TWI507843B

TWI507843B - 控制方法及運用該控制方法之電子裝置

Info

Publication number: TWI507843B
Application number: TW101115079A
Authority: TW
Inventors: Tzeng Ju Hsu; Ting Kuo Yen
Original assignee: Winbond Electronics Corp
Priority date: 2012-04-27
Filing date: 2012-04-27
Publication date: 2015-11-11
Also published as: TW201344399A

Description

控制方法及運用該控制方法之電子裝置

本發明係有關於一種控制方法，特別是有關於一種確保記憶單元的操作電壓已就緒的控制方法。

在目前的許多電子裝置中，通常具有一記憶單元，用以儲存資料。當電子裝置進入開機模式後，記憶單元將根據一操作電壓，設定本身的狀態。一般而言，操作電壓在一段時間後，應可到達一預設位準。

然而，在一段時間後，若操作電壓仍未到達預設位準，並且記憶單元根據不足的操作電壓而動作時，將可能造成本身的設定錯誤。再者，當電子裝置的其它元件存取記憶單元時，將產生錯誤的存取結果。

本發明提供一種控制方法，適用於一電子裝置，該電子裝置具有一記憶單元，該記憶單元具有一記憶陣列。記憶陣列具有一特定資訊。當該電子裝置操作於一開機模式下，並且一操作電壓已產生時，輸出一致能信號。根據致能信號，讀取特定資訊，用以產生一讀取結果。判斷讀取結果是否等於一已知資訊。當讀取結果等於已知資訊時，便令該記憶單元進入一操作模式。

本發明另提供一種電子裝置，包括一記憶單元以及一主體單元。記憶單元接收一操作電壓，並包括一記憶陣列、一偵測模組、一存取模組、一比較模組以及一處理模組。記憶陣列具有一特定資訊以及一設定資訊。偵測模組根據操作電壓，輸出一致能信號。存取模組讀取記憶陣列所儲存之特定資訊，用以產生一讀取結果。比較模組比較讀取結果與一已知資訊。處理模組根據致能信號，致能存取模組，用以產生讀取結果。當讀取結果等於已知資訊時，處理模組存取設定資訊，用以進入一操作模式。當記憶單元進入操作模式下，主體單元存取記憶單元。

為讓本發明之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

為了避免記憶單元因操作電壓不足而造成的本身的設定錯誤，本發明在記憶單元接收到操作電壓後，讀取記憶單元內一特定資訊，再將讀取後的結果與一已知資訊相比較。若比較結果相同，表示操作電壓的位準足以讓記憶單元進行正常的存取動作，因而令記憶單元進入一操作模式。在操作模式下，記憶單元可進行本身的參數設定。

相反地，若比較結果不同，表示操作電壓的位準不足以讓記憶單元進行正常的存取動作，因此，可再次讀取記憶單元所儲存的特定資訊，並將讀取後的結果再次與已知資訊相比較。

第1圖為本發明之控制方法之一可能實施例。本發明之控制方法適用於一電子裝置。電子裝置具有一記憶單元。記憶單元具有一記憶陣列。記憶陣列儲存一特定資訊。本發明並不限定記憶單元的種類。只要具有記憶功能的元件均可作為記憶單元。在一可能實施例中，記憶單元係為一快閃記憶體(Flash memory)。

當電子裝置操作於一開機模式下，便可產生一操作電壓(步驟S110)。在一可能實施例中，操作電壓與電子裝置的電池電力有關。當電池電力下降時，操作電壓達預設位準的時間也會被拉長。在本實施例中，記憶單元可根據操作電壓，擷取本身所儲存的一設定資訊，並根據該設定資訊，設定本身的狀態。

當操作電壓已產生，則輸出一致能信號(步驟S120)。此時，操作電壓可能未達一預設位準。在一可能實施例中，致能信號係由一電壓偵測器所產生。電壓偵測器接收操作電壓，並在一固定時間後，輸出一致能信號。

接著，根據致能信號，讀取記憶陣列所儲存之特定資訊，用以產生一讀取結果(步驟S130)。在一可能實施例中，特定資訊係事先存入記憶陣列中。另外，記憶陣列亦儲存一設定資訊，其可能包含許多設定參數。記憶單元根據該等設定參數，設定本身的狀態。

接著，判斷讀取結果是否等於一已知資訊(步驟S140)。當讀取結果等於已知資訊，表示記憶單元已可進行正確的存取動作，因此，令記憶單元進入一操作模式(步驟S150)。然而，當讀取結果不等於已知資訊時，表示記憶單元可能因操作電壓的位準不足而無法進行正確的存取動作，因此，重新執行步驟S130及S150。

本發明並不限定如何產生已知資訊。在一可能實施例中，可利用邏輯閘(logic gate)的特性，產生一已知資訊。舉例而言，若將多個反閘(NOT gate)的輸入端耦接到操作電壓或接地電壓(ground)，則該等反閘的輸出信號便可構成一連續邏輯值，如1010，而此邏輯值可作為一已知資訊。

第2圖為本發明之控制方法之另一可能實施例。第2圖相似第1圖，不同之處在於，第2圖多了步驟S220、S230及S240。在步驟S220中，判斷記憶單元的一第一接腳是否接收到高位準。

在一可能實施例中，將記憶單元的第一接腳的電壓位準與一第一預設位準相比較，便可得知第一接腳是否接收到高位準。舉例而言，若第一接腳的電壓位準大於該第一預設位準時，則表示第一接腳接收到高位準。相反地，若第一接腳的電壓位準小於第一預設位準時，則表示第一接腳未接收到高位準。

若第一接腳未接收到高位準，則執行步驟S260~S270，用以判斷記憶單元是否可執行正確的存取動作。由於步驟S260~S270的動作原理與第1圖中的步驟S130~S140相同，故不再贅述。

若第一接腳接收到高位準，則執行步驟S230，用以判斷記憶單元的一第二接腳是否接收到高位準。在一可能實施例中，藉由比較第二接腳的電壓位準與一第二預設位準，便可得知第二接腳是否接收到高位準。本發明並不限定第一及第二預設位準間的關係。舉例而言，第一預設位準可能等於或不等於第二預設位準。

若第二接腳未接收到高位準，則執行步驟S280，用以令記憶單元進入一操作模式。若第二接腳接收到高位準，則執行步驟S240，用以令記憶單元進入一測試模式。在測試模式中，可對記憶單元進行任何測試。在一可能實施例中，當記憶單元進入測試模式後，便可將一特定資訊寫入記憶陣列。在寫入特定資訊後，便令記憶單元的第二接腳為低位準，以防止記憶單元再次進入測試模式。

本發明並不限定步驟S220的執行時間。在本實施例中，步驟S220係位於步驟S250與S260之間。在其它實施例中，步驟S220可位於任一步驟之前或之後。換句話說，不論執行到哪個步驟，只要記憶單元的第一接腳為高位準，可立即停止原本的動作，改成判斷記憶單元的第二接腳是否接收到高位準。舉例而言，在執行步驟S260時，若第一接腳突然為高位準時，可直接跳到步驟S230，因已確定操作電壓已達預設位準。只要第二接腳亦接收到高位準，便可進入測試模式(步驟S240)。若第二接腳未接收到高位準，則進入操作模式(步驟S280)。

在上述實施例中，係根據第二接腳的位準，決定是否進入測試模式。在其它實施例中，可判斷第二接腳所接收到的脈衝數量。舉例而言，當第二接腳所接收到的脈衝數量大於一預設值時，則進入測試模式。當第二接腳所接收到的脈衝數量未大於一預設值時，則進入操作模式。

第3圖為本發明之電子裝置之示意圖。如圖所示，電子裝置300包括一記憶單元310以及一主體單元320。本發明並不限定記憶單元310的種類。在一可能實施例中，記憶單元310係為一快閃記憶體。在本實施例中，記憶單元310接收一操作電壓VCC，並包括一記憶陣列311、一偵測模組312、一存取模組313、一比較模組314以及一處理模組315。

記憶陣列311具有一特定資訊IN_SPE 以及一設定資訊IN_SET 。為方便說明，在本實施例中，係以單一記憶陣列為例，但並非用以限制本發明。在其它實施例中，特定資訊IN_SPE 以及設定資訊IN_SET 可能分別儲存於不同的記憶陣列中。

偵測模組312偵測操作電壓VCC，並根據偵測結果，輸出致能信號S_EN 。在一可能實施例中，當操作電壓VCC被產生時，偵測模組312在一固定時間後，輸出致能信號S_EN 。在本實施例中，偵測模組312更偵測記憶單元310的第一及第二接腳(未顯示)的電壓位準，並根據偵測結果，輸出偵測信號S_P1 及S_P2 。

處理模組315根據偵測模組312的輸出結果，控制存取模組313。在一可能實施例中，當接收到致能信號S_EN 時，處理模組315致能存取模組313，用以使存取模組313存取記憶陣列311。存取模組313讀取記憶陣列311所儲存的特定資訊IN_SPE ，用以產生一讀取結果。

比較模組314將存取模組313所產生的讀取結果與一已知資訊S_KD 相比較，並將比較結果提供予處理模組315。在本實施例中，處理模組315根據比較模組314的比較結果，判斷得知操作電壓VCC是否已達預設位準。

舉例而言，當存取模組313所產生的讀取結果係等於已知資訊S_KD 時，表示操作電壓VCC的位準足以讓記憶單元310進行正常存取動作。因此，處理模組315使記憶單元310進入一操作模式。若存取模組313所產生的讀取結果不等於已知資訊S_KD ，表示操作電壓VCC的位準不足以讓記憶單元310進行正常存取動作。因此，處理模組315再次致能存取模組313，用以重新讀取特定資訊IN_SPE 。比較模組314比較新的讀取結果與已知資訊S_KD ，並再次提供比較結果予處理模組315。

本發明並不限定已知資訊S_KD 的產生方式。在一可能實施例中，已知資訊S_KD 係由一邏輯模組(未顯示)所產生。邏輯模組係由多個邏輯閘所構成。藉由邏輯閘的特性，便可產生已知資訊S_KD 。舉例而言，藉由控制多個反閘(NOT gate)的輸入位準，便可產生一連續的邏輯值，如101010，而此邏輯值便可作為已知資訊S_KD 。在一可能實施例中，已知資訊S_KD 係等於特定資訊IN_SPE 。

在操作模式下，記憶單元310根據記憶陣列311所儲的設定資訊S_SET ，設定本身的狀態，待設定完成後，主體單元320便可正常使用記憶單元310。舉例而言，在操作模式下，處理模組315讀取記憶陣列311所儲存之設定資訊IN_SET ，再根據設定資訊IN_SET ，設定記憶單元310內的其它元件的狀態。

當記憶單元310進入操作模式下，主體單元320便可存取記憶單元310。在一可能實施例中，當記憶單元310已完成內部設定後，將發出一就緒信號。主體單元320根據就緒信號存取記憶單元310。本發明並不限定主體單元320的內部架構。在一可能實施例中，主體單元320的內部架構係取決於電子裝置300的種類。舉例而言，若電子裝置300係為一行動電話，則主體單元320用以執行行動電話的相關功能。

由於電子裝置300內的元件發生老化或其它因素，將可能造成操作電壓VCC的位準無法在一預設時間內到達一預設位準，而當操作電壓VCC的位準不足時，記憶單元310將無法進行正確的存取動作。然而，在本實施例中，藉由讀取記憶陣列所儲存的一特定資訊，並將讀取結果與一已知資訊相比較，便可得知記憶單元是否可進行正確的存取動作。因此，可避免記憶單元誤動作所造成的影響。

另外，處理模組315可根據偵測信號S_P1 及S_P2 ，得知記憶單元310的第一及第二接腳的電壓位準V_P1 及V_P2 ，再根據電壓位準V_P1 及V_P2 ，令記憶單元310進入一測試模式或是一操作模式。

在一可能實施例中，當記憶單元310的第一接腳的電壓位準V_P1 為高位準時，若記憶單元310的第二接腳的電壓位準V_P2 為高位準時，則令記憶單元310進入測試模式。在測試模式中，存取模組313將外部所提供的特定資訊IN_SPE 儲存於記憶陣列311中。

然而，當記憶單元310的第一接腳的電壓位準V_P1 為高位準時，若第二接腳的電壓位準V_P2 不為高位準時，則令記憶單元310進入操作模式。在其它實施例中，只要記憶單元310的第一接腳的電壓位準V_P1 為高位準，存取模組313及比較模組314便立即停止運作。此時，處理模組315根據第二接腳的電壓位準V_P2 ，令記憶單元310進入操作模式或測試模式。

除非另作定義，在此所有詞彙(包含技術與科學詞彙)均屬本發明所屬技術領域中具有通常知識者之一般理解。此外，除非明白表示，詞彙於一般字典中之定義應解釋為與其相關技術領域之文章中意義一致，而不應解釋為理想狀態或過分正式之語態。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

300．．．電子裝置

310．．．記憶單元

320．．．主體單元

311．．．記憶陣列

312．．．偵測模組

313．．．存取模組

314．．．比較模組

315．．．處理模組

IN_SPE ．．．特定資訊

IN_SET ．．．設定資訊

VCC．．．操作電壓

V_P1 、V_P2 ．．．電壓

S_EN ．．．致能信號

S_KD ．．．已知資訊

S_P1 、S_P2 ．．．偵測信號

S110-S150、S210-S280．．．步驟

第1圖為本發明之控制方法之一可能實施例。

第2圖為本發明之控制方法之另一可能實施例。

第3圖為本發明之電子裝置之示意圖。

S110-S150．．．步驟

Claims

一種控制方法，適用於一電子裝置，該電子裝置具有一記憶單元，該記憶單元具有一記憶陣列，該記憶陣列具有一特定資訊，該控制方法包括：當該電子裝置操作於一開機模式下，並且一操作電壓已產生時，輸出一致能信號；根據該致能信號，讀取該特定資訊，用以產生一讀取結果；以及判斷該讀取結果是否等於一已知資訊，其中當該讀取結果等於該已知資訊，便令該記憶單元進入一操作模式。
如申請專利範圍第1項所述之控制方法，其中當該讀取結果不等於該已知資訊時，重新讀取該特定資訊，並判斷重新讀取後的結果是否等於該已知資訊。
如申請專利範圍第1項所述之控制方法，更包括：判斷該記憶單元之一第一接腳的電壓位準；以及判斷該記憶單元之一第二接腳的電壓位準，其中當該第一接腳的電壓位準大於一第一預設位準時，則根據該第二接腳的位準，令該記憶單元進入該操作模式或一測試模式；當該第二接腳的位準大於一第二預設位準時，則令該記憶單元進入該測試模式，當該第二接腳的位準未大於該第二預設位準時，則令該記憶單元進入該操作模式。
如申請專利範圍第1項所述之控制方法，更包括：判斷該記憶單元之一第一接腳的電壓位準；以及判斷該記憶單元之一第二接腳所接收到的脈衝數量，其中當該第一接腳的位準大於一第一預設位準時，則根據該第二接腳所接收到的脈衝數量，令該記憶單元進入該操作模式或一測試模式；其中當該第二接腳所接收到的脈衝數量大於一預設值時，則令該記憶單元進入該測試模式，當該第二接腳所接收到的脈衝數量未大於該預設值時，則令該記憶單元進入該操作模式。
如申請專利範圍第3或4項所述之控制方法，其中在該測試模式下，將該特定資訊寫入該記憶陣列。
一種電子裝置，包括：一記憶單元，接收一操作電壓，並包括：一記憶陣列，具有一特定資訊以及一設定資訊；一偵測模組，根據該操作電壓，輸出一致能信號；一存取模組，讀取該特定資訊，用以產生一讀取結果；一比較模組，比較該讀取結果與一已知資訊；一處理模組，根據該致能信號，致能該存取模組，用以產生該讀取結果，當該讀取結果等於該已知資訊時，存取該設定資訊，用以令該記憶單元進入一操作模式；以及一主體單元，當該記憶單元進入該操作模式下，存取該記憶單元。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中當該讀取結果不等於該已知資訊，該處理模組再次致能該存取模組，用以重新讀取該特定資訊，並且該比較模組重新進行比較。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該記憶單元具有一第一接腳及一第二接腳，該偵測模組偵測該第一及第二接腳，當該第一接腳的電壓位準大於一第一預設位準，並且該第二接腳的電壓位準未大於一第二預設位準，該處理模組令該記憶單元進入該操作模式；當該第一接腳的電壓位準大於該第一預設位準，並且該第二接腳的電壓位準大於該第二預設位準，該處理模組致能該存取模組，用以將該特定資訊寫入該記憶陣列中。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該記憶單元具有一第一接腳及一第二接腳，該偵測模組偵測該第一及第二接腳，當該第一接腳的電壓位準大於一第一預設位準，並且該第二接腳所接收到的脈衝數量未大於一預設值，該處理模組令該記憶單元進入該操作模式；當該第一接腳的電壓位準大於該第一預設位準，並且該第二接腳所接收到的脈衝數量大於該預設值，該處理模組致能該存取模組，用以將該特定資訊寫入該記憶陣列中。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該已知資訊係由一邏輯模組所產生。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中當該偵測模組接收到該操作電壓，並持續一固定時間，該偵測模組便輸出該致能信號。
如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該記憶單元係為一快閃記憶體(Flash memory)。