JP2014040649A - コネクタ用めっき端子及びコネクタ用めっき端子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に形成されたニッケルめっき層と前記ニッケルめっき層の表面に接触して最表面に形成されたスズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することにより、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金を形成する。
【選択図】図1
Description
清浄なアルミニウム基板の表面に、無電解めっきにより、厚さ0.05μmの亜鉛めっき層を形成した。その上に、電解めっきにより、厚さ0.8μmのニッケルめっき層を形成した。さらにその上に、電解めっきにより、厚さ1.0μmのスズめっき層を形成した。この状態で、260℃で30秒間リフロー処理を行うことにより、実施例1にかかる試験片を作成した。
清浄な銅基板の表面に、実施例1の場合と同様にニッケルめっき層とスズめっき層を形成し、リフロー処理を行ったものを実施例2にかかる試料片とした。
実施例1及び2にかかる試料片と同様に形成しためっき層構造に対し、リフロー処理を行わないものをそれぞれ比較例1及び2にかかる試料片とした。
(めっき層の構造の評価)
収束イオンビーム−走査イオン顕微鏡(FIB−SIM)を用いて、各実施例及び比較例にかかる試料片の断面及び表面を観察した。とりわけスズ−ニッケル界面に形成される合金相の構造に着目して、めっき層の構造の評価を行った。
実施例2及び比較例2にかかる試験片について、初期状態と50℃で180時間放置した後の状態において、表面の接触抵抗値を計測した。接触抵抗値は四端子法によって測定した。この際、電極は一方を平板とし、一方を半径3mmのエンボス形状とした。また、開放電圧を20mV、通電電流を10mAとし、6Nの荷重を印加して測定を行った。
(めっき層の構造評価)
図3(c)に比較例1にかかる試料片の断面構造を示す。最下層の最も暗く観測される部分がアルミニウム母材であり、その上に形成された中間の明るさで観察されている層がニッケルめっき層である。また、最上層に最も明るく観察されているのが、スズめっき層である。ニッケルめっき層とスズめっき層の界面には、それら以外の層は観察されていない。
実施例2及び比較例2の試料片について、初期状態と、50℃にて180日間放置した後の状態について測定した接触抵抗の値を下の表1に示す。誤差は、複数の試料片に対して測定した値のばらつきを示すものである。
2 ニッケルめっき層
3、6 スズ−ニッケル合金
4 スズめっき層
5 積層構造
Claims (6)
- 他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に形成されたニッケルめっき層と前記ニッケルめっき層の表面に接触して最表面に形成されたスズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することによって、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金が形成されていることを特徴とするコネクタ用めっき端子。
- 前記母材はアルミニウム又はアルミニウム合金よりなることを特徴とする請求項1に記載のコネクタ用めっき端子。
- 前記スズ−ニッケル合金は、粒状体を形成していることを特徴とする請求項1又は2に記載のコネクタ用めっき端子。
- 他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に、ニッケルめっき層を形成し、前記ニッケルめっき層の表面に接触させてスズめっき層を形成し、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することで、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金を形成することを特徴とするコネクタ用めっき端子の製造方法。
- 前記母材としてアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる母材を使用することを特徴とする請求項4に記載のコネクタ用めっき端子の製造方法。
- 前記スズ−ニッケル合金を粒状体として形成することを特徴とする請求項4又は5に記載のコネクタ用めっき端子の製造方法。
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