CN109072038A - 包含至少一种非线性有机聚硅氧烷的粘合剂分层 - Google Patents
包含至少一种非线性有机聚硅氧烷的粘合剂分层 Download PDFInfo
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 201
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 201
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 220
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 207
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 111
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 95
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 67
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 58
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 46
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 claims abstract description 29
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910020388 SiO1/2 Inorganic materials 0.000 claims description 233
- 229910020447 SiO2/2 Inorganic materials 0.000 claims description 186
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- 229910020485 SiO4/2 Inorganic materials 0.000 claims description 89
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 87
- 229910020487 SiO3/2 Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 42
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 26
- 229910004726 HSiO3/2 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 18
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 18
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 5
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 4
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 3
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims description 3
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- ODGAOXROABLFNM-UHFFFAOYSA-N polynoxylin Chemical compound O=C.NC(N)=O ODGAOXROABLFNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 claims description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 3
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 48
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 34
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 21
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 18
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 14
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 9
- ZPOLOEWJWXZUSP-WAYWQWQTSA-N bis(prop-2-enyl) (z)-but-2-enedioate Chemical compound C=CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC=C ZPOLOEWJWXZUSP-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 8
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 8
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 7
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 7
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 4
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 4
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- KBXJHRABGYYAFC-UHFFFAOYSA-N octaphenylsilsesquioxane Chemical compound O1[Si](O2)(C=3C=CC=CC=3)O[Si](O3)(C=4C=CC=CC=4)O[Si](O4)(C=5C=CC=CC=5)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)O[Si](O1)(C=5C=CC=CC=5)O[Si]2(C=2C=CC=CC=2)O[Si]3(C=2C=CC=CC=2)O[Si]41C1=CC=CC=C1 KBXJHRABGYYAFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ABADUMLIAZCWJD-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxole Chemical group C1OC=CO1 ABADUMLIAZCWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LOUPRKONTZGTKE-WZBLMQSHSA-N Quinine Chemical compound C([C@H]([C@H](C1)C=C)C2)C[N@@]1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 LOUPRKONTZGTKE-WZBLMQSHSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 2
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 2
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 2
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 2
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropropan-2-one Chemical compound CC(=O)C(F)(F)F FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRFSXVIRXMYULF-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroquinoline Chemical compound C1=CC=C2C=CCNC2=C1 IRFSXVIRXMYULF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000536 2-Acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Polymers 0.000 description 1
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 2-[(dimethylazaniumyl)methyl]phenolate Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1O FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFVPEIKDMMISQO-UHFFFAOYSA-N 4-[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC=C(O)C=C1 NFVPEIKDMMISQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDRVFDDBLLKWRI-UHFFFAOYSA-N 4H-quinolizine Chemical compound C1=CC=CN2CC=CC=C21 GDRVFDDBLLKWRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)C Chemical compound C[Si](C)C DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 description 1
- 235000001258 Cinchona calisaya Nutrition 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 229910004679 ONO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005336 allyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N azepane Chemical compound C1CCCNCC1 ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001538 azepines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- LOUPRKONTZGTKE-UHFFFAOYSA-N cinchonine Natural products C1C(C(C2)C=C)CCN2C1C(O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 LOUPRKONTZGTKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001854 cinnolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001352 cyclobutyloxy group Chemical group C1(CCC1)O* 0.000 description 1
- 125000003678 cyclohexadienyl group Chemical group C1(=CC=CCC1)* 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000000131 cyclopropyloxy group Chemical group C1(CC1)O* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002081 enamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- DDTGNKBZWQHIEH-UHFFFAOYSA-N heptalene Chemical compound C1=CC=CC=C2C=CC=CC=C21 DDTGNKBZWQHIEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002192 heptalenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical group C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003427 indacenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- HOBCFUWDNJPFHB-UHFFFAOYSA-N indolizine Chemical compound C1=CC=CN2C=CC=C21 HOBCFUWDNJPFHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001905 inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002518 isoindoles Chemical class 0.000 description 1
- GWVMLCQWXVFZCN-UHFFFAOYSA-N isoindoline Chemical compound C1=CC=C2CNCC2=C1 GWVMLCQWXVFZCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005054 naphthyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001893 nitrooxy group Chemical group [O-][N+](=O)O* 0.000 description 1
- 125000005245 nitryl group Chemical group [N+](=O)([O-])* 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002103 osmometry Methods 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 1
- 150000005053 phenanthridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002186 photoactivation Effects 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical class C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000948 quinine Drugs 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229940066771 systemic antihistamines piperazine derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
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-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
所公开的各种实施方案涉及包含至少一种非线性有机聚硅氧烷的粘合剂分层，并且涉及相关方面诸如用于显示装置基板处理的方法。在各种实施方案中，是一种处理显示装置基板的方法。该方法可包括利用粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板，该粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物。该前体粘合剂组合物可包含组分(A)，氢有机聚硅氧烷。该前体粘合剂组合物还可包含组分(B)，(C2‑C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中(C2‑C20)烯基基团是不中断的或被1、2或3个独立地选自‑O‑、‑S‑、取代或未取代的‑NH‑、‑(O‑(C2‑C3)亚烷基)n‑、‑Si((C1‑C5)烷氧基)2‑和‑Si((C1‑C5)烷基)2‑的基团中断的，其中n为1至1,000。组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的。
Description
技术领域
本发明整体涉及包含至少一种非线性有机聚硅氧烷的粘合剂分层，以及包括处理显示装置基板的方法的相关方面和显示装置处理中间体。
背景技术
在显示装置诸如液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器和有机发光二极管(OLED)显示器的制造中，各种显示装置部件由薄显示装置基板制造，包括柔性的和非柔性的玻璃和非玻璃基板。由于其易碎性，在某些制造工艺期间所需的高精度以及由于某些制造工艺的苛刻条件(例如，高温)，在一些薄显示装置基板上执行制造工艺可能是具有挑战性的。
发明内容
一种处理显示装置基板的方法。该方法的实施方案包括利用粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板。粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物。前体粘合剂组合物是可固化的并且包括氢有机聚硅氧烷。前体粘合剂组合物还包含(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷。氢有机聚硅氧烷和(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷中的至少一种是非线性的。
显示装置处理中间体。显示装置处理中间体的实施方案包括载体基板和载体基板上的粘合剂分层。
附图说明
附图以举例的方式而非限制的方式大体示出了本文献中讨论的各种实施方案。
图1示出了根据各种实施方案的显示装置处理中间体。
图2示出了根据各种实施方案的显示装置处理中间体。
图3示出了根据各种实施方案的显示装置处理中间体。
图4示出了根据各种实施方案的显示装置处理中间体。
具体实施方式
以引用的方式将发明内容和说明书摘要并入本文。
提供以下示例性实施方案，其编号不应视为表示重要性程度：
实施方案1是一种处理显示装置基板的方法，该方法包括：利用粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板，粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，前体粘合剂组合物包含：组分(A)，氢有机聚硅氧烷；和组分(B)，(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团为不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的，其中n为1至1,000；其中组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的。
实施方案2是实施方案1所述的方法，其中显示装置基板包括玻璃、硅、陶瓷、塑料、金属或它们的组合。
实施方案3是实施方案1至2中任一项所述的方法，其中显示装置基板包括发光二极管显示器(LED)、电致发光显示器(ELD)、电子纸显示器、等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、高性能寻址显示器(HPA)、薄膜晶体管显示器(TFT)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子-发射器显示器(SED)、激光电视显示器、碳纳米管显示器、量子点显示器和干涉调制器显示器(IMOD)中的至少一个的处理前体组件。
实施方案4是实施方案1至3中任一项所述的方法，其中显示装置基板具有1nm至5mm的厚度。
实施方案5是实施方案1至4中任一项所述的方法，其中显示装置基板具有1nm至0.5mm的厚度。
实施方案6是实施方案1至5中任一项所述的方法，其中载体基板包括玻璃、硅、陶瓷、塑料、金属或它们的组合。
实施方案7是实施方案1至6中任一项所述的方法，其中组分(A)是非线性的并且组分(B)是线性的。
实施方案8是实施方案1至6中任一项所述的方法，其中组分(A)是线性的并且组分(B)是非线性的。
实施方案9是实施方案1至6中任一项所述的方法，其中组分(A)是非线性的并且组分(B)是非线性的。
实施方案10是实施方案1至9中任一项所述的方法，其中0.1重量％至99.9重量％的前体粘合剂组合物是组分(A)，并且其中0.1重量％至99.9重量％的前体粘合剂组合物是组分(B)。前提条件是在包含组分(A)和组分(B)的前体粘合剂组合物中，组分(A)和组分(B)的总量为50重量％至<100重量％。
实施方案11是实施方案1至10中任一项所述的方法，其中0.2重量％至40重量％的前体粘合剂组合物是组分(A)，并且其中0.2重量％至40重量％的前体粘合剂组合物是组分(B)。前提条件是在包含组分(A)和组分(B)的前体粘合剂组合物中，组分(A)和组分(B)的总量为50重量％至99重量％。
实施方案12是实施方案1至6、10和11中任一项所述的方法，其中组分(A)是非线性的。
实施方案13是实施方案12所述的方法，其中组分(A)具有式：(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出现时，RA独立地选自-H和-R1，组分(A)中的至少一个RA为-H，在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，下标y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一个大于0，并且下标w为0至500，并且下标x为0至5,000。
实施方案14是实施方案13所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
实施方案15是实施方案13至14中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
实施方案16是实施方案13至15中任一项所述的方法，其中R1是甲基。
实施方案17是实施方案13至16中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比。
实施方案18是实施方案1至6、10和11中任一项所述的方法，其中组分(A)是线性的。
实施方案19是实施方案18所述的方法，其中组分(A)具有式：(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x，其中在每次出现时，RA独立地选自-H和-R1，组分(A)中的至少一个RA为-H，在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1,、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，下标x为0至5,000。
实施方案20是实施方案19所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
实施方案21是实施方案19至20中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
实施方案22是实施方案19至21中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
实施方案23是实施方案19至22中任一项所述的方法，其中下标x为1至200。
实施方案24是实施方案19至23中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x(HMeSiO2/2)x或(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x，其中下标x为0至2000。
实施方案25是实施方案19至24中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6或(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100。
实施方案26是实施方案1至25中任一项所述的方法，其中1重量％至99.9重量％的前体粘合剂组合物是组分(B)。
实施方案27是实施方案1至26中任一项所述的方法，其中40重量％至99.9重量％的前体粘合剂组合物是组分(B)。
实施方案28是实施方案1至6和10至27中任一项所述的方法，其中组分(B)是非线性的。
实施方案29是实施方案28所述的方法，其中组分(B)具有式(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出现时，RB独立地选自R1和R2，至少一个RB为R2，在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中下标n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，下标y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一个大于0，并且下标w为0至500，并且下标x为0至5,000。
实施方案30是实施方案29所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
实施方案31是实施方案29至30中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
实施方案32是实施方案29至31中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
实施方案33是实施方案29至32中任一项所述的方法，其中R2为(C2-C20)烯基。
实施方案34是实施方案29至33中任一项所述的方法，其中R2为乙烯基基团。
实施方案35是实施方案29至34中任一项所述的方法，其中组分(B)具有式(ViMe2SiO1/2)w(Me2SiO2/2)x(SiO4/2)z，其中下标w为0至500，并且下标x和z独立地为1至5,000。
实施方案36是实施方案35所述的方法，其中w、x和z独立地为1至150。
实施方案37是实施方案29至36中任一项所述的方法，其中组分(B)具有式(ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2或(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。
实施方案38是实施方案29至37中任一项所述的方法，其中组分(B)具有式(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)或(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55。
实施方案39是实施方案1至6和10至27中任一项所述的方法，其中组分(B)是线性的。
实施方案40是实施方案39所述的方法，其中组分(B)具有式(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x，其中在每次出现时，RB独立地选自-R1和-R2，至少一个RB为R2，在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中下标n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，并且下标x为0至5,000。
实施方案41是实施方案40所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
实施方案42是实施方案40至41中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
实施方案43是实施方案40至42中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
实施方案44是实施方案40至43中任一项所述的方法，其中R2为(C2-C20)烯基。
实施方案45是实施方案40至44中任一项所述的方法，其中R2为乙烯基基团。
实施方案46是实施方案40至45中任一项所述的方法，其中组分(B)是(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300。
实施方案47是实施方案40至46中任一项所述的方法，其中组分(B)是(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150。
实施方案48是实施方案1至47中任一项所述的方法，其中组分(A)选自(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000；或者选自(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1表示它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，或者0至0.3，m2为0至0.8，或者0至0.3，d1为0至0.999，或者0至0.99，d2为0至0.9999，或者0至0.999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99。在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基。组分(A)可以是线性的，或者是非线性的。
实施方案49是实施方案1至48中任一项所述的方法，其中组分(A)选自(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000(HMeSiO2/2)1-2000、(HMe2SiO1/2)0.1-20(SiO4/2)0.1-5(其中单位下标表示其摩尔比)和(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000。组分(A)可以是线性的。
实施方案50是实施方案1至49中任一项所述的方法，其中组分(A)选自(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6,(HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2)(其中单位下标表示其摩尔比)和(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100。组分(A)可以是非线性的。
实施方案51为实施方案1至50中任一项所述的方法，其中组分(B)选自(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000；或者选自(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1表示它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，或者0至0.3，m2为0至0.8，或者0至0.3，d1为0至0.999，或者0至0.999，d2为0至0.9999，或者0至0.999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99。在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，其中n为1至1,000。组分(B)可以是线性的，或者是非线性的。
实施方案52是实施方案1至51中任一项所述的方法，其中组分(B)选自(ViMe2SiO1/2)1-100(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-5、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和(ViMe2SiO1/2)1-100(Me3SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-200。组分(B)可以是非线性的。
实施方案53是实施方案1至52中任一项所述的方法，其中组分(B)选自(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150和(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55。组分(B)可以是非线性的(Q-支化聚合物)。
实施方案54是实施方案1至53中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-2。组分(A)可以是线性的，并且组分(B)可以是非线性的。
实施方案55是实施方案1至54中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)。组分(A)可以是线性的，并且组分(B)可以是非线性的。
实施方案56是实施方案1至55中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300。组分(A)可以是非线性的，并且组分(B)可以是非线性的。
实施方案57是实施方案1至56中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150。组分(A)可以是非线性的，并且组分(B)可以是线性的。
实施方案58是实施方案1至57中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。组分(A)可以是线性的，并且组分(B)可以是非线性的。
实施方案59是实施方案1至58中任一项所述的方法，其中组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55。组分(A)可以是线性的，并且组分(B)可以是非线性的。
实施方案60是实施方案1至59中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、单体、低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟化有机硅、氟硅烷、虫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性的聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、氨基甲酸酯、天然粘合剂、基于环氧树脂的粘合剂、基于呋喃的粘合剂、基于酚醛树脂的粘合剂、基于醛的粘合剂、脲醛粘合剂、基于丙烯酸的粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、可固化形成以上任何一种的前体、以及它们中的任何一种的反应产物。
实施方案61是实施方案1至60中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷和有机烯基硅氧烷中的至少一种。
实施方案62是实施方案1至61中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：非线性(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷、线性(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷、线性(C2-C20)烯基官能化的氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非线性氢有机聚硅氧烷、线性氢有机聚硅氧烷和((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基是独立地选择的取代的或未取代的并且是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中下标n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断。
实施方案63是实施方案1至62中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(R2R1 2SiO1/2)1-20(R1 2SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5、(R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 2SiO2/2)1-200(SiO4/2)1-500、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000、(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R1 2SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100-5000、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR1 2SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5(其中单位下标表示其摩尔比)、(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1(其中单位下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中下标n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，并且在每次出现时，Rf独立地为未取代的或进一步被取代并且具有1至2m+1个氟基团的氟(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的，其中n为1至1,000。
实施方案64是实施方案1至63中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(R2R1 2SiO1/2)1-8(R1 2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(R2R1 2SiO1/2)5-20(R1 2SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)75-225、(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R1 2SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)400-1200、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-6(HR1SiO2/2)3-9、(HR1 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5(其中单位下标表示其摩尔比)、(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80、(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)50-200、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1(其中单位下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，并且在每次出现时，Rf独立地为未取代的或进一步被取代并且具有1至2m+1个氟基团的氟(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的。
实施方案65是实施方案1至64中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(R2R1 2SiO1/2)4(R1 2SiO2/2)120(SiO4/2)、(R2R1 2SiO1/2)11(R1 2SiO2/2)34(SiO4/2)55、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)150、(R2R1 2SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R1 2SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)600、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6、(HR1 2SiO1/2)1.58(SiO4/2)(其中单位下标表示其摩尔比)、(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100和(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40和(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5(其中单位下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，并且在每次出现时，Rf独立地为未取代的或进一步被取代并且具有1至2m+1个氟基团的氟(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的。
实施方案66是实施方案1至65中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：非线性乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、线性乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、线性乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(共-(氟代(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、线性乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、线性三甲基甲硅烷氧基封端的聚(共-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、氢化二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(共-(氟代(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、线性氢化二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷、线性三甲基甲硅烷氧基封端的聚(共-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(共-氢倍半硅氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)、和聚(共-氢倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有1至2m+1个氟基团，并且m独立地为1至20。
实施方案67是实施方案1至66中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(ViMe2SiO1/2)1-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)15-55(SiO4/2)25-85、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)75-225、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-800(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)400-1200、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9、(HMe2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5(其中单位下标表示其摩尔比)、(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)2-40(HMeSiO2/2)5-80、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-200、(HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1(其中单位下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1(其中单位下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，Rf独立地为未被取代的或被进一步取代的并具有1至2m+1个氟基团的氟代(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断。
实施方案68是实施方案1至67中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)、(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6、(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)(其中单位下标表示其摩尔比)、(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100、(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5(其中单位下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5(其中单位下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，Rf独立地为未被取代的或被进一步取代的并具有1至2m+1个氟基团的氟代(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断。
实施方案69是实施方案1至68中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物具有0.1:1至10:1的Si-H与烯基比。
实施方案70是实施方案1至69中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物具有0.7:1至2:1的Si-H与烯基比。
实施方案71是实施方案1至70中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合物稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基基团的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状材料、有机硅、有机官能硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅胶、有机硅甲醇液、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外线稳定剂和流动控制添加剂。
实施方案72是实施方案1至71中任一项所述的方法，其中粘合剂分层具有0.1μm至500μm的厚度。
实施方案73是根据实施方案1至72中任一项所述的方法，其中固定提供显示装置处理中间体，其中粘合剂分层直接位于载体基板上，其中没有中间层。
实施方案74是实施方案1至73中任一项所述的方法，其中固定提供显示装置处理中间体，其中粘附促进剂层位于载体基板与粘合剂分层之间。
实施方案75是实施方案74所述的方法，其中粘附促进剂层包含固化粘附促进剂前体组合物的固化产物，粘附促进剂前体组合物包含以下中的至少一种：硅烷、有机硅烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸盐、磷酸酯、丙烯酸或它们的盐或酯、甲基丙烯酸或它们的盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或它们的盐或酯、乙烯基磺酸或它们的盐或酯、和2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸或它们的盐或酯。
实施方案76是实施方案74至75中任一项所述的方法，其中粘附促进剂层包含固化粘附促进剂前体组合物的固化产物，粘附促进剂前体组合物包含硅烷或硅氧烷中的至少一种，硅烷或硅氧烷包含三烷氧基甲硅烷氧基基团、三烷氧基甲硅烷基烷基基团、氢化甲硅烷基基团、烯基基团、环氧官能团、氨基基团、卤代甲硅烷基基团、巯基甲硅烷基基团和氟代烷基甲硅烷基基团中的至少一种。
实施方案77是实施方案74至76中任一项所述的方法，其中粘附促进剂层具有0.0001μm至500μm的厚度。
实施方案78是实施方案74至77中任一项所述的方法，其中在粘附促进剂层与载体基板之间或在粘附促进剂层与粘合剂分层之间不存在中间层。
实施方案79是根据实施方案1至78中任一项所述的方法，其中固定包括将显示装置基板放置在载体基板上，其中前体粘合剂组合物与粘合剂分层中的至少一个位于其间。
实施方案80是实施方案1至79中任一项所述的方法，还包括在固定显示装置基板之前，在载体基板和显示装置基板中的至少一个上形成粘合剂分层。
实施方案81是实施方案80所述的方法，其中形成包括将前体粘合剂组合物放置在载体基板和显示装置基板中的至少一个上，并固化前体粘合剂组合物以形成固化前体粘合剂组合物的固化产物。
实施方案82是实施方案81所述的方法，其中放置包括使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸渍中的至少一种将前体粘合剂组合物放置在载体基板和显示装置中的至少一个上。
实施方案83是实施方案80至82中任一项所述的方法，还包括在载体基板上形成粘合剂分层之前将粘附促进剂层粘合到载体基板。
实施方案84是实施方案80至83中任一项所述的方法，还包括在将载体基板固定到粘附促进剂层上之前将粘附促进剂层粘合到粘合剂分层。
实施方案85是实施方案1至84中任一项所述的方法，其中固定提供显示装置处理中间体，其中粘合剂分层直接位于显示装置基板上，其中没有中间层。
实施方案86是实施方案1至85中任一项所述的方法，其中固定提供显示装置处理中间体，其中剥离层位于粘合剂分层与显示装置基板之间。
实施方案87是实施方案86所述的方法，其中剥离层包含固化剥离层前体组合物的固化产物，剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：氟硅烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂、氟化倍半硅氧烷树脂、(C6-C20)芳基硅氧烷、和(取代或未取代的(C1-C20)烃基)-倍半硅氧烷。
实施方案88是实施方案86至87中任一项所述的方法，其中剥离层包含固化剥离层前体组合物的固化产物，剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：氟代(C1-C200)烃基取代的(C1-C5)烷氧基硅烷、线性(C2-C20)烯基官能化氟代(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、聚(共-氢倍半硅氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)和聚(共-氢倍半硅氧烷-((C6-C20芳基)倍半硅氧烷)。
实施方案89是实施方案86至88中任一项所述的方法，其中剥离层包含固化剥离层前体组合物的固化产物，剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：F((CF2)3O)cc(CF2)0-10(CH2)0-10(O)0-1(CH2)0-10Si(OMe)3、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)150-1200(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30、(HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1(其中单位下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1(其中单位下标表示其摩尔比)，其中cc为0至200，并且其中Rf独立地为未被取代的或被进一步取代的且具有1至2m+1个氟基团的氟代(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团为不中断的或被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的1、2或3的中断的。
实施方案90是实施方案86至89中任一项所述的方法，其中剥离层包含固化剥离层前体组合物的固化产物，剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15、(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5(其中单位下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5(其中单位下标表示其摩尔比)，其中cc为17至25，并且其中Rf独立地为未被取代的或被进一步取代的且具有1至2m+1个氟基团的氟代(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基基团为不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的。
实施方案91是实施方案86至90中任一项所述的方法，其中剥离层具有0.0001μm至500μm的厚度。
实施方案92是实施方案86至91中任一项所述的方法，其中在粘合剂分层与剥离层之间或在剥离层与显示装置基板之间不存在中间层。
实施方案93是实施方案1至92中任一项所述的方法，其中利用粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板包括通过剥离层将显示装置基板固定到粘合剂分层。
实施方案94是实施方案1至93中任一项所述的方法，还包括处理显示装置基板。
实施方案95是实施方案94所述的方法，其中处理显示装置基板包括以下中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻、去除抗蚀剂、密封、气相沉积、粘附处理、加热、退火、照射、冷却，以及以下中的至少一种：在显示装置基板上放置、形成和修改半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层中的至少一者。
实施方案96是实施方案1至95中任一项所述的方法，还包括从载体基板去除显示装置基板。
实施方案97是实施方案96所述的方法，其中去除包括使用1g/cm至200g/cm的90度剥离力从载体基板剥离显示装置基板。
实施方案98是实施方案96至97中任一项所述的方法，其中去除包括使用2g/cm至60g/cm的90度剥离力从载体基板剥离显示装置基板。
实施方案99是一种包括实施方案1至98中任一项所述的方法的形成显示装置或显示装置部件的方法。
实施方案100是通过实施方案1至99中任一项所述的方法形成的显示装置或显示装置部件。
实施方案101是一种处理显示装置基板的方法，该方法包括：利用粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板，粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，前体粘合剂组合物包含：0.1重量％至99重量％的组分(A)，其中组分(A)是选自(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000和(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1的氢有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1独立地如前所定义；以及0.1重量％至99.9重量％，或者0.1至99重量％的组分(B)，其中组分(B)是选自(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1的烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1和R2独立地如前所定义；其中组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的，在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基。在包含组分(A)和组分(B)的前体粘合剂组合物中，组分(A)和组分(B)的总量为50重量％至99重量％。
实施方案102是一种显示装置处理中间体，其包括：载体基板；位于载体基板上的粘合剂分层，粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，前体粘合剂组合物包含：组分(A)，氢有机聚硅氧烷；和组分(B)，(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团为不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断；其中组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的；以及显示装置基板，该显示装置基板通过粘合剂分层固定到载体基板。
实施方案103是实施方案102所述的处理中间体，其还包括在载体基板与粘合剂分层之间的粘附促进剂层。
实施方案104是实施方案102至103中任一项所述的处理中间体，其还包括在粘合剂分层与显示装置基板之间的剥离层。
实施方案105是一种显示装置处理中间体，包括：载体基板；位于载体基板上的粘合剂分层，其包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，前体粘合剂组合物包含：0.1重量％至99重量％的组分(A)，其中组分(A)是选自(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000和(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1的氢有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1独立地如前所定义；以及0.1重量％至99.9重量％，或者0.1重量％至99重量％的组分(B)，其中组分(B)是选自(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和
(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1的烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1和R2独立地如前所定义；其中组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的，在每次出现时，R1独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且在每次出现时，R2独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的中断基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基；以及显示装置基板，该显示装置基板通过粘合剂分层固定到载体基板。在包含组分(A)和组分(B)的前体粘合剂组合物中，组分(A)和组分(B)的总量为50重量％至<100重量％。
实施方案106提供实施方案1至105中任一项或任何组合所述的装置或方法，其任选地被配置成使得所有所述的要素或选项可加以使用或选择。
实施方案107是如实施方案1至106中任一项所述的粘合剂分层。
在整个文件中，以范围形式表达的值应当以灵活的方式理解为不仅包括明确列举出的作为范围限值的数值，而且还包括涵盖在该范围内的所有的单个数值或子范围，犹如每个数值和子范围被明确列举出。例如，“0.1％至5％”的范围或“0.1％至5％”不仅包括0.1％至5％，还包括在所指范围内的单个值(如，1％、2％、3％和4％)和子范围(如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。
在本文所述的制造方法中，除了在明确述及或明确暗示时间顺序或操作顺序时外，其动作或步骤可以任何顺序进行而不偏离本发明的原理。此外，指定的动作可同时进行，除非有明确的权利要求语言述及它们单独进行。例如，进行步骤X的要求保护动作和进行步骤Y的要求保护动作可在单个操作内同时进行，并且所产生的方法将在要求保护的方法的字面范围内。在某些方面，动作或步骤以所写的顺序执行。
在本文件中，术语“一个”、“一种”或“所述”用于包括一个或多于一个，除非上下文明确地另外指明。术语“或”用于指代非排他性的“或”，除非另外指明。表述“A和B中的至少一个”具有与“A、B或A和B”相同的含义，其含义与A或B或者A和B相同。任何章节标题的使用都旨在帮助阅读文件并不受限制；与段落标题相关的信息可出现在特定段落之内或之外。
如本文所用的术语“酰基”是指通过从羧酸中除去HO-基团而形式上衍生的单价基团。该基团可以是未取代的或取代的。
如本文所用的术语“烯基”是指含有至少一个碳-碳双键(C＝C)的单价不饱和脂族基团。烯基可以是直链、支链或环状的。烯基可具有1或2个C＝C。烯基基团可具有2至40个碳原子，或2至20个碳原子，或2至12个碳原子，或在一些实施方案中，具有2至8个碳原子。示例包括但不限于乙烯基、-CH＝CH(CH3)、-CH＝C(CH3)2、-C(CH3)＝CH2、-C(CH3)＝CH(CH3)、-C(CH2CH3)＝CH2、环己烯基、环戊烯基、环己二烯基、丁二烯基、戊二烯基和己二烯基等。该基团可以是未取代的或取代的。
如本文所用的术语“烷氧基”是指单价饱和或不饱和脂族-O-基团，其中脂族基团是无环或环状的。直链烷氧基基团的示例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和己氧基。支化烷氧基的示例包括但不限于异丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基和异己氧基。环状烷氧基的示例包括但不限于环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基和环己氧基。烷氧基基团可包含键合到氧原子的1至12个，1至20个，或者1至40个碳原子，并且还可包含双键或三键，并且还可包含杂原子。例如，烯丙氧基基团或甲氧基乙氧基基团也是在本文含义内的烷氧基基团，如在其中结构的两个相邻原子被其取代的上下文中的亚甲基二氧基基团。该基团可以是未取代的或取代的。
如本文所用的术语“烷基”是指单价饱和烃基，其为直链、支链或环状的并且具有1至40个碳原子，1至20个碳原子，1至12个碳，或者在一些实施方案中，1至8个碳原子。直链烷基基团的示例包括具有1至8个碳原子的那些，诸如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基和正辛基基团。支化烷基基团的示例包括但不限于异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、新戊基、异戊基和2,2-二甲基丙基基团。如本文所用，术语“烷基”涵盖正烷基、异烷基和反异烷基基团以及烷基的其它支链形式。该基团可以是未取代的或取代的。代表性的取代烷基基团可由本文所列的任何基团例如氨基、羟基、氰基、羧基、硝基、硫基、烷氧基和卤素基团取代一次或多次。如本文所用的术语“亚烷基”表示链烷二基，其中两个价可存在于其中的任何两个碳原子上。
如本文所用的术语“炔基”是指含有至少一个碳-碳三键(C≡C)的单价不饱和脂族基团并且可以是直链或支链。炔基基团可具有2至40个碳原子、2至20个碳原子、或2至12个碳原子，或者在一些实施方案中2至8个碳原子。其中，示例包括但不限于–C≡CH、-C≡C(CH3)、-C≡C(CH2CH3)、-CH2C≡CH、-CH2C≡C(CH3)和-CH2C≡C(CH2CH3)等。该基团可以是未取代的或取代的。
“或者”应强调一个独特的实施方案。
如本文所用的术语“胺”是指通过在氨上用烃基独立地替代1、2或3个氢原子而形式上衍生自氨(NH3)的化合物。胺可以是伯胺、仲胺和叔胺，其具有例如式N(基团)3，其中每个基团可独立地为H或非H，诸如烷基和芳基。胺包括但不限于R-NH2，例如烷基胺、芳基胺、(烷基芳基)胺；R2NH，其中每个R独立地选择，诸如二烷基胺、二芳基胺、(芳烷基)胺、(烷基)(芳基)胺和杂环基胺；以及R3N，其中每个R独立地选择，诸如三烷基胺、二烷基芳基胺、烷基二芳基胺和三芳基胺。R可以是未取代的或取代的。
如本文所用的术语“芳基”是指单价碳环芳族烃基。因此芳基基团包括但不限于苯基、薁基(azulenyl)、庚搭烯基(heptalenyl)、联苯基、并茚苯基(indacenyl)、芴基、菲基、苯并菲基(triphenylenyl)、芘基、并四苯基(naphthacenyl)、屈基(chrysenyl)、亚联苯基、蒽基和萘基基团。在一些实施方案中，芳基基团在基团的环部分中包含6至14个碳。芳基基团可以是未取代的或被有机基团或如本文所定义的非含碳基团取代。该基团可以是未取代的或取代的。代表性的取代的芳基可以是单取代的或取代一次以上，诸如但不限于在苯环的2-、3-、4-、5-或6-位中的任何一个或多个处取代的苯基，或在其2-至8-位中的任何一个或多个处取代的萘基。
“可”或“可能”赋予允许的选择，而不是必要的选择。
如本文所用的术语“涂层”或“膜”是指连续或不连续的材料层。该层可以是自立式的或设置在制品的表面上。材料层可渗透制品的表面并且可填充区域诸如孔，其中材料层可具有任何三维形状，包括平面或曲面。在一个示例中，可通过浸渍在涂层材料浴中而在一个或多个表面上形成涂层，任何所述表面可以是多孔的或无孔的。
如本文所用的术语“烃”是指可以是未取代的并且由碳和氢原子组成或可以是被取代的且包括碳和氢原子和至少一个选自卤素、N、O、S、P和Si的杂原子的分子。
如本文所用，术语“烃基”是指通过从其中除去氢原子而形式上衍生自直链、支链或环状烃的单价官能团，并且可以是烷基、烯基、炔基、芳基、环烷基、酰基或它们的任何组合。烃基可示出为(Ca-Cb)烃基，其中a和b是整数并且表示具有a至b个数目的碳原子中的任何一个。例如，(C1-C4)烃基是指烃基可以是甲基(C1)、乙基(C2)、丙基(C3)或丁基(C4)。(C0-Cb)烃基在某些实施方案中是指不存在烃基。
当应用于在主链原子上具有自由基的一价基团时，术语“中断的”是指(i)或(ii)：(i)在具有1个主链原子的单价基团中，因此具有自由基：中断的是指在1个主链原子和自由基之间形式上插入的(例如，二价中断基团Q，形式插入H3C-中，得到H3C-Q-)；或(ii)在具有2个或更多个主链原子的单价基团中，其中基团位于其中的任何一个上：中断的是指在主链原子和自由基之间(例如，如上所述)或在任何两个主链原子之间形式上插入的(例如，形式上插入在H3C-CH2-中的二价中断基团Q，得到H3C-Q-CH2-)。通常，被中断的每个单价基团可被1、2或3个中断基团Q；或者被1或2个中断基团Q；或者被2或3个中断基团Q；或者被1个中断基团Q；或者被2个中断基团Q；或者被3个中断基团Q独立地中断。当存在2或3个Q基团时，它们通常不直接相互键合(即，具有2或3个中断基团Q的中断的单价基团可不含Q-Q基团)。每个中断的单价基团可独立地如本文其它地方所述定义(例如，中断的烃基或中断的(C2-C20)烯基)。每个中断基团Q可独立地定义为本文其它地方描述的中断基团定义(例如，-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-或-Si((C1-C5)烷基)2-)。术语“中断的”可以如上所述的类似方式应用于分子或多价基团。术语“不中断的”是指不含(缺少)二价中断基团Q(即，0Q)。
术语“线性”是指缺少或不含分支点。例如，线性聚硅氧烷(例如，线性氢有机聚硅氧烷和线性烯基官能化的有机聚硅氧烷)在其主链中没有(即0个)分支点。因此，其主链仅由M单元(例如R1 3SiO1/2、HR1 2SiO1/2或Me3SiO1/2)和D单元(例如R1 2SiO2/2、HR1SiO2/2或Me2SiO2/2)组成。
术语“非线性”是指具有至少一个分支点。例如，非线性聚硅氧烷(例如，非线性氢有机聚硅氧烷和非线性烯基官能化的有机聚硅氧烷)在其主链中具有至少一个分支点。根据具体情况，每个分支点可独立地为T单元(例如，R1SiO3/2、R2SiO3/2或HSiO3/2)或Q单元(SiO4/2)。或者，非线性聚硅氧烷可进一步具有或者可不具有M和/或D单元，视情况而定。
如本文所用的术语“数均分子量”(Mn)是指样品中各个分子的分子量的普通算术平均值。它被定义为样品中所有分子的总重量除以样品中分子的总数。实验上，通过分析被分成具有分子量为Mi的ni个分子的物质i的分子量部分的样品通过式Mn＝ΣMini/Σni来确定Mn。Mn可通过各种公知的方法测量，包括凝胶渗透色谱法、光谱端基分析和渗透压测定法。测量可使用已知Mn的聚苯乙烯标准。如果未指明，本文给出的聚合物的分子量是数均分子量。
如本文所用的术语“低聚物”是指具有中等相对分子质量的分子，其结构基本上包括实际或概念性地衍生自具有较低相对分子质量的分子的2至4个重复单元(例如，单体或较少重复单元的低聚物)。具有中等相对质量的分子可为性质随一个或几个单元的移除而改变的分子。因所述一个或多个单元的移除所致的性质改变可以是显著的改变。
如本文所用的术语“有机基团”是指任何单价或多价含碳官能团。每个有机基团可独立地为未取代的或者是未取代的。例如，含氧基团，诸如烷氧基基团、芳氧基基团、芳烷氧基基团、氧代基(羰基)基团、羧基基团(包括羧酸、羧酸盐和羧酸酯)；含硫基团，诸如烷基和芳基硫化物基团；以及其他含杂原子的基团。有机基团的非限制性示例包括OR、OOR、OC(O)N(R)2、CN、CF3、OCF3、R、C(O)、亚甲基二氧基、亚乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R、C(＝NOR)R、以及取代或未取代的(C1-C100)烃基，其中R可为氢(在包括其它碳原子的示例中)或基于碳的基团，并且其中基于碳的基团可以是取代的或未取代的。
有机硅氧烷可含有不同类型的单元，其中至少一个含有与硅键合的有机基团(Si-C)。含甲基的硅氧烷单元是[(CH3)3SiO1/2]、[(CH3)2SiO2/2]和[(CH3)SiO3/2]，它们有时分别缩写为M、D和T，即没有上标。另一种类型的有机硅氧烷单元是[SiO4/2]，缩写为Q。其它类型的有机硅氧烷单元是M、D和T单元，其含有至少一次出现的原子或基团代替甲基。例如，[(CH3)3SiO1/2]单元中的1、2或3个甲基；[(CH3)2SiO2/2]单元中1或2个甲基；并且[(CH3)SiO3/2]单元中的1个甲基可独立地被诸如H或卤素的原子、诸如羟基的无机基团或除甲基之外的有机基团替代。含有替代原子或基团代替甲基的此类M、D和T单元有时通过在相应的M、D或T字母上方的上标中写入替代原子或基团来缩写。已被替代的甲基的数目由上标基团的数目表示。例如，MVi表示具有一个乙烯基(Vi)和两个甲基的M单元(即，[Vi(CH3)2SiO1/2])，而M2Vi表示具有两个乙烯基和一个甲基的M单元(即，[Vi2(CH3)SiO1/2])。类似地，DH表示具有一个氢原子和一个甲基的D单元(即，[H(CH3)SiO2/2])，而DH,Ph表示具有0个甲基、一个H原子和一个苯基的D单元(即，[H(Ph)SiO2/2])。TOAlk表示具有0个甲基和一个烷氧基的T单元(即，[AlkOSiO3/2])，其中AlkO和OAlk表示相同的烷氧基基团。
如本文所用的术语“聚合物”是指具有至少五个重复单元的分子，并且可包括均聚物和互聚物诸如共聚物。
除非化学命名或化合价要求另有说明，否则本文中的每个“R”基团是单价基团。“R”基团的示例为R、R1、R2、RA、RB和Rf。
如本文所用的术语“树脂”是指任何粘度的聚硅氧烷材料，包括包含至少四个硅氧烷单元的分子，其中至少一个硅氧烷单元通过Si-O-Si键与三个或四个其它硅氧烷单元键合。在一个示例中，聚硅氧烷材料包含如本文所定义的大部分T和/或Q单元。
如本文所用，术语“溶剂”是指可溶解固体、液体或气体的液体。溶剂的非限制性示例是有机硅流体、沸点为30℃至300℃的有机化合物，诸如醇、水、离子液体和超临界流体。在本文的特定混合物实施方案中，溶剂可完全溶解特定组分或者可不完全溶解特定组分。不完全溶解特定成分的溶剂可用作载体、稀释剂、分散剂、容纳介质或上清液。
如本文所用的术语“基本上”是指大多数或主要地，就像至少60％、70％、80％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％或99.999％；或者100％。
如本文所用的术语“取代的”与本文所定义的分子或有机基团结合在一起是指其中包含的一个或多个氢原子被一个或多个非氢原子替代的状态。如本文所用的术语“官能团”或“取代基”是指可为或可取代到分子上或有机基团上的基团。取代基或官能团的示例包括但不限于：卤素(如，F、Cl、Br和I；或者F、Cl或Br；或者F或Cl；或者Cl或Br；或者F；或者Cl)；诸如羟基基团、烷氧基基团、芳氧基基团、芳烷氧基基团、氧代基(羰基)基团、羧基基团(包括羧酸、羧酸盐和羧酸酯)之类的基团中的氧原子；诸如硫醇基团、烷基硫化物和芳基硫化物基团、亚砜基团、砜基团、磺酰基基团和磺酰胺基团之类的基团中的硫原子；诸如胺、羟基胺、腈、硝基基团、N-氧化物、酰肼、叠氮化物和烯胺之类的基团中的氮原子；以及多种其他基团中的其他杂原子。可键合到被取代的碳(或其它)原子的取代基的非限制性示例包括F、Cl、Br、I、OR、OC(O)N(R)2、CN、NO、NO2、ONO2、叠氮基、CF3、OCF3、R、O、＝O(氧代基)、S(硫代基)、C(O)、S(O)、亚甲基二氧基、亚乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R和C(＝NOR)R，其中R可以是氢或基于碳的基团；例如，R可为氢、(C1-C100)烃基、烷基、酰基、环烷基、芳基、芳烷基、杂环基、杂芳基或杂芳基烷基；或其中键合到氮原子或键合到相邻氮原子的两个R基团可与一个或多个氮原子一起形成杂环基。在取代基中，每个R独立地为未取代的或被F取代。
如本文所用，“Vi”表示乙烯基，-CH2＝CH2。如本文所用，“Me”表示甲基基团，-CH3。“Ph”表示苯基，C6H5-。
任何化合物均包括其所有“同位素形式”，包括天然丰度同位素、同位素富集的同位素以及它们的混合物。在一些方面，同位素形式为天然丰度同位素，或者同位素富集的同位素。含硅化合物的同位素富集形式具有大于天然丰度量的氘、氚、29Si、30Si、32Si或上述任意两种或更多种的组合。化合物的同位素富集形式可具有附加的用途，其中检测同位素富集的化合物或由其制备或合成的同位素富集的材料将是有帮助的。此类用途的示例为医学研究和防伪应用。
在一些方面，任何组合物可不含下列化学元素中的一种或多种：(i)来自第2至13和18族中任何一种的至少一种化学元素，包括镧系元素和锕系元素；(ii)至少一种来自元素周期表第三排至第六排中任一排的化学元素，包括镧系和锕系元素；或者(iii)(i)和(ii)二者，除了不排除Si、O、H、C、N、卤素、如本文别处所述的任何催化剂的金属。在一些方面，任何组合物均不包含具有下列原子序数中的任一者的化学元素：2、3、4、5、7、10、11、12、13、15、16、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84。85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111、112、113、114和116，除了本文别处所述的任何催化剂的金属。“化学元素”或“原子”、一族或多族化学元素或元素周期表均是指IUPAC在2013年5月1日所发布版本的化学元素、族和元素周期表；参见iupac.org/reports/periodic_table/)。
在具有带正电荷的抗衡离子的盐的化合物中，抗衡离子可以是任何合适的带正电荷的抗衡离子。例如，抗衡离子可以是铵(NH4 +)，或碱金属诸如钠(Na+)、钾(K+)或锂(Li+)。在一些实施方案中，抗衡离子可具有大于+1的正电荷，其在一些实施方案中可与多个电离基团复合诸如Zn2+、Al3+，或碱土金属诸如Ca2+或Mg2+。
在各种实施方案中，与用于处理显示装置基板的现有方法相比具有某些优点，其中现有方法包括将显示装置基板安装在载体上。例如，在一些实施方案中，与现有方法相比，该方法可更好地经受苛刻的化学处理(例如，具有对数酸解离常数pKa≤3的酸)或在某些制造过程中使用的高温(例如，≥200℃)。在一些实施方案中，该方法可在某些制造过程期间比现有方法更牢固地保持显示装置基板。一些现有的安装方法允许载体和显示基板之间的较大量的相对移动或者显示基板的大量弯曲，导致显示基板上的电子部件的未对准。在各种实施方案中，本方法可允许显示基板比现有方法更容易地从载体移除，例如，以更低的剥离力。由于显示基板在制造期间相对于载体的移动或者由于在安装、制造或移除期间损坏显示基板而导致的故障可能意味着整个生产线的关闭。在各种实施方案中，是一种处理显示装置基板的方法，其具有比现有方法更低的故障率。
在各种实施方案中，该方法可提供粘合剂分层，其在处理期间在没有粘附促进剂的情况下牢固地保持显示装置基板，并且有助于在没有剥离层的情况下容易地移除显示装置基板。在一些实施方案中，在从载体移除显示装置基板之后，载体可重复使用若干次而无需大量的回收工序。在一些实施方案中，与现有方法所需的外来设备或化学品相比，常规设备和化学品可在很少或没有修改的情况下使用以实施该方法。
显示装置基板可包括可形成为用于显示装置的部件的任何合适的材料。载体基板可以是任何合适的材料，使得该方法可如本文所述进行。在各种实施方案中，载体基板包括与显示装置基板相同的材料或是与显示装置基板相同的材料。在一些实施方案中，显示装置基板和载体基板独立地包括硅酸盐玻璃、硅(例如，硅晶片)、陶瓷、塑料(例如，热塑性有机聚合物或有机硅聚合物)、金属(例如钢、铜)或它们的组合。显示装置基板和载体基板可独立地为经处理的基板，在其上进行任何合适的一种或多种化学处理或物理处理，使得显示装置基板和/或载体基板在其上独立地包括一种或多种涂层或处理中间体，或包括具有任何合适形貌的表面诸如光滑、抛光或纹理表面。在一些实施方案中，显示装置基板和/或载体基板可具有未涂覆和未处理的原始表面。显示装置基板可以是柔性的或刚性的。显示装置基板可具有任何合适的厚度，诸如1nm至5mm、1nm至0.5mm、或者1nm至100μm，或者大于5mm。载体基板可具有任何合适量的刚度，使得显示装置基板可在处理期间牢固地保持并随后从载体基板上移除。载体基板可具有任何合适的厚度，使得该方法可如本文所述进行。例如，载体基板可具有0.1mm至1,000mm，或小于0.1mm，或0.2mm至500mm，或大于1,000mm的厚度。在各种实施方案中，载体基板和显示装置基板可包括或可以是具有相似线性膨胀系数的材料，诸如相差不超过150×10-7/℃或更低、50×10-7/℃或更低、或者不超过1×10-10/℃或更低、或不超过1×10-9/℃、1×10-8/℃、1×10-7/℃、1×10-6/℃、1×10-5/℃、1×10-4/℃、1×10-3/℃、1×10-2/℃、或不超过1×10-1/℃或更高。
显示装置基板可包括任何合适的显示装置处理前体，其可被处理以形成以下中的至少一种的显示装置部件：发光二极管显示器(LED)、电致发光显示器(ELD)、电子纸显示器、等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、高性能寻址显示器(HPA)、薄膜晶体管显示器(TFT)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子发射器显示器(SED)、激光电视显示器、碳纳米管显示器、量子点显示器和干涉调制器显示器(IMOD)。
粘合剂分层可具有任何合适的厚度，使得该方法可如本文所述进行。在一些实施方案中，粘合剂分层可具有0.1μm至500μm、5μm至150μm、10μm至100μm、或大于500μm的厚度。
经由粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板可以是任何合适的固定。固定可包括使显示装置基板与粘合剂分层和前体粘合剂组合物中的至少一种接触。在适合于实现显示装置基板与粘合剂分层的紧密粘附的条件下，诸如真空(例如，以除去空气并防止气泡)，以及任选地加热、光照或照射(例如，以固化前体粘合剂组合物)，使用各种方法诸如用辊或压制进行压力粘合，可以进行接触。通过在真空下进行压力粘合，即使残留一些气泡，也可减少或消除加热过程中气泡的生长，避免或减少层压载体基板和显示装置基板的变形缺陷的形成。在一些实施方案中，粘合剂分层在显示装置基板与粘合剂分层接触之前、之后、可选地之前或之后固化。载体基板、显示装置基板或两者可在进行固定之前洗涤，诸如在使基板与粘合剂分层或前体粘合剂组合物接触之前。
该方法可包括在将显示装置基板固定到载体基板之前，在载体基板和显示装置基板中的至少一个上形成粘合剂分层。形成可包括将前体粘合剂组合物放置在载体基板和显示装置基板中的至少一个上，并固化前体粘合剂组合物以形成其固化产物。在将显示装置基板固定到载体基板之前，可将前体粘合剂组合物放置在载体基板和显示装置基板中的至少一个上。将前体粘合剂组合物放置在载体基板和显示装置中的至少一个上可包括任何合适的方法，诸如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸渍中的至少一种。
固化前体粘合剂组合物以形成粘合剂分层可在将显示装置基板固定到载体基板之前、期间和/或之后发生。如本文所用的术语“固化”是指将预聚物或聚合物转化为较高分子质量的聚合物，然后转化为网络。固化可包括将前体粘合剂组合物暴露于任何形式的辐射、加热或允许进行物理或化学反应，这导致在25℃下测量的[动态或运动？]粘度的硬化或增加。
在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的固化可以是任何合适的固化，诸如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合。固化可包括施加光(例如，可见光、红外线、紫外线)、加热(例如，40℃或更低，或50℃至500℃，例如，120℃至250℃持续适合的时间，诸如1分钟或更短至1小时或更长时间)、照射(例如，电子束、伽马射线、X射线)或它们的组合。
在各种实施方案中，经由粘合剂分层将显示装置基板固定到载体基板可提供显示装置处理中间体，其中粘合剂分层直接位于载体基板上和/或显示装置基板上而在其间没有中间层。在其它实施方案中，在粘合剂分层与载体基板之间可形成或可产生一个或多个附加的中间层，诸如粘附促进剂层和/或剥离层。在一些实施方案中，一个或多个附加的中间层可产生在粘合剂分层和显示装置基板之间，诸如剥离层。在一些实施方案中，显示装置处理中间体可包含粘合剂分层与载体基板之间的粘附促进剂层以及粘合剂分层与显示装置基板之间的剥离层。
在一些实施方案中，载体基板和显示装置基板的固定可包括在载体基板或包括粘附促进剂层的显示装置基板上形成粘合剂分层。在一些实施方案中，载体基板和显示装置基板的固定可包括在载体基板或显示装置基板上形成粘合剂分层之前将粘附促进剂层粘合到载体基板。固定可提供显示装置处理中间体，其中粘附促进剂层位于载体基板与粘合剂分层之间。在一些实施方案中，1)粘附促进剂层与载体基板之间，2)粘附促进剂层与粘合剂分层之间，或3)它们的组合中不产生中间层。
在一些实施方案中，载体基板和显示装置基板的固定可包括经由剥离层将显示装置基板固定到粘合剂分层，其中在固定之前剥离层位于粘合剂分层上或位于显示装置基板上。在一些实施方案中，载体基板和显示装置基板的固定可包括将剥离层结合到显示装置基板或将剥离层结合到粘合剂分层。固定可提供显示装置处理中间体，其中剥离层位于显示装置基板与粘合剂分层之间。在一些实施方案中，1)剥离层与显示装置基板之间，2)剥离层与粘合剂分层之间，或3)它们的组合中不产生中间层。
在一些实施方案中，该方法不需要处理显示装置基板。在一些实施方案中，该方法可包括处理显示装置基板。显示装置基板的处理可包括任何合适的处理，诸如以下中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻、去除抗蚀剂、密封、气相沉积、粘附处理、加热、退火、照射、冷却，以及以下中的至少一种：在显示装置基板上放置、形成和修改半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层中的至少一者。
在各种实施方案中，该方法可包括从载体基板去除显示装置基板。去除可在显示装置基板的处理之前，或者在处理之后发生。可以任何合适的方式执行去除，使得从载体基板去除显示装置基板。去除可包括从载体基板去除显示装置基板，使得在去除之后基本上没有粘合剂分层粘附到显示装置基板，并且使得在去除之后基本上没有任何其它层(例如，剥离层)粘附到显示装置基板。去除可包括从载体基板去除显示装置基板，使得在去除之后基本上没有粘合剂分层粘附到显示装置基板，其中在去除之后所有其它层或一些其它层(例如，剥离层)粘附到显示装置基板。
去除可包括物理去除诸如剥离、化学去除诸如用酸或碱处理、或它们的组合。粘合剂分层和任何其它层可以这样的方式形成，即足以从载体基板去除显示装置基板的90度剥离力可为1克/厘米(g/cm)至200g/cm，2g/cm至60g/cm，或1g/cm或更低，或100g/cm至200g/cm。长度表示在去除位置处显示装置基板和载体基板的重叠和粘附部分的宽度。
在一些实施方案中，该方法可包括形成显示装置或显示装置组件，诸如在去除之后。在其它实施方案中，可在不形成显示装置或显示装置组件的情况下执行该方法。
在一些方面，包括后面描述的ad rem编号实施方案，组分(A)是式(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000的氢有机聚硅氧烷，并且组分(B)是式(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000的烯基官能化的有机聚硅氧烷。在一些方面，包括后面描述的ad rem编号实施方案，组分(A)是式(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000的氢有机聚硅氧烷，并且组分(B)是式(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1的烯基官能化的有机聚硅氧烷；
其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1和R2独立地如先前所定义。在一些方面，包括后面描述的ad rem编号实施方案，组分(A)是式(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1的氢有机聚硅氧烷；其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1独立地如先前所定义；并且组分(B)是式(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000的烯基官能化的有机聚硅氧烷。在一些方面，包括后面描述的ad rem编号实施方案，组分(A)是式(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1的氢有机聚硅氧烷，并且组分(B)是式(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1的烯基官能化的有机聚硅氧烷；所有的其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1和R2独立地如先前所定义。
前体粘合剂组合物包含组分(A)，氢有机聚硅氧烷。组分(A)可以是共享共同结构特征的单一氢化有机聚硅氧烷。前体粘合剂组合物还包含组分(B)，烯基官能化的有机聚硅氧烷。组分(B)可以是共享共同结构特征的单烯基官能化的有机聚硅氧烷。组分(B)的至少一个烯基基团适合于自由基聚合或氢化硅烷化，并且包括非芳族非共轭碳-碳双键。除组分(A)和组分(B)外，前体粘合剂组合物还可包含任何合适的一种或多种组分。组分(A)、组分(B)和任选存在于前体粘合剂组合物中的任何其它组分可固化以形成粘合剂分层。组分(A)和组分(B)可通过任何合适的化学机理固化，诸如通过氢化硅烷化。
组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的(例如，支化的，其中聚合物具有非线性主链)。在一些实施方案中，组分(A)是非线性的，并且组分(B)是线性的。在一些实施方案中，组分(A)是线性的，并且组分(B)是非线性的。在一些实施方案中，组分(A)是非线性的，并且组分(B)是非线性的。在一些实施方案中，组分(A)和组分(B)中的至少一种是氟有机取代的，诸如含氟有机聚硅氧烷。
任何合适比例的前体粘合剂组合物可以是组分(A)。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的0.1重量％至99重量％、0.1重量％至80重量％、1重量％至80重量％、0.1重量％至40重量％是组分(A)。任何合适比例的前体粘合剂组合物可以是组分(B)。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的0.1重量％至99.9重量％、10重量％至99.9重量％、60重量％至99重量％、或65重量％至99重量％是组分(B)。在包含组分(A)和组分(B)的前体粘合剂组合物中，组分(A)和组分(B)的总量为50重量％至<100重量％；或者70重量％至99重量％；或者80重量％至95重量％；或者55重量％至90重量％；或者60重量％至90重量％。
在一些实施方案中，组分(A)可以是非线性的。组分(A)可以具有式：(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z。下标y和z可独立地为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、或0至200。y和z中的至少一个可大于0。下标w为0至500、0至100、0至50、0至10、或1至任何先前的上端点，并且下标x为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、或0至200。在一些实施方案中，组分(A)可具有式：(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比。在一些实施方案中，组分(A)可具有100g/mol至10,000,000g/mol，或100g/mol或更低，或1,000至5,000,000的分子量。
在一些实施方案中，组分(A)可具有式：(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x。下标x可为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、或0至200。在各种实施方案中，组分(A)可具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x(HMeSiO2/2)x或(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x。
在各种实施方案中，组分(A)可具有式：
(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6或(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100。
在各种实施方案中，组分(A)可选自：(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000；或者选自(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1独立地如前所定义。在一些实施方案中，组分(A)可选自(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000(HMeSiO2/2)1-2000、(HMe2SiO1/2)0.1-20(SiO4/2)0.1-5(其中单位下标表示其摩尔比)以及(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000。在一些实施方案中，组分(A)可选自(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6,(HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2)(其中单位下标表示其摩尔比)以及(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100。
在每次出现时，RA可独立地选自-H和-R1。组分(A)中的至少一个RA可以是-H，包括侧链Si-H、末端Si-H或它们的组合。在每次出现时，R1可独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基。基团R1可为(C1-C20)烃基。基团R1可为(C1-C5)烷基。基团R1可为甲基。
任何合适比例的前体粘合剂组合物可以是组分(B)。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的0.1重量％至99.9重量％、10重量％至80重量％、或40重量％至99.9重量％是组分(B)。
组分(B)可以是非线性的。在各种实施方案中，组分(B)可具有式：(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z。下标y和z可独立地为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。y和z中的至少一个大于0。下标w为0至500、0至100、0至50、0至10，并且下标x为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。下标n可为1至1,000，或者1至100。
组分(B)可具有式(ViMe2SiO1/2)w(Me2SiO2/2)x(SiO4/2)z，其中下标w为0至500、1至500、1至100、1至50、或者1至10，并且下标x和z独立地为1至5,000、1至2,000、1至1,000、1至500、或者1至150。
组分(B)可具有式(ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2或(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。组分(B)可具有式(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)或(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55。
在一些实施方案中，组分(B)可以是线性的。组分(B)可具有式：(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x。下标x可为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或者1至200。在一些实施方案中，组分(B)是(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300。在一些实施方案中，组分(B)是(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150。
组分(B)可选自((R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000；或者选自(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1，其中下标为m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1以及官能团R1和R2独立地如前所定义。组分(B)可选自(ViMe2SiO1/2)1-100(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-5、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和(ViMe2SiO1/2)1-800(Me3SiO1/2)1-2000(SiO4/2)1-200。组分(B)可选自(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150和(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55。
在每次出现时，RB可独立地选自R1和R2。至少一个RB可以是R2，包括侧链Si-R2、末端Si-R2或它们的组合。在每次出现时，R1可独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基。基团R1可为(C1-C20)烃基。基团R1可为(C1-C5)烷基。基团R1可为甲基。在每次出现时，R2可独立地为不中断的或被1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基。基团R2可为(C2-C20)烯基。基团R2可为乙烯基基团。
在各种实施方案中，组分(A)可以是具有烯基基团的非线性聚硅氧烷(例如，支化的聚二甲基硅氧烷)。组分(A)可以是具有烯基基团的线性聚硅氧烷(例如，MviDviDMvi、MDviDM)。组分(A)可以是MQ乙烯基硅氧烷(MviQ)。组分(B)可以是线性(MDDHMH、MDDHM)或非线性(MHQ)硅氧烷(未取代的)。组分(B)可以是非线性(MHQ)硅氧烷(未取代的)。组分(B)可以是线性或非线性有机硅增链剂。
前体粘合剂组合物可具有任何合适的Si-H与烯基比(例如，其中烯基基团是可氢化硅烷化固化的非芳族非共轭碳-碳双键)，诸如0.1:1至10:1、0.7:1至2:1、或0.1:1或更小、或0.2:1。Si-H与烯基的比率可以是组分(A)中的Si-H基团与组分(B)中的烯基基团的比率，或者前体粘合剂组合物的所有组分中Si-H基团与烯基基团的比率。
前体粘合剂组合物可具有任何合适的烯基官能化的有机聚硅氧烷与氢有机聚硅氧烷的重量比，诸如0.001:1至1000:1、或10:1至100:1、或0.001:1或更低、或0.01:1，前提条件是组分(A)和组分(B)的总量为50重量％至<100重量％，或者50重量％至99.9重量％，或者50重量％至99重量％。烯基官能化的有机聚硅氧烷与氢有机聚硅氧烷的重量比可以是组分(B)与组分(A)的比率，或前体粘合剂组合物中所有烯基官能化的有机聚硅氧烷与前体粘合剂组合物中的所有氢有机聚硅氧烷的比率。
前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层前体组合物可包含任何一种或多种任选组分。本节中描述的任何一种或多种任选组分可形成任何合适比例的前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物或剥离层前体组合物，诸如0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、或0.01重量％至20重量％。
在一些实施方案中，前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种包含以下中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、可聚合单体、可聚合或可交联低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、天然橡胶或合成橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟化有机硅、氟硅烷、虫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性的聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、氨基甲酸酯、天然粘合剂、基于环氧树脂的粘合剂、基于呋喃的粘合剂、基于酚醛树脂的粘合剂、基于醛的粘合剂、脲醛粘合剂、基于丙烯酸的粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、可固化形成以上任何一种的前体、以及它们中的任何一种的反应产物。
催化剂的示例可包括氢化硅烷化催化剂、缩合催化剂、自由基引发剂、光引发剂、或者酸或碱。氢化硅烷化催化剂的示例可包括任何合适的氢化硅烷化催化剂，诸如任何氢化硅烷化催化剂包括铂族金属或含铂族金属的化合物。铂族金属可包括铂、铑、钌、钯、锇和铱。合适的氢化硅烷化催化剂的示例可包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的铂(IV)络合物。在另一个实施方案中，氢化硅烷化催化剂可以是光活化的氢化硅烷化催化剂、或微胶囊化在热塑性材料中的氢化硅烷化催化剂。
固化剂的示例可包括胺、芳族胺、脂族胺、环脂族胺、多胺、酰胺、聚酰胺或亚胺中的至少一种。示例包括聚乙烯亚胺、哌啶、三乙胺、苄基二甲基胺、N,N-二甲基氨基吡啶、2-(N,N-二甲基氨基甲基)苯酚、三(二甲基氨基甲基)苯酚、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪、哌嗪衍生物(如氨基乙基哌嗪)、吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲嗪、异吲哚、吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、喹啉、异喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、咔唑、咔唑、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、咪唑烷、吩恶嗪、噌啉、吡咯烷、吡咯啉、咪唑啉、哌啶、二氢吲哚、异吲哚啉、奎宁、吗啉、偶氮辛、吖庚因、1,3,5-三嗪、噻唑、蝶啶、二氢喹啉、六亚甲基亚胺、吲唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,1,3-三氯三氟丙酮、以及它们的组合。
在各种实施方案中、前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种包含有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷和有机烯基硅氧烷中的至少一种。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种包含以下中的至少一种：非线性(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷、线性(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷、线性(C2-C20)烯基官能化的氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非线性氢有机聚硅氧烷、线性氢有机聚硅氧烷和((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基是独立地选择的、取代的或未取代的，并且是不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断。
前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种可包含以下中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合物稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基基团的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状材料、有机硅、有机官能硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅胶、有机硅甲醇液、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外线稳定剂和流动控制添加剂。
在各种实施方案中是显示装置处理中间体。显示装置处理中间体可以是可使用本文描述的任何方法制备的任何显示装置处理中间体。显示装置处理中间体可包括载体基板，诸如本文所述的任何载体基板。显示装置处理中间体可包括在载体基板上的粘合剂分层，诸如本文所述的任何粘合剂分层。粘合剂分层可包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，诸如固化本文所述的任何前体粘合剂组合物的固化产物。显示装置处理中间体可包括经由粘合剂分层固定到载体基板上的显示装置基板。在各种实施方案中，显示装置组件或显示装置由显示装置处理中间体形成。
在一些实施方案中，是如图1所示的显示装置处理中间体1。显示装置处理中间体1包括载体基板10，诸如本文所述的任何载体基板。显示装置处理中间体1包括在载体基板10上的粘合剂分层30，诸如本文所述的任何粘合剂分层。粘合剂分层30包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，诸如固化本文所述的任何前体粘合剂组合物的固化产物。显示装置处理中间体1包括经由粘合剂分层30固定到载体基板10上的显示装置基板50。粘合剂分层30可直接位于载体基板10上，其中没有中间层。显示装置基板50可直接位于粘合剂分层30上，其中没有中间层。
在一些实施方案中，是如图2所示的显示装置处理中间体2。显示装置处理中间体2包括载体基板10上的粘合剂分层30。显示装置处理中间体2包括经由粘合剂分层30固定到载体基板10上的显示装置基板50。显示装置处理中间体2包括显示装置基板50与粘合剂分层30之间的剥离层40。剥离层40可直接位于显示装置基板50上，其中没有中间层。剥离层40可直接位于粘合剂分层30上，其中没有中间层。粘合剂分层30可直接位于载体基板10上，其中没有中间层。
在一些实施方案中，是如图3所示的显示装置处理中间体3。显示装置处理中间体3包括载体基板10上的粘合剂分层30。显示装置处理中间体3包括经由粘合剂分层30固定到载体基板10上的显示装置基板50。显示装置处理中间体3包括载体基板10与粘合剂分层30之间的粘附促进剂层20。粘附促进剂层20可直接位于载体基板10上，其中没有中间层。粘附促进剂层20可直接位于粘合剂分层30上，其中没有中间层。显示装置基板50可直接位于粘合剂分层30上，其中没有中间层。
在一些实施方案中，是如图4所示的显示装置处理中间体4。显示装置处理中间体4包括载体基板10上的粘合剂分层30。显示装置处理中间体4包括经由粘合剂分层30固定到载体基板10上的显示装置基板50。显示装置处理中间体4包括载体基板10与粘合剂分层30之间的粘附促进剂层20。显示装置处理中间体4包括显示装置基板50与粘合剂分层30之间的剥离层40。粘附促进剂层20可直接位于载体基板10上，其中没有中间层。粘合剂分层30可直接位于粘附促进剂层20上，其中没有中间层。剥离层40可直接位于粘合剂分层30上，其中没有中间层。显示装置基板50可直接位于剥离层40上，其中没有中间层。
实施例
可参考以举例说明方式提供的以下实施例来更好地理解本发明的多种实施方案。本发明不限于本文给出的实施例。
用洗涤剂清洗玻璃基板(尺寸为75mm×50mm并且厚度为1.0mm的显微镜载玻片(Fisher Scientific，Loughborough，UK))，并制备成用于这些实施例的载体。
剥离强度测试。通过TMI粘附力测试仪(Testing Machines，Inc.，Delaware，USA)在室温下以每分钟12英寸的剥离速率测量剥离强度。使用双面胶带将层压结构固定到粘附力测试仪的台上，其中与玻璃的粘附力显著大于层压结构的最大剥离力。将具有50mm宽度的3M(TM)471胶带(3M公司)施加到剥离层上，以便形成引线以固定到TMI粘附力测试仪的夹具上。产生的引线的长度为50mm至75mm，延伸超出剥离层边缘。仪器设置为90°剥离测试。然后将带引线固定到夹具上，并将仪器归零。归零后，使用控制软件启动测试。剥离力的测量通过力传感器进行，并在计算机监视器上给出输出。一旦完成，记录最大剥离力，并取出样品。报告的剥离强度是来自至少3个样品的平均测量值。
实施例1：将有机硅粘合剂用支化烯基硅氧烷和线性交联剂固化。用非线性烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2))(在25℃下测量的动态粘度为100厘泊至600厘泊(cp))和线性氢有机硅氧烷(((Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)、Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。然后将细长玻璃(尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的显微镜覆盖玻璃)层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于250℃的预热空气循环烘箱中1.5小时。没有观察到逸气。以45g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例2：用线性烯基硅氧烷和支化交联剂固化有机硅粘合剂。用线性烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150)和支化氢有机硅氧烷((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，低聚物)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)，Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。然后将细长玻璃(尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的显微镜覆盖玻璃)层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于250℃的预热空气循环烘箱中1.5小时。没有观察到逸气。以34g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例3：用支化烯基硅氧烷和支化交联剂固化有机硅粘合剂。用支化烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2))(在25℃下测量的动态粘度为100cp至600cp)和支化氢有机硅氧烷((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，低聚物)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)，Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。然后将细长玻璃(尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的显微镜覆盖玻璃)层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于250℃的预热空气循环真空烘箱中1.5小时。没有观察到逸气。以55g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例4：用支化烯基硅氧烷和支化交联剂固化有机硅粘合剂，其中具有剥离层涂层。用支化烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2))(在25℃下测量的动态粘度为100cp至600cp)和支化氢有机硅氧烷((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，低聚物)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)，Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。
将苯基倍半硅氧烷溶液((HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5，其中单位下标表示其摩尔比，其中倍半硅氧烷当在室温下不溶于有机溶剂时为固体并具有200g/mol至100,000g/mol的分子量)旋涂在尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的细长玻璃上，然后在160℃下软烘烤2分钟。然后将该涂覆的细长玻璃层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于250℃的预热真空烘箱中1.5小时。没有观察到放气。以19g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例5：用支化烯基硅氧烷和线性交联剂固化有机硅粘合剂，其中具有剥离层涂层。用支化烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2))(在25℃下测量的动态粘度为100cp至600cp)和线性氢有机硅氧烷(((Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)、Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。
将苯基倍半硅氧烷溶液((HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5，其中单位下标表示其摩尔比，其中倍半硅氧烷当在室温下不溶于有机溶剂时为固体并具有200g/mol至100,000g/mol的分子量)旋涂在尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的细长玻璃上，然后在160℃下软烘烤2分钟。然后将该涂覆的细长玻璃层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于300℃的预热真空烘箱中1小时。没有观察到放气。以19g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例6：用线性烯基硅氧烷和支化交联剂固化有机硅粘合剂，其中具有剥离层涂层。用烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150)和支化氢有机硅氧烷((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，低聚物)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)，Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。
将苯基倍半硅氧烷溶液((HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5，其中单位下标表示其摩尔比，其中倍半硅氧烷当在室温下不溶于有机溶剂时为固体并具有200g/mol至100,000g/mol的分子量)旋涂在尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的细长玻璃上，然后在160℃下软烘烤2分钟。然后将该涂覆的细长玻璃层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于250℃的预热烘箱中1.5小时。没有观察到放气。以28g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例7：用MQ烯基硅氧烷和扩链剂固化有机硅粘合剂。用支化聚乙烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)和氢有机硅氧烷((HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100，其中单位下标表示其摩尔比)(其中Si-H/乙烯基比率为1.5:1)，Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。将该硅氧烷溶液旋涂在厚度为10μm至100μm的载体玻璃上，然后在160℃下固化2分钟。然后将细长玻璃(尺寸为50mm×45mm且厚度为0.13mm至0.17mm的显微镜覆盖玻璃)层压在载体上的固化有机硅的顶部上。将组件置于约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下1小时以实现紧密粘合，然后将其置于250℃的预热空气循环烘箱中1.5小时。没有观察到逸气。以55g/cm的90度剥离力将细长玻璃从载体上的有机硅上剥离。
实施例8：有机硅作为具有聚酰亚胺膜的粘合剂分层。用烯基有机硅氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO)150)和支化氢有机硅氧烷((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单位下标表示其摩尔比，低聚物)(其中Si-H/乙烯基比率为1.8:1)，Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂(其中抑制剂/催化剂比率为150:1)形成硅氧烷溶液。然后加入Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂，其中抑制剂/催化剂比率为50-200。
用异丙醇清洁25μm厚的聚酰亚胺(PI)膜(UBE Industries，Ltd.，Tokyo，Japan)，然后在使用前在150℃的烘箱中干燥30分钟。
根据旋转速率将硅氧烷粘合剂溶液旋涂在载体玻璃上，厚度为约10μm至150μm；然后在160℃下固化2分钟。冷却至室温后，将1英寸宽和2英寸长的PI膜部分层压到涂覆有粘合剂层的载体上。然后将层压体在预热的180℃热板上加热20分钟。没有观察到逸气。PI膜可容易地从载体上剥离，表面清洁，剥离力低。测得的90度剥离力为约6g/cm。
实施例9：有机硅作为具有聚酰亚胺膜的粘合剂分层。通过将乙烯基官能化的聚二甲基硅氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO)600)和乙烯基官能的MQ树脂((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)与Si-H官能化的聚硅氧烷((Me3SiO1/2)2(Me2SiO)3-4(HMeSiO)5-6，其中Si-H/乙烯基比率为0.75-2)混合来制备硅氧烷粘合剂溶液。然后加入Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂，其中抑制剂/催化剂比率为50-200。
用异丙醇清洁25μm厚的购自UBE的聚酰亚胺(PI)膜，然后在使用前在150℃的烘箱中干燥30分钟。
根据旋转速率将硅氧烷粘合剂溶液旋涂在载体玻璃上，厚度为约10μm至150μm；然后在160℃下固化2分钟。冷却至室温后，将1英寸宽和2英寸长的PI膜部分层压到涂覆有粘合剂层的载体上。然后将层压体在预热的180℃热板上加热20分钟。没有观察到逸气。PI膜可容易地从载体上剥离，表面清洁，剥离力低。测得的90度剥离力为约9g/cm。
实施例10：有机硅作为具有聚酰亚胺膜的粘合剂分层用于高温应用。通过将乙烯基官能化的聚二甲基硅氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO)600)和乙烯基官能化的MQ树脂((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)与Si-H官能化的聚硅氧烷((Me3SiO1/2)(Me2SiO)3-4(HMeSiO)5-6(O1/2SiMe3)，其中Si-H/乙烯基比率为0.75-2)混合来制备硅氧烷粘合剂溶液。然后加入Pt催化剂和马来酸二烯丙酯抑制剂，其中抑制剂/催化剂比率为50-200。之后，将1000ppm的Ce(OSiMe(OSiMe3)2)4加入到制剂中并充分混合。
用异丙醇清洁25μm厚的购自UBE的聚酰亚胺(PI)膜，然后在使用前在150℃的烘箱中干燥30分钟。
根据旋转速率将硅氧烷粘合剂溶液旋涂在载体玻璃上，厚度为约10μm至150μm；然后在120℃下固化1分钟。冷却至室温后，将1英寸宽和2英寸长的PI膜部分层压到涂覆有粘合剂层的载体上。然后将层压体在预热的380℃热板上加热30分钟。没有观察到逸气。PI膜可容易地从载体上剥离，表面清洁，剥离力低。
已采用的术语和措辞是用作描述性而非限制性的术语，并且在这类术语和措辞的使用中并不试图排除所示的和所描述的特征或其部分的任何等同物，而是应认识到在本发明的实施方案的范围内可以作出各种修改形式。因此，虽然本发明已通过具体的实施方案和任选的特征具体地进行公开，但本领域普通技术人员可能作出本文所公开的构思的修改形式和变型形式，而此类修改形式和变型形式将被视为在本发明的实施方案的范围内。
以下权利要求通过引用并入作为编号方面。除了词语“权利要求”和“多个权利要求”分别被“方面”和“多个方面”替代之外，所编号的方面与权利要求相同。
Claims (20)
1.一种处理显示装置基板的方法，所述方法包括：
利用粘合剂分层将所述显示装置基板固定到载体基板，所述粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，所述前体粘合剂组合物包含：
组分(A)，氢有机聚硅氧烷；和
组分(B)，(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团为不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的，其中n为1至1,000；
其中，组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中组分(A)是非线性的，并且组分(B)是线性的；或者其中组分(A)是非线性的，并且组分(B)是非线性的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中组分(A)是非线性的，并且组分(A)具有式：
(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，
其中
在每次出现时，RA独立地选自-H和-R1，
组分(A)中的至少一个RA为-H，
在每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，
y和z独立地为0至5,000，
y和z中的至少一个大于0，
w为0至500，并且
x为0至5,000。
4.根据权利要求1所述的方法，其中组分(A)是线性的，并且组分(A)具有式：
(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x，
其中
在每次出现时，RA独立地选自-H和-R1，
组分(A)中的至少一个RA为-H，
在每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且
x为0至5,000。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中组分(B)是非线性的，并且组分(B)具有式：
(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，
其中
在每次出现时，RB独立地选自R1和R2，
至少一个RB为R2，
在每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，
在每次出现时，R2独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，其中n为1至1,000，
y和z独立地为0至5,000，
y和z中的至少一个大于0，
w为0至500，并且
x为0至5,000。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中组分(B)是线性的，并且组分(B)具有式：
(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x，
其中
在每次出现时，RB独立地选自-R1和-R2，
至少一个RB为R2，
在每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，
在每次出现时，R2独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，其中n为1至1,000，并且
x为0至5,000。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中组分(A)选自(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000和(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1代表它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，m2为0至0.8，d1为0至0.999，d2为0至0.9999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99，并且
其中在每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基。
8.根据权利要求1至4和7中任一项所述的方法，其中组分(B)选自(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1代表它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，m2为0至0.8，d1为0至0.9999，d2为0至0.9999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99，并且
其中，
在每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且
在每次出现时，R2独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，其中n为1至1,000。
9.根据权利要求1所述的方法，其中
组分(A)具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-2；或者组分(A)具有式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)；或者
组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2)，其中单元下标表示其摩尔比，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300；或者
组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单元下标表示其摩尔比，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150；或者
组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80；或者
组分(A)具有式：(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100，并且组分(B)具有式：(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、单体、低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟化有机硅、氟硅烷、虫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性的聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、氨基甲酸酯、天然粘合剂、基于环氧树脂的粘合剂、基于呋喃的粘合剂、基于酚醛树脂的粘合剂、基于醛的粘合剂、脲醛粘合剂、基于丙烯酸的粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、能够固化以形成以上中的任何一种的前体、以及以上中的任何一种的反应产物。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合物稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基基团的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状材料、有机硅、有机官能硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅胶、有机硅甲醇液、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外线稳定剂和流动控制添加剂。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述固定提供显示装置处理中间体，其中粘附促进剂层位于所述载体基板与所述粘合剂分层之间。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述固定提供显示装置处理中间体，其中剥离层位于所述粘合剂分层与所述显示装置基板之间。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，还包括处理所述显示装置基板，其中处理所述显示装置基板包括以下中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻、去除抗蚀剂、密封、气相沉积、粘附处理、加热、退火、照射、冷却，以及以下中的至少一种：在所述显示装置基板上放置、形成和修改半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层中的至少一者。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，还包括从所述载体基板去除所述显示装置基板。
16.一种包括权利要求1至15中任一项所述的方法的形成显示装置或显示装置部件的方法。
17.一种通过权利要求1至16中任一项所述的方法形成的显示装置或显示装置部件。
18.一种处理显示装置基板的方法，所述方法包括：
利用粘合剂分层将所述显示装置基板固定到载体基板，所述粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，所述前体粘合剂组合物包含：
0.1重量％至99重量％的组分(A)，其中组分(A)是选自(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000和(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1的氢有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1代表它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，m2为0至0.8，d1为0至0.999，d2为0至0.9999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99；以及
0.1重量％至99.9重量％的组分(B)，其中组分(B)是选自(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1的烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1代表它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，m2为0至0.8，d1为0至0.9999，d2为0至0.9999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99；
其中
组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的，
在组分(A)和组分(B)中每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且
在组分(B)中每次出现时，R2独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，其中n为1至1,000。
19.一种显示装置处理中间体，包括：
载体基板；
位于所述载体基板上的粘合剂分层，所述粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，所述前体粘合剂组合物包含：
组分(A)，氢有机聚硅氧烷；和
组分(B)，(C2-C20)烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团为不中断的或被1、2或3个独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的，其中n为1至1,000；
其中，组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的；以及
显示装置基板，所述显示装置基板通过所述粘合剂分层固定到所述载体基板。
20.一种显示装置处理中间体，包括：
载体基板；
位于所述载体基板上的粘合剂分层，所述粘合剂分层包含固化前体粘合剂组合物的固化产物，所述前体粘合剂组合物包含：
0.1重量％至99重量％的组分(A)，其中组分(A)是选自(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000和(HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1的氢有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1代表它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，m2为0至0.8，d1为0至0.999，d2为0至0.9999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99；以及
0.1重量％至99.9重量％的组分(B)，其中组分(B)是选自(R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000和(R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1的烯基官能化的有机聚硅氧烷，其中下标m1、m2、d1、d2、t1、t2和q1代表它们相应重复单元的摩尔分数，使得m1+m2+d1+d2+t1+t2+q1的总和＝1；其中m1为0至0.8，m2为0至0.8，d1为0至0.9999，d2为0至0.9999，t1为0至0.8，t2为0至0.8，并且q1为0至0.99；
其中
组分(A)和组分(B)中的至少一种是非线性的，
在组分(A)和组分(B)中每次出现时，R1独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C1-C20)烃基，并且
在组分(B)中每次出现时，R2独立地为被0、1、2或3个选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-的基团中断的取代或未取代的(C2-C20)烯基，其中n为1至1,000；以及
显示装置基板，所述显示装置基板通过所述粘合剂分层固定到所述载体基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662336780P | 2016-05-16 | 2016-05-16 | |
| US62/336780 | 2016-05-16 | ||
| PCT/US2017/031857 WO2017200807A1 (en) | 2016-05-16 | 2017-05-10 | Adhesive delamination layer including at least one non-linear organopolysiloxane |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109072038A true CN109072038A (zh) | 2018-12-21 |
| CN109072038B CN109072038B (zh) | 2021-09-07 |
Family
ID=59034845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780024695.9A Active CN109072038B (zh) | 2016-05-16 | 2017-05-10 | 包含至少一种非线性有机聚硅氧烷的粘合剂分层 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10703946B2 (zh) |
| JP (1) | JP6956739B2 (zh) |
| KR (1) | KR102206725B1 (zh) |
| CN (1) | CN109072038B (zh) |
| TW (1) | TWI767909B (zh) |
| WO (1) | WO2017200807A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110072919A (zh) * | 2016-12-13 | 2019-07-30 | 三菱化学株式会社 | 聚有机硅氧烷、聚有机硅氧烷组合物及其固化物、以及含有聚有机硅氧烷的电解电容器用电解液及使用其的电解电容器 |
| KR102458048B1 (ko) * | 2018-07-12 | 2022-10-25 | 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 | 점착 필름용 열경화형 실리콘계 수지 조성물 및 이를 이용하여 형성된 점착 필름 |
| JP7332576B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2023-08-23 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 感圧性接着剤ならびにその調製および使用 |
| KR102054615B1 (ko) * | 2019-04-11 | 2019-12-10 | 도레이첨단소재 주식회사 | 불소기 함유 이형 필름 |
| CN110511672B (zh) * | 2019-08-15 | 2021-05-04 | 广东普赛达密封粘胶有限公司 | 一种底涂活性硅氧烷组合物及其制备方法和应用 |
| KR20230024273A (ko) * | 2020-06-11 | 2023-02-20 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 적층체, 전자 디바이스용 부재를 구비하는 적층체, 전자 디바이스의 제조 방법 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080090380A1 (en) * | 2005-03-01 | 2008-04-17 | Gardner Geoffrey B | Temporary Wafer Bonding Method for Semiconductor Processing |
| CN101242951A (zh) * | 2005-08-09 | 2008-08-13 | 旭硝子株式会社 | 薄板玻璃层压体以及利用薄板玻璃层压体的显示装置的制造方法 |
| CN101370894A (zh) * | 2006-01-18 | 2009-02-18 | Lg化学株式会社 | 用于传送柔性基板的压敏粘合剂 |
| CN102596566A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 支撑体、玻璃基板层叠体、带有支撑体的显示装置用面板以及显示装置用面板的制造方法 |
| CN102753636A (zh) * | 2010-02-12 | 2012-10-24 | 道康宁公司 | 用于半导体加工的暂时晶片粘结方法 |
| CN103210052A (zh) * | 2010-11-10 | 2013-07-17 | 乐金华奥斯有限公司 | 再剥离性及相溶性优秀的硅酮系粘结剂组合物以及利用该硅酮系粘结剂组合物的窗膜 |
| CN104395406A (zh) * | 2012-06-22 | 2015-03-04 | 迈图高新材料日本合同公司 | 双组分型固化性聚有机硅氧烷组合物及其使用 |
| WO2015050251A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物の硬化物、硬化性ポリオルガノシロキサン組成物を用いた接着体、硬化性ポリオルガノシロキサン組成物を用いた接着体の製造方法、並びにその使用 |
| GB2530388A (en) * | 2014-07-25 | 2016-03-23 | Dow Corning | Fluoro-silicone compositions as temporary bonding adhesives field of the invention |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826376B2 (ja) | 1977-09-26 | 1983-06-02 | 東芝シリコ−ン株式会社 | ゴム状に硬化しうるオルガノポリシロキサン組成物 |
| JP2011004617A (ja) | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Iseki & Co Ltd | 根菜収穫機 |
| KR20150099581A (ko) | 2012-12-26 | 2015-08-31 | 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 | 경화성 폴리오르가노실록산 조성물 |
-
2017
- 2017-04-26 TW TW106113854A patent/TWI767909B/zh active
- 2017-05-10 JP JP2018556290A patent/JP6956739B2/ja active Active
- 2017-05-10 US US16/091,127 patent/US10703946B2/en active Active
- 2017-05-10 KR KR1020187034940A patent/KR102206725B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-10 CN CN201780024695.9A patent/CN109072038B/zh active Active
- 2017-05-10 WO PCT/US2017/031857 patent/WO2017200807A1/en active Application Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080090380A1 (en) * | 2005-03-01 | 2008-04-17 | Gardner Geoffrey B | Temporary Wafer Bonding Method for Semiconductor Processing |
| CN101242951A (zh) * | 2005-08-09 | 2008-08-13 | 旭硝子株式会社 | 薄板玻璃层压体以及利用薄板玻璃层压体的显示装置的制造方法 |
| CN101370894A (zh) * | 2006-01-18 | 2009-02-18 | Lg化学株式会社 | 用于传送柔性基板的压敏粘合剂 |
| CN102596566A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 支撑体、玻璃基板层叠体、带有支撑体的显示装置用面板以及显示装置用面板的制造方法 |
| CN102753636A (zh) * | 2010-02-12 | 2012-10-24 | 道康宁公司 | 用于半导体加工的暂时晶片粘结方法 |
| CN103210052A (zh) * | 2010-11-10 | 2013-07-17 | 乐金华奥斯有限公司 | 再剥离性及相溶性优秀的硅酮系粘结剂组合物以及利用该硅酮系粘结剂组合物的窗膜 |
| CN104395406A (zh) * | 2012-06-22 | 2015-03-04 | 迈图高新材料日本合同公司 | 双组分型固化性聚有机硅氧烷组合物及其使用 |
| WO2015050251A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物の硬化物、硬化性ポリオルガノシロキサン組成物を用いた接着体、硬化性ポリオルガノシロキサン組成物を用いた接着体の製造方法、並びにその使用 |
| GB2530388A (en) * | 2014-07-25 | 2016-03-23 | Dow Corning | Fluoro-silicone compositions as temporary bonding adhesives field of the invention |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| SHAOW B. LIN: "New silicone pressure-sensitive adhesive", 《INTERNATIONAL JOURNAL OF ADHESION AND ADHESIVES》 * |
| 罗穗莲等: "有机硅胶粘剂的研究进展", 《粘接》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201806780A (zh) | 2018-03-01 |
| WO2017200807A1 (en) | 2017-11-23 |
| US20190119538A1 (en) | 2019-04-25 |
| KR102206725B1 (ko) | 2021-01-25 |
| CN109072038B (zh) | 2021-09-07 |
| KR20190004321A (ko) | 2019-01-11 |
| JP6956739B2 (ja) | 2021-11-02 |
| US10703946B2 (en) | 2020-07-07 |
| JP2019522686A (ja) | 2019-08-15 |
| TWI767909B (zh) | 2022-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |