JP6946806B2

JP6946806B2 - 端子及び端子の製造方法

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Publication number: JP6946806B2
Application number: JP2017139933A
Authority: JP
Inventors: 遠藤　隆吉; 隆吉遠藤; 克仁土持
Original assignee: Dai Ichi Seiko Co Ltd
Current assignee: I Pex Inc
Priority date: 2017-07-19
Filing date: 2017-07-19
Publication date: 2021-10-06
Anticipated expiration: 2037-07-19
Also published as: JP2019019387A

Description

本発明は、端子及び端子の製造方法に関する。

電気コネクタには、雄コネクタ端子が雌コネクタ端子に挿入されて電気的に接続されるものがある。このような電気コネクタの端子には、相手端子との接触の信頼性、及び、相手端子との挿抜に要する力（以下、「挿入力」という。）が低いことが要求される。

特許文献１には、雄コネクタ端子に対し、雌コネクタ端子への挿入方向に沿って溝を形成することで、断面形状を波目状にしたコネクタ端子が開示されている。

特許第５８３１６１１号公報

近年、上記の種類の電気コネクタには、より低い挿入力が求められている。また、端子の断面形状をプレス加工等により波目状にしない場合でも同様の効果が得られる端子であることが好ましい。

本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、端子表面の例えばプレス加工を不要とし且つ低い挿入力を可能とする端子及び端子の製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る端子は、
導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のＮｉ層と、
前記Ｎｉ層上に配置された、ＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Ｓｎ層と、を備え、
前記Ｓｎ層は、前記相手端子と接触する領域の表面に凹部を備える。

前記Ｓｎ層は、前記相手端子と接触する領域において、平均０．３〜０．７μｍの厚さを有する、
こととしてもよい。

前記Ｓｎ層のうちの前記相手端子と接触する領域の下に配置された前記合金層は、平均０．３〜０．６μｍの厚さを有する、
こととしてもよい。

前記接触部は、前記基材の複数箇所に設けられる、
こととしてもよい。

上記の目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る端子の製造方法は、
導電体の基材上に多孔質のＮｉ層を形成する工程と、
前記Ｎｉ層上にＳｎ層を形成する工程と、
Ｓｎが溶融する温度で前記Ｓｎ層をリフローし、前記Ｎｉ層と前記Ｓｎ層との間にＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層を形成する工程と、を備え、
前記Ｎｉ層の孔に基づく凹部を、前記Ｓｎ層を前記リフローした後に相手端子と接触する領域の表面に残存させる。

前記Ｎｉ層及び前記Ｓｎ層をそれぞれめっきにより形成する、
こととしてもよい。
上記の目的を達成するため、本発明の第３の観点に係る端子は、
導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のＮｉ層と、
前記Ｎｉ層上に配置された、ＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Ｓｎ層と、を備え、
前記Ｓｎ層は、前記相手端子と接触する領域において、平均０．３〜０．７μｍの厚さを有し、
前記Ｎｉ層の厚さは、３．０μｍ以上である。

本発明は、導電体から形成された基材の表面に多孔質のＮｉ層と、Ｎｉ層上に配置されＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層と、合金層上Ｓｎ層と、を備える。従って、本発明によれば、多孔質のＮｉ層に基づく凹みが端子の表面に多数形成されるため、端子表面の例えばプレス加工を不要とし且つ低い挿入力を可能とする端子及び端子の製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の実施形態に係る雄コネクタ端子を示す平面図である。図２（ａ）は図１のＡ部の部分拡大図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。図３（ａ）は雄コネクタ端子の表面の写真であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＨ部のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。図４は、雄コネクタ端子を雌コネクタ端子に挿入した状態を示す断面図である。図５（ａ）は図４のＣ部の部分拡大図であり、図５（ｂ）は図４のＤ部の部分拡大図である。図６は、雄コネクタ端子のめっき皮膜の作製工程を示すフローチャートである。図７（ａ）は化学研磨終了時の端子表面を示す図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＥ−Ｅ線で切断した断面図である。図８（ａ）〜（ｄ）は、多孔質Ｎｉめっきの形成工程を示す断面図である。図９（ａ）は多孔質Ｎｉめっき終了時の端子表面を示す図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線で切断した断面図である。図１０（ａ）はＳｎめっき終了時の端子表面を示す図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＧ−Ｇ線で切断した断面図である。

以下、本発明を実施するための形態に係る端子について図面を参照しながら説明する。

本実施形態では、端子の一例として雄コネクタ端子１００を挙げる。雄コネクタ端子１００は、タブ部１１０と、圧入部１２０と、外部リード部１３０と、を備える。

タブ部１１０、圧入部１２０及び外部リード部１３０は、銅又は銅合金の板材から全て一体に形成されている。銅又は銅合金の全体にはめっきにより表面処理が施されているが、必ずしも全ての部分が同じである必要はない。なお、銅又は銅合金の部分は、後述する基材１４０である。

タブ部１１０は、後述の雌コネクタ端子２００に挿入される部分である。タブ部１１０は、雌コネクタ端子２００への挿入を容易にするために先端に向かって幅及び厚さが小さくなっている、先細り部１１１と、略同一の幅（Ｘ軸方向）及び厚さ（Ｚ軸方向）を有しており雌コネクタ端子２００と接触して電気接点となる接触部１１２と、を備える。タブ部１１０の特に接触部１１２における表面のめっき構造については後述する。

圧入部１２０は、ショルダー部１２１と、係止部１２２と、端子つなぎ部１２３と、を備える。

ショルダー部１２１及び係止部１２２は、雌コネクタ端子２００に対する雄コネクタ端子１００の長手方向の挿抜において、図示しない雄コネクタハウジングと当接する部分である。ショルダー部１２１及び端子つなぎ部１２３は、雄コネクタ端子１００の長手方向に垂直な面を備える。

係止部１２２は、雄コネクタハウジング内で係止される部分である。係止部１２２は、雄コネクタ端子１００の長手方向において、ショルダー部１２１と端子つなぎ部１２３との間に設けられている。

外部リード部１３０は、傾斜部１３１と、リード１３２と、を備える。

傾斜部１３１は、圧入部１２０の後端部とリード１３２との間に設けられており、圧入部１２０とリード１３２とでＺ軸方向に段差をつけるためのものである。段差はＺ軸方向で＋及び−のいずれの方向であってもよいが、図示の例ではリード１３２が圧入部１２０に対して−Ｚ側の位置にある。

リード１３２は、傾斜部１３１の後端部に接続されており、図示しないケーブルと電気的に接続される部分である。

図２（ａ）は、図１のＡ部の部分拡大図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）をＢ−Ｂ断面で切断した断面図である。

図２（ａ）には最外層のＳｎ層１５３のみが図示されているが、図２（ｂ）に示すように、接触部１１２の表面には、めっき皮膜１５０が形成されている。

めっき皮膜１５０は、Ｎｉ層１５１と、合金層１５２と、Ｓｎ層１５３と、凹部１５４と、を備える。

Ｎｉ層１５１は、基材１４０の表面上に形成されている、多孔質のめっき層である。本明細書では、発明の理解を容易にするために、Ｎｉ層１５１について多孔質のめっき層の表現を簡略化している。従って、基材１４０がＮｉ層１５１から一部露出していてもよく、また、Ｎｉ層１５１として図示されている部分に孔が設けられていてもよい。

合金層１５２は、Ｎｉ層１５１の表面上に形成されている。合金層１５２は、Ｎｉ層１５１に基づくＮｉと、Ｓｎ層１５３に基づくＳｎと、を含む合金から形成されている。

合金層１５２は、Ｎｉ層１５１とＳｎ層１５３との界面において、熱反応によって形成される。従って、Ｎｉ層１５１の孔の一部など、Ｎｉ層１５１とＳｎ層１５３とが接していない部分には合金層１５２は形成されない。

Ｓｎ層１５３は、めっき皮膜１５０の領域の全面に設けられた表面層である。但し、Ｎｉ層１５１は多孔質層であるため、Ｓｎ層１５３は、Ｎｉ層１５１の全ての孔の表面を覆うように設けられる必要はない。換言すれば、Ｎｉ層１５１とＳｎ層１５３との界面の合金層１５２がＮｉ層１５１の全ての孔の表面を覆うように設けられる必要はない。

凹部１５４は、Ｎｉ層１５１が形成された際の孔に基づいて、合金層１５２及びＳｎ層１５３が形成された後に残る凹部である。Ｎｉ層１５１が形成された際の孔に基づくことから、凹部１５４は様々な大きさを有するとともに、Ｓｎのリフローによって形成された表面を有する。リフローについては後述する。

上記のめっき皮膜１５０において、凹部１５４の領域を除くＳｎ層１５３の表面の領域が主として雌コネクタ端子２００と接触する接触面１１２ａとなる。本実施形態ではめっき皮膜１５０が形成される基材１４０の表面が平坦であることから、接触面１１２ａはめっき皮膜１５０の膜厚が最も大きい領域となる。端子の摩擦係数を低減するため、接触面１１２ａの表面は平滑であることが好ましい。

ＮｉとＳｎとの熱反応によって形成された合金層１５２は、Ｎｉ層１５１、及び、雌コネクタ端子２００と接触するＳｎ層１５３に比べて硬い層である。合金層１５２が硬い層であることにより、通常のＳｎ層を形成した場合に比べて、Ｓｎ層１５３の表面である接触面１１２ａにおける摩擦係数が低減する。

合金層１５２の膜厚は、接触面１１２ａに対応する部分において、０．３〜０．６μｍであることが好ましい。合金層１５２の膜厚が０．３μｍ未満の場合、接触面１１２ａにおける摩擦係数の低減効果が小さくなる。他方、合金層１５２の膜厚が０．６μｍを超える場合、Ｓｎのリフローの時間が長くなるが摩擦係数の低減効果はほとんど変わらないためである。

Ｓｎ層１５３の膜厚は、接触面１１２ａに対応する部分において、０．３〜０．７μｍであることが好ましい。Ｓｎ層１５３の膜厚が０．３μｍ未満の場合、電気コネクタに求められる耐久性等の観点から好ましくない。他方Ｓｎ層１５３の膜厚が０．７μｍを超える場合、接触面１１２ａにおける摩擦係数が大きくなってしまう。

図１のＡ部に相当する雄コネクタ端子１００の表面の写真を図３（ａ）に示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）の概ねＨ部を拡大したＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。図３（ｂ）に示すように、表面のＳｎ層に大小の凹部が多数形成されていることが分かる。

次に、雄コネクタ端子１００が雌コネクタ端子２００に挿入された状態を長手方向に沿って図４に断面図で示す。

図２（ａ）、（ｂ）では、基材１４０の一方の主面にめっき皮膜１５０が形成されており、接触面１１２ａが形成されている。本実施形態では、後述するように、接触面１１２ａと反対側の面において、同様のめっき皮膜１５０による接触面１１２ｂが設けられるものとする。

雌コネクタ端子２００は、図４に示すように、箱部２１０と、板ばね部２２０と、を備える。

箱部２１０は、導電体の板材を屈曲させて、６面のうちの対向する２面が存在しない状態における箱状（筒状）に形成した部材である。箱部２１０の材料は、例えば銅又は銅合金であるが、これらには限られない。箱部２１０には、２箇所の切欠部２１１が形成されている。

板ばね部２２０は、導電体から形成され、図示の＋Ｚ方向が凸となるように弓形に湾曲した部材である。板ばね部２２０の材料は、ばね材に適した金属材料であることが好ましい。板ばね部２２０は、雄コネクタ端子１００からの押圧及び押圧の解除によって撓む。その際、板ばね部２２０の弓形の頂部が２箇所の切欠部２１１内で上下方向に移動可能である。また、板ばね部２２０は、図示Ｘ軸方向の中央部に、雄コネクタ端子１００と接触するための凸部として形成された、接点部２２１を備える。

箱部２１０及び板ばね部２２０は、それぞれ表面にめっき等の表面処理が施されている。

雄コネクタ端子１００の挿入前は、箱部２１０の内側の天井面２２０ａと接点部２２１の頂部との間隔は、雄コネクタ端子１００の接点部２２１の厚さより小さくなっている。図４のように、雄コネクタ端子１００が図示Ｙ軸方向に沿って雌コネクタ端子２００内に挿入されていくと、雄コネクタ端子１００は、接触面１１２ａにおいて箱部２１０の内壁と接触し、接触面１１２ｂにおいて板ばね部２２０の接点部２２１と接触する。

雄コネクタ端子１００の挿入の進行に伴い、湾曲した板ばね部２２０の接点部２２１は、頂部が雄コネクタ端子１００によって押圧されて図４に示すように下方に移動する。換言すれば、雄コネクタ端子１００は、板ばね部２２０からの押圧による摩擦に打ち勝つ挿入力で雌コネクタ端子２００内に挿入される。

図５（ａ）は、図４のＣ部に示す、雄コネクタ端子１００の接触面１１２ａと箱部２１０の天井面２２０ａとの接触部の部分拡大断面図である。図５（ｂ）は、図４のＤ部に示す、雄コネクタ端子１００の接触面１１２ｂと接点部２２１との接触部の部分拡大断面図である。

図５（ａ）に示すように、天井面２２０ａは平面に形成されている。図示では省略しているが、天井面２２０ａの表面には例えばめっきが施されている。

天井面２２０ａと接触する雄コネクタ端子１００の接触面１１２ａは、天井面２２０ａに比べて、凹部１５４が設けられている分、面積が小さい。これにより、従来の雄コネクタ端子のような平坦面で雌コネクタ端子と接触する場合に比べ、接触面積が低減する。また、雄コネクタ端子の表面にプレスで機械的に凹凸を設ける場合に比べて、本実施形態によれば、接触面積を低減させるとともに、摩擦係数をより低減させることができる。

図５（ｂ）に示す場合、板ばね部２２０は雄コネクタ端子１００を押圧するための円弧状の接点部２２１を備える。従って、雄コネクタ端子１００の接触面１１２ｂと接点部２２１との接触範囲は図５（ａ）に比べればかなり小さい。この場合でも凹部１５４を設けることにより摩擦係数の低減効果は得られる。

以上説明したように、雄コネクタ端子１００の表面に多数の凹部１５４が形成されることにより、接触面１１２ａと雌コネクタ端子２００との接触面積が小さくなる。このように、本実施形態によれば、摩擦係数が小さくなるとともに、接触面積が小さくなることで、コネクタ端子の挿抜に必要な挿入力が低減される。また、めっき層によって挿入力を低減させることから、端子の基材表面に対して例えばプレス加工によって凹凸を設けることを不要とすることができる。さらに、多数の凹部１５４が接触面１１２ａ全体に設けられることから、コネクタ端子の接触の安定性が向上する。

次に、本実施形態に係る雄コネクタ端子１００の製造方法について、図６〜図１０及び先に図示した図２を用いて説明する。

図６は、雄コネクタ端子１００のめっき皮膜１５０の作製工程を示すフローチャートである。

まず、基材１４０の脱脂を行う（ステップＳ１０）。本ステップでは、プレス加工により打ち抜き成形された基材１４０に対し、表面に付着したオイルをアルカリ性の脱脂剤で脱脂する。

続いて、基材１４０の化学研磨を行う（ステップＳ２０）。本ステップでは、基材１４０に対し、硫酸ベースの化学研磨液で、表面を軽くエッチングする。これにより、基材１４０の表面に形成されていた酸化被膜を除去する。ステップＳ２０が終了した段階では、図１のＡ部に相当する箇所は図７（ａ）、（ｂ）に示すように基材１４０が露出した面となっている。

続いて、基材１４０に多孔質Ｎｉめっきを行う（ステップＳ３０）。ステップＳ３０の工程について、図８（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。

図８（ａ）に示すように、基材１４０をめっき液３１０内に浸漬させる。基材１４０は、めっき処理において陰極となる。めっき液３１０には、多孔質層を形成する基となる添加剤３２０が分散している。添加剤３２０は、例えばカチオン性有機系添加剤である。

この状態で、Ｎｉめっきを開始すると、図８（ｂ）に示すように、基材１４０の表面にＮｉが析出する。めっき処理の進行とともに、Ｎｉ層１５１が成長し、膜厚が増加していく。その際、めっき液３１０に添加した添加剤３２０の成分が、Ｎｉ層１５１の析出時に皮膜に取り込まれる。取り込まれる際に、添加剤３２０の分解生成物３３０が形成される。分解生成物３３０は、Ｎｉ層１５１中に分散して形成される。従って、分解生成物３３０が形成された箇所ではＮｉの析出が抑制される。

図８（ｃ）に示すように、分解生成物３３０は、めっき処理が終了するまで、Ｎｉ層１５１の成長とともにさらに形成される。従って、分解生成物３３０は、Ｎｉ層１５１の膜厚の全体に亘って分散して存在する。

その後、Ｎｉめっきされた箇所を水洗し、乾燥させると、図８（ｄ）に示すように、分解生成物３３０が除去される。図８（ｄ）では図示を簡略化しているが、Ｎｉ層１５１中の分解生成物３３０が除去されるため、図８（ｄ）において多数の孔１５１ａを含むＮｉ層１５１が形成されている。Ｎｉ層１５１では、１０μｍ以下の小さな孔１５１ａが、端子表面の１ｃｍ^２あたり数千〜数千万個存在する。

実際のめっき処理では、分解生成物３３０は概ね粒子状に形成される。孔１５１ａの形状は、分解生成物３３０の形状に従う。分解生成物３３０の大きさ、形状、密度等は、めっき液３１０の浴組成、浴温、ｐＨの他、電流密度といっためっき条件により異なる。Ｎｉ層１５１の形成においては、それらのめっき条件を適宜調整してめっき処理を行うことが好ましい。

ステップＳ３０が終了した段階では、図１のＡ部は図９（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｎｉ層１５１の表面に多数の孔１５１ａが形成されている。なお、図８（ｄ）と図９（ａ）、（ｂ）とは同じ状態を示している。

続いて、Ｎｉ層１５１の上に、Ｓｎめっきを行う（ステップＳ４０）。本ステップでは、電気伝導性、半田付け性等、コネクタとしての機能を付与するため、Ｓｎめっきを施し、Ｓｎ層１５３を形成する。

Ｓｎ層１５３が形成されると、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｎｉ層１５１の孔１５１ａに基づく凹部１５４が形成される。凹部１５４は、孔１５１ａに比べてＳｎ層１５３の分小さくなる。本ステップにおけるＳｎめっきの膜厚は、Ｓｎ層１５３に対するリフローにおいて合金層１５２が形成されることを考慮して決定される。

続いて、Ｓｎ層１５３の表面に変色防止処理を行う（ステップＳ５０）。本ステップでは、Ｓｎ層１５３の経時変化、熱酸化による変色を防止するために、Ｓｎ層１５３の表面に変色防止剤を塗布する。

続いて、Ｓｎ層１５３のリフローを行う（ステップＳ６０）。本ステップでは、Ｓｎ層１５３を加熱し、溶融させてリフローする。本ステップにおけるリフローとは、Ｓｎ層１５３に高温の熱風を当ててＳｎを溶解し、下地のＮｉ層１５１のＮｉとの合金化を促進させることを指す。リフローにより、雄コネクタ端子１００の挿入力の低減、及び、Ｓｎ層１５３の表面においてウィスカの成長を抑制するためである。

加熱は、例えばヒートガンでＳｎ層１５３に熱風を当てることにより行う。この加熱によってＳｎ層１５３が溶融し流れることにより、凹部１５４の一部を埋めていく。これにより、図１のＡ部は図２（ａ）、（ｂ）に図示したようになり、即ち、めっき皮膜１５０が形成される。ここで「凹部１５４の一部を埋めていく」とは、多数の凹部１５４のうちの小さいものについては、Ｓｎによって全部埋められることも含む。比較的大きい凹部１５４については、図２（ａ）、（ｂ）のように全部埋められず凹部が残留することとなる。

次に、本実施形態の多孔質のＮｉ層１５１を備えるめっき皮膜１５０が形成された雄コネクタ端子１００と、通常のＮｉめっきを施した雄コネクタ端子とについて挿入力を測定した。

表１の「多孔質Ｎｉめっき」が本実施形態の雄コネクタ端子１００に相当する例である。多孔質Ｎｉめっきの例と、通常Ｎｉめっきの例と、では、Ｎｉ層が多孔質であるか否かを除いて同一条件としている。

多孔質Ｎｉめっきの例と通常Ｎｉめっきの例のいずれについても、Ｎｉ層の膜厚は３．０μｍであり、Ｓｎ層の膜厚は０．６μｍである。

Ｓｎのリフローについて、ヒートガンにより熱風を当てることにより行った。リフロー時の端子の表面温度を２８０℃とし、リフローの時間を７ｓとした。

同一の試料について各５回雌コネクタ端子に挿入して挿入力（Ｎ）を測定し、その平均値を求めた。その結果を表１に示す。

表１に示すように、本実施形態の多孔質Ｎｉめっきの例は、５回の挿入力及び平均値において、通常Ｎｉめっきよりも低い値となった。表１の結果から、本実施形態の雄コネクタ端子１００は、多孔質のＮｉ層１５１、合金層１５２、Ｓｎ層１５３及び凹部１５４を備えるめっき皮膜１５０が形成されたことにより、必要な挿入力が低減したと言える。

なお、この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。

上述の実施形態では、基材１４０の平坦な表面上にめっき皮膜１５０を形成しているが、凹凸のある表面上にめっき皮膜１５０を形成することとしてもよい。例えば、凹凸は特許文献１のようにプレス加工により波目状に形成されていてもよい。

上述の実施形態では、雄コネクタ端子１００についてめっき皮膜１５０を形成することとしたが、雌コネクタ端子２００の表面に同様のめっき皮膜を形成することとしてもよい。また、例えば相手端子に対して挿入せずに摺動を伴って接続される種類の端子に同様のめっき皮膜を形成することとしてもよい。

めっき皮膜１５０は、端子について１箇所又は複数箇所設けることができる。また、タブ部１１０の全体又は端子全体にめっき皮膜１５０を設けることとしてもよい。

この発明は、この発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この発明を説明するためのものであり、この発明の範囲を限定するものではない。すなわち、この発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、この発明の範囲内とみなされる。

本発明は、電気回路の部品として用いられる端子に適用することができる。

１００雄コネクタ端子、１１０タブ部、１１１先細り部、１１２接触部、１１２ａ接触面、１１２ｂ接触面、１２０圧入部、１２１ショルダー部、１２２係止部、１２３端子つなぎ部、１３０外部リード部、１３１傾斜部、１３２リード、１４０基材、１５０めっき皮膜、１５１Ｎｉ層、１５１ａ孔、１５２合金層、１５３Ｓｎ層、１５４凹部、２００雌コネクタ端子、２１０箱部、２１１切欠部、２２０板ばね部、２２０ａ天井面、２２１接点部、３１０めっき液、３２０添加剤、３３０分解生成物。

Claims

導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のＮｉ層と、
前記Ｎｉ層上に配置された、ＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Ｓｎ層と、を備え、
前記Ｓｎ層は、前記相手端子と接触する領域の表面に凹部を備える、
端子。
前記Ｓｎ層は、前記相手端子と接触する領域において、平均０．３〜０．７μｍの厚さを有する、
請求項１に記載の端子。
前記Ｓｎ層のうちの前記相手端子と接触する領域の下に配置された前記合金層は、平均０．３〜０．６μｍの厚さを有する、
請求項１又は２に記載の端子。
前記接触部は、前記基材の複数箇所に設けられる、
請求項１から３のいずれか１項に記載の端子。
導電体の基材上に多孔質のＮｉ層を形成する工程と、
前記Ｎｉ層上にＳｎ層を形成する工程と、
Ｓｎが溶融する温度で前記Ｓｎ層をリフローし、前記Ｎｉ層と前記Ｓｎ層との間にＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層を形成する工程と、を備え、
前記Ｎｉ層の孔に基づく凹部を、前記Ｓｎ層を前記リフローした後に相手端子と接触する領域の表面に残存させる、
端子の製造方法。
前記Ｎｉ層及び前記Ｓｎ層をそれぞれめっきにより形成する、
請求項５に記載の端子の製造方法。
導電体から形成された基材と、
前記基材の表面に配置され、相手端子と接触する接触部と、を備え、
前記接触部は、
前記基材上に配置された、多孔質のＮｉ層と、
前記Ｎｉ層上に配置された、ＮｉとＳｎとを含む合金から形成された合金層と、
前記合金層上に配置された、Ｓｎ層と、を備え、
前記Ｓｎ層は、前記相手端子と接触する領域において、平均０．３〜０．７μｍの厚さを有し、
前記Ｎｉ層の厚さは、３．０μｍ以上である、
端子。