JP6938120B2 - マスク組立体、その製造方法、及びそれを含んだ表示装置の製造装置 - Google Patents

マスク組立体、その製造方法、及びそれを含んだ表示装置の製造装置 Download PDF

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Description

本発明は、装置及び方法に係り、さらに詳細には、マスク組立体、その製造方法、及びそれを含んだ表示装置の製造装置に関する。
移動性を基盤とする電子機器が幅広く使用されている。移動用電子機器としては、モバイルフォンのような小型電子機器以外にも、最近になって、タブレットPC(personal computer)が広く使用されている。
かような移動型電子機器は、多様な機能を支援するために、イメージまたは映像のような視覚情報をユーザに提供するために、表示装置を含む。最近、表示装置を駆動するためのその他部品が小型化されるにつれ、表示装置が電子機器において占める比重がだんだんと増加しており、平らな状態で所定の角図を有するように曲げることができる構造も開発されている。
従来の表示装置を製造するために、マスクシートを使用する場合、マスクシートをマスクフレームに、溶接を介して付着させた後で使用するとき、マスクシートとマスクフレームとの溶接程度により、表示装置の解像図に影響を及ぼすことがある。
本発明が解決しようとする課題は、高解像図の表示装置製作が可能なマスク組立体、その製造方法、及びそれを含む表示装置の製造装置を提供することである。
本発明の一実施形態は、マスクシートを含むマスク組立体において、前記マスクシートは、少なくとも1以上の開口部があるパターン部と、前記パターン部と連結され、前記パターン部と粒子サイズが溶接部と、を含むマスク組立体を開示する。
本実施形態において、前記パターン部の粒子サイズは、前記溶接部の粒子サイズより小さくともよい。
本実施形態において、粒子サイズが前記パターン部と異なる前記溶接部には、溶接点が配置されもする。
本実施形態において、前記パターン部と前記溶接部は、表面粗度が異なる。
本実施形態において、前記パターン部の粒子サイズは、ナノスケールであり、前記溶接部は、マイクロスケールでもある。
本実施形態において、前記マスクシートは、ニッケル含量が30wt%ないし50wt%でもある。
本実施形態において、前記マスクシートの粒子の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC:body centered cubic)及び面心立方格子構造(FCC:face centered cubic)を含んでもよい。
本実施形態において、前記パターン部の粒子のうち、前記体心立方格子構造を有する粒子の個数は、前記溶接部の少なくとも一部分の粒子のうち、前記体心立方格子構造を有する粒子の個数と異なる。
本実施形態において、前記マスクシートが載置されて溶接されるマスクフレームをさらに含んでもよい。
本実施形態において、前記溶接部は、前記マスクフレーム上に配置されもする。
本発明の他の実施形態は、一部分が熱処理された溶接部を含んだマスクシートを製造する段階と、マスクフレーム上に前記マスクシートを載置して溶接する段階と、を含むマスク組立体の製造方法を開示する。
本実施形態において、前記マスクシートを製造する段階は、母材に少なくとも1以上の開口部があるパターン部を形成する段階と、前記母材の一部分を熱処理し、前記溶接部を形成する段階と、を含んでもよい。
本実施形態において、前記熱処理は、350℃以上であって前記母材の融点以下の範囲で行われる。
本実施形態において、前記溶接部を形成する段階は、前記パターン部を形成する段階の前またはその後に行われる。
本実施形態において、前記少なくとも1以上の開口部は、レーザドリリング方法、エッチング方法および電鋳メッキ方法のうち一つによって形成されもする。
本実施形態において、前記母材は、電鋳メッキ方法によって形成されもする。
本実施形態において、前記溶接部は、前記マスクフレーム上に配置され、前記溶接部上に溶接点が形成されもする。
本実施形態において、前記溶接部と前記パターン部との粒子サイズが互いに異なる。
本実施形態において、前記マスクシートは、ニッケル含量が30wt%ないし50wt%でもある。
本実施形態において、前記パターン部の粒子のうち、体心立方格子構造を有する粒子の個数は、前記溶接部の粒子のうち、前記体心立方格子構造を有する粒子の個数と異なる。
本発明のさらに他の実施形態は、マスク組立体と、前記マスク組立体と対向するように配置される蒸着源と、を含み、前記マスク組立体は、少なくとも1以上の開口部があるパターン部と、前記パターン部と連結され、前記パターン部と粒子サイズが異なる溶接部と、を含むマスクシートを含む表示装置の製造装置を開示する。
本実施形態において、前記パターン部の粒子サイズは、前記溶接部の粒子サイズより小さくともよい。
本実施形態において、粒子サイズが前記パターン部と異なる前記溶接部には、溶接点が配置されもする。
本実施形態において、前記パターン部と前記溶接部は、表面粗度が異なる。
本実施形態において、前記パターン部の粒子サイズは、ナノスケールであり、前記溶接部は、マイクロスケールでもある。
本実施形態において、前記マスクシートは、ニッケル含量が30wt%ないし50wt%でもある。
本実施形態において、前記マスクシートの粒子の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC)及び面心立方格子構造(FCC)を含んでもよい。
本実施形態において、前記パターン部の粒子のうち、前記体心立方格子構造を有する粒子の個数は、前記溶接部の粒子のうち、前記体心立方格子構造を有する粒子の個数と異なる。
本実施形態において、前記マスクシートが載置されて溶接されるマスクフレームをさらに含んでもよい。
本実施形態において、前記溶接部は、前記マスクフレーム上に配置されもする。
前述のところ以外の他の側面、特徴、利点が、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
かような一般的であって具体的な側面が、システム、方法、コンピュータプログラム、またはいかなるシステム、方法、コンピュータプログラムの組み合わせを使用して実施されもする。
本発明の実施形態は、マスクシートとマスクフレームとの溶接率を上昇させることにより、マスクシートをマスクフレームに堅固に固定させることが可能である。また、本発明の実施形態は、簡単な工程を介して溶接率を向上させることによって、製品の生産性を増大させ、不良率を最小化させることができる。本発明の実施形態は、精密なパターン及び正確なパターンで基板に蒸着物質を蒸着することが可能である。
本発明の一実施形態によるマスク組立体を示す斜視図である。 図1に図示されたマスクシートを示す断面図である。 図2に図示されたマスクシートの材料による相変異度を示すグラフである。 図2に図示されたマスクシートの溶接結果と、既存のマスクシートの溶接結果とを示す平面図である。 本発明の一実施形態による、表示装置の製造装置を示す断面図である。 図5に図示された、表示装置の製造装置で製造した表示装置を示す平面図である。 図6のVII−VII線に沿って切り取った断面図である。
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に述べられている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されもする。
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それについての重複説明は省略する。
以下の実施形態において、第1、第2のような用語は、限定的な意味ではなく、1つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用されている。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、1以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面では、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが誇張または縮小されてもいる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必すしも図示されているところに限定されるものではない。
以下の実施形態において、x軸、y軸及びz軸は、直交座標系上の3軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味に解釈されもする。例えば、x軸、y軸及びz軸は、互いに直交することもあるが、互いに直交しない互いに異なる方向を指すこともある。
ある実施形態が異なって具現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるように遂行されもする。例えば、連続して説明される2つの工程が実質的に同時に遂行されもし、説明される順序と反対の順序で進められもする。
図1は、本発明の一実施形態によるマスク組立体を示す斜視図である。図2は、図1に図示されたマスクシートを示す断面図である。図3は、図2に図示されたマスクシートの材料による相変異度を示すグラフである。図4は、図2に図示されたマスクシートの溶接結果と、既存のマスクシートの溶接結果とを示す平面図である。
図1ないし図4を参考すれば、マスク組立体150は、マスクフレーム151、マスクシート152及び支持部材153を含んでもよい。
マスクフレーム151は、窓枠形態に形成されもする。このとき、マスクフレーム151は、複数個フレームを具備することができ、複数個のフレームは、互いに連結されてもよい。前述のようなマスクフレーム151は、中央部分に1つのホールが形成され、他の実施形態として、中央部分に複数個のホールが形成されることも可能である。このとき、マスクフレーム151の中央部分に、複数個のホールが形成される場合、マスクフレーム151の中央部分は、格子状に形成されもする。
マスクシート152は、マスクフレーム151上に設けられる。このとき、マスクシート152は、マスクフレーム151に溶接を介して付着される。
マスクシート152は、複数個具備され、マスクフレーム151の一辺方向に互いに隣接するように配列されもする。このとき、複数個のマスクシート152は、マスクフレーム151の開口された中央部分を遮蔽することができる。
各マスクシート152は、マスクフレーム151に引っ張られた状態で付着される。例えば、各マスクシート152は、マスクシート152の長手方向に引っ張られた状態で、マスクフレーム151に溶接されて固定される。
各マスクシート152は、少なくとも1以上の開口部152b−1が形成されたパターン部152bと、パターン部152bと連結される溶接部152aと、を含んでもよい。
前述のようなマスクシート152は、ニッケル−鉄合金材質から形成される。このとき、ニッケルの含量は、マスクシート152の総重量に対して、約30wt%ないし50wt%でもある。
パターン部152bに形成される少なくとも1以上の開口部152b−1は、パターン部152b全体に形成される。他の実施形態として、パターン部152bに形成される少なくとも1以上の開口部152b−1は、1つのグループ形態を形成し、パターン部152bには、前記グループが複数個形成されることも可能である。以下では、説明の便宜のために、少なくとも1以上の開口部152b−1は、1つのグループ形態に形成される場合を中心に詳細に説明する。
パターン部152bには、複数個の開口部152b−1が形成され、複数個の開口部152b−1のうち一部が、グループを形成するパターン領域152b−2を含んでもよい。パターン領域152b−2に形成された複数個の開口部152b−1は、互いに一定間隔離隔されるように配置され、一定パターンを形成することができる。
前述のようなパターン領域152b−2は、複数個具備される。このとき、複数個のパターン領域152b−2は、互いに離隔されるように配置され、蒸着物質が蒸着される基板21(図6)上の表示領域と対応する。
溶接部152aは、パターン部152bと連結されてもよい。例えば、溶接部152aは、マスクシート152の少なくとも一部分に形成され、パターン部152bを除いた部分に形成される。このとき、溶接部152aは、マスクフレーム151上に配置され、溶接点Pが形成される。溶接点Pは、複数個具備され、複数個の溶接点Pは、互いに離隔されるように配置される。
前述のように、溶接部152aは、多様な方法でマスクシート152に具備される。例えば、溶接部152aは、パターン部152bの両端に配置され、パターン部152bと連結されてもよい。このとき、溶接部152aは、マスクシート152にストライプ(stripe)、ラインまたは一定面積を有するように形成される。また、溶接部152a上には、複数個の溶接点Pが互いに離隔されるように形成される。特に、溶接部152aは、マスクシート152に形成される複数個の溶接点Pの一部またはいずれもが内部に配置されるように、一定面積を有するように形成されることも可能である。他の実施形態として、溶接部152aは、溶接点Pを取り囲むように形成されることも可能である。具体的には、溶接点Pが形成されるマスクシート152に、点、多角形、円形などの形態に形成される。このとき、溶接部152aは、複数個が具備され、各溶接部152a上には、1つの溶接点Pが配置される。ただし、以下では、説明の便宜のために、溶接部152a内部には、マスクシート152上に形成される全ての溶接点Pが配置される場合を中心に詳細に説明する。
前述のようなパターン部152bと溶接部152aは、互いに同一材質から形成されてもよい。このとき、パターン部152bの粒子サイズは、溶接部152aの粒子サイズと異なるように形成されてもよい。具体的には、パターン部152bの粒子サイズは、溶接部152aの粒子サイズより小さく形成されてもよい。特に、パターン部152bの粒子サイズは、溶接点Pが形成される溶接部152aの粒子サイズより小さく形成される。また、パターン部152bの粒子サイズは、ナノスケールである一方、溶接部152aは、マイクロスケールでもある。
前述のように、溶接部152aの粒子が大きく形成される場合、溶接点Pが形成されるとき、マスクフレーム151と溶接部152aとの間で溶接率が向上する。特に、溶接部152aの粒子が大きく形成されることにより、溶接点Pの形成時、溶接による溶接部152aの溶融を防止することができる。
前述のような、パターン部152bと溶接部152aとの表面粗度は、互いに異なる。例えば、パターン部152bの表面粗度は、溶接部152aの表面粗度より低い。かような場合、溶接部152aにおいては、熱伝逹が効率的に生じることにより、溶接部152aが、溶接点Pの形成時に溶融されることを防止することができる。
支持部材153は、マスクフレーム151に設けられる。支持部材153は、マスクフレーム151の一辺と平行になるように設けられる。支持部材153は、マスクシート152の間、またはマスクシート152の長手方向と一定角度を形成するように配置される。このとき、支持部材153は、マスクシート152を支持することにより、マスクシート152の熱変形時、荷重などによって、マスクシート152が反ることを防止することができる。
一方、前述のようなマスク組立体150の製造方法について述べれば、マスクフレーム151及びマスクシート152を製造して準備することができる。具体的には、マスクシート152を製造する方法について述べれば、母材(図示せず)を準備することができる。このとき、前記母材は、多様な方法によって製造することができる。以下では、各方法について詳細に説明する。
一実施形態として、鉄−ニッケル合金から形成された前記母材を圧延し、厚みを薄くすることができる。かような場合、前記母材を形成する粒子は、圧延方向と平行な形態に形成される。
前述のように準備した前記母材に、少なくとも1以上の開口部152b−1を形成してパターン部152bを形成することができる。このとき、開口部152b−1を形成する方法は、レーザを照射して形成する方法、またはエッチング液を噴射したり、エッチング液に前記母材を浸漬したりして形成する方法などを使用することができる。かような場合、前記母材には、フォトレジストを塗布し、開口部152b−1のパターンを形成することができる。
前述のように、前記母材に少なくとも1以上の開口部152b−1を形成する前、または開口部152b−1を形成した後、前記母材の少なくとも一部分を熱処理し、溶接部152aを形成することができる。具体的には、前記母材の少なくとも一部分を、約350℃以上融点以下の範囲内で熱処理することができる。このとき、前記母材の融点は、鉄またはニッケルの含量によって、ほぼ1,440℃未満である。特に望ましくは、前記母材の少なくとも一部分を、約350℃ないし750℃の範囲で熱処理する。
前述のように、前記母材を熱処理するために、前記母材をチャンバ(図示せず)内部に挿入した後、前記チャンバ内部に、ヘリウム、アルゴン、窒素のような非活性ガスを供給することができる。特に、前述のような熱処理は、酸素が、前記チャンバ内部に存在しないか、あるいは熱処理時に酸素が発生しない環境で行わなければならない。かような場合、酸素によって、前記母材外部に酸化膜が形成されることにより、追ってマスクフレーム151への溶接時、酸化膜によって溶接率が低下する。
このように、前記チャンバ内部にガスを供給しながら、前記母材にレーザなどを加えて加熱させることができ、前記母材の表面を熱処理することができる。このとき、前記チャンバ内部の気体は、ポンプなどを介して外部に排出させることができる。
前述のように、前記母材を熱処理する場合、熱処理された前記母材の一部分の粒子結晶構造が変更される。具体的には、前記母材を形成する鉄−ニッケル合金の場合、粒子の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC:body centered cubic)及び面心立方格子構造(FCC:face centered cubic)を含んでもよい。このとき、前記母材を、前述のように熱処理する場合、粒子の体心立方格子構造の個数、及び面心立方格子構造の個数が可変する。例えば、前記母材、を前述のように熱処理する場合、前記体心立方格子構造を有する粒子の個数が減少する。一方、前記面心立方格子構造を有する粒子の個数が増加する。すなわち、前記母材のうち体心立方格子構造を有する粒子が、相変化を介して、前記面心立方格子構造を有する粒子になる。このとき、前記面心立方格子構造を有する粒子の熱伝導度が、前記体心立方格子構造を有する粒子の熱伝導度より高いことにより、溶接部152aの熱伝導度がパターン部152bの熱伝導度より高くなる。
前述のように熱処理する場合、溶接部152a粒子の結晶構造は、ほぼ前記面心立方格子構造を有することができる。特に、溶接部152a粒子の結晶構造は、前記体心立方格子構造を有さないこともある。
また、前述のように熱処理する場合、溶接部152aを構成する粒子は、圧延方向に長く形成されていて、多様な方向に大きくなる。かような場合、溶接部152aの粒子サイズは、パターン部152bの粒子サイズより大きくなる。
前述のように、前記母材を加工し、パターン部152bと溶接部152aとを含むマスクシート152の製造が完了すれば、マスクシート152をマスクフレーム151に溶接することができる。このとき、溶接部152aは、マスクシート152上に配置される。
前述のように、マスクシート152とマスクフレーム151とを溶接する場合、溶接部152aでは、熱伝導度が高く、マスクシート152の他の部位より溶接が円滑に進められる。特に、前述のように、粒子の結晶構造が面心立方格子構造を有する粒子の個数が多い場合、熱伝導度が異なる部分より高くなる。かような場合、溶接時に加えられる熱が、マスクシート152の厚み方向に、迅速に良好に伝達される。特に、少ない熱エネルギーを加える場合にも、マスクシート152とマスクフレーム151との溶接を円滑に行うことができる。それだけではなく、熱エネルギーが、溶接部152aの内部において、伝達されずに蓄積されることにより、溶接部152a部分の溶融を防止することができる。
他の実施形態として、前記母材を電鋳メッキ方法を使用して準備することも可能である。具体的には、電鋳メッキ方法を使用して、プレート状の前記母材を製造することができる。このとき、電鋳メッキ方法により、前記母材上に、少なくとも1以上の開口部152b−1を形成することも可能である。他の実施形態として、前記母材を電鋳メッキ方法で製造した後、前記母材にレーザを照射する開口部152b−1を形成するレーザドリリング方法、エッチング液を噴射し、開口部152b−1を形成するエッチング方法などを使用することができる。ただし、以下では、説明の便宜のために、前記母材を製造した後、レーザを使用して、開口部152b−1を形成する方法を中心に詳細に説明する。
前述のように、前記母材が準備された後、開口部152b−1を形成する前、または開口部152b−1を形成した後、溶接部152aを形成することができる。このとき、溶接部152aを形成する方法は、前述のところと同一、あるいは類似しているので、詳細な説明は省略する。
前述のように、前記母材を電鋳メッキ方法で製造する場合、前記母材の粒子サイズは、ナノスケールでもある。このとき、前述のように熱処理をする場合、溶接部152aの粒子サイズは、マイクロスケールに大きくなる。また、溶接部152a粒子の結晶構造も、前述のところのように変更される。
前述のように、マスクシート152の製造が完了すれば、マスクシート152をマスクフレーム151上に配置し、マスクシート152をマスクシート152の長手方向に引っ張ることができる。その後、マスクシート152をマスクフレーム151に溶接して固定させることができる。そのとき、溶接部152aは、マスクフレーム151上に配置される。
前述のように、熱処理して溶接部152aを形成した後、マスクシート152をマスクフレーム151に付着させる場合、マスクシート152とマスクフレーム151との溶接率が向上することにより、不良を最小化させることができる。具体的には、前述のように、熱処理を介して、溶接部152a粒子の結晶構造を変更させることにより、溶接部の熱伝導度を変化させることができる。特に、既存のマスクシートの場合、熱処理を行わず、マスクシートをマスクフレームに溶接する場合、マスクシートの粒子の結晶構造及び形態により、熱伝導度が低くなるという問題がある。かような場合、マスクシートにレーザなどを照射して熱を加える場合、熱伝逹が正しく行われないことにより、マスクシートの一部が溶融されるという問題が生じる(図4参照)。そのとき、マスクシートとマスクフレームは、溶接が正しく行われないことにより、高温の環境に露出されるとき、マスクシートがマスクフレームから離脱するという問題が生じる。
しかし、本発明の実施形態によるマスク組立体150は、前述のように、マスクシート152とマスクフレーム151との溶接率を上昇させることにより、マスクシート152をマスクフレーム151に堅固に固定させることが可能である。それだけではなく、マスク組立体150は、簡単な工程を介して溶接率を向上させることにより、製品の生産性を上昇させ、不良率を最小化させることができる。
図5は、本発明の一実施形態による、表示装置の製造装置を示す断面図である。
図5を参考すれば、表示装置の製造装置100は、チャンバ110、マスク組立体150、第1支持部120、第2支持部130、蒸着源160、ビジョン部140及び圧力調節部170を含んでもよい。
チャンバ110は、内部に空間が形成され、一部が開放されるように形成される。チャンバ110の開口された部分には、ゲートバルブ110aが設けられ、開口された部分を開閉することができる。
マスク組立体150は、マスクフレーム151、マスクシート152及び支持部材153を含んでもよい。マスクシート152は、前述のように、開口部152b−1が形成されたパターン部152b、及びパターン部152bと連結される溶接部152aを含んでもよい。このとき、マスクフレーム151、マスクシート152及び支持部材153は、前述のところと同一であるか、あるいは類似しているので、詳細な説明は省略する。
第1支持部120は、基板21が載置することができる。このとき、第1支持部120は、チャンバ110内部に固定されるように設けられ、他の実施形態として、チャンバ110内部に移動自在に設けられることも可能である。前述のような場合、第1支持部120は、シャトルなどの形態に形成される。
第2支持部130は、マスクフレーム151が載置される。このとき、第2支持部130は、チャンバ110内部に固定されるように設けられる。また、第2支持部130は、マスク組立体150の位置を可変させ、基板21とマスク組立体150との相対的な位置を調節することも可能である。
蒸着源160は、マスク組立体150と対向するように設けられる。このとき、蒸着源160は、チャンバ110に固定されて設けられ、他の実施形態として、チャンバ110に移動自在に設けられることも可能である。ただし、以下では、説明の便宜のために、蒸着源160は、チャンバ110内部に固定されて設けられる場合を中心に詳細に説明する。
蒸着源160は、内部に蒸着物質が収納される。このとき、蒸着源160内部には、蒸着物質に熱を加えるヒータ160aが配置される。
ビジョン部140は、チャンバ110に設けられ、基板21とマスク組立体150との位置を撮影することができる。このとき、ビジョン部140は、撮影された映像を制御部(図示せず)に伝送することができる。前記制御部は、基板21とマスク組立体150との位置を基に、第2支持部130を介して、基板21とマスク組立体150とをアラインさせることができる。
圧力調節部170は、チャンバ110に連結され、チャンバ110内部の気体を外部に排出させることができる。このとき、圧力調節部170は、チャンバ110に連結される連結配管171と、連結配管171に設けられる圧力調節ポンプ172と、を含んでもよい。圧力調節ポンプ172は、作動により、チャンバ110内部の圧力を、大気圧または真空状態に維持させることができる。
前述のような表示装置の製造装置100の作動方法について述べれば、外部からマスク組立体150及び基板21をチャンバ110に挿入することができる。そのとき、マスク組立体150及び基板21は、チャンバ110外部に別途に具備されるロボットアームなどを介して、チャンバ110外部からチャンバ110内部に進入する。
基板21及びマスク組立体150を、それぞれ第1支持部120と第2支持部130とに載置させることができる。その後、ビジョン部140に撮影されたイメージを基に、基板21とマスク組立体150とをアラインさせることができる。
ヒータ160aが作動し、蒸着物質が気化または昇華すれば、蒸着物質は、マスク組立体150を通過して基板21に蒸着される。このとき、圧力調節ポンプ172が作動し、チャンバ110内部の蒸着物質を外部に排出させることができる。
前述のような場合、加熱された蒸着物質によって、マスク組立体150に熱が加えられる。このとき、マスクシート152及びマスクフレーム151に加えられる熱によって、マスクシート152が変形する。かような場合、マスクシート152がマスクフレーム151に堅固に固定されていれば、基板21に蒸着される蒸着物質のパターンが設計されたところと同一であるか、あるいは類似して蒸着される。
従って、表示装置の製造装置100は、マスクシート152が堅固にマスクフレーム151に固定されることにより、精密なパターン及び正確なパターンに基板21に蒸着物質を蒸着することが可能である。
図6は、図5に図示された、表示装置の製造装置で製造した表示装置を示す平面図である。図7は、図6のVII−VII線に沿って切り取った断面図である。
図6及び図7を参考すれば、表示装置20は、基板21上において、表示領域DAと、表示領域DAの外郭の非表示領域とが定義される。表示領域DAには、発光部Dが配置され、非表示領域には、電源配線(図示せず)などが配置される。また、非表示領域には、パッド部Cが配置される。
表示装置20は、基板21及び発光部Dを含んでもよい。また、表示装置20は、発光部Dの上部に形成される薄膜封止層Eを含んでもよい。このとき、基板21は、プラスチック材を使用することができ、SUS(steel use stainless)、Tiのような金属材を使用することもできる。また、基板21は、ポリイミド(PI)を使用することができる。以下では、説明の便宜のために、基板21がポリイミドによって形成される場合を中心に詳細に説明する。
基板21上に、発光部Dが形成される。このとき、発光部Dは、薄膜トランジスタ(TFT)が具備され、それを覆うようにパッシベーション膜27が形成され、該パッシベーション膜27上に、有機発光素子28が形成される。
このとき、基板21は、ガラス材質を使用することができるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、プラスチック材を使用することもでき、SUS、Tiのような金属材を使用することもできる。また、基板21は、ポリイミド(PI)を使用することができる。以下では、説明の便宜のために、基板21がガラス材質から形成される場合を中心に詳細に説明する。
基板21の上面には、有機化合物及び/または無機化合物からなるバッファ層22がさらに形成されるが、SiO(x≧1)、SiN(x≧1)からも形成される。
該バッファ層22上に、所定のパターンに配列された活性層23が形成された後、活性層23が、ゲート絶縁層24によって埋め込まれる。活性層23は、ソース領域23aとドレイン領域23cとを有し、その間にチャンネル領域23bをさらに含む。
かような活性層23は、多様な物質を含むように形成される。例えば、活性層23は、非晶質シリコンまたは結晶質シリコンのような無機半導体物質を含んでもよい。他の例として、活性層23は、酸化物半導体を含んでもよい。さらに他の例として、活性層23は、有機半導体物質を含んでもよい。ただし、以下では、説明の便宜のために、活性層23が非晶質シリコンから形成される場合を中心に詳細に説明する。
かような活性層23は、バッファ層22上に非晶質シリコン膜を形成した後、それを結晶化させ、多結晶質シリコン膜に形成し、該多結晶質シリコン膜をパターニングして形成することができる。前記活性層23は、駆動TFT(図示せず)、スイッチングTFT(図示せず)などTFT種類によって、そのソース領域23a及びドレイン領域23cが不純物によってドーピングされる。
ゲート絶縁層24の上面には、活性層23と対応するゲート電極25と、それを埋め込む層間絶縁層26とが形成される。
そして、層間絶縁層26とゲート絶縁層24とにコンタクトホールH1を形成した後、層間絶縁層26上に、ソース電極27a及びドレイン電極27bが、それぞれソース領域23a及びドレイン領域23cにコンタクトされるように形成する。
かように形成された前記薄膜トランジスタの上部には、パッシベーション膜27が形成され、該パッシベーション膜27上部に、有機発光素子(OLED)28の画素電極28aが形成される。該画素電極28aは、パッシベーション膜27に形成されたビアホールH2によって、TFTのドレイン電極27bにコンタクトされる。前記パッシベーション膜27は、無機物及び/または有機物、単層または2層以上に形成されるが、下部膜の屈曲に係わりなく、上面が平坦になるように平坦化膜に形成されもする一方、下部に位置した膜の屈曲により、屈曲されるようにも形成される。そして、該パッシベーション膜27は、共振効果を達成することができるように、透明絶縁体によって形成されることが望ましい。
パッシベーション膜27上に、画素電極28aを形成した後には、該画素電極28a及びパッシベーション膜27を覆うように、画素定義膜29が有機物及び/または無機物によって形成され、画素電極28aが露出されるように開口される。
そして、少なくとも前記画素電極28a上に、中間層28b及び対向電極28cが形成される。
画素電極28aは、アノード電極の機能を行い、対向電極28cは、カソード電極の機能を行うが、それら画素電極28aと対向電極28cとの極性は、反対になってもよい。
画素電極28aと対向電極28cは、前記中間層28bによって互いに絶縁されており、中間層28bに互いに異なる極性の電圧を加え、有機発光層において発光が行われるようにする。
中間層28bは、有機発光層を具備することができる。選択的な他の例として、中間層28bは、有機発光層(organic emission layer)を具備し、それ以外に、正孔注入層(HIL:hole injection layer)、正孔輸送層(hole transport layer)、電子輸送層(electron transport layer)及び電子注入層(electron in jectionlayer)のうち少なくとも1層をさらに具備することができる。本実施形態は、それに限定されるものではなく、中間層28bが有機発光層を具備し、その他多様な機能層(図示せず)をさらに具備することができる。
このとき、前述のような中間層28bは、前述の表示装置の製造装置(図示せず)を介して形成される。
一方、1つの単位画素は、複数の副画素からなるが、複数の副画素は、多様な色の光を放出することができる。例えば、複数の副画素は、それぞれ赤色、緑色及び青色の光を放出する副画素を具備することができ、赤色、緑色、青色及び白色の光を放出する副画素(図示せず)を具備することができる。
一方、前述のような薄膜封止層Eは、複数の無機層を含むか、あるいは無機層及び有機層を含んでもよい。
薄膜封止層Eの前記有機層は、高分子から形成され、望ましくは、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキシ、ポリエチレン及びポリアクリレートのうちいずれか一つに形成される単一膜または積層膜でもある。さらに望ましくは、前記有機層は、ポリアクリレートから形成され、具体的には、ジアクリレート系モノマーと、トリアクリレート系モノマーとを含むモノマー組成物が高分子化されたものを含んでもよい。前記モノマー組成物に、モノアクリレート系モノマーがさらに含まれてもよい。また、前記モノマー組成物に、トリフェニルホスフィンオキシド(TPO)のような公知の光開始剤がさらに含まれてもよいが、それらに限定されるものではない。
薄膜封止層Eの前記無機層は、金属酸化物または金属窒化物を含む単一膜または積層膜でもある。具体的には、前記無機層は、SiN、Al、SiO、TiOのうちいずれか一つを含んでもよい。
薄膜封止層Eにおいて、外部に露出された最上層は、有機発光素子に対する透湿を防止するために無機層から形成される。
薄膜封止層Eは、少なくとも2層の無機層間に、少なくとも1つの有機層が挿入されたサンドイッチ構造を少なくとも一つ含んでもよい。他の例として、薄膜封止層Eは、少なくとも2個の有機層間に、少なくとも1層の無機層が挿入されたサンドイッチ構造を少なくとも一つ含んでもよい。さらに他の例として、薄膜封止層Eは、少なくとも2層の無機層間に、少なくとも1層の有機層が挿入されたサンドイッチ構造、及び少なくとも2層の有機層間に、少なくとも1層の無機層が挿入されたサンドイッチ構造を含んでもよい。
薄膜封止層Eは、有機発光素子(OLED)の上部から、順次に、第1無機層、第1有機層、第2無機層を含んでもよい。
他の例として、薄膜封止層Eは、有機発光素子(OLED)の上部から、順次に、第1無機層、第1有機層、第2無機層、第2有機層、第3無機層を含んでもよい。
さらに他の例として、薄膜封止層Eは、前記有機発光素子(OLED)の上部から、順次に、第1無機層、第1有機層、第2無機層、前記第2有機層、第3無機層、第3有機層、第4無機層を含んでもよい。
有機発光素子(OLED)と第1無機層との間に、LiFを含むハロゲン化金属層が追加して含まれてもよい。前記ハロゲン化金属層は、第1無機層をスパッタリング方式で形成するとき、前記有機発光素子(OLED)の損傷を防止することができる。
第1有機層は、第2無機層より面積が狭く、前記第2有機層も第3無機層より面積が狭くともよい。
従って、表示装置20は、精密なパターンを形成する中間層28bを具備し、中間層28bが正確な位置に蒸着されて形成されることにより、精密なイメージ具現が可能である。また、表示装置20は、反復的に中間層28bを蒸着しても、一定パターンを形成することにより、持続的な生産によって均一な品質を示す。
以上、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから多様な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
本発明のマスク組立体、その製造方法、及びそれを含んだ表示装置の製造装置は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
20 表示装置
21 基板
100 表示装置の製造装置
110 チャンバ
120 第1支持部
130 第2支持部
140 ビジョン部
150 マスク組立体
151 マスクフレーム
152 マスクシート
152a 溶接部
152b パターン部
153 支持部材
160 蒸着源
170 圧力調節部

Claims (30)

  1. 金属製のマスクシートを含むマスク組立体において、
    前記マスクシートは、
    少なくとも1以上の開口部があるパターン部と、
    前記パターン部と連結され溶接部と、を含み、
    前記パターン部の結晶粒のサイズは、前記溶接部の結晶粒のサイズより小さいマスク組立体。
  2. 前記マスクシートが鉄を含む合金により形成されたことを特徴とする請求項1に記載のマスク組立体。
  3. 前記溶接部には、溶接点が配置されたことを特徴とする請求項1または2に記載のマスク組立体。
  4. 前記パターン部と前記溶接部は、表面粗度が異なることを特徴とする請求項1または2に記載のマスク組立体。
  5. 前記パターン部の結晶粒のサイズは、ナノスケールであり、前記溶接部は、マイクロスケールであることを特徴とする請求項1または2に記載のマスク組立体。
  6. 前記マスクシートを形成する合金は、ニッケル含量が30wt%ないし50wt%であることを特徴とする請求項に記載のマスク組立体。
  7. 前記マスクシートの金属材の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC)及び面心立方格子構造(FCC)の結晶粒を含み、前記面心立方格子構造を有する結晶粒の分布密度は、前記溶接部にて、前記パターン部におけるよりも高いことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のマスク組立体。
  8. 金属製のマスクシートを含むマスク組立体において、
    前記マスクシートは、
    少なくとも1以上の開口部があるパターン部と、
    前記パターン部と連結される溶接部と、を含み、
    前記マスクシートの金属材の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC)及び面心立方格子構造(FCC)の結晶粒を含み、前記面心立方格子構造を有する結晶粒の分布密度は、前記溶接部にて、前記パターン部におけるよりも高いマスク組立体。
  9. 前記マスクシートが載置されて溶接されるマスクフレームをさらに含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のマスク組立体。
  10. 前記溶接部は、前記マスクフレーム上に配置されることを特徴とする請求項9に記載のマスク組立体。
  11. 一部分が熱処理された溶接部を含んだ金属製のマスクシートを製造する段階と、
    マスクフレーム上に前記マスクシートを載置して溶接する段階と、を含み、
    前記マスクシートを製造する段階は、
    母材に少なくとも1以上の開口部があるパターン部を形成する段階と、
    前記母材の一部分を熱処理し、前記溶接部を形成する段階と、を含み、
    前記熱処理は、350℃以上であって前記母材の融点以下の範囲で行われるマスク組立体の製造方法。
  12. 前記母材が、鉄を含む合金を含むことを特徴とする請求項11に記載のマスク組立体の製造方法。
  13. 前記母材は、ニッケル含量が30wt%ないし50wt%であることを特徴とする請求項12に記載のマスク組立体の製造方法。
  14. 前記溶接部を形成する段階は、前記パターン部を形成する段階前、または前記パターン部を形成する段階後に遂行されることを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載のマスク組立体の製造方法。
  15. 前記少なくとも1以上の開口部は、レーザドリリング方法、エッチング方法および電鋳メッキ方法のうち一つによって形成されたことを特徴とする請求項11〜14のいずれかに記載のマスク組立体の製造方法。
  16. 前記母材は、電鋳メッキ方法によって形成されたことを特徴とする請求項11〜15のいずれかに記載のマスク組立体の製造方法。
  17. 前記溶接部は、前記マスクフレーム上に配置され、前記溶接部上に溶接点が形成されることを特徴とする請求項11〜16のいずれかに記載のマスク組立体の製造方法。
  18. 前記溶接部にて、前記パターン部におけるよりも結晶粒のサイズが小さいことを特徴とする請求項11〜17のいずれかに記載のマスク組立体の製造方法。
  19. 前記マスクシートの金属材の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC)及び面心立方格子構造(FCC)の結晶粒を含み、前記面心立方格子構造を有する結晶粒の分布密度は、前記溶接部にて、前記パターン部におけるよりも高いことを特徴とする請求項11〜18のいずれかに記載のマスク組立体の製造方法。
  20. 金属製のマスクシートを含むマスク組立体と、
    前記マスク組立体と対向するように配置される蒸着源と、を含み、
    前記マスクシートは、
    少なくとも1以上の開口部があるパターン部と、前記パターン部と連結され溶接部と、を含み、
    前記パターン部の結晶粒のサイズは、前記溶接部の結晶粒のサイズより小さい表示装置の製造装置。
  21. 前記マスクシートが鉄を含む合金により形成されたことを特徴とする請求項20に記載の表示装置の製造装置
  22. 前記マスクシートが鉄とニッケルを含む合金により形成されたことを特徴とする請求項20に記載の表示装置の製造装置
  23. 前記マスクシートを形成する合金は、ニッケル含量が30wt%ないし50wt%であることを特徴とする請求項22に記載の表示装置の製造装置。
  24. 前記溶接部には、溶接点が配置されたことを特徴とする請求項20〜23のいずれかに記載の表示装置の製造装置。
  25. 前記パターン部と前記溶接部は、表面粗度が異なることを特徴とする請求項20〜23のいずれかに記載の表示装置の製造装置。
  26. 前記パターン部の結晶粒のサイズは、ナノスケールであり、前記溶接部は、マイクロスケールであることを特徴とする請求項20〜23のいずれかに記載の表示装置の製造装置。
  27. 前記マスクシートの金属材の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC)の結晶粒及び面心立方格子構造(FCC)の結晶粒を含み、前記面心立方格子構造を有する結晶粒の分布密度は、前記溶接部にて、前記パターン部におけるよりも高いことを特徴とする請求項20〜22のいずれかに記載の表示装置の製造装置。
  28. 金属製のマスクシートを含むマスク組立体と、
    前記マスク組立体と対向するように配置される蒸着源と、を含み、
    前記マスクシートは、
    少なくとも1以上の開口部があるパターン部と、前記パターン部と連結される溶接部と、を含み、
    前記マスクシートの金属材の結晶構造は、体心立方格子構造(BCC)及び面心立方格子構造(FCC)の結晶粒を含み、前記面心立方格子構造を有する結晶粒の分布密度は、前記溶接部にて、前記パターン部におけるよりも高い、表示装置の製造装置。
  29. 前記マスクシートが載置されて溶接されるマスクフレームをさらに含むことを特徴とする請求項20〜28のいずれかに記載の表示装置の製造装置。
  30. 前記溶接部は、前記マスクフレーム上に配置されることを特徴とする請求項29に記載の表示装置の製造装置。
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