配置信息读取失败时，若电源电压未升压至预期稳定值，则待所述电源电压稳定后基于所述上电读取电压再次读取所述配置信息，若所述电源电压已升压至所述预期稳定值，则根据所述标记信息调节所述上电读取电压并基于调节后的所述上电读取电压再次读取所述配置信息。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一项所述方法中的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一项所述方法中的步骤。

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