CN106960917B - 掩模组件、掩模组件的制造方法及包括掩模组件的装置 - Google Patents

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Abstract

提供了掩模组件、该掩模组件的制造方法以及包括该掩模组件的装置。该掩模组件包括掩模片。该掩模片包括具有开口的图案部，以及连接至该图案部的焊接部。该焊接部具有不同于图案部的颗粒尺寸的颗粒尺寸。

Description

掩模组件、掩模组件的制造方法及包括掩模组件的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求在2016年1月12日提交的第10-2016-0003679号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，就各方面而言都如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施方式涉及掩模组件、制造该掩模组件的方法以及包括该掩模组件的装置。
背景技术
诸如移动电话、笔记本计算机、个人数字助手、平板电脑等的电子设备被广泛地使用。为了支持各种功能，这些设备通常包括显示设备来为用户提供视觉信息，例如，图像信息或视频信息。近来，由于用于驱动这样的显示设备的部件已经变得小型化，显示设备在电子设备中的使用逐渐增加。
掩模组件可用来制造显示设备。掩模组件包括掩模框和掩模片。掩模片和掩模框之间的焊接效率可能影响显示设备的分辨率。
在本背景部分中公开的上述信息仅是为了加强对本发明构思背景的理解，并且，因此，其可包含不构成在本国中由本领域普通技术人员所已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方式提供了掩模组件和用于精确制造显示设备的、包括该掩模组件的装置。
附加的方面将在下文的详细描述中阐述，并且，在一定程度上，将从本公开中变得显而易见，或可通过实施本发明构思而被习得。
示例性实施方式公开了包括掩模片的掩模组件，掩模片包括：具有开口的图案部；以及连接至图案部的焊接部，焊接部具有不同于图案部的颗粒尺寸的颗粒尺寸。
示例性实施方式公开了制造掩模组件的方法，该方法包括制造掩模片，并将掩模片安装在掩模框上。掩模片的制造包括：在基础构件的第一部分中形成开口以形成图案部；以及热处理基础构件的第二部分以形成焊接部。图案部和焊接部作为掩模片被提供。
示例性实施方式公开了用于制造显示设备的装置，该装置包括掩模组件、以及面对掩模组件并经由掩模组件提供沉积材料的沉积源。掩模组件包括掩模片，掩模片包括：具有开口的图案部；以及连接至图案部的焊接部，焊接部具有不同于图案部的颗粒尺寸的颗粒尺寸。
前述的大体说明和以下的详细说明是示例性和解释性的，且旨在提供对要求保护的主体的进一步解释。
附图说明
附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明构思的原理，其中，附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图并入本说明书且构成本说明书的一部分。
图1是根据示例性实施方式的掩模组件的立体图。
图2是沿着图1中的线II-II'的剖视图。
图3是示出了根据示例性实施方式的制造掩模组件的方法的流程图。
图4是示出了根据本实施方式的掩模片焊接结果和根据对比实施方式的掩模片焊接结果的平面图。
图5是根据示例性实施方式的用于制造显示设备的装置的示意性剖视图。
图6是由图5中的装置制造的显示设备的平面图。
图7是沿着图6中的线VII-VII'截取的剖视图。
具体实施方式
在以下的说明中，出于解释的目的，多个具体细节被阐述以提供对多种示例性实施方式的彻底理解。然而，显而易见的是，多种示例性实施方式可在没有这些具体细节或使用一个或多个等效布置的情况下实现。在其它的情况中，为了避免不必要地使多种示例性实施方式不清楚，众所周知的结构和设备以框图形式示出。
在附图中，为了清楚和说明的目的，层、膜、面板，区域等的尺寸和相对尺寸可能被夸大。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层，或者可存在介于中间的元件或层。但是，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在介于中间的元件或层。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以理解为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。如本文中使用的，用语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任意和全部组合。
虽然用语第一、第二等在本文中可用于描述各种元件，部件，区域，层，和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些用语限制。这些用语用于将一个元件、部件、区域、层和/或区段与另一元件、部件、区域、层和/或区段区分开。因此，在不背离本公开教导的情况下，下文讨论的第一元件，第一部件，第一区域，第一层和/或第一区段可以被称为第二元件，第二部件，第二区域，第二层和/或第二区段。
诸如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对用语在本文中可用于描述的目的，并且因此，用于描述如附图中所示的一个元件或一个特征与另一元件(多个元件)或另一特征(多个特征)的关系。除了附图中所描绘的定向外，空间相对用语旨在包含使用中、操作中和/或制造中的装置的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件或特征“之上”。因此，示例性用语“在…之下”可以包含在…之上和在…之下两个定向。另外，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且，如此，本文中使用的空间相对描述语应相应地解释。
本文所用的术语是出于描述特定实施方式的目的，并不旨在限制。如本文使用的，除非上下文清楚地另外指出，否则，单数形式，“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式。此外，当用语“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”在本说明书中使用时表示所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但不排除一个或多个其它特征，整体，步骤，操作，元件，部件和/或它们的组的存在或添加。
多种示例性实施方式在本文中参考剖视图描述，该剖视图是理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图。如此，示图中的由于例如制造技术和/或公差而产生的形状的变化是可预期的。因此，本文中公开的示例性实施方式不应理解为限于具体所示的区域的形状，而是将包括由于例如制造引起的形状的偏差。附图中示出的区域本质上是示意性的，且它们的形状不旨在示出设备区域的实际的形状，且不旨在限制。
除非另外限定，否则本文使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开为其一部分的技术领域中的普通技术人员中的一个所通常理解的含义相同的含义。诸如那些在常用字典中定义的术语的术语应解释为具有与其在相关技术的语境中的含义一致的含义，且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。
图1是根据示例性实施方式的掩模组件150的立体图。图2是沿图1中的线II-II'的剖视图。
参考图1至图4，掩模组件150可包括掩模框151、掩模片152以及支承构件153。
掩模框151可具有框形状。掩模框151可包括彼此连接的多个框部。例如，第一框部和第二框部在X方向上延伸，连接至第一框部和第二框部的第三框部和第四框部在Y方向上延伸，以及第一框部至第四框部可限定掩模框151的中央处的开口。在另一示例中，掩模框151可具有限定多个开口的格子形状。
掩模片152可在Y方向上排列，并且每个掩模片152可在X方向上延伸。掩模片152可覆盖掩模框151的开口。掩模片152可安装在掩模框151上。掩模片152可焊接至掩模框151。例如，掩模片152可在掩模片152的纵向方向上拉伸，并通过焊接固定至掩模框151。
掩模片152包括具有开口152b-1的图案部152b，及连接至图案部152b的焊接部152a。
掩模片152可由镍铁合金形成。在该情况下，镍含量可在掩模片152重量的约30wt％至约50wt％的范围内。
开口152b-1可形成在图案部152b中。在示例性实施方式中，开口152b-1形成多个组，并且该多个组在X方向上彼此间隔开。每个组可限定为图案区域152b-2。图案区域152b-2可与衬底(参见图5中的21)的显示区域对应，其中，沉积材料沉积在衬底上。形成于图案区域152b-2中的开口152b-1可以以规则的间距彼此间隔开，并且可形成特定图案。
焊接部152a可连接至图案部152b。例如，焊接部152a可从图案部152b延伸且与图案部152b成为整体。焊接部152a可布置在掩模框151上，以及焊接点P可形成于焊接部152a中以用于将掩模片152安装在掩模框151上。
焊接部152a可根据多种方法包括在掩模片152中。例如，二个焊接部152a可分别布置在图案部152b的端部处，且可连接至图案部152b。焊接部152a可在掩模片152中形成为具有矩形形状、条形状、或线形状。
焊接点P可在焊接部152a中彼此间隔开。焊接部152a可形成为具有某一面积，使得焊接点P布置在焊接部152a内。焊接部152a可在掩模片152中形成为具有点形状、多边形形状、圆形形状等。可在焊接部152a中形成单个焊接点P。焊接点P中的一些可形成在焊接部152a外。
图案部152b和焊接部152a可由相同材料形成。在该情况下，图案部152b的颗粒尺寸可与焊接部152a的颗粒尺寸不同。图案部152b的颗粒尺寸可小于焊接部152a的颗粒尺寸。例如，图案部152b的颗粒尺寸是纳米级的，而焊接部152a的颗粒尺寸可以是微米级的。该颗粒尺寸上的差异可导致热量更有效地传递至焊接点P，且可改善掩模框151和焊接部152a之间的焊接效率。另外，热量可有效地从焊接部152a释放出。因此，可防止焊接部152a在形成焊接点P时熔化。
图案部152b的表面粗糙度可与焊接部152a的表面粗糙度不同。例如，图案部152b的表面粗糙度可小于焊接部152a的表面粗糙度。在该情况下，热量可有效地在焊接部152a内传递，且可从焊接部152a释放出。因此，可防止焊接部152a在焊接点P形成时熔化。
支承构件153可安装在掩模框151上。支承构件153可与掩模框151的一边平行地安装。支承构件153可布置在掩模片152之间或可布置为与掩模片152的纵向方向具有一定角度。支承构件153可支承掩模片152以从而防止当掩模片152热变形时掩模片152由于其重量等而下陷。
图3是示出了根据示例性实施方式的制造掩模组件150的方法的流程图。图4是示出了根据本示例性实施方式的掩模片152的焊接结果和根据传统工艺的对比实施方式的掩模片焊接结果的平面图。
参考图1和图3，在步骤S100中，制造包括焊接部152a和图案部152b的掩模片152。步骤S100包括S110，S120和S130。
在步骤S110中，可制备基础构件(未示出)。可根据多种方法制造基础构件。
根据示例性实施方式，由铁镍合金形成的基础构件可被轧制以减小其厚度。在该情况下，形成基础构件的颗粒可与轧制方向平行地布置。
根据示例性实施方式，基础构件可通过电铸镀层形成。可通过电铸镀层来制造板形的基础构件。在示例性实施方式中，开口152b-1通过电铸镀层形成。在示例性实施方式中，开口152b-1在电铸镀层之后形成。为了便于描述，假定开口152b-1在基础构件被制造后形成。
在步骤S120中，可在基础构件中形成开口152b-1以形成图案部152b。例如，开口152b-1可通过用激光照射基础构件的激光打孔法形成，或通过喷射蚀刻剂或将基础构件浸在蚀刻剂中的刻蚀法来形成。例如，基础构件可用光刻胶涂覆以形成开口152b-1的图案。
在步骤S130中，基础构件的至少一部分可被热处理以形成焊接部152a。步骤S130可在开口152b-1形成之前或之后执行。焊接部152a和图案部152b作为掩模片152被提供。
基础构件的一部分可在约350℃到基础构件熔点的范围内被热处理。基础构件的熔点可取决于铁含量或镍含量的多少。例如，基础构件的熔点可以是约1440℃。例如，基础构件的一部分可在约350℃至约750℃的范围内被热处理。
为了热处理基础构件，基础构件可被插入至腔室(未示出)中，然后可为腔室供应诸如氦、氩或氮的惰性气体。这样的热处理应在腔室内不存在氧气或热处理期间不产生氧气的环境中进行。否则，氧化层可能由于氧气而形成在基础构件的外部上，并且因此，基础构件焊接至掩模框151时的焊接效率可能由于氧化层而降低。
如此，当气体供应至腔室时，激光等可施加至基础构件以加热基础构件，从而实现基础构件表面的热处理。腔室内的气体可通过泵等被排出。
热处理可增加基础构件的颗粒尺寸。例如，基础构件的颗粒尺寸在热处理之前可以是纳米级的，以及焊接部152a的颗粒尺寸在热处理之后可以是微米级的。
当基础构件被如上所述地热处理时，基础构件的一部分的颗粒晶体结构可改变。具体地，当基础构件由铁镍合金形成时，基础构件的颗粒晶体结构可包括体心立方(BCC)结构和面心立方(FCC)结构。当基础构件被如上所述地热处理时，具有BCC结构的颗粒的数量和具有FCC结构的颗粒的数量可改变。例如，当基础构件被如上所述地热处理时，具有BCC结构的颗粒的数量可减少。另一方面，具有FCC结构的颗粒的数量可增加。换言之，基础构件内的具有BCC结构的颗粒可通过相变变为具有FCC结构的颗粒。在该情况下，由于具有FCC结构的颗粒的热导率大于具有BCC结构的颗粒的热导率，焊接部152a的热导率可大于图案部152b的热导率。焊接部152a的颗粒中的具有FCC结构的颗粒的数量可大于图案部152b的颗粒中的具有FCC结构的颗粒的数量。例如，焊接部152a的颗粒中的大多数可具有FCC结构。
当基础构件被如上所述地热处理时，构成焊接部152a的颗粒可从在轧制方向上拉长地形成的状态在多个方向上扩大。在该情况下，焊接部152a的颗粒尺寸可增大为大于图案部152b的颗粒尺寸。
在步骤S200中，掩模片152可安装在掩模框151上。焊接部152a可焊接至掩模框151。例如，掩模片152在掩模片152的纵向方向上拉伸，且通过焊接焊接点P来安装在掩模框151上。焊接部152a可布置在掩模框151上。
假定焊接部152a没被热处理。根据焊接部152a的颗粒晶体结构，焊接部152a的热导率可能相对低。这在照射激光等以用于焊接焊接部152a时可能导致不适当的热传递，可能导致焊接部152a的熔化(参见图4)以及与掩模框151的不适当的焊接连接。另外，掩模片152可能在高温环境下从掩模框151分离。
根据示例性实施方式，焊接部152a被热处理。被热处理的焊接部152a可具有高热导率。例如，当焊接部152a具有许多具有FCC结构的颗粒时，焊接部152a可具有比掩模片152的其它部分大的热导率。在该情况下，焊接期间施加的热量可快速且流畅地在掩模片152的厚度方向上传递。例如，即使在施加低热能时，掩模片152和掩模框151也可顺利地彼此焊接。另外，可避免由于热能无法传递并从而在焊接部152a内积累而导致的焊接部152a的熔化。因此，掩模片152可牢固地安装在掩模框151上，从而增加产品的生产率并最小化缺陷率。
图5是根据示例性实施方式的用于制造显示设备的装置100的示意性剖视图。
参考图5，装置100可包括腔110、掩模组件150、第一支承物120、第二支承物130、沉积源160、可视单元140和压力调节器170。
腔110可在其中具有空间，且腔110的一部分可形成为开放的。门阀110a可安装在腔110的开放部分以打开或关闭开放部分。
掩模组件150可包括掩模框151、掩模片152及支承构件153。掩模片152可包括开口152b-1如上述描述地形成于其中的图案部152b，以及连接至图案部152b的焊接部152a。掩模框151、掩模片152及支承构件153与上文所述相同或相似，并且因此，在此省略其详细描述。
衬底21可位于第一支承物120上。第一支承物120可安装在腔110内。根据另一示例性实施方式，第一支承物120可以可移动地布置在腔110内。在该情况下，第一支承物120可形成为梭形等形状。
掩模框151可位于第二支承物130上。第二支承物130可安装在腔110内。第二支承物130可通过改变掩模组件150的位置来调节衬底21和掩模组件150之间的相对位置。
沉积源160可面向掩模组件150。沉积源160可安装在腔110内。根据另一示例性实施方式，沉积源160可以可移动地布置在腔110内。
沉积材料可容纳在沉积源160内。加热沉积材料的加热器160a可布置在沉积源160内。
可视单元140可安装在腔110上以拍摄衬底21和掩模组件150的位置。可视单元140可将获得的图像传输至控制器(未示出)。控制器可基于获得的图像通过调整第二支承物130使衬底21和掩模组件150对准。
压力调节器170可连接至腔110以将气体从腔110排出至外部。压力调节器170可包括连接至腔110的连接管171，及设置在连接管171上的压力调节泵172。压力调节泵172可将腔110的内部压力保持在大气压或真空状态。
为了制造显示设备，掩模组件150和衬底21可插入至腔110中。掩模组件150和衬底21可通过单独设置在腔110外的机械臂被引入进腔110中，以及可分别位于第一支承物120和第二支承物130上。此后，衬底21和掩模组件150可基于由可视单元140获得的图像对准。
当加热器160a工作并从而沉积材料气化或升华时，气化或升华的沉积材料可经由掩模组件150沉积在衬底21上。压力调节泵172可操作为从腔110排出沉积材料。
加热的沉积材料可加热掩模组件150。这时，施加至掩模片152和掩模框151的热量可能使掩模片152变形。根据示例性实施方式，掩模片152牢固地固定至掩模框151，且沉积材料可在衬底21上沉积为具有设计的图案。
图6是由图5中的装置100制造的显示设备20的平面图。图7是沿图6中的线VII-VII'截取的剖视图。
参考图6和图7，显示设备20可包括位于衬底21上的显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域。发光单元D可布置在显示区域DA中，以及电力布线(未示出)等可布置在非显示区域中。焊盘单元C可布置在非显示区域中。
显示设备20可包括衬底21、发光单元D和形成于发光单元D的上表面上的薄膜封装层E。衬底21可由塑料材料、玻璃材料或诸如不锈钢(SUS)或钛(Ti)的金属材料形成。衬底21可由聚酰亚胺(PI)形成。
发光单元D可布置在衬底21上。发光单元D可包括薄膜晶体管TFT、覆盖薄膜晶体管TFT的钝化层27、以及形成于钝化层27上的有机发光二极管(OLED)28。
由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层22布置在衬底21的上表面上。缓冲层22可由硅氧化物(SiOx)(x≥1)或硅氮化物(SiNx)(x≥1)形成。
有源层23布置在缓冲层22上，且由栅绝缘层24埋藏。有源层23包括源区23a、漏区23c以及在源区23a和漏区23c之间的沟道区23b。
有源层23可形成为包括多种材料。例如，有源层23可包括无机半导体材料，例如，非晶硅或晶体硅。如另一示例，有源层23可包括氧化物半导体。如另一示例，有源层23可包括有机半导体材料。但是，为了便于说明，现在将详细描述有源层23由非晶硅形成的情况。
有源层23可通过在缓冲层22上形成非晶硅层、结晶化非晶硅层以形成多晶硅层、以及图案化多晶硅层来形成。根据诸如驱动TFT或开关TFT的TFT类型，用杂质掺杂有源层23的源区23a和漏区23c。
栅电极25和埋藏栅电极25的层间绝缘层26布置在栅绝缘层24的上表面上。
接触孔H1形成在层间绝缘层26和栅绝缘层24中，以及然后源电极27a和漏电极27b在层间绝缘层26上形成为使得源电极27a和漏电极27b分别接触源区23a和漏区23c。
钝化层27布置在如上所述形成的薄膜晶体管TFT上，以及OLED 28的像素电极28a形成在钝化层27上。像素电极28a通过形成于钝化层27中的通孔H2接触薄膜晶体管TFT的漏电极27b。钝化层27可由无机材料和/或有机材料形成，以及可形成为单层或多层。钝化层27可形成为平坦化层以使得其上表面是平坦的，而不论钝化层27之下的更低的层的不平坦。可替代地，钝化层27可根据更低的层的不平坦而形成为不平坦的。钝化层27由透明的绝缘体形成以便实现共振效应。
像素限定层29覆盖像素电极28a和钝化层27。像素限定层29具有暴露像素电极28a的开口。像素限定层29可由有机材料和/或无机材料形成。
中间层28b和相对电极28c布置在像素电极28a上。
像素电极28a可用作阳极，以及相对电极28c可用作阴极。可替代地，像素电极28a可用作阴极，以及相对电极28c可用作阳极。
像素电极28a和相对电极28c通过中间层28b彼此分开，且分别将相反极性的电压施加至中间层28b以引起光发射。
中间层28b可包括有机发射层。中间层28b还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。本发明不局限于此，且中间层28b还可包括多个其它功能层(未示出)。
中间层28b可由参考图5描述的装置形成。掩模片(参见图5中的152)可牢固地固定至掩模框(参见图5中的151)，并且然后沉积材料可沉积在像素电极28a上以形成中间层28b。因此，即使当沉积过程被重复执行时，中间层28b也可形成在准确的位置处并可具有精确的图案。
一个单位像素包括多个子像素，且该多个子像素可发出多种颜色的光。例如，单位像素可包括分别发射红光、绿光和蓝光的多个子像素，或分别发射红光、绿光、蓝光和白光的多个子像素。
薄膜封装层E可包括多个无机层或可包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层由聚合物形成，且可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、聚乙烯或聚丙烯酸酯形成的单层或层堆。有机层可由聚丙烯酸酯形成。具体地，有机层可包括聚合单体组合物的产物，其中，单体组合物包括基于双丙烯酸的单体和基于三丙烯酸的单体。单体组合物还可包括基于单丙烯酸的单体。单体组合物还可包括众所周知的光引发剂，例如，三甲基苯甲酰二苯膦氧化物(TPO)，但本发明不限于此。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或层堆。具体地，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2或TiO2。
薄膜封装层E中暴露于外部的最上层可由无机层形成以防止湿气渗入OLED 28。
薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，其中，在该夹层结构中，至少一个有机层插入在至少两个无机层之间。可替代地，薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，其中，在该夹层结构中，至少一个无机层插入在至少两个有机层之间。可替代地，薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的夹层结构，以及其中至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的夹层结构。
薄膜封装层E可包括从OLED 28的上部开始依次形成的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
可替代地，薄膜封装层E可包括从OLED 28的上部开始依次形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
可替代地，薄膜封装层E可包括从OLED 28的上部开始依次形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在OLED 28和第一无机层之间还可包括包含氟化锂(LiF)的卤化金属层。当通过溅射形成第一无机层时，卤化金属层可防止OLED 28损坏。
第一有机层可具有比第二无机层小的面积，以及第二有机层也可具有比第三无机层小的面积。
根据示例性实施方式，通过热处理掩模片的一部分，掩模片可牢固地固定至掩模框。沉积材料可精确地沉积至衬底上。因此，可增加产品的生产率，且可最小化缺陷率。
虽然本文中已经描述了某些示例性实施方式和实施例，但是其它实施方式和修改将从本说明书变得显而易见。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求书和各种明显的修改以及等效布置的更宽的范围。

Claims (27)

1.一种掩模组件，包括掩模片，所述掩模片包括：
图案部，包括至少一个开口；以及
焊接部，连接至所述图案部，所述焊接部和所述图案部由相同材料形成，所述焊接部的颗粒尺寸大于所述图案部的颗粒尺寸，以使得所述焊接部的热导率大于所述图案部的热导率。
2.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述焊接部包括至少一个焊接点。
3.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述图案部的表面粗糙度小于所述焊接部的表面粗糙度。
4.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述图案部的颗粒尺寸是纳米级的，以及所述焊接部的颗粒尺寸是微米级的。
5.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述掩模片具有在30wt％至50wt％的范围内的镍含量。
6.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述掩模片的颗粒晶体结构包括体心立方结构和面心立方结构。
7.如权利要求6所述的掩模组件，其中，所述焊接部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量大于所述图案部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量。
8.如权利要求1所述的掩模组件，还包括掩模框，
其中，所述焊接部焊接在所述掩模框上以将所述掩模片安装在所述掩模框上。
9.如权利要求8所述的掩模组件，其中，所述焊接部布置在所述掩模框上。
10.一种制造掩模组件的方法，所述方法包括：
制造掩模片；以及
将所述掩模片安装在掩模框上，
其中：
所述掩模片的制造包括：
在基础构件的第一部分中形成开口以形成图案部；以及
热处理所述基础构件的第二部分以形成焊接部，其中所述焊接部的颗粒尺寸大于所述图案部的颗粒尺寸，以使得所述焊接部的热导率大于所述图案部的热导率；以及
所述图案部和所述焊接部作为所述掩模片被提供。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述掩模片的安装包括将所述焊接部焊接至所述掩模框。
12.如权利要求10所述的方法，其中，所述基础构件的所述第二部分在350℃至所述基础构件的熔点的范围内被热处理。
13.如权利要求10所述的方法，其中，所述第二部分的热处理在所述图案部形成之前或之后执行。
14.如权利要求10所述的方法，其中，所述开口通过激光打孔、刻蚀或电铸镀层形成。
15.如权利要求10所述的方法，其中，所述基础构件通过电铸镀层形成。
16.如权利要求10所述的方法，其中：
所述掩模片的安装包括将所述焊接部的至少一个焊接点焊接至所述掩模框；以及
所述焊接部布置在所述掩模框上。
17.如权利要求10所述的方法，其中，所述掩模片具有在30wt％至50wt％的范围内的镍含量。
18.如权利要求10所述的方法，其中，所述焊接部的颗粒中的各自具有面心立方结构的颗粒的数量大于所述图案部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量。
19.一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：
掩模组件；以及
沉积源，面向所述掩模组件且经由所述掩模组件提供沉积材料，
其中，所述掩模组件包括掩模片，所述掩模片包括：
图案部，包括至少一个开口；以及
焊接部，连接至所述图案部，所述焊接部和所述图案部由相同材料形成，所述焊接部的颗粒尺寸大于所述图案部的颗粒尺寸，以使得所述焊接部的热导率大于所述图案部的热导。
20.如权利要求19所述的装置，其中，所述焊接部包括至少一个焊接点。
21.如权利要求19所述的装置，其中，所述图案部的表面粗糙度小于所述焊接部的表面粗糙度。
22.如权利要求19所述的装置，其中，所述图案部的颗粒尺寸是纳米级的，以及所述焊接部的颗粒尺寸是微米级的。
23.如权利要求19所述的装置，其中，所述掩模片具有在30wt％至50wt％的范围内的镍含量。
24.如权利要求19所述的装置，其中，所述掩模片的颗粒晶体结构包括体心立方结构和面心立方结构。
25.如权利要求24所述的装置，其中，所述焊接部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量大于所述图案部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量。
26.如权利要求19所述的装置，其中：
所述掩模组件还包括掩模框；以及
所述焊接部焊接至所述掩模框以将所述掩模片安装在所述掩模框上。
27.如权利要求26所述的装置，其中，所述焊接部布置在所述掩模框上。
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