WO2015163454A1

WO2015163454A1 - 接点接続構造

Info

Publication number: WO2015163454A1
Application number: PCT/JP2015/062546
Authority: WO
Inventors: 昌之福井; 義貴伊藤; 貴哉近藤; 孝裕松尾; 健三田中; 隆博弓立; 大沼　雅則
Original assignee: 矢崎総業株式会社
Priority date: 2014-04-24
Filing date: 2015-04-24
Publication date: 2015-10-29

Abstract

　第１接点部（１０２）が、第１の母材（１０１Ａ）とその第１の外面に形成された第１のメッキ層（１０１Ｂ）とを含み、インデント部（１０４）を有する。第２接点部（１１２）が、第２の母材（１１１Ａ）とその第２の外面に形成された第２のメッキ層（１１１Ｂ）を含む。端子挿入完了位置におけるインデント部（１０４）は、第２接点部（１１２）の接触面（１１２ａ）に接触荷重によって接触する。インデント部（１０４）の第１の母材（１０１Ａ）の第１の外面と接触面（１１２ａ）の箇所の第２の母材（１１１Ａ）の第２の外面との少なくとも一方は、凹凸（１１１ｄ）を有する。

Description

接点接続構造

　本発明は、第１接点部（第１端子）と第２接点部（第２端子）との間の電気的接続を行う接点接続構造に関する。

　特許文献１が、メス端子１０５１とオス端子１０６１とを備えた接点接続構造を記載している。

　図１に示すように、メス端子１０５１は、四角形状の箱部１０５２と、箱部１０５２に一体に設けられ、箱部１０５２内に配置された弾性撓み部１０５３とを有している。

　弾性撓み部１０５３には、箱部１０５２の底面部１０５２ａ側に向かって突出するインデント部１０５４が設けられている。

　インデント部１０５４は、外周面（底面部１０５２ａ側の面）がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置している。

　なお、図１では、図示が省略されているが、メス端子１０５１は、図２Ａに示すように、銅合金材の母材１０５１Ａの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層１０５１Ｂが設けられている。このメッキ層１０５１Ｂの外面側には、酸化膜１０５１Ｃが形成される。

　図１に示すように、オス端子１０６１は、平板状のタブ部１０６２を有している。

　なお、図１では、図示が省略されているが、オス端子１０６１は、図２Ｂに示すように、銅合金材の母材１０６１Ａの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層１０６１Ｂが設けられている。このメッキ層１０６１Ｂの外面側には、酸化膜１０６１Ｃが形成される。

　上記した構成において、図１の位置に位置するオス端子１０６１のタブ部１０６２をメス端子１０５１の箱部１０５２内へ挿入すると、タブ部１０６２に押されることによって弾性撓み部１０５３が撓み変形することにより、タブ部１０６２の挿入が許容される。

　タブ部１０６２の挿入過程では、弾性撓み部１０５３のインデント部１０５４がタブ部１０６２の接触面１０６２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図３に示すように、弾性撓み部１０５３のインデント部１０５４と、タブ部１０６２の接触面１０６２ａとが接触する。

　上記のように、インデント部１０５４がタブ部１０６２の接触面１０６２ａ上に接触すると、弾性撓み部１０５３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図４に示すように、インデント部１０５４に形成された酸化膜１０５１Ｃが破壊されるとともに、タブ部１０６２に形成されたメッキ層１０６１Ｂが押し込まれることによって酸化膜１０６１Ｃが破壊される。

　このように、各酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃが破壊されると、各酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃの割れ目１０５１Ｃａ，１０６１Ｃａにメッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの金属（例えば、錫）が入り込むことにより、メス端子１０５１のインデント部１０５４と、オス端子１０６１のタブ部１０６２の接触面１０６２ａとが金属同士で接触する。

　ところで、酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃは、錫や銅に較べて電気抵抗が非常に高い。

　したがって、接触抵抗の低減を図るためには、酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃを破壊してメッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂ同士の接触面（オーミック点）を多く（広く）作る必要がある。

　特許文献２が、メス端子とオス端子とを備えた接点接続構造を記載している。図６、図７及び図８Ａ、８Ｂに示すように、メス端子２０５１は、四角形状の箱部２０５２と、箱部２０５２に一体に設けられ、箱部２０５２内に配置された弾性撓み部２０５３とを有する。弾性撓み部２０５３には、底面側に向かって突出するインデント部２０５４が設けられている。インデント部２０５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　図６、図７及び図９Ａ、９Ｂに示すように、オス端子２０６０は、平板状のタブ部２０６１を有する。

　上記構成において、図６の位置にあって、オス端子２０６０のタブ部２０６１をメス端子２０５１の箱部２０５２に挿入すると、弾性撓み部２０５３が撓み変形してタブ部２０６１の挿入が許容される。タブ部２０６１の挿入過程では、弾性撓み部２０５３のインデント部２０５４がタブ部２０６１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、図７及び図１０に示すように、弾性撓み部２０５３のインデント部２０５４とタブ部２０６１の接触面が接触する。端子挿入完了位置では、弾性撓み部２０５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子２０５１のインデント部２０５４とオス端子２０６０のタブ部２０６１の接触面とが電気的に接触する。

　特許文献２が、図１２～１５に示すようなメス端子３１００とオス端子３２００とを備えた接点接続構造を提案している。

　図１２，１３に示すように、メス端子３１００は、四角形状の箱部３１０１と、箱部３１０１に設けられ、箱部３１０１内に配置された弾性撓み部３１０２とを有している。

　弾性撓み部３１０２には、底面側に向かって突出するインデント部３１０３が設けられている。

　インデント部３１０３は、外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　また、メス端子３１００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　オス端子３２００は、平板状のタブ部３２０１を有している。オス端子３２００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　このような端子では、図１３に示すように、オス端子３２００のタブ部３２０１をメス端子３１００の箱部３１０１に挿入すると、弾性撓み部３１０２が撓み変形してタブ部３２０１の挿入が許容される。

　タブ部３２０１の挿入過程では、タブ部３２０１が弾性撓み部３１０２のインデント部３１０３上を摺動し、端子挿入完了位置では、図１３，１４に示すように、弾性撓み部３１０２のインデント部３１０３とタブ部３２０１の面が接触する。

　上記接点接続構造では、弾性撓み部３１０２の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子３１００のインデント部３１０３とオス端子３２００のタブ部３２０１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子３１００とオス端子３２００間が通電する。

　ところで、弾性撓み部３１０２とタブ部３２０１の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されている。両端子を錫メッキし、さらにリフロー処理を行うことで、図１５に示すように、銅合金材の母材層３０００Ａの外面側に銅／錫合金層３０００Ｂ、錫メッキ層３０００Ｃが形成されるとともに、錫メッキ層３０００Ｃの外面に酸化膜３０００Ｄが生成されている。

　酸化膜３０００Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜３０００Ｄを破壊して錫メッキ層３０００Ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作り、接触抵抗の低減を図る必要がある。

　特許文献２が、図１６～１９に示すようなメス端子４３００とオス端子４５００が提案されている。

　図１６，１７に示すように、メス端子４３００は、四角形状の箱部４３０１と、箱部４３０１に設けられ、箱部４３０１内に配置された弾性撓み部４３０１ａとを有している。

　弾性撓み部４３０１ａには、底面側に向かって突出するインデント部４３０１ｂが設けられている。

　インデント部４３０１ｂは、外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　メス端子４３００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　オス端子４５００は、平板状のタブ部４５０１を有している。オス端子４５００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　このような端子では、図１７に示すように、オス端子４５００のタブ部４５０１をメス端子４３００の箱部４３０１に挿入すると、弾性撓み部４３０１ａが撓み変形してタブ部４５０１の挿入が許容される。

　タブ部４５０１の挿入過程では、タブ部４５０１が弾性撓み部４３０１ａのインデント部４３０１ｂ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図１７，１８に示すように、弾性撓み部４３０１ａのインデント部４３０１ｂとタブ部４５０１の面が接触する。

　特許文献２では、弾性撓み部４３０１ａの撓み復帰力を接触荷重として、メス端子４３００のインデント部４３０１ｂとオス端子４５００のタブ部４５０１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子４３００とオス端子４５００間が通電する。

　ところで、弾性撓み部４３０１ａとタブ部４５０１の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されている。両端子を錫メッキし、さらにリフロー処理を行うことで、図１９に示すように、銅合金材の母材層４０００Ａの外面側に銅／錫合金層４０００Ｂ、錫メッキ層４０００Ｃが形成されるとともに、錫メッキ層４０００Ｃの外面に酸化膜４０００Ｄが生成されている。

　酸化膜４０００Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜４０００Ｄを破壊して錫メッキ層４０００Ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作り、接触抵抗の低減を図る必要がある。

　そして、特許文献２の接点接続構造では、インデント部とタブ部の接触面間の接触荷重によって酸化膜を破壊し、酸化膜の破壊された箇所において、インデント部とタブ部のメッキ金属同士の接触が得られるようにしている。

　特許文献２が、図２０～２３に示すようなメス端子５１００とオス端子５２００とを備えた接点接続構造を提案している。

　図２０，２１に示すように、メス端子５１００は、四角形状の箱部５１０１と、箱部５１０１に設けられ、箱部５１０１内に配置された弾性撓み部５１０２とを有している。

　弾性撓み部５１０２には、底面側に向かって突出するインデント部５１０３が設けられている。

　インデント部５１０３は、外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　メス端子５１００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　オス端子５２００は、平板状のタブ部５２０１を有している。オス端子５２００には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。

　このような端子では、図２１に示すように、オス端子５２００のタブ部５２０１をメス端子５１００の箱部５１０１に挿入すると、弾性撓み部５１０２が撓み変形してタブ部５２０１の挿入が許容される。

　タブ部５２０１の挿入過程では、タブ部５２０１が弾性撓み部５１０２のインデント部５１０３上を摺動し、端子挿入完了位置では、図２１，２２に示すように、弾性撓み部５１０２のインデント部５１０３とタブ部５２０１の面が接触する。

　特許文献２に記載の構造では、弾性撓み部５１０２の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子５１００のインデント部５１０３とオス端子５２００のタブ部５２０１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子５１００とオス端子５２００間が通電する。

　ところで、弾性撓み部５１０２とタブ部５２０１の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されている。両端子を錫メッキし、さらにリフロー処理を行うことで、図２３に示すように、銅合金材の母材層５０００Ａの外面側に銅／錫合金層５０００Ｂ、錫メッキ層５０００Ｃが形成されるとともに、錫メッキ層５０００Ｃの外面に酸化膜５０００Ｄが生成されている。

　酸化膜５０００Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜５０００Ｄを破壊して錫メッキ層５０００Ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作り、接触抵抗の低減を図る必要がある。

　そして、特許文献２の構造では、インデント部とタブ部の接触面間の接触荷重によって酸化膜を破壊し、酸化膜の破壊された箇所において、インデント部とタブ部のメッキ金属同士の接触が得られるようにしている。

　特許文献２が、メス端子とオス端子とを備えた接点接続構造を記載している。図２４～２６Ｂに示すように、メス端子６０５１は、四角形状の箱部６０５２を有する。箱部６０５２内には、箱部６０５２に一体に設けられた弾性撓み部６０５３が配置されている。弾性撓み部６０５３には、底面側に向かって突出するインデント部６０５４が設けられている。インデント部６０５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。メス端子６０５１の外面には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキ層（図示せず）が形成されている。

　図２４、図２５及び図２７Ａ、２７Ｂに示すように、オス端子６０６０は、平板状のタブ部６０６１を有する。オス端子６０６０の外面には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキ層（図示せず）が形成されている。

　上記構成において、図２４の位置にあって、オス端子６０６０のタブ部６０６１をメス端子６０５１の箱部６０５２に挿入すると、弾性撓み部６０５３が撓み変形してタブ部６０６１の挿入が許容される。タブ部６０６１の挿入過程では、タブ部６０６１が弾性撓み部６０５３のインデント部６０５４上を摺動し、端子挿入完了位置では、図２５及び図２８に示すように、弾性撓み部６０５３のインデント部６０５４とタブ部６０６１の面が接触する。

　特許文献２の構造では、弾性撓み部６０５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子６０５１のインデント部６０５４とオス端子６０６０のタブ部６０６１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子６０５１とオス端子６０６０間が通電する。

　特許文献２が、メス端子とオス端子とを備えた接点接続構造を記載している。図３０～３２Ｂに示すように、メス端子７０５１は、四角形状の箱部７０５２と、箱部７０５２に一体に設けられ、箱部７０５２内に配置された弾性撓み部７０５３とを有する。弾性撓み部７０５３には、底面側に向かって突出するインデント部７０５４が設けられている。インデント部７０５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。

　図３０、図３１及び図３３Ａ、３３Ｂに示すように、オス端子７０６０は、平板状のタブ部７０６１を有する。

　上記構成において、図３０の位置にあって、オス端子７０６０のタブ部７０６１をメス端子７０５１の箱部７０５２に挿入すると、弾性撓み部７０５３が撓み変形してタブ部７０６１の挿入が許容される。タブ部７０６１の挿入過程では、弾性撓み部７０５３のインデント部７０５４がタブ部７０６１の接触面をを摺動し、端子挿入完了位置では、図３１及び図３４に示すように、弾性撓み部７０５３のインデント部７０５４とタブ部７０６１の接触面が接触する。端子挿入完了位置では、弾性撓み部７０５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子７０５１のインデント部７０５４とオス端子７０６０のタブ部７０６１の接触面とが電気的に接触する。

特開２００８－２８２８０２号公報特開２００７－２８０８２５号公報

　特許文献１に記載の接点接続構造においては、図４の部分１０００ｘ（インデント部１０５４の先端部分；タブ部１０６２に形成された凹部の底部分）では、インデント部１０５４の接触荷重によって酸化膜１０６１Ｃをメッキ層１０６１Ｂへ押し込む。しかし、メッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの反力が高いものの、部分１０００ｘが平坦であることにより、図５Ａに示すように、酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃは押し込まれるだけで割れない。

　図４の部分１０００ｙ（タブ部１０６２に形成された凹部の中腹周回部分）では、インデント部１０５４の接触荷重によって酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃが伸ばされ、割れ目１０５１Ｃａ，１０６１Ｃａが多く発生する。

　そして、メッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの反力が高いことにより、酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃの割れ目１０５１Ｃａ，１０６１Ｃａにメッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの金属が入り込み、メッキ層１０５１Ｂとメッキ層１０６１Ｂとが接触する。

　また、図４の部分１０００ｚ（タブ部１０６２に形成された凹部の上端周回部分）では、インデント部１０５４の接触荷重による酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃの伸びが少なくなり、割れ目１０５１Ｃａ，１０６１Ｃａの発生が少なくなる。

　そして、インデント部１０５４の接触荷重によってメッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの金属が移動することでメッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの反力が低くなることにより、酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃの割れ目１０５１Ｃａ、１０６１Ｃａにメッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂの金属が入りきらず、図５Ｂに示すように、メッキ層１０５１Ｂとメッキ層１０６１Ｂとが接触しない。

　このように、メッキ層１０５１Ｂ，１０６１Ｂ同士の接触面（オーミック点）を多く作ることができないので、端子挿入完了位置における端子１０５１，１０６１同士の接触時にメッキ層１０６１Ｂの押し込み量を増やし、酸化膜１０５１Ｃ，１０６１Ｃの破壊を促進するためには、接触部間の接触圧を大きくすることが考えられる。

　ところで、メッキ層１０６１Ｂが薄く、メッキ層１０６１Ｂの押し込み量が少ないので、各端子１０５１，１０６１が大型化したり、複雑化する。

　ところで、特許文献２に記載の構造では、メス端子２０５１のインデント部２０５４がほぼ球面形状であり、インデント部２０５４の外周面の頂点箇所でのみオス端子２０６０のタブ部２０６１と接触する。ここで、双方の接触面は、みかけの接触面２０００Ｅ２（接触面径２０００Ｄ２）の全領域において実質的に接触しているわけではない。みかけの接触面２０００Ｅ２の内で実際に接触する面（真実接触面２０００Ａ）のみが電気的通電を担う。みかけの接触面２０００Ｅ２は、図１１Ａでは明確化のためハッチング表示する。

　インデント部２０５４とタブ部２０６１の接触面は、共に平滑な面に形成されているが、実際には少ない凹凸が形成された面である。このように少ない凹凸面同士の接触では、図１１Ｂに示すように、みかけの接触面２０００Ｅ２の範囲内の真実接触面２０００Ａの数が少なくなるため、接触抵抗が大きくなる。

　ここで、みかけの接触面径を大きくして接触抵抗の低減を図るため、弾性撓み部の撓み復帰力（接触荷重）を大きくしたり、接点部（インデント部２０５４）を大型化したりすることが考えられるが、端子２０５１，２０６０が大型化したり、複雑化する。

　ところで、特許文献２の構造では、酸化膜の破壊を促進させるために接点部間の接点圧力を大きくすることが考えられるが、両端子が大型化したり構造が複雑になってしまう。

　ところで、特許文献２において、接点間の接触面は、その全領域が電気的通電を担うわけではないため、みかけの接触面６０００Ｅ２と考えることができる（図２９参照）。みかけの接触面６０００Ｅ２の内で実際に接触する面（真実接触面）が電気的通電を担う。真実接触面は、錫メッキ層の表面に出来る酸化膜が破壊され、錫同士が接触する点（オーミック点）に形成される。

　特許文献２の構造では、インデント部６０５４とタブ部６０６１の接触面間の接触荷重によって酸化膜を破壊する。そのため、接点部の接触荷重（弾性撓み部６０５３の撓み復帰力）を大きくして酸化膜の破壊を促進することが考えられるが、弾性撓み部６０５３の撓み復帰力を大きくすると、端子６０５１，６０６０が大型化したり、複雑化する。

　ところで、特許文献２の構造では、メス端子７０５１のインデント部７０５４がほぼ球面形状であり、インデント部７０５４の外周面の頂点箇所でのみオス端子７０６０のタブ部７０６１と接触するため、みかけの接触面７０００Ｅ２（接触面径７０００Ｄ２）が小さい。又、双方の接触面は、みかけの接触面７０００Ｅ２（接触面径７０００Ｄ２）の全領域において実質的に接触しているわけではない。みかけの接触面７０００Ｅ２の内で実際にメッキ層同士が接触する面（真実接触面７０００Ａ）のみが電気的通電を担う。みかけの接触面７０００Ｅ２は、図３５Ａでは明確化のためハッチング表示する。

　特許文献２では、インデント部７０５４とタブ部７０６１の接触面は、共に平滑な面に形成されているため、双方の接触面は凹凸の少ない面である。このように凹凸の少ない面同士の接触では、酸化膜の破壊が促進されず、メッキ層同士の接触点（真実接触面７０００Ａ）が少ない。従って、図３５Ｂに示すように、みかけの接触面７０００Ｅ２の範囲内の真実接触面７０００Ａの数が少なくなる。つまり、特許文献２では、みかけの接触面７０００Ｅ２が小さく、且つ、みかけの接触面７０００Ｅ２内の真実接触面７０００Ａの数が少ないため、接触抵抗が大きくなる。

　ここで、みかけの接触面径を大きくして接触抵抗の低減を図るため、弾性撓み部７０５３の撓み復帰力（接触荷重）を大きくしたり、接点部（インデント部７０５４）を大型化したりすることが考えられるが、端子７０５１，７０６０が大型化したり、複雑化する。

　本発明は、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供することを目的とする。

　実施形態に係る接点接続構造は、第１の母材と前記第１の母材の第１の外面に形成された第１のメッキ層とを含む第１接点部であって、突出するインデント部を有する第１接点部と、第２の母材と前記第２の母材の第２の外面に形成された第２のメッキ層とを含む第２接点部とを備える。前記第１接点部と前記第２接点部とは、端子挿入完了位置において、互いに電気的に接続される。前記端子挿入完了位置における前記第１接点部の前記インデント部は、前記第２接点部の接触面に接触荷重によって接触する。前記インデント部の前記第１の母材の前記第１の外面と前記接触面の箇所の前記第２の母材の前記第２の外面との少なくとも一方は、凹凸を有する。

　上記構成によれば、インデント部の母材とインデント部が接触する第２接点部の箇所の母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上にメッキ層が形成されている。このため、インデント部が第２接点部の接触面に接触荷重によって接触したとき、第１接点部と第２接点部との少なくとも一方のメッキ層の金属が移動するのを抑制される。

　このように、第１接点部と第２接点部との少なくとも一方の、メッキ層の金属の移動が抑制されることにより、酸化膜の割れ目にメッキ層の金属（例えば、錫）が入り込み、メッキ層同士の接触部を多くして、メッキ層同士の接触面を広くすることができる。

　したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。

図１は、関連技術に係る、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図２Ａは、関連技術に係る、メス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。図２Ｂは、関連技術に係る、オス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。図３は、関連技術に係る、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。図４は、関連技術に係る、インデント部がタブ部に接触した状態を示す概略断面図である。図５Ａは、図４の部分１０００ｘの拡大断面図である。図５Ｂは、図４の部分１０００ｚの拡大断面図である。図６は、関連技術に係る、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図７は、関連技術に係る、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図８Ａは、関連技術に係る、メス端子の接点部の要部側面図である。図８Ｂは、図８Ａの２０００Ｃ矢視図である。図９Ａは、関連技術に係る、オス端子の接点部の要部側面図である。図９Ｂは、関連技術に係る、オス端子の接点部の要部平面図である。図１０は、関連技術に係る、接点接続箇所の要部側面図である。図１１Ａは、関連技術に係る、みかけの接触面を示す図である。図１１Ｂは、関連技術に係る、真実接触面を示す図である。図１２は、関連技術に係る、端子挿入前の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図１３は、関連技術に係る、端子挿入完了位置の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図１４は、関連技術に係る、メス端子とオス端子の接点接続要部拡大図である。図１５は、端子のメッキ層を示す概略図である。図１６は、関連技術に係る、端子挿入前の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図１７は、関連技術に係る、端子挿入完了位置の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図１８は、関連技術に係る、メス端子とオス端子の接点接続要部拡大図である。図１９は、端子のメッキ層を示す概略図である。図２０は、関連技術に係る、端子挿入前の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図２１は、関連技術に係る、端子挿入完了位置の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図２２は、関連技術に係る、メス端子とオス端子の接点接続要部拡大図である。図２３は、端子のメッキ層を示す概略図である。図２４は、関連技術に係る、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図２５は、関連技術に係る、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図２６Ａは、関連技術に係る、メス端子の弾性撓み部の要部側面図である。図２６Ｂは、図２６Ａの６０００Ｂ部矢視図である。図２７Ａは、関連技術に係る、オス端子のタブ部の要部側面図である。図２７Ｂは、関連技術に係る、オス端子のタブ部の要部平面図である。図２８は、関連技術に係る、接点接続箇所の要部側面図である。図２９は、関連技術に係る、みかけの接触面径を示す図である。図３０は、関連技術に係る、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図３１は、関連技術に係る、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図３２Ａは、関連技術に係る、メス端子の接点部の要部側面図である。図３２Ｂは、図３２Ａの７０００Ｃ矢視図である。図３３Ａは、関連技術に係る、オス端子の接点部の要部側面図である。図３３Ｂは、関連技術に係る、オス端子の接点部の要部平面図である。図３４は、関連技術に係る、接点接続箇所の要部側面図である。図３５Ａは、関連技術に係る、みかけの接触面を示す図である。図３５Ｂは、関連技術に係る、真実接触面を示す図である。図３６は、本発明の第１実施形態に係る、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図３７Ａは、第１実施形態に係る、メス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。図３７Ｂは、第１実施形態に係る、オス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。図３８は、第１実施形態に係る、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。図３９は、第１実施形態に係る、インデント部がタブ部に接触した状態を示す概略断面図である。図４０Ａは、図３９の部分１００ｘの拡大断面図である。図４０Ｂは、図３９の部分１００ｚの拡大断面図である。図４１は、本発明の第２実施形態に係る、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図４２Ａは、第２実施形態に係る、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図４２Ｂは、第２実施形態に係る、接点接続箇所の要部断面図である。図４２Ｃは、第２実施形態に係る、みかけの接触面と真実接触面を示す図である。図４３Ａは、第２実施形態に係る、オス端子の接点部の要部平面図である。図４３Ｂは、図４３Ａの２００Ａ－２００Ａ線断面図である。図４４Ａは、本発明の第３実施形態に係る、オス端子の接点部の要部平面図である。図４４Ｂは、図４４Ａの２００Ｂ－２００Ｂ線断面図である。図４４Ｃは、第３実施形態に係る、みかけの接触面と真実接触面を示す図である。図４５は、本発明の第４実施形態に係る、端子挿入前の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図４６は、第４実施形態に係る、端子挿入完了位置の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図４７は、第４実施形態に係る、メス端子とオス端子の接点接続要部拡大図である。図４８は、図４７に示す３００Ａ－３００Ａ線断面図である。図４９は、本発明の第５実施形態に係る、メス端子とオス端子の接点接続要部拡大断面図である。図５０は、本発明の第６実施形態に係る、メス端子とオス端子の接点接続要部拡大断面図である。図５１Ａは、第６実施形態に係る、オス端子の要部拡大図である。図５１Ｂは、図５１Ａに示す３００Ｂ－３００Ｂ線断面図である。図５２Ａは、図５１Ｂに示す酸化膜削取部の変形例を示す断面図である。図５２Ｂは、図５１Ｂに示す酸化膜削取部の変形例を示す断面図である。図５３は、本発明の第７実施形態に係る、オスコネクタ部の斜視図である。図５４Ａは、第７実施形態に係る、オスコネクタ部の正面図である。図５４Ｂは、図５４Ａの４００Ａ－４００Ａ線断面図である。図５５は、第７実施形態に係る、メス端子の斜視図である。図５６は、第７実施形態に係る、メスコネクタ部の斜視図である。図５７Ａは、第７実施形態に係る、メスコネクタ部の正面図である。図５７Ｂは、図５７Ａの４００Ｂ－４００Ｂ線断面図である。図５８は、第７実施形態に係る、オス端子の斜視図である。図５９は、第７実施形態に係る、嵌合したコネクタの斜視図である。図６０Ａは、第７実施形態に係る、嵌合したコネクタの正面図である。図６０Ｂは、図６０Ａの４００Ｃ－４００Ｃ線断面図である。図６１は、第７実施形態に係る、端子挿入完了位置の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図６２は、第７実施形態に係る、メス端子とオス端子の嵌合前にショットピーニング加工を施している状態を説明する説明図である。図６３は、第７実施形態に係る、メス端子とオス端子の酸化膜が破壊されてメッキ金属同士が接触する状態を説明する説明図である。図６４は、本発明の第８実施形態に係る、端子挿入前の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図６５は、第８実施形態に係る、端子挿入完了位置の状態を示すメス端子とオス端子の断面図である。図６６は、第８実施形態に係る、インデント部や第２接点部に形成された酸化膜が破壊される状態を説明する説明図である。図６７は、第８実施形態に係る、インデント部や第２接点部に形成された酸化膜が破壊されてメッキ金属同士が接触する状態を説明する説明図である。図６８は、第８実施形態に係る、インデント部に形成された凸部を模式的に示す斜視図である。図６９は、第８実施形態に係る、インデント部に形成された凸部の第１変形例を模式的に示す斜視図である。図７０は、第８実施形態に係る、インデント部に形成された凸部の第２変形例を模式的に示す斜視図である。図７１は、本発明の第９実施形態に係る、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図（錫メッキ層は不図示）である。図７２Ａは、第９実施形態に係る、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図（錫メッキ層は不図示）である。図７２Ｂは、第９実施形態に係る、接点接続箇所の要部断面図である。図７３Ａは、第９実施形態に係る、メス端子の弾性撓み部の要部断面図である。図７３Ｂは、図７３Ａの６００Ａ矢視図である。図７４は、第９実施形態に係る、オス端子のタブ部の要部断面図である。図７５は、本発明の第１０実施形態に係る、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。図７６Ａは、第１０実施形態に係る、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。図７６Ｂは、第１０実施形態に係る、接点接続箇所の要部断面図である。図７６Ｃは、第１０実施形態に係る、みかけの接触面と真実接触面を示す図である。図７７Ａは、第１０実施形態に係る、メス端子のインデント部の斜視図である。図７７Ｂは、第１０実施形態に係る、オス端子の接点部の要部平面図である。図７７Ｃは、図７７Ｂの７００Ａ－７００Ａ線断面図である。図７８Ａは、第１０実施形態の第１変形例に係るインデント部の斜視図である。図７８Ｂは、第１０実施形態の第２変形例に係るインデント部の斜視図である。図７８Ｃは、第１０実施形態の第３変形例に係るインデント部の斜視図である。

　（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態を、図３６～図４０Ｂを参照して詳細に説明する。

　図３６において、メス端子（第１端子）１０１は、メス側コネクタハウジング（図示省略）内の端子収容室に配置（収容）されている。メス端子１０１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば、銅合金材；成形材）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１０１は、第１接点部である箱部１０２を有している。箱部１０２は、前方（図３６の左側）が開口した方形状である。箱部１０２内には、箱部１０２の前方上面部より折り曲げられ、前方から後方へ延びた弾性撓み部１０３が配置されている。

　弾性撓み部１０３には、箱部１０２の底面部１０２ａ側に向かって突出するほぼ球面形状のインデント部１０４が設けられている。インデント部１０４は、中心の頂点が最下方に位置し、弾性撓み部１０３の弾性変形によって上方に変位する。弾性撓み部１０３と、固定面部である箱部１０２の底面部１０２ａとは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部１０３と、箱部１０２の底面部１０２ａとの間に、図３６に示すオス端子１１１が挿入される。

　メス端子１０１は、図３７Ａに示すように、導電性金属の母材１０１Ａの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層１０１Ｂが設けられている。メッキ層１０１Ｂの外面側に酸化膜１０１Ｃが形成される。

　図３６において、オス端子（第２端子）１１１は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置（収容）されている。オス端子１１１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば、銅合金材；成形材）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１１１は、第２接点部であるタブ部１１２を有している。タブ部１１２は、フラットな板形状である。

　オス端子１１１は、図３７Ｂに示すように、導電性金属の母材１１１Ａと、導電性金属の母材１１１Ａの外面の全域に設けられたメッキ層１１１Ｂと、メッキ層１１１Ｂの外面側に形成された酸化膜１１１Ｃとで構造されている。

　母材１１１Ａの外面には、凹凸１１１ｄが設けられている。凹凸１１１ｄは、例えば、母材１１１Ａの圧延時に形成される。そして、凹凸１１１ｄは、母材表面粗度を粗くすることによって形成され、規則正しく縦横に整列させて設けたり、ランダムに設けたり、一定の大きさの凹凸であったり、大きさの異なる凹凸であってもよい。

　次に、メス端子１０１とオス端子１１１との接続について説明する。図３６の位置に位置するオス端子１１１のタブ部１１２をメス端子１０１の箱部１０２内へ挿入すると、タブ部１１２に押されることによって弾性撓み部１０３が撓み変形することにより、タブ部１１２の挿入が許容される。

　タブ部１１２の挿入過程では、弾性撓み部１０３のインデント部１０４がタブ部１１２の接触面１１２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図３８に示すように、弾性撓み部１０３のインデント部１０４がタブ部１１２の接触面１１２ａに接触する。

　上記のように、インデント部１０４がタブ部１１２の接触面１１２ａ上に接触すると、弾性撓み部１０３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図３９に示すように、インデント部１０４に形成された酸化膜１０１Ｃが破壊されるとともに、タブ部１１２に形成されたメッキ層１１１Ｂが押し込まれることによって酸化膜１１１Ｃが破壊（切断）される。

　図３９の部分１００ｘ（インデント部１０４の先端部分；タブ部１１２に形成された凹部の底部分）では、インデント部１０４の接触荷重１００Ｆによって酸化膜１１１Ｃをメッキ層１１１Ｂへ押し込む。ここで、接触荷重１００Ｆを受けると、メッキ層１１１Ｂの金属は、外側に逃げようとするが、母材１１１Ａの凹部内の金属は、図３７Ｂの矢印１００ｂで示すように、両側の凸部によって外側に逃げることができず、凹部内の金属の矢印１００ａ方向の反力が高くなる。これにより、図４０Ａに示すように、酸化膜１０１Ｃ，１１１Ｃに割れ目１０１Ｃａ，１１１Ｃａが発生し、割れ目１０１Ｃａ，１１１Ｃａへの金属の入り込みが促進される。これにより、金属同士の接触箇所が多くなる。

　図３９の部分１００ｙ（タブ部１１２に形成された凹部の中腹周回部分）では、部分１００ｘがメッキ層１１１Ｂ側に押し込まれることによって、メッキ層１１１Ｂの伸び量が大きい。そのため、メッキ層１０１Ｂ，１１１Ｂに割れ目ができ易い箇所であるが、母材１１１Ａの凹凸１１１ｄによっておよび上記した理由によって酸化膜１０１Ｃ，１１１Ｃの割れ目１０１Ｃａ，１１１Ｃａの発生が促進される。したがって、母材１１１Ａの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。

　図３９の部分１００ｚ（タブ部１１２に形成された凹部の上端周回部分）では、小さな接触荷重しか作用しないため、酸化膜１１１Ｃの伸びが小さいものの、母材１１１Ａの凹凸１１１ｄによっておよび上記した理由によって酸化膜１０１Ｃ，１１１Ｃの割れ目１０１Ｃａ，１１１Ｃａが発生する。したがって、母材１１１Ａの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。

　このように、母材１１１Ａに凹凸１１１ｄを形成する（設ける）ことにより、メッキ層１１１Ｂの金属の移動が抑制されるため、酸化膜１０１Ｃ，１１１Ｃの割れ目１０１Ｃａ，１１１Ｃａにメッキの金属が入り込み、金属同士の接触部を多くして、金属同士の接触面を広くすることができる。

　第１実施形態によれば、メス端子１０１の母材１１１Ａの外面に凹凸１１１ｄを設け、凹凸１１１ｄ上にメッキ層１１１Ｂを形成している。これにより、インデント部１０４がタブ部１１２の接触面１１２ａに接触荷重１００Ｆによって接触したとき、メッキ層１１１Ｂの金属が移動するのが抑制される。

　このように、メッキ層１１１Ｂの金属の移動が抑制されることにより、酸化膜１０１Ｃ，１１１Ｃの割れ目１０１Ｃａ，１１１Ｃａにメッキ層１０１Ｂ，１１１Ｂの金属が入り込み、メッキ層１０１Ｂ，１１１Ｂ同士の接触部を多くして、メッキ層１０１Ｂ，１１１Ｂ同士の接触面を広くすることができる。

　第１実施形態では、メス端子１０１を、表面に凹凸１１１ｄが形成された母材１１１Ａにメッキ層１１１Ｂを形成した例で説明したが、オス端子を、表面に凹凸が形成された母材にメッキを形成しても、同様な効果を得ることができる。

　したがって、メス端子（第１接点部）とオス端子（第２接点部）との少なくとも一方を、表面に凹凸が形成された母材にメッキ層を形成しても、同様な効果を得ることができる。

　以下、本発明の第２及び第３実施形態について、図４１～図４４Ｃを参照して詳細に説明する。

　（第２実施形態）
　図４１～図４３Ｂは、本発明の第２実施形態を示す。第１端子であるメス端子と第２端子であるオス端子間に本発明に係る接点接続構造が適用されている。以下、説明する。

　メス端子２０１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子２０１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子２０１の外面には、錫メッキ層（図示せず）が形成されている。メス端子２０１は、オス端子２１０が挿入される前方を開口した方形状の箱部２０２と、箱部２０２の上面部より延設され、箱部２０２内に配置された弾性撓み部２０３とを有する。弾性撓み部２０３には、底面側に向かって突出するインデント部２０４が設けられている。インデント部２０４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。メス端子２０１は、弾性撓み部２０３と箱部２０２の底面部２０２ａが第１接点部を形成している。

　オス端子２１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子２１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子２１０の外面には、錫メッキ層（図示せず）が形成されている。オス端子２１０は、平板状のタブ部２１１を有する。オス端子２１０は、タブ部２１１が第２接点部を形成している。タブ部２１１の上面側（接触面側）には、端子挿入完了位置のインデント部２０４が位置する領域に表面粗さが粗い面２１２、つまり、凹凸面に形成されている。

　表面粗さの粗い面２１２は、第１実施形態では、放電目パターンの凹凸である。放電目パターンの凹凸面は、タブ部２１１の接触面に放電目を残した金型をプレスすることにより簡単に作製できる。表面粗さの粗い面２１２は、算術平均粗さＲａでは、２．５μｍ＜Ｒａ＜５μｍの範囲である。

　上記構成において、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子２１０のタブ部２１１がメス端子２０１の箱部２０２に挿入する。すると、先ずタブ部２１１の先端が弾性撓み部２０３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部２０３が撓み変形してタブ部２１１の挿入が許容される。タブ部２１１の挿入過程では、タブ部２１１が弾性撓み部２０３のインデント部２０４上を摺動する。端子挿入完了位置（コネクタかん合完了位置）では、図４２Ｂに示すように、弾性撓み部２０３のインデント部２０４がタブ部２１１の表面粗さの粗い面２１２上に位置する。インデント部２０４の両店箇所とタブ部２１１の表面粗さの粗い面２１２で接触する。

　この接点接続構造では、オス端子２１０のタブ部２１１の接触面は、表面粗さの粗い面２１２に形成されている。表面粗さの粗い面２１２には、その表面に多数の凸形状ができ、その多数の凸形状の箇所で確実に接触し、多数の真実接触面が得られる。従って、インデント部２０４とタブ部２１１との接触面は、双方が平滑な面の場合に比べて、みかけの接触面径２００Ｄ１が従来と同じでもその範囲内の真実接触面２００Ａの数が多くなる。以上より、メス端子２０１、オス端子２１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　次に、Ｈｏｌｍの接触理論式によって接触抵抗が小さくなることを説明する。Ｈｏｌｍの接触理論式によれば、接触抵抗Ｒは、Ｄ：みかけの接触面径（直径）ρ：接点材料の抵抗率、ａ：真実接触面の半径、ｎ：真実接触面の数とすると、Ｒ＝（ρ／Ｄ）＋（ρ／２ｎａ）によって算出される。本実施形態では、従来より真実接触面２００Ａの数が多くなるため、接触抵抗が小さくなる。

　（第３実施形態）
　図４４Ａ～４４Ｃは、第３実施形態を示す。第３実施形態は、第２実施形態と比較して、表面粗さの粗い面２１２の構成のみが相違する。つまり、第３実施形態では、表面粗さの粗い面２１２は、タブ部２１１の接触面に多数の微小突起２１２ａを突設することによって形成されている。微小突起２１２ａの高さｈは、２．５μｍ＜ｈ＜５μｍの範囲である。微小突起２１２ａ間のピッチ間隔ｄは、５μｍ＜ｄ＜２０μｍの範囲である。

　他の構成は、前記第２実施形態と同様であるため、重複説明を省略する。

　第３実施形態でも、第２実施形態と同様に、みかけの接触面径２００Ｄ１内の真実接触面２００Ａの数が多くなり、メス端子２０１、オス端子２１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　第２及び第３実施形態では、各インデント部２０４はその外周面が球面形状であるが、各インデント部２０４の外周面の形状は限定されない。例えば、各インデント部２０４の外周面は、頂点を最も高い位置とし、外周に向かうに従って滑らかな曲面によって徐々に低くなる曲面形状でも、楕円球面でも、円錐形状でも、角錐形状でも良い。

　上記のように、接点接続構造が、インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを有する。端子挿入過程では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動する。端子挿入完了位置では、前記インデント部の外周面が前記第２接点部に接触する。前記第２接点部の接触面は、表面粗さの粗い面に形成されている。

　また、表面粗さの粗い面は、放電目パターンの凹凸により形成されていてもよい。

　また、表面粗さの粗い面は、前記第２接点部の接触面に多数の微小突起を突設して形成されていてもよい。

　上記構成によれば、第２接点部の表面粗さによって多数の凸形状が形成され、この多数の凸形状の箇所では確実に接触する。このため、インデント部と第２接点部の接触面は、双方が平滑な面の場合に比べて、インデント部と第２接点部間の真実接触面が多くなる。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　以下、本発明の第４～６実施形態について、図４５～図５２Ｂを参照して詳細に説明する。

　（第４実施形態）
　図４５～図４８を用いて第４実施形態について説明する。

　図４５に示すように、第４実施形態に係る端子接続構造が用いられる端子は、メス端子３０１と、オス端子３０２とからなっている。メス端子３０１は、図示しないメス側コネクタハウジング内の端子収容室に配置されている。

　メス端子３０１は、表面に錫メッキが施されており、第１接点部としての箱部３０３を備えている。

　箱部３０３は、前方が開口された方形状に形成されおり、上面が内方へ折り曲げられて形成される弾性撓み部３０５ａと、下面から上面へ向けて突設する底面部３０５ｂとを備えている。

　弾性撓み部３０５ａは、弾性を有しており、箱部３０３の上面から下面へ向けて傾斜して形成されている。弾性撓み部３０５ａの表面には、底面側へ向けて突出するインデント部３０７が形成されている。

　インデント部３０７は、弾性撓み部３０５ａから球面状に突出しており、中心位置が球面状の最下方に位置している。インデント部３０７は、弾性撓み部３０５ａに形成されているため、上下方向へ変位可能である。

　底面部３０５ｂは、インデント部３０７と略対向する位置に所定の間隔を空けて形成されており、底面部３０５ｂと、インデント部３０７との間にオス端子３０２が挿入される。

　オス端子３０２は、表面に錫メッキが施されており、第２接点部としてのタブ部３０４を備えている。

　タブ部３０４は、先端がメス端子３０１の底面部３０５ｂとインデント部３０７との間に挿入される。タブ部３０４の表面には、酸化膜削取部３０６が形成されている。この酸化膜削取部３０６は、メス端子３０１に挿入されたタブ部３０４とインデント部３０７が当接する箇所に設けられている。

　酸化膜削取部３０６は、オス端子３０２の挿入方向に沿って延びて設けられており、複数の突部３６１（突形状）が連なる形状となっている。突部３６１の先端部３０８は、鋭角に形成されている。また、突部３６１は、隣接する突部３６１と間隔を空けて複数設けられている。

　次に、メス端子３０１とオス端子３０２の挿入について説明する。

　図４５に示すように、オス端子３０２のタブ部３０４をメス端子３０１の箱部３０３の開口側から挿入する。箱部３０３の開口から挿入されたタブ部３０４は、インデント部３０７と底面部３０５ｂとの間に挿入される。タブ部３０４がインデント部３０７と底面部３０５ｂに摺動し、弾性撓み部３０５ａを上方へ押し上げてインデント部３０７と底面部３０５ｂとが離間する方向へ弾性変形する。

　さらにタブ部３０４をメス端子３０１に挿入すると、図４６に示す端子挿入完了位置に達する。端子挿入完了位置に達する前には、タブ部３０４に形成された酸化膜削取部３０６の突部３６１の先端部３０８がインデント部３０７の表面に線接触する。

　突部３６１の先端部３０８がインデント部３０７の同一箇所を摺動するため、インデント部３０７の表面に生成される酸化膜を破壊する。また、タブ部３０４に生成される酸化膜は、インデント部３０７に摺接することで破壊される。そして、酸化膜が破壊された箇所からメッキ層がにじみ出ることによって、メス端子３０１とオス端子３０２の表面に施された錫メッキ同士が接触する。

　第４実施形態によれば、オス端子３０２をメス端子３０１に挿入する際に、オス端子３０２に設けられた酸化膜削取部３０６がメス端子３０１のインデント部３０７に線接触することによって、インデント部３０７とオス端子３０２の接触面に生成された酸化膜を破壊する。

　そして、酸化膜の破壊された箇所から錫メッキ層がにじみ出ることにより、メス端子３０１とオス端子３０２のメッキ金属同士の接触を得ることができる。したがって、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することができる。

　また、酸化膜削取部３０６の突部３６１の先端部３０８が鋭角に形成されているため、先端部３０８がインデント部３０７の酸化膜を破壊することができ、より確実にメッキ金属同士の接触を得ることができる。

　（第５実施形態）
　図４９を用いて第５実施形態について説明する。なお、第４実施形態と同様の構成については、同様の符号を付して説明を省略する。

　第５実施形態に係る接点接続構造の酸化膜削取部３０６は、第２接点部としてのタブ部３０４の接触面にインデント部３０７の挿入方向に沿って延びて間隔をおいて複数設けられた溝部３１１から形成されている。

　図４９に示すように、溝部３１１はＶ字状となっており、隣り合う溝部３１１，３１１間に位置する角部３１３（ここでは頂部）となっており、角部３１３の先端は鋭角に形成されている。

　酸化膜削取部３０６の角部３１３は、タブ部３１１を箱部３０３に挿入し、インデント部３０７に到達するときに、インデント部３０７の表面に線接触しながら摺動する。

　この角部３１３とインデント部３０７との摺動により、インデント部３０７の表面に生成される酸化膜は角部３１３により削り取られ破壊される。また、タブ部３０４に生成される酸化膜も、インデント部３０７に摺接することで破壊される。そして、酸化膜が破壊された箇所からメッキ層がにじみ出ることによって、メス端子３０１とオス端子３０２の表面に施された錫メッキ同士が接触する。

　第５実施形態によれば、第４実施形態と同様に、オス端子３０２をメス端子３０１に挿入する際に、オス端子３０２に設けられた酸化膜削取部３０６がメス端子３０１のインデント部３０７に線接触することによって、インデント部３０７とオス端子３０２の接触面に生成された酸化膜を破壊する。

　また、酸化膜削取部３０６は、隣り合う溝部３１１，３１１間に位置する角部３１３であるので、酸化膜削取部３０６がタブ部２０４の接触面から突出することがなく、端子の大型化を抑制することができる。

　（第６実施形態）
　図５０～図５２Ｂを用いて第６実施形態について説明する。なお、第４、５実施形態と同様の構成については、同様の符号を付して説明を省略する。

　第６実施形態に係る接点接続構造の酸化膜削取部３０６は、図５０，図５１に示すように、タブ部３０４のインデント部３０７が位置する接触面に、弾性撓み部３０５ａの接触面から球面状に突設されたインデント部３０７の円周部と同様の形状を有する環状の円弧部３１５から形成されている。円弧部３１５は、タブ部３０４の表面より突出しており、円弧部３１５，３１５の先端は、鋭角に形成されている。

　このような円弧部３１５，３１５からなる酸化膜削取部３０６は、タブ部３１１を箱部３０３に挿入し、インデント部３０７に到達するときに、インデント部３０７の円周部の表面に線接触しながら摺動する。

　ここで、インデント部３０７の表面においては、中心部近傍に生成される酸化膜よりも円周部近傍に生成される酸化膜の方が割れやすいことがわかっている。

　このため、インデント部３０７の円周部に沿って湾曲された円弧部３１５，３１５からなる酸化膜削取部６をインデント部３０７の円周部に摺動させることにより、インデント部３０７の表面に生成される酸化膜を削り取り、酸化膜の破壊を促進することができる。

　なお、タブ部３０４に生成される酸化膜は、インデント部３０７に摺接することで破壊される。そして、酸化膜が破壊された箇所からメッキ層がにじみ出ることによって、メス端子３０１とオス端子３０２の表面に施された錫メッキ同士が接触する。

　ここで、円弧部３１５，３１５としては、図５２Ａ、５２Ｂに示すように、タブ部３０４のインデント部３０７が位置する接触面に環状の溝部３１７を設け、溝部３１７の角部３１９を円弧部３１５として酸化膜削取部３０６を構成してもよい。

　なお、溝部３１７の形状は、図５２Ａ，５２Ｂに示すように、Ｖ字状や凹字状など、角部３１９を有する形状であればどのような形状であってもよい。

　第６実施形態によれば、第４、５実施形態と同様に、オス端子３０２をメス端子３０１に挿入する際に、オス端子３０２に設けられた酸化膜削取部３０６がメス端子３０１のインデント部３０７に線接触することによって、インデント部３０７とオス端子３０２の接触面に生成された酸化膜を破壊する。

　また、酸化膜削取部３０６は、インデント部３０７の円周部に沿って湾曲された円弧部３１５を有するので、円弧部３１５によってインデント部３０７の円周部に生成される割れやすい酸化膜の破損を促進することができ、より確実にメッキ金属同士の接触を得ることができる。

　なお、第６実施形態では、弾性撓み部３０５ａとタブ部３０４の表面に錫メッキ層が形成されているが、錫以外の酸化膜が形成されるメッキ層であれば同様の効果が得られる。

　また、第６実施形態では、酸化膜削取部が円弧部のみから形成されているが、例えば、円弧部で囲まれた中央部に端子の挿入方向に沿って延びる突部を酸化膜削取部としてもよく、酸化膜削取部は複数の組み合わせによって構成されてもよい。

　なお、タブ部３０４に形成される、酸化膜削取部３０６の形状は上記の形態に限られない。例えば、格子形状でもよいし、ヤスリの様に複数の突部を設けた形状でもよい。

　上記のように、接点接続構造が、インデント部が突設され、表面にメッキ層が形成された第１接点部と、表面にメッキ層が形成された第２接点部とを有する。前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動する。端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する。前記第２接点部の接触面には、酸化膜削取部が設けられている。

　上記構成によれば、第２接点部を第１接点部に挿入する際に、第２接点部に設けられた酸化膜削取部が第１接点部のインデント部に接触することによって、インデント部と第２接点部の接触面に生成された酸化膜を破損する。そして、酸化膜の破壊された箇所において、第１接点部と第２接点部のメッキ金属同士の接触を得ることができる。したがって、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することができる。

　また、前記酸化膜削取部は、突形状からなり先端部が鋭角に形成されていてもよい。

　上記構成によれば、酸化膜削取部の先端部が鋭角に形成されているため、先端部によってインデント部の酸化膜を削り取って破損させることができ、より確実にメッキ金属同士の接触を得ることができる。

　また、前記酸化膜削取部は、前記インデント部の挿入方向に沿って延びて間隔をおいて複数設けられた突部を有してもよい。

　上記構成によれば、酸化膜削取部６が、インデント部の挿入方向に沿って延びて間隔をおいて複数設けられた突部を有するので、突部が第１接点部のインデント部に線接触することによって、インデント部と第２接点部の接触面に生成された酸化膜を破損することができ、メッキ金属同士の接触を得ることができる。

　また、前記酸化膜削取部は、前記第２接点部の接触面に前記インデント部の挿入方向に沿って延びて間隔をおいて複数設けられた溝部の隣り合う前記溝部間に位置する角部を有してもよい。

　上記構成によれば、酸化膜削取部が隣り合う溝部間に位置する角部を有するので、突部が第２接点部の接触面から突出することがなく、端子の大型化を抑制することができる。

　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の接点接続構造であって、
　また、前記酸化膜削取部は、前記インデント部の円周部に沿って湾曲された円弧部を有してもよい。

　上記構成によれば、酸化膜削取部がインデント部の円周部に沿って湾曲された円弧部を有するので、円弧部によってインデント部の円周部に生成される割れやすい酸化膜の破損を促進することができ、より確実にメッキ金属同士の接触を得ることができる。

　（第７実施形態）
　以下、本発明の第７実施形態について、図５３～６３を参照して詳細に説明する。

　第７実施形態にかかるコネクタ４１０は、図５９および図６０Ａ、６０Ｂに示すように、オスコネクタ部４２０とメスコネクタ部４４０とで構成されている。

　オスコネクタ部４２０は、図５３～図５５に示すように、第１コネクタハウジングであるオスコネクタハウジング４２１を備えている。オスコネクタハウジング４２１内には、複数の端子収容室４２２が設けられている。そして、各端子収容室４２２の前方側には、相手端子挿入口４２２ａが設けられている。一方、各端子収容室４２２の後方側には、電線引出口４２２ｂが設けられている。

　各端子収容室４２２には、第１端子であるメス端子４３０が収容されている。メス端子４３０は、電線引出口４２２ｂから端子収容室４２２に挿入されるものである。メス端子４３０は、端子収容室４２２の所定位置で固定されている。

　メス端子４３０は、表面に錫メッキが施されており、箱部（第１接点部）４３１と電線圧着部４３２とを備えている。

　箱部４３１は、前方が開口された方形状に形成されおり、上面が内方へ折り曲げられて形成される弾性撓み部４３１ａと、下面から上面へ向けて突設する底面部４３１ｃとを備えている。

　弾性撓み部４３１ａは、弾性を有しており、箱部４３１の上面から下面へ向けて傾斜して形成されている。弾性撓み部４３１ａの表面には、底面側へ向けて突出するインデント部４３１ｂが形成されている。

　インデント部４３１ｂは、弾性撓み部４３１ａから球面状に突出しており、中心位置が球面状の最下方に位置している。インデント部４３１ｂは、弾性撓み部４３１ａに形成されているため、上下方向へ変位可能である。

　底面部４３１ｃは、インデント部４３１ｂと略対向する位置に所定の間隔を空けて形成されており、底面部４３１ｃと、インデント部４３１ｂとの間にオス端子４５０が挿入されるようになっている。

　電線圧着部４３２には、電線Ｗの端部が圧着によって接続されている。具体的には、電線４００Ｗは、芯材部４００Ｗ１と被覆部４００Ｗ２とを備えている。電線４００Ｗの端部の芯材部４００Ｗ１を露出させた状態で電線圧着部４３２を圧着させることで、箱部４３１が電線４００Ｗに電気的に接続されるようにしている。

　オスコネクタハウジング４２１の上面には、係止部である係止突部４２３が突設されている。係止突部４２３は、オスコネクタ嵌合方向Ｍの先端側がテーパ面４２３ａに、オスコネクタ嵌合方向４００Ｍの後端側が垂直面４２３ｂにそれぞれ形成されている。テーパ面４２３ａは、コネクタ４１０の嵌合開始からコネクタ嵌合位置までの嵌合過程で、係止突部４２３のスムーズな移動を行うためのガイド面として機能するものである。一方、垂直面４０５ｂは、コネクタ嵌合位置では係止面として機能するものである。

　メスコネクタ部４４０は、図５６～図５８に示すように、第２コネクタハウジングであるメスコネクタハウジング４４１を備えている。メスコネクタハウジング４４１は、ハウジング本体部４４２と、ハウジング本体部４４２の前方側に一体に設けられたフード部４４３と、を備えている。

　ハウジング本体部４４２内には、複数の端子収容室４４４が設けられている。各端子収容室４４４の前方側には、端子突出口４４４ａが設けられている。一方、各端子収容室４４４の後方側には、電線引出口４４４ｂが設けられている。

　各端子収容室４４４には、第２端子であるオス端子４５０が収容されている。オス端子４５０は、電線引出口４４４ｂから端子収容室４４４に挿入されるものである。オス端子４５０は、端子収容室４４４の所定位置で固定されている。

　オス端子４５０は、表面に錫メッキが施されており、タブ部（第２接点部）４５１と電線圧着部４５２とを備えている。

　タブ部４５１は箱体４５１ａより前方に突出しており、端子突出口４４４ａよりフード部４４３内に突出されている。タブ部４５１は、先端がメス端子４３０の底面部４３１ｃとインデント部４３１ｂとの間に挿入されるものである。

　電線圧着部４５２には、電線４００Ｗの端部が圧着によって接続されている。具体的には、電線４００Ｗは、芯材部４００Ｗ１と被覆部４００Ｗ２とを備えており、電線４００Ｗの端部の芯材部４００Ｗ１を露出させた状態で電線圧着部４５２を圧着させることで、タブ部４５１が電線４００Ｗに電気的に接続されるようにしている。

　フード部４４３の内部には、前方面側が開口されたコネクタ嵌合室４４５が形成されている。コネクタ嵌合室４４５には、前方の開口よりオスコネクタハウジング４２１が嵌合されるようになっている。

　フード部４４３の上面部には、フード部４４３の開口端に達する一対のスリット４４６によって撓みアーム部４４７が一体に設けられている。撓みアーム部４４７は、一対のスリット４４６によってフード部４４３に対して撓み変形可能となるように形成されている。撓みアーム部４４７には、被係止部である係止穴４４８が形成されている。コネクタ４１０の嵌合位置では、係止穴４４８に係止突部４２３が係止されることによって双方のコネクタハウジング４２１，４４１間がロックされるようになっている。つまり、係止穴４４８と係止突部４２３とでコネクタロック手段が構成されている。

　撓みアーム部４４７には、テーパ面４４７ａが形成されており、テーパ面４４７ａを設けることで形成された隙間に図示せぬ解除用治具を挿入することで、嵌合したコネクタ４１０の解除作業が行われる。

　係止穴４４８は、オスコネクタ嵌合方向４００Ｍの後端側が垂直面４４８ｂに形成されている。垂直面４４８ｂは、コネクタ嵌合位置では係止面として機能する。

　次に、コネクタ４１０の嵌合動作を説明する。

　まず、オスコネクタハウジング４２１をメスコネクタハウジング４４１のコネクタ嵌合室４４５に挿入する。すると、オスコネクタハウジング４２１の係止突部４２３がメスコネクタハウジング４４１の撓みアーム部４４７の前端面に突き当たる。

　この状態より更にオスコネクタハウジング４２１を挿入すると、係止突部４２３のテーパ面４２３ａによって撓みアーム部４４７の前端側が上方に徐々に撓み変形し、上方に撓み変形した撓みアーム部４４７の下方を係止突部４２３が移動して、オスコネクタハウジング４２１がコネクタ嵌合室４４５に徐々に挿入される。

　そして、オスコネクタハウジング４２１がコネクタ嵌合室４４５のコネクタ嵌合位置まで挿入されると、各メス端子４３０と各オス端子４５０が適正な接触状態となり、且つ、係止突部４２３と係止穴４４８の位置が一致する。これにより、撓みアーム部４４７が撓み復帰変形して係止突部４２３が係止穴４４８に係止される。

　こうして、図５９および図６０Ａ，６０Ｂに示すように、コネクタ４１０が嵌合状態となり、完了する。このようなコネクタ４１０の嵌合状態にあっては、オスコネクタハウジング４２１側の係止突部４２３の垂直面４２３ｂとメスコネクタハウジング４４１側の係止穴４４８の垂直面４４８ｂが対向配置される。そして、この係止力がコネクタ４１０の嵌合力となり、コネクタ４１０間がロックされる。

　このとき、図６１に示すように、弾性撓み部４３１ａが撓み変形した状態で、オス端子４５０のタブ部４５１がメス端子４３０の箱部４３１に挿入される。

　このタブ部４５１の挿入過程では、タブ部４５１が弾性撓み部４３１ａのインデント部４３１ｂ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図６１に示すように、弾性撓み部４３１ａのインデント部４３１ｂとタブ部４５１の面が接触する。

　そして、かかる状態で、弾性撓み部４３１ａの撓み復帰力を接触荷重として、メス端子４３０のインデント部４３１ｂとオス端子４５０のタブ部４５１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子４３０とオス端子４５０間が通電する。

　このように、第７実施形態にかかる接点接続構造は、箱部（第１接点部）４３１の弾性撓み部４３１ａがタブ部（第２接点部）４５１の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、弾性撓み部４３１ａの少なくとも一部であるインデント部（接触部）４３１ｂが第２接点部４５１を押圧して接触するようにしたものである。

　ところで、弾性撓み部４３１ａとタブ部４５１の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されており、銅合金材の母材層４００Ａ（図１９の４０００Ａに相当）の外面側に銅／錫合金層４００Ｂ（図１９の４０００Ｂに相当）、錫メッキ層４００Ｃ（図１９の４０００Ｃに相当）が形成されるとともに、錫メッキ層４００Ｃの外面に酸化膜４００Ｄ（図１９の４０００Ｄに相当）が生成されている。

　酸化膜４００Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜４００Ｄ同士を接触させたとしても良好な電気的接続を得ることができない。

　したがって、インデント部４３１ｂとタブ部４５１の接触面間の接触荷重によって酸化膜４００Ｄを破壊して、酸化膜４００Ｄの破壊された箇所において、インデント部４３１ｂとタブ部４５１のメッキ金属同士を接触させて、より良好な電気的接続を得られるようにするのが一般的である。

　このとき、酸化膜４００Ｄの破壊をより促進させることができるようにするのがよい。

　そこで、第７実施形態では、酸化膜４００Ｄの破壊をより促進させることができるようにしている。

　具体的には、端子挿入前に、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄ、および、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄのうち少なくともいずれか一方の領域に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施すようにした。

　ショットピーニング加工としては、公知の方法を用いることができる。例えば、図６２に示すように、投射ノズル４６０からショット粒（所定の粒径を有する鋼球）４６１を、第１接点部４３１および第２接点部４５１の上述の箇所に噴射させるようにすることができる。なお、図６２では、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施したものを例示している。

　こうすることで、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄ、および、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄのうち少なくともいずれか一方の領域に形成される酸化膜４００Ｄに、機械的ダメージが与えられることとなる。

　なお、端子挿入前に、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄ、および、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄの両方にショットピーニング加工を施すようにしてもよい。こうすれば、酸化膜４００Ｄの破壊をより促進させることができるようになる。

　また、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施す場合、少なくとも、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面にショットピーニング加工が施されていればよく、この範囲に限定されるものではない。すなわち、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施す場合、インデント部（接触部）４３１ｂを含む広範囲にわたってショットピーニング加工を施すことも可能である。

　同様に、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施す場合、少なくとも、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面にショットピーニング加工が施されていればよく、この範囲に限定されるものではない。すなわち、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施す場合、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面を含む広範囲にわたってショットピーニング加工を施すことも可能である。

　次に、メス端子４３０とオス端子４５０とが電気的に接続される状態の一例を説明する。

　まず、オス端子４５０のタブ部４５１をメス端子４３０の箱部４３１の開口側から挿入する。このとき、箱部４３１の開口から挿入されたタブ部４５１は、インデント部４３１ｂと底面部４３１ｃとの間に挿入されることとなる。また、タブ部４５１がインデント部４３１ｂと底面部４３１ｃに摺動し、弾性撓み部４３１ａを上方へ押し上げてインデント部４３１ｂと底面部４３１ｃとが離間する方向へ弾性変形することとなる。

　さらに、タブ部４５１をメス端子４３０に挿入すると、タブ部４５１が図６１に示す端子挿入完了位置に達する。

　このように、端子挿入完了位置までタブ部４５１が挿入された状態では、弾性撓み部４３１ａに撓み復帰力が発生しており、この撓み復帰力によってインデント部４３１ｂとタブ部４５１の接触面間に接触荷重が働くこととなる。

　そして、インデント部４３１ｂとタブ部４５１の接触面間の接触荷重によって酸化膜４００Ｄが破壊され、酸化膜４００Ｄの破壊された箇所において、インデント部４３１ｂとタブ部４５１のメッキ金属同士の接触が得られ、メス端子４３０とオス端子４５０とが電気的に接続される。

　このとき、第７実施形態では、端子挿入前に、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄ、および、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄに、機械的ダメージを与えている。したがって、酸化膜４００Ｄにひび割れが生じやすくなって、メッキ層４００Ｃが酸化膜４００Ｄの隙間から表面に侵入しやすくなる（図６３参照）。

　このように、メッキ層４００Ｃが酸化膜４００Ｄの隙間から表面に侵入しやすくなることで、図６３に示すように、メッキ層４００Ｃ同士（インデント部４３１ｂとタブ部４５１のメッキ金属同士）の接触面積をより増大させることができ、より良好な電気的接続を得ることができるようになる。

　以上説明したように、第７実施形態の接点接続方法は、端子挿入前に、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄ、および、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄのうち少なくともいずれか一方の領域に形成される酸化膜４００Ｄにショットピーニング加工を施す工程を有している。

　こうすることで、第１接点部４３１のインデント部（接触部）４３１ｂの表面に形成される酸化膜４００Ｄ、および、第２接点部４５１における端子挿入完了位置でインデント部（接触部）４３１ｂが接触する領域表面に形成される酸化膜４００Ｄのうち少なくともいずれか一方の領域に形成される酸化膜４００Ｄに機械的ダメージが与えられる。

　そして、かかる状態で、タブ部４５１をメス端子４３０に挿入する（オス端子４５０とメス端子４３０とを嵌合させる）ようにすることで、酸化膜４００Ｄにひび割れが生じやすくなって、メッキ層４００Ｃが酸化膜４００Ｄの隙間から表面に侵入しやすくなる。

　その結果、メッキ層４００Ｃ同士（インデント部４３１ｂとタブ部４５１のメッキ金属同士）の接触面積をより増大させることができ、より良好な電気的接続を得ることができるようになる。

　また、このような接点接続方法を用いることで、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することのできる接点接続構造を得ることができる。特に、第７実施形態によれば、接点部間の接点圧力が小さくなってしまったとしても、酸化膜４００Ｄを破壊することができるようになるため、端子の小型化を図り易くなる。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。

　例えば、第７実施形態では、弾性撓み部４３１ａとタブ部４５１の表面に錫メッキ層が形成されたものを例示しているが、錫以外の酸化膜が形成されるメッキ層が形成されるようにしてもよい。この場合でも第７実施形態と同様の作用、効果を得ることができる。

　また、上述した領域以外の領域に形成された酸化膜４００Ｄにもショットピーニング加工を施すようにしてもよい。

　また、インデント部４３１ｂが設けられていない第１接点部４３１とすることも可能である。

　上記のように、接点接続方法において、弾性撓み部を有し、表面にメッキ層が形成された第１接点部と、表面にメッキ層が形成された第２接点部と、を備え、前記第１接点部の前記弾性撓み部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記弾性撓み部の少なくとも一部である接触部が前記第２接点部を押圧して接触する。接点接続方法は、端子挿入前に、前記第１接点部の前記接触部の表面に形成される酸化膜、および、前記第２接点部における端子挿入完了位置で前記接触部が接触する領域表面に形成される酸化膜のうち少なくともいずれか一方の領域に形成される酸化膜にショットピーニング加工を施す工程を備える。

　また、接点接続構造が、上記接点接続方法を用いて接続されるものである。

　上記構成によれば、端子を大型化したり、構造を極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減することのできる接点接続方法および接点接続構造を得ることができる。

　（第８実施形態）
　以下、本発明の第８実施形態について、図６４～７０を参照して詳細に説明する。

　図６４に示すように、第８実施形態の端子接続構造が用いられる端子は、メス端子５０１と、オス端子５０２とからなっている。メス端子５０１は、図示しないメス側コネクタハウジング内の端子収容室に配置されている。

　メス端子５０１は、表面に錫メッキが施されており、第１接点部としての箱部５０３を備えている。

　箱部５０３は、前方が開口された方形状に形成されおり、上面が内方へ折り曲げられて形成される弾性撓み部５０５ａと、下面から上面へ向けて突設する底面部５０５ｂとを備えている。

　弾性撓み部５０５ａは、弾性を有しており、箱部５０３の上面から下面へ向けて傾斜して形成されている。弾性撓み部５０５ａの表面には、底面側へ向けて突出するインデント部５０７が形成されている。

　インデント部５０７は、弾性撓み部５０５ａから球面状に突出しており、中心位置が球面状の最下方に位置している。インデント部５０７は、弾性撓み部５０５ａに形成されているため、上下方向へ変位可能である。

　底面部５０５ｂは、インデント部５０７と略対向する位置に所定の間隔を空けて形成されており、底面部５０５ｂと、インデント部５０７との間にオス端子５０２が挿入される。

　オス端子５０２は、表面に錫メッキが施されており、第２接点部としてのタブ部５０４を備えている。

　タブ部５０４は、先端がメス端子５０１の底面部５０５ｂとインデント部５０７との間に挿入される。

　ところで、弾性撓み部５０５ａとタブ部５０４の外面には、全域に亘って錫メッキ処理が施されており、銅合金材の母材層５００Ａ（図２３の５０００Ａに相当）の外面側に銅／錫合金層５００Ｂ（図２３の５０００Ｂに相当）、錫メッキ層５００Ｃ（図２３の５０００Ｃに相当）が形成されるとともに、錫メッキ層５００Ｃの外面に酸化膜５００Ｄ（図２３の５０００Ｄに相当）が生成されている。

　酸化膜５００Ｄは、錫や銅に比べて電気比抵抗が非常に高いため、酸化膜５００Ｄ同士を接触させたとしても良好な電気的接続を得ることができない。

　したがって、インデント部５０７とタブ部５０４の接触面間の接触荷重によって酸化膜５００Ｄを破壊して、酸化膜５００Ｄの破壊された箇所において、インデント部５０７とタブ部５０４のメッキ金属同士を接触させて、より良好な電気的接続を得られるようにするのが一般的である。

　このとき、酸化膜５００Ｄの破壊をより促進させることができるようにするのがよい。

　そこで、第８実施形態では、酸化膜５００Ｄの破壊をより促進させることができるようにしている。

　具体的には、インデント部５０７に、凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａを形成している。

　このように、インデント部５０７に、凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａを形成することで、インデント部５０７とタブ部５０４の接触面間に接触荷重が働いた際には、凹部や凸部５０７ａによってインデント部５０７とタブ部５０４の接触面間に局所的な圧力をかけることができる。

　ここで、本発明者は、インデント部５０７とタブ部５０４の接触面間に荷重がかかると、酸化膜５００Ｄが同心円状や放射状に複数の箇所で割れることを可視化によって把握した。

　そこで、インデント部５０７に形成される凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａが放射状および同心円状のうち少なくともいずれか一方の状態で配置されるようにし、酸化膜５００Ｄが同心円状や放射状に割れることをより促進させるようにした。

　第８実施形態では、凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａは、図６８に示すように、斜面部（表面）に直線状に複数形成されており、全体として放射線状に形成されるようにしている。

　次に、メス端子５０１とオス端子５０２とが電気的に接続される状態の一例を説明する。

　まず、図６４に示すように、オス端子５０２のタブ部５０４をメス端子５０１の箱部５０３の開口側から挿入する。箱部５０３の開口から挿入されたタブ部５０４は、インデント部５０７と底面部５０５ｂとの間に挿入される。このとき、タブ部５０４がインデント部５０７と底面部５０５ｂに摺動し、弾性撓み部５０５ａを上方へ押し上げてインデント部５０７と底面部５０５ｂとが離間する方向へ弾性変形する。

　さらにタブ部５０４をメス端子５０１に挿入すると、図６５に示す端子挿入完了位置に達する。

　このように、端子挿入完了位置までタブ部５０４が挿入された状態では、弾性撓み部５０５ａに撓み復帰力が発生しており、この撓み復帰力によってインデント部５０７とタブ部５０４の接触面間に接触荷重が働くこととなる。

　このとき、インデント部５０７に形成された凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａによって、タブ部５０４の表面が局所的に押圧される。第８実施形態では、タブ部５０４の表面は放射状に押圧される。

　その結果、タブ部５０４の表面の酸化膜５００Ｄが放射状に割れるのが促進されて、酸化膜５００Ｄにひび割れが生じる（図６６参照）。一方、凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａにも押圧力が集中的に働くため、凸部（凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方）５０７ａの酸化膜５００Ｄにもひび割れが生じやすくなる（図６６参照）。

　そして、酸化膜５００Ｄにひび割れが生じると、メッキ層５００Ｃが酸化膜５００Ｄの隙間から表面に侵入することとなる（図６７参照）。

　このように、メッキ層５００Ｃが酸化膜５００Ｄの隙間から表面に侵入することで、図６７に示すように、メッキ層５００Ｃ同士（インデント部５０７とタブ部５０４のメッキ金属同士）が接触して、より良好な電気的接続を得ることができる。

　以上説明したように、第８実施形態では、インデント部５０７に、凹部および凸部５０７ａのうち少なくともいずれか一方を、放射状および同心円状のうち少なくともいずれか一方の状態で配置されるように形成している。

　このように、凹部や凸部５０７ａを形成することで、インデント部５０７とタブ部５０４の接触面間に接触荷重が働いた際には、凹部や凸部５０７ａによってインデント部５０７とタブ部５０４の接触面間に局所的な圧力をかけることができる。

　その結果、インデント部５０７の表面やタブ部５０４の表面に形成された酸化膜５００Ｄの破壊が促進され、酸化膜５００Ｄの破壊された箇所において、インデント部５０７とタブ部５０４のメッキ金属同士の接触を得ることができる。

　したがって、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することができる。特に、第８実施形態によれば、接点部間の接点圧力が小さくなってしまったとしても、酸化膜５００Ｄを破壊することができるようになるため、端子の小型化を図り易くなる。

　なお、凸部５０７ａは、直線状に連続して設けられる必要はなく、図６９に示すように、放射線状に点在するように凸部５０７ａを設けることも可能である。このとき形成される個々の凸部５０７ａの形状は、円形、三角形、四角形等、適宜に設定することができる。また、個々の凸部５０７ａは、例えば、エンボス加工により形成することができる。

　また、凸部５０７ａは、図７０に示すように、格子状に設けることも可能である。すなわち、放射状かつ同心円状に配置されるように凸部５０７ａを形成することも可能である。

　また、凸部５０７ａを同心円状に形成するようにしてもよい。

　なお、インデント部５０７に、凹部を形成するようにしてもよい。このように凹部を形成するようにすれば、凹部端縁のエッジ部分によって酸化膜５００Ｄの破壊が促進されることとなる。

　また、第８実施形態では、弾性撓み部５０５ａとタブ部５０４の表面に錫メッキ層が形成されているが、錫以外の酸化膜が形成されるメッキ層であれば同様の効果が得られる。

　上記のように、接点接続構造が、インデント部が突設され、表面にメッキ層が形成された第１接点部と、表面にメッキ層が形成された第２接点部とを有する。前記第１接点部の前記インデント部が、前記第２接点部の接触面上を摺動する。端子挿入完了位置では、前記インデント部が、前記第２接点部に接触する。前記インデント部には、凹部および凸部のうち少なくともいずれか一方が、放射状および同心円状のうち少なくともいずれか一方の状態で配置されるように形成されている。

　上記構成によれば、凹部や凸部を形成することで、インデント部と第２接点部の接触面間に接触荷重が働いた際には、凹部や凸部によってインデント部と第２接点部の接触面間に局所的な圧力をかけることができる。

　その結果、インデント部の表面や第２接点部の表面に形成された酸化膜の破壊が促進され、酸化膜の破壊された箇所において、インデント部と第２接点部のメッキ金属同士の接触を得ることができる。

　したがって、端子を大型化したり、極力複雑化することなく、接触抵抗を低減することができる。

　（第９実施形態）
　以下、本発明の第９実施形態について、図７１～７４を参照して詳細に説明する。

　図７１～図７４は、第９実施形態を示す。第１端子であるメス端子と第２端子であるオス端子間に第９実施形態に係る接点接続構造が適用されている。

　メス端子６０１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子６０１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子６０１は、第１接点部である箱部６０２を有する。箱部６０２は、前方が開口された方形状である。箱部６０２内には、箱部６０２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部６０３が配置されている。弾性撓み部６０３には、底面側に向かって突出するインデント部６０４が設けられている。インデント部６０４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。インデント部６０４は、撓み変形部６０３の撓み変形によって上方に変移できる。弾性撓み部６０３と固定面部である箱部６０２の底面部６０２ａは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部６０３と箱部６０２の底面部６０２ａの間に、オス端子６１０が挿入される。

　メス端子６０１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施されている。従って、弾性撓み部６０３には、図７２Ｂ、図７３Ａに詳しく示すように、銅合金材の母材層６０３ａの外面に錫メッキ層６０３ｂが形成されている。錫メッキ層６０３ｂの表面には、リフロー処理後等に酸化膜（図示せず）が生成される。

　オス端子６１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子６１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子６１０は、第２接点部であるタブ部６１１を有する。タブ部６１１は、外形が板形状である。オス端子６１０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施されている。従って、タブ部６１１には、図７２Ｂ、図７４に詳しく示すように、銅合金材の母材層６１１ａの外面に錫メッキ層６１１ｂが形成されている。錫メッキ層６１１ｂの表面には、リフロー処理後等に酸化膜（図示せず）が生成される。

　タブ部６１１は、端子挿入完了位置のインデント部６０４が位置する箇所６１２が最も上方に突出する湾曲形状である。これにより、その上面である接触面は、端子挿入完了位置のインデント部６０４が位置する箇所６１２が最も突出する湾曲面に形成されている。図７２Ｂ、図７４には、タブ部６１１が円弧状に曲がっていることを明確化するため、ストレート形状のタブ部の接触面を仮想線で示す。

　上記構成において、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子６１０のタブ部６１１がメス端子６０１の箱部６０２に挿入される。すると、先ずタブ部６１１の先端が弾性撓み部６０３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部６０３が撓み変形してタブ部６１１の挿入が許容される。タブ部６１１の挿入過程（端子挿入過程）では、弾性撓み部６０３のインデント部６０４がタブ部６１１の接触面を摺動する。端子挿入完了位置（コネクタかん合完了位置）では、図７２Ａ、７２Ｂに示すように、弾性撓み部６０３のインデント部６０４とタブ部６１１の最も突出する箇所６１２の位置が一致し、弾性撓み部６０３の撓み復帰力を接触荷重としてインデント部６０４とタブ６１１の最大突出箇所６１２が接触する。

　この接点接続構造では、タブ部６１１の接触面は、端子挿入完了位置のインデント部６０４が位置する箇所６１２が最も突出する湾曲面に形成されている。従って、タブ部６１１が弾性撓み部６０３の端子挿入開始位置より端子挿入完了位置に向かって徐々にインデント部６０４に近接する位置となるため、端子挿入完了位置では、タブ部６１１がインデント部６０４を最も変位させる位置となるため、弾性撓み部６０３の変形による大きな接触荷重がタブ部６１１とインデント部６０４に作用し、酸化膜の破壊が促進される。酸化膜の破壊箇所より錫が表面ににじみ出て、錫メッキ同士の接触箇所（オーミック点）が増える。端子挿入完了位置に行くに従って徐々に端子挿入力が大きくなるが、端子挿入開始位置ではタブ部６１１の端子挿入力が低い。以上より、メス端子６０１、オス端子６１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、しかも、端子挿入力を極力増大させないで接触抵抗を低減できる。

　タブ部６１１は、端子挿入完了位置のインデント部６０４が位置する箇所６１２が最も突出する形状である。このような形状は、タブ部６１１を強制的に塑性変形させることによって作製できるため、作製が容易である。

　第９実施形態では、インデント部６０４は、その外周面がほぼ球面形状であるが、外周面が円弧状の曲面であれば良い（例えば楕円曲面）。

　第９実施形態では、弾性撓み部６０３とタブ部６１１の外面に錫メッキ層６０３ｂ、６１１ｂが形成されているが、錫以外の酸化膜が形成されるメッキ層であれば同様の効果が得られる。

　上記のように　接点接続構造が、インデント部が突設された弾性撓み部と前記弾性撓み部に間隔を置いて配置された固定面部とを有する第１接点部と、前記弾性撓み部と前記固定面部との間に挿入される第２接点部とを備える。前記第２接点部が前記弾性撓み部と前記固定面部の間に挿入されると、前記弾性撓み部が撓み変形し、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する。前記第２接点部の接触面は、端子挿入完了位置のインデント部が位置する箇所が最も突出する湾曲面に形成されている。

　また、前記第２接点部は、タブ部であり、前記タブ部は、端子挿入完了位置のインデント部が位置する箇所が最も突出する湾曲形状であってもよい。

　上記構成によれば、端子挿入完了位置では、第２接点部がインデント部を最も変位する位置となるため、弾性撓み部の変形による大きな接触荷重が第２接点部とインデント部に作用し、酸化膜の破壊が促進される。又、端子挿入完了位置に行くに従って徐々に端子挿入力が大きいが、端子挿入開始位置では第２接点部の端子挿入力が低い。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、しかも、端子挿入力を極力増大させないで接触抵抗を低減できる。

　（第１０実施形態）
　以下、本発明の第１０実施形態について図７５～７８Ｃを参照して詳細に説明する。

　図７５～図７７Ｃは、第１０実施形態を示す。第１端子であるメス端子と第２端子であるオス端子間に第１０実施形態に係る接点接続構造が適用されている。

　メス端子７０１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子７０１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子７０１の外面には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキ層（図示せず）が形成されている。錫メッキ層の表面には、リフロー処理後等に酸化膜（図示せず）が生成される。

　メス端子７０１は、オス端子７１０が挿入される前方を開口した方形状の箱部７０２と、この箱部７０２の上面部より延設され、箱部７０２内に配置された弾性撓み部７０３とを有する。弾性撓み部７０３には、底面側に向かって突出するインデント部７０４が設けられている。インデント部７０４は、図７６Ｂ、７６Ｃ、図７７Ａに示すように、円柱形状であり、頂上面７０５が最下方に位置している。頂上面７０５は、下記するタブ部７１１が接触する面であり、表面粗さの粗い面に形成されている。表面粗さの程度は、Ｒａ（算術平均粗さ）＞０．１μｍである。

　インデント部７０４は、撓み変形部７０３の撓み変形によって上方に変移できる。メス端子７０１は、弾性撓み部７０３と箱部７０２の底面部７０２ａが第１接点部を形成している。

　オス端子７１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子７１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子７１０の外面には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキ層（図示せず）が形成されている。錫メッキ層の表面には、リフロー処理後等に酸化膜（図示せず）が生成される。

　オス端子７１０は、平板状のタブ部７１１を有する。オス端子７１０は、タブ部７１１が第２接点部を形成している。タブ部７１１の上面側（接触面側）は、端子挿入完了位置のインデント部７０４が位置する領域に表面粗さの粗い面７１２、つまり、凹凸面に形成されている。表面粗さの程度は、Ｒａ（算術平均粗さ）＞０．１μｍである。

　上記構成において、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子７１０のタブ部７１１がメス端子７０１の箱部７０２に挿入される。すると、先ずタブ部７１１の先端が弾性撓み部７０３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部７０３が撓み変形してタブ部７１１の挿入が許容される。タブ部７１１の挿入過程（端子挿入過程）では、弾性撓み部７０３のインデント部７０４がタブ部７１１の接触面を摺動する。端子挿入完了位置（コネクタかん合完了位置）では、図７６Ａ、７６Ｂに示すように、弾性撓み部７０３の撓み復帰力を接触荷重として、インデント部７０４の頂上面７０５がタブ部７１１の接触面と接触する。

　この接点接続構造では、インデント部７０４は、タブ部７１１に接触する頂上面７０５を有し、頂上面７０５は、表面粗さの粗い面に形成されていると共に、タブ部７１１の接触面で、且つ、端子挿入完了位置のインデント部７０４が位置する領域は、表面粗さの粗い面７１２に形成されている。従って、図７６Ｃに示すように、インデント部７０４の頂上面７０５の外径がみかけの接触面径７００Ｄ１となり、みかけの接触面径７００Ｄ１が従来に較べて大きい。また、インデント部７０４の頂上面７０５とタブ部７１１の接触面の双方は、その表面粗さによって多数の凸形状がそれぞれ形成されており、この多数の凸形状で酸化膜の破壊が促進される。酸化膜の破壊箇所より錫が表面ににじみ出て、錫メッキ同士の接触箇所（オーミック点）が増えるため、インデント部７０４とタブ部７１１の接触面は、双方が平滑な面の場合に比べて、インデント部７０４とタブ部７１１間の真実接触面Ａが多くなる。以上より、メス端子７０１、オス端子７１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　第１０実施形態では、表面粗さの粗い面７１２は、タブ部７１１の接触面の内で、端子挿入完了位置のインデント部７０４が位置する領域のみに形成されているが、タブ部７１１の接触面の内で、インデント部７０４が摺動する領域全域に、又は、タブ部７１１の接触面の全域に形成しても良い。このように形成すれば、インデント部７０４の頂上面７０５とタブ部７１１の接触面が摺動する全領域で表面粗さの粗い面同士で摺動するため、摺動による酸化膜の破壊が促進され、好ましい。

　図７８Ａ～７８Ｃには、第１０実施形態の第１～第３変形例に係るインデント部７０４Ａ，７０４Ｂ，７０４Ｃが示されている。図７８Ａの第１変形例のインデント部７０４Ａは、円錐台形状である。頂上面７０５は、第１０実施形態と同様に、円形である。図７８Ｂの第２変形例のインデント部７０４Ｂは、四角柱形状である。頂上面７０５は、四角形である。図７８Ｃの第３変形例のインデント部７０４Ｃは、四角形の角錐台形状である。頂上面７０５は、四角形である。各頂上面７０５は、表面粗さの粗い面に形成されている。

　第１～３変形例のインデント部７０４Ａ～７０４Ｃでも、第１０実施形態と同様の作用・効果が得られる。

　インデント部７０４，７０４Ａ～７０４Ｃの形状は、第１０実施形態及び第１～３変形例に限定されるものではなく、頂上面７０５を有する形状であれば良い。

　上記のように、接点接続構造が、インデント部が突設され、外面にメッキ層が形成された第１接点部と、外面にメッキ層が形成された第２接点部とを有する。端子挿入過程では、前記第１接点部の前記インデント部が、前記第２接点部の接触面を摺動する。端子挿入完了位置では、前記インデント部が、前記第２接点部の接触面に接触する。前記インデント部は、前記第２接点部に接触する頂上面を有し、前記頂上面は、表面粗さの粗い面に形成されている。前記第２接点部の接触面で、且つ、少なくとも端子挿入完了位置の前記インデント部が位置する領域は、表面粗さの粗い面に形成されている。

　また、前記インデント部は、円柱形状であってもよい。

　上記構成によれば、インデント部の頂上面の外径がみかけの接触面径となり、みかけの接触面径が従来例に較べて大きい。また、インデント部の頂上面と第２接点部の接触面の双方は、その表面粗さによって多数の凸形状がそれぞれ形成されており、この多数の凸形状で酸化膜の破壊が促進される。これにより、メッキ層同士の接触箇所が増えるため、インデント部と第２接点部の接触面は、双方が平滑な面の場合に比べて、インデント部と第２接点部間の真実接触面が多くなる。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。

　以上のように、本発明は、ここでは記載していない様々な実施形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められる。

特願２０１５－０８１４８４（出願日：２０１５年４月１３日）、特願２０１４－０９０１２５号（出願日：２０１４年４月２４日）、特願２０１４－０９１６４２号（出願日：２０１４年４月２５日）、特願２０１５－０８３２６０号（出願日：２０１５年４月１５日）、特願２０１４－１４５５６５号（出願日：２０１４年７月１６日）、特願２０１４－０９１７２９号（出願日：２０１４年４月２５日）、特願２０１４－０９００６３号（出願日：２０１４年４月２４日）、特願２０１４－１０２１０３号（出願日：２０１４年５月１６日）の全内容は、ここに援用される。

Claims

　第１の母材と前記第１の母材の第１の外面に形成された第１のメッキ層とを含む第１接点部であって、突出するインデント部を有する第１接点部と、
　第２の母材と前記第２の母材の第２の外面に形成された第２のメッキ層とを含む第２接点部と、
を備え、
　　前記第１接点部と前記第２接点部とは、端子挿入完了位置において、互いに電気的に接続され、
　　前記端子挿入完了位置における前記第１接点部の前記インデント部は、前記第２接点部の接触面に接触荷重によって接触し、
　　前記インデント部の前記第１の母材の前記第１の外面と前記接触面の箇所の前記第２の母材の前記第２の外面との少なくとも一方は、凹凸を有する
接点接続構造。