CN109072039A - 用于显示装置基底加工的包含倍半硅氧烷聚合物和硅烷中至少一种的粘合剂层离层 - Google Patents
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Abstract
本发明所公开的各种实施方案涉及包含倍半硅氧烷聚合物和硅烷中的至少一种的粘合剂层离层，以及相关方面，诸如用于显示装置基底加工的方法。在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。所述方法可包括利用粘合剂层离层将所述显示装置基底固定到载体基底。所述粘合剂层离层可包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。所述前体粘合剂组合物可包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中的至少一种。
Description
技术领域
本发明一般涉及包含倍半硅氧烷聚合物和硅烷中至少一种的粘合剂层离层，以及包括加工显示装置基底的方法的相关方面和显示装置加工中间体。
背景技术
在诸如液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器和有机发光二极管(OLED)显示器的显示装置的生产中，各种显示装置部件由薄显示装置基底制造，包括柔性和非柔性的玻璃和非玻璃基底。由于其易碎性质，在某些制造工艺期间所需的高精度以及由于某些制造工艺的苛刻条件(例如，高温)，在一些薄显示装置基底上执行制造工艺可能具有挑战性。
发明内容
一种加工显示装置基底的方法。该方法的实施方案包括利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底。粘合剂层离层包含至少部分固化前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。前体粘合剂组合物是可固化的并且包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中至少一种。
一种显示装置加工中间体。显示装置加工中间体的实施方案包括载体基底和载体基底上的粘合剂层离层。粘合剂层离层包含至少部分固化前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。前体粘合剂组合物是可固化的并且包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中至少一种。显示装置加工中间体还可包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
附图说明
附图以举例的方式而非限制的方式大体示出了本文献中讨论的各种实施方案。
图1示出了根据各种实施方案的显示装置加工中间体。
图2示出了根据各种实施方案的显示装置加工中间体。
图3示出了根据各种实施方案的显示装置加工中间体。
图4示出了根据各种实施方案的显示装置加工中间体。
具体实施方式
以引用的方式将发明内容和说明书摘要并入本文。
提供以下示例性实施方案，其编号不应视为表示重要性程度：
实施方案1是一种加工显示装置基底的方法，该方法包括：利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底上，该粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，该前体粘合剂组合物包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中至少一种。
实施方案2是实施方案1所述的方法，其中显示装置基底包括玻璃、硅、陶瓷、塑料、金属或它们的组合。
实施方案3是实施方案1至2中任一项所述的方法，其中显示装置基底包括以下中的至少一个的加工前体部件：发光二极管显示器(LED)、电致发光显示器(ELD)、电子纸显示器、等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、高性能寻址显示器(HPA)、薄膜晶体管显示器(TFT)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子发射器显示器(SED)、激光电视显示器、碳纳米管显示器、量子点显示器和干涉调制器显示器(IMOD)。
实施方案4是实施方案1至3中任一项所述的方法，其中显示装置基底具有1nm至5mm的厚度。
实施方案5是实施方案1至4中任一项所述的方法，其中显示装置基底具有1nm至0.5mm的厚度。
实施方案6是实施方案1至5中任一项所述的方法，其中载体基底包括玻璃、硅、陶瓷、塑料、金属或它们的组合。
实施方案7是实施方案1至6中任一项所述的方法，其中0.1重量％至99重量％的前体粘合剂组合物是硅烷或倍半硅氧烷聚合物。在一些实施方案中，0.1重量％至99重量％是硅烷。在其它实施方案中，0.1重量％至99重量％是倍半硅氧烷聚合物。在其它实施方案中，0.1重量％至99重量％是硅烷和倍半硅氧烷聚合物的总和。
实施方案8是实施方案1至7中任一项所述的方法，其中10重量％至80重量％的前体粘合剂组合物是硅烷或倍半硅氧烷聚合物。在一些实施方案中，10重量％至80重量％是硅烷。在其它实施方案中，10重量％至80重量％是倍半硅氧烷聚合物。在其它实施方案中，10重量％至80重量％是硅烷和倍半硅氧烷聚合物的总和。
实施方案9是实施方案1至8中任一项所述的方法，其中硅烷具有式(C1-C30)烃基-SiZ3，其中每个Z独立地是可水解基团，其为H、卤素原子或有机杂基，其中有机杂基通过为O、N或S；或者O或N；或者O；或者N的杂原子与式(C1-C30)烃基-SiZ3中的Si原子键合。在一些实施方案中，每个有机杂基独立地为-ORM、-NHRM、-NRM 2、-O2CRM、-O-N＝CRM 2、-O-C(＝CRM 2)RM或-N(RM)CORM。在每次出现时，RM独立地选自取代或未取代的(C1-C22)烃基、取代或未取代的(C1-C22)烷基、或者取代或未取代的(C1-C5)烷基，或其中键合到同一N或C的任何两个RM可彼此键合以形成二价基团-RMa-RMb-，其是取代或未取代的(C1-C22)烷-二基。在一些实施方案中，有机杂基是(C1-C20)有机杂基。在一些实施方案中，硅烷具有式(C1-C30)烃基-Si(O(C1-C30)烃基))3，其中每个(C1-C30)烃基独立地选择并且是取代的或未取代的。任何两个O(C1-C30)烃基)可彼此键合形成二价基团-ORMa-RMbO-，其中RMa-RMb是取代或未取代的(C1-C22)烷-二基。在一些实施方案中，每个(C1-C30)烃基和每个RM独立地为(C1-C22)烃基、或者(C1-C22)烷基、或者(C1-C20)烷基、或者(C1-C10)烷基，或者(C1-C6)烷基。
实施方案10是实施方案1至9中任一项所述的方法，其中硅烷具有式(C1-C20)烷基-SiZ3，其中每个Z独立地为H、卤素原子或(C1-C20)有机杂基；或者，硅烷具有式(C1-C20)烷基-Si(O(C1-C20)烷基))3，其中每个(C1-C20)烷基是独立地选择的。
实施方案11是实施方案1至10中任一项所述的方法，其中硅烷具有式苯基-SiZ3，其中每个Z独立地为H、卤素原子或(C1-C20)有机杂基；或者，硅烷具有式苯基-Si(O(C1-C20)烷基))3，其中每个(C1-C20)烷基是独立地选择的。
实施方案12是实施方案1至11中任一项所述的方法，其中倍半硅氧烷聚合物包含(C6-C20)芳基倍半硅氧烷、氢化倍半硅氧烷和(C1-C30)烷基倍半硅氧烷中的至少一种，其中(C6-C20)芳基和(C1-C30)烷基是取代或未取代的。
实施方案13是实施方案1至12中任一项所述的方法，其中倍半硅氧烷聚合物包含苯基倍半硅氧烷、氢化倍半硅氧烷和甲基倍半硅氧烷中的至少一种。
实施方案14是实施方案1至13中任一项所述的方法，其中倍半硅氧烷聚合物是氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物，其中(C1-C20)烃基是取代或未取代的并且为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-。
实施方案15是实施方案1至14中任一项所述的方法，其中倍半硅氧烷聚合物是氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物，其具有式：(HSiO3/2)y1(R1SiO3/2)y2，其中单元下标表示其摩尔比，R1独立地是取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-，摩尔比y1为0.001至5，并且摩尔比y2为0.001至5。
实施方案16是实施方案15所述的方法，其中摩尔比y1为0.001至1.5。
实施方案17是实施方案15至16中任一项所述的方法，其中摩尔比y1为0.01至0.5。
实施方案18是实施方案15至17中任一项所述的方法，其中摩尔比y2为0.1至1.5。
实施方案19是实施方案15至18中任一项所述的方法，其中摩尔比y2为0.5至1。
实施方案20是实施方案15至19中任一项所述的方法，其中R1是取代或未取代的(C1-C20)烃基。
实施方案21是实施方案15至20中任一项所述的方法，其中R1是取代或未取代的(C1-C10)烷基。
实施方案22是实施方案15至21中任一项所述的方法，其中R1是取代或未取代的(C1-C5)烷基。
实施方案23是实施方案15至22中任一项所述的方法，其中R1是甲基。
实施方案24是实施方案15至23中任一项所述的方法，其中R1是取代或未取代的(C6-C20)芳基。
实施方案25是实施方案15至24中任一项所述的方法，其中R1是(C6-C10)芳基。
实施方案26是实施方案15至25中任一项所述的方法，其中R1是取代或未取代的苯基。
实施方案27是实施方案15至26中任一项所述的方法，其中R1是苯基。
实施方案28是实施方案15至27中任一项所述的方法，其中氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有式：(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)0.5-1，其中单元下标表示其摩尔比。
实施方案29是实施方案15至28中任一项所述的方法，其中氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有式：(HSiO3/2)0.01-0.5(PhSiO3/2)0.5-1，其中单元下标表示其摩尔比。
实施方案30是实施方案15至29中任一项所述的方法，其中硅烷或倍半硅氧烷聚合物具有100g/mol至10,000,000g/mol的分子量。
实施方案31是实施方案15至30中任一项所述的方法，其中硅烷或倍半硅氧烷聚合物具有200g/mol至100,000g/mol的分子量。
实施方案32是实施方案1至31中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、单体、低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟化有机硅、氟硅烷、虫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚氨酯、天然粘合剂、环氧基粘合剂、呋喃基粘合剂、酚醛基粘合剂、醛基粘合剂、脲醛粘合剂、丙烯酸基粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、可固化形成以上任何一种的前体、以及它们中的任何一种的反应产物。
实施方案33是实施方案1至32中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷和有机烯基硅氧烷中的至少一种。
实施方案34是实施方案1至33中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷和((C1-C20)烃基)氢化倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中下标n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-。
实施方案35是实施方案1至34中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(R2R1 2SiO1/2)1-20(R1 2SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5、(R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 2SiO2/2)5-200(SiO4/2)5-500、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000、(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R1 2SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100-5000、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR1 2SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5(其中单元下标表示其摩尔比)、(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1(其中单元下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，R1独立地是取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出现时R2独立地是取代或未取代的(C2-C20)烯基，其为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-，并且在每次出现时Rf独立地为在其它位置上未取代的或进一步被取代并且具有1至2m+1个氟基团的氟(Cm)烷基，其中m独立地为1至20，其中(Cm)烷基是不中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-。
实施方案36是实施方案1至35中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(R2R1 2SiO1/2)1-8(R1 2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(R2R1 2SiO1/2)5-20(R1 2SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)75-225、(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R1 2SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)400-1200、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-6(HR1SiO2/2)3-9、(HR1 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5(其中单元下标表示其摩尔比)、(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80、(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)50-200、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1(其中单元下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。
实施方案37是实施方案1至36中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(R2R1 2SiO1/2)4(R1 2SiO2/2)120(SiO4/2)、(R2R1 2SiO1/2)11(R1 2SiO2/2)34(SiO4/2)55、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)150、(R2R1 2SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R1 2SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15、(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)600、(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6、(HR1 2SiO1/2)1.58(SiO4/2)(其中单元下标表示其摩尔比)、(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100和(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40以及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5(其中单元下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时，R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。
实施方案38是实施方案1至37中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：非直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、氢化二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、直链氢化二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(co-氢化倍半硅氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)、和聚(co-氢化倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有1至2m+1个氟基团并且m独立地为1至20。
实施方案39是实施方案1至38中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(ViMe2SiO1/2)1-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)15-55(SiO4/2)25-85、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)75-225、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-800(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)400-1200、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9、(HMe2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5(其中单元下标表示其摩尔比)、(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)2-40(HMeSiO2/2)5-80、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-200、(HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1(其中单元下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1(其中单元下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。
实施方案40是实施方案1至39中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)、(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6、(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)(其中单元下标表示其摩尔比)、(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100、(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5(其中单元下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5(其中单元下标表示其摩尔比)，其中在每次出现时Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。
实施方案41是实施方案1至40中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物具有0.1∶1至10∶1的Si-H与烯基比。
实施方案42是实施方案1至41中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物具有0.7∶1至2∶1的Si-H与烯基比。
实施方案43是实施方案1至42中任一项所述的方法，其中前体粘合剂组合物还包含以下中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合物稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状材料、有机硅、有机官能硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅树胶、有机硅甲醇流体、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外线稳定剂和流量控制添加剂。
实施方案44是实施方案1至43中任一项所述的方法，其中粘合剂层离层具有0.1μm至500μm的厚度。
实施方案45是根据实施方案1至44中任一项所述的方法，其中该固定提供显示装置加工中间体，其中粘合剂层离层直接在载体基底上，而没有中间层。
实施方案46是实施方案1至45中任一项所述的方法，其中该固定提供显示装置加工中间体，其中粘附促进剂层位于载体基底与粘合剂层离层之间。
实施方案47是实施方案46所述的方法，其中粘附促进剂层包含粘附促进剂前体组合物的固化产物，该粘附促进剂前体组合物包含以下中的至少一种：硅烷、有机硅烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸盐、磷酸酯、丙烯酸或其盐或酯、甲基丙烯酸或其盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或其盐或酯、乙烯基磺酸或其盐或酯、和2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其盐或酯。
实施方案48是实施方案46至47中任一项所述的方法，其中粘附促进剂层包含粘附促进剂前体组合物的固化产物，该粘附促进剂前体组合物包含硅烷或硅氧烷中的至少一种，该硅烷或硅氧烷包含三烷氧基甲硅烷氧基、三烷氧基甲硅烷基烷基、氢化甲硅烷基、烯基、环氧官能团、氨基、卤代甲硅烷基、巯基甲硅烷基和氟代烷基甲硅烷基中的至少一种。
实施方案49是实施方案46至48中任一项所述的方法，其中粘附促进剂层具有0.0001μm至500μm的厚度。
实施方案50是实施方案46至49中任一项所述的方法，其中在粘附促进剂层与载体基底之间或在粘附促进剂层与粘合剂层离层之间不存在中间层。
实施方案51是根据实施方案1至50中任一项所述的方法，其中该固定包括利用其间的前体粘合剂组合物和粘合剂层离层中的至少一种将显示装置基底放置在载体基底上。
实施方案52是实施方案1至51中任一项所述的方法，还包括在固定显示装置基底之前，在载体基底和显示装置基底中的至少一者上形成粘合剂层离层。
实施方案53是实施方案52所述的方法，其中该形成包括将前体粘合剂组合物放置在载体基底和显示装置基底中的至少一者上，并固化前体粘合剂组合物以形成前体粘合剂组合物的固化产物。
实施方案54是实施方案53所述的方法，其中该放置包括使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种，将前体粘合剂组合物放置在载体基底和显示装置中的至少一者上。
实施方案55是实施方案52至54中任一项所述的方法，还包括将粘附促进剂层粘结到载体基底，然后在其上形成粘合剂层离层。
实施方案56是实施方案52至55中任一项所述的方法，还包括将粘附促进剂层粘结到粘合剂层离层，然后在其上固定载体基底。
实施方案57是根据实施方案1至56中任一项所述的方法，其中该固定提供显示装置加工中间体，其中粘合剂层离层直接在显示装置基底上，而没有中间层。
实施方案58是实施方案1至57中任一项所述的方法，其中该固定提供显示装置加工中间体，其中剥离层位于粘合剂层离层与显示装置基底之间。
实施方案59是实施方案58所述的方法，其中剥离层包含剥离层前体组合物的固化产物，该剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：氟硅烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂、氟化倍半硅氧烷树脂中、(C6-C20)芳基硅氧烷、和(取代或未取代的(C1-C20)烃基)-倍半硅氧烷。
实施方案60是实施方案58至59中任一项所述的方法，其中剥离层包含剥离层前体组合物的固化产物，该剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：氟(C1-C200)烃基取代的(C1-C5)烷氧基硅烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、聚(co-氢倍半硅氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)和聚(co-氢倍半硅氧烷-((C6-C20芳基)倍半硅氧烷)。
实施方案61是实施方案58至60中任一项所述的方法，其中剥离层包含剥离层前体组合物的固化产物，该剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：F((CF2)3O)cc(CF2)0-10(CH2)0-10(O)0-1(CH2)0-10Si(OMe)3、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)150-1200(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30、(HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1(其中单元下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1(其中单元下标表示其摩尔比)，其中cc为0至200，并且其中Rf独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。
实施方案62是实施方案58至61中任一项所述的方法，其中剥离层包含剥离层前体组合物的固化产物，该剥离层前体组合物包含以下中的至少一种：F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3、(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15、(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5(其中单元下标表示其摩尔比)和(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5(其中单元下标表示其摩尔比)，其中cc为17至25，并且其中Rf独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。
实施方案63是实施方案58至62中任一项所述的方法，其中剥离层具有0.0001μm至500μm的厚度。
实施方案64是实施方案58至63中任一项所述的方法，其中在粘合剂层离层和剥离层之间或在剥离层和显示装置基底之间不存在中间层。
实施方案65是实施方案1至64中任一项所述的方法，其中利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底包括经由剥离层将显示装置基底固定到粘合剂层离层。
实施方案66是实施方案1至65中任一项所述的方法，还包括加工显示装置基底。
实施方案67是实施方案66所述的方法，其中加工显示装置基底包括下列中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻、去除抗蚀剂、密封、气相沉积、粘附处理、加热、退火、照射、冷却，以及在显示装置基底上对下列中的至少一种进行放置、形成和改性中的至少一种：半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层。
实施方案68是实施方案1至67中任一项所述的方法，还包括从载体基底去除显示装置基底。
实施方案69是实施方案68所述的方法，其中该去除包括使用1g/cm至200g/cm的90度剥离力将显示装置基底从载体基底剥离。
实施方案70是实施方案68至69中任一项所述的方法，其中该去除包括使用2g/cm至60g/cm的90度剥离力将显示装置基底从载体基底剥离。
实施方案71是一种形成显示装置或显示装置部件的方法，该方法包括实施方案1至70中任一项所述的方法。
实施方案72是通过实施方案1至71中任一项所述的方法形成的显示装置或显示装置部件。
实施方案73是一种加工显示装置基底的方法，该方法包括：利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底，该粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，该前体粘合剂组合物包含0.1重量％至99重量％具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：(HSiO3/2)0.001-5(R1SiO3/2)0.001-5，其中单元下标表示其摩尔比，R1独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义，并且氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有100g/mol至10,000,000g/mol的分子量。
实施方案74是一种显示装置加工中间体，包括：载体基底；载体基底上的粘合剂层离层，该粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，该前体粘合剂组合物包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中的至少一种；以及经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
实施方案75是实施方案74所述的加工中间体，还包括在载体基底与粘合剂层离层之间的粘附促进剂层。
实施方案76是实施方案74至75中任一项所述的加工中间体，还包括在粘合剂层离层与显示装置基底之间的剥离层。
实施方案77是一种显示装置加工中间体，包括：载体基底；载体基底上的粘合剂层离层，该粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，该前体粘合剂组合物包含0.1重量％至99重量％具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：(HSiO3/2)0.001-5(R1SiO3/2)0.001-5，其中单元下标表示其摩尔比，R1独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义，并且氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有100g/mol至10,000,000g/mol的分子量。以及经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
实施方案78是实施方案1至77中任一项或任何组合所述的设备或组合物，其任选地被配置成使得所有列举的要素或选项可加以使用或选择。
实施方案79是如实施方案1至78中任一项所述的粘合剂层离层。
在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。该方法包括利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底。粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。前体粘合剂组合物包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中至少一种。
在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。该方法包括利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底。粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。前体粘合剂组合物包含0.1重量％至99重量％具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：(HSiO3/2)0.001-5(R1SiO3/2)0.001-5。单元下标表示其摩尔比。基团R1独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有100g/mol至10,000,000g/mol的分子量。
在各种实施方案中，是一种显示装置加工中间体。显示装置加工中间体包括载体基底。显示装置加工中间体包括载体基底上的粘合剂层离层。粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。前体粘合剂组合物包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中至少一种。显示装置加工中间体还可包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
在各种实施方案中，是一种显示装置加工中间体。显示装置加工中间体包括载体基底。显示装置加工中间体包括载体基底上的粘合剂层离层。粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。前体粘合剂组合物包含0.1重量％至99重量％具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：(HSiO3/2)0.001-5(R1SiO3/2)0.001-5。下标表示摩尔比。基团R1独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有100g/mol至10,000,000g/mol的分子量。显示装置加工中间体包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
在各种实施方案中，是优于加工显示装置基底的现有方法的某些优点，其中现有方法包括将显示装置基底安装在载体上。例如，在一些实施方案中，与现有方法相比，所述方法可更好地耐受在某些制造过程中使用的苛刻的化学处理(例如，具有≤3的对数酸解离常数pKa的酸)或升高的温度(例如≥200℃)。在一些实施方案中，该方法可在某些制造过程期间比现有方法更牢固地保持显示装置基底。一些现有的安装方法允许载体和显示基底之间更大量的相对移动或者显示基底更大量的挠曲，从而导致显示基底上的电子部件的未对准。在各种实施方案中，本方法可允许例如利用更低的剥离力，比现有方法更容易地将显示基底从载体移除。由于显示基底在制造期间相对于载体的移动或者由于在安装、制造或移除期间损坏显示基底而导致的故障可能意味着整个生产线的关闭。在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法，其具有比现有方法更低的故障率。
在各种实施方案中，该方法可提供粘合剂层离层，其在加工期间在没有粘附促进剂的情况下牢固地保持显示装置基底，并且有助于在没有剥离层的情况下容易地移除显示装置基底。在一些实施方案中，在从载体移除显示装置基底之后，载体可重复使用若干次而无需大量的回收过程。在一些实施方案中，与现有方法所需的外来设备或化学品相比，常规设备和化学品可在很少或没有修改的情况下用于进行该方法。
在整个该文件中，以范围形式表达的值应当以灵活的方式理解为不仅包括明确列举出的作为范围限值的数值，而且还包括涵盖在该范围内的所有单个数值或子区间，犹如每个数值和子区间被明确列举出。例如，“0.1％至5％”或“0.1％至5％”的范围应理解为不仅包括0.1％至5％，还包括在所指范围内的单个值(如，1％、2％、3％和4％)和子区间(如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。
在本文所述的制造方法中，除了在明确述及或明确暗示时间顺序或操作顺序时外，其动作或步骤可以任何顺序进行而不偏离本发明的原理。此外，指定的动作可同时进行，除非有明确的权利要求语言述及它们单独进行。例如，进行步骤X的要求保护动作和进行步骤Y的要求保护动作可在单个操作内同时进行，并且所产生的方法将在要求保护的方法的字面范围内。在某些方面，动作或步骤以所写的顺序执行。
在本文件中，术语“一”、“一个”或“该”用于包括一个或不止一个，除非上下文明确地另外指明。术语“或”用于指代非排他性的“或”，除非另外指明。表述“A和B中的至少一种”具有与“A、B、或A和B”相同的含义，其含义与A或B或者A和B相同。任何章节标题的使用都旨在帮助阅读文件并不受限制；与章节标题相关的信息可出现在特定章节之内或之外。
本文所用的术语“酰基”是指通过从羧酸中除去HO-基团而形式上衍生的单价基团。该基团可以是未取代的或取代的。
本文所用的术语“烯基”是指含有至少一个碳-碳双键(C＝C)的单价不饱和脂族基团。烯基可以是直链、支链或环状的。烯基可具有1或2个C＝C。烯基可具有2至40个碳原子，或2至20个碳原子，或2至12个碳原子，或在一些实施方案中，具有2至8个碳原子。示例包括但不限于乙烯基、-CH＝CH(CH3)、-CH＝C(CH3)2、-C(CH3)＝CH2、-C(CH3)＝CH(CH3)、-C(CH2CH3)＝CH2、环己烯基、环戊烯基、环己二烯基、丁二烯基、戊二烯基和己二烯基等。该基团可以是未取代的或取代的。
本文所用的术语“烷氧基”是指单价饱和或不饱和脂族-O-基团，其中脂族基团是无环或环状的。直链烷氧基基团的示例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和己氧基。支链烷氧基的示例包括但不限于异丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基和异己氧基。环状烷氧基的示例包括但不限于环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基和环己氧基。烷氧基基团可包含键合到氧原子的1至12个，1至20个，或者1至40个碳原子，并且还可包含双键或三键，并且还可包含杂原子。例如，烯丙氧基或甲氧基乙氧基基团也是在本文含义内的烷氧基基团，如在其中结构的两个相邻原子被其取代的上下文中的亚甲二氧基基团。该基团可以是未取代的或取代的。
本文所用的术语“烷基”是指单价饱和烃基，其为直链、支链或环状的并且具有1至40个碳原子，1至20个碳原子，1至12个碳，或者在一些实施方案中，1至8个碳原子。直链烷基基团的示例包括具有1至8个碳原子的那些，例如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基和正辛基基团。支链烷基基团的示例包括但不限于异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、新戊基、异戊基和2，2-二甲基丙基基团。如本文所用，术语“烷基”涵盖正烷基、异烷基和反异烷基基团以及其它支链形式的烷基。该基团可以是未取代的或取代的。代表性的取代烷基基团可由本文所列的任何基团例如氨基、羟基、氰基、羧基、硝基、硫基、烷氧基和卤素基团取代一次或多次。本文所用的术语“亚烷基”表示链烷二基，其中两个化合价可存在于其中的任何两个碳原子上。
如本文所用的术语“炔基”是指含有至少一个碳-碳三键(C≡C)的单价不饱和脂族基团并且可以是直链或支链。炔基基团可具有2至40个碳原子、2至20个碳原子、或2至12个碳，或者在一些实施方案中2至8个碳原子。示例包括但不限于-C≡CH、-C≡C(CH3)、-C≡C(CH2CH3)、-CH2C≡CH、-CH2C≡C(CH3)和-CH2C≡C(CH2CH3)等。该基团可以是未取代的或取代的。
“或者”应指独立的实施方案。
本文所用的术语“胺”是指通过在氨(NH3)上用烃基独立地替换1、2或3个氢原子而形式上衍生自氨的化合物。胺可以是伯胺、仲胺和叔胺，其具有例如式N(基团)3，其中每个基团可独立地为H或非H，诸如烷基和芳基。胺包括但不限于R-NH2，例如烷基胺、芳基胺、烷基芳基胺；R2NH，其中每个R独立地选择，诸如二烷基胺、二芳基胺、芳烷基胺和杂环基胺；以及R3N，其中每个R独立地选择，诸如三烷基胺、二烷基芳基胺、烷基二芳基胺和三芳基胺。R可以是未取代的或取代的。
本文所用的术语“芳基”是指单价碳环芳烃基。因此芳基基团包括但不限于苯基、薁基、庚搭烯基、联苯基、并茚苯基、芴基、菲基、苯并菲基(triphenylenyl)、芘基、并四苯基、基(chrysenyl)、亚联苯基、蒽基和萘基基团。在一些实施方案中，芳基基团在基团的环部分中包含6至14个碳。芳基可以是未取代的或被有机基团或不含碳的基团取代，如本文所定义。该基团可以是未取代的或取代的。代表性的取代芳基可以是单取代的或取代一次以上，诸如但不限于在苯环的2-、3-、4-、5-或6-位中的任何一个或多个处取代的苯基，或在其2-至8-位中的任何一个或多个处取代的萘基。
“可”或“可以”赋予允许的选择，而不是必要的选择。
如本文所用的术语“涂层”或“膜”是指连续或不连续的材料层。该层可以是独立的或设置在制品的表面上。材料层可渗透制品的表面并且可填充诸如孔的区域，其中材料层可具有任何三维形状，包括平面或曲面。在一个示例中，可通过浸渍在涂料浴中而在一个或多个表面上形成涂层，任何所述表面可以是多孔的或无孔的。
本文所用的术语“烃”是指一种分子，其可以是未取代的并且由碳和氢原子组成，或可以是被取代的且包含碳和氢原子以及至少一个选自卤素、N、O、S、P和Si的杂原子。
如本文所用，术语“烃基”是指通过从其中除去氢原子而形式上衍生自直链、支链或环状烃的单价官能团，并且可以是烷基、烯基、炔基、芳基、环烷基、酰基或它们的任何组合。烃基可示出为(Ca-Cb)烃基，其中a和b是整数并且表示具有a至b个数目的碳原子中的任何一个。例如，(C1-C4)烃基是指烃基可以是甲基(C1)、乙基(C2)、丙基(C3)或丁基(C4)。(C0-Cb)烃基在某些实施方案中是指不存在烃基。
当应用于在主链原子上具有自由基的一价基团时，术语“中断的”是指(i)或(ii)：(i)在具有1个主链原子的单价基团中，该主链原子因此具有自由基：中断的是指在形式上插入在1个主链原子和自由基之间(例如，二价中断基团Q在形式上插入H3C-中，得到H3C-Q-)；或(ii)在具有2个或更多个主链原子的单价基团中，其中自由基位于任一个主链原子上：中断的是指在形式上插入在主链原子和自由基之间(例如，如上所述)或插入在任何两个主链原子之间(例如，二价中断基团Q在形式插入在H3C-CH2-中，得到H3C-Q-CH2-)。通常，被中断的每个单价基团可被1、2或3个中断基团Q；或者被1或2个中断基团Q；或者被2或3个中断基团Q；或者被1个中断基团Q；或者被2个中断基团Q；或者被3个中断基团Q独立地中断。当存在2或3个Q基团时，它们通常不直接相互键合(即，具有2或3个中断基团Q的中断的单价基团可不含Q-Q基团)。每个中断的单价基团可独立地如本文其它地方所述定义(例如，中断的烃基或中断的(C2-C20)烯基)。每个中断基团Q可独立地如本文其它地方对于中断基团所述的那样定义(例如，-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中n是1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-或-Si((C1-C5)烷基)2-)。术语“中断的”可以如上所述的类似方式应用于分子或多价基团。术语“不中断的”是指不含(缺少)二价中断基团Q(即，0个Q)。
术语“直链”是指缺少或不含分支点。例如，直链聚硅氧烷(例如，直链氢有机聚硅氧烷和直链烯基官能化的有机聚硅氧烷)在其主链中没有(即0个)分支点。因此，其主链仅由M单元(例如R1 3SiO1/2、HR1 2SiO1/2或Me3SiO1/2)和D单元(例如R1 2SiO2/2、HR1SiO2/2或Me2SiO2/2)组成。
术语“非直链”是指具有至少一个分支点。例如，非直链聚硅氧烷(例如，非直链氢有机聚硅氧烷和非直链烯基官能化的有机聚硅氧烷)在其主链中具有至少一个分支点。每个分支点可独立地为T单元(例如，R1SiO3/2、R2SiO3/2或HSiO3/2)或Q单元(SiO4/2)，视情况而定。非直链聚硅氧烷还可具有、或者还可不具有M和/或D单元，视情况而定。
如本文所用，术语“数均分子量”(Mn)是指样品中各个分子的分子量的普通算术平均值。它被定义为样品中所有分子的总重量除以样品中分子的总数。实验上，通过分析被分成具有分子量为Mi的ni个分子的物质i的分子量级分的样品通过公式Mn＝∑Mini/∑ni来确定Mn。Mn可通过各种公知的方法测量，包括凝胶渗透色谱法、光谱端基分析和渗透压测定法。测量可使用已知Mn的聚苯乙烯标准品。如果未指明，本文给出的聚合物的分子量是数均分子量。
如本文所用的术语“低聚物”是指具有中等相对分子质量的分子，其结构基本上包含实际或概念性地衍生自具有较低相对分子质量的分子的2至4个重复单元(例如，单体或较少重复单元的低聚物)。具有中等相对质量的分子可为性质随一个或几个单元的移除而改变的分子。因所述一个或多个单元的移除所致的性质改变可以是显著的改变。
如本文所用的术语“有机基团”是指任何单价或多价含碳官能团。每个有机基团可独立地是未取代的或者是未取代的。例如，含氧基团，例如烷氧基基团、芳氧基基团、芳烷氧基基团、氧代基(羰基)基团、羧基基团(包括羧酸、羧酸盐和羧酸酯)；含硫基团，例如烷基和芳基硫化物基团；以及其他含杂原子的基团。有机基团的非限制性示例包括OR、OOR、OC(O)N(R)2、CN、CF3、OCF3、R、C(O)、亚甲基二氧基、亚乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R或C(＝NOR)R、以及取代的或未取代的(C1-C100)烃基，其中R可以是氢(在包括其它碳原子的示例中)或基于碳的基团，并且其中基于碳的基团可以是取代的或未取代的。
有机硅氧烷可含有不同类型的单元，其中至少一个含有与硅键合的有机基团(Si-C)。含甲基的硅氧烷单元是[(CH3)3SiO1/2]、[(CH3)2SiO2/2]和[(CH3)SiO3/2]，它们有时分别缩写为M、D和T，即没有上标。另一种类型的有机硅氧烷单元是[SiO4/2]，缩写为Q。其它类型的有机硅氧烷单元是M、D和T单元，其含有替换甲基的原子或基团的至少一次出现。例如，[(CH3)3SiO1/2]单元中的1、2或3个甲基；[(CH3)2SiO2/2]单元中的1或2个甲基；以及[(CH3)SiO3/2]单元中的1个甲基可独立地被诸如H或卤素的原子、诸如羟基的无机基团或除甲基之外的有机基团替换。此类包含替换甲基的一个或多个替换原子或基团的M、D和T单元有时通过在相应的M、D或T字母上方的上标中书写一个或多个替换原子或基团来缩写。已被替换的甲基的数目由上标基团的数目表示。例如，MVi表示具有一个乙烯基(Vi)和两个甲基的M单元(即，[Vi(CH3)2SiO1/2])，而M2Vi表示具有两个乙烯基和一个甲基的M单元(即，Vi2(CH3)SiO1/2])。类似地，DH表示具有一个氢原子和一个甲基的D单元(即，[H(CH3)SiO2/2])，而DH，Ph表示具有0个甲基、一个H原子和一个苯基的D单元(即，[H(Ph)SiO2/2])。TOAlk表示具有0个甲基和一个烷氧基的T单元(即，[AlkOSiO3/2])，其中AlkO和OAlk表示相同的烷氧基。
如本文所用，术语“聚合物”是指具有至少五个重复单元的分子，并且可包括均聚物和互聚物如共聚物。
除非化学命名或化合价要求另有说明，否则本文中的每个“R”基团是单价基团。“R”基团的示例为R、R1、R2和Rf。
如本文所用的术语“树脂”是指任何粘度的聚硅氧烷材料，包括含至少四个硅氧烷单元的分子，其中至少一个硅氧烷单元通过Si-O-Si键与三个或四个其它硅氧烷单元键合。在一个示例中，聚硅氧烷材料包含如本文所定义的大部分T和/或Q单元。
如本文所用，术语“溶剂”是指可溶解固体、液体或气体的液体。溶剂的非限制性示例是有机硅流体、沸点为30℃至300℃的有机化合物，如醇、水、离子液体和超临界流体。在本文的特定混合物实施方案中，溶剂可完全溶解特定成分或者可不完全溶解特定成分。不完全溶解特定成分的溶剂可用作载体、稀释剂、分散剂、容纳介质或上清液。
如本文所用，术语“基本上”是指大多数或大部分，如至少60％、70％、80％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％或99.999％、或者100％。
如本文所用，结合如本文所定义的分子或有机基团的术语“取代的”是指其中包含的一个或多个氢原子被一个或多个非氢原子所替换的状态。如本文所用，术语“官能团”或“取代基”是指可取代到或取代到分子上或有机基团上的基团。取代基或官能团的示例包括但不限于：卤素(如，F、Cl、Br和I；或者F、Cl或Br；或者F或Cl；或者Cl或Br；或者F；或者Cl)；诸如羟基基团、烷氧基基团、芳氧基基团、芳烷氧基基团、氧代基(羰基)基团、羧基基团(包括羧酸、羧酸盐和羧酸酯)之类的基团中的氧原子；诸如硫醇基团、烷基硫化物和芳基硫化物基团、亚砜基团、砜基团、磺酰基基团和磺酰胺基团之类的基团中的硫原子；诸如胺、羟基胺、腈、硝基基团、N-氧化物、酰肼、叠氮化物和烯胺之类的基团中的氮原子；以及多种其他基团中的其他杂原子。可键合到被取代的碳(或其它)原子的取代基的非限制性示例包括F、Cl、Br、I、OR、OC(O)N(R)2、CN、NO、NO2、ONO2、叠氮基、CF3、OCF3、R、O、＝O(氧代基)、S(硫代基)、C(O)、S(O)、亚甲基二氧基、亚乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R和C(＝NOR)R，其中R可以是氢或基于碳的基团；例如，R可以是氢、(C1-C100)烃基、烷基、酰基、环烷基、芳基、芳烷基、杂环基、杂芳基或杂芳基烷基；或其中键合到氮原子或键合到相邻氮原子的两个R基团可与一个或多个氮原子一起形成杂环基。在取代基中，每个R独立地未取代或被F取代。
如本文所用，“Vi”表示乙烯基，-CH2＝CH2。如本文所用，“Me”表示甲基，-CH3。“Ph”表示苯基，C6H5-。
任何化合物均包括其所有“同位素形式”，包括天然丰度同位素、同位素富集的同位素以及它们的混合物。在一些方面，同位素形式为天然丰度同位素，或者同位素富集的同位素。含硅化合物的同位素富集形式具有大于天然丰度量的氘、氚、29Si、30Si、32Si或上述任意两种或更多种的组合。化合物的同位素富集形式可具有附加的用途，其中检测同位素富集的化合物或由其制备或合成的同位素富集的材料将是有帮助的。此类用途的示例为医学研究和防伪应用。
在一些方面，任何组合物可不含一种或多种下列化学元素：(i)来自第2至13和18族中任何一族的至少一种化学元素，包括镧系元素和锕系元素；(ii)至少一种来自元素周期表第三排至第六排中任一排的化学元素，包括镧系和锕系元素；或者(iii)(i)和(ii)二者，除了不排除Si、O、H、C、N、卤素、如本文别处所述的任何催化剂的金属。在一些方面，任何组合物均不包含具有下列原子序数中的任一者的化学元素：2、3、4、5、7、10、11、12、13、15、16、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84。85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111、112、113、114和116，除了本文别处所述的任何催化剂的金属。“化学元素”或“原子”、一族或多族化学元素或元素周期表均是指IUPAC在2013年5月1日所发布版本的化学元素、族和元素周期表；(参见iupac.org/reports/periodic_table/)。
在具有带正电的抗衡离子的盐的化合物中，抗衡离子可以是任何合适的带正电的抗衡离子。例如，抗衡离子可以是铵(NH4 +)，或碱金属如钠(Na+)、钾(K+)或锂(Li+)。在一些实施方案中，抗衡离子可具有大于+1的正电荷，其在一些实施方案中可络合到多个电离基团如Zn2+、Al3+，或碱土金属如Ca2+或Mg2+。
在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。该方法包括利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底，该粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。该方法可在一个或多个各种加工步骤期间保持显示装置基底固定，同时允许从载体基底和粘合剂层离层容易地移除显示装置基底。
显示装置基底可包括可形成为用于显示装置的部件的任何合适的材料。在一些实施方案中，显示装置基底包括硅酸盐玻璃、硅(例如，硅晶片)、陶瓷、塑料(例如，热塑性有机聚合物或有机硅聚合物)、金属(例如钢、铜)或它们的组合。显示装置基底可为处理过的显示装置基底，其具有在其上进行的任何合适的一种或多种化学处理或物理处理，使得该显示装置基底在其上包括一种或多种涂层或加工中间体，或包括具有任何合适形貌的表面，诸如平滑、抛光或纹理化表面。在一些实施方案中，显示装置基底可具有未涂覆和未处理的原始表面。显示装置基底可以是柔性的或刚性的。显示装置基底可具有任何合适的厚度，例如1nm至5mm，或1nm至0.5mm。
显示装置基底可包括任何合适的显示装置加工前体，其可被加工以形成以下中的至少一种的显示装置部件：发光二极管显示器(LED)、电致发光显示器(ELD)、电子纸显示器、等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、高性能寻址显示器(HPA)、薄膜晶体管显示器(TFT)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子发射器显示器(SED)、激光电视显示器、碳纳米管显示器、量子点显示器和干涉调制器显示器(IMOD)。
载体基底可以是任何合适的材料，使得该方法可如本文所述进行。在一些实施方案中，载体基底包括硅酸盐玻璃、硅(例如，硅晶片)、陶瓷、塑料(例如，热塑性有机聚合物或有机硅聚合物、金属(例如钢、铜)或它们的组合。载体基底可为处理过的载体基底，其具有在其上进行的任何合适的一种或多种化学处理或物理处理，使得载体基底在其上包括一个或多个涂层，或包括具有任何合适形貌的表面，诸如平滑、抛光或纹理化表面。在一些实施方案中，载体基底可具有未涂覆和未处理的原始表面。载体基底可具有任何合适量的刚度，使得显示装置基底可在加工过程中牢固地保持并随后从载体基底上移除。载体基底可具有任何合适的厚度，使得该方法可如本文所述进行。例如，载体基底可具有0.1mm至1,000mm、或者0.1mm或更小、或者0.2mm至500mm的厚度。
在各种实施方案中，载体基底包括或是与显示装置基底相同的材料。在各种实施方案中，载体基底和显示装置基底可包括或可以是具有相似线性膨胀系数的材料，如相差不超过150×10-7/℃或更小、50×10-7/℃或更小、或者不超过1×10-10/℃或更小、或不超过1×10-9/℃、1×10-8/℃、1×10-7/℃、1×10-6/℃、1×10-5/℃、1×10-4/℃、1×10-3/℃、1×10-2/℃、或1×10-1/℃。
粘合剂层离层可具有任何合适的厚度，使得该方法可如本文所述进行。在一些实施方案中，粘合剂层离层可具有0.1μm至500μm、5μm至150μm、10μm至10μm、或者0.1μm或更小、或者0.2μm至250μm的厚度。
经由粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底可以是任何合适的固定。该固定可包括使显示装置基底与粘合剂层离层和前体粘合剂组合物中的至少一种接触。该接触可使用各种方式进行，诸如利用辊或压机的压力粘结，在适于实现显示装置基底与粘合剂层离层的紧密粘附的条件下进行，诸如真空(例如，以移除空气并防止气泡)，并且任选地利用热、光或照射(例如，以固化前体粘合剂组合物)等。通过在真空下进行压力粘结，即使残留一些气泡，也可减少或消除加热过程中气泡的生长，从而避免或减少层压载体基底和显示装置基底的变形缺陷的形成。在一些实施方案中，在显示装置基底与粘合剂层离层接触之前，使粘合剂层离层固化。在一些实施方案中，该固定包括接触显示装置基底和前体粘合剂组合物，并随后固化前体粘合剂组合物。在一些实施方案中，粘合剂层离层的固化发生在显示装置基底与粘合剂层离层接触之前和之后。在一些实施方案中，载体基底、显示装置基底或两者可在进行固定之前，诸如在使基底与粘合剂层离层或前体粘合剂组合物接触之前洗涤。
该方法可包括在将显示装置基底固定到载体基底之前，在载体基底和显示装置基底中的至少一个上形成粘合剂层离层。该形成可包括将前体粘合剂组合物放置在载体基底和显示装置基底中的至少一个上，并固化前体粘合剂组合物以形成其固化产物。将前体粘合剂组合物放置在载体基底和显示装置基底中的至少一个上可在将显示装置基底固定到载体基底之前进行。将前体粘合剂组合物放置在载体基底和显示装置中的至少一个上可包括任何合适的方法，诸如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种。
固化前体粘合剂组合物以形成粘合剂层离层可在将显示装置基底固定到载体基底之前、期间和之后进行。如本文所用，术语“固化”是指暴露于任何形式的辐射、加热、或允许发生会导致硬化或在25℃下测量的动态和/或运动粘度的增加的物理或化学反应。固化可包括烘烤，例如直到组合物达到任何所需的硬度状态的烘烤。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物仅部分固化。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物基本上完全固化。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的固化可以是任何合适的固化，如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如氢化硅烷化)、任何合适的交联反应，或它们的组合。固化可包括施加光(例如，可见光、红外线、紫外线)、加热(例如，40℃或更低，或50℃至500℃，80℃至300℃，或120℃至250℃持续适合的时间，如1分钟或更短，或2分钟至120分钟)、照射(例如，电子束、伽马射线、X射线)或它们的组合。
在一些实施方案中，经由粘合剂层离层固定载体基底和显示装置基底可包括利用其间的前体粘合剂组合物和粘合剂层离层中的至少一种将显示装置基底放置在载体基底上。在各种实施方案中，经由粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底可提供显示装置加工中间体，其中粘合剂层离层直接在载体基底上而在其间没有中间层。在其它实施方案中，在粘合剂层离层与载体基底之间可存在一个或多个附加层，诸如粘附促进剂层。在一些实施方案中，在粘合剂层离层和显示装置基底之间可存在一个或多个附加层，诸如剥离层。
在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括在包括粘附促进剂层的载体基底或显示装置基底上形成粘合剂层离层。在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括将粘附促进剂层粘结到载体基底，然后在载体基底或显示装置基底上形成粘合剂层离层。该固定可提供显示装置加工中间体，其中粘附促进剂层位于载体基底和粘合剂层离层之间。在一些实施方案中，1)在粘附促进剂层和载体基底之间，2)在粘附促进剂层和粘合剂层离层之间，或3)它们的组合中不存在中间层。
在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括经由剥离层将显示装置基底固定到粘合剂层离层，其中在固定之前剥离层位于粘合剂层离层上或在显示装置基底上。在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括将剥离层粘结到显示装置基底或将剥离层粘结到粘合剂层离层。该固定可提供显示装置加工中间体，其中剥离层位于显示装置基底和粘合剂层离层之间。在一些实施方案中，1)在剥离层和显示装置基底之间，2)在剥离层和粘合剂层离层之间，或3)它们的组合中不存在中间层。
在一些实施方案中，该方法可包括加工显示装置基底。在一些实施方案中，该方法不含显示装置基底的加工。显示装置基底的加工可包括任何合适的加工。在各种实施方案中，显示装置基底的加工可包括下列中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻、去除抗蚀剂、密封、气相沉积、粘附处理、加热、退火、照射、冷却，以及在显示装置基底上对下列中的至少一种进行放置、形成和改性中的至少一种：半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层。
在各种实施方案中，该方法可包括从载体基底去除显示装置基底。该去除可在显示装置基底的加工之后发生。可以任何合适的方式执行该去除，使得从载体基底去除显示装置基底。该去除可包括从载体基底去除显示装置基底，使得在去除之后基本上没有粘合剂层离层粘附到显示装置基底，并且使得在去除之后基本上没有任何其它层(例如，剥离层)粘附到显示装置基底。该去除可包括从载体基底去除显示装置基底，使得在去除之后基本上没有粘合剂层离层粘附到显示装置基底，其中在去除之后所有或一些另一层(例如，剥离层)粘附到显示装置基底。
该去除可包括物理去除如剥离、化学去除如用酸或碱处理、或它们的组合。粘合剂层离层和任何其它层可以是足够的，使得足以从载体基底移除显示装置基底的90度剥离力可以是1g/cm(其中长度表示显示装置基底和载体基底在移除位置处的重叠和粘附部分的宽度)至200g/cm、2g/cm至60g/cm、或者1g/cm或更小、或者2g/cm至60g/cm、或者100g/m至200g/cm。
在一些实施方案中，该方法可包括形成显示装置或显示装置部件。在其它实施方案中，可在不形成显示装置或显示装置部件的情况下执行该方法。
前体粘合剂组合物包含硅烷和倍半硅氧烷聚合物中至少一种。硅烷可以是任何合适的硅烷。倍半硅氧烷聚合物可以是任何合适的倍半硅氧烷，例如聚合物或共聚物。前体粘合剂组合物可经由任何合适的机制固化，例如经由氧化固化(例如，氧化热固化，如其中倍半硅氧烷笼状结构塌陷以释放SiH4并形成SiH4/2类网络)、缩合固化(例如，通过加热和暴露于碱溶液如氢氧化铵中的至少一种)、或如通过用合适的烯基官能化材料(例如合适的聚合物或共聚物)氢化硅烷化。
在各种实施方案中，本文的聚倍半硅氧烷聚合物或共聚物可在固化期间例如在溶液状态固化期间耐受高温。固化的聚倍半硅氧烷共聚物可在各种工艺中保持显示装置基底。固化的聚倍半硅氧烷共聚物也能够在柔性显示器应用中以很小的剥离力机械释放。这最小化了拥有成本和显示装置基底的机械损坏的危险。在一些实施方案中，显示装置基底可包括超薄玻璃。经由机械剥离和化学处理(例如用酸或碱)中的至少一种，可容易地释放显示装置基底。
任何合适比例的粘合剂前体组合物可以是硅烷、倍半硅氧烷聚合物或其组合，例如1重量％至99重量％、10重量％至80重量％、0.2重量％至40重量％、或者1重量％或更少。
硅烷可以是任何合适的硅烷。在一些实施方案中，硅烷具有式(C1-C30)烃基-Si(O(C1-C30)烃基))3，其中每个(C1-C30)烃基独立地选择并且是取代的或未取代的。硅烷可具有式(C1-C20)烷基-Si(O(C1-C20)烷基))3，其中每个(C1-C20)烷基是独立地选择的。硅烷可具有式苯基烷基-Si(O(C1-C20)烷基))3，其中每个(C1-C20)烷基是独立地选择的。
倍半硅氧烷聚合物可以是任何合适的倍半硅氧烷聚合物。倍半硅氧烷聚合物可以是聚合物或共聚物。倍半硅氧烷聚合物可包含(C6-C20)芳基倍半硅氧烷、氢化倍半硅氧烷和(C1-C30)烷基倍半硅氧烷中的至少一种，其中(C6-C20)芳基和(C1-C30)烷基是取代或未取代的。倍半硅氧烷聚合物可包含苯基倍半硅氧烷、氢化倍半硅氧烷和甲基倍半硅氧烷中的至少一种。
在一些实施方案中，倍半硅氧烷聚合物可具有选自以下的式：(HSiO3/2)y1、(HSiO3/2)y1(R1SiO3/2)y2、(HSiO3/2)y1(R1 2SiO2/2)y2(SiO4/2)y2和(HSiO3/2)y1(R1SiO2/2)y2。单元下标表示其摩尔比。(HSiO3/2)和(R1SiO3/2)单元可在聚合物内采用任何合适的排列，例如采用嵌段或无规排列。基团R1可独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。在每次出现时，基团R1可独立地选择，并且可以是取代或未取代的(C1-C20)烃基。基团R1可为取代或未取代的(C1-C10)烷基。基团R1可为取代或未取代的(C1-C5)烷基。基团R1可为甲基。基团R1可为取代或未取代的(C6-C20)芳基。基团R1可为(C6-C10)芳基。基团R1可为取代或未取代的苯基。基团R1可为苯基。摩尔比y1可以是0.001至5、0.001至1.5、0.01至0.5、或者0.001或更小。摩尔比y2可在每次出现时独立地选择，并且可以是0.001至5、0.1至1.5、0.5至1、或者0.001或更小。倍半硅氧烷聚合物可以是美国专利No.8,356,407中描述的任何合适的倍半硅氧烷，该专利在此通过引用并入本文。
在一些实施方案中，倍半硅氧烷聚合物可以是氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物。任何合适比例的前体粘合剂组合物可以是氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物，例如1重量％至99重量％、10重量％至80重量％、0.2重量％至40重量％、或者1重量％或更少。氢化倍半硅氧烷单元和(C1-C20)烃基倍半硅氧烷单元可在聚合物内采用任何合适的排列，例如采用嵌段共聚物排列或无规共聚物排列。氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物可具有式：(HSiO3/2)y1(R1SiO3/2)y2。单元下标表示其摩尔比。(HSiO3/2)和(R1SiO3/2)单元可在聚合物内采用任何合适的排列，例如采用嵌段或无规排列。基团R1可独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案35)中所定义。基团R1可为取代或未取代的(C1-C20)烃基。基团R1可为取代或未取代的(C1-C10)烷基。基团R1可为取代或未取代的(C1-C5)烷基。基团R1可为甲基。基团R1可为取代或未取代的(C6-C20)芳基。基团R1可为(C6-C20)芳基。基团R1可为取代或未取代的苯基。基团R1可为苯基。摩尔比y1可以是0.001至5、0.001至1.5、0.01至0.5、或者0.001或更小。摩尔比y2可以是0.001至5、0.1至1.5、0.5至1、或者0.001或更小。
氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物可具有式：(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)0.5-1，其中单元下标表示其摩尔比。
氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物可具有式：(HSiO3/2)0.01-0.5(PhSiO3/2)0.5-1，其中单元下标表示其摩尔比。
氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物可具有任何合适的分子量.例如100g/mol至10,000,000g/mol、100g/mol至1,000,000g/mol、200g/mol至100,000g/mol、或者100g/mol或更低、或者200至1,000,000g/mol。
在前体粘合剂组合物还包含烯基官能化合物的实施方案中，前体粘合剂组合物可具有任何合适的Si-H与烯基比(例如，其中烯基是可氢化硅烷化固化的非芳族非共轭碳-碳双键)，如0.1∶1至10∶1、0.7∶1至2∶1、或0.1∶1或更小，或0.2∶1至5。
在前体粘合剂组合物还包含烯基官能化合物的实施方案中，前体粘合剂组合物可具有烯基官能有机聚硅氧烷与氢有机聚硅氧烷的任何合适重量比，例如0.001∶1至1000∶1、或10∶1至100∶1、或者0.001∶1或更小、或者0.01∶1至500。
前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层前体组合物可包含任何一种或多种任选组分。本节中描述的任何一种或多种任选组分可形成任何合适比例的前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物或剥离层前体组合物，如0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、0.01重量％至20重量％、或0.01重量％至10重量％。
在一些实施方案中，前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种包括以下中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、可聚合单体、可聚合或可交联低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、天然橡胶或合成橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟化有机硅、氟硅烷、虫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚氨酯、天然粘合剂、环氧基粘合剂、呋喃基粘合剂、酚醛基粘合剂、醛基粘合剂、脲醛粘合剂、丙烯酸基粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、可固化形成以上任何一种的前体、以及它们中的任何一种的反应产物。
催化剂的示例可包括氢化硅烷化催化剂、缩合催化剂、自由基引发剂、光引发剂、或者酸或碱。氢化硅烷化催化剂的示例可包括任何合适的氢化硅烷化催化剂，诸如包括铂族金属或含铂族金属的化合物的任何氢化硅烷化催化剂。铂族金属可包括铂、铑、钌、钯、锇和铱。合适的氢化硅烷化催化剂的示例可包括1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的铂(IV)络合物。在另一个实施方案中，氢化硅烷化催化剂可以是光活化的氢化硅烷化催化剂、或在热塑性材料中微胶囊化的氢化硅烷化催化剂。
固化剂的示例可包括胺、芳族胺、脂族胺、环脂族胺、多胺、酰胺、聚酰胺或亚胺中的至少一种。示例包括聚乙烯亚胺、哌啶、三乙胺、苄基二甲基胺、N，N-二甲基氨基吡啶、2-(N，N-二甲基氨基甲基)苯酚、三(二甲基氨基甲基)苯酚、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪、哌嗪衍生物(如氨基乙基哌嗪)、吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、中氮茚、异吲哚、吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、喹啉、异喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、咔唑、咔唑、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、咪唑烷、吩噁嗪、噌啉、吡咯烷、吡咯啉、咪唑啉、哌啶、二氢吲哚、异吲哚啉、奎宁环(quinuclindine)、吗啉、吖辛因、吖庚因、1，3，5-三嗪、噻唑、蝶啶、二氢喹啉、六亚甲基亚胺、吲唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1，1，3-三氯三氟丙酮、以及它们的组合。
在各种实施方案中、前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种包含有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷和有机烯基硅氧烷中的至少一种。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种包括以下中的至少一种：非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷和((C1-C20)烃基)氢化倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团独立地选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-(O-(C2-C3)亚烷基)n-(其中下标n为1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-和-Si((C1-C5)烷基)2-。在各种实施方案中，本文的倍半硅氧烷可具有任何合适的分子量，例如100g/mol至10,000,000g/mol、100g/mol至1,000,000g/mol、200g/mol至100,000g/mol。
前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种可包含以下中的至少一种：非直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、氢化二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、直链氢化二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(co-氢化倍半硅氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)、和聚(co-氢化倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有约1至约2m+1个氟基团并且m独立地为约1至约20。
前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种可包含以下中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合物稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状材料、有机硅、有机官能硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅树胶、有机硅甲醇流体、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外线稳定剂和流量控制添加剂。
显示装置加工中间体可包括在显示装置基底和粘合剂层离层之间的剥离层。剥离层可减小从载体基底、粘合剂层离层和存在的任何其它层移除显示装置基底所需的力。在一些实施方案中，显示装置加工中间体可包括在载体基底和粘合剂层离层之间的剥离层。
剥离层可以是剥离层前体组合物的固化反应产物。可使用任何合适的方法例如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种，将剥离层前体组合物放置在(例如，施加到)显示装置基底或粘合剂层离层上。可使用任何合适的方法如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合来固化剥离层前体组合物。在一些实施方案中，固化可包括干燥剥离层前体组合物以从中除去溶剂。固化可包括施加光(例如，可见光、红外线、紫外线)、加热(例如，40℃或更低，或50℃至500℃，80℃至300℃，或120℃至250℃持续适合的时间，如1分钟或更短，或2分钟至120分钟)、照射(例如，使用任何合适的辐射源，如电子束、伽马射线、X射线)或它们的组合。
剥离层前体组合物可以是可被固化形成剥离层的任何合适的组合物。剥离层前体组合物可包含以下中的至少一种：氟硅烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂、氟化倍半硅氧烷树脂、(C6-C20)芳基硅氧烷和(取代或未取代的(C1-C20)烃基)-倍半硅氧烷，其中前述任何一种或多种可形成任何合适比例的剥离层前体组合物，例如0.001重量％至99重量％、0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、0.01重量％至20重量％、或者0.001重量％或更少、或者99重量％或更多。
剥离层前体组合物可包含以下中的至少一种：氟(C1-C200)烃基取代的(C1-C5)烷氧基硅烷(例如，聚(全氟(C2-C5)烷氧基)全氟(C0-C5)烷基(C1-C20)烷氧基(C0-C20)烷基三(C1-C5)烷氧基硅烷或聚(全氟(C2-C5)烷氧基)全氟(C0-C5)烷基(C0-C20)烷基三(C1-C5)烷氧基硅烷)、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷(例如，直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(C1-C20)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷、聚(co-氢化倍半硅氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)、或聚(co-氢化倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧烷))。
剥离层可具有任何合适的厚度。在一些实施方案中，剥离层具有0.0001μm至500μm、0.001μm至300μm、5μm至150μm、或10μm至100μm的厚度。
显示装置加工中间体可包括在载体基底与粘合剂层离层之间的粘附促进剂层。粘附促进剂层可增加粘合剂层离层与载体基底之间的粘附力。
粘附促进剂层可以是粘附促进剂层前体组合物的固化反应产物。可使用任何合适的方法例如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种，将粘附促进剂层前体组合物放置(例如，施加到)显示装置基底或粘合剂层离层上。可使用任何合适的方法如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合来固化粘附促进剂层前体组合物。在一些实施方案中，固化可包括干燥粘附促进剂层前体组合物以从中除去溶剂。固化可包括如前所述的光、热、照射或它们的组合的施加。
粘附促进剂层前体组合物可包含本文描述为适用于包含在前体粘合剂组合物中的任一种或多种材料。粘附促进剂层前体组合物可包含以下中的至少一种：硅烷(例如三氯硅烷)、有机硅烷、烷氧基硅烷、硅氮烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸盐、磷酸酯、丙烯酸或其盐或酯、甲基丙烯酸或其盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或其盐或酯、乙烯基磺酸或其盐或酯、和2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其盐或酯。
粘附促进剂前体组合物可包含硅烷或硅氧烷中的至少一种，所述硅烷或硅氧烷包括以下中的至少一种：三烷氧基甲硅烷氧基(例如，三(C1-C5)烷氧基SiO-)，三烷氧基甲硅烷基烷基(例如三(C1-C5)烷氧基甲硅烷基(C1-C20)烷基)，氢甲硅烷基(例如，含氢甲硅烷基的倍半硅氧烷，例如具有式(HSiO3/2)0.01-5(取代或未取代的(C1-C20)烃基SiO3/2)0.01-5，其中单元下标表示其摩尔比)，烯基(例如，(C2-C20)烯基)，环氧官能团(例如，(C2-C20)环氧官能团)，氨基，卤代甲硅烷基，巯基甲硅烷基，以及氟代烷基甲硅烷基。
在各种实施方案中，粘附促进剂层前体组合物可包含以下中的至少一种：有机硅烷或直链、支链或环状有机硅氧烷低聚物，其中低聚物具有约4至20个硅原子，其中有机硅烷或低聚物具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基和氢甲硅烷基或烯基；有机硅烷或具有约4至20个硅原子的直链、支链或环状有机硅氧烷低聚物，其具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基，和甲基丙烯酰氧基烷基；有机硅烷或具有约4至20个硅原子的直链、支链或环状有机硅氧烷低聚物，其具有三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基，和环氧基键合的烷基；以及氨基烷基三烷氧基硅烷和环氧基团键合的烷基三烷氧基硅烷，和含环氧基团的聚硅酸乙酯之间的反应产物。粘附促进剂层前体组合物可包含下列中的至少一种：乙烯基三甲氧基硅烷，烯丙基三甲氧基硅烷，烯丙基三乙氧基硅烷，氢三乙氧基硅烷，3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷，3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷，2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷；3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷和3-氨基丙基三乙氧基硅烷的反应产物；硅烷醇基链封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物和3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷的缩合反应产物；硅烷醇基链封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物和3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷的缩合反应产物；和三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯。
粘附促进剂层可具有任何合适的厚度。在一些实施方案中，粘附促进剂层具有0.0001μm至500μm、0.001μm至300μm、5μm至150μm、10μm至100μm的厚度。
在各种实施方案中，是一种显示装置加工中间体。显示装置加工中间体可以是可使用本文描述的任何方法制备的任何显示装置加工中间体。显示装置加工中间体可包括载体基底，诸如本文所述的任何载体基底。显示装置加工中间体可包括载体基底上的粘合剂层离层，诸如本文所述的任何粘合剂层离层。粘合剂层离层可包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，诸如本文所述的任何前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。显示装置加工中间体可包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。在各种实施方案中，是由显示装置加工中间体形成的显示装置部件或显示装置。
在一些实施方案中，是如图1所示的显示装置加工中间体1。显示装置加工中间体1包括载体基底10，诸如本文所述的任何载体基底。显示装置加工中间体1包括在载体基底10上的粘合剂层离层30，诸如本文所述的任何粘合剂层离层。粘合剂层离层30包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，诸如本文所述的任何前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物。显示装置加工中间体1包括经由粘合剂层离层30固定到载体基底10的显示装置基底50。粘合剂层离层30可直接在载体基底10上，而没有中间层。显示装置基底50可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。
在一些实施方案中，是如图2所示的显示装置加工中间体2。显示装置加工中间体2包括在载体基底10上的粘合剂层离层30。显示装置加工中间体2包括经由粘合剂层离层30固定到载体基底10的显示装置基底50。显示装置加工中间体2包括在显示装置基底50和粘合剂层离层30之间的剥离层40。剥离层40可直接在显示装置基底50上，而没有中间层。剥离层40可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。粘合剂层离层30可直接在载体基底10上，而没有中间层。
在一些实施方案中，是如图3所示的显示装置加工中间体3。显示装置加工中间体3包括载体基底10上的粘合剂层离层30。显示装置加工中间体3包括经由粘合剂层离层30固定到载体基底10的显示装置基底50。显示装置加工中间体3包括在载体基底10和粘合剂层离层30之间的粘附促进剂层20。粘附促进剂层20可直接在载体基底10上，而没有中间层。粘附促进剂层20可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。显示装置基底50可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。
在一些实施方案中，是如图4所示的显示装置加工中间体4。显示装置加工中间体4包括载体基底10上的粘合剂层离层30。显示装置加工中间体4包括经由粘合剂层离层30固定到载体基底10的显示装置基底50。显示装置加工中间体4包括在载体基底10和粘合剂层离层30之间的粘附促进剂层20。显示装置加工中间体4包括在显示装置基底50和粘合剂层离层30之间的剥离层40。粘附促进剂层20可直接在载体基底10上，而没有中间层。粘合剂层离层30可直接在粘附促进剂层20上，而没有中间层。剥离层40可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。显示装置基底50可直接在剥离层40上，而没有中间层。
实施例
可参考以举例说明方式提供的以下实施例来更好地理解本发明的各种实施方案。本发明不限于本文给出的实施例。
用洗涤剂清洗玻璃基底(尺寸为75mm×50mm并且厚度为1.0mm的显微镜载玻片(Fisher Scientific，Loughborough，UK))，并制备成这些实施例的载体。
剥离强度测试。通过TMI粘附力测试仪(Testing Machines，Inc.，Delaware，USA)在室温下以每分钟12英寸的剥离速率测量剥离强度。使用双面胶带将层压结构附连到粘附力测试仪的台面上，其中与玻璃的粘附力显著大于层压结构的最大剥离力。将具有50mm宽度的3MTM471胶带(3M公司)施加到剥离层上，以便形成尾部以附连到TMI粘附力测试仪的夹具上。形成的尾部具有延伸超过剥离层边缘的50mm至75mm的长度。设置仪器以用于90°剥离测试。然后将胶带尾部附连到夹具上，并将仪器归零。归零后，使用控制软件启动测试。剥离力的测量通过力传感器进行，并在计算机监视器上给出输出。一旦完成，就记录最大剥离力，并取出样品。报告的剥离强度是来自至少3个样品的平均测量值。
实施例1：将甲基倍半硅氧烷(MSQ，(MSQ，(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5，其中单元下标表示其摩尔比，其中倍半硅氧烷在不溶于溶液时在室温下为固体并且具有200g/mol至100,000g/mol的分子量)溶解在八甲基三硅氧烷中，得到20重量％的溶液。将MSQ溶液旋涂在玻璃载体上，然后在150℃下固化30分钟，然后在200℃下固化60分钟。
使用刮涂棒法将以商品名购自新泽西州帕林的HD MicroSystems的聚酰亚胺(PI)前体涂覆在固化的MSQ涂覆的载体上。然后将涂覆的玻璃在160℃的热板上烘烤20分钟，并在300℃的空气循环烘箱中固化1小时。
在固化PI前体后，通过薄的剃刀刀片从MSQ涂覆的玻璃上释放PI膜的边缘。在PI膜上施加剥离力，整块PI膜很容易从MSQ涂覆的载体上剥离。
实施例2：将苯基倍半硅氧烷(PhSQ，(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5，其中单元下标表示其摩尔比，其中倍半硅氧烷在不溶于溶液时在室温下为固体并且具有200g/mol至100,000g/mol的分子量)溶解在环己酮中，得到15重量％的溶液。将PhSQ溶液旋涂在玻璃载体上，然后在150℃下固化30分钟，然后在200℃下固化60分钟。
使用刮涂棒法将购置的聚酰亚胺(PI)前体涂覆在固化的PhSQ涂覆的载体上。然后将涂覆的玻璃在160℃的热板上烘烤20分钟，并在300℃的空气循环烘箱中固化1小时。
在固化PI后，通过薄的剃刀刀片从PhSQ涂覆的玻璃上释放PI膜的边缘。在PI膜上施加剥离力，整块PI膜很容易从PhSQ涂覆的载体上剥离。
实施例3：将甲基倍半硅氧烷(MSQ，(MSQ，(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5，其中单元下标表示其摩尔比，其中倍半硅氧烷在不溶于溶液时在室温下为固体并且具有200g/mol至100,000g/mol的分子量)溶解在八甲基三硅氧烷中，得到20重量％的溶液。将MSQ溶液旋涂在玻璃载体上，然后在150℃下固化30分钟，然后在200℃下固化60分钟。
使用刮涂棒法将购置的聚酰亚胺(PI)前体涂覆在固化的MSQ涂覆的载体上。然后将涂覆的玻璃在160℃的热板上烘烤20分钟，并在300℃的空气循环烘箱中固化1小时，然后在400℃的空气循环烘箱中加热另外1小时。
在固化和热处理PI之后，通过薄的剃刀刀片从MSQ涂覆的玻璃上释放PI膜的边缘。在PI膜上施加剥离力，整块PI膜很容易从MSQ涂覆的载体上剥离。
实施例4：将0.2重量％甲基三甲氧基硅烷的甲苯溶液喷涂在玻璃载体上，然后在125℃下固化60分钟。
使用刮涂棒法将购置的聚酰亚胺(PI)前体涂覆在固化的甲基三甲氧基硅烷处理的载体上。然后将涂覆的玻璃在160℃的热板上烘烤20分钟，并在300℃的空气循环烘箱中固化1小时。
在固化和热处理PI之后，通过薄的剃刀刀片从甲基三甲氧基硅烷处理过的载体上释放PI膜的边缘。在PI膜上施加剥离力，整块PI膜很容易从甲基三甲氧基硅烷处理过的载体上剥离。
已采用的术语和措辞是用作描述性而非限制性的术语，并且在这类术语和措辞的使用中并不试图排除所示的和所描述的特征或其部分的任何等同物，而是应认识到在本发明的实施方案的范围内可以作出各种修改形式。因此，虽然本发明已通过具体的实施方案和任选的特征具体地进行公开，但本领域普通技术人员可能作出本文所公开的构思的修改形式和变型形式，而此类修改形式和变型形式将被视为在本发明的实施方案的范围内。
以下权利要求以引用方式以带编号的方面并入本文。带编号的方面与权利要求相同，不同的是词语“权利要求”和“多个权利要求”分别被词语“方面”和“多个方面”取代。
Claims (13)
1.一种加工显示装置基底的方法，所述方法包括：
利用粘合剂层离层将所述显示装置基底固定到载体基底，所述粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，所述前体粘合剂组合物包含以下中的至少一种：
硅烷，和
倍半硅氧烷聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅烷具有式(C1-C30)烃基-SiZ3，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由杂原子键合到所述式(C1-C30)烃基-SiZ3中的Si原子，所述杂原子为O、N或S；或者所述硅烷具有式(C1-C30)烃基-Si(O(C1-C30)烃基))3，其中每个(C1-C30)烃基独立地选择并且是取代的或未取代的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述倍半硅氧烷聚合物包含(C6-C20)芳基倍半硅氧烷、氢化倍半硅氧烷和(C1-C30)烷基倍半硅氧烷中的至少一种，其中所述(C6-C20)芳基和所述(C1-C30)烷基是取代的或未取代的。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述倍半硅氧烷聚合物是具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：(HSiO3/2)y1(R1SiO3/2)y2，
其中
单元下标表示其摩尔比，
R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
摩尔比y1为0.001至5，并且
摩尔比y2为0.001至5。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述固定提供显示装置加工中间体，其中剥离层位于所述粘合剂层离层与所述显示装置基底之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括加工所述显示装置基底，其中加工所述显示装置基底包括下列中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、暴露于光、显影、蚀刻、去除抗蚀剂、密封、气相沉积、粘附处理、加热、退火、照射、冷却，以及在所述显示装置基底上对下列中的至少一种进行放置、形成和改性中的至少一种：半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括从所述载体基底去除所述显示装置基底。
8.一种形成显示装置或显示装置部件的方法，包括根据权利要求1至7中任一项所述的方法。
9.一种通过根据权利要求1至8中任一项所述的方法形成的显示装置或显示装置部件。
10.一种加工显示装置基底的方法，所述方法包括：
利用粘合剂层离层将所述显示装置基底固定到载体基底，所述粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，所述前体粘合剂组合物包含：
0.1重量％至99重量％的具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：
(HSiO3/2)0.001-5(R1SiO3/2)0.001-5，
其中
单元下标表示其摩尔比，
R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且
所述氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有100g/mol至10，000，000g/mol的分子量；或者
具有式(C1-C30)烃基-SiZ3的硅烷，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由杂原子键合到所述式(C1-C30)烃基-SiZ3中的Si原子，所述杂原子为O、N或S；或者
具有式(C1-C30)烃基-Si(O(C1-C30)烃基))3的硅烷，其中每个(C1-C30)烃基独立地选择并且是取代的或未取代的。
11.一种显示装置加工中间体，包括：
载体基底；
位于所述载体基底上的粘合剂层离层，所述粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，所述前体粘合剂组合物包含以下中的至少一种：
硅烷，和
倍半硅氧烷聚合物；和
经由所述粘合剂层离层固定到所述载体基底上的显示装置基底。
12.根据权利要求11所述的显示装置加工中间体，其中所述硅烷具有式(C1-C30)烃基-SiZ3，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由杂原子键合到所述式(C1-C30)烃基-SiZ3中的Si原子，所述杂原子为O、N或S；或者所述硅烷具有式(C1-C30)烃基-Si(O(C1-C30)烃基))3，其中每个(C1-C30)烃基独立地选择并且是取代的或未取代的。
13.一种显示装置加工中间体，包括：
载体基底；
位于所述载体基底上的粘合剂层离层，所述粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的至少部分固化的产物，所述前体粘合剂组合物包含：
0.1重量％至99重量％的具有下式的氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物：
(HSiO3/2)0.001-5(R1SiO3/2)0.001-5，
其中
单元下标表示其摩尔比，
R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未中断的或被1、2或3个基团中断，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且
所述氢化倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物具有100g/mol至10，000，000g/mol的分子量；和
经由所述粘合剂层离层固定到所述载体基底上的显示装置基底。
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