JP6956739B2

JP6956739B2 - 少なくとも１種の非直鎖状オルガノポリシロキサンを含む接着剥離層

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Publication number: JP6956739B2
Application number: JP2018556290A
Authority: JP
Inventors: ギナム・キム; ジュンイン・リュー
Original assignee: Dow Corning Corp; Dow Silicones Corp
Current assignee: Dow Silicones Corp
Priority date: 2016-05-16
Filing date: 2017-05-10
Publication date: 2021-11-02
Anticipated expiration: 2037-05-10
Also published as: TW201806780A; CN109072038B; JP2019522686A; TWI767909B; US20190119538A1; WO2017200807A1; US10703946B2; CN109072038A; KR102206725B1; KR20190004321A

Description

本発明は、一般に、少なくとも１種の非直鎖状オルガノポリシロキサンを含む接着剥離層、及び表示デバイス基板を処理する方法を含む関連する態様、並びに表示デバイスを処理する中間体に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどの表示デバイスの製造において、様々な表示デバイスの構成部品が、可撓性及び非可撓性のガラス及び非ガラス基材を含む、薄い表示デバイス基板から製造される。脆弱な性質、特定の製造工程の間に必要とされる高度な精度のために、及び、特定の製造工程における過酷な条件（例えば高温）のために、いくつかの薄い表示デバイス基板上で製造工程を実施するのは困難である場合がある。

表示デバイス基板の処理方法。本方法の実施形態は、接着剥離層を用いてキャリア基板に表示デバイス基板を固定することを含む。接着剥離層は、前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む。前駆体接着剤組成物は硬化性であり、ハイドロジェンオルガノポリシロキサンを含む。前駆体接着剤組成物はまた、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサンを含む。ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及び（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサンのうちの少なくとも１つは非直鎖状である。

表示デバイスを処理する中間体。表示デバイスを処理する中間体の実施形態としては、キャリア基板、及び該キャリア基板上の接着剥離層が挙げられる。

図面は通常、限定ではなく、例として、本文書において説明されている様々な実施形態の概略を描くものである。

様々な実施形態に従った表示デバイスを処理する中間体の図である。様々な実施形態に従った表示デバイスを処理する中間体の図である。様々な実施形態に従った表示デバイスを処理する中間体の図である。様々な実施形態に従った表示デバイスを処理する中間体の図である。

「発明の概要」及び「要約書」は、参照により本明細書に組み込まれる。

以下に例示的な実施形態を提供するが、その付番は、重要度を表記するものとして解釈されるものではない。

実施形態１は、表示デバイス基板の処理方法であって、本方法は、前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む接着剥離層を用いてキャリア基板に表示デバイス基板を固定することを含み、該前駆体接着剤組成物は、構成成分（Ａ）ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及び構成成分（Ｂ）（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサンを含み、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル基は、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される、１、２、又は３個の中断基により中断されており、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つは非直鎖状である。

実施形態２は、表示デバイス基板がガラス、ケイ素、セラミック、プラスチック、金属、又はこれらの組み合わせを含む実施形態１に記載の方法である。

実施形態３は、表示デバイス基板が、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）、エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、電子ペーパーディスプレイ、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、高性能アドレス指定ディスプレイ（ＨＰＡ）、薄膜トランジスタディスプレイ（ＴＦＴ）、有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）、表面伝導電子エミッタディスプレイ（ＳＥＤ）、レーザーＴＶディスプレイ、カーボンナノチューブディスプレイ、量子ドットディスプレイ、及び干渉変調ディスプレイ（ＩＭＯＤ）のうち少なくとも１つの処理前駆体構成部品を含む、実施形態１又は２に記載の方法である。

実施形態４は、表示デバイス基板が１ｎｍ〜５ｍｍの厚さを有する、実施形態１〜３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態５は、表示デバイス基板が１ｎｍ〜０．５ｍｍの厚さを有する、実施形態１〜４のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６は、キャリア基板がガラス、ケイ素、セラミック、プラスチック、金属、又はこれらの組み合わせを含む、実施形態１〜５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７は、構成成分（Ａ）が非直鎖状であり、構成成分（Ｂ）が直鎖状である、実施形態１〜６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８は、構成成分（Ａ）が直鎖状であり、構成成分（Ｂ）が非直鎖状である、実施形態１〜６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９は、構成成分（Ａ）が非直鎖状であり、構成成分（Ｂ）が非直鎖状である、実施形態１〜６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態１０は、前駆体接着剤組成物の０．１重量％〜９９．９重量％が構成成分（Ａ）であり、前駆体接着剤組成物の０．１重量％〜９９．９重量％が構成成分（Ｂ）である、実施形態１〜９のいずれか１つに記載の方法である。前駆体接着剤組成物が構成成分（Ａ）及び（Ｂ）を含む場合、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量は５０重量％以上＜１００重量％である。

実施形態１１は、前駆体接着剤組成物の０．２重量％〜４０重量％が構成成分（Ａ）であり、前駆体接着剤組成物の０．２重量％〜４０重量％が構成成分（Ｂ）である、実施形態１〜１０のいずれか１つに記載の方法である。前駆体接着剤組成物が構成成分（Ａ）及び（Ｂ）を含む場合、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量は５０重量％〜９９重量％である。

実施形態１２は、構成成分（Ａ）が非直鎖状である、実施形態１〜６、１０、及び１１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態１３は、構成成分（Ａ）が、式：（Ｒ^Ａ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ａ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^ＡＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ［式中、それぞれの出現において、Ｒ^Ａは独立して−Ｈ及び−Ｒ^１から選択され、構成成分（Ａ）の少なくとも１個のＲ^Ａは−Ｈであり、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基により中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、下付き文字ｙ及びｚは独立して０〜５，０００であり、ｙ及びｚのうち少なくとも１つは０より大きく、下付き文字ｗは０〜５００であり、下付き文字ｘは０〜５，０００である。］である、実施形態１２に記載の方法である。

実施形態１４は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである、実施形態１３に記載の方法である。

実施形態１５は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキルである、実施形態１３又は１４に記載の方法である。

実施形態１６は、Ｒ^１がメチルである、実施形態１３〜１５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態１７は、構成成分（Ａ）が、式：（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］である、実施形態１３〜１６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態１８は、構成成分（Ａ）が直鎖状である、実施形態１〜６、１０、及び１１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態１９は、構成成分（Ａ）が、式：（Ｒ^Ａ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^Ａ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ［式中、それぞれの出現において、Ｒ^Ａは独立して−Ｈ及び−Ｒ^１から選択され、構成成分（Ａ）の少なくとも１個のＲ^Ａは−Ｈであり、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基により中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、下付き文字ｘは０〜５，０００である。］である、実施形態１８に記載の方法である。

実施形態２０は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである、実施形態１９に記載の方法である。

実施形態２１は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキルである、実施形態１９又は２０に記載の方法である。

実施形態２２は、Ｒ^１がメチルである、実施形態１９〜２１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２３は、下付き文字ｘが１〜２００である、実施形態１９〜２２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２４は、構成成分（Ａ）が、式：（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_ｘ、又は（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ［式中、下付き文字ｘは０〜２０００である。］を有する、実施形態１９〜２３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２５は、構成成分（Ａ）が、式：（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６、又は（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００である、実施形態１９〜２４のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２６は、前駆体接着剤組成物の１重量％〜９９．９重量％が構成成分（Ｂ）である、実施形態１〜２５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２７は、前駆体接着剤組成物の４０重量％〜９９．９重量％が構成成分（Ｂ）である、実施形態１〜２６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２８は、構成成分（Ｂ）が非直鎖状である、実施形態１〜６、及び１０〜２７のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態２９は、構成成分（Ｂ）が、式：（Ｒ^Ｂ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ｂ _２ＳｉＯ_２／２）ｘ（Ｒ^ＢＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ［式中、それぞれの出現において、Ｒ^Ｂは独立してＲ^１及びＲ^２から選択され、少なくとも１個のＲ^ＢはＲ^２であり、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基により中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−（式中、下付き文字ｎは１〜１，０００である。）、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであり、下付き文字ｙ及びｚは独立して０〜５，０００であり、ｙ及びｚのうち少なくとも１つは０より大きく、下付き文字ｗは０〜５００であり、下付き文字ｘは０〜５，０００である。］である、実施形態２８に記載の方法である。

実施形態３０は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである、実施形態２９に記載の方法である。

実施形態３１は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキルである、実施形態２９又は３０に記載の方法である。

実施形態３２は、Ｒ^１がメチルである、実施形態２９〜３１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態３３は、Ｒ^２が（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルである、実施形態２９〜３２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態３４は、Ｒ^２がビニル基である、実施形態２９〜３３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態３５は、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ［式中、下付き文字ｗは０〜５００であり、下付き文字ｘ及びｚは独立して１〜５，０００である。］である、実施形態２９〜３４のいずか１つに記載の方法である。

実施形態３６は、ｗ、ｘ、及びｚが独立して１〜１５０である、実施形態３５に記載の方法である。

実施形態３７は、構成成分（Ｂ）が、式（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２−８（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{６０−１８０}（ＳｉＯ_４／２）_１−２、又は（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_５−２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{１０−５０}（ＳｉＯ_４／２）_{２０−８０}である、実施形態２９〜３６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態３８は、構成成分（Ｂ）が、式（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）、又は（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５である、実施形態２９〜３７のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態３９は、構成成分（Ｂ）が直鎖状である、実施形態１〜６、及び１０〜２７のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態４０は、構成成分（Ｂ）が、式：（Ｒ^Ｂ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^Ｂ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ［式中、それぞれの出現において、Ｒ^Ｂは−Ｒ^１及び−Ｒ^２から独立して選択され、少なくとも１個のＲ^ＢはＲ^２であり、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基により中断されている、置換又は非置換の（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−（式中下付き文字ｎは１〜１，０００である。）、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであり、下付き文字ｘは０〜５，０００である。］である、実施形態３９に記載の方法である。

実施形態４１は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである、実施形態４０に記載の方法である。

実施形態４２は、Ｒ^１が（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキルである、実施形態４０又は４１に記載の方法である。

実施形態４３は、Ｒ^１がメチルである、実施形態４０〜４２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態４４は、Ｒ^２が（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルである、実施形態４０〜４３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態４５は、Ｒ^２がビニル基である、実施形態４０〜４４のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態４６は、構成成分（Ｂ）が（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−３００}である、実施形態４０〜４５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態４７は、構成成分（Ｂ）が（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０である、実施形態４０〜４６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態４８は、構成成分（Ａ）が、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}；あるいは、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１は、ｍ１＋ｍ２＋ｄ１＋ｄ２＋ｔ１＋ｔ２＋ｑ１＝１の合計となるようにそれぞれの繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ１は０〜０．８、あるいは０〜０．３であり、ｍ２は０〜０．８、あるいは０〜０．３であり、ｄ１は０〜０．９９９、あるいは０〜０．９９であり、ｄ２は０〜０．９９９９、あるいは０〜０．９９９であり、ｔ１は０〜０．８であり、ｔ２は０〜０．８であり、ｑ１は０〜０．９９である。］から選択される、実施形態１〜４７のいずれか１つに記載の方法である。それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基により中断されている、置換又は非置換の（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルである。構成成分（Ａ）は直鎖状、あるいは非直鎖状であってよい。

実施形態４９は、構成成分（Ａ）が（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{０．１−２０}（ＳｉＯ_４／２）_{０．１−５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}から選択される、実施形態１〜４８のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は直鎖状であってよい。

実施形態５０は、構成成分（Ａ）が（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１−３（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００から選択される、実施形態１〜４９のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は非直鎖状であってよい。

実施形態５１は、構成成分（Ｂ）が（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、あるいは（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）ｄ_２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１は、ｍ１＋ｍ２＋ｄ１＋ｄ２＋ｔ１＋ｔ２＋ｑ１＝１の合計となるようにそれぞれの繰り返し単位のモル分率を表し、ｍ１は０〜０．８、あるいは０〜０．３であり、ｍ２は０〜０．８、あるいは０〜０．３であり、ｄ１は０〜０．９９９９、あるいは０〜０．９９９であり、ｄ２は０〜０．９９９９、あるいは０〜０．９９９であり、ｔ１は０〜０．８であり、ｔ２は０〜０．８であり、ｑ１は０〜０．９９である。］から選択される、実施形態１〜５０のいずれか１つに記載の方法である。それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基により中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルである。構成成分（Ｂ）は直鎖状、あるいは非直鎖状であってよい。

実施形態５２は、構成成分（Ｂ）が（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{１−１００}（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−２００}（ＳｉＯ_４／２）_１−５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、及び（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{１−１００}（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{１−１００}（ＳｉＯ_４／２）_{１−２００}から選択される、実施形態１〜５１のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ｂ）は非直鎖状であってよい。

実施形態５３は、構成成分（Ｂ）が（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０、及び（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５から選択される、実施形態１〜５２のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ｂ）は非直鎖状（Ｑ分枝ポリマー）であってよい。

実施形態５４は、構成成分（Ａ）が、式：（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１−６（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_３−９であり、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２−８（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−２００}（ＳｉＯ_４／２）_１−２である、実施形態１〜５３のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は直鎖状であってよく、構成成分（Ｂ）は非直鎖状であってよい。

実施形態５５は、構成成分（Ａ）が、式：（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６であり、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）である、実施形態１〜５４のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は直鎖状であってよく、構成成分（Ｂ）は非直鎖状であってよい。

実施形態５６は、構成成分（Ａ）が、式：（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１−３（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］であり、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−３００}である、実施形態１〜５５のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は非直鎖状であってよく、構成成分（Ｂ）は非直鎖状であってよい。

実施形態５７は、構成成分（Ａ）が、式：（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］であり、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０である、実施形態１〜５６のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は非直鎖状であってよく、構成成分（Ｂ）は直鎖状であってよい。

実施形態５８は、構成成分（Ａ）が、式：（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−３００}であり、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_５−２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{１０−５０}（ＳｉＯ_４／２）_{２０−８０}である、実施形態１〜５７のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は直鎖状であってよく、構成成分（Ｂ）は非直鎖状であってよい。

実施形態５９は、構成成分（Ａ）が、式：（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００であり、構成成分（Ｂ）が、式：（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５である、実施形態１〜５８のいずれか１つに記載の方法である。構成成分（Ａ）は直鎖状であってよく、構成成分（Ｂ）は非直鎖状であってよい。

実施形態６０は、前駆体接着剤組成物が、熱可塑性材料、熱硬化性材料、モノマー、オリゴマー、ポリマー、架橋性ポリマー、架橋型ポリマー、ゴム、ポリウレタン、ポリイソブチレン、シラン、オルガノシラン、シロキサン、オルガノシロキサン、フルオロシリコーン、フルオロシラン、セラック、ポリアミド、シリル修飾ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリカルバメート、ウレタン、天然接着剤、エポキシ系接着剤、フラン系接着剤、フェノール系接着剤、アルデヒド系接着剤、尿素−アルデヒド接着剤、アクリル酸系接着剤、フェノール／フェノールホルムアルデヒド／フルフリルアルコール接着剤、硬化剤、触媒、硬化して上述のいずれか１つを形成可能な前駆体、及び、上述のいずれか１つの反応生成物のうち少なくとも１つを更に含む、実施形態１〜５９のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６１は、前駆体接着剤組成物が、オルガノハイドロジェンシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、オルガノアルケニルシラン、及びオルガノアルケニルシロキサンのうち少なくとも１つを更に含む、実施形態１〜６０のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６２は、前駆体接着剤組成物が、非直鎖状（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサン、直鎖状（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサン、直鎖状（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化フルオロ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル置換オルガノポリシロキサン、非直鎖状ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、直鎖状ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及び（（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル）ハイドロジェンシルセスキオキサンのうち少なくとも１つを更に含み、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル基及び（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルは独立して選択され、置換又は非置換であり、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、下付き文字ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態１〜６１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６３は、前駆体接着剤組成物が、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_１−２０（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１０−３００}（ＳｉＯ_４／２）_１−５、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_{１−１００}（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２００}（ＳｉＯ_４／２）_{１−５００}、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１０−２０００}、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１０−５０００}（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１０−５０００}（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_{１−１００}、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１００−５０００}、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−１００}（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１−２００}、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_{０．１−１０}（ＳｉＯ_４／２）_{０．１−５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１−１００}（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１−２００}、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１０−２０００}、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．００１−１}（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_{１．５−０．１}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを更に含み、式中、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、下付き文字ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであり、それぞれの出現において、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態１〜６２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６４は、前駆体接着剤組成物が、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_１−８（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{６０−１８０}（ＳｉＯ_４／２）_１−２、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_５−２０（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１６−５６}（ＳｉＯ_４／２）_{２５−８５}、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{７５−２２５}、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１００−８００}（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{４００−２０００}（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_２−３０、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{４００−１２００}、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_１−６（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_３−９、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_１−２（ＳｉＯ_４／２）_{０．５−１．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＲ^１ＳｉＯ_２／２）_２−４０（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_５−８０、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{５０−２００}、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_２−４０（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_５−８０、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．００１−１}（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_{１．５−０．１}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを更に含み、式中、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであり、それぞれの出現において、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態１〜６３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６５は、前駆体接着剤組成物が、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_１５０、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）（Ｒ^ｆＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{３００−６００}（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{８００−１０００}（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_５−１５、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_６００、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_５−６、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＲ^１ＳｉＯ_２／２）_５−２０（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１０−４０}、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_１００、及び（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_５−２０（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_{１０−４０}、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを更に含み、式中、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであり、それぞれの出現において、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態１〜６４のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６６は、前駆体接着剤組成物が、非直鎖状ビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、直鎖状ビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、直鎖状ビニルジメチルシロキシ末端ポリ（ｃｏ−（フルオロ（Ｃ_ｍ）アルキル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサン−ビニルメチルシロキサン）、直鎖状ビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、直鎖状トリメチルシロキシ末端ポリ（ｃｏ−ジメチルシロキサン−ハイドロジェンメチルシロキサン）、ハイドロジェンジメチルシロキシ末端シロキサン、トリメチルシロキシ末端ポリ（ｃｏ−（フルオロ（Ｃ_ｍ）アルキル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサン）、直鎖状ハイドロジェンジメチルシロキシ末端ジメチルシロキサン、直鎖状トリメチルシロキシ末端ポリ（ｃｏ−ジメチルシロキサン−ハイドロジェンメチルシロキサン）、ポリ（ｃｏ−ハイドロジェンシルセスキオキサン−（（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル）シルセスキオキサン、及びポリ（ｃｏ−ハイドロジェンシルセスキオキサン−（（Ｃ_６−Ｃ_２０）アリール）シルセスキオキサンのうち少なくとも１つを更に含み、各フルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルは独立して、１〜２ｍ＋１個のフッ素基を有し、ｍは独立して１〜２０である、実施形態１〜６５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６７は、前駆体接着剤組成物が、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１−８（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{６０−１８０}（ＳｉＯ_４／２）_１−２、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_５−２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{１５−５５}（ＳｉＯ_４／２）_{２５−８５}、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{７５−２２５}、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＭｅＳｉＯ_２／２）_{１００−８００}（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{４００−２０００}（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_２−３０、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{４００−１２００}、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１−６（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_３−９、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１−２（ＳｉＯ_４／２）_{０．５−１．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＭｅＳｉＯ_２／２）_２−４０（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−８０、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−２００}、（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．００１−１}（ＭｅＳｉＯ_３／２）_{１．５−０．１}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．００１−１}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１．５−０．１}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを更に含み、式中、それぞれの出現において、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態１〜６６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６８は、前駆体接着剤組成物が、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＭｅＳｉＯ_２／２）_{３００−６００}（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{８００−１０００}（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_５−１５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_６００、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＭｅＳｉＯ_２／２）_５−２０（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_{１０−４０}、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００、（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（ＭｅＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを更に含み、式中、それぞれの出現において、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態１〜６７のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態６９は、前駆体接着剤組成物が、０．１：１〜１０：１のＳｉ−Ｈ対アルケニル比を有する、実施形態１〜６８のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７０は、前駆体接着剤組成物が、０．７：１〜２：１のＳｉ−Ｈ対アルケニル比を有する、実施形態１〜６９のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７１は、前駆体接着剤組成物が、界面活性剤、乳化剤、分散剤、ポリマー安定剤、架橋剤、ポリマー、重合又は架橋触媒、レオロジー変性剤、濃度調整剤、アジリジン安定剤、硬化変性剤、フリーラジカル反応開始剤、希釈剤、酸受容体、抗酸化剤、熱安定剤、難燃剤、スカベンジング剤、シリル化剤、泡安定剤、溶媒、ヒドロシリル化反応性希釈剤、可塑剤、充填剤、無機粒子、色素、染料、乾燥剤、液体、１分子当たり少なくとも１個のアルケニル又はアルキニル基を有するポリエーテル、増粘剤、安定化剤、ワックス、ワックス様材料、シリコーン、有機官能性シロキサン、アルキルメチルシロキサン、シロキサン樹脂、シリコーンガム、シリコーンカルビノール流体、水溶性又は水分散性シリコーンポリエーテル組成物、シリコーンゴム、ヒドロシリル化触媒阻害剤、接着促進剤、熱安定剤、ＵＶ安定剤、及び流れ制御添加剤のうち少なくとも１つを更に含む、実施形態１〜７０のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７２は、接着剥離層が、０．１μｍ〜５００μｍの厚みを有する、実施形態１〜７１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７３は、固定することにより、接着剥離層が介在層無しにキャリア基板上に直接存在する表示デバイスを処理する中間体が提供される、実施形態１〜７２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７４は、固定することにより、接着促進剤層がキャリア基板と接着剥離層との間に存在する表示デバイスを処理する中間体が提供される、実施形態１〜７３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７５は、接着促進剤層がシラン、オルガノシラン、オルガノシロキサン、オルガノチタネート、オルガノジルコネート、ジルコノアルミネート、リン酸エステル、アクリル酸又はその塩若しくはエステル、メチルアクリル酸又はその塩若しくはエステル、ポリウレタンモノマー又はオリゴマー、ビニルホスホン酸又はその塩若しくはエステル、ビニルスルホン酸又はその塩若しくはエステル、及び２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸又はその塩若しくはエステルのうち少なくとも１つを含む接着促進剤前駆体組成物を硬化した硬化生成物を含む、実施形態７４に記載の方法である。

実施形態７６は、接着促進剤層がトリアルコキシシロキシ基、トリアルコキシシリルアルキル基、ヒドロシリル基、アルケニル基、エポキシ官能基、アミノ基、ハロシリル基、メルカプトシリル基、及びフルオロアルキルシリル基のうち少なくとも１つを含むシラン又はシロキサンのうち少なくとも１つを含む接着促進剤前駆体組成物を硬化した硬化生成物を含む、実施形態７４又は７５に記載の方法である。

実施形態７７は、接着促進剤層は０．０００１μｍ〜５００μｍの厚みを有する、実施形態７４〜７６のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７８は、介在層が、接着促進剤層とキャリア基板との間に、又は接着促進剤層と接着剥離層との間に生じない、実施形態７４〜７７のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態７９は、固定することが、表示デバイス基板をキャリア基板上に、前駆体接着剤組成物及び接着剥離層のうち少なくとも１つを表示デバイス基板とキャリア基板上との間に用いて配置することを含む、実施形態１〜７８のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８０は、表示デバイス基板を固定する前に、接着剥離層をキャリア基板及び表示デバイス基板のうち少なくとも１つの上に形成することを更に含む、実施形態１〜７９のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８１は、形成することが、前駆体接着剤組成物をキャリア基板及び表示デバイス基板のうち少なくとも１つの上に配置することと、前駆体接着剤組成物を硬化して、前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を形成することを含む、実施形態８０に記載の方法である。

実施形態８２は、配置することが、吹き付け、スピニング、ドローダウンバー（ｄｒａｗ−ｄｏｗｎｂａｒ）、ドクターブレード、及びディッピングのうち少なくとも１つを使用して、前駆体接着剤組成物を、キャリア基板及び表示デバイスのうち少なくとも１つの上に配置することを含む、実施形態８１に記載の方法である。

実施形態８３は、接着剥離層をキャリア基板上に形成する前に、接着促進剤層をキャリア基板に結合させることを更に含む、実施形態８０〜８２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８４は、キャリア基板を接着剥離層に固定する前に、接着促進剤層を接着剥離層に結合させることを更に含む、実施形態８０〜８３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８５は、固定することにより、接着剥離層が介在層無しに表示デバイス基板上に直接存在する表示デバイスを処理する中間体が提供される、実施形態１〜８４のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８６は、固定することにより、剥離層が接着剥離層と表示デバイス基板との間に存在する表示デバイスを処理する中間体が提供される、実施形態１〜８５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態８７は、剥離層が、フルオロシラン、フルオロシロキサン、フルオロオルガノシラン、フルオロオルガノシロキサン、フッ素化ケイ素樹脂、フッ素化シルセスキオキサン樹脂、（Ｃ_６−Ｃ_２０）アリールシロキサン、及び（置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル）−シルセスキオキサンのうち少なくとも１つを含む、剥離層前駆体組成物を硬化した硬化生成物を含む、実施形態８６に記載の方法である。

実施形態８８は、剥離層が、フルオロ（Ｃ_１−Ｃ_２００）ヒドロカルビル−置換（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシシラン、直鎖状（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化フルオロ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル置換オルガノポリシロキサン、ポリ（ｃｏ−ハイドロジェンシルセスキオキサン−（（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル）シルセスキオキサン）、及びポリ（ｃｏ−ハイドロジェンシルセスキオキサン（（Ｃ_６−Ｃ_２０）アリール）シルセスキオキサン）のうち少なくとも１つを含む、剥離層前駆体組成物を硬化した硬化生成物を含む、実施形態８６又は８７に記載の方法である。

実施形態８９は、剥離層が、剥離層前駆体組成物を硬化した硬化生成物を含み、該剥離層前駆体組成物が、Ｆ（（ＣＦ_２）_３Ｏ）_ｃｃ（ＣＦ_２）_０−１０（ＣＨ_２）_０−１０（Ｏ）_０−１（ＣＨ_２）_０−１０Ｓｉ（ＯＭｅ）_３、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＭｅＳｉＯ_２／２）_{１５０−１２００}（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{４００−２０００}（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_２−３０、（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．００１−１}（ＭｅＳｉＯ_３／２）_{１．５−０．１}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．００１−１}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１．５−０．１}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを含み、式中、ｃｃは０〜２００であり、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される０、１、２、又は３個の基による１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態８６〜８８のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９０は、剥離層が、剥離層前駆体組成物を硬化した硬化生成物を含み、該剥離層前駆体組成物が、Ｆ（（ＣＦ_２）_３Ｏ）_ｃｃＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＯＭｅ）_３、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^ｆＭｅＳｉＯ_２／２）_{３００−６００}（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{８００−１０００}（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_５−１５、（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（ＭｅＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］のうち少なくとも１つを含み、式中、ｃｃは１７〜２５であり、Ｒ^ｆは独立して、他とは違って置換されていないか又は更に置換されており、１〜２ｍ＋１個のフッ素基［式中、ｍは独立して１〜２０である。］を有するフルオロ（Ｃ_ｍ）アルキルであり、（Ｃ_ｍ）アルキル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、実施形態８６〜８９のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９１は、剥離層は０．０００１μｍ〜５００μｍの厚みを有する、実施形態８６〜９０のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９２は、介在層が、接着剥離層と剥離層との間に、又は剥離層と表示デバイス基板との間に生じない、実施形態８６〜９１のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９３は、接着剥離層を用いて表示デバイス基板をキャリア基板上に固定することが、剥離層を介して表示デバイス基板を接着剥離層上に固定することを含む、実施形態１〜９２のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９４は、表示デバイス基板を処理することを更に含む、実施形態１〜９３のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９５は、表示デバイス基板を処理することが、洗浄、乾燥、成膜、液体フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去、封止、蒸着、接着処理、加熱、アニーリング、照射、冷却のうち少なくとも１つ、並びに、表示デバイス基板上に半導体材料、半導体デバイス、ダイオード、発光ダイオード、トランジスタ、トランジスタアレイ、コンデンサ、導電性経路、回路パターン、ゲートライン、データライン、電気コネクタ、電極、透明電極、電気絶縁体、電気絶縁層、保護層、色フィルタ、液晶、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、パッシベーション層、電気泳動膜、及び電子輸送層のうち少なくとも１つを配置、形成、及び修飾することのうち少なくとも１つを含む、実施形態９４に記載の方法である。

実施形態９６は、表示デバイス基板をキャリア基板から取り外すことを更に含む、実施形態１〜９５のいずれか１つに記載の方法である。

実施形態９７は、取り外すことが、１ｇ／ｃｍ〜２００ｇ／ｃｍの９０°剥離力を使用して表示デバイス基板をキャリア基板から剥離することを含む、実施形態９６に記載の方法である。

実施形態９８は、取り外すことが、２ｇ／ｃｍ〜６０ｇ／ｃｍの９０°剥離力を使用して表示デバイス基板をキャリア基板から剥離することを含む、実施形態９６又は９７に記載の方法である。

実施形態９９は、実施形態１〜９８のいずれか１つに記載の方法を含む、表示デバイス又は表示デバイス構成部品の形成方法である。

実施形態１００は、実施形態１〜９９のいずれか１つに記載の方法により形成した表示デバイス又は表示デバイス構成部品である。

実施形態１０１は、表示デバイス基板の処理方法であって、該方法は、前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む接着剥離層を用いてキャリア基板に表示デバイス基板を固定することを含み、該前駆体接着剤組成物は、０．１重量％〜９９重量％の構成成分（Ａ）であって、構成成分（Ａ）は（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、及び（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１は独立して上で定義したとおりである。］から選択されるハイドロジェンオルガノポリシロキサンである、構成成分（Ａ）、並びに、０．１重量％〜９９．９重量％、あるいは０．１〜９９重量％の構成成分（Ｂ）であって、構成成分（Ｂ）は、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、及び（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１及びＲ^２は独立して上で定義したとおりである。］から選択されるアルケニル官能化オルガノポリシロキサンである、構成成分（Ｂ）、を含み、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つは非直鎖状であり、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルである、方法である。構成成分（Ａ）及び（Ｂ）を含む前駆体接着剤組成物において、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量は５０重量％〜９９重量％である。

実施形態１０２は、キャリア基板と；構成成分（Ａ）ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、並びに構成成分（Ｂ）（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサンを含む前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含み、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、キャリア基板上の接着剥離層（構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つは非直鎖状である。）と；接着剥離層を介してキャリア基板に固定された表示デバイス基板と；を含む表示デバイスを処理する中間体である。

実施形態１０３は、キャリア基板と接着剥離層との間に接着促進剤層を更に含む実施形態１０２の処理中間体である。

実施形態１０４は、接着剥離層と表示デバイス基板との間に剥離層を更に含む実施形態１０２又は１０３に記載の処理中間体である。

実施形態１０５は、キャリア基板と；０．１重量％〜９９重量％の構成成分（Ａ）であって、構成成分（Ａ）は、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}及び（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１は独立して上で定義したとおりである。］から選択されるハイドロジェンオルガノポリシロキサンである、構成成分（Ａ）、並びに、０．１重量％〜９９．９重量％、あるいは０．１〜９９重量％の構成成分（Ｂ）であって、構成成分（Ｂ）は、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}及び（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１及びＲ^２は独立して上で定義したとおりである。］から選択されるアルケニル官能化オルガノポリシロキサンである、構成成分（Ｂ）、を含む前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む、キャリア基板上の接着剥離層（構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つは非直鎖状であり、それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の中断基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルである。）と；接着剥離層を介してキャリア基板に固定された表示デバイス基板と；を含む表示デバイスを処理する中間体である。前駆体接着剤組成物が構成成分（Ａ）及び（Ｂ）を含む場合、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量は５０重量％以上＜１００重量％である。

実施形態１０６は、列挙された全ての要素又は選択肢が使用又は選択可能となるように、所望により構成された実施形態１〜１０５のいずれか１つ、又は任意の組み合わせの装置又は方法である。

実施形態１０７は、実施形態１〜１０６のいずれか１つに記載の接着剥離層である。

本明細書を通して、範囲形式で表される値は、その範囲の限界として明記された数値を含むだけではなく、各数値及び部分的範囲が明記されているかのように、その範囲内に包含される全ての個々の数値又は部分的範囲もまた含むように、柔軟な方式で解釈されるべきである。例えば、「０．１％〜５％」又は「０．１％〜５％」の範囲は、単に０．１％〜５％を含むだけではなく、示される範囲内の個々の値（例えば、１％、２％、３％、及び４％）並びに部分範囲（例えば、０．１％〜０．５％、１．１％〜２．２％、３．３％〜４．４％）もまた含む。

本明細書に記載の製造方法において、時間又は操作順序が明示的に列挙される、又ははっきりと示唆される場合を除いて、本発明の原理を逸脱することなく、行為又は工程を任意の順序で実施することができる。更には、特定の複数の行為は、それらが別々に実施されることが特許請求の範囲の言葉で明記されていない限り、同時に実施することができる。例えば、Ｘを行うという特許請求がなされた行為とＹを行うという特許請求がなされた行為とは、単一の操作内で同時に遂行することができ、その結果的なプロセスは、特許請求されるプロセスの、文字通りの範囲内に包含される。いくつかの態様では、行為又は工程を、記載したとおりの順序で実施する。

本明細書では、用語「ａ」、「ａｎ」、又は「ｔｈｅ」は、文脈から明らかにそうでないことが示されていない限り、１つ又は２つ以上を含むために使用される。用語「又は（ｏｒ）」は、特に記載のない限り、包括的な「ｏｒ」を指すために使用される。記述「Ａ及びＢのうち少なくとも１つ」は、「Ａ、Ｂ、又はＡ及びＢ」と同じ意味を有し、これは「Ａ又はＢ又はＡ及びＢ」と同じ意味を有する。あらゆるセクションの見出しの使用は、文書の読解を補助することを目的とするが、これに限定されない。項目の見出しに関連する情報は、その特定の項目内に記載されていても項目外に記載されていてもよい。

用語「アシル」とは、本明細書で使用する場合、カルボン酸からＨＯ−基を取り除くことにより正式に誘導される一価の基を意味する。この基は非置換又は置換であってよい。

用語「アルケニル」とは、本明細書で使用する場合、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）を含有する一価の不飽和脂肪族基を意味する。アルケニルは、直鎖、分枝鎖、又は環状であることができる。アルケニルは１個又は２個のＣ＝Ｃを有することができる。アルケニル基は、２〜４０個の炭素原子、又は２〜２０個の炭素原子、又は２〜１２個の炭素原子、又はいくつかの実施形態では、２〜８個の炭素原子を有してよい。例としては、とりわけビニル、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ_３）、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）_２、−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２、−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ（ＣＨ_３）、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）＝ＣＨ_２、シクロヘキセニル、シクロペンテニル、シクロヘキサジエニル、ブタジエニル、ペンタジエニル、及びヘキサジエニルが挙げられるが、これらに限定されない。この基は非置換又は置換であってよい。

用語「アルコキシ」とは、本明細書で使用する場合、脂肪族基が非環式又は環式である、一価の飽和又は不飽和脂肪族−Ｏ−基を意味する。直鎖状アルコキシ基の例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、及びヘキシルオキシが挙げられるが、これらに限定されない。分枝鎖アルコキシの例としては、イソプロポキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、イソペンチルオキシ、及びイソヘキシルオキシが挙げられるが、これらに限定されない。環式アルコキシの例としては、シクロプロピルオキシ、シクロブチルオキシ、シクロペンチルオキシ、及びシクロヘキシルオキシが挙げられるが、これらに限定されない。アルコキシ基は、酸素原子に結合した１〜１２、１〜２０、又は１〜４０個の炭素原子を含むことができ、更に二重又は三重結合を含むことができ、また更にヘテロ原子を含むことができる。例えば、アリルオキシ基又はメトキシエトキシ基はまた、本明細書の意味でのアルコキシ基であり、構造中の２個の隣接する原子が置換されている文脈においては、メチレンジオキシ基もアルコキシ基である。この基は非置換又は置換であってよい。

用語「アルキル」とは、本明細書で使用する場合、直鎖、分枝鎖、又は環式であり、１〜４０個の炭素原子、１〜２０個の炭素原子、１〜１２個の炭素、又はいくつかの実施形態では１〜８個の炭素原子を有する一価の飽和炭化水素基である。直鎖アルキル基の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、及びｎ−オクチル基等の１〜８個の炭素原子を有するものが挙げられる。分枝状アルキル基の例としては、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ネオペンチル、イソペンチル、及び２，２−ジメチルプロピル基が挙げられるが、これらに限定されない。本明細書で使用する場合、用語「アルキル」は、ｎ−アルキル基、イソアルキル基、及びアンテイソアルキル基、並びにアルキルの他の分枝鎖形態を包含する。この基は非置換又は置換であってよい。代表的な置換アルキル基は、本明細書に列挙される基のいずれか、例えばアミノ、ヒドロキシ、シアノ、カルボキシ、ニトロ、チオ、アルコキシ、及びハロゲン基で１回又は複数回置換されていてもよい。用語「アルキレン」とは、本明細書で使用する場合、二価が任意の２個の炭素原子上に存在することができるアルカンジイルを示す。

用語「アルキニル」とは、本明細書で使用する場合、少なくとも１個の炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）を含有する一価の不飽和脂肪族基を意味し、直鎖又は分枝鎖であってよい。アルキニル基は、２〜４０個の炭素原子、２〜２０個の炭素原子、又は２〜１２個の炭素、又はいくつかの実施形態では、２〜８個の炭素原子を有してよい。例としては、とりわけ−Ｃ≡ＣＨ、−Ｃ≡Ｃ（ＣＨ_３）、−Ｃ≡Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）、−ＣＨ_２Ｃ≡ＣＨ、−ＣＨ_２Ｃ≡Ｃ（ＣＨ_３）、及び−ＣＨ_２Ｃ≡Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）が挙げられるが、これらに限定されない。この基は非置換又は置換であってよい。

「あるいは」とは、異なる実施形態を強調しなければならない。

用語「アミン」とは、本明細書で使用する場合、アンモニアの１、２、又は３個の水素原子をヒドロカルビル基で独立して置き換えることによりアンモニア（ＮＨ_３）から正式に誘導される化合物を意味する。アミンは、例えば、式Ｎ（基）_３［式中、各基は独立してＨ又は非−Ｈ、例えばアルキル、及びアリールであることができる。］を有する一級、二級、及び三級アミンであってよい。アミンとしては、Ｒ−ＮＨ_２、例えばアルキルアミン、アリールアミン、（アルキルアリール）アミン、Ｒ_２ＮＨ（各Ｒは独立して選択される）、例えば、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、（アラルキル）アミン、（アルキル）（アリール）アミン、及びヘテロシクリルアミン、並びにＲ_３Ｎ（各Ｒは独立して選択される）、例えば、トリアルキルアミン、ジアルキルアリールアミン、アルキルジアリールアミン、及びトリアリールアミンが挙げられるが、これらに限定されない。Ｒは非置換又は置換であってよい。

用語「アリール」は本明細書で使用する場合、一価の炭素環式芳香族炭化水素基を意味する。したがって、アリール基としては、限定するものではないが、フェニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニル基、インダセニル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ビフェニレニル基、アントラセニル基、及びナフチル基などが挙げられる。いくつかの実施形態において、アリール基は、基の環部分内に６〜１４個の炭素を含有する。アリール基は非置換であることができる、あるいは、本明細書に定義する有機基又は非炭素含有基で置換することができる。この基は非置換又は置換であってよい。代表的な置換アリール基はモノ置換であることができる、又は２個以上が置換されることができ、限定されないが、フェニル環の２、３、４、５、又は６位の１つ以上が置換されているフェニル基、あるいはナフチル環の２位〜８位の１つ以上が置換されているナフチル基などである。

「〜することができる（ｃａｎ）」又は「〜であってよい（ｍａｙ）」は、選択の余地を与えるものであって、命令するものではない。

用語「コーティング」又は「フィルム」とは、本明細書で使用する場合、材料の連続層又は不連続層を意味する。層は自立構造であることができる、又は物品の表面に配置されることができる。材料の層は、物品の表面を貫通することができ、また孔などの領域を充填することができ、材料の層は、平坦面又は湾曲面を含む任意の三次元形状を有することができる。１つの例では、コーティングは、コーティング材料の浴に浸漬することによって、１つ以上の表面（いずれも多孔質であっても非多孔質であってもよい）上に形成され得る。

用語「炭化水素」とは、本明細書で使用する場合、非置換であることができ、炭素及び水素原子からなる、又は置換されていることができ、炭素及び水素原子、並びにハロゲン、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、及びＳｉから選択される少なくとも１個のへテロ原子を含む分子を意味する。

本明細書で使用する場合、用語「ヒドロカルビル」とは、水素原子を取り除くことにより、直鎖、分枝状又は環状炭化水素から正式に誘導される一価の官能基を意味し、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、シクロアルキル、アシル、又はこれらの組み合わせであることができる。ヒドロカルビル基は（Ｃ_ａ−Ｃ_ｂ）ヒドロカルビルとして示すことができ、式中、ａ及びｂは整数であり、ａ個〜ｂ個の数の炭素原子のいずれかを有することを意味する。例えば、（Ｃ_１−Ｃ_４）ヒドロカルビルはヒドロカルビル基を意味し、メチル（Ｃ_１）、エチル（Ｃ_２）、プロピル（Ｃ_３）、又はブチル（Ｃ_４）であることができる。（Ｃ_０−Ｃ_ｂ）ヒドロカルビルは、特定の実施形態において、ヒドロカルビル基が存在しないことを意味する。

主鎖原子にラジカルを有する一価の基に適用される用語「中断されている」とは、（ｉ）又は（ｉｉ）を意味する：（ｉ）１個の主鎖原子を有する、即ちラジカルを有する一価の基において、「中断されている」とは、１個の主鎖原子とラジカルとの間に正式に挿入されている（例えば、Ｈ_３Ｃ−に正式に挿入された二価の中断基Ｑによって、Ｈ_３Ｃ−Ｑ−をもたらす）ことを意味する、又は、（ｉｉ）ラジカルが任意の２個以上の主鎖原子の１つに位置している、２個以上の主鎖原子を有する一価の基において、「中断されている」とは、１個の主鎖原子とラジカル（例えば上述したもの）との間、又は任意の２個の主鎖原子の間のいずれかに正式に挿入されている（例えば、Ｈ_３Ｃ−ＣＨ_２−に正式に挿入された二価の中断基Ｑにより、Ｈ_３Ｃ−Ｑ−ＣＨ_２−をもたらす）ことを意味する。典型的な、中断されているそれぞれの一価の基は独立して、１、２、又は３個の中断基Ｑにより、あるいは１又は２個の中断基Ｑにより、あるいは２又は３個の中断基Ｑにより、あるいは１個の中断基Ｑにより、あるいは２個の中断基Ｑにより、あるいは３個の中断基Ｑにより中断されてよい。２又は３個のＱ基が存在する場合、これらは通常は、互いに直接結合していない（即ち、２又は３個の中断基Ｑを有する中断されている一価の基は、Ｑ−Ｑ基を非含有であり得る）。中断されているそれぞれの一価の基は独立して、本明細書の他の場所に記載されているとおりに定義することができる（例えば、中断されているヒドロカルビル又は中断されている（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル）。それぞれの中断基Ｑは独立して、本明細書の他の場所に記載する中断基に関するとおりに定義することができる（例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、又は−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−）。用語「中断されている」は、上述のものに類似した方法で、分子又は多価の基に適用することができる。用語「中断されていない」とは、二価の中断基Ｑを有しない（欠いている、即ち０個のＱ）を意味する。

用語「直鎖状」とは、分枝点を欠いている、又は非含有であることを意味する。例えば、直鎖状ポリシロキサン（例えば、直鎖状ハイドロジェンオルガノポリシロキサン及び直鎖状アルケニル官能性オルガノポリシロキサン）は、主鎖に分枝点を有しない（即ち０個である）。したがって、主鎖はＭ単位（例えば、Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２、ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２、又はＭｅ_３ＳｉＯ_１／２）、及びＤ単位（例えば、Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２、ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２、又はＭｅ_２ＳｉＯ_２／２）のみからなる。

用語「非直鎖状」とは、少なくとも１個の分枝点を有することを意味する。例えば、非直鎖状ポリシロキサン（例えば、非直鎖状ハイドロジェンオルガノポリシロキサン及び非直鎖状アルケニル官能性オルガノポリシロキサン）は、主鎖に少なくとも１個の分枝点を有する。各分枝点は独立して、場合により、Ｔ単位（例えば、Ｒ^１ＳｉＯ_３／２、Ｒ^２ＳｉＯ_３／２、若しくはＨＳｉＯ_３／２）、又はＱ単位（ＳｉＯ_４／２）であることができる。非直鎖状ポリシロキサンは場合により、更にＭ及び／又はＤ単位を有してよい、あるいは有しなくてもよい。

用語「数平均分子量」（Ｍ_ｎ）とは、本明細書で使用する場合、試料中の個々の分子の分子量の、通常の相加平均を意味する。数平均分子量は、試料中の全分子の総重量を、試料中の分子の総数で除したものとして定義される。実験により、式Ｍ_ｎ＝ΣＭ_ｉｎ_ｉ／Σｎ_ｉにより、分子量Ｍ_ｉのｎ_ｉ個の分子を有する種ｉの分子量に除した試料を分析することによってＭ_ｎを測定する。Ｍ_ｎは、ゲル透過クロマトグラフィー、分光末端基分析、及び浸透圧測定を含む様々な周知の方法により測定することができる。測定では、既知のＭ_ｎのポリスチレン規格を使用することができる。明記しない限り、本明細書で与えられるポリマーの分子量は、数平均分子量である。

用語「オリゴマー」とは、本明細書で使用する場合、中間体の相対分子量を有する分子を意味し、オリゴマーの構造は本質的に、より低い相対分子量を有する分子（例えば、より少ない繰り返し単位を有するモノマー又はオリゴマー）から実際的に又は概念的に由来する２〜４個の繰り返し単位を含む。中程度の相対質量を有する分子は、単位が１個又はほんの一部除去されても変動する特性を有する分子であり得る。多くの単位から１個を除去することで生じる特性の変動は、有意な変動であり得る。

用語「有機基」とは、本明細書で使用する場合、任意の一価又は多価の炭素含有官能基を意味する。各有機基は独立して非置換であってよい、あるいは非置換であってよい。例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、オキソ（カルボニル）基、カルボン酸、カルボキシレート、及びカルボン酸エステルを含むカルボキシル基のような酸素含有基；アルキル及びアリールスルフィド基のような硫黄含有基、並びに他のへテロ原子含有基。有機基の非限定的な例としては、ＯＲ、ＯＯＲ、ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、ＣＮ、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、Ｒ、Ｃ（Ｏ）、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ、Ｎ（Ｒ）_２、ＳＲ、ＳＯＲ、ＳＯ_２Ｒ、ＳＯ_２Ｎ（Ｒ）_２、ＳＯ_３Ｒ、Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）ＣＨ_２Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｓ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）ＯＲ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｒ）_２、（ＣＨ_２）_０−２Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、（ＣＨ_２）_０−２Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）ＯＲ、Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）ＣＯＮ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）ＳＯ_２Ｒ、Ｎ（Ｒ）ＳＯ_２Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）ＯＲ、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｓ）Ｒ、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（ＣＯＲ）ＣＯＲ、Ｎ（ＯＲ）Ｒ、Ｃ（＝ＮＨ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＯＲ）Ｒ、Ｃ（＝ＮＯＲ）Ｒ、及び置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_１００）ヒドロカルビル［式中、Ｒは水素（他の炭素原子を含む例において）、又は炭素系基であり、炭素系基は置換又は非置換であることができる。］が挙げられる。

オルガノシロキサンは異なる種類の単位を含有することができ、これらのうち少なくとも１つは、ケイ素結合有機基（Ｓｉ−Ｃ）を含有する。メチル含有シロキサン単位は、［（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２］、［（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_２／２］、及び［（ＣＨ_３）ＳｉＯ_３／２］であり、これらはそれぞれ、Ｍ、Ｄ、及びＴと略される、即ち上付き文字がない場合がある。別の種類のオルガノシロキサン単位は［ＳｉＯ_４／２］であり、これはＱと略される。他の種類のオルガノシロキサン単位は、メチルの代わりにある原子又は基の少なくとも１回の出現を含有するＭ、Ｄ、及びＴ単位である。例えば、［（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２］単位中の１、２、又は３個のメチル、［（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_２／２］単位中の１又は２個のメチル、及び［（ＣＨ_３）ＳｉＯ_３／２］単位中の１個のメチルは独立して、Ｈ若しくはハロゲンなどの原子、ヒドロキシルなどの無機基、又はメチル以外の有機基により置き換えられてよい。メチルの代わりに置換原子又は基を含有するこのようなＭ、Ｄ、及びＴ単位は、置換原子又は基を、対応するＭ、Ｄ、又はＴの文字の上に上付き文字で記載することにより略される場合がある。置換されたメチルの数は、上付き文字の基の数により表される。例えば、Ｍ^Ｖｉは、１個のビニル（Ｖｉ）及び２個のメチルを有するＭ単位（即ち、［Ｖｉ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２］）を示すが、Ｍ^２Ｖｉは、２個のビニルと１個のメチルを有するＭ単位（即ち、［Ｖｉ_２（ＣＨ_３）ＳｉＯ_１／２］）を示す。同様に、Ｄ^Ｈは、１個の水素原子と１個のメチルを有するＤ単位（即ち、［Ｈ（ＣＨ_３）ＳｉＯ_２／２］）を示すが、Ｄ^Ｈ、Ｐｈは、０個のメチル、１個のＨ原子、及び１個のフェニルを有するＤ単位（即ち、［Ｈ（Ｐｈ）ＳｉＯ_２／２］）を示す。Ｔ^ＯＡｌｋは、０個のメチルと１個のアルコキシ基を有するＴ単位（即ち、［ＡｌｋＯＳｉＯ_３／２］、式中ＡｌｋＯ及びＯＡｌｋは同じアルコキシ基を示す）を示す。

本明細書で使用する場合、用語「ポリマー」とは、少なくとも５個の繰り返し単位を有する分子を意味し、ホモポリマー、及びコポリマーなどのインターポリマーを含むことができる。

化学命名法又は価数の必要条件により別様に示されない限り、各「Ｒ」基は本明細書において、一価の基である。「Ｒ」基の例は、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^ｆである。

用語「樹脂」とは、本明細書で使用する場合、少なくとも４個のシロキサン単位を含む分子を含み、少なくとも１個のシロキサン単位がＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を介して、３個又は４個のシロキサン単位に結合している任意の粘度のポリシロキサン材料を意味する。一例では、ポリシロキサン材料は、本明細書に定義するＴ及び／又はＱ単位の大部分を含む。

用語「溶媒」は、本明細書で使用するとき、固体、液体、又は気体を溶解し得る液体を指す。溶媒の非限定的な例は、シリコーン流体、３０℃〜３００℃の沸点を有する有機化合物（例えばアルコール）、水、イオン性液体、及び超臨界流体である。本明細書における特定の混合物の実施形態において、溶媒は特定の構成成分を完全に溶解することができる、あるいは完全に溶解しなくてもよい。特定の構成成分を完全に溶解しない溶媒は、担体、希釈剤、分散剤、ホスト媒体（ｈｏｓｔｉｎｇｍｅｄｉｕｍ）、又は上清として機能することができる。

用語「実質的に」とは、本明細書で使用する場合、大部分又はほとんど、例えば少なくとも６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、９６％、９７％、９８％、９９％、９９．５％、９９．９％、９９．９９％、又は９９．９９９％、あるいは１００％を意味する。

本明細書に定義した分子又は有機基に関連する、用語「置換された」とは、本明細書で使用する場合、中に含有される１個以上の水素原子が、１個以上の非水素原子で置換されている状態を意味する。用語「官能基」又は「置換基」は、本明細書で使用するとき、分子又は有機基上で置換可能であるか又は置換されている基を指す。置換基又は官能基の例としては、限定するものではないが、ハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩ、あるいは、Ｆ、Ｃｌ、又はＢｒ、あるいは、Ｆ又はＣｌ、あるいは、Ｃｌ、又はＢｒ、あるいは、Ｆ、あるいは、Ｃｌ）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、オキソ（カルボニル）基、カルボン酸、カルボキシレート、及びカルボン酸エステルを含むカルボキシル基等の基の酸素原子、チオール基、アルキル及びアリールスルフィド基、スルホキシド基、スルホン基、スルホニル基、並びにスルホンアミド基等の基の硫黄原子；アミン、ヒドロキシアミン、ニトリル、ニトロ基、Ｎ−オキシド、ヒドラジド、アジド、及びエナミン等の基の窒素原子、並びに様々な他の基の他のヘテロ原子が挙げられる。置換された炭素（又は他の）原子に結合可能な置換基の非限定例としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＲ、ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、ＣＮ、ＮＯ、ＮＯ_２、ＯＮＯ_２、アジド、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、Ｒ、Ｏ、＝Ｏ（オキソ）、Ｓ（チオ）、Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ、Ｎ（Ｒ）_２、ＳＲ、ＳＯＲ、ＳＯ_２Ｒ、ＳＯ_２Ｎ（Ｒ）_２、ＳＯ_３Ｒ、Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）ＣＨ_２Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｓ）、Ｃ（Ｏ）ＯＲ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｒ）_２、（ＣＨ_２）_０−２Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、（ＣＨ_２）_０−２Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）ＯＲ、Ｎ（Ｒ）Ｎ（Ｒ）ＣＯＮ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）ＳＯ_２Ｒ、Ｎ（Ｒ）ＳＯ_２Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）ＯＲ、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｓ）Ｒ、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（Ｒ）Ｃ（Ｓ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｎ（ＣＯＲ）ＣＯＲ、Ｎ（ＯＲ）Ｒ、Ｃ（＝ＮＨ）Ｎ（Ｒ）_２、Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＯＲ）Ｒ、及びＣ（＝ＮＯＲ）Ｒが挙げられ、式中、Ｒは水素又は炭素系基であることができる、例えば、Ｒは水素、（Ｃ_１−Ｃ_１００）ヒドロカルビル、アルキル、アシル、シクロアルキル、アリール、アラルキル、ヘテロシクリル、ヘテロアリール、又はヘテロアリールアルキルであることができる、又は、式中、１個の窒素原子、又は隣接する複数の窒素原子に結合した２個のＲ基は、１個又は複数の窒素原子と共にヘテロシクリルを形成することができる。置換基中において、各Ｒは独立して非置換である、又はＦで置換されている。

本明細書で使用する場合、「Ｖｉ」とはビニル基、即ち−ＣＨ_２＝ＣＨ_２を表す。本明細書で使用する場合、「Ｍｅ」とはメチル基、即ち−ＣＨ_３を表す。「Ｐｈ」とはフェニル、即ちＣ_６Ｈ_５−を意味する。

任意の化合物は、天然存在比の同位体、同位体濃縮した同位体、及びそれらの混合物を含む、これらの全ての「同位体形態」を含む。いくつかの態様では、同位体形態は、天然存在比の同位体、あるいは同位体濃縮した同位体である。同位体濃縮した形態のケイ素含有化合物は、天然の存在比を超える量の重水素、三重水素、^２９Ｓｉ、^３０Ｓｉ、^３２Ｓｉ、又はこれらの任意の２種以上の組み合わせを有する。同位体濃縮した形態の化合物は、同位体濃縮した化合物又はそれから作製若しくは合成された同位体濃縮された材料の検出が有用である追加の用途を有し得る。このような使用の例は、医学研究及び偽造防止用途である。

いくつかの態様では、任意の組成物が、以下の化学元素の１個以上を非含有であってよい：（ｉ）ランタノイド及びアクチノイドを含む、２〜１３、及び１８属のいずれか１つのうち少なくとも１種の化学元素；（ｉｉ）ランタノイド及びアクチノイドを含む、元素周期表の第３周期〜第６周期のいずれか１つからの、少なくとも１つの化学元素；又は（ｉｉｉ）Ｓｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ、Ｎ、ハロゲン、本明細書の他の箇所に記載された任意の触媒の金属を除外しないことを除いて、（ｉ）及び（ｉｉ）の両方であってもよい。いくつかの態様では、任意の組成は、本明細書の他の箇所に記載された任意の触媒の金属を除いて、以下の原子番号：２、３、４、５、７、１０、１１、１２、１３、１５、１６、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８、７９、８０、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、及び１１６のいずれか１つを有する化学元素を含有しない。「化学元素」若しくは「原子」、化学元素の族（単数若しくは複数）、又は元素周期表は、２０１３年５月１日付けの版のＩＵＰＡＣにより発行された化学元素、族（単数若しくは複数）、及び元素周期表を意味するものとする。（ｉｕｐａｃ．ｏｒｇ／ｒｅｐｏｒｔｓ／ｐｅｒｉｏｄｉｃ＿ｔａｂｌｅ／を参照のこと）。

正に荷電した対イオンを有する塩である化合物において、対イオンは任意の好適な、正に荷電した対イオンであることができる。例えば、対イオンは、アンモニウム（ＮＨ_４ ^＋）、又はナトリウム（Ｎａ＋）、カリウム（Ｋ^＋）、若しくはリチウム（Ｌｉ^＋）などのアルカリ金属であることができる。いくつかの実施形態において、対イオンは＋１より大きい正電荷を有することができ、対イオンはいくつかの実施形態では、複数のイオン化された基（例えばＺｎ^２＋、Ａｌ^３＋）、又はアルカリ土類金属（例えばＣａ^２＋若しくはＭｇ^２＋）に錯体化することができる。

各種実施形態において、既存の方法が、表示デバイス基板をキャリア上に固定することを含む場合、表示デバイス基板を処理する既存の方法に優る特定の利点が存在する。例えば、いくつかの実施形態では、既存の方法と比較して、本方法は、より優れて特定の製造工程中に使用する過酷な化学処理（例えば、≦３の対数酸解離定数、ｐＫａを有する酸）、又は高温（例えば≧２００℃）に耐えることができる。いくつかの実施形態において、本方法は、既存の方法よりも、特定の製造工程中に、表示デバイス基板をよりしっかりと固定することができる。いくつかの既存の固定方法では、キャリアと表示基板との間の相対運動量、又は表示基板の可撓性の量が大きくなり得、表示基板上での電子構成部品の位置合わせ不良がもたらされる。様々な実施形態において、本方法は、既存の方法よりも低い剥離力で、表示基板をキャリアからより簡単に取り外すことを可能にすることができる。製造中の、キャリアに対する表示基板の移動が原因での、又は、固定、製造、若しくは取り外し中における表示基板への損傷が原因での故障は、製品製造ライン全体の運転停止を意味する場合がある。様々な実施形態は、既存の方法よりも低い故障率を有する、表示デバイス基板の処理方法についてである。

様々な実施形態において、本方法は、加工中に、接着促進剤無しで表示デバイス基板をしっかりと保持し、剥離層無しで表示デバイス基板の容易な取り外しを促進する接着剥離層を提供することができる。いくつかの実施形態において、表示デバイス基板をキャリアから取り外した後、キャリアを、大規模なリサイクル操作無しで数回再利用することができる。いくつかの実施形態において、既存の方法で必要とされるエキゾチックな（ｅｘｏｔｉｃ）装置又は化学物質とは対照的に、従来の装置及び化学物質を、ほとんど変形・修飾することなく、又は全く変形・修飾することなく、本法を実施することができる。

表示デバイス基板は、表示デバイス用の構成部品内に形成可能な任意の好適な材料を含むことができる。キャリア基板は、本方法を本明細書に記載したとおりに実施することができるような任意の好適な材料であることができる。様々な実施形態において、キャリア基板は、表示デバイス基板と同じ材料を含む、又は表示デバイス基板と同じ材料である。いくつかの実施形態において、表示デバイス基板及びキャリア基板は独立して、シリケートガラス、ケイ素（例えばシリコンウエハ）、セラミック、プラスチック（例えば、熱可塑性有機若しくはシリコーンポリマー）、金属（例えば鋼、銅）、又はこれらの組み合わせを含む。表示デバイス基板及びキャリア基板は独立して、表示デバイス基板及び／又はキャリア基板が独立して、その上に１種以上のコーティング又は処理中間体を含む、あるいは、滑らかな表面、研磨表面、又はテクスチャー表面などの任意の好適なトポグラフィーを有する表面を含むように、任意の好適な１種以上の化学処理又は物理処理を実施している、処理済み基材であることができる。いくつかの実施形態において、表示デバイス基板及び／又はキャリア基板は、コーティングされていない、そして処理されていないそのままの表面を有することができる。表示デバイス基板は可撓性、又は剛性であることができる。表示デバイス基板は任意の好適な厚み、例えば１ｎｍ〜５ｍｍ、１ｎｍ〜０．５ｍｍ、又は１ｎｍ〜１００μｍ、又は５ｍｍ超を有することができる。キャリア基板は、表示デバイス基板が加工中にしっかりと保持され、その後キャリア基板から取り外し可能であるように、任意の好適な程度の剛性を有することができる。キャリア基板は、本方法を本明細書に記載したとおりに実施することができるように、任意の好適な厚みを有することができる。例えば、キャリア基板は０．１ｍｍ〜１，０００ｍｍ、又は０．１ｍｍ未満、又は０．２ｍｍ〜５００ｍｍ、又は１，０００ｍｍを超える厚みを有することができる。様々な実施形態において、キャリア基板及び表示デバイス基板は、１５０×１０^−７／℃以下、５０×１０^−７／℃以下、又は１×１０^−１０／℃以下、又は１×１０^−９／℃以下、１×１０^−８／℃、１×１０^−７／℃、１×１０^−６／℃、１×１０^−５／℃、１×１０^−４／℃、１×１０^−３／℃、１×１０^−２／℃、又は１×１０^−１／℃以下若しくはそれ以上だけ異なる、同様の線形膨張係数を有する材料を含むことができる、又はこのような材料であることができる。

表示デバイス基板は、処理して発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）、エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、電子ペーパーディスプレイ、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、高性能アドレス指定ディスプレイ（ＨＰＡ）、薄膜トランジスタディスプレイ（ＴＦＴ）、有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）、表面伝導電子エミッタディスプレイ（ＳＥＤ）、レーザーＴＶディスプレイ、カーボンナノチューブディスプレイ、量子ドットディスプレイ、及び干渉変調ディスプレイ（ＩＭＯＤ）のうち少なくとも１つの表示デバイス構成部品を形成することができる、任意の好適な表示デバイス処理前駆体を含むことができる。

接着剥離層は、本方法を本明細書に記載したとおりに実施することができるような任意の好適な厚みを有することができる。いくつかの実施形態において、接着剥離層は、０．１μｍ〜５００μｍ、５μｍ〜１５０μｍ、１０μｍ〜１００μｍ、又は５００μｍより大きい厚みを有することができる。

接着剥離層を介して表示デバイス基板をキャリア基板に固定することは、任意の好適な固定であってよい。固定することには、表示デバイス基板と、接着剥離層及び前駆体接着剤組成物のうち少なくとも１つを接触させることを含むことができる。接触させることは、表示デバイス基板を接着剥離層に密に接着させるのに好適な条件下で、例えば真空（例えば、空気を取り除いて気泡を防ぐために）、及び場合により熱、光、又は照射を用いて（例えば、前駆体接着剤組成物を硬化させるために）、ロール又はプレスによる圧力結合などの様々な手段を用いて実施することができる。真空下にて圧力結合を実施することにより、若干の気泡が残っても、加熱中での気泡の成長が低減又は排除され、積層されたキャリア基板、及び表示デバイス基板の変形という欠点の発生（ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を回避又は低減する。いくつかの実施形態において、表示デバイス基板を接着剥離層に接触させる前に、あるいは接触させた後に、あるいは接触前及び後に、接着剥離層を硬化する。キャリア基板、表示デバイス基板、又は両方を、固定を実施する前に、例えば、基板を接着剥離層又は前駆体接着剤組成物のいずれかを用いて接触させる前に、洗浄することができる。

本方法には、表示デバイス基板をキャリア基板に固定する前に、接着剥離層をキャリア基板、及び表示デバイス基板のうち少なくとも１つの上に形成することを含むことができる。形成することには、前駆体接着剤組成物をキャリア基板及び表示デバイス基板ののうち少なくとも１つの上に配置することと、前駆体接着剤組成物を硬化して硬化生成物を形成することと、を含むことができる。前駆体接着剤組成物をキャリア基板及び表示デバイス基板のうち少なくとも１つの上に配置することは、表示デバイス基板をキャリア基板に固定する前に生じることができる。前駆体接着剤組成物を、キャリア基板及び表示デバイスのうち少なくとも１つの上に配置することは、任意の好適な方法、例えば、吹き付け、スピニング、ドローダウンバー、ドクターブレード、及びディッピングのうち少なくとも１つを使用することを含むことができる。

前駆体接着剤組成物を硬化して接着剥離層を形成することは、表示デバイス基板をキャリア基板に固定する前、間、及び／又は後に生じることができる。用語「硬化する」とは、本明細書で使用する場合、プレポリマー又はポリマーを、分子量の大きいポリマーに転換した後ネットワーク化することを意味する。硬化することは、前駆体接着剤組成物を任意の形態の照射、加熱に曝すこと、又は硬化若しくは２５℃で測定した［動的又は運動？］粘度の増加をもたらす物理反応若しくは化学反応を受けさせることを含んでよい。いくつかの実施形態において、前駆体接着剤組成物を硬化することは、任意の好適な硬化、例えばフリーラジカル硬化、縮合硬化、添加硬化（例えばヒドロシリル化）、任意の好適な架橋反応、又はこれらの組み合わせであることができる。硬化することには、光（例えば可視光、赤外線、紫外線）、好適な時間、例えば１分、若しくは１時間未満、若しくはそれ以上の間、熱（例えば４０℃以下、若しくは５０℃〜５００℃、例えば１２０℃〜２５０℃）、照射（例えば電子ビーム、γ線、Ｘ線）、又はこれらの組み合わせの適用を含むことができる。

様々な実施形態において、接着剥離層を介して表示デバイス基板をキャリア基板に固定することにより、接着剥離層がキャリア基板上、及び／又は表示デバイス基板上に、間に介在層無しで直接存在する表示デバイスを処理する中間体を提供することができる。別の実施形態において、１つ以上の追加の介在層、例えば接着促進剤層及び／又は剥離層を、接着剥離層とキャリア基板との間に形成することができる、又はこれらの間に生じさせることができる。いくつかの実施形態において、１つ以上の追加の介在層、例えば剥離層が、接着剥離層と表示デバイス基板との間に生じることができる。いくつかの実施形態では、表示デバイスを処理する中間体は、接着剥離層とキャリア基板との間に接着促進層を、そして、接着剥離層と表示デバイス基板との間に剥離層を含有することができる。

いくつかの実施形態において、キャリア基板と表示デバイス基板を固定することには、接着促進剤層を含むキャリア基板又は表示デバイス基板上に接着剥離層を形成することを含むことができる。いくつかの実施形態において、キャリア基板と表示デバイス基板を固定することには、接着剥離層をキャリア基板又は表示デバイス基板上に形成する前に、接着促進剤層をキャリア基板に結合することを含むことができる。固定することにより、接着促進剤層がキャリア基板と接着剥離層との間に存在する表示デバイスを処理する中間体を提供することができる。いくつかの実施形態において、１）接着促進剤層とキャリア基板との間、２）接着促進剤層と接着剥離層との間、３）又はこれらの組み合わせに、介在層は存在しない。

いくつかの実施形態において、キャリア基板と表示デバイス基板を固定することには、固定前に、接着剥離層上又は表示デバイス基板上に存在する剥離層を介して、表示デバイス基板を接着剥離層に固定することを含むことができる。いくつかの実施形態において、キャリア基板と表示デバイス基板を固定することには、剥離層を表示デバイス基板に結合すること、又は剥離層を接着剥離層に結合することを含むことができる。固定することにより、剥離層が表示デバイス基板と接着剥離層との間に存在する表示デバイスを処理する中間体を提供することができる。いくつかの実施形態において、１）剥離層と表示デバイス基板との間、２）剥離層と接着剥離層との間、３）又はこれらの組み合わせに、介在層は存在しない。

いくつかの実施形態において、本方法は、表示デバイス基板を処理することを含まない。いくつかの実施形態において、本方法は、表示デバイス基板を処理することを含むことができる。表示デバイス基板を処理することは、洗浄、乾燥、成膜、液体フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去、封止、蒸着、接着処理、加熱、アニーリング、照射、冷却のうち少なくとも１つ、並びに、表示デバイス基板上に半導体材料、半導体デバイス、ダイオード、発光ダイオード、トランジスタ、トランジスタアレイ、コンデンサ、導電性経路、回路パターン、ゲートライン、データライン、電気コネクタ、電極、透明電極、電気絶縁体、電気絶縁層、保護層、色フィルタ、液晶、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、パッシベーション層、電気泳動膜、及び電子輸送層のうち少なくとも１つを配置、形成、及び修飾することのうち少なくとも１つなどの、任意の好適な処理を含むことができる。

様々な実施形態において、本方法は、表示デバイス基板をキャリア基板から取り外すことを含むことができる。取り外すことは、表示デバイス基板を処理する前、あるいは後に生じることができる。取り外すことは、表示デバイス基板がキャリア基板から取り外される任意の好適な方法で実施することができる。取り外すことは、取り外した後に、接着剥離層が実質的に表示デバイス基板に接着していないように、そして、取り外した後に、任意の他の層（例えば剥離層）が表示デバイス基板に接着していないように、表示デバイス基板をキャリア基板から取り外すことを含むことができる。取り外すことは、取り外した後に、接着剥離層が実質的に表示デバイス基板に接着しておらず、取り外した後に、別の層（例えば剥離層）の全て又はいくつかが表示デバイス基板に接着しているように、表示デバイス基板をキャリア基板から取り外すことを含むことができる。

取り外すことは、物理的に取り外すこと（例えば剥離）、化学的に取り外すこと（例えば酸若しくは塩基処理を用いる）、又はこれらの組み合わせを含むことができる。接着剥離層及び任意の他の層を、表示デバイス基板をキャリア基板から取り外すのに十分な９０°剥離力が、１ｇ／ｃｍ〜２００ｇ／ｃｍ、２ｇ／ｃｍ〜６０ｇ／ｃｍ、又は１ｇ／ｃｍ以下、又は１００ｇ／ｃｍ〜２００ｇ／ｃｍであることができるような方法で形成することができる。長さは、取り外し位置における、表示デバイス基板とキャリア基板との重なった接着部分の幅を示す。

いくつかの実施形態において、本方法は、例えば取り外した後に、表示デバイス又は表示デバイス構成部品を形成することを含むことができる。別の実施形態において、表示デバイス又は表示デバイス構成部品を形成することなく、本方法を実施することができる。

後述の、適切に付番した実施形態を含むいくつかの態様では、構成成分（Ａ）は、式（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}のハイドロジェンオルガノポリシロキサンであり、構成成分（Ｂ）は、式（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}のアルケニル官能化オルガノポリシロキサンである。後述の、適切に付番した実施形態を含むいくつかの態様では、構成成分（Ａ）は、式（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}のハイドロジェンオルガノポリシロキサンであり、構成成分（Ｂ）は、式（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１及びＲ^２は独立して上で定義したとおりである。］のアルケニル官能化オルガノポリシロキサンである。後述の、適切に付番した実施形態を含むいくつかの態様では、構成成分（Ａ）は、式（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１は独立して上で定義したとおりである。］のハイドロジェンオルガノポリシロキサンであり、構成成分（Ｂ）は、式（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}のアルケニル官能化オルガノポリシロキサンである。後述の、適切に付番した実施形態を含むいくつかの態様では、構成成分（Ａ）は、式（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１のハイドロジェンオルガノポリシロキサンであり、構成成分（Ｂ）は、式（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１のアルケニル官能化オルガノポリシロキサンであり、全ての式中において、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１及びＲ^２は独立して上で定義したとおりである。

前駆体接着剤組成物は、構成成分（Ａ）ハイドロジェンオルガノポリシロキサンを含む。構成成分（Ａ）は、共通の構造特性を共有している１個のハイドロジェンオルガノポリシロキサンであることができる。前駆体接着剤組成物はまた、構成成分（Ｂ）であるアルケニル官能化オルガノポリシロキサンも含む。構成成分（Ｂ）は、共通の構造特性を共有している１個のアルケニル官能化オルガノポリシロキサンであることができる。構成成分（Ｂ）の少なくとも１個のアルケニル基は、フリーラジカル重合又はヒドロシリル化に好適であり、非芳香族の非共役炭素−炭素二重結合を含む。前駆体接着剤組成物は、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）に加えて、任意の好適な１種以上の構成成分を含むことができる。構成成分（Ａ）、構成成分（Ｂ）、及び場合により任意の他の構成成分は前駆体接着剤組成物中に存在し、硬化して接着剥離層を形成することができる。構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）は、任意の好適な化学メカニズムにより、例えばヒドロシリル化により硬化することができる。

構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つは非直鎖状である（例えば分枝状であり、ここにおいてポリマーは非直鎖状主鎖を有する）。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は非直鎖状であり、構成成分（Ｂ）は直鎖状である。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は直鎖状であり、構成成分（Ｂ）は非直鎖状である。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は非直鎖状であり、構成成分Ｂは非直鎖状である。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つは、フルオロオルガノ置換されている、例えばフルオロオルガノポリシロキサンである。

前駆体接着剤組成物の任意の好適な割合が構成成分（Ａ）であることができる。いくつかの実施形態において、前駆体接着剤組成物の０．１重量％〜９９重量％、０．１〜８０重量％、１重量％〜８０重量％、０．１重量％〜４０重量％が構成成分（Ａ）である。前駆体接着剤組成物の任意の好適な割合が構成成分（Ｂ）であることができる。いくつかの実施形態において、前駆体接着剤組成物の０．１重量％〜９９．９重量％、１０重量％〜９９．９重量％、６０重量％〜９９重量％、又は６５重量％〜９９重量％が構成成分（Ｂ）である。前駆体接着剤組成物が構成成分（Ａ）及び（Ｂ）を含む場合、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量は５０重量％以上１００重量％未満、あるいは７０〜９９重量％、あるいは８０〜９５重量％、あるいは５５〜９０重量％、あるいは６０〜９０重量％である。

いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は非直鎖状であることができる。構成成分（Ａ）は、式：（Ｒ^Ａ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ａ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^ＡＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚであることができる。下付き文字ｙ及びｚは独立して、０〜５，０００、０〜２，０００、０〜１，０００、０〜５００、又は０〜２００であることができる。ｙ及びｚのうち少なくとも１つは、０より大きいことができる。下付き文字ｗは０〜５００、０〜１００、０〜５０、０〜１０、又は１〜任意の前述の上端であり、下付き文字ｘは０〜５，０００、０〜２，０００、０〜１，０００、０〜５００、又は０〜２００である。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は式：（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］であることができる。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は、１００ｇ／ｍｏｌ〜１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、又は１００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１，０００〜５，０００，０００の分子量を有することができる。

いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は、式：（Ｒ^Ａ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^Ａ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘであることができる。下付き文字ｘは０〜５，０００、０〜２，０００、０〜１，０００、０〜５００、又は０〜２００であることができる。様々な実施形態において、構成成分（Ａ）は、式：（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_ｘ、又は（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_ｘであることができる。

様々な実施形態において、構成成分（Ａ）は、式：
（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６、又は（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００であることができる。

様々な実施形態において、構成成分（Ａ）は、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、あるいは（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１は独立して上で定義したとおりである。］から選択することができる。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{０．１−２０}（ＳｉＯ_４／２）_{０．１−５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}から選択することができる。いくつかの実施形態において、構成成分（Ａ）は、Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１−３（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はモル比を表す。］、及び（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００から選択することができる。

それぞれの出現において、Ｒ^Ａは−Ｈ及び−Ｒ^１から独立して選択することができる。構成成分（Ａ）中の少なくとも１個のＲ^Ａは、ペンダントＳｉ−Ｈ、末端Ｓｉ−Ｈ、又はこれらの組み合わせを含む−Ｈであることができる。それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであることができる。基Ｒ^１は、（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであることができる。基Ｒ^１は（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキルであることができる。基Ｒ^１はメチルであることができる。

前駆体接着剤組成物の任意の好適な割合が構成成分（Ｂ）であることができる。いくつかの実施形態において、前駆体接着剤組成物の０．１重量％〜９９．９重量％、１０重量％〜８０重量％、又は４０重量％〜９９．９重量％が構成成分（Ｂ）である。

構成成分（Ｂ）は非直鎖状であることができる。様々な実施形態において、構成成分（Ｂ）は式：（Ｒ^Ｂ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ｂ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^ＢＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚであることができる。下付き文字ｙ及びｚは独立して０〜５，０００、０〜２，０００、０〜１，０００、０〜５００、０〜２００、又は１〜２００であることができる。ｙ及びｚのうち少なくとも１つは０より大きい。下付き文字ｗは０〜５００、０〜１００、０〜５０、０〜１０であり、下付き文字ｘは０〜５，０００、０〜２，０００、０〜１，０００、０〜５００、０〜２００、又は１〜２００である。下付き文字ｎは１〜１，０００、又は１〜１００であることができる。

構成成分（Ｂ）は、式（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ［式中、下付き文字ｗは０〜５００、１〜５００、１〜１００、１〜５０、又は１〜１０であり、下付き文字ｘ及びｚは独立して１〜５，０００、１〜２，０００、１〜１，０００、１〜５００、又は１〜１５０である。］であることができる。

構成成分（Ｂ）は、式（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２−８（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{６０−１８０}（ＳｉＯ_４／２）_１−２、又は（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_５−２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{１０−５０}（ＳｉＯ_４／２）_{２０−８０}であることができる。構成成分（Ｂ）は、式（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）、又は（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５であることができる。

いくつかの実施形態において、構成成分（Ｂ）は直鎖状であることができる。構成成分（Ｂ）は、式：（Ｒ^Ｂ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^Ｂ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘであることができる。下付き文字ｘは０〜５，０００、０〜２，０００、０〜１，０００、０〜５００、０〜２００、又は１〜２００であることができる。いくつかの実施形態において、構成成分（Ｂ）は（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−３００}である。いくつかの実施形態において、構成成分（Ｂ）は（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０である。

構成成分（Ｂ）は、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、あるいは（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１、並びに官能基Ｒ^１及びＲ^２は独立して上で定義したとおりである。］から選択することができる。構成成分（Ｂ）は、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{１−１００}（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{５０−２００}（ＳｉＯ_４／２）_１−５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１−２０００}、及び（ＶｉＭｅ^２ＳｉＯ_１／２）_{１−８００}（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{１−２０００}（ＳｉＯ_４／２）_{１−２００}から選択することができる。構成成分（Ｂ）は、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０、及び（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５から選択することができる。

それぞれの出現において、Ｒ^ＢはＲ^１及びＲ^２から独立して選択することができる。少なくとも１個のＲ^Ｂは、ペンダントＳｉ−Ｒ^２、末端Ｓｉ−Ｒ^２、又はこれらの組み合わせを含むＲ^２であることができる。それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、中断されていないか、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであることができる。基Ｒ^１は、（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルであることができる。基Ｒ^１は（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキルであることができる。基Ｒ^１はメチルであることができる。それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換された又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される１、２、又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであることができる。基Ｒ^２は（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニルであることができる。基Ｒ^２はビニル基であることができる。

様々な実施形態において、構成成分（Ａ）は、アルケニル基を有する非直鎖状ポリシロキサン（例えば分枝鎖ポリジメチルシロキサン）であることができる。構成成分（Ａ）は、アルケニル基を有する直鎖状ポリシロキサン（例えばＭ^ｖｉＤ^ｖｉＤＭ^ｖｉ、ＭＤ^ｖｉＤＭ）であることができる。構成成分（Ａ）はＭＱビニルシロキサン（Ｍ^ｖｉＱ）であることができる。構成成分（Ｂ）は、直鎖状（ＭＤＤ^ＨＭ^Ｈ、ＭＤＤ^ＨＭ）、又は非直鎖状（Ｍ^ＨＱ）シロキサン（非置換）であることができる。構成成分（Ｂ）は、非直鎖状（Ｍ^ＨＱ）シロキサン（非置換）であることができる。構成成分（Ｂ）は直鎖状、又は非直鎖状シリコーン鎖延長剤であることができる。

前駆体接着剤組成物は、例えば０．１：１〜１０：１、０．７：１〜２：１、又は０．１：１以下、又は０．２：１の、任意の好適なＳｉ−Ｈ対アルケニル比（ここで例えば、アルケニル基はヒドロシリル化硬化性の非芳香族非共役炭素−炭素二重結合である）を有することができる。Ｓｉ−Ｈ対アルケニル比は、構成成分（Ａ）中のＳｉ−Ｈ基の、構成成分（Ｂ）中のアルケニル基に対する比率、又は、前駆体接着剤組成物の全ての組成物中における、Ｓｉ−Ｈ基のアルケニル基に対する比率であることができる。

前駆体接着剤組成物は、例えば０．００１：１〜１０００：１、又は１０：１〜１００：１、又は０．００１：１以下、又は０．０１：１の、任意の好適な、アルケニル官能性オルガノポリシロキサンのハイドロジェンオルガノポリシロキサンに対する重量比を有することができ、但し、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）の総量は５０以上＜１００重量％、あるいは５０〜９９．９重量％、あるいは５０重量％〜９９重量％である。アルケニル官能性オルガノポリシロキサンのハイドロジェンオルガノポリシロキサンに対する重量比は、構成成分（Ｂ）の構成成分（Ａ）に対する比、又は、前駆体接着剤組成物中の全てのアルケニル官能性オルガノポリシロキサンの、前駆体接着剤組成物中の全てのハイドロジェンオルガノポリシロキサンに対する比であることができる。

前駆体接着剤組成物、接着促進剤前駆体組成物、及び剥離層前駆体組成物は、任意の１種以上の任意成分を含むことができる。このセクションに記載する任意の１種以上の任意成分は、例えば０．００１重量％〜９０重量％、０．００１重量％〜５０重量％、又は０．０１重量％〜２０重量％の、任意の好適な割合の前駆体接着剤組成物、接着促進剤前駆体組成物、又は剥離層前駆体組成物を形成することができる。

いくつかの実施形態において、前駆体接着剤組成物、接着促進剤前駆体組成物、及び剥離層組成物のうち少なくとも１つは、熱可塑性材料、熱硬化性材料、重合性モノマー、重合性又は架橋性オリゴマー、ポリマー、架橋性ポリマー、架橋型ポリマー、天然ゴム又は合成ゴム、ポリウレタン、ポリイソブチレン、シラン、オルガノシラン、シロキサン、オルガノシロキサン、フルオロシリコーン、フルオロシラン、セラック、ポリアミド、シリル修飾ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリカルバメート、ウレタン、天然接着剤、エポキシ系接着剤、フラン系接着剤、フェノール系接着剤、アルデヒド系接着剤、尿素−アルデヒド接着剤、アクリル酸系接着剤、フェノール／フェノールホルムアルデヒド／フルフリルアルコール接着剤、硬化剤、触媒、硬化して上述のいずれか１つを形成可能な前駆体、及び、上述のいずれか１つの反応生成物のうち少なくとも１つを含む。

触媒の例としては、ヒドロシリル化触媒、縮合触媒、フリーラジカル反応開始剤、光開始剤、又は酸若しくは塩基を挙げることができる。ヒドロシリル化触媒の例としては、任意の好適なヒドロシリル化触媒、例えば白金族金属、又は白金族金属を含有する任意の化合物を含むヒドロシリル化触媒を挙げることができる。白金族金属としては、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、及びイリジウムを挙げることができる。好適なヒドロシリル化触媒の例としては、１，３−ジエテニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの白金（ＩＶ）錯体を挙げることができる。別の実施形態では、ヒドロシリル化触媒は、光活性化されたヒドロシリル化触媒、又は熱可塑性材料内にマイクロカプセル化されたヒドロシリル化触媒であることができる。

硬化剤の例としては、アミン、芳香族アミン、脂肪族アミン、シクロ脂肪族アミン、ポリアミン、アミド、ポリアミド、又はイミンのうち少なくとも１つを挙げることができる。例としては、ポリエチレンイミン、ピペリジン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）フェノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ピペラジン、ピペラジンの誘導体（例えばアミノエチルピペラジン）、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インドリジン、イソインドール、インドール、インダゾール、プリン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、カルバゾール、カルバゾール、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾリジン、フェノキサジン、シンノリン、ピロリジン、ピロリン、イミダゾリン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、キヌクリジン、モルホリン、アゾシン、アゼピン、１，３，５−トリアジン、チアゾール、プテリジン、ジヒドロキノリン、ヘキサメチレンイミン、インダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，１，３−トリクロロトリフルオロアセトン、及びこれらの組み合わせが挙げられる。

様々な実施形態において、前駆体接着剤組成物、接着促進剤前駆体組成物、及び剥離層組成物のうち少なくとも１つは、オルガノハイドロジェンシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、オルガノアルケニルシラン、及びオルガノアルケニルシロキサンのうち少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態において、前駆体接着剤組成物、接着促進剤前駆体組成物、及び剥離層組成物のうち少なくとも１つは、非直鎖状（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサン、直鎖状（Ｃ−Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサン、直鎖状（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル官能化フルオロ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル置換オルガノポリシロキサン、非直鎖状ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、直鎖状ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及び（（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビル）ハイドロジェンシルセスキオキサンのうち少なくとも１つを含み、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル基及び（Ｃ_１−Ｃ_２０）ヒドロカルビルは独立して選択され、置換又は非置換であり、中断されていないか、あるいは、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２−Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１−Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の基により中断されている。

前駆体接着剤組成物、接着促進剤前駆体組成物、及び剥離層組成物のうち少なくとも１つは、界面活性剤、乳化剤、分散剤、ポリマー安定剤、架橋剤、ポリマー、重合又は架橋触媒、レオロジー変性剤、濃度調整剤、アジリジン安定剤、硬化変性剤、フリーラジカル反応開始剤、希釈剤、酸受容体、抗酸化剤、熱安定剤、難燃剤、スカベンジング剤、シリル化剤、泡安定剤、溶媒、ヒドロシリル化反応性希釈剤、可塑剤、充填剤、無機粒子、色素、染料、乾燥剤、液体、１分子当たり少なくとも１個のアルケニル又はアルキニル基を有するポリエーテル、増粘剤、安定化剤、ワックス、ワックス様材料、シリコーン、有機官能性シロキサン、アルキルメチルシロキサン、シロキサン樹脂、シリコーンガム、シリコーンカルビノール流体、水溶性又は水分散性シリコーンポリエーテル組成物、シリコーンゴム、ヒドロシリル化触媒阻害剤、接着促進剤、熱安定剤、ＵＶ安定剤、及び流れ制御添加剤のうち少なくとも１つを含むことができる。

様々な実施形態は、表示デバイスを処理する中間体についてである。表示デバイスを処理する中間体は、本明細書に記載する任意の方法を使用して製造可能な、任意の表示デバイスを処理する中間体であることができる。表示デバイスを処理する中間体は、キャリア基板、例えば本明細書に記載する任意のキャリア基板を含むことができる。表示デバイスを処理する中間体は、キャリア基板上に接着剥離層、例えば本明細書に記載する任意の接着剥離層を含むことができる。接着剥離層は、前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物、例えば本明細書に記載する任意の前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含むことができる。表示デバイスを処理する中間体は、接着剥離層を介してキャリア基板に固定された表示デバイス基板を含むことができる。様々な実施形態は、表示デバイスを処理する中間体から形成した表示デバイス構成部品又は表示デバイスについてである。

いくつかの実施形態は、図１に示す表示デバイスを処理する中間体についてである。表示デバイスを処理する中間体１は、キャリア基板１０、例えば本明細書に記載する任意のキャリア基板を含む。表示デバイスを処理する中間体１は、キャリア基板１０上に接着剥離層３０、例えば本明細書に記載する任意の接着剥離層を含む。接着剥離層３０は、前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物、例えば本明細書に記載する任意の前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む。表示デバイスを処理する中間体１は、接着剥離層３０を介してキャリア基板１０に固定された表示デバイス基板５０を含む。接着剥離層３０は、介在層無しでキャリア基板１０上に直接存在することができる。表示デバイス基板５０は、介在層無しで接着剥離層３０上に直接存在することができる。

いくつかの実施形態は、図２に示す表示デバイスを処理する中間体２についてである。表示デバイスを処理する中間体２は、キャリア基板１０上に接着剥離層３０を含む。表示デバイスを処理する中間体２は、接着剥離層３０を介してキャリア基板１０に固定された表示デバイス基板５０を含む。表示デバイスを処理する中間体２は、表示デバイス基板５０と接着剥離層３０との間に剥離層４０を含む。剥離層４０は、介在層無しで表示デバイス基板５０上に直接存在することができる。剥離層４０は、介在層無しで接着剥離層３０上に直接存在することができる。接着剥離層３０は、介在層無しでキャリア基板１０上に直接存在することができる。

いくつかの実施形態は、図３に示す表示デバイスを処理する中間体３についてである。表示デバイスを処理する中間体３は、キャリア基板１０上に接着剥離層３０を含む。表示デバイスを処理する中間体３は、接着剥離層３０を介してキャリア基板１０に固定された表示デバイス基板５０を含む。表示デバイスを処理する中間体３は、キャリア基板１０と接着剥離層３０との間に接着促進剤層２０を含む。接着促進剤層２０は、介在層無しでキャリア基板１０上に直接存在することができる。接着促進剤層２０は、介在層無しで接着剥離層３０上に直接存在することができる。表示デバイス基板５０は、介在層無しで接着剥離層３０上に直接存在することができる。

いくつかの実施形態は、図４に示す表示デバイスを処理する中間体４についてである。表示デバイスを処理する中間体４は、キャリア基板１０上に接着剥離層３０を含む。表示デバイスを処理する中間体４は、接着剥離層３０を介してキャリア基板１０に固定された表示デバイス基板５０を含む。表示デバイスを処理する中間体４は、キャリア基板１０と接着剥離層３０との間に接着促進剤層２０を含む。表示デバイスを処理する中間体４は、表示デバイス基板５０と接着剥離層３０との間に剥離層４０を含む。接着促進剤層２０は、介在層無しでキャリア基板１０上に直接存在することができる。接着剥離層３０は、介在層無しで接着促進剤層２０上に直接存在することができる。剥離層４０は、介在層無しで接着剥離層３０上に直接存在することができる。表示デバイス基板５０は、介在層無しで剥離層４０上に直接存在することができる。

本発明の種々の実施形態は、例示の目的で提供される以下の実施例を参照することにより、より良く理解され得る。本発明は、ここに記載する実施例に制限されない。

ガラス基板（寸法が７５ｍｍ×５０ｍｍ、厚さが１．０ｍｍのＦｉｓｈｅｒｂｒａｎｄ（登録商標）Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅスライド（ＦｉｓｈｅｒＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ（Ｌｏｕｇｈｂｏｒｏｕｇｈ，ＵＫ）））を洗剤で洗浄し、これらの実施例用のキャリアとして準備する。

剥離強度試験。剥離強度を、室温で、１分あたり１２インチの剥離速度にて、ＴＭＩ接着試験器（ＴｅｓｔｉｎｇＭａｃｈｉｎｅｓ，Ｉｎｃ．（Ｄｅｌａｗａｒｅ，ＵＳＡ））により測定した。ガラスとの接着力が積層構造体の最大剥離力よりも著しく大きい両面テープを使用して、積層構造体を接着試験器の層に加えた。テールを作製して、ＴＭＩ接着試験器のクランプに添加するために、幅が５０ｍｍの３Ｍ（商標）４７１テープ（３Ｍ社）を剥離層に適用した。作製したテールは、剥離層の端を超えて、５０ｍｍ〜７５ｍｍ延びた長さであった。機器を９０°剥離試験のために組み立てた。テープのテールを次にクランプに固定し、機器を零点調整した。零点調整すると、制御ソフトウェアを使用して試験を開始した。フォーストランスデューサーを介して、そしてコンピュータ用モニタにもたらされる出力を用いて、剥離力の測定を実施した。完了すると、最大の剥離力を記録して、試料を取り外した。報告された剥離強度は、少なくとも３個の試料からの平均測定値である。

実施例１．分枝鎖アルケニルシロキサン及び直鎖状架橋剤を用いて硬化したシリコーン接着剤。２５℃で測定すると１００〜６００センチポアズ（ｃｐ）の動粘度を有する非直鎖状アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２））、及び直鎖状ハイドロジェンオルガノシロキサン（（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。次に、薄いガラス（５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する、Ｆｉｓｈｅｒｂｒａｎｄ（登録商標）Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅカバーガラス）を、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱した空気循環オーブン内に、２５０℃で１．５時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、４５ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例２．直鎖状アルケニルシロキサン及び分枝鎖架橋剤で硬化したシリコーン接着剤。直鎖状アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０）、及び分枝鎖ハイドロジェンオルガノシロキサン（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はオリゴマーであるこれらのモル比を表す。］）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。次に、薄いガラス（５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する、Ｆｉｓｈｅｒｂｒａｎｄ（登録商標）Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅカバーガラス）を、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱した空気循環オーブン内に、２５０℃で１．５時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、３４ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例３．分枝鎖アルケニルシロキサン及び分枝鎖架橋剤を用いて硬化したシリコーン接着剤。２５℃で測定すると１００〜６００ｃｐの動粘度を有する分枝鎖アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２））、及び分枝鎖ハイドロジェンオルガノシロキサン（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はオリゴマーであるこれらのモル比を表す。］）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。次に、薄いガラス（５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する、Ｆｉｓｈｅｒｂｒａｎｄ（登録商標）Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅカバーガラス）を、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱した空気循環真空オーブン内に、２５０℃で１．５時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、５５ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例４．分枝鎖アルケニルシロキサン及び分枝鎖架橋剤を用いて硬化し、剥離層コーティングを有するシリコーン接着剤。２５℃で測定すると１００〜６００ｃｐの動粘度を有する分枝鎖アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２））、及び分枝鎖ハイドロジェンオルガノシロキサン（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はオリゴマーであるこれらのモル比を表す。］）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。

フェニルシルセスキオキサン溶液（（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表し、シルセスキオキサンは、有機溶媒に溶解せず、２００ｇ／ｍｏｌ〜１００，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する場合、室温で固体である。］）を、５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する薄いガラス上にスピンコートした後、１６０℃にて２分間ソフトベークした。コーティングされたこの薄いガラスを次に、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱した真空オーブンに２５０℃で１．５時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、１９ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例５．分枝鎖アルケニルシロキサン及び直鎖状架橋剤で硬化し、剥離層コーティングを有するシリコーン接着剤。２５℃で測定すると１００〜６００ｃｐの動粘度を有する分枝鎖アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１２０（ＳｉＯ_４／２））、及び直鎖状ハイドロジェンオルガノシロキサン（（（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ_２／２）_５−６）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。

フェニルシルセスキオキサン溶液（（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表し、シルセスキオキサンは、有機溶媒に溶解せず、２００ｇ／ｍｏｌ〜１００，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する場合、室温で固体である。］）を、５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する薄いガラス上にスピンコートした後、１６０℃にて２分間ソフトベークした。コーティングされたこの薄いガラスを次に、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱した真空オーブンに３００℃で１時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、１９ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例６．直鎖状アルケニルシロキサン及び分枝鎖架橋剤で硬化し、剥離層コーティングを有するシリコーン接着剤。アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１５０）、及び分枝鎖ハイドロジェンオルガノシロキサン（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はオリゴマーであるこれらのモル比を表す。］（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。

フェニルシルセスキオキサン溶液（（ＨＳｉＯ_３／２）_{０．０１−０．５}（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_{１−０．５}［式中、単位の下付き文字はモル比を表し、シルセスキオキサンは、有機溶媒に溶解せず、２００ｇ／ｍｏｌ〜１００，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する場合、室温で固体である。］）を、５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する薄いガラス上にスピンコートした後、１６０℃にて２分間ソフトベークした。コーティングされたこの薄いガラスを次に、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱したオーブンに２５０℃で１．５時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、２８ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例７．ＭＱアルケニルシロキサン及び鎖延長剤で硬化したシリコーン接着剤。分枝鎖ポリビニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５）、及びハイドロジェンオルガノシロキサン（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_１００［式中、単位の下付き文字はオリゴマーであるこれらモル比を表す。］（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．５：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。このシロキサン溶液を、厚さが１０〜１００μｍのキャリアガラス上でスピンコートした後、１６０℃にて２分間硬化した。次に、薄いガラス（５０ｍｍ×４５ｍｍの寸法、及び０．１３ｍｍ〜０．１７ｍｍの厚さを有する、Ｆｉｓｈｅｒｂｒａｎｄ（登録商標）Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅカバーガラス）を、キャリア上の硬化したシリコーンの上部に積層した。アセンブリを、約１０^−３Ｔｏｒｒ（０．１３パスカル）の真空下にて１時間配置して緊密な接着をもたらした後、予熱した空気循環オーブン内に、２５０℃で１．５時間配置した。ガス発生は観察されなかった。薄いガラスを、５５ｇ／ｃｍの９０°剥離力でキャリア上のシリコーンから剥離した。

実施例８．ポリイミドフィリムを有する、接着剥離層としてのシリコーン。アルケニルオルガノシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１５０）、及び分枝鎖ハイドロジェンオルガノシロキサン（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１．５８（ＳｉＯ_４／２）［式中、単位の下付き文字はオリゴマーであるこれらのモル比を表す。］（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は１．８：１）、白金触媒、及びジアリルマレエート阻害剤（阻害剤／触媒比は１５０：１）を用いて、シロキサン溶液を形成した。次に、白金触媒及びジアリルマレエート阻害剤を、阻害剤／触媒の比率を５０〜２００で添加した。

２５μｍ厚のＵｐｉｌｅｘ（登録商標）−Ｓポリイミド（ＰＩ）フィルム（ＵＢＥＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．（Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ））をイソプロピルアルコールで洗浄し、１５０℃のオーブンにて、使用前に３０分間乾燥させた。

シロキサン接着剤溶液を、スピン速度に応じて厚さが約１０〜１５０μｍのキャリアガラス上でスピンコートし、１６０℃で２分間硬化した。室温まで冷却した後、１インチ幅かつ２インチ長のＰＩフィルム片を、接着剤層をコーティングしたキャリア上に積層した。積層体を次に、予熱した１８０℃のホットプレートで２０分間加熱した。ガス発生は観察されなかった。ＰＩフィルムはキャリアから、きれいな表面のまま、かつ低剥離力で容易に剥離することができた。測定した９０°剥離力は約６ｇ／ｃｍであった。

実施例９．ポリイミドフィリムを有する、接着剥離層としてのシリコーン。ビニル官能化ポリジメチルシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_６００）、及び、Ｓｉ−Ｈ官能化ポリシロキサン（（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ）_５−６）を有するビニル官能性ＭＱ樹脂（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は０．７５〜２）を混合することにより、シロキサン接着剤溶液を調製した。次に、白金触媒及びジアリルマレエート阻害剤を、阻害剤／触媒の比率を５０〜２００で添加した。

ＵＢＥから購入した、２５μｍ厚のＵｐｉｌｅｘ（登録商標）−Ｓポリイミド（ＰＩ）フィルムをイソプロピルアルコールで洗浄し、１５０℃のオーブンにて、使用前に３０分間乾燥させた。

シロキサン接着剤溶液を、スピン速度に応じて厚さが約１０〜１５０μｍのキャリアガラス上でスピンコートし、１６０℃で２分間硬化した。室温まで冷却した後、１インチ幅かつ２インチ長のＰＩフィルム片を、接着剤層をコーティングしたキャリア上に積層した。積層体を次に、予熱した１８０℃のホットプレートで２０分間加熱した。ガス発生は観察されなかった。ＰＩフィルムはキャリアから、きれいな表面のまま、かつ低剥離力で容易に剥離することができた。測定した９０°剥離力は約９ｇ／ｃｍであった。

実施例１０．高温用途のための、ポリイミドを有する接着剥離層としてのシリコーン。ビニル官能化ポリジメチルシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_６００）、及び、Ｓｉ−Ｈ官能化ポリシロキサン（（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_３−４（ＨＭｅＳｉＯ）_５−６（Ｏ_１／２ＳｉＭｅ_３））を有するビニル官能性ＭＱ樹脂（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_３４（ＳｉＯ_４／２）_５５）（Ｓｉ−Ｈ／ビニル比は０．７５〜２）を混合することにより、シロキサン接着剤溶液を調製した。次に、白金触媒及びジアリルマレエート阻害剤を、阻害剤／触媒の比率を５０〜２００で添加した。その後、１０００ｐｐｍのＣｅ（ＯＳｉＭｅ（ＯＳｉＭｅ_３）_２）_４を配合物に添加し、十分混合した。

シロキサン接着剤溶液を、スピン速度に応じて厚さが約１０〜１５０μｍのキャリアガラス上でスピンコートし、１２０℃で１分間硬化した。室温まで冷却した後、１インチ幅かつ２インチ長のＰＩフィルム片を、接着剤層をコーティングしたキャリア上に積層した。積層体を次に、予熱した３８０℃のホットプレートで３０分間加熱した。ガス発生は観察されなかった。ＰＩフィルムはキャリアから、きれいな表面のまま、かつ低剥離力で容易に剥離することができた。

利用されてきた用語及び表現は、説明の用語として使用され、制限するものではなく、そのような用語及び表現の使用において、示され、説明される特性及びその一部のいずれの等価物を除外する意図はなく、むしろ様々な修正が本発明の実施形態の範囲内で可能であることを認識されたい。よって、本発明は特定の実施形態及び任意の特性によって具体的に開示されてきたが、本明細書に開示される内容の変更及び変形は当業者によって行われ得、そのような変更及び変形は本発明の実施形態の範囲内であると考えられる。

以下の特許請求の範囲は参照により、本明細書で付番した態様として組み込まれる。単語「請求項（「ｃｌａｉｍ」及び「ｃｌａｉｍｓ」）」が、それぞれ単語「態様（「ａｓｐｅｃｔ」及び「ａｓｐｅｃｔｓ」）」で置き換えられていることを除いて、付番した態様は特許請求の範囲と同一である。

Claims

表示デバイス基板の処理方法であって、前記方法は、
前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む接着剥離層を用いてキャリア基板に前記表示デバイス基板を固定する工程を含み、
前記前駆体接着剤組成物は、構成成分（Ａ）ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及び
構成成分（Ｂ）（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサンを含み、前記（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニル基は、中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２〜Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の基により中断されており、
構成成分（Ａ）は非直鎖状であり、構成成分（Ａ）が、式：
（Ｒ^Ａ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ａ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^ＡＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ
［式中、
それぞれの出現において、Ｒ^Ａは−Ｈ及び−Ｒ^１から独立して選択され、
構成成分（Ａ）中の少なくとも１個のＲ^Ａは−Ｈであり、
それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、
ｙ及びｚは独立して０〜５，０００であり、
ｙ及びｚのうち少なくとも１つは０より大きく、
ｗは０〜５００であり、
ｘは０〜５，０００である。]である、方法。
構成成分（Ｂ）が非直鎖状であり、構成成分（Ｂ）が、式：
（Ｒ^Ｂ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ｂ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^ＢＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ
［式中、
それぞれの出現において、Ｒ^ＢはＲ^１及びＲ^２から独立して選択され、
少なくとも１個のＲ^ＢはＲ^２であり、
それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、
それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２〜Ｃ_３）アルキレン）_ｎ（式中、ｎは１〜１，０００である）、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニルであり、
ｙ及びｚは独立して０〜５，０００であり、
ｙ及びｚのうち少なくとも１つは０より大きく、
ｗは０〜５００であり、
ｘは０〜５，０００である。］である、
請求項１に記載の方法。
構成成分（Ｂ）が直鎖状であり、構成成分（Ｂ）が、式：
（Ｒ^Ｂ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^Ｂ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ
［式中、
それぞれの出現において、Ｒ^Ｂは−Ｒ^１及び−Ｒ^２から独立して選択され、
少なくとも１個のＲ^ＢはＲ^２であり、
それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、
それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２〜Ｃ_３）アルキレン）_ｎ−（式中、ｎは１〜１，０００である）、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニルであり、
ｘは０〜５，０００である。］である、
請求項１に記載の方法。
構成成分（Ａ）が、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_{１〜２０００}、及び（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１は、ｍ１＋ｍ２＋ｄ１＋ｄ２＋ｔ１＋ｔ２＋ｑ１＝１の合計となるようにそれぞれの繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ１は０〜０．８であり、ｍ２は０〜０．８であり、ｄ１は０〜０．９９９であり、ｄ２は０〜０．９９９９であり、ｔ１は０〜０．８であり、ｔ２は０〜０．８であり、ｑ１は０〜０．９９であり；
それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルである。］から選択される、
請求項１に記載の方法。
構成成分（Ｂ）が、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１〜２０００}、及び（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１は、ｍ１＋ｍ２＋ｄ１＋ｄ２＋ｔ１＋ｔ２＋ｑ１＝１の合計となるようにそれぞれの繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ１は０〜０．８であり、ｍ２は０〜０．８であり、ｄ１は０〜０．９９９９であり、ｄ２は０〜０．９９９９であり、ｔ１は０〜０．８であり、ｔ２は０〜０．８であり、ｑ１は０〜０．９９であり、
それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、
それぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２〜Ｃ_３）アルキレン）_ｎ（式中、ｎは１〜１，０００である）、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニルである。］から選択される、
請求項１または４に記載の方法。
前記固定することにより、接着促進剤層が前記キャリア基板と前記接着剥離層との間に存在する表示デバイスを処理する中間体が提供される、請求項１〜５いずれか一項に記載の方法。
前記固定することにより、剥離層が前記接着剥離層と前記表示デバイス基板との間に存在する表示デバイスを処理する中間体が提供される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
キャリア基板と、
前駆体接着剤組成物を硬化した硬化生成物を含む前記キャリア基板上の接着剥離層であって、
前記前駆体接着剤組成物は、構成成分（Ａ）ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及び
構成成分（Ｂ）（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニル官能化オルガノポリシロキサンを含み、前記（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニル基は中断されていない、あるいは−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２〜Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から独立して選択される１、２、又は３個の基により中断されており、
構成成分（Ａ）は非直鎖状であり、構成成分（Ａ）が、式：
（Ｒ^Ａ _３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（Ｒ^Ａ _２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^ＡＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ
［式中、
それぞれの出現において、Ｒ^Ａは−Ｈ及び−Ｒ^１から独立して選択され、
構成成分（Ａ）中の少なくとも１個のＲ^Ａは−Ｈであり、
それぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、
ｙ及びｚは独立して０〜５，０００であり、
ｙ及びｚのうち少なくとも１つは０より大きく、
ｗは０〜５００であり、
ｘは０〜５，０００である。]である、接着剥離層と、
前記接着剥離層を介して前記キャリア基板に固定された表示デバイス基板と、
を含む、表示デバイスを処理する中間体。
前記前駆体接着剤組成物は、
０．１重量％〜９９重量％の構成成分（Ａ）であって、構成成分（Ａ）が、（ＨＲ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（ＨＲ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（ＨＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１は、ｍ１＋ｍ２＋ｄ１＋ｄ２＋ｔ１＋ｔ２＋ｑ１＝１の合計となるようにそれぞれの繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ１は０〜０．８であり、ｍ２は０〜０．８であり、ｄ１は０〜０．９９９であり、ｄ２は０〜０．９９９９であり、ｔ１は０〜０．８であり、ｔ２は０〜０．８であり、ｑ１は０〜０．９９である。］から選択されるハイドロジェンオルガノポリシロキサンである、構成成分（Ａ）と、
０．１重量％〜９９．９重量％の構成成分（Ｂ）であって、構成成分（Ｂ）が、（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_{１〜２０００}、及び（Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２）_ｍ１（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ｍ２（Ｒ^２Ｒ^１ＳｉＯ_２／２）_ｄ１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｄ２（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ｔ１（Ｒ^２ＳｉＯ_３／２）_ｔ２（ＳｉＯ_４／２）_ｑ１［式中、下付き文字ｍ１、ｍ２、ｄ１、ｄ２、ｔ１、ｔ２、及びｑ１は、ｍ１＋ｍ２＋ｄ１＋ｄ２＋ｔ１＋ｔ２＋ｑ１＝１の合計となるようにそれぞれの繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ１は０〜０．８であり、ｍ２は０〜０．８であり、ｄ１は０〜０．９９９９であり、ｄ２は０〜０．９９９９であり、ｔ１は０〜０．８であり、ｔ２は０〜０．８であり、ｑ１は０〜０．９９である。］であるから選択される、アルケニル官能化オルガノポリシロキサンである、構成成分（Ｂ）と、
前記接着剥離層を介して前記キャリア基板に固定された表示デバイス基板と、を含み、
構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）のうち少なくとも１つが非直鎖状であり、
構成成分（Ａ）及び（Ｂ）中のそれぞれの出現において、Ｒ^１は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_１〜Ｃ_２０）ヒドロカルビルであり、
構成成分（Ｂ）内でのそれぞれの出現において、Ｒ^２は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、置換又は非置換−ＮＨ−、−（Ｏ−（Ｃ_２〜Ｃ_３）アルキレン）_ｎ［式中、ｎは１〜１，０００である。］、−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルコキシ）_２−、及び−Ｓｉ（（Ｃ_１〜Ｃ_５）アルキル）_２−から選択される０、１、２又は３個の基で中断されている、置換又は非置換（Ｃ_２〜Ｃ_２０）アルケニルである、
請求項８に記載の表示デバイスを処理する中間体。