JP6966253B2 - 平坦なワークピースの厚さ測定方法 - Google Patents
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Description
‐両面処理機の上部加工ディスクと下部加工ディスクとの間に形成された作業間隙内で、加工ディスクが除材する仕方で互いに対して回転しながら、ワークピースが処理される
工程と、
‐ワークピースの処理中に、ワークピースの厚さが、上部加工ディスクおよび/または下部加工ディスクに配置された少なくとも1つの光学的厚さ測定装置によって光学的に測定される工程であって、少なくとも1つの厚さ測定装置の少なくとも1つの集束光学部品が、上部加工ディスクおよび/または下部加工ディスクに形成された少なくとも1つの貫通孔内に配置され、貫通孔を通り、集束光学部品によって集束された光によって、作業間隙内に配置されたワークピースの厚さを測定する、工程と、
‐少なくとも1つの厚さ測定装置の測定結果が、両面処理機の制御装置に供給される工程と、
‐ワークピースの予め指定した目標厚さに達すると、制御装置が、ワークピースの処理作業を終了する工程と、を含む。
図面を参照しながら、本発明の代表的な一実施形態を以下により詳細に説明する。
図1に示す両面処理機は、例えば両面研磨機であり得る。両面研磨機は、上部加工ディスク10と、上部加工ディスク10と対向する下部加工ディスク12とを有する。上部加工ディスク10および下部加工ディスク12の一部はいずれの場合にも、作業被膜14、例えば研磨布であり得る。この作業被膜14により、上部加工ディスク10および下部加工ディスク12はそれらの間に、ワークピースの除材処理のための作業間隙16の範囲を定める。参照番号18は、図解目的の例示のために、ワークピース、例えばウェハを示す。例えば、作業間隙16には、回転可能に配置されたロータディスクを実際に設けることができ、ロータディスクは各々、作業間隙16における同時処理のために複数のワークピースを受容することが理解される。
Claims (17)
- 両面処理機で処理される平坦なワークピース(18)の厚さを測定するための方法であって、
‐前記両面処理機の上部加工ディスク(10)と下部加工ディスク(12)との間に形成された作業間隙(16)内で、前記加工ディスク(10、12)が除材する仕方で互いに対して回転しながら、前記ワークピースが処理される工程と、
‐前記ワークピース(18)の処理中に、前記ワークピースの厚さが、前記上部加工ディスク(10)および/または前記下部加工ディスク(12)に配置された少なくとも1つの光学的厚さ測定装置によって光学的に測定される工程であって、前記少なくとも1つの厚さ測定装置の少なくとも1つの集束光学部品(22)が、前記上部加工ディスク(10)および/または前記下部加工ディスク(12)に形成された少なくとも1つの貫通孔(20)内に配置され、前記貫通孔(20)を通り、前記集束光学部品(22)によって集束された光によって、前記作業間隙(16)内に配置された前記ワークピース(18)の前記厚さを測定する、工程と、
‐前記少なくとも1つの厚さ測定装置の測定結果が、前記両面処理機の制御装置(42)に供給される工程と、
‐前記ワークピース(18)の予め指定した目標厚さに達すると、前記制御装置(42)が、前記ワークピースの処理の作業を終了する工程と、を含む、方法。 - 前記少なくとも1つの厚さ測定装置は、干渉厚さ測定方法によって前記ワークピース(18)の前記厚さを測定することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの厚さ測定装置の光放射源が赤外線を放出することを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記集束光学部品(22)は、1mm以上、好ましくは2mm以上の焦点深度を有することを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの貫通孔(20)は、前記厚さ測定装置の光が当該貫通孔(20)を通って前記作業間隙(16)へ入る当該貫通孔(20)の前記作業間隙(16)側である前記作業間隙(16)への入口の周辺において、処理作業中に当該貫通孔(20)の前記厚さ測定装置側から圧縮空気で洗い流されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの貫通孔(20)に、当該貫通孔(20)の前記厚さ測定装置側から圧縮空気を供給することで、前記作業間隙(16)に対する過剰圧力が当該貫通孔(20)で発生することを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの厚さ測定装置の光放射源から光放射に少なくとも部分的に透明である少なくとも1つの保護窓(24)が、前記厚さ測定装置と前記作業間隙(16)との間の前記少なくとも1つの貫通孔(20)内に配置されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの保護窓(24)は、酸化アルミニウムまたはフッ化カルシウムからなることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの保護窓(24)は、前記少なくとも1つの貫通孔(20)を備える前記加工ディスクの前記作業間隙(16)側の表面に対して、10mm以下、好ましくは3mm以下、より好ましくは1mm以下、最も好ましくは0.3mm以下で後退して当該貫通孔(20)に備えられることを特徴とする、請求項7または8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの保護窓(24)は、洗浄液を用いる洗浄装置によって前記作業間隙(16)の側から洗浄されることを特徴とする、請求項7から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ワークピースの厚さは、前記上部加工ディスク(10)および/または前記下部加工ディスク(12)に構成される複数の貫通孔(20)によって、前記ワークピース(18)の処理中に光学的に測定されることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記上部加工ディスク(10)および/または前記下部加工ディスク(12)は複数の前記貫通孔(20)を有し、前記ワークピースの厚さは、処理中に、複数の前記厚さ測定装置によって、同時に前記種々の貫通孔(20)を通って測定されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 前記上部加工ディスク(10)および/または前記下部加工ディスク(12)は複数の前記貫通孔(20)を有し、前記ワークピースの厚さは、処理中に、複数の前記厚さ測定装置によって、時間をずらして前記種々の貫通孔(20)を通って測定されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 複数のワークピース(18)が前記両面処理機で同時に処理され、前記少なくとも1つの厚さ測定装置は、1つのワークピース(18)に明確に割り当てられ、割り当てられた前記ワークピース(18)の厚さを測定することを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの厚さ測定装置は、前記上部加工ディスク(10)および/または前記下部加工ディスク(12)に振動減衰した仕方で配置されることを特徴とする、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記制御装置は、前記加工ディスク(10、12)とは別の位置に配置されることを特徴とする、請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの厚さ測定装置と前記制御装置(42)との間のデータ転送、および前記少なくとも1つの厚さ測定装置の電力供給は、少なくとも1つの摺動接点を介して行うことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
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Family Cites Families (26)
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---|---|---|---|---|
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US6570662B1 (en) * | 1999-05-24 | 2003-05-27 | Luxtron Corporation | Optical techniques for measuring layer thicknesses and other surface characteristics of objects such as semiconductor wafers |
US6628397B1 (en) * | 1999-09-15 | 2003-09-30 | Kla-Tencor | Apparatus and methods for performing self-clearing optical measurements |
US6437868B1 (en) | 1999-10-28 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | In-situ automated contactless thickness measurement for wafer thinning |
TW564200B (en) * | 2000-11-09 | 2003-12-01 | Fujikoshi Machinery Corp | Method of cleaning abrasive plates of abrasive machine and cleaning device |
JP3333778B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2002-10-15 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨定盤の洗浄方法及びその洗浄装置 |
JP2002170800A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Nikon Corp | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
KR101047933B1 (ko) | 2002-11-27 | 2011-07-11 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP4202841B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2008-12-24 | 株式会社Sumco | 表面研磨装置 |
JP2006224233A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Hoya Corp | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法 |
JP2008227393A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの両面研磨装置 |
DE102007056627B4 (de) * | 2007-03-19 | 2023-12-21 | Lapmaster Wolters Gmbh | Verfahren zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben |
US8045142B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-10-25 | Ebara Corporation | Polishing end point detection method, polishing end point detection apparatus and polishing apparatus |
JP4654275B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2011-03-16 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
WO2010013390A1 (ja) | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法および両面研磨装置 |
CN102171000A (zh) | 2008-10-01 | 2011-08-31 | 彼特沃尔特斯有限公司 | 用于测量片状工件的厚度的方法 |
DE102009024125B4 (de) * | 2009-06-06 | 2023-07-27 | Lapmaster Wolters Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten von flachen Werkstücken |
US20140120802A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Wayne O. Duescher | Abrasive platen wafer surface optical monitoring system |
JP5896884B2 (ja) * | 2012-11-13 | 2016-03-30 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
JP2014154874A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | 膜厚モニタ装置、研磨装置および膜厚モニタ方法 |
JP6003800B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2016-10-05 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システム |
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JP6255991B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-01-10 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
KR101660900B1 (ko) * | 2015-01-16 | 2016-10-10 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 |
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