KR20190004321A - 하나 이상의 비선형 오르가노폴리실록산을 포함하는 접착 박리 층 - Google Patents

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Abstract

개시된 다양한 실시 형태는 적어도 하나의 비선형 오르가노폴리실록산을 포함하는 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판 처리를 위한 방법과 같은 관련 태양에 관한 것이다. 다양한 실시 형태에서 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법이 있다. 본 방법은 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 접착 박리 층을 갖는 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함할 수 있다. 전구체 접착 조성물은 성분 (A), 하이드로겐오르가노폴리실록산을 포함할 수 있다. 전구체 접착 조성물은 또한 성분 (B), (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산을 포함할 수 있으며, (C2-C20)알케닐 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 기에 의해 중단되거나 중단되지 않는다. 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이다.

Description

하나 이상의 비선형 오르가노폴리실록산을 포함하는 접착 박리 층
본 발명은 일반적으로 하나 이상의 비선형 오르가노폴리실록산을 포함하는 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법을 포함하는 관련 양태 및 디스플레이 장치 처리 중간체에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이, 및 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이와 같은 디스플레이 장치의 생산에서, 다양한 디스플레이 장치 컴포넌트는 가요성 및 비가요성 유리 및 비유리 기판을 포함하는 얇은 디스플레이 장치 기판으로부터 제조된다. 깨지기 쉬운 성질, 특정 제조 공정 시 요구되는 고도의 정밀도 및 특정 제조 공정의 가혹한 조건으로 인해, 일부 얇은 디스플레이 장치 기판 상에서 제조 공정을 수행하는 것은 어려울 수 있다.
디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법. 본 방법의 실시 형태는 접착 박리 층으로 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함한다. 접착 박리 층은 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함한다. 전구체 접착 조성물은 경화가능하며 하이드로겐오르가노폴리실록산을 포함한다. 전구체 접착 조성물은 또한 (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산을 포함한다. 하이드로겐오르가노폴리실록산 및 (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산 중 적어도 하나는 비선형이다.
디스플레이 장치 처리 중간체. 디스플레이 장치 처리 중간체의 실시 형태는 캐리어 기판 및 캐리어 기판상의 접착 박리 층을 포함한다.
도면은 일반적으로 본 명세서에서 논의되는 다양한 실시 형태를 예로서 그러나 제한적이지 않게 나타낸다.
도 1은 다양한 실시 형태에 따른, 디스플레이 장치 처리 중간체를 나타낸다.
도 2는 다양한 실시 형태에 따른, 디스플레이 장치 처리 중간체를 나타낸다.
도 3은 다양한 실시 형태에 따른, 디스플레이 장치 처리 중간체를 나타낸다.
도 4는 다양한 실시 형태에 따른, 디스플레이 장치 처리 중간체를 나타낸다.
발명의 내용 및 요약서가 본 명세서에 참고로 포함된다.
하기 예시적인 실시 형태가 제공되며, 이들의 번호 매김은 중요성의 수준을 정하는 것으로 해석되어서는 안 된다:
실시 형태 1은 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법이며, 성분 (A), 하이드로겐오르가노폴리실록산; 및 성분 (B), (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산을 포함하는 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 접착 박리 층으로 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함하며, 여기서 (C2-C20)알케닐 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기에 의해 중단되거나 중단되지 않고; 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이다.
실시 형태 2는 실시 형태 1에 있어서, 디스플레이 장치 기판이 유리, 실리콘, 세라믹, 플라스틱, 금속, 또는 이들의 조합을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 3은 실시 형태 1 또는 실시 형태 2에 있어서, 디스플레이 장치 기판이 발광 다이오드 디스플레이(LED), 전자발광 디스플레이(ELD), 전자 페이퍼 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정 디스플레이(LCD), 고성능 어드레싱 디스플레이(HPA), 박막 트랜지스터 디스플레이(TFT), 유기 발광 다이오드 디스플레이(OLED), 표면-전도 전자-방출 디스플레이(SED), 레이저 TV 디스플레이, 탄소 나노튜브 디스플레이, 양자점 디스플레이 및 간섭계 변조기 디스플레이(IMOD) 중 적어도 하나의 처리 전구체 컴포넌트를 포함하는, 방법이다.
실시 형태 4는 실시 형태 1 내지 실시 형태 3 중 어느 하나에 있어서, 디스플레이 장치 기판의 두께가 1 nm 내지 5 mm인, 방법이다.
실시 형태 5는 실시 형태 1 내지 실시 형태 4 중 어느 하나에 있어서, 디스플레이 장치 기판의 두께가 1 nm 내지 0.5 mm인, 방법이다.
실시 형태 6은 실시 형태 1 내지 실시 형태 5 중 어느 하나에 있어서, 캐리어 기판이 유리, 실리콘, 세라믹, 플라스틱, 금속, 또는 이들의 조합을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 7은 실시 형태 1 내지 실시 형태 6 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 비선형이고 성분 (B)가 선형인, 방법이다.
실시 형태 8은 실시 형태 1 내지 실시 형태 6 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 선형이고 성분 (B)가 비선형인, 방법이다.
실시 형태 9는 실시 형태 1 내지 실시 형태 6 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 비선형이고 성분 (B)가 비선형인, 방법이다.
실시 형태 10은 실시 형태 1 내지 실시 형태 9 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물의 0.1 wt% 내지 99.9 wt%가 성분 (A)이고, 전구체 접착 조성물의 0.1 wt% 내지 99.9 wt%가 성분 (B)인, 방법이다. 단, 성분 (A) 및 성분 (B)를 포함하는 전구체 접착 조성물 중에, 성분 (A) 및 성분 (B)의 총량은 50 wt% 내지 100 wt% 미만이다.
실시 형태 11은 실시 형태 1 내지 실시 형태 10 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물의 0.2 wt% 내지 40 wt%가 성분 (A)이고, 전구체 접착 조성물의 0.2 wt% 내지 40 wt%가 성분 (B)인, 방법이다. 단, 성분 (A) 및 성분 (B)를 포함하는 전구체 접착 조성물 중에, 성분 (A) 및 성분 (B)의 총량은 50 wt% 내지 99 wt%이다.
실시 형태 12는 실시 형태 1 내지 실시 형태 6, 실시 형태 10 및 실시 형태 11 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 비선형인, 방법이다.
실시 형태 13은 실시 형태 12에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z이고, 각 경우에 RA는 -H 및 -R1으로부터 독립적으로 선택되고, 성분 (A) 중 하나 이상의 RA는 -H이고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, Si((C1-C5)알콕시)2- 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20) 하이드로카르빌이고, 하첨자 y 및 z는 독립적으로 0 내지 5,000이며, y 및 z 중 적어도 하나는 0을 초과하고, 하첨자 w는 0 내지 500이고 하첨자 x는 0 내지 5,000인, 방법이다.
실시 형태 14는 실시 형태 13에 있어서, R1이 (C1-C20)하이드로카르빌인, 방법이다.
실시 형태 15는 실시 형태 13 또는 실시 형태 14에 있어서, R1이 (C1-C5)알킬인, 방법이다.
실시 형태 16은 실시 형태 13 내지 실시 형태 15 중 어느 하나에 있어서, R1이 메틸인, 방법이다.
실시 형태 17은 실시 형태 13 내지 실시 형태 16 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)인, 방법이다.
실시 형태 18은 실시 형태 1 내지 실시 형태 6, 실시 형태 10 및 실시 형태 11 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 선형인, 방법이다.
실시 형태 19는 실시 형태 18에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x이고, 각 경우에 RA는 -H 및 -R1으로부터 독립적으로 선택되고, 성분 (A) 중 하나 이상의 RA 는 -H이고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, Si((C1-C5)알콕시)2- 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20) 하이드로카르빌이고, 하첨자 x가 0 내지 5,000인, 방법이다.
실시 형태 20은 실시 형태 19에 있어서, R1이 (C1-C20)하이드로카르빌인, 방법이다.
실시 형태 21은 실시 형태 19 또는 실시 형태 20에 있어서, R1이 (C1-C5)알킬인, 방법이다.
실시 형태 22는 실시 형태 19 내지 실시 형태 21 중 어느 하나에 있어서, R1이 메틸인, 방법이다.
실시 형태 23은 실시 형태 19 내지 실시 형태 22 중 어느 하나에 있어서, 하첨자 x가 1 내지 200인, 방법이다.
실시 형태 24는 실시 형태 19 내지 실시 형태 23 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x(HMeSiO2/2)x, 또는 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x이고, 하첨자 x가 0 내지 2,000인, 방법이다.
실시 형태 25는 실시 형태 19 내지 실시 형태 24 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6, 또는 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100인, 방법이다.
실시 형태 26은 실시 형태 1 내지 실시 형태 25 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물의 1 wt% 내지 99.9 wt%가 성분 (B)인, 방법이다.
실시 형태 27은 실시 형태 1 내지 실시 형태 26 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물의 40 wt% 내지 99.9 wt%가 성분 (B)인, 방법이다.
실시 형태 28은 실시 형태 1 내지 실시 형태 6 및 실시 형태 10 내지 실시 형태 27 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 비선형인, 방법이다.
실시 형태 29는 실시 형태 28에 있어서, 성분 (B)가 화학식 (RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z이고, 각 경우에 RB가 R1 및 R2로부터 독립적으로 선택되고, 하나 이상의 RB는 R2이고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 하첨자 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이고, 하첨자 y 및 z는 독립적으로 0 내지 5,000이고, y 및 z 중 적어도 하나는 0을 초과하고, 하첨자 w는 0 내지 500이고, 하첨자 x는 0 내지 5,000인, 방법이다.
실시 형태 30은 실시 형태 29에 있어서, R1이 (C1-C20)하이드로카르빌인, 방법이다.
실시 형태 31은 실시 형태 29 또는 실시 형태 30에 있어서, R1이 (C1-C5)알킬인, 방법이다.
실시 형태 32는 실시 형태 29 내지 실시 형태 31 중 어느 하나에 있어서, R1이 메틸인, 방법이다.
실시 형태 33은 실시 형태 29 내지 실시 형태 32 중 어느 하나에 있어서, R2가 (C2-C20)알케닐인, 방법이다.
실시 형태 34는, 실시 형태 29 내지 실시 형태 33 중 어느 하나에 있어서, R2가 비닐 기인, 방법이다.
실시 형태 35는 실시 형태 29 내지 실시 형태 34 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)w(Me2SiO2/2)x(SiO4/2)z이고, 하첨자 w는 0 내지 500이고 하첨자 x 및 z는 독립적으로 1 내지 5,000인, 방법이다.
실시 형태 36은 실시 형태 35에 있어서, w, x, 및 z가 독립적으로 1 내지 150인, 방법이다.
실시 형태 37은 실시 형태 29 내지 실시 형태 36 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2 또는 (ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80인, 방법이다.
실시 형태 38은 실시 형태 29 내지 실시 형태 37 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2) 또는 (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55인, 방법이다.
실시 형태 39는 실시 형태 1 내지 실시 형태 6 및 실시 형태 10 내지 실시 형태 27 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 선형인, 방법이다.
실시 형태 40은 실시 형태 39에 있어서, 성분 (B)가 화학식 (RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x이고, 각 경우에 RB가 -R1 및 -R2로부터 독립적으로 선택되고, 하나 이상의 RB는 R2이고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 하첨자 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이고, 하첨자 x는 0 내지 5,000인, 방법이다.
실시 형태 41은 실시 형태 40에 있어서, R1이 (C1-C20)하이드로카르빌인, 방법이다.
실시 형태 42는 실시 형태 40 또는 실시 형태 41에 있어서, R1이 (C1-C5)알킬인, 방법이다.
실시 형태 43은 실시 형태 40 내지 실시 형태 42 중 어느 하나에 있어서, R1이 메틸인, 방법이다.
실시 형태 44는 실시 형태 40 내지 실시 형태 43 중 어느 하나에 있어서, R2가 (C2-C20)알케닐인, 방법이다.
실시 형태 45는, 실시 형태 40 내지 실시 형태 44 중 어느 하나에 있어서, R2가 비닐 기인, 방법이다.
실시 형태 46은, 실시 형태 40 내지 실시 형태 45 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300인, 방법이다.
실시 형태 47은, 실시 형태 40 내지 실시 형태 46 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150인, 방법이다.
실시 형태 48은, 실시 형태 1 내지 실시 형태 47 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000으로부터; 대안적으로 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되고, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, 대안적으로 0 내지 0.3이고, m2는 0 내지 0.8, 대안적으로 0 내지 0.3이고, d1은 0 내지 0.999, 대안적으로 0 내지 0.99이고, d2는 0 내지 0.9999, 대안적으로 0 내지 0.999이고, t1은 0 내지 0.8이고, t2는 0 내지 0.8이고, q1은 0 내지 0.99인, 방법이다. 각 경우에, R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이다. 성분 (A)가 선형, 대안적으로는 비선형일 수 있다.
실시 형태 49는 실시 형태 1 내지 실시 형태 48 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000(HMeSiO2/2)1-2000, (HMe2SiO1/2)0.1-20(SiO4/2)0.1-5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000로부터 선택되는, 방법이다. 성분 (A)가 선형일 수 있다.
실시 형태 50은 실시 형태 1 내지 실시 형태 49 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6, (HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100로부터 선택되는, 방법이다. 성분 (A)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 51은, 실시 형태 1 내지 실시 형태 50 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000으로부터; 대안적으로 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되고, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, 대안적으로 0 내지 0.3이고, m2는 0 내지 0.8, 대안적으로 0 내지 0.3이고, d1은 0 내지 0.9999, 대안적으로 0 내지 0.999이고, d2는 0 내지 0.9999, 대안적으로 0 내지 0.999이고, t1은 0 내지 0.8이고, t2는 0 내지 0.8이고, q1은 0 내지 0.99인, 방법이다. 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이다. 성분 (B)가 선형, 대안적으로는 비선형일 수 있다.
실시 형태 52는 실시 형태 1 내지 실시 형태 51 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 (ViMe2SiO1/2)1-100(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-5, (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (ViMe2SiO1/2)1-100(Me3SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-200으로부터 선택되는, 방법이다. 성분 (B)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 53은 실시 형태 1 내지 실시 형태 52 중 어느 하나에 있어서, 성분 (B)가 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2), (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150 및 (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55로부터 선택되는, 방법이다. 성분 (B)가 비선형(Q-분지형 중합체)일 수 있다.
실시 형태 54는 실시 형태 1 내지 실시 형태 53 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9이고, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-2인, 방법이다. 성분 (A)가 선형일 수 있고, 성분 (B)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 55는 실시 형태 1 내지 실시 형태 54 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6이고, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)인, 방법이다. 성분 (A)가 선형일 수 있고, 성분 (B)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 56은 실시 형태 1 내지 실시 형태 55 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)이고, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300인, 방법이다. 성분 (A)가 비선형일 수 있고, 성분 (B)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 57은 실시 형태 1 내지 실시 형태 56 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)이고, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150인, 방법이다. 성분 (A)가 비선형일 수 있고, 성분 (B)가 선형일 수 있다.
실시 형태 58은 실시 형태 1 내지 실시 형태 57 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300이고, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80인, 방법이다. 성분 (A)가 선형일 수 있고, 성분 (B)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 59는 실시 형태 1 내지 실시 형태 58 중 어느 하나에 있어서, 성분 (A)가 화학식 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100이고, 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55인, 방법이다. 성분 (A)가 선형일 수 있고, 성분 (B)가 비선형일 수 있다.
실시 형태 60은 실시 형태 1 내지 실시 형태 59 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 열가소성 재료, 열경화성 재료, 단량체, 올리고머, 중합체, 가교결합성 중합체, 가교결합된 중합체, 고무, 폴리우레탄, 폴리아이소부틸렌, 실란, 오르가노실란, 실록산, 오르가노실록산, 플루오로실리콘, 플루오로실란, 셸락, 폴리아미드, 실릴-개질된 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리카바메이트, 우레탄, 천연 접착제, 에폭시계 접착제, 퓨란계 접착제, 페놀계 접착제, 알데하이드계 접착제, 우레아-알데하이드 접착제, 아크릴산계 접착제, 페놀/페놀 포름알데하이드/푸르푸릴 알코올 접착제, 경화제, 촉매, 이들 중 임의의 하나의 형태로 경화가능한 전구체, 및 이들 중 임의의 하나의 반응 생성물 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 61은 실시 형태 1 내지 실시 형태 60 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 오르가노하이드로겐실란, 오르가노하이드로겐실록산, 오르가노알케닐실란 및 오르가노알케닐실록산 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 62는 실시 형태 1 내지 실시 형태 61 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 비선형 (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산, 선형 (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산, 선형 (C2-C20)알케닐 작용화 플루오로(C1-C20)알킬-치환 오르가노폴리실록산, 비선형 하이드로겐오르가노폴리실록산, 선형 하이드로겐오르가노폴리실록산 및 ((C1-C20)하이드로카르빌)하이드로겐실세스퀴옥산 중 적어도 하나를 추가로 포함하며, (C2-C20)알케닐 기 및 (C1-C20)하이드로카르빌이 독립적으로 선택되고, 치환되거나 비치환되며, -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 하첨자 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 63은 실시 형태 1 내지 실시 형태 62 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 (R2R1 2SiO1/2)1-20(R1 2SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5, (R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 2SiO2/2)1-200(SiO4/2)1-500, (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000, (R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R1 2SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100, (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100-5000, (R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200, (HR1 2SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), (R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200, (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000, 및 (HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 추가로 포함하고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 및 비치환 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 하첨자 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 C2-C20)알케닐이고, 각 경우에 Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 64는 실시 형태 1 내지 실시 형태 63 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 (R2R1 2SiO1/2)1-8(R1 2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2, (R2R1 2SiO1/2)5-20(R1 2SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85, (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)75-225, (R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R1 2SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30, (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)400-1200, (R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-6(HR1SiO2/2)3-9, (HR1 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), (R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80, (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)50-200, (R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80, 및 (HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 추가로 포함하고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 및 비치환 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이고, 각 경우에 Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 65는 실시 형태 1 내지 실시 형태 64 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 (R2R1 2SiO1/2)4(R1 2SiO2/2)120(SiO4/2), (R2R1 2SiO1/2)11(R1 2SiO2/2)34(SiO4/2)55, (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)150, (R2R1 2SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R1 2SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15, (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)600, (R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6, (HR1 2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), (R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40, (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100, 및 (R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40, 및 (HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 추가로 포함하고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 및 비치환 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이고, 각 경우에 Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 66은 실시 형태 1 내지 실시 형태 65 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 비선형 비닐다이메틸실록시 말단 폴리다이메틸실록산, 선형 비닐다이메틸실록시 말단 폴리다이메틸실록산, 선형 비닐다이메틸실록시 말단 폴리(co-플루오로((Cm)알킬)메틸실록산-다이메틸실록산-비닐메틸실록산), 선형 비닐다이메틸실록시 말단 폴리다이메틸실록산, 선형 트라이메틸실록시 말단 폴리(co-다이메틸실록산-하이드로겐메틸실록산), 하이드로겐메틸실록시 말단 실록산, 트라이메틸실록시 말단 폴리(co-플루오로((Cm)알킬)메틸실록산-다이메틸실록산), 선형 하이드로겐다이메틸실록시 말단 다이메틸실록산, 선형 트라이메틸실록시 말단 폴리(co-다이메틸실록산-하이드로겐메틸실록산), 폴리(co-하이드로겐실세스퀴옥산-((C1-C20)알킬)실세스퀴옥산), 및 폴리(co-하이드로겐실세스퀴옥산-((C6-C20)아릴)실세스퀴옥산) 중 적어도 하나를 추가로 포함하며, 각각의 플루오로(Cm)알킬은 독립적으로 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 가지며 m은 독립적으로 1 내지 20인, 방법이다.
실시 형태 67은 실시 형태 1 내지 실시 형태 66 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 (ViMe2SiO1/2)1-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2, (ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)15-55(SiO4/2)25-85, (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)75-225, (ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-800(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30, (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)400-1200, (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9, (HMe2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), (Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)2-40(HMeSiO2/2)5-80, (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-200, (HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 추가로 포함하고, 각 경우에 Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 68은 실시 형태 1 내지 실시 형태 67 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2), (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55, (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150, (ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15, (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600, (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6, (HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), (Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40, (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100, (HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 추가로 포함하고, 각 경우에 Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 69는 실시 형태 1 내지 실시 형태 68 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 0.1 : 1 내지 10 : 1의 Si-H 대 알케닐 비를 갖는, 방법이다.
실시 형태 70은 실시 형태 1 내지 실시 형태 69 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 0.7 : 1 내지 2 : 1의 Si-H 대 알케닐 비를 갖는, 방법이다.
실시 형태 71은 실시 형태 1 내지 실시 형태 70 중 어느 하나에 있어서, 전구체 접착 조성물이 계면활성제, 유화제, 분산제, 중합체 안정제, 가교제, 중합체, 중합 또는 가교 촉매, 레올로지 개질제, 밀도 개질제, 아지리딘 안정제, 경화 변성제, 자유 라디칼 개시제, 희석제, 산 수용체, 산화방지제, 열 안정제, 난연제, 소거제, 실릴화제, 발포 안정제, 용매, 하이드로실릴화 반응성 희석제, 가소제, 충전제, 무기 입자, 안료, 염료, 건조제, 액체, 분자 당 하나 이상의 알케닐 또는 알키닐기를 갖는 폴리에테르, 증점제, 안정화제, 왁스, 왁스형 재료, 실리콘, 유기작용성 실록산, 알킬메틸실록산, 실록산 수지, 실리콘 검, 실리콘 카비놀 유체, 수용성 또는 수 분산성 실리콘 폴리에테르 조성물, 실리콘 고무, 하이드로실릴화 촉매 억제제, 접착 촉진제, 열 안정제, UV 안정제 및 유동 조절 첨가제 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 72는 실시 형태 1 내지 실시 형태 71 중 어느 하나에 있어서, 접착 박리 층의 두께가 0.1 μm 내지 500 μm인, 방법이다.
실시 형태 73은 실시 형태 1 내지 실시 형태 72 중 어느 하나에 있어서, 고정하는 단계는 접착 박리 층이 개재 층 없이 캐리어 기판 상에 직접 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공하는, 방법이다.
실시 형태 74는 실시 형태 1 내지 실시 형태 73 중 어느 하나에 있어서, 고정하는 단계는 접착 촉진제 층이 캐리어 기판 및 접착 박리 층 사이에 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공하는, 방법이다.
실시 형태 75는 실시 형태 74에 있어서, 접착 촉진제 층이 실란, 오르가노실란, 오르가노실록산, 오르가노티타네이트, 오르가노지르코네이트, 지르코노알루미네이트, 포스페이트 에스테르, 아크릴산 또는 이의 염 또는 에스테르, 메틸아크릴산 또는 이의 염 또는 에스테르, 폴리우레탄 단량체 또는 올리고머, 비닐 포스폰산 또는 이의 염 또는 에스테르, 비닐 설폰산 또는 이의 염 또는 에스테르, 및 2-아크릴아미도-2-메틸 프로판 설폰산 또는 이의 염 또는 에스테르 중 적어도 하나를 포함하는 접착 촉진제 전구체 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 76은 실시 형태 74 또는 실시 형태 75에 있어서, 접착 촉진제 층이 트라이알콕시실록시 기, 트라이알콕시실릴알킬 기, 하이드로실릴 기, 알케닐 기, 에폭시 작용성 기, 아미노 기, 할로실릴 기, 메르캅토실릴 기 및 플루오로알킬실릴 기 중 적어도 하나를 포함하는 실란 또는 실록산 중 적어도 하나를 포함하는 접착 촉진제 전구체 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 77은 실시 형태 74 내지 실시 형태 76 중 어느 하나에 있어서, 접착 촉진제 층의 두께가 0.0001 μm 내지 500 μm인, 방법이다.
실시 형태 78은 실시 형태 74 내지 실시 형태 77 중 어느 하나에 있어서, 접착 촉진제 층과 캐리어 기판 사이 또는 접착 촉진제 층과 접착 박리 층 사이에 개재 층이 발생하지 않는, 방법이다.
실시 형태 79는 실시 형태 1 내지 실시 형태 78 중 어느 하나에 있어서, 고정하는 단계는 전구체 접착 조성물 및 접착 박리 층 중 적어도 하나를 이용하여 캐리어 기판 상에 디스플레이 장치 기판을 배치하는 것을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 80은 실시 형태 1 내지 실시 형태 79 중 어느 하나에 있어서, 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계 이전에 캐리어 기판과 디스플레이 장치 기판 중 적어도 하나 상에 접착 박리 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 81은 실시 형태 80에 있어서, 형성하는 단계가 캐리어 기판과 디스플레이 장치 기판 중 적어도 하나 상에 전구체 접착 조성물을 배치하는 단계, 및 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 형성하기 위해 전구체 접착 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는, 방법이다.
실시 형태 82는 실시 형태 81에 있어서, 배치하는 단계가 분무, 방사, 드로우-다운 바(draw-down bar), 닥터 블레이드(doctor-blade) 및 침지 중 적어도 하나를 사용하여, 캐리어 기판과 디스플레이 장치 중 적어도 하나 상에 전구체 접착 조성물을 배치하는 것을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 83은 실시 형태 80 내지 실시 형태 82 중 어느 하나에 있어서, 접착 박리 층을 형성하는 단계 이전에 캐리어 기판에 접착 촉진제 층을 결합하는 단계를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 84는 실시 형태 80 내지 실시 형태 83 중 어느 하나에 있어서, 캐리어 기판을 고정하는 단계 이전에 접착 박리 층에 접착 촉진제 층을 결합하는 단계를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 85는 실시 형태 1 내지 실시 형태 84 중 어느 하나에 있어서, 고정하는 단계는 접착 박리 층이 개재 층 없이 디스플레이 장치 기판 상에 직접 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공하는, 방법이다.
실시 형태 86은 실시 형태 1 내지 실시 형태 85 중 어느 하나에 있어서, 고정하는 단계는 이형 층이 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판 사이에 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공하는, 방법이다.
실시 형태 87은 실시 형태 86에 있어서, 이형 층이 플루오로실란, 플루오로실록산, 플루오로오르가노실란, 플루오로오르가노실록산, 플루오르화 실리콘 수지, 플루오르화 실세스퀴옥산 수지, (C6-C20)아릴실록산, 및 (치환 또는 비치환 (C1-C20)하이드로카르빌)-실세스퀴옥산 중 적어도 하나를 포함하는 이형 층 전구체 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 88은 실시 형태 86 또는 실시 형태 87에 있어서, 이형 층이 플루오로(C1-C200)하이드로카르빌-치환(C1-C5)알콕시실란, 선형 (C2-C20)알케닐-작용화 플루오로(C1-C20)알킬-치환된 오르가노폴리실록산, 폴리(co-하이드로겐실세스퀴옥산-((C1-C20)알킬)실세스퀴옥산), 및 폴리(co-하이드로겐실세스퀴옥산-((C6-C20)아릴)실세스퀴옥산) 중 적어도 하나를 포함하는 이형 층 전구체 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 89는 실시 형태 86 내지 실시 형태 88 중 어느 하나에 있어서, 이형 층이 F((CF2)3O)cc(CF2)0-10(CH2)0-10(O)0-1(CH2)0-10Si(OMe)3, (ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)150-1200(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30, (HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 포함하는 이형 층 전구체 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하며, cc는 0 내지 200이며, Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기에 의해 중단되는 1, 2 또는 3개의 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 90은 실시 형태 86 내지 실시 형태 89 중 어느 하나에 있어서, 이형 층이 F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3, (ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15, (HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄) 중 적어도 하나를 포함하는 이형 층 전구체 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하며, cc는 17 내지 25이며, Rf는 독립적으로 플루오로(Cm)알킬이며 이는 다르게는 비치환되거나 또는 추가로 치환되고 1 내지 2m+1개의 플루오린 기를 갖고, 여기서 m은 독립적으로 1 내지 20이고, (Cm)알킬 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않는, 방법이다.
실시 형태 91은 실시 형태 86 내지 실시 형태 90 중 어느 하나에 있어서, 이형 층의 두께가 0.0001 μm 내지 500 μm인, 방법이다.
실시 형태 92는 실시 형태 86 내지 실시 형태 91 중 어느 하나에 있어서, 접착 박리 층과 이형 층 사이 또는 이형 층과 디스플레이 장치 기판 사이에 개재 층이 발생하지 않는, 방법이다.
실시 형태 93은 실시 형태 1 내지 실시 형태 92 중 어느 하나에 있어서, 디스플레이 장치 기판을 접착 박리 층으로 캐리어 기판에 고정하는 단계가 디스플레이 장치 기판을 이형 층을 통해 접착 박리 층에 고정하는 단계를 포함하는, 방법이다.
실시 형태 94는 실시 형태 1 내지 실시 형태 93 중 어느 하나에 있어서, 디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 95는 실시형태 94에 있어서, 디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계가 세정, 건조, 막 형성, 액체 포토레지스트 도포, 광 노출, 현상, 에칭, 레지스트 제거, 실링, 증착, 접착 처리, 가열, 어닐링, 조사, 냉각 중 적어도 하나를 포함하고, 반도체 재료, 반도체 장치, 다이오드, 발광 다이오드, 트랜지스터, 트랜지스터 어레이, 커패시터, 도전 경로, 회로 패턴, 게이트 라인, 데이터 라인, 전기 커넥터, 전극, 투명 전극, 전기 절연체, 전기 절연 층, 보호 층, 컬러 필터, 액정, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 패시베이션 층, 전기영동 막 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 디스플레이 장치 기판 상에 배치하는 단계, 형성하는 단계 및 개조하는 단계 중 적어도 하나를 포함하는, 방법이다.
실시 형태 96은 실시 형태 1 내지 실시 형태 95 중 어느 하나에 있어서, 캐리어 기판으로부터 디스플레이 장치 기판을 제거하는 단계를 추가로 포함하는, 방법이다.
실시 형태 97은 실시 형태 96에 있어서, 제거하는 단계는 1 g/cm 내지 200 g/cm의 90도 박리력을 사용하여 캐리어 기판으로부터 디스플레이 장치 기판을 박리하는 것을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 98은 실시 형태 96 또는 실시 형태 97에 있어서, 제거하는 단계는 2 g/cm 내지 60 g/cm의 90도 박리력을 사용하여 캐리어 기판으로부터 디스플레이 장치 기판을 박리하는 것을 포함하는, 방법이다.
실시 형태 99는 실시 형태 1 내지 실시 형태 98 중 어느 하나의 방법을 포함하는 디스플레이 장치 컴포넌트 또는 디스플레이 장치를 형성하는 방법이다.
실시 형태 100은 실시 형태 1 내지 실시 형태 99 중 어느 하나의 방법에 의해 형성된 디스플레이 장치 컴포넌트 또는 디스플레이 장치이다.
실시 형태 101은 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법으로서, 0.1 wt% 내지 99 wt%의 성분 (A);및 0.1 wt% 내지 99.9 wt%, 대안적으로 0.1 내지 99 wt%의 성분 (B)를 포함하는 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 접착 박리 층으로 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함하며, 성분 (A)는 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000 및 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택된 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2, 및 q1 및 작용기 R1은 독립적으로 이전에 정의된 바와 같고; 성분 (B)는 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택된 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이며, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2, 및 q1 및 작용기 R1 및 R2는 독립적으로 이전에 정의된 바와 같고; 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐인, 방법이다. 성분 (A) 및 성분 (B)를 포함하는 전구체 접착 조성물 중에, 성분 (A) 및 성분 (B)의 총량은 50 wt% 내지 99 wt%이다.
실시 형태 102는, 캐리어 기판; 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 캐리어 기판 상의 접착 박리 층 - 상기 전구체 접착 조성물은 성분 (A), 하이드로겐오르가노폴리실록산; 및 성분 (B), (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산을 포함하고, (C2-C20)알케닐 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 중단 기에 의해 중단되거나 중단되지 않고; 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형임 -; 및
접착 박리 층을 통해 캐리어 기판에 고정된 디스플레이 장치 기판을 포함하는 디스플레이 장치 처리 중간체이다.
실시 형태 103은 실시 형태 102에 있어서, 캐리어 기판 및 접착 박리 층 사이에 접착 촉진제 층을 추가로 포함하는, 디스플레이 장치 처리 중간체이다.
실시 형태 104는 실시 형태 102 또는 실시 형태 103에 있어서, 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판 사이에 이형 층을 추가로 포함하는, 디스플레이 장치 처리 중간체이다.
실시 형태 105는 캐리어 기판; 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 캐리어 기판 상의 접착 박리 층 - 상기 전구체 접착 조성물은 0.1 wt% 내지 99 wt%의 성분 (A) - 성분 (A)는 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000 및 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택된 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2, 및 q1 및 작용기 R1은 독립적으로 이전에 정의된 바와 같음 -; 및 0.1 wt% 내지 99.9 wt%, 대안적으로 0.1 내지 99 wt%의 성분 (B) - 성분 (B)는 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택된 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이며, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2, 및 q1 및 작용기 R1 및 R2는 독립적으로 이전에 정의된 바와 같음 - 를 포함하고; 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이고, 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고, 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 중단 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐임 -; 및 접착 박리 층을 통해 캐리어 기판에 고정된 디스플레이 장치 기판을 포함하는, 디스플레이 장치 처리 중간체이다. 성분 (A) 및 성분 (B)를 포함하는 전구체 접착 조성물 중에, 성분 (A) 및 성분 (B)의 총량은 50 wt% 내지 100 wt% 미만이다.
실시 형태 106은 실시 형태 1 내지 실시 형태 105 중 어느 하나 또는 어느 하나의 조합에 있어서, 언급된 모든 요소 또는 선택 사항이 그로부터의 사용 또는 선택에 이용가능하도록 선택적으로 구성된, 장치 또는 방법이다.
실시 형태 107은 실시 형태 1 내지 실시 형태 106 중 어느 하나에 기술된 바와 같이, 접착 박리 층이다.
본 명세서 전반에 걸쳐, 범위 형식으로 표현된 값은 그 범위의 한계치로서 명백하게 나열되는 수치 값을 포함할 뿐만 아니라 마치 개개의 수치 값 및 하위 범위(sub-range)가 명백하게 언급되는 것처럼 그 범위 내에 포함되는 모든 개개의 수치 값 또는 하위 범위도 포함하는 유연한 방식으로 해석되어야 한다. 예를 들어, "0.1% 내지 5%" 또는 "0.1% 내지 5%"의 범위는 0.1% 내지 5%뿐만 아니라, 지시된 범위 내의 개개의 값들 (예를 들어, 1%, 2%, 3%, 및 4%) 및 하위 범위들 (예를 들어, 0.1% 내지 0.5%, 1.1% 내지 2.2%, 3.3% 내지 4.4%)도 포함한다.
본 명세서에 기재된 제조 방법에서, 시간상 또는 작업상의 순서가 명시적으로 암시되거나 모호하지 않게 암시된 경우를 제외하고는, 본 발명의 원리로부터 벗어남이 없이 행동들 또는 단계들은 임의의 순서로 수행될 수 있다. 게다가, 명시된 행동들은, 명백한 청구범위의 표현에 의해 행동들이 별도로 수행되어야 하는 것으로 언급되지 않는다면, 동시에 수행될 수 있다. 예를 들어, 단계 X를 행하는 본 발명의 행동 및 단계 Y를 행하는 본 발명의 행동은 단일 작업 내에서 동시에 수행될 수 있으며, 그 결과로 얻어지는 방법은 본 발명의 방법의 문자 그대로의 범위 내에 속할 것이다. 일부 태양에서, 행동들 또는 단계들은 쓰여진 바와 같은 순서대로 수행된다.
본 문서에서, 단수형("a," "an" 또는 "the") 용어는 그 문맥이 달리 명확하게 기술되지 않는 한 하나 또는 하나 초과를 포함하도록 사용된다. 용어 "또는"은 달리 지시되지 않는 한 비배타적인 "또는"을 지칭하도록 사용된다. "A와 B 중 적어도 하나"라는 문구는 "A, B 또는 A 및 B"와 동일한 의미를 가지며, A 또는 B 또는 A 및 B와 같은 의미를 가진다. 섹션 표제를 임의로 사용하는 것은 문서를 읽는데 도움이 되기 위함이며 제한하고자 하는 것은 아니다. 섹션 표제에 관련된 정보는 그 특정 섹션 내에서 또는 그 외에서 나타날 수 있다.
본 명세서에 사용되는 용어 "아실"은 카르복실산으로부터 HO- 기를 제거함으로써 형식적으로 유도된 1가 기를 지칭한다. 기는 비치환되거나 치환될 수 있다.
본 명세서에 사용되는 용어 "알케닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합(C=C)을 함유하는 1가 불포화 지방족 기를 지칭한다. 알케닐은 직쇄형, 분지형, 또는 환형일 수 있다. 알케닐은 1 또는 2개의 C = C를 가질 수 있다. 알케닐 기는 2 내지 40개의 탄소 원자, 또는 2 내지 약 20개의 탄소 원자, 또는 2 내지 12개의 탄소 원자, 또는 일부 실시 형태에서 2 내지 8개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 예에는 특히, 비닐, -CH=CH(CH3), -CH=C(CH3)2, -C(CH3)=CH2, -C(CH3)=CH(CH3), -C(CH2CH3)=CH2, 사이클로헥세닐, 사이클로펜테닐, 사이클로헥사디에닐, 부타디에닐, 펜타디에닐 및 헥사디에닐이 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 기는 비치환되거나 치환될 수 있다.
본 명세서에 사용되는 용어 "알콕시"는 1가 포화 또는 불포화 지방족-O- 기를 지칭하고, 여기서 지방족 기는 비환형 또는 환형을 의미한다. 선형 알콕시 기의 예에는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 분지형 알콕시의 예에는 아이소프로폭시, sec-부톡시, tert-부톡시, 아이소펜틸옥시, 아이소헥실옥시가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 환형 알콕시의 예에는 사이클로프로필옥시, 사이클로부틸옥시, 사이클로펜틸옥시, 사이클로헥실옥시가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 알콕시 기는 산소 원자에 결합된 1 내지 12개, 1 내지 20개 또는 1 내지 40개의 탄소 원자를 포함할 수 있으며, 이중 결합 또는 삼중 결합을 추가로 포함할 수 있고, 헤테로원자를 또한 포함할 수 있다. 예를 들어, 알릴옥시 기나 메톡시에톡시 기가 본 명세서에서의 의미 내에서 또한 알콕시 기이며, 구조의 2개의 인접한 원자들이 치환된 상황에서 메틸렌다이옥시 기도 마찬가지이다. 기는 비치환되거나 치환될 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "알킬"은 1 내지 40개의 탄소 원자, 1 내지 약 20개의 탄소 원자, 1 내지 12개의 탄소 원자, 또는 일부 실시 형태에서 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형, 분지형 사슬 또는 환형인 1가 포화 탄화수소 기를 지칭한다. 직쇄 알킬 기의 예에는 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 것들, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, 및 n-옥틸 기가 포함된다. 분지형 알킬 기의 예에는 아이소프로필, 아이소부틸, sec-부틸, t-부틸, 네오펜틸, 아이소펜틸 및 2,2-다이메틸프로필 기가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "알킬"은 n-알킬, 아이소알킬 및 안테-아이소알킬 기뿐만 아니라 다른 분지쇄 형태의 알킬을 포함한다. 기는 비치환되거나 치환될 수 있다. 대표적인 치환된 알킬 기는 본 명세서에 열거된 임의의 기, 예를 들어 아미노, 하이드록시, 시아노, 카르복시, 니트로, 티오, 알콕시 및 할로겐 기로 1회 이상 치환될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "알킬렌"은 2개의 원자가가 임의의 2개의 탄소 원자 상에 존재할 수 있는 알칸디일을 나타낸다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "알키닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합(C≡C)을 함유하는 1가 불포화 지방족 기를 지칭하고, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 알키닐 기는 2 내지 40개의 탄소 원자, 2 내지 약 20개의 탄소 원자, 또는 2 내지 12개의 탄소 원자, 또는 일부 실시 형태에서 2 내지 8개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 예에는, 특히 -C≡CH, -C≡C(CH3), -C≡C(CH2CH3), -CH2C≡CH, -CH2C≡C(CH3), 및 -CH2C≡C(CH2CH3)가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 기는 비치환되거나 치환될 수 있다.
"대안적으로"는 구별되는 실시 형태를 강조한다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "아민"은 암모니아 상의 1, 2 또는 3개의 수소 원자를 하이드로카르빌 기로 독립적으로 치환함으로써 암모니아(NH3)로부터 형식적으로 유도된 화합물을 지칭한다. 아민은 예를 들어 화학식 N(기)3를 갖는 1차, 2차 및 3차 아민일 수 있으며, 여기서 각 기는 독립적으로 H 또는 비-H 일 수 있으며, 예를 들어 알킬 및 아릴이다. 아민은 R-NH2, 예를 들어, 알킬아민, 아릴아민, (알킬아릴)아민; R2NH (각각의 R 독립적으로 선택됨), 예를 들어, 다이알킬아민, 다이아릴아민, (아르알킬)아민, (알킬)(아릴)아민, 및 헤테로사이클릴아민; 및 R3N (각각의 R은 독립적으로 선택됨), 예를 들어 트라이알킬아민, 다이알킬아릴아민, 알킬다이아릴아민, 및 트라이아릴아민을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. R은 비치환되거나 치환될 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "아릴"은 1가 카르보사이클릭 방향족 탄화수소 기를 지칭한다. 따라서, 아릴 기에는 페닐, 아줄레닐, 헵탈레닐, 바이페닐, 인다세닐, 플루오레닐, 페난트레닐, 트라이페닐레닐, 피레닐, 나프타세닐, 크리세닐, 바이페닐레닐, 안트라세닐, 및 나프틸 기가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 일부 실시 형태에서, 아릴 기는 기의 고리 부분에 6 내지 14개의 탄소를 함유한다. 본 명세서에 정의된 바와 같이, 아릴 기는 유기 기 또는 비탄소 함유 기로 비치환되거나 치환될 수 있다. 기는 비치환되거나 치환될 수 있다. 대표적인 치환된 아릴 기는 예를 들어 2-, 3-, 4-, 5- 또는 6-위치 중 임의의 하나 이상에서 치환된 페닐기, 또는 2- 내지 8-위치 중 임의의 하나 이상에서 치환된 나프틸 기에 한정되는 것은 아니며, 1회 치환될 수 있거나 2회 이상 치환될 수 있다.
"할 수 있다" 또는 "일 수 있다"는 허용된 선택사항을 부여하며, 필수적인 것이 아니다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "코팅" 또는 "필름"은 연속적인 또는 불연속적인 재료 층을 지칭한다. 층은 독립형이거나 물품의 표면 상에 배치될 수 있다. 재료의 층은 물품의 표면을 관통할 수 있고 구멍과 같은 영역을 채울 수 있으며, 재료의 층은 편평한 평면 또는 만곡된 평면을 포함하는 임의의 3차원 형상을 가질 수 있다. 한가지 예에서, 코팅은 코팅 재료의 조(bath)에 침지시킴으로써 하나 이상의 표면 상에 형성될 수 있는데, 상기 표면 중 임의의 것은 다공성 또는 비다공성일 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "탄화수소"는 치환되지 않을 수 있고 탄소 및 수소 원자로 구성되는 분자 또는 치환될 수 있고 할로겐, N, O, S, P, 및 Si로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자 및 탄소 및 수소 원자를 포함하는 분자를 지칭한다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "하이드로카르빌"은 수소 원자를 제거함으로써 직쇄형, 분지형 또는 환형 탄화수소로부터 형식적으로 유도되는 1가의 작용기를 지칭하며, 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 사이클로알킬, 아실, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 하이드로카르빌 기는 (Ca-Cb)하이드로카르빌로 나타낼 수 있고 여기서 a 및 b는 정수이며 a 내지 b 중 임의의 수의 탄소 원자를 가짐을 의미한다. 예를 들어, (C1-C4)하이드로카르빌은, 하이드로카르빌 기가 메틸(C1), 에틸(C2), 프로필(C3), 또는 부틸(C4)일 수 있음을 의미한다. (C0-Cb)하이드로카르빌은, 소정의 실시 형태에서, 하이드로카르빌 기가 없음을 의미한다.
골격 원자에 라디칼을 갖는 1가 기에 적용되는 용어 "중단된"은 (i) 또는 (ii)를 의미한다: (i) 1개의 골격 원자를 갖는 1가 기 - 즉 라디칼을 가짐 - 에서: 중단된은 1개의 골격 원자와 라디칼 사이에 형식적으로 삽입됨을 의미한다(예를 들어 H3C-에 형식적으로 삽입되어 H3C-Q-를 제공하는 2가의 중단 기 Q); 또는 (ii) 2개 이상의 골격 원자를 갖는 1가 기 - 라디칼은 그 중 어느 하나 상에 위치함 - 에서: 중단된은 골격 원자와 라디칼 사이(예를 들어, 상기와 같이) 또는 골격 원자들 중 임의의 2개 사이에 형식적으로 삽입됨을 의미한다(예를 들어, H3C-CH2-에 형식적으로 삽입되어 H3C-Q-CH2-를 제공하는 2가 중단 기 Q). 전형적으로, 중단되는 각각의 1가 기는 1, 2, 또는 3개의 중단 기 Q에 의해; 대안적으로 1, 또는 2개의 중단 기 Q에 의해; 대안적으로 2, 또는 3개의 중단 기 Q에 의해; 대안적으로 1개의 중단 기 Q에 의해; 대안적으로 2개의 중단 기 Q에 의해; 대안적으로 3개의 중단 기 Q에 의해 독립적으로 중단될 수 있다. 2 또는 3개의 Q기가 있을 경우, 그들은 전형적으로 서로에게 직접적으로 결합되지 않는다(즉, 2 또는 3개의 중단 기 Q를 갖는 중단된 1가 기는 Q-Q기가 부재일 수 있다). 각각의 중단된 1가 기는 독립적으로 본 명세서 다른 곳에 기재된 바와 같이 정의될 수 있다(예를 들어, 중단된 하이드로카르빌 또는 중단된 (C2-C20)알케닐). 각각의 중단 기 Q는 독립적으로 본 명세서 다른 곳에 기재된 중단 기에서와 같이 정의될 수 있다(예를 들어, -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콜시)2-, 또는 -Si((C1-C5)알킬)2-). 용어 "중단된"이 전술한 바와 유사한 방법으로 분자 또는 다가의 기에 적용될 수 있다. 용어 "중단되지 않은"은 2가의 중단 기 Q가 없는 것(결핍된 것)(즉, 0 개의 Q)을 의미한다.
용어 "선형"은 분지점이 결여되거나 없는 것을 의미한다. 예를 들어, 선형 폴리실록산(예를 들어, 선형 하이드로겐오르가노폴리실록산 및 선형 알케닐 작용성 오르가노폴리실록산)은 그 골격에 분지점을 갖지 않는다(즉, 0). 따라서, 그 골격은 M 단위(예를 들어, R1 3SiO1/2, HR1 2SiO1/2, 또는 Me3SiO1/2) 및 D 단위(예를 들어, R1 2SiO2/2, HR1SiO2/2, 또는 Me2SiO2/2)로만 구성된다.
용어 "비선형"은 하나 이상의 분지점을 갖는 것을 의미한다. 예를 들어, 비선형 폴리실록산(예를 들어, 비선형 하이드로겐오르가노폴리실록산 및 비선형 알케닐 작용성 오르가노폴리실록산)은 그 골격에 하나 이상의 분지점을 갖는다. 경우에 따라, 각각의 분지점은 독립적으로 T 단위(예를 들어, R1SiO3/2, R2SiO3/2, 또는 HSiO3/2) 또는 Q 단위(SiO4/2)일 수 있다. 경우에 따라, 비선형 폴리실록산은 추가로 M 및/또는 D 단위를 가질 수 있고, 대안적으로는 갖지 않을 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "수 평균 분자량"(Mn) 은 샘플 내의 개별 분자들의 분자량의 일반적인 산술 평균을 지칭한다. 이는 샘플 내의 모든 분자들의 총 중량을 샘플 내의 분자들의 총 개수로 나눈 값으로 정의된다. 실험적으로, Mn은 식 Mn = ΣMini / Σni을 통해 분자량 Mi의 ni 개의 분자를 갖는 종 i의 분자량 분율로 나눈 샘플을 분석함으로써 결정된다. Mn은 겔 침투 크로마토그래피, 분광기 말단기 분석 및 삼투압 측정법을 비롯한 다양한 잘 알려진 방법으로 측정할 수 있다. 측정은 알려진 Mn의 폴리스티렌 표준물을 사용할 수 있다. 명시되지 않는다면, 본 명세서에 주어진 중합체의 분자량은 수 평균 분자량이다.
용어 "올리고머"는, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 중간 상대 분자 질량을 갖는 분자를 지칭하며, 본질적으로 이의 구조는 더 낮은 상대 분자 질량의 분자로부터 실제로 또는 개념적으로 유도되는 2 내지 4개의 반복 단위를 포함한다(예를 들어, 더 적은 반복 단위의 단량체 또는 올리고머). 중간 상대 질량을 갖는 분자는 상기 단위들 중 하나 또는 수 개의 제거에 따라 변동되는 특성을 갖는 분자일 수 있다. 하나 이상의 단위의 제거로부터 기인하는 특성의 변동은 유의한 변동일 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "유기 기"는 임의의 1가 또는 다가의 탄소-함유 작용기를 지칭한다. 각각의 유기 기는 독립적으로 비치환되거나, 대안적으로는 치환되지 않을 수 있다. 예를 들어, 산소 함유 기, 예를 들어 알콕시 기, 아릴옥시 기, 아르알킬옥시 기, 옥소(카르보닐) 기, 카르복실 기 (카르복실산, 카르복실레이트 및 카르복실레이트 에스테르를 포함함); 황 함유 기, 예를 들어 알킬 및 아릴 설파이드 기; 및 다른 헤테로원자 함유 기. 유기 기의 비제한적인 예에는 OR, OOR, OC(O)N(R)2, CN, CF3, OCF3, R, C(O), 메틸렌다이옥시, 에틸렌다이옥시, N(R)2, SR, SOR, SO2R, SO2N(R)2, SO3R, C(O)R, C(O)C(O)R, C(O)CH2C(O)R, C(S)R, C(O)OR, OC(O)R, C(O)N(R)2, OC(O)N(R)2, C(S)N(R)2, (CH2)0-2N(R)C(O)R, (CH2)0-2N(R)N(R)2, N(R)N(R)C(O)R, N(R)N(R)C(O)OR, N(R)N(R)CON(R)2, N(R)SO2R, N(R)SO2N(R)2, N(R)C(O)OR, N(R)C(O)R, N(R)C(S)R, N(R)C(O)N(R)2, N(R)C(S)N(R)2, N(COR)COR, N(OR)R, C(=NH)N(R)2, C(O)N(OR)R, C(=NOR)R, 및 치환 또는 비치환된 (C1-C100)하이드로카르빌을 포함하며, 여기서 R은 수소(다른 탄소 원자를 포함하는 예에서) 또는 탄소계 기일 수 있고, 탄소계 기는 치환되거나 비치환될 수 있다.
오르가노실록산은 상이한 유형의 단위를 함유할 수 있으며, 이들 중 적어도 하나는 규소 결합된 유기 기(Si-C)를 함유한다. 메틸 함유 실록산 단위는 [(CH3)3SiO1/2], [(CH3)2SiO2/2], 및 [(CH3)SiO3/2]이며, 이들은 때때로 M, D, 및 T로 즉, 윗첨자없이 각각 약칭된다. 또 다른 유형의 오르가노실록산 단위는 [SiO4/2]이며, Q로 약칭된다. 다른 유형의 오르가노실록산 단위는 메틸 대신에 원자 또는 기의 1개 이상의 발생을 함유하는 M, D 및 T 단위이다. 예를 들어, [(CH3)3SiO1/2] 단위에서 1, 2, 또는 3개의 메틸(들); [(CH3)2SiO2/2] 단위에서 1 또는 2개의 메틸(들); 및 [(CH3)SiO3/2] 단위에서 1개의 메틸은, 원자에 의해 예를 들어 H 또는 할로겐, 무기 기 예를 들어 하이드록실 또는 메틸 이외의 유기 기에 의해 치환될 수 있다. 메틸 대신에 치환 원자(들) 또는 기(들)를 함유하는 그러한 M, D 및 T 단위는 때때로 각각의 M, D 또는 T 글자 위의 윗첨자로 대체 원자(들) 또는 기(들)를 기재함으로써 약칭된다. 대체되는 메틸의 수는 윗첨자화된 기의 수에 의해 나타낸다. 예를 들어, MVi는 하나의 비닐(Vi) 및 2개의 메틸을 갖는 M 단위(즉, [Vi(CH3)2SiO1/2])를 나타내는 반면, M2Vi는 두개의 비닐 및 하나의 메틸을 갖는 M 단위(즉, [Vi2(CH3)SiO1/2])를 나타낸다. 유사하게, DH는 하나의 수소 원자 및 하나의 메틸을 갖는 D 단위(즉, [H(CH3)SiO2/2])를 나타내는 반면, DH,Ph는 0개의 메틸, 하나의 H 원자, 및 하나의 페닐을 갖는 D 단위(즉, [H(Ph)SiO2/2])를 나타낸다. TOAlk은 0개의 메틸 및 하나의 알콕시 기를 갖는 T 단위(즉, [AlkOSiO3/2])를 나타내고, AlkO 및 OAlk는 동일한 알콕시 기를 나타낸다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "중합체"는 적어도 5개의 반복 단위를 갖는 분자를 지칭하며 공중합체와 같은 단독중합체 및 혼성중합체를 포함할 수 있다.
달리 나타내지 않는 한, 화학 명명법 또는 원자가 요구 조건에 따라, 본 명세서 각각의 "R" 기는 1가 기이다. "R" 기의 예는 R, R1, R2, RA, RB, 및 Rf이다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "수지"는 4개 이상의 실록산 단위를 포함하는 분자를 포함하는 임의의 점도의 폴리실록산 재료를 지칭하며, 하나 이상의 실록산 단위는 Si-O-Si 결합을 통해 3 또는 4개의 다른 실록산 단위에 결합된다. 한 가지 예에서, 폴리실록산 재료는 본 명세서에 정의된 바와 같은 대부분의 T 및/또는 Q 단위를 포함한다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "용매"는 고체, 액체 또는 기체를 용해시킬 수 있는 액체를 지칭한다. 용매의 비제한적 예는 실리콘 유체, 30° 내지 300℃의 비등점을 갖는 유기 화합물, 예를 들어 알코올, 물, 이온성 액체 및 초임계 유체이다. 본 명세서의 특정 혼합물 실시 형태에서, 용매는, 대안적으로는, 특정 성분을 완전히 용해시키지 않을 수 있다. 특정 성분을 완전히 용해시키지 않는 용매는 담체, 희석제, 분산제, 접종 배지 또는 상등액으로 기능할 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "실질적으로"는 적어도 60%, 70%, 80%, 90%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%, 99.5%, 99.9%, 99.99%, 또는 99.999%; 대안적으로 100%와 같이, 대다수 또는 대부분을 지칭한다.
본 명세서에 정의된 바와 같은 분자 또는 유기 기와 관련하여 본 명세서에 사용된 용어 "치환된"은 그 안에 함유된 하나 이상의 수소 원자가 하나 이상의 비수소 원자로 대체된 상태를 지칭한다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "작용기" 또는 "치환체"는 분자 상에 또는 유기 기 상에 치환될 수 있거나 치환된 기를 지칭한다. 치환체 또는 작용기의 예에는 할로겐 (예를 들어, F, Cl, Br, 및 I; 대안적으로 F, Cl, 또는 Br; 대안적으로 F 또는 Cl; 대안적으로 Cl 또는 Br; 대안적으로 F; 대안적으로 Cl); 하이드록시 기, 알콕시 기, 아릴옥시 기, 아르알킬옥시 기, 옥소(카르보닐) 기, 카르복실 기(카르복실산, 카르복실레이트 및 카르복실레이트 에스테르를 포함함)와 같은 기 내의 산소 원자; 티올 기, 알킬 및 아릴 설파이드 기, 설폭사이드 기, 설폰 기, 설포닐 기, 및 설폰아미드 기와 같은 기 내의 황 원자; 아민, 하이드록시아민, 니트릴, 니트로 기, N-옥사이드, 하이드라지드, 아지드, 및 엔아민과 같은 기 내의 질소 원자; 및 다양한 다른 기 내의 다른 헤테로원자를 포함하지만, 이에 한정되는 않는다. 치환된 탄소(또는 다른) 원자에 결합될 수 있는 치환체의 비제한적인 예에는 F, Cl, Br, I, OR, OC(O)N(R)2, CN, NO, NO2, ONO2, 아지도, CF3, OCF3, R, O, =O (oxo), S (티오노), C(O), S(O), 메틸렌다이옥시, 에틸렌다이옥시, N(R)2, SR, SOR, SO2R, SO2N(R)2, SO3R, C(O)R, C(O)C(O)R, C(O)CH2C(O)R, C(S)R, C(O)OR, OC(O)R, C(O)N(R)2, OC(O)N(R)2, C(S)N(R)2, (CH2)0-2N(R)C(O)R, (CH2)0-2N(R)N(R)2, N(R)N(R)C(O)R, N(R)N(R)C(O)OR, N(R)N(R)CON(R)2, N(R)SO2R, N(R)SO2N(R)2, N(R)C(O)OR, N(R)C(O)R, N(R)C(S)R, N(R)C(O)N(R)2, N(R)C(S)N(R)2, N(COR)COR, N(OR)R, C(=NH)N(R)2, C(O)N(OR)R, 및 C(=NOR)R이 포함되며, 여기서 R은 수소 또는 탄소계 기일 수 있고; 예를 들어, R은 수소, (C1-C100)하이드로카르빌, 알킬, 아실, 사이클로알킬, 아릴, 아르알킬, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 또는 헤테로아릴알킬일 수 있거나; 또는 질소 원자에 또는 질소 원자에 인접하여 결합된 2개의 R기가 질소 원자 또는 원자들과 함께 헤테로사이클릴을 형성할 수 있다. 치환기에서, 각각의 R은 독립적으로 F로 치환되거나 비치환된다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, "Vi"는 비닐 기, 즉 -CH2=CH2를 나타낸다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, "Me"는 메틸 기, 즉 -CH3를 나타낸다. "Ph"는 페닐, 즉 C6H5-를 의미한다.
임의의 화합물에는, 자연 존재비 동위원소, 동위원소-풍부화된 동위원소, 및 이들의 혼합물을 포함하는 이의 모든 "동위원소 형태"가 포함된다. 일부 태양에서, 동위원소 형태는 자연 존재비 동위원소, 대안적으로 동위원소-풍부화된 동위원소이다. 규소-함유 화합물의 동위원소-풍부화된 형태는 자연 존재비를 초과하는 양의 중수소, 삼중수소, 29Si, 30Si, 32Si, 또는 이들의 임의의 둘 이상의 조합을 갖는다. 화합물의 동위원소-풍부화된 형태는 동위원소-풍부화된 화합물 또는 그로부터 제조되거나 합성된 동위원소-풍부화된 재료의 검출이 도움이 될 추가적인 용도를 가질 수 있다. 그러한 용도의 예는 의학 연구 및 위조 방지 응용이다.
일부 태양에서, 임의의 조성물에는, Si, O, H, C, N, 할로겐, 본 명세서의 어딘가 다른 곳에 기재된 임의의 촉매의 금속을 배제하지 않는 것을 제외하고, 하기 화학 원소들 중 하나 이상이 없을 수 있다: (i) 란타노이드 및 악티노이드를 포함하는 2 내지 13 및 18족 중 임의의 하나로부터의 하나 이상의 화학 원소; (Ii) 란타노이드 및 악티노이드를 비롯한 원소 주기율표 제3 내지 제6 행 중 어느 하나로부터의 하나 이상의 화학 원소; 또는 (iii) (i) 및 (ii) 둘 모두. 일부 태양에서, 임의의 조성물은, 본 명세서의 다른 곳에서 기재된 임의의 촉매의 금속을 제외하고 다음 원자 번호 중 어느 하나를 갖는 화학 원소를 함유하지 않는다: 2, 3, 4, 5, 7, 10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84. 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 및 116. "화학 원소" 또는 "원자", 화학 원소의 족 또는 족들, 또는 원소 주기율표는 2013년 5월 1일자 버전(version)인, IUPAC에 의해 공개된 화학 원소들, 족(들), 및 원소 주기율표를 의미하여야 할 것이다 (iupac.org/reports/periodic_table/참조).
양으로 하전된 반대이온을 갖는 염인 화합물에서, 반대 이온은 임의의 적절한 양으로 대전된 반대이온일 수 있다. 예를 들어, 반대이온은 암모늄 (NH4 +), 또는 알칼리 금속 예를 들어, 나트륨(Na+), 칼륨(K+), 또는 리튬(Li+)일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 반대이온은 +1보다 큰 양전하를 갖을 수 있고 일부 실시 형태에서 다수의 이온화된 기, 예를 들어 Zn2 +, Al3 + 또는 알칼리 토금속 예를 들어, Ca2 + 또는 Mg2+ 로 복합될 수 있다.
다양한 실시 형태에서, 디스플레이 장치 기판을 캐리어 상에 장착하는 것을 포함하는 기존의 방법이 디스플레이 장치 기판을 처리하기 위한 기존의 방법에 비해 어떤 이점이 있다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 기존의 방법과 비교해 보면, 방법은 특정 제조 공정 시 사용되는 가혹한 화학적 처리(예를 들어, 로그 산 해리 상수, pKa가 3 이하인 산) 또는 상승된 온도(예를 들어, 200℃ 이상)를 보다 잘 견딜 수 있다. 일부 실시 형태에서, 방법은 기존의 방법에 비해 특정 제조 공정 시 디스플레이 장치 기판을 더 확고하게 보유할 수 있다. 일부 기존의 장착 방법은 캐리어와 디스플레이 기판 사이의 상대적 이동 또는 디스플레이 기판의 휘어짐(flexing)의 증가를 허용하여 디스플레이 기판 상의 전자 부품들의 오정렬을 야기한다. 다양한 실시 형태에서, 본 방법은 디스플레이 기판이 기존의 방법들보다 더 용이하게, 예를 들어, 더 낮은 박리력으로 캐리어로부터 제거되도록 허용할 수 있다. 제조 시 캐리어에 대한 디스플레이 기판의 이동으로 인한 또는 장착, 제조 또는 제거 시 디스플레이 기판의 손상으로 인한 고장은 전체 제조 라인의 중단을 의미할 수 있다. 다양한 실시 형태에서, 기존의 방법들보다 낮은 실패율을 갖는 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법이 있다.
다양한 실시 형태에서, 본 방법은 접착 촉진제없이 처리 시 디스플레이 장치 기판을 견고하게 유지하고 이형 층없이 디스플레이 장치 기판의 쉬운 제거를 용이하게 하는 접착 박리 층을 제공할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 캐리어로부터 디스플레이 장치 기판을 제거한 후에, 캐리어는 광범위한 재활용 절차없이 수회 재사용될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전통의 장비 및 화학물질은, 기존 방법으로 요구되는 이국적인 장비 또는 화학물질과는 대조적으로, 방법을 수행하기 위해 거의 또는 전혀 수정하지 않고 사용할 수 있다.
디스플레이 장치 기판은 디스플레이 장치용 컴포넌트로 형성될 수 있는 임의의 적합한 재료를 포함할 수 있다. 캐리어 기판은, 본 방법이 본 명세서에 기재된 바와 같이 수행될 수 있도록, 임의의 적합한 재료일 수 있다. 다양한 실시 형태에서, 캐리어 기판은 디스플레이 장치 기판을 포함하거나 그와 동일한 재료이다. 일부 실시 형태에서, 디스플레이 장치 기판 및 캐리어 기판은 독립적으로 실리케이트 유리, 실리콘(예를 들면, 실리콘 웨이퍼), 세라믹, 플라스틱(예를 들면, 열가소성 유기 또는 실리콘 중합체), 금속(예를 들면, 스틸, 구리), 또는 이들의 조합을 포함한다. 디스플레이 장치 기판 및 캐리어 기판은 독립적으로 디스플레이 장치 기판 및/또는 캐리어 기판이 그 위에 하나 이상의 코팅 또는 처리 중간체를 독립적으로 포함하도록 임의의 적합한 하나 이상의 화학적 처리 또는 물리적 처리가 수행되는 처리된 기판일 수 있으며, 또는 매끄럽고 윤이 나거나 질감이 있는 표면과 같은 임의의 적합한 토포그래피를 갖는 표면을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 디스플레이 장치 기판 및/또는 캐리어 기판은 코팅되지 않고 미처리된 미가공 표면(raw surface)을 가질 수 있다. 디스플레이 장치 기판은 가요성 또는 강성일 수 있다. 디스플레이 장치 기판은 임의의 적합한 두께, 예를 들면 1 nm 내지 5 mm, 1 nm 내지 0.5 mm, 또는 1 nm 내지 100 μm, 또는 5 mm 초과의 두께를 가질 수 있다. 캐리어 기판은 임의의 적절한 양의 강성을 가질 수 있어서, 디스플레이 장치 기판이 처리 시 안전하게 유지될 수 있고 이어서 캐리어 기판으로부터 제거될 수 있다. 캐리어 기판은, 본 방법이 본 명세서에 기재된 바와 같이 수행될 수 있도록, 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 캐리어 기판은 0.1 mm 내지 1,000 mm, 또는 0.1 mm 미만, 또는 0.2 mm 내지 500 mm, 또는 1,000 mm 초과의 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시 형태에서 캐리어 기판 및 디스플레이 장치 기판은 150×10-7/℃ 이하 또는 그 미만, 50×10-7/℃ 이하, 또는 1×10-10/℃ 이하 또는 그 미만, 또는 1×10-9/℃ 이하, 1×10-8/℃, 1×10-7/℃, 1×10-6/℃, 1×10-5/℃, 1×10-4/℃, 1×10-3/℃, 1×10-2/℃, 또는 1×10-1/℃ 이하 또는 그 이상 만큼의 차이와 같은 유사한 선팽창 계수를 갖는 재료를 포함할 수 있거나 그러한 재료일 수 있다.
디스플레이 장치 기판이 발광 다이오드 디스플레이(LED), 전자발광 디스플레이(ELD), 전자 페이퍼 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정 디스플레이(LCD), 고성능 어드레싱 디스플레이(HPA), 박막 트랜지스터 디스플레이(TFT), 유기 발광 다이오드 디스플레이(OLED), 표면-전도 전자-방출 디스플레이(SED), 레이저 TV 디스플레이, 탄소 나노튜브 디스플레이, 양자점 디스플레이 및 간섭계 변조기 디스플레이(IMOD) 중 적어도 하나의 디스플레이 장치 컴포넌트를 형성하도록 처리될 수 있는 임의의 적합한 디스플레이 장치 처리 전구체를 포함할 수 있다.
접착 박리 층은, 본 방법이 본 명세서에 기재된 바와 같이 수행될 수 있도록, 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 일부 실시 형태에서, 접착 박리 층은 0.1 μm 내지 500 μm, 5 μm 내지 150 μm, 10 μm 내지 100 μm, 또는 500 μm 초과의 두께를 가질 수 있다.
접착 박리 층을 통한 디스플레이 장치 기판을 캐리어 기판에 고정하는 단계는 임의의 적절한 고정일 수 있다. 고정하는 단계는 디스플레이 장치 기판과 접착 박리 층 및 전구체 접착 조성물 중 적어도 하나를 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 접촉시키는 단계는 진공(예를 들어, 공기를 제거하고 기포를 방지하기 위해)과 같은, 및 선택적으로 열, 광 또는 조사(예를 들어, 전구체 접착 조성물을 경화시키기 위해)를 이용하여 접착 박리 층에 대한 디스플레이 장치 기판의 밀착성을 달성하기에 적합한 조건하에서 롤 또는 프레스로의 가압 결합과 같은 다양한 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 진공 하에서 가압 결합을 수행함으로써, 기포가 잔류하더라도, 가열 시 기포의 성장이 감소되거나 제거되어, 적층된 캐리어 기판 및 디스플레이 장치 기판의 변형 결함의 형성이 회피되거나 감소된다. 일부 실시 형태에서, 접착 박리 층은 디스플레이 장치 기판이 접착 박리 층에 접촉되기 이전에, 대안적으로는 이후에, 대안적으로는 전후에 경화된다. 캐리어 기판, 디스플레이 장치 기판, 또는 둘 모두는 접착 박리 층 또는 전구체 접착 조성물과 어느 하나의 기판을 접촉시키기 단계 이전과 같이 고정하는 단계를 수행하기 이전에 세척될 수 있다.
본 방법은 디스플레이 장치 기판을 캐리어 기판에 고정하는 단계 이전에 캐리어 기판과 디스플레이 장치 기판 중 적어도 하나 상에 접착 박리 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 형성하는 단계는 캐리어 기판과 디스플레이 장치 기판 중 적어도 하나 상에 전구체 접착 조성물을 배치하는 단계, 및 전구체 접착 조성물을 경화시켜 경화 생성물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치 기판을 캐리어 기판에 고정하는 단계 이전에 캐리어 기판과 디스플레이 장치 기판 중 적어도 하나 상에 접착 박리 조성물을 배치하는 단계가 일어날 수 있다. 캐리어 기판과 디스플레이 장치 중 적어도 하나 상에 전구체 접착 조성물을 배치하는 단계는 임의의 적합한 방법, 예를 들어, 분무, 방사, 드로우-다운 바, 닥터 블레이드 및 침지 중 적어도 하나를 사용하는 방법을 포함할 수 있다.
전구체 접착 조성물을 경화시켜 접착 박리 층을 형성하는 단계는 디스플레이 장치 기판을 캐리어 기판에 고정시키는 단계 이전에, 도중에, 및/또는 이후에 일어날 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "경화"는 예비중합체 또는 중합체를 고분자량의 중합체로, 그리고 이어서 네트워크로 전환시키는 것을 지칭한다. 경화 단계는 전구체 접착 조성물을 임의의 형태로 방사선에 노출시키는 것, 가열하는 것, 또는 25℃에서 측정된[동적 또는 운동학적] 점도의 증가 또는 굳어짐을 초래하는 물리적 또는 화학적 반응을 거치도록 하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물의 경화 단계는 임의의 적합한 경화, 예를 들어, 자유 라디칼 경화, 축합 경화, 부가 경화(예를 들어, 하이드로실릴화), 임의의 적합한 가교결합 반응 또는 이들의 조합일 수 있다. 경화 단계는 적절한 시간 동안(예를 들어, 1분 이하 또는 1시간 이상), 빛(예를 들어, 가시 광선, 적외선, 자외선), 열 (예를 들어, 40℃ 이하 또는 50℃ 내지 500℃, 예를 들어, 120℃ 내지 250℃), 방사선(예를 들어, 전자 빔, 감마선, X-선) 또는 이들의 조합을 적용하는 것을 포함할 수 있다.
다양한 실시 형태에서, 접착 박리 층을 통해 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계는, 접착 박리 층이 캐리어 기판 상에 및/또는 디스플레이 장치 기판 상에 개재 층 없이 직접 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 접착 촉진제 층 및/또는 이형 층과 같은 하나 이상의 추가 개재 층이 접착 박리 층 및 캐리어 기판 사이에서 형성될 수 있거나 발생할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 이형 층과 같은 하나 이상의 추가 개재 층이 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판 사이에서 발생할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 디스플레이 장치 처리 중간체는 접착 박리 층 및 캐리어 기판 사이에 접착 촉진 층을 그리고 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판 사이에 이형 층을 포함할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 캐리어 기판 및 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계가 접착 촉진제 층을 포함하는 캐리어 기판 또는 디스플레이 장치 기판 상에 접착 박리 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 캐리어 기판 및 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계가 캐리어 기판 또는 디스플레이 장치 기판 상에 접착 박리 층을 형성하는 단계 이전에 캐리어 기판에 접착 촉진제 층을 결합하는 단계를 포함할 수 있다. 고정하는 단계는 접착 촉진제 층이 캐리어 기판 및 접착 박리 층 사이에 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 1) 접착 촉진제 층 및 캐리어 기판 사이, 2) 접착 촉진제 층 및 접착 박리 층 사이, 또는 3) 이들의 조합에 어떠한 개재 층도 발생하지 않는다.
일부 실시 형태에서, 캐리어 기판 및 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계는 이형 층을 통해 접착 박리 층에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함할 수 있고, 이형 층은 고정하는 단계 이전에 디스플레이 장치 기판 상에 또는 접착 박리 층 상에 존재한다. 일부 실시 형태에서, 캐리어 기판 및 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계가 디스플레이 장치 기판에 이형 층을 결합하는 단계 또는 접착 박리 층에 이형 층을 결합하는 단계를 포함할 수 있다. 고정하는 단계는 이형 층이 디스플레이 장치 기판 및 접착 박리 층 사이에 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 1) 이형 층 및 디스플레이 장치 기판 사이, 2) 이형 층 및 접착 박리 층 사이, 또는 3) 이들의 조합에 어떠한 개재 층도 발생하지 않는다.
일부 실시 형태에서, 본 방법은 디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계가 없다. 일부 실시 형태에서, 본 방법은 디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계가 임의의 적합한 처리, 예를 들어, 세정, 건조, 막 형성, 액체 포토레지스트 도포, 광 노출, 현상, 에칭, 레지스트 제거, 실링, 증착, 접착 처리, 가열, 어닐링, 조사, 냉각 중 적어도 하나를 포함하고, 반도체 재료, 반도체 장치, 다이오드, 발광 다이오드, 트랜지스터, 트랜지스터 어레이, 커패시터, 도전 경로, 회로 패턴, 게이트 라인, 데이터 라인, 전기 커넥터, 전극, 투명 전극, 전기 절연체, 전기 절연 층, 보호 층, 컬러 필터, 액정, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 패시베이션 층, 전기영동 막 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 디스플레이 장치 기판 상에 배치하는 단계, 형성하는 단계 및 개조하는 단계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시 형태에서, 본 방법은 디스플레이 장치 기판을 캐리어 기판으로부터 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 제거하는 단계는 디스플레이 장치 기판의 처리 이전에, 대안적으로는 이후에 일어날 수 있다. 제거하는 단계는, 디스플레이 장치 기판이 캐리어 기판으로부터 제거되도록, 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다. 제거하는 단계는 캐리어 기판으로부터 디스플레이 장치 기판을 제거하여 제거 후에 실질적으로 어떠한 접착 박리 층도 디스플레이 장치 기판에 접착되지 않도록 하고 임의의 다른 층(예를 들어, 이형 층)이 제거 후에 디스플레이 장치 기판에 실질적으로 접착되지 않도록 하는 것을 포함할 수 있다. 제거하는 단계는 캐리어 기판으로부터 디스플레이 장치 기판을 제거하여 제거 후에 실질적으로 어떠한 접착 박리 층도 디스플레이 장치 기판에 접착되지 않도록 하는 것을 포함할 수 있으며, 여기서 다른 층(예를 들어, 이형 층)의 전부 또는 일부는 제거 후에 디스플레이 장치 기판에 접착된다.
제거하는 단계는 박리와 같은 물리적 제거, 산 또는 염기 처리와 같은 화학적 제거, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 접착 박리 층 및 임의의 다른 층은 디스플레이 장치 기판을 캐리어 기판으로부터 제거하기에 충분한 90도 박리력이 센티미터 당 1 g(g/cm) 내지 200 g/cm, 2 g/cm 내지 60 g/cm, 또는 1 g/cm 이하, 또는 100 g/cm 내지 200 g/cm가 되도록 형성될 수 있다. 길이는 제거 위치에서 디스플레이 장치 기판 및 캐리어 기판의 중첩되고 접착된 부분의 폭을 나타낸다.
일부 실시 형태에서, 본 방법은 예를 들어, 제거하는 단계 이후에 디스플레이 장치 또는 디스플레이 장치 컴포넌트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 본 방법은 디스플레이 장치 또는 디스플레이 장치 컴포넌트를 형성하는 단계 없이 수행될 수 있다.
후술하는 적절히 넘버링된 실시 형태를 포함하는 일부 태양에서, 성분 (A)는 화학식 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000의 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 성분 (B)는 화학식 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000의 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이다. 후술하는 적절히 넘버링된 실시 형태를 포함하는 일부 태양에서, 성분 (A)는 화학식 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000의 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 성분 (B)는 화학식 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1의 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이며; 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2와 q1 및 작용기 R1 및 R2는 독립적으로 이전에 정의된 바와 같다. 후술하는 적절히 넘버링된 실시 형태를 포함하는 일부 태양에서, 성분 (A)는 화학식 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1의 하이드로겐오르가노폴리실록산이고; 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2와 q1 및 작용기 R1은 독립적으로 이전에 정의된 바와 같고; 성분 (B)는 화학식 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000의 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이다. 후술하는 적절히 넘버링된 실시 형태를 포함하는 일부 태양에서, 성분 (A)는 화학식 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1의 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 성분 (B)는 화학식 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1의 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이며; 상기 모두에서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2와 q1 및 작용기 R1 및 R2는 독립적으로 이전에 정의된 바와 같다.
전구체 접착 조성물은 성분 (A), 하이드로겐오르가노폴리실록산을 포함한다. 성분 (A)는 공통의 구조적 특징들을 공유하는 단일의 하이드로겐오르가노폴리실록산일 수 있다. 전구체 접착 조성물은 또한 성분 (B), 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산을 포함한다. 성분 (B)는 공통의 구조적 특징들을 공유하는 단일의 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산일 수 있다. 성분 (B) 중 하나 이상의 알케닐 기는 자유 라디칼 중합 또는 하이드로실릴화에 적합하고, 비방향족 비공액 탄소-탄소 이중 결합을 포함한다. 전구체 접착 조성물은 성분 (A) 및 성분 (B) 이외에 임의의 적합한 하나 이상의 성분을 포함할 수 있다. 성분 (A), 성분 (B), 및 선택적으로 전구체 접착 조성물 중에 존재하는 임의의 다른 성분은 경화되어 접착 박리 층을 형성할 수 있다. 성분 (A) 및 성분 (B)는 임의의 적합한 화학적 메커니즘, 예를 들면 하이드로실릴화를 통해 경화할 수 있다.
성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이다(예를 들어, 중합체가 비선형 골격을 갖는, 분지형). 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 비선형이고 성분 (B)는 선형이다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 선형이고 성분 (B)는 비선형이다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 비선형이고 성분 (B)는 비선형이다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 플루오로오르가노 치환된, 예를 들어, 플루오로오르가노폴리실록산이다.
전구체 접착 조성물의 임의의 적합한 비율은 성분 (A)일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물의 0.1 wt% 내지 99 wt%는 성분 (A)이고, 0.1 내지 80 wt%, 1 wt% 내지 80 wt%, 0.1 wt% 내지 40 wt%이다. 전구체 접착 조성물의 임의의 적합한 비율은 성분 (B) 일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물의 0.1 wt% 내지 99.9 wt%는 성분 (B)이고, 10 내지 99.9 wt%, 60 wt% 내지 99 wt%, 65 wt% 내지 99 wt%이다. 성분 (A) 및 성분 (B)를 포함하는 전구체 접착 조성물 중에, 성분 (A) 및 성분 (B)의 총량은 50 wt% 내지 100 wt% 미만; 대안적으로 70 내지 99 wt%; 대안적으로 80 내지 95 wt%; 대안적으로 55 내지 90 wt%; 대안적으로 60 내지 90 wt%이다.
일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 비선형일 수 있다. 성분 (A)가 화학식 (RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z일 수 있다. 하첨자 y 및 z는 독립적으로 0 내지 5,000, 0 내지 2,000, 0 내지 1,000, 0 내지 500, 또는 0 내지 200일 수 있다. y 및 z 중 적어도 하나는 0 보다 크다. 하첨자 w는 0 내지 500, 0 내지 100, 0 내지 50, 0 내지 10 또는 1 내지 임의의 이전 상위 종료점이고, 하첨자 x는 0 내지 5,000, 0 내지 2,000, 0 내지 1,000, 0 내지 500 또는 0 내지 200이다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 화학식 (HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 100 g/mol 내지 10,000,000 g/mol, 또는 100 g/mol 이하, 또는 1,000 내지 5,000,000의 분자량을 가질 수 있다.
일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 화학식 (RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x일 수 있다. 하첨자 x는 0 내지 5,000, 0 내지 2,000, 0 내지 1,000, 0 내지 500, 또는 0 내지 200일 수 있다. 다양한 실시 형태에서, 성분 (A)가 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x(HMeSiO2/2)x, 또는 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)x일 수 있다.
다양한 실시 형태에서, 성분 (A)가 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6, 또는 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100일 수 있다.
다양한 실시 형태에서, 성분 (A)가 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000으로부터; 대안적으로 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택될 수 있고, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1 그리고 작용기 R1은 독립적으로 이전에 정의된 바와 같다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000(HMeSiO2/2)1-2000, (HMe2SiO1/2)0.1-20(SiO4/2)0.1-5 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000으로부터 선택될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 성분 (A)가 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6, (HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 및 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100으로부터 선택될 수 있다.
각 경우에, RA는 -H 및 -R1으로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 성분 (A) 중 하나 이상의 RA는 펜던트 Si-H, 말단 Si-H 또는 이들의 조합을 비롯한 -H 일 수 있다. 각 경우에, R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C0,1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이다. 기 R1은 (C1-C20)하이드로카르빌일 수 있다. 기 R1은 (C1-C5)알킬일 수 있다. 기 R1은 메틸일 수 있다.
전구체 접착 조성물의 임의의 적합한 비율은 성분 (B)일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물의 0.1 wt% 내지 99.9 wt%는 성분 (B)이고, 10 wt% 내지 80 wt%, 또는 40 wt% 내지 99.9 wt%이다.
성분 (B)가 비선형일 수 있다. 다양한 실시 형태에서, 성분 (B)가 화학식 (RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z일 수 있다. 하첨자 y 및 z는 독립적으로 0 내지 5,000, 0 내지 2,000, 0 내지 1,000, 0 내지 500, 0 내지 200 또는 1 내지 200일 수 있다. y 및 z 중 적어도 하나는 0 보다 크다. 하첨자 w는 0 내지 500, 0 내지 100, 0 내지 50, 0 내지 10이고, 하첨자 x는 0 내지 5000, 0 내지 2,000, 0 내지 1,000, 0 내지 500, 0 내지 200 또는 1 내지 200이다. 하첨자 n은 1 내지 1,000 또는 1 내지 100일 수 있다.
성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)w(Me2SiO2/2)x(SiO4/2)z일 수 있고, 하첨자 w는 0 내지 500, 1 내지 500, 1 내지 100, 1 내지 50, 또는 1 내지 10 이고, 하첨자 x 및 z는 독립적으로 1 내지 5,000, 1 내지 2,000, 1 내지 1,000, 1 내지 500, 또는 1 내지 150이다.
성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2 또는 (ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80일 수 있다. 성분 (B)가 화학식 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2) 또는 (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55일 수 있다.
일부 실시 형태에서, 성분 (B)가 선형일 수 있다. 성분 (B)가 화학식 (RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x일 수 있다. 하첨자 x는 0 내지 5,000, 0 내지 2,000, 0 내지 1,000, 0 내지 500, 0 내지 200 또는 1 내지 200일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 성분 (B)는 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300이다. 일부 실시 형태에서, 성분 (B)는 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150이다.
성분 (B)가 ((R2R1 2SiO1 / 2)2(Me2SiO2/2)1 -2000으로부터; 대안적으로 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택될 수 있고, 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1 그리고 작용기 R1 및 R2는 독립적으로 이전에 정의된 바와 같다. 성분 (B)가 (ViMe2SiO1/2)1-100(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-5, (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (ViMe2SiO1/2)1-800(Me3SiO1/2)1-2000(SiO4/2)1-200으로부터 선택될 수 있다. 성분 (B)가 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2), (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150 및 (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55로부터 선택될 수 있다.
각 경우에, RB는 R1 및 R2로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 하나 이상의 RB는 펜던트 Si-R2, 말단 Si-R2 또는 이들의 조합을 비롯한 R2 일 수 있다. 각 경우에, R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌일 수 있다. 기 R1은 (C1-C20)하이드로카르빌일 수 있다. 기 R1은 (C1-C5)알킬일 수 있다. 기 R1은 메틸일 수 있다. 각 경우에, R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 기로 중단되거나 중단되지 않은 치환 또는 비치환된 (C1-C20)알케닐일 수 있다. 기 R2는 (C2-C20)알케닐일 수 있다. 기 R2는 비닐 기일 수 있다.
다양한 실시 형태에서, 성분 (A)는 알케닐 기(예를 들어, 분지형 폴리다이메틸실록산)를 갖는 비선형 폴리실록산일 수 있다. 성분 (A)는 알케닐 기(예를 들어, MviDviDMvi, MDviDM)를 갖는 선형 폴리실록산일 수 있다. 성분 (A)는 MQ 비닐 실록산(MviQ)일 수 있다. 성분 (B)는 선형 (MDDHMH, MDDHM) 또는 비선형 (MHQ)실록산(비치환)일 수 있다. 성분 (B)는 비선형(MHQ) 실록산(비치환)일 수 있다. 성분 (B)는 선형 또는 비선형 실리콘 사슬 연장제일 수 있다.
전구체 접착 조성물은 임의의 적합한 Si-H 대 알케닐의 비 (예를 들어, 알케닐 기가 하이드로실릴화-경화성 비방향족 비공액 탄소-탄소 이중 결합임), 예를 들어, 0.1:1 내지 10:1, 0.7:1 내지 2:1, 또는 0.1:1 이하, 또는 0.2:1을 가질 수 있다. Si-H 대 알케닐 비는 성분 (A) 중 Si-H 기 대 성분 (B) 중 알케닐 기의 비 또는 전구체 접착 조성물의 모든 성분 중 Si-H 대 알케닐 기의 비일 수 있다.
전구체 접착 조성물은 알케닐 작용성 오르가노폴리실록산 대 하이드로겐오르가노폴리실록산의 임의의 적합한 중량비, 예를 들어, 0.001:1 내지 1000:1, 또는 10:1 내지 100:1, 또는 0.001:1 이하, 또는 0.01:1을 가질 수 있되, 단 성분 (A) 및 (B)의 총량은 50 내지 100 wt% 미만, 대안적으로 50 내지 99.9 wt%, 대안적으로 50 wt% 내지 99 wt%이다. 알케닐 작용성 오르가노폴리실록산 대 하이드로겐오르가노폴리실록산의 중량비는 성분 (A) 대 성분 (B)의 비, 또는 전구체 접착 성분 중 모든 알케닐 작용성 오르가노폴리실록산 대 전구체 접착 성분 중 모든 하이드로겐오르가노폴리실록산의 비일 수 있다.
전구체 접착 조성물, 접착 촉진제 전구체 조성물, 및 이형 층 전구체 조성물은 임의의 하나 이상의 선택적 성분을 포함할 수 있다. 이 섹션에서 기재된 임의의 하나 이상의 선택적 성분은 전구체 접착 조성물, 접착 촉진제 전구체 조성물 또는 이형 층 전구체 조성물의 임의의 적합한 비율, 예를 들어 0.001 wt% 내지 90 wt%, 0.001 wt% 내지 50 wt%, 또는 0.01 wt% 내지 20 wt%를 형성할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물, 접착 촉진제 전구체 조성물 및 이형 층 조성물 중 적어도 하나는 열가소성 재료, 열경화성 재료, 중합성 단량체, 중합성 또는 가교결합성 올리고머, 중합체, 가교결합성 중합체, 가교결합된 중합체, 천연 고무 또는 합성 고무, 폴리우레탄, 폴리아이소부틸렌, 실란, 오르가노실란, 실록산, 오르가노실록산, 플루오로실리콘, 플루오로실란, 셸락, 폴리아미드, 실릴-개질된 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리카바메이트, 우레탄, 천연 접착제, 에폭시계 접착제, 퓨란계 접착제, 페놀계 접착제, 알데하이드계 접착제, 우레아-알데하이드 접착제, 아크릴산계 접착제, 페놀/페놀 포름알데하이드/푸르푸릴 알코올 접착제, 경화제, 촉매, 이들 중 임의의 하나의 형태로 경화가능한 전구체, 및 이들 중 임의의 하나의 반응 생성물 중 적어도 하나를 포함한다.
촉매의 예에는 하이드로실릴화 촉매, 축합 촉매, 자유 라디칼 개시제, 광개시제 또는 산 또는 염기가 포함될 수 있다. 하이드로실릴화 촉매의 예에는 백금족 금속 또는 백금족 금속을 함유하는 화합물을 포함하는 임의의 하이드로실릴화 촉매와 같은 임의의 적합한 하이드로실릴화 촉매가 포함될 수 있다. 백금족 금속에는 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴 및 이리듐이 포함될 수 있다. 적합한 하이드로실릴화 촉매의 예에는 1,3-다이에테닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산의 백금(IV) 착물이 포함될 수 있다. 또 다른 실시 형태에서, 하이드로실릴화 촉매는 광활성화된 하이드로실릴화 촉매 또는 열가소성 재료로 마이크로캡슐화된 하이드로실릴화 촉매일 수 있다.
경화제의 예에는 아민, 방향족 아민, 지방족 아민, 환형 지방족 아민, 폴리아민, 아미드, 폴리아미드 또는 이민 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로는 폴리에틸렌이민, 피레리딘, 트라이에틸아민, 벤질다이메틸아민, N,N-다이메틸아미노피리딘, 2-(N,N-다이메틸아미노메틸)페놀, 트리스(다이메틸아미노메틸)페놀, N-2-(아미노에틸)-3-아마노프로필트라이메톡시실란, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실란, n-베타-(아미노에틸)-감마-아미노프로필 트라이메톡시실란, n-베타-(아미노에틸)-감마-아미노프로필 트라이메톡시실란, 피페라진, 피페라진의 유도체 (예를 들어, 아미노에틸피페라진), 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인돌리진, 아이소인돌, 인돌, 인다졸, 퓨린, 퀴놀리진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 카르바졸, 카르바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 페나트롤린, 페나진, 이미다졸리딘, 페녹사진, 신놀린, 피롤리딘, 피롤린, 이미다졸린, 피페리딘, 인돌린, 아이소인돌린, 퀴누클린, 모르폴린, 아조신, 아제핀, 1,3,5-트리아진, 티아졸, 프테리딘, 다이하이드로퀴놀린, 헥사메틸렌이민, 인다졸, 2-에틸-4-메틸 이미다졸, 1,1,3-트라이클로로트리플루오로아세톤, 및 이들의 조합이 포함된다.
다양한 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물, 접착 촉진제 전구체 조성물 및 이형 층 조성물 중 적어도 하나는 오르가노하이드로겐실란, 오르가노하이드로겐실록산, 오르가노알케닐실란 및 오르가노알케닐실록산 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 전구체 접착 조성물, 접착 촉진제 전구체 조성물, 및 이형 층 조성물 중 적어도 하나는 비선형 (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산, 선형 (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산, 선형 (C2-C20)알케닐 작용화 플루오로(C1-C20)알킬-치환 오르가노폴리실록산, 비선형 하이드로겐오르가노폴리실록산, 선형 하이드로겐오르가노폴리실록산 및 ((C1-C20)하이드로카르빌)하이드로겐실세스퀴옥산 중 적어도 하나를 포함하며, (C2-C20)알케닐 기 및 (C1-C20)하이드로카르빌이 독립적으로 선택되고, 치환되거나 비치환되며, -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 기로 중단되거나 중단되지 않는다.
전구체 접착 조성물, 접착 촉진제 전구체 조성물 및 이형 층 조성물 중 적어도 하나는 계면활성제, 유화제, 분산제, 중합체 안정제, 가교제, 중합체, 중합 또는 가교 촉매, 레올로지 개질제, 밀도 개질제, 아지리딘 안정제, 경화 변성제, 자유 라디칼 개시제, 희석제, 산 수용체, 산화방지제, 열 안정제, 난연제, 소거제, 실릴화제, 발포 안정제, 용매, 하이드로실릴화 반응성 희석제, 가소제, 충전제, 무기 입자, 안료, 염료, 건조제, 액체, 분자 당 하나 이상의 알케닐 또는 알키닐기를 갖는 폴리에테르, 증점제, 안정화제, 왁스, 왁스형 재료, 실리콘, 유기작용성 실록산, 알킬메틸실록산, 실록산 수지, 실리콘 검, 실리콘 카비놀 유체, 수용성 또는 수 분산성 실리콘 폴리에테르 조성물, 실리콘 고무, 하이드로실릴화 촉매 억제제, 접착 촉진제, 열 안정제, UV 안정제 및 유동 조절 첨가제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시 형태에서 디스플레이 장치 처리 중간체가 존재한다. 디스플레이 장치 처리 중간체는 본 명세서에 기재된 임의의 방법을 사용하여 제조될 수 있는 임의의 디스플레이 장치 처리 중간체일 수 있다. 디스플레이 장치 처리 중간체는 본 명세서에 기재된 임의의 캐리어 기판과 같은 캐리어 기판을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치 처리 중간체는 캐리어 기판 상에 본 명세서에 기재된 임의의 접착 박리 층과 같은 접착 박리 층을 포함할 수 있다. 접착 박리 층은 본 명세서에 기재된 임의의 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물과 같은 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치 처리 중간체는 접착 박리 층을 통해 캐리어 기판에 고정된 디스플레이 장치 기판을 포함할 수 있다. 다양한 실시 형태에서, 디스플레이 장치 컴포넌트 또는 디스플레이 장치 처리 중간체로부터 형성된 디스플레이 장치가 존재한다.
일부 실시 형태에서 도 1에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치 처리 중간체(1)가 존재한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(1)는 본 명세서에 기재된 임의의 캐리어 기판과 같은 캐리어 기판(10)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(1)는 캐리어 기판(10) 상에 본 명세서에 기재된 임의의 접착 박리 층과 같은 접착 박리 층(30)을 포함한다. 접착 박리 층(30)은 본 명세서에 기재된 임의의 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물과 같은 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(1)는 접착 박리 층(30)을 통해 캐리어 기판(10)에 고정된 디스플레이 장치 기판(50)을 포함한다. 접착 박리 층(30)은 개재 층 없이 캐리어 기판(10) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 디스플레이 장치 기판(50)은 개재 층 없이 접착 박리 층(30) 상에 직접적으로 존재할 수 있다.
일부 실시 형태에서 도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치 처리 중간체(2)가 존재한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(2)는 캐리어 기판(10) 상에 접착 박리 층(30)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(2)는 접착 박리 층(30)을 통해 캐리어 기판(10)에 고정된 디스플레이 장치 기판(50)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(2)는 디스플레이 장치 기판(50) 및 접착 박리 층(30) 사이에 이형 층(40)을 포함한다. 이형 층(40)은 개재 층 없이 디스플레이 장치 기판(50) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 이형 층(40)은 개재 층 없이 접착 박리 층(30) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 접착 박리 층(30)은 개재 층 없이 캐리어 기판(10) 상에 직접적으로 존재할 수 있다.
일부 실시 형태에서 도 3에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치 처리 중간체(3)가 존재한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(3)는 캐리어 기판(10) 상에 접착 박리 층(30)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(3)는 접착 박리 층(30)을 통해 캐리어 기판(10)에 고정된 디스플레이 장치 기판(50)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(3)는 캐리어 기판(10) 및 접착 박리 층(30) 사이에 접착 촉진제 층(20)을 포함한다. 접착 촉진제 층(20)은 개재 층 없이 캐리어 기판(10) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 접착 촉진제 층(20)은 개재 층 없이 접착 박리 층(30) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 디스플레이 장치 기판(50)은 개재 층 없이 접착 박리 층(30) 상에 직접적으로 존재할 수 있다.
일부 실시 형태에서 도 4에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치 처리 중간체(4)가 존재한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(4)는 캐리어 기판(10) 상에 접착 박리 층(30)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(4)는 접착 박리 층(30)을 통해 캐리어 기판(10)에 고정된 디스플레이 장치 기판(50)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(4)는 캐리어 기판(10) 및 접착 박리 층(30) 사이에 접착 촉진제 층(20)을 포함한다. 디스플레이 장치 처리 중간체(4)는 디스플레이 장치 기판(50) 및 접착 박리 층(30) 사이에 이형 층(40)을 포함한다. 접착 촉진제 층(20)은 개재 층 없이 캐리어 기판(10) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 접착 박리 층(30)은 개재 층 없이 접착 촉진제 층(20) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 이형 층(40)은 개재 층 없이 접착 박리 층(30) 상에 직접적으로 존재할 수 있다. 디스플레이 장치 기판(50)은 개재 층 없이 이형 층(40) 상에 직접적으로 존재할 수 있다.
실시예
본 발명의 다양한 실시 형태는 예시로서 제공되는 하기 실시예를 참고로 하여 더 잘 이해될 수 있다. 본 발명은 본 명세서에 제공된 실시예들로 제한되지 않는다.
유리 기판(75 mm × 50 mm의 치수 및 1.0 mm의 두께를 가진 Fisherbrand® 현미경 슬라이드(Loughborough, UK 소재의 Fisher Scientific))을 세제로 세정하고 이들 실시예를 위한 캐리어로서 제조하였다.
박리 강도 시험. 실온에서 분당 12 인치의 박리 속도로 TMI 접착 시험기(Delaware, USA 소재의 Testing Machines, Inc.)로 박리 강도를 측정하였다. 라미네이트 구조를, 라미네이트 구조의 최대 박리력 보다 상당히 큰 유리를 이용한 접착력으로 양면 테이프를 사용하여 접착 시험기의 스테이지에 부착하였다. TMI 접착 시험기의 클램프에 부착할 꼬리를 생성하기 위해 50 mm 폭을 갖는 3M(™) 471 테이프(3M Company)를 이형 층에 적용하였다. 생성된 꼬리의 길이는 50 mm 내지 75 mm이고 이형 층 에지 너머로 연장되었다. 기기를 90° 박리 시험용으로 설치하였다. 그후 테이프 꼬리를 클램프에 부착하고, 기기를 제로화하였다. 제로화되면, 제어 소프트웨어를 사용하여 시험을 시작하였다. 박리력 측정은 힘 변환기(force transducer)를 통해 수행되었으며, 출력은 컴퓨터 모니터 상에 주어졌다. 완료되면, 최대 박리력을 보고하였고 샘플을 제거하였다. 보고된 박리 강도는 적어도 3개의 샘플로부터의 평균 측정치이다.
실시예 1. 분지형 알케닐 실록산 및 선형 가교제로 경화된 실리콘 접착제. 25℃에서 100 내지 600 센티푸아즈(cp)로 측정된 동적 점도를 갖는 비선형 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 선형 하이드로겐오르가노실록산 (((Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다. 그후, 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부에 얇은 유리(50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 Fisherbrand® 현미경 커버 글래스)를 적층시켰다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 250℃의 예열된 공기 순환식 오븐에 1.5시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 45g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 2. 선형 알케닐 실록산 및 분지형 가교제로 경화된 실리콘 접착제. 선형 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 분지형 하이드로겐오르가노실록산 ((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 올리고머), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다. 그후, 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부에 얇은 유리(50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 Fisherbrand® 현미경 커버 글래스)를 적층시켰다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 250℃의 예열된 공기 순환식 오븐에 1.5시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 34 g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 3. 분지형 알케닐 실록산 및 분지형 가교제로 경화된 실리콘 접착제. 25℃에서 측정된 100 내지 600 cp의 동적 점도를 갖는 분지형 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 분지형 하이드로겐오르가노실록산 ((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 올리고머), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다. 그후, 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부에 얇은 유리(50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 Fisherbrand® 현미경 커버 글래스)를 적층시켰다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 250℃의 예열된 공기 순환식 진공 오븐에 1.5시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 55 g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 4. 분지형 알케닐 실록산 및 분지형 가교제로 경화된 실리콘 접착제, 이형 층 코팅을 사용. 25℃에서 측정된 100 내지 600 cp의 동적 점도를 갖는 분지형 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 분지형 하이드로겐오르가노실록산 ((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 올리고머), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다.
페닐 실세스퀴옥산 용액 ((HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자가 몰비를 나타냄), 실세스퀴옥산은 유기 용매에서 용해되지 않는 경우 실온에서 고체이고 200 g/mol 내지 100,000 g/mol의 분자량을 가짐)을 50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 얇은 유리 상에 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 소프트 베이킹하였다. 그후 이 코팅된 얇은 유리를 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부 위에 적층하였다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 예열된 진공 오븐에 250℃에서 1.5시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 19 g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 5. 분지형 알케닐 실록산 및 선형 가교제로 경화된 실리콘 접착제, 이형 층 코팅을 사용. 25℃에서 100 내지 600 cp로 측정된 동적 점도를 갖는 분지형 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 선형 하이드로겐오르가노실록산 (((Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다.
페닐 실세스퀴옥산 용액 ((HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자가 몰비를 나타냄), 실세스퀴옥산은 유기 용매에서 용해되지 않는 경우 실온에서 고체이고 200 g/mol 내지 100,000 g/mol의 분자량을 가짐)을 50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 얇은 유리 상에 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 소프트 베이킹하였다. 그후 이 코팅된 얇은 유리를 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부 위에 적층하였다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 예열된 진공 오븐에 300℃에서 1시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 19 g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 6. 선형 알케닐 실록산 및 분지형 가교제로 경화된 실리콘 접착제, 이형 층 코팅을 사용. 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 분지형 하이드로겐오르가노실록산 ((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 올리고머), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다.
페닐 실세스퀴옥산 용액 ((HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5 (여기서 단위 하첨자가 몰비를 나타냄), 실세스퀴옥산은 유기 용매에서 용해되지 않는 경우 실온에서 고체이고 200 g/mol 내지 100,000 g/mol의 분자량을 가짐)을 50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 얇은 유리 상에 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 소프트 베이킹하였다. 그후 이 코팅된 얇은 유리를 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부 위에 적층하였다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 예열된 오븐에 250℃에서 1.5시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 28 g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 7. MQ 알케닐 실록산 및 사슬 연장제로 경화된 실리콘 접착제. 분지형 폴리비닐오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55) 및 1.5:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 하이드로겐오르가노실록산 ((HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100 (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 이 실록산 용액을 캐리어 유리 상에 10 내지 100 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다. 그후, 캐리어 상의 경화 실리콘의 상부에 얇은 유리(50 mm × 45 mm 및 0.13 mm 내지 0.17 mm 두께의 치수를 갖는 Fisherbrand® 현미경 커버 글래스)를 적층시켰다. 어셈블리를 약 10-3 토르(0.13 파스칼)에서 진공 하에 1시간 동안 배치시켜 밀착성을 확보한 다음, 250℃의 예열된 공기 순환식 오븐에 1.5시간 동안 두었다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. 얇은 유리를 캐리어 상의 실리콘으로부터 55 g/cm의 90도 박리력으로 이형시켰다.
실시예 8. 폴리이미드 필름을 사용한 접착 박리 층으로서의 실리콘. 알케닐 오르가노실록산 ((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO)150) 및 1.8:1의 Si-H/비닐 비를 갖는 분지형 하이드로겐오르가노실록산 ((HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄), 올리고머), 150:1의 억제제/촉매 비를 갖는 Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제로 실록산 용액을 형성하였다. 그후, Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제를 50 내지 200의 억제제/촉매 비로 첨가하였다.
25 μm-두께의 Upilex®-S 폴리이미드 (PI) 필름(Tokyo, Japan 소재의 UBE Industries, Ltd.)을 아이소프로필 알코올로 세정한 다음, 사용 전에 150℃ 하의 오븐에서 30분 동안 건조시켰다.
이 실록산 접착제 용액을 캐리어 유리 상에 스핀 속도에 따라 약 10 내지 150 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다. 실온으로 냉각시킨 후, PI 필름의 폭 1 인치 및 길이 2 인치 섹션을 접착제 층-코팅된 캐리어 상에 적층시켰다. 그후, 라미네이트를 예열된 180℃ 핫 플레이트 상에서 20분 동안 가열하였다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. PI 필름은 깨끗한 표면 및 낮은 박리력으로 캐리어로부터 용이하게 벗겨질 수 있었다. 측정된 90도 박리력은 약 6 g/cm였다.
실시예 9. 폴리이미드 필름을 사용한 접착 박리 층으로서의 실리콘. 비닐 작용화 폴리다이메틸실록산 ((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO)600) 및 비닐 작용성 MQ 수지 ((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)를 0.75 내지 2의 Si-H/비닐 비를 갖는 Si-H 작용화 폴리실록산 ((Me3SiO1/2)2(Me2SiO)3-4(HMeSiO)5-6)과 혼합하여 실록산 접착제 용액을 제조하였다. 그후, Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제를 50 내지 200의 억제제/촉매 비로 첨가하였다.
UBE로부터 구매한 25 μm-두께의 Upilex®-S 폴리이미드 (PI) 필름을 아이소프로필 알코올로 세정한 다음, 사용 전에 150℃ 하의 오븐에서 30분 동안 건조시켰다.
이 실록산 접착제 용액을 캐리어 유리 상에 스핀 속도에 따라 약 10 내지 150 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 160℃에서 2분 동안 경화시켰다. 실온으로 냉각시킨 후, PI 필름의 폭 1 인치 및 길이 2 인치 섹션을 접착제 층-코팅된 캐리어 상에 적층시켰다. 그후, 라미네이트를 예열된 180℃ 핫 플레이트 상에서 20분 동안 가열하였다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. PI 필름은 깨끗한 표면 및 낮은 박리력으로 캐리어로부터 용이하게 벗겨질 수 있었다. 측정된 90도 박리력은 약 9 g/cm였다.
실시예 10. 고온 적용용 폴리이미드 필름을 사용한 접착 박리 층으로서의 실리콘. 비닐 작용화 폴리다이메틸실록산 ((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO)600) 및 비닐 작용성 MQ 수지 ((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)를 0.75 내지 2의 Si-H/비닐 비를 갖는 Si-H 작용화 폴리실록산 ((Me3SiO1/2)(Me2SiO)3-4(HMeSiO)5-6(O1/2SiMe3))과 혼합하여 실록산 접착제 용액을 제조하였다. 그후, Pt 촉매 및 다이알릴 말레에이트 억제제를 50 내지 200의 억제제/촉매 비로 첨가하였다. 그후, 1000ppm의 Ce(OSiMe(OSiMe3)2)4를 제형에 첨가하고 잘 혼합하였다.
UBE로부터 구매한 25 μm-두께의 Upilex®-S 폴리이미드 (PI) 필름을 아이소프로필 알코올로 세정한 다음, 사용 전에 150℃ 하의 오븐에서 30분 동안 건조시켰다.
이 실록산 접착제 용액을 캐리어 유리 상에 스핀 속도에 따라 약 10 내지 150 μm의 두께로 스핀코팅한 다음 120℃에서 1분 동안 경화시켰다. 실온으로 냉각시킨 후, PI 필름의 폭 1 인치 및 길이 2 인치 섹션을 접착제 층-코팅된 캐리어 상에 적층시켰다. 그후, 라미네이트를 예열된 380℃ 핫 플레이트 상에서 30분 동안 가열하였다. 가스 배출이 관찰되지 않았다. PI 필름은 깨끗한 표면 및 낮은 박리력으로 캐리어로부터 용이하게 벗겨질 수 있었다.
사용된 용어 및 표현은 설명하는 용어로서 사용되며 한정하는 것이 아니고, 이러한 용어 및 표현의 사용에 있어서 나타내고 기재된 특징부의 임의의 등가물 또는 그의 일부분을 배제할 의도는 없지만, 본 발명의 실시 형태의 범주 내에서 다양한 변경이 가능함이 인식된다. 따라서, 본 발명이 특정한 실시 형태 및 선택적인 특징부에 의해 구체적으로 개시되었지만 당업자라면 본 발명에서 개시된 개념의 변경 및 변화를 채택할 수 있으며 그러한 변경 및 변화는 본 발명의 실시 형태의 범주 이내인 것으로 간주된다.
다음의 청구 범위는 참조에 의해 본 명세서에서 번호가 매겨진 태양으로 통일된다. 번호가 매겨진 태양은 "청구항"과 "청구항들"이 각각 "태양"과 "태양들"이라는 단어로 대체되었다는 것을 제외하고는 청구항과 동일하다.

Claims (20)

  1. 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법으로서,
    전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 접착 박리 층으로 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함하며, 상기 전구체 접착 조성물은,
    성분 (A), 하이드로겐오르가노폴리실록산; 및
    성분 (B), (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산
    을 포함하고, (C2-C20)알케닐 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 기에 의해 중단되거나 중단되지 않고;
    성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형인, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    성분 (A)는 비선형이고 성분 (B)는 선형이거나; 성분 (A)는 비선형이고 성분 (B)는 비선형인, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    성분 (A)는 비선형이고 성분 (A)는 하기 화학식인, 방법:
    (RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z
    (상기 식에서,
    각 경우에, RA는 -H 및 -R1으로부터 독립적으로 선택되고,
    성분 (A) 중 하나 이상의 RA는 -H이고,
    각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, Si((C1-C5)알콕시)2- 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20) 하이드로카르빌이고,
    y 및 z는 독립적으로 0 내지 5,000이며,
    y 및 z 중 적어도 하나는 0 보다 크고,
    w는 0 내지 500이고,
    x는 0 내지 5,000임).
  4. 제1항에 있어서,
    성분 (A)는 선형이고 성분 (A)는 하기 화학식인, 방법:
    (RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x
    (상기 식에서,
    각 경우에, RA는 -H 및 -R1으로부터 독립적으로 선택되고,
    성분 (A) 중 하나 이상의 RA는 -H이고,
    각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, Si((C1-C5)알콕시)2-및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20) 하이드로카르빌이고,
    x는 0 내지 5,000임).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    성분 (B)는 비선형이고 성분 (B)는 하기 화학식인 방법:
    (RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z
    (상기 식에서,
    각 경우에, RB는 R1 및 R2로부터 독립적으로 선택되고,
    하나 이상의 RB는 R2이고,
    각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고,
    각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이고,
    y 및 z는 독립적으로 0 내지 5,000이고,
    y 및 z 중 적어도 하나는 0 보다 크고,
    w는 0 내지 500이고,
    x는 0 내지 5,000임).
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    성분 (B)는 선형이고 성분 (B)는 하기 화학식인, 방법:
    (RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x
    (상기 식에서,
    각 경우에, RB가 -R1 및 -R2로부터 독립적으로 선택되고,
    하나 이상의 RB는 R2이고,
    각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고,
    각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐이고,
    x는 0 내지 5,000임).
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    성분 (A)는 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000 및 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되고, 여기서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, m2는 0 내지 0.8, d1은 0 내지 0.999, d2는 0 내지 0.9999, t1은 0 내지 0.8, t2는 0 내지 0.8, q1은 0 내지 0.99이며,
    각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택되는 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌인, 방법.
  8. 제1항 내지 제4항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    성분 (B)는 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되고, 여기서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, m2는 0 내지 0.8, d1은 0 내지 0.9999, d2는 0 내지 0.9999, t1은 0 내지 0.8, t2는 0 내지 0.8, q1은 0 내지 0.99이며,
    각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고,
    각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐인, 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    성분 (A)는 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9이고, 성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)2-8(Me2SiO2/2)50-200(SiO4/2)1-2이거나;
    성분 (A)는 화학식 (Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6이고, 성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)이거나;
    성분 (A)는 화학식 (HMe2SiO1/2)1-3(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)이고, 성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300이거나;
    성분 (A)는 화학식 (HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2) (여기서 단위 하첨자는 몰비를 나타냄)이고, 성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150이거나;
    성분 (A)는 화학식 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-300이고, 성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80이거나;
    성분 (A)는 화학식 (HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100이고, 성분 (B)는 화학식 (ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55인, 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    전구체 접착 조성물이 열가소성 재료, 열경화성 재료, 단량체, 올리고머, 중합체, 가교결합성 중합체, 가교결합된 중합체, 고무, 폴리우레탄, 폴리아이소부틸렌, 실란, 오르가노실란, 실록산, 오르가노실록산, 플루오로실리콘, 플루오로실란, 셸락, 폴리아미드, 실릴-개질된 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리카바메이트, 우레탄, 천연 접착제, 에폭시계 접착제, 퓨란계 접착제, 페놀계 접착제, 알데하이드계 접착제, 우레아-알데하이드 접착제, 아크릴산계 접착제, 페놀/페놀 포름알데하이드/푸르푸릴 알코올 접착제, 경화제, 촉매, 이들 중 임의의 하나의 형태로 경화가능한 전구체, 및 이들 중 임의의 하나의 반응 생성물 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    전구체 접착 조성물이 계면활성제, 유화제, 분산제, 중합체 안정제, 가교제, 중합체, 중합 또는 가교 촉매, 레올로지 개질제, 밀도 개질제, 아지리딘 안정제, 경화 변성제, 자유 라디칼 개시제, 희석제, 산 수용체, 산화방지제, 열 안정제, 난연제, 소거제, 실릴화제, 발포 안정제, 용매, 하이드로실릴화 반응성 희석제, 가소제, 충전제, 무기 입자, 안료, 염료, 건조제, 액체, 분자 당 하나 이상의 알케닐 또는 알키닐 기를 갖는 폴리에테르, 증점제, 안정화제, 왁스, 왁스형 재료, 실리콘, 유기작용성 실록산, 알킬메틸실록산, 실록산 수지, 실리콘 검, 실리콘 카비놀 유체, 수용성 또는 수 분산성 실리콘 폴리에테르 조성물, 실리콘 고무, 하이드로실릴화 촉매 억제제, 접착 촉진제, 열 안정제, UV 안정제 및 유동 조절 첨가제 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    고정하는 단계는 접착 촉진제 층이 캐리어 기판 및 접착 박리 층 사이에 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공하는, 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    고정하는 단계는 이형 층이 접착 박리 층 및 디스플레이 장치 기판 사이에 존재하는 디스플레이 장치 처리 중간체를 제공하는, 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계를 추가로 포함하며, 디스플레이 장치 기판을 처리하는 단계는 세정, 건조, 필름 형성, 액체 포토레지스트 도포, 광 노출, 현상, 에칭, 레지스트 제거, 실링, 증착, 접착 처리, 가열, 어닐링, 조사, 냉각 중 적어도 하나를 포함하고, 반도체 재료, 반도체 장치, 다이오드, 발광 다이오드, 트랜지스터, 트랜지스터 어레이, 커패시터, 도전 경로, 회로 패턴, 게이트 라인, 데이터 라인, 전기 커넥터, 전극, 투명 전극, 전기 절연체, 전기 절연 층, 보호 층, 컬러 필터, 액정, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 패시베이션 층, 전기영동 필름 및 전자 수송층 중 적어도 하나를 디스플레이 장치 기판 상에 배치하는 단계, 형성하는 단계 및 개조하는 단계 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    캐리어 기판으로부터 디스플레이 장치 기판을 제거하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법을 포함하는 디스플레이 장치 또는 디스플레이 장치 컴포넌트를 형성하는 방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성된, 디스플레이 장치 또는 디스플레이 장치 컴포넌트.
  18. 디스플레이 장치 기판을 처리하는 방법으로서,
    0.1 wt% 내지 99 wt%의 성분 (A) - 성분 (A)는 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000 및 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되는 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 여기서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, m2는 0 내지 0.8, d1은 0 내지 0.999, d2는 0 내지 0.9999, t1은 0 내지 0.8, t2는 0 내지 0.8, q1은 0 내지 0.99임 -; 및
    0.1 wt% 내지 99.9 wt%의 성분 (B) - 성분 (B)는 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되는 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이고, 여기서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, m2는 0 내지 0.8, d1은 0 내지 0.9999, d2는 0 내지 0.9999, t1은 0 내지 0.8, t2는 0 내지 0.8, q1은 0 내지 0.99임 -
    를 포함하는 전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 접착 박리 층으로 캐리어 기판에 디스플레이 장치 기판을 고정하는 단계를 포함하며,
    성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이고,
    성분 (A) 및 (B)의 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C1-C20)하이드로카르빌이고,
    성분 (B)의 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐인, 방법.
  19. 디스플레이 장치 처리 중간체로서,
    캐리어 기판;
    전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 캐리어 기판 상의 접착 박리 층 - 상기 전구체 접착 조성물은
    성분 (A), 하이드로겐오르가노폴리실록산; 및
    성분 (B), (C2-C20)알케닐 작용화 오르가노폴리실록산
    을 포함하고,
    (C2-C20)알케닐 기는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 독립적으로 선택되는 1, 2 또는 3개의 기에 의해 중단되거나 중단되지 않고; 성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형임 -; 및
    접착 박리 층을 통해 캐리어 기판에 고정된 디스플레이 장치 기판
    을 포함하는, 디스플레이 장치 처리 중간체.
  20. 디스플레이 장치 처리 중간체로서,
    캐리어 기판;
    전구체 접착 조성물을 경화시킨 경화 생성물을 포함하는 캐리어 기판 상의 접착 박리 층 - 상기 전구체 접착 조성물은,
    0.1 wt% 내지 99 wt%의 성분 (A) - 성분 (A)는 (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-2000 및 (HR1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(HR1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(HSiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되는 하이드로겐오르가노폴리실록산이고, 여기서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, m2는 0 내지 0.8, d1은 0 내지 0.999, d2는 0 내지 0.9999, t1은 0 내지 0.8, t2는 0 내지 0.8, q1은 0 내지 0.99임 -; 및
    0.1 wt% 내지 99.9 wt%의 성분 (B) - 성분 (B)는 (R2R1 2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-2000 및 (R2R1 2SiO1/2)m1(R1 3SiO1/2)m2(R2R1SiO2/2)d1(R1 2SiO2/2)d2(R1SiO3/2)t1(R2SiO3/2)t2(SiO4/2)q1으로부터 선택되는 알케닐 작용화 오르가노폴리실록산이고, 여기서 하첨자 m1, m2, d1, d2, t1, t2 및 q1은 m1 + m2 + d1 + d2 + t1 + t2 + q1의 합이 1이 되도록 하는 그들 각자의 반복 단위의 몰 분율을 나타내고; m1은 0 내지 0.8, m2는 0 내지 0.8, d1은 0 내지 0.9999, d2는 0 내지 0.9999, t1은 0 내지 0.8, t2는 0 내지 0.8, q1은 0 내지 0.99임 - 를 포함하고;
    성분 (A) 및 성분 (B) 중 적어도 하나는 비선형이고,
    성분 (A) 및 (B)의 각 경우에 R1은 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬)2-로부터 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C2-C20)하이드로카르빌이고,
    성분 (B)의 각 경우에 R2는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(O-(C2-C3)알킬렌)n-(여기서 n은 1 내지 1,000임), -Si((C1-C5)알콕시)2-, 및 -Si((C1-C5)알킬2-로부터 선택된 0, 1, 2 또는 3개의 기로 중단된 치환 또는 비치환된 (C2-C20)알케닐임 -; 및
    접착 박리 층을 통해 캐리어 기판에 고정된 디스플레이 장치 기판
    을 포함하는, 디스플레이 장치 처리 중간체.
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