JP6946806B2 - 端子及び端子の製造方法 - Google Patents
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Description
導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のNi層と、
前記Ni層上に配置された、NiとSnとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Sn層と、を備え、
前記Sn層は、前記相手端子と接触する領域の表面に凹部を備える。
こととしてもよい。
こととしてもよい。
こととしてもよい。
導電体の基材上に多孔質のNi層を形成する工程と、
前記Ni層上にSn層を形成する工程と、
Snが溶融する温度で前記Sn層をリフローし、前記Ni層と前記Sn層との間にNiとSnとを含む合金から形成された合金層を形成する工程と、を備え、
前記Ni層の孔に基づく凹部を、前記Sn層を前記リフローした後に相手端子と接触する領域の表面に残存させる。
こととしてもよい。
上記の目的を達成するため、本発明の第3の観点に係る端子は、
導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のNi層と、
前記Ni層上に配置された、NiとSnとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Sn層と、を備え、
前記Sn層は、前記相手端子と接触する領域において、平均0.3〜0.7μmの厚さを有し、
前記Ni層の厚さは、3.0μm以上である。
Claims (7)
- 導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のNi層と、
前記Ni層上に配置された、NiとSnとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Sn層と、を備え、
前記Sn層は、前記相手端子と接触する領域の表面に凹部を備える、
端子。 - 前記Sn層は、前記相手端子と接触する領域において、平均0.3〜0.7μmの厚さを有する、
請求項1に記載の端子。 - 前記Sn層のうちの前記相手端子と接触する領域の下に配置された前記合金層は、平均0.3〜0.6μmの厚さを有する、
請求項1又は2に記載の端子。 - 前記接触部は、前記基材の複数箇所に設けられる、
請求項1から3のいずれか1項に記載の端子。 - 導電体の基材上に多孔質のNi層を形成する工程と、
前記Ni層上にSn層を形成する工程と、
Snが溶融する温度で前記Sn層をリフローし、前記Ni層と前記Sn層との間にNiとSnとを含む合金から形成された合金層を形成する工程と、を備え、
前記Ni層の孔に基づく凹部を、前記Sn層を前記リフローした後に相手端子と接触する領域の表面に残存させる、
端子の製造方法。 - 前記Ni層及び前記Sn層をそれぞれめっきにより形成する、
請求項5に記載の端子の製造方法。 - 導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のNi層と、
前記Ni層上に配置された、NiとSnとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Sn層と、を備え、
前記Sn層は、前記相手端子と接触する領域において、平均0.3〜0.7μmの厚さを有し、
前記Ni層の厚さは、3.0μm以上である、
端子。
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JP2017139933A Active JP6946806B2 (ja) | 2017-07-19 | 2017-07-19 | 端子及び端子の製造方法 |
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