JP6908112B2 - 電子部品モジュール及びその製造方法 - Google Patents

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    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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Description

本発明は、一般に電子部品モジュール及びその製造方法に関し、より詳細には、電子部品と樹脂構造体とを備える電子部品モジュール及びその製造方法に関する。
従来、電子部品モジュールとして、半導体チップ(電子部品)、絶縁樹脂層(樹脂構造体)、導電ポスト(貫通配線)、接続端子、配線層及び表面層を含む半導体パッケージが知られている(例えば特許文献1参照)。
特許文献1に記載された半導体パッケージでは、半導体チップの上面に接続端子が設けられており、半導体チップの底面部を除く全体、半導体チップ上の接続端子、導電ポスト及び配線層は、絶縁樹脂層により覆われている。導電ポストの材料は、例えばCuである。
特開2005−310954号公報
特許文献1に記載された従来の電子部品モジュールでは、上述したように、貫通配線が樹脂構造体で覆われている。
しかしながら、一般的に、樹脂と金属とは密着性が低いため、特許文献1に記載された従来の電子部品モジュールでは、貫通配線と樹脂構造体との密着性が低く、その結果、貫通配線が樹脂構造体から剥がれやすくなる可能性があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、貫通配線を剥がれにくくすることができる電子部品モジュール及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様に係る電子部品モジュールは、電子部品と、樹脂構造体と、貫通配線と、配線層と、密着層とを備える。前記樹脂構造体は、前記電子部品の少なくとも一部を覆っている。前記貫通配線は、前記樹脂構造体を貫通している。前記配線層は、前記電子部品と前記貫通配線とを電気的に接続している。前記密着層は、少なくとも前記樹脂構造体と前記貫通配線との間に形成されており、かつ、前記樹脂構造体及び前記貫通配線に接触している。前記密着層は、無機絶縁膜を含む。
本発明の一態様に係る電子部品モジュールの製造方法は、積層体を準備する工程と、前記積層体上に、貫通配線の元になる導体ピラーを形成する工程とを有する。前記電子部品モジュールの製造方法は、前記導体ピラーが形成された前記積層体上に電子部品を固定する工程と、前記積層体及び前記導体ピラーの露出面上に、密着層の元になる無機絶縁層を形成する工程と、前記積層体上に、樹脂構造体の元になる樹脂構造層を形成する工程とを更に有する。前記電子部品モジュールの製造方法は、前記樹脂構造層を前記樹脂構造体の厚さになるまで研磨することによって、前記電子部品と前記樹脂構造体と前記貫通配線と前記積層体とを含む構造体を形成する工程と、前記構造体から前記積層体を除去する工程とを更に有する。前記電子部品モジュールの製造方法は、前記電子部品と前記貫通配線とを電気的に接続する配線層を形成する工程を更に有する。前記構造体を形成する工程において、前記樹脂構造層を前記樹脂構造体の厚さになるまで研磨することによって、前記電子部品と前記樹脂構造体と前記貫通配線と前記積層体と前記無機絶縁層とを含む前記構造体を形成する。
本発明の上記態様に係る電子部品モジュール及びその製造方法によれば、貫通配線を剥がれにくくすることができる。
図1は、本発明の実施形態1に係る電子部品モジュールの断面図である。 図2は、同上の電子モジュールを備える通信モジュールの断面図である。 図3A〜図3Fは、同上の電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 図4A〜図4Eは、同上の電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 図5は、本発明の実施形態2に係る電子部品モジュールの断面図である。 図6A〜図6Fは、同上の電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 図7A〜図7Eは、同上の電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 図8は、本発明の実施形態3に係る電子部品モジュールの要部の断面図である。
以下、実施形態1〜3に係る電子部品モジュールについて、図面を参照して説明する。
以下の実施形態1〜3に係る電子部品モジュールでは、樹脂構造体と貫通配線とに接触するように、無機絶縁膜を含む密着層が設けられている。
以下の実施形態等において参照する図1、図2、図3A〜図3F、図4A〜図4E、図5、図6A〜図6F及び図7A〜図7Eは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
(実施形態1)
(1)電子部品モジュールの全体構成
以下、実施形態1に係る電子部品モジュール1について、図面を参照して説明する。
実施形態1に係る電子部品モジュール1は、図1に示すように、電子部品2と、樹脂構造体3と、複数(図示例では2つ)の貫通配線4と、複数(図示例では2つ)の配線層5と、密着層6とを備える。電子部品モジュール1では、樹脂構造体3が、電子部品2及び貫通配線4を保持している。電子部品モジュール1では、樹脂構造体3が、外部からの衝撃等から電子部品2を保護している。貫通配線4は、電子部品2の側方に位置し、樹脂構造体3の厚さ方向(所定方向)に樹脂構造体3を貫通している。配線層5は、電子部品2と貫通配線4とを電気的に接続している。
また、電子部品モジュール1は、複数(図示例では2つ)の電極7と、外部接続用配線層8と、複数のレジスト層9,90とを更に備える。電子部品モジュール1では、外部接続用の電極として複数の電極7が設けられている。外部接続用配線層8は、貫通配線4を回路基板10(図2参照)に電気的に接続させるために設けられている。レジスト層9は、配線層5上に形成されている。レジスト層90は、外部接続用配線層8上に形成されている。
電子部品モジュール1は、例えば、電子部品2とは別の電子部品20(図2参照)と回路基板10(図2参照)との間に介在させるインタポーザ(Interposer)として用いることができる。回路基板10は、例えばプリント配線板である。
(2)電子部品モジュールの各構成要素
次に、電子部品モジュール1の各構成要素について、図面を参照して説明する。
(2.1)電子部品
電子部品2は、図1に示すように、電子部品モジュール1の第1方向D1において互いに反対側にある表面21及び裏面22を有する。より詳細には、電子部品2は、板状に形成されており、その厚さ方向において互いに反対側にある表面21及び裏面22を有する。また、電子部品2は、側面23を有する。電子部品2の平面視形状(電子部品2をその厚さ方向から見たときの外周形状)は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。
電子部品2は、例えばSAW(Surface Acoustic Wave)フィルタである。ただし、電子部品2は、SAWフィルタに限らず、例えば、BAW(Bulk Acoustic Wave)フィルタ、RF(Radio Frequency)スイッチ、薄膜コンデンサ、半導体素子であってもよい。上述の別の電子部品20は、例えば、IC(Integrated Circuit)、インダクタ、SAWフィルタである。電子部品モジュール1を備える通信モジュール200(図2参照)では、SAWフィルタである電子部品2の表面21と上述の別の電子部品20との間に、間隙202(図2参照)が形成されている。また、電子部品モジュール1は、複数(図示例では2つ)の導電性バンプ43により電子部品20と電気的に接続し、複数(図示例では2つ)の導電性バンプ44により回路基板10と電気的に接続している。
電子部品2は、SAWフィルタの場合、例えば、厚さ方向において互いに反対側にある表面及び裏面を有する圧電基板と、圧電基板の表面上に形成された機能部とを含む。圧電基板は、例えばLiTaO3基板又はLiNbO3基板である。圧電基板の厚さは、例えば200μm程度である。機能部は、例えば、1又は複数のIDT(Interdigital Transducer)電極を含む。機能部は、外部接続用の端子電極を含んでいてもよい。端子電極の数は、1つであっても複数であってもよい。電子部品2がSAWフィルタである場合、電子部品2の表面21は、例えば、圧電基板の表面のうち露出した部位と、機能部において露出している面とを含む。電子部品2は、SAWフィルタの場合、バルク(Bulk)の圧電基板を備えた構成に限らず、例えば、シリコン基板とシリコン酸化膜と圧電薄膜とがこの順に積層された積層構造を有し、圧電薄膜上に機能部(IDT電極、端子電極等)が形成された構成であってもよい。圧電薄膜は、例えばLiTaO3薄膜又はLiNbO3薄膜である。圧電薄膜の厚さは、IDT電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、3.5λ以下が好ましい。圧電薄膜の厚さは、例えば0.5μm程度である。シリコン酸化膜の厚さは、2.0λ以下が好ましい。シリコン酸化膜の厚さは、例えば0.5μm程度である。積層構造の厚さは、例えば200μm程度である。
(2.2)樹脂構造体
樹脂構造体3は、図1に示すように、電子部品2を保持するように構成されている。樹脂構造体3は、電子部品モジュール1の第1方向D1において互いに反対側にある第1面31及び第2面32を有する。より詳細には、樹脂構造体3は、板状に形成されており、その厚さ方向において互いに反対側にある第1面31及び第2面32を有する。樹脂構造体3の平面視形状(樹脂構造体3をその厚さ方向すなわち第1方向D1から見たときの外周形状)は、長方形状である。ただし、樹脂構造体3の平面視形状は、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。樹脂構造体3の平面サイズは、電子部品2の平面サイズよりも大きい。
樹脂構造体3は、電子部品2の側面23の一部及び裏面22を覆っている。つまり、電子部品2は、樹脂構造体3の内側に配置されている。樹脂構造体3は、電子部品2の表面21を露出させている状態で電子部品2を保持する。
樹脂構造体3は、電気絶縁性を有する樹脂等によって形成されている。また、樹脂構造体3は、例えば、樹脂の他に、樹脂に混合されているフィラーを含んでいるが、フィラーは必須の構成要素ではない。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である。ただし、樹脂は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂又はフッ素系樹脂であってもよい。フィラーは、例えば、シリカ、アルミナ等の無機フィラーである。樹脂構造体3は、樹脂及びフィラーの他に、例えば、カーボンブラック等の黒色顔料を含んでいてもよい。
また、実施形態1の樹脂構造体3は、電子部品2に接触している。つまり、樹脂構造体3は、電子部品2との間に他の部材を介さずに、電子部品2に接触している状態で電子部品2を保持している。
(2.3)貫通配線
電子部品モジュール1では、図1に示すように、樹脂構造体3における電子部品2の側方に、複数(図示例では2つ)の貫通配線4が配置されている。第1方向D1と直交する第2方向D2において、複数の貫通配線4は、電子部品2から離れて位置している。複数の貫通配線4は、樹脂構造体3に保持されている。
貫通配線4は、柱状(ここでは、円柱状)の形状であり、樹脂構造体3の厚さ方向に平行な方向において互いに反対側にある第1端面41及び第2端面42を有する。要するに、貫通配線4は、第1方向D1において互いに反対側にある第1端面41及び第2端面42を有する。貫通配線4の第1端面41には、後述の配線層5の第2端52が積層されている。これにより、電子部品モジュール1では、貫通配線4と配線層5とが電気的に接続されている。
電子部品モジュール1では、電子部品2に対して、配線層5を介して、貫通配線4が電気的に接続されている。電子部品モジュール1では、貫通配線4の位置及び数は、特に限定されない。
貫通配線4の材料は、例えば金属又は合金である。実施形態1に係る電子部品モジュール1では、貫通配線4の材料は、例えばCuである。貫通配線4の材料は、Cuに限らず、例えばNiであってもよい。貫通配線4は、例えば電解めっきによって形成されている。
(2.4)配線層
配線層5は、樹脂構造体3の第1面31側及び電子部品2の表面21側において、電子部品2と貫通配線4とを電気的に接続している。配線層5は、電子部品2の表面21(のうち端子部の表面)に接続されている第1端51と、貫通配線4に接続されている第2端52とを有する。配線層5は、電子部品2の表面21と貫通配線4の第1端面41と後述の密着層6の第2密着部62とに跨って配置されている。配線層5の厚さは、例えば5μm以上10μm以下である。
配線層5の材料は、例えば金属又は合金である。実施形態1に係る電子部品モジュール1では、一例として、配線層5の材料は、Cuである。要するに、配線層5は、Cu層である。配線層5は、単層構造に限らず、複数の層が積層された積層構造であってもよい。配線層5は、例えばスパッタ又はめっきにより形成されている。配線層5の形成方法は、スパッタ又はめっきに限らず、他の形成方法であってもよい。
電子部品モジュール1は、配線層5の他に、貫通配線4を回路基板10(図2参照)に電気的に接続させるための外部接続用配線層8を更に備える。外部接続用配線層8は、樹脂構造体3の第2面32側において、樹脂構造体3の第2面32と貫通配線4の第2端面42とに跨って形成されている。外部接続用配線層8の厚さは、例えば5μm以上10μm以下である。
外部接続用配線層8の材料は、例えば金属又は合金である。実施形態1に係る電子部品モジュール1では、外部接続用配線層8の材料は、配線層5と同様、Cuである。配線層5と同様、外部接続用配線層8は、単層構造に限らず、複数の層が積層された積層構造であってもよい。外部接続用配線層8は、例えばスパッタ又はめっきにより形成されている。なお、外部接続用配線層8の形成方法は、スパッタ又はめっきに限らず、他の形成方法であってもよい。
また、電子部品モジュール1は、外部接続用配線層8上に形成されているレジスト層90を更に備える。レジスト層90は、外部接続用配線層8よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。レジスト層90は、例えばポリイミド層である。これにより、電子部品モジュール1では、外部接続用配線層8を回路基板10等とはんだにより接合する際に、外部接続用配線層8上にはんだが濡れ広がることを抑制できる。
(2.5)密着層
密着層6は、複数の第1密着部61と、第2密着部62とを備える。各第1密着部61は、樹脂構造体3と貫通配線4とに接触するように設けられている。各第1密着部61は、円柱状の貫通配線4の第1端面41及び第2端面42を除く周面全体を覆うように設けられている。第2密着部62は、樹脂構造体3と配線層5とに接触するように樹脂構造体3の第1面31に沿って設けられている。複数の第1密着部61と第2密着部62とは、一体に形成されている。
実施形態1の密着層6は、無機絶縁膜64で構成されている。無機絶縁膜64は、無機絶縁材料により形成されている。無機絶縁膜64に用いられる無機絶縁材料は、例えば、いずれも電気絶縁性を有する金属酸化物又は金属窒化物であってもよいし、シリコン酸化物又はシリコン窒化物であってもよい。無機絶縁膜64は、例えば第2方向D2において貫通配線4の幅よりも非常に薄い薄膜絶縁層である。薄膜絶縁層の膜厚は、例えば、0.01μm以上2μm以下である。
上記のような密着層6が樹脂構造体3に設けられているが、樹脂構造体3の第2面32のうち第1方向D1からの平面視で裏面22に重なる部分の一部は、密着層6に覆われずに露出している。
(2.6)電極
電子部品モジュール1は、配線層5の第2端52上に形成された外部接続用の複数(図示例では2つ)の電極7を更に備える。また、電子部品モジュール1は、配線層5上に形成されているレジスト層9を更に備える。レジスト層9は、電極7及び配線層5よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。レジスト層9は、例えばポリイミド層である。これにより、電子部品モジュール1では、電極7を別の電子部品20等とはんだにより接合する際に、配線層5上にはんだが濡れ広がることを低減できる。あるいは、配線層5上にはんだが濡れ広がることを抑制できる。
電極7は、例えば、配線層5の第2端52上のTi膜と当該Ti膜上のAu膜との積層膜である。電極7の積層構造は、あくまで一例であり、この一例に限定されない。
(3)電子部品モジュールの製造方法
次に、実施形態1に係る電子部品モジュール1の製造方法について、図3A〜図3F及び図4A〜図4Eを参照して説明する。
電子部品モジュール1の製造方法では、電子部品2を準備した後、第1工程〜第10工程を順次行う。
第1工程では、図3Aに示すように、積層体112を準備する。積層体112は、平板状の支持体110と、支持体110の厚さ方向の一面に接着層113により粘着された導電層111とを含む。
第2工程では、図3Bに示すように、積層体112の導電層111上に、複数の貫通配線4の元になる複数の導体ピラー400を形成する。この工程においては、まず、導電層111を覆うポジ型のフォトレジスト層を形成する。その後、フォトレジスト層において貫通配線4の形成予定位置にある部分を、フォトリソグラフィ技術を利用して除去する(貫通配線4の形成予定位置に開孔部を形成する)ことで、導電層111のうち貫通配線4の下地となる部位を露出させる。その後、電解めっきによって導体ピラー400を形成する。導体ピラー400の形成にあたっては、硫酸銅を含むめっき液を介してフォトレジスト層の表面に対向配置された陽極と、導電層111からなる陰極との間に通電して、導体ピラー400を導電層111の露出表面からフォトレジスト層の厚さ方向に沿って析出させる。その後、フォトレジスト層を除去する。
第3工程では、図3Cに示すように、導体ピラー400が形成された積層体112の導電層111上に電子部品2を仮固定する。より詳細には、まず、導電層111上に液状(ペースト状)の樹脂粘着層(図示せず)を形成する。続いて、電子部品2の表面21を樹脂粘着層に対向させ、電子部品2を樹脂粘着層に押し付ける。これにより、第3工程では、樹脂粘着層を介して電子部品2を導電層111上に仮固定する。樹脂粘着層は、感光性を有するポジ型のレジストにより形成されていることが好ましい。
なお、導電層111上に液状(ペースト状)の樹脂粘着層(図示せず)を形成する場合に、樹脂粘着層をスピンコートやスプレーコートで塗布をすると、導体ピラー400の周囲で樹脂粘着層がフィレット状となるため、電子部品2を固定するために必要となる、樹脂粘着層の平坦な領域が小さくなってしまう。そのため、樹脂粘着層の平坦な領域を超える大きな電子部品を使用することができなくなる、あるいは、導体ピラー400同士の間隔を広げなくてはならない、といった問題が発生する。
したがって、容易に変形できる基材シート上に、樹脂粘着層をスプレーコートやスピンコートやプレスなどでシート状に形成し、樹脂粘着層を導電層111に対向させて、基材層側からプレスやローラーなどで押し付け接着させ。その後、基材層を除去し、導電層111上に樹脂粘着層を転写することで、導体ピラー400の周囲で樹脂粘着層を平坦に形成することが可能となる。
なお、容易に変形できる基材シートの材料としては、シリコンゴム、ゲル、熱可塑樹脂(PE、PP、PVC、PS、PVAc、PUR、EVA、PMMA)、粘土などが挙げられる。
第4工程では、図3Dに示すように、密着層6(無機絶縁膜64)の元になる無機絶縁層600を形成する。つまり、導電層111及び導体ピラー400の露出面上に無機絶縁層600を形成する。無機絶縁層600には、無機絶縁材料が用いられる。無機絶縁層600に用いられる無機絶縁材料としては、例えば、いずれも電気絶縁性を有する金属酸化物又は金属窒化物であってもよいし、シリコン酸化物又はシリコン窒化物であってもよい。無機絶縁層600は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)、リソグラフィ技術及びエッチング技術により、導電層111及び導体ピラー400上に形成される。
第4工程では、第1密着部61の元になる無機絶縁層と第2密着部62の元になる無機絶縁層とを、1つの無機絶縁層600により、同一の材料を用いて1つの工程で略同時に形成する。これにより、第1密着部61と第2密着部62とを一体形成することができる。
第5工程では、図3Eに示すように、積層体112上に、樹脂構造体3の元になる樹脂構造層30を形成する。導体ピラー400及び導電層111を覆う無機絶縁層600と電子部品2とを覆うように、樹脂構造層30を積層体112上に形成する。要するに、第5工程では、積層体112の導電層111上に無機絶縁層600を介して樹脂構造層30を形成する。ここで、樹脂構造層30は、その厚さ方向において互いに反対側にある第1面301及び第2面302を有する。樹脂構造層30の第1面301は、無機絶縁層600に接する面である。樹脂構造層30は、電子部品2の裏面22及び側面23を覆っている。さらに、樹脂構造層30は、無機絶縁層600を介して導体ピラー400の側面及び先端面を覆っている。したがって、樹脂構造層30は樹脂構造体3よりも厚く、樹脂構造層30の第2面302と導体ピラー400の先端面との間には樹脂構造層30の一部及び無機絶縁層600の一部が介在している。
第5工程では、樹脂構造層30をプレス成形法によって形成する。なお、樹脂構造層30の形成法は、プレス成形法には限らない。第5工程では、例えば、スピンコート法、トランスファー成形法を利用して樹脂構造層30の材料を電子部品2及び導体ピラー400を覆うように積層体112上に塗布してから熱硬化又は紫外線硬化させることで樹脂構造層30を形成してもよい。
第6工程では、図3Fに示すように、樹脂構造層30を樹脂構造体3の厚さになるまで第1面301とは反対の第2面302側から研磨することによって樹脂構造体3を形成する。要するに、第6工程では、導体ピラー400の先端面が露出しかつ樹脂構造層30の第2面302が導体ピラー400の先端面と略面一となるように樹脂構造層30を研磨する。第6工程では、導体ピラー400の先端面を露出させることが必須であり、導体ピラー400の先端面と樹脂構造層30の第2面302とが面一となることは必須ではない。第6工程を行うことによって、樹脂構造体3と貫通配線4と密着層6とが形成される。
第7工程では、図4Aに示すように、電子部品2と樹脂構造体3と貫通配線4と密着層6と積層体112と樹脂粘着層(図示せず)とを含む構造体から、積層体112及び樹脂粘着層を除去する。これにより、第7工程では、電子部品2の表面21、貫通配線4の両端面(第1端面41及び第2端面42)及び密着層6の一部を露出させることができる。第7工程では、例えば、導電層111と支持体110とを粘着している接着層113の粘着力を低下させ、積層体112における支持体110を除去する(剥離する)。接着層113は、紫外線、赤外線、熱のいずれかによって粘着力を低下させることが可能な接着剤によって形成されていることが好ましい。積層体112における導電層111は、例えばウェットエッチングにより除去することできる。また、第7工程では、樹脂粘着層を露光してから現像することにより樹脂粘着層を除去することができる。
第8工程では、図4Bに示すように、電子部品2と貫通配線4とを電気的に接続する複数の配線層5を形成する。第8工程では、例えば、スパッタ又はめっき、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して各配線層5を形成する。
第9工程では、図4Cに示すように、複数の外部接続用配線層8を形成し、その後、レジスト層90を形成する。第9工程では、例えば、スパッタ又はめっき、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して各外部接続用配線層8を形成する。また、第9工程では、例えば、スピンコート等の塗布技術と、フォトリソグラフィ技術とを利用してレジスト層90を形成する。
第10工程では、図4Dに示すように、複数の電極7を形成し、その後、レジスト層9を形成する。より詳細には、第10工程では、例えば、スパッタ等の薄膜形成技術と、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術とを利用して、電極7を形成する。その後、第10工程では、例えば、スピンコート等の塗布技術と、フォトリソグラフィ技術とを利用してレジスト層9を形成する。その後、第10工程では、導電性バンプ43,44を形成する。導電性バンプ43,44は、はんだバンプであるが、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
第1工程において積層体112として複数の電子部品モジュール1の集合体を形成可能な大きさの積層体112を用いれば、第1工程から第10工程まで行うことによって、複数の電子部品モジュール1の集合体を形成することができる。この場合、例えば、複数の電子部品モジュール1の集合体を個々の電子部品モジュール1に分離するダイシングを行うことで複数の電子部品モジュール1を得ることができる。
電子部品モジュール1を含む通信モジュール200の製造にあたっては、第10工程の後で、以下の第11工程を行ってから、個々の通信モジュール200に分離することで複数の通信モジュール200を得るようにしてもよい。
第11工程では、図4Eに示すように、例えば、電子部品モジュール1の電子部品2とは別の電子部品20を、電子部品モジュール1に実装する。より詳細には、第11工程では、電子部品20の端子電極と電子部品モジュール1の電極7とを導電性バンプ43を介して電気的かつ機械的に接続する。その後、電子部品20を覆うカバー層201を形成する。カバー層201の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂又はシリコーン樹脂を採用することができる。カバー層201は、電子部品モジュール1上の電子部品20を封止する封止層としての機能を有する。
(4)効果
実施形態1に係る電子部品モジュール1では、密着層6が、樹脂構造体3と貫通配線4との間に形成されており、かつ、樹脂構造体3と貫通配線4とに接触している。さらに、密着層6は無機絶縁膜64を含む。無機絶縁膜64は、樹脂との密着性も、金属との密着性も良好であるから、実施形態1に係る電子部品モジュール1では、密着層6が樹脂構造体3と貫通配線4とを密着させる機能を有するため、貫通配線4を剥がれにくくすることができる。
また、実施形態1に係る電子部品モジュール1では、貫通配線4が無機絶縁膜64で覆われているから、樹脂構造体3を介して貫通配線4に入る水分(湿気)等を低減させることができる。これにより、貫通配線4の劣化を抑制することができ、良好な耐湿性を得ることができる。
実施形態1に係る電子部品モジュール1では、樹脂構造体3と貫通配線4との間だけではなく、樹脂構造体3と配線層5とに接触するように密着層6が設けられている。無機絶縁膜64は、樹脂との密着性も、金属との密着性も良好であるから、実施形態1に係る電子部品モジュール1では、配線層5を剥がれにくくすることができる。
実施形態1に係る電子部品モジュール1では、第1密着部61と第2密着部62とが一体に形成されている。言い換えると、第1密着部61の元になる無機絶縁層と第2密着部62の元になる無機絶縁層とが、1つの無機絶縁層600により、同一の材料を用いて1つの工程で略同時に形成される。これにより、第1密着部と第2密着部とが個別に形成されている場合とは異なり、第1密着部61と第2密着部62との間に界面が発生しないため、界面からの水分(湿気)の浸入を抑制することができる。その結果、電子部品モジュール1の信頼性を向上させることができる。
実施形態1に係る電子部品モジュール1では、特にCuは樹脂との密着性が低いため、密着層6による効果が顕著である。
(5)変形例
実施形態1に係る電子部品モジュール1では、樹脂構造体3の第2面32が平面状であり、樹脂構造体3の第2面32から電子部品2の表面21までの最短距離が、第2面32から第1面31までの最短距離よりも長い。これにより、実施形態1に係る電子部品モジュール1では、低背化を図ることができる。
これに対して、実施形態1の変形例として、樹脂構造体3の第2面32が平面状であり、樹脂構造体3の第2面32から電子部品2の表面21までの距離が、樹脂構造体3の第2面32から樹脂構造体3の第1面31までの距離よりも短くてもよい。これにより、本変形例に係る電子部品モジュール1では、電子部品2の表面21に傷がつきにくくなる。
また、実施形態1の別の変形例として、樹脂構造体3の第2面32が平面状であり、樹脂構造体3の第2面32から電子部品2の表面21までの距離が、樹脂構造体3の第2面32から樹脂構造体3の第1面31までの距離と同じであってもよい。
要するに、樹脂構造体3は、電子部品2の側面23の少なくとも一部を覆っていればよい。「電子部品2の側面23の少なくとも一部を覆っている」とは、電子部品2の側面23に関して、少なくとも、電子部品2の側面23のうち表面21側の第1端よりも裏面22側の第2端側にずれた位置から側面23と裏面22との境界まで側面23を全周に亘って覆っていることを意味し、電子部品2の側面23の全部を覆っている場合を含む。
電子部品モジュール1は、図1の例では、1つの電子部品2に対して、電子部品2に直接接続された2つの配線層5を備えるが、配線層5の数は、2つには限らない。配線層5の数は、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。
また、電子部品モジュール1は、図1の例では、1つの電子部品2を備えるが、電子部品2の数は1つに限らず、複数であってもよい。このとき、複数の電子部品2は、同じ種類の電子部品であってもよいし、互いに異なる電子部品であってもよいし、複数の電子部品2のうちの一部の電子部品2のみが同じ電子部品であってもよい。また、電子部品モジュール1が複数の電子部品2を備える場合、電子部品2ごとに、貫通配線4及び配線層5のレイアウトが相違してもよい。
電子部品モジュール1において、密着層6は、複数の第1密着部61ではなく、1つの第1密着部61を備えてもよい。この場合、電子部品モジュール1は、複数の貫通配線4ではなく、1つの貫通配線を備える。
上記の各変形例に係る電子部品モジュール1においても、実施形態1に係る電子部品モジュール1と同様の効果を奏する。
(実施形態2)
実施形態2に係る電子部品モジュール1aは、図5に示すように、樹脂構造体3と貫通配線4との間だけではなく、樹脂構造体3と電子部品2とに接触するように密着層6aが設けられている点で、実施形態1に係る電子部品モジュール1(図1参照)と相違する。なお、実施形態1に係る電子部品モジュール1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係る電子部品モジュール1aは、実施形態1の密着層6(図1参照)に代えて、図5に示すような密着層6aを備える。
密着層6aは、複数の第1密着部61aと、第2密着部62aと、第3密着部63aとを備える。各第1密着部61aは、実施形態1の第1密着部61(図1参照)と同様、樹脂構造体3と貫通配線4とに接触するように設けられている。第3密着部63aは、樹脂構造体3と電子部品2とに接触するように設けられている。より詳細には、第3密着部63aは、電子部品2の裏面22及び側面23を覆うように形成されている。各第2密着部62aは、実施形態1の第2密着部62(図1参照)と同様、樹脂構造体3と配線層5との間において樹脂構造体3の第1面31に沿って設けられている。なお、実施形態1の密着層6(図1参照)と同様の機能については説明を省略する。
実施形態2の密着層6aは、実施形態1の密着層6と同様、電気絶縁性を有する無機絶縁膜64aで構成されている。無機絶縁膜64aは、無機絶縁材料により形成されている。無機絶縁膜64aに用いられる無機絶縁材料は、例えば、いずれも電気絶縁性を有する金属酸化物、金属窒化物、シリコン酸化物又はシリコン窒化物である。無機絶縁膜64aは、例えば第2方向D2において貫通配線4の幅よりも非常に薄い薄膜絶縁層である。
次に、実施形態2に係る電子部品モジュール1aの製造方法について、図6A〜図6F及び図7A〜図7Eを参照して説明する。
電子部品モジュール1aの製造方法では、電子部品2を準備した後、第1工程〜第10工程を順次行う。
実施形態2の第1工程〜第3工程は、実施形態1の第1工程〜第3工程と同様である。第1工程では、図6Aに示すように、積層体112を準備する。第2工程では、図6Bに示すように、積層体112の導電層111上に、複数の貫通配線4の元になる複数の導体ピラー400を形成する。第3工程では、図6Cに示すように、導体ピラー400が形成された積層体112の導電層111上に電子部品2を仮固定する。
第4工程では、図6Dに示すように、密着層6a(無機絶縁膜64a)の元になる無機絶縁層600aを形成する。実施形態2の第4工程では、導電層111及び導体ピラー400の露出面上だけではなく、電子部品2の裏面22及び側面23上にも無機絶縁層600aを形成する。
第5工程では、図6Eに示すように、電子部品2と導体ピラー400と導電層111とを覆う無機絶縁層600aを覆うように積層体112上に、樹脂構造体3の元になる樹脂構造層30を形成する。要するに、第5工程では、積層体112の導電層111上に無機絶縁層600aを介して樹脂構造層30を形成する。
第5工程では、実施形態1の第5工程と同様、樹脂構造層30をプレス成形法によって形成する。なお、実施形態2においても、樹脂構造層30の形成法は、プレス成形法には限らない。
第6工程では、実施形態1の第6工程と同様、図6Fに示すように、樹脂構造層30を樹脂構造体3の厚さになるまで第2面302側から研磨することによって樹脂構造体3を形成する。
実施形態2の第7工程〜第10工程は、実施形態1の第7工程〜第10工程と同様である。第7工程では、図7Aに示すように、電子部品2と樹脂構造体3と貫通配線4と密着層6aと積層体112と樹脂粘着層(図示せず)とを含む構造体から、積層体112及び樹脂粘着層を除去する。第8工程では、図7Bに示すように、電子部品2と貫通配線4とを電気的に接続する複数の配線層5を形成する。第9工程では、図7Cに示すように、複数の外部接続用配線層8及びレジスト層90を形成する。第10工程では、図7Dに示すように、複数の電極7、レジスト層9及び複数の導電性バンプ43,44を形成する。
第11工程では、実施形態1の第11工程と同様、図7Eに示すように、電子部品20を電子部品モジュール1aに実装し、その後、電子部品20を覆うカバー層201を形成する。
以上説明したように、実施形態2に係る電子部品モジュール1aでは、樹脂構造体3と貫通配線4との間だけではなく、樹脂構造体3と電子部品2とに接触するように密着層6aが設けられている。これにより、電子部品2の主材料が、樹脂との密着性の低い材料であっても、電子部品2を剥がれにくくすることができる。
なお、実施形態2の密着層6aは、実施形態1に係る電子部品モジュール1だけではなく、実施形態1の各変形例に係る電子部品モジュール1にも適用することができる。
(実施形態3)
実施形態3に係る電子部品モジュール1bは、図8に示すような密着層6bを備える点で、実施形態1に係る電子部品モジュール1(図1参照)と相違する。なお、実施形態1に係る電子部品モジュール1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態3に係る電子部品モジュール1bは、実施形態1の密着層6(図1参照)に代えて、図8に示すような密着層6bを備える。
密着層6bは、無機絶縁膜64bと、金属の拡散を低減させる拡散防止膜65とを備える。無機絶縁膜64bは、第1密着部61bに設けられている複数の第1絶縁部641と、第2密着部62bに設けられている第2絶縁部642とを有する。なお、実施形態1の密着層6(図1参照)と同様の機能については説明を省略する。
拡散防止膜65は、無機絶縁膜64とは異なる材料により形成されており、複数の第1拡散防止部651と、複数の第2拡散防止部652とを有する。各第1拡散防止部651は、無機絶縁膜64bの第1絶縁部641と貫通配線4との間に設けられている。各第2拡散防止部652は、無機絶縁膜64bの第2絶縁部642と配線層5との間に設けられている。
拡散防止膜65は、窒化シリコン及び金属酸化物の少なくとも1つにより形成されている。拡散防止膜65は、例えば第2方向D2において貫通配線4の幅よりも非常に薄い膜である。
実施形態3の密着層6bにおける無機絶縁膜64aと拡散防止膜65との組合せの一例として、無機絶縁膜64aに酸化シリコン、拡散防止膜65に窒化シリコンが用いられる。これにより、貫通配線4を構成するCuと無機絶縁膜64を構成する酸化シリコンとが接触する可能性を低減できるので、Cuが酸化シリコンに拡散することを抑制できる。
以上説明した実施形態3に係る電子部品モジュール1bでは、密着層6bとして、無機絶縁膜64bとともに、金属の拡散を低減させる拡散防止膜65が設けられている。これにより、貫通配線4を形成する金属が拡散することを抑制できる。その結果、ボイドが形成されることを抑制できる。
なお、拡散防止膜65は、窒化シリコンには限定されず、酸化チタンのような電気絶縁性を有する金属酸化物であってもよい。
また、実施形態3の密着層6bは、実施形態1に係る電子部品モジュール1だけではなく、実施形態1の各変形例に係る電子部品モジュール1又は実施形態2に係る電子部品モジュール1bにも適用することができる。
以上説明した実施形態1〜3は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態1〜3は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
(まとめ)
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。
第1の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)は、電子部品(2)と、樹脂構造体(3)と、貫通配線(4)と、配線層(5)と、密着層(6;6a;6b)とを備える。樹脂構造体(3)は、電子部品(2)の少なくとも一部を覆っている。貫通配線(4)は、樹脂構造体(3)を貫通している。配線層(5)は、電子部品(2)と貫通配線(4)とを電気的に接続している。密着層(6;6a;6b)は、少なくとも樹脂構造体(3)と貫通配線(4)との間に形成されており、かつ、樹脂構造体(3)及び貫通配線(4)に接触している。密着層(6;6a;6b)は、無機絶縁膜(64;64a;64b)を含む。
第1の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、密着層(6)が、樹脂構造体(3)と貫通配線(4)との間に形成されており、かつ、樹脂構造体(3)と貫通配線(4)とに接触している。さらに、密着層(6;6a;6b)が無機絶縁膜(64)を含む。無機絶縁膜(64;64a;64b)は、樹脂との密着性も、金属との密着性も良好であるから、第1の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、密着層(6)が樹脂構造体(3)と貫通配線(4)とを密着させる機能を有するため、貫通配線(4)を剥がれにくくすることができる。
また、第1の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、貫通配線(4)が無機絶縁膜(64;64a;64b)で覆われているから、樹脂構造体(3)を介して貫通配線(4)に入る水分(湿気)等を低減させることができる。これにより、貫通配線(4)の劣化を抑制することができ、良好な耐湿性を得ることができる。
第2の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第1の態様において、密着層(6;6a;6b)は、第1密着部(61;61a;61b)と、第2密着部(62;62a;62b)とを有する。第1密着部(61;61a;61b)は、樹脂構造体(3)と貫通配線(4)とに接触して設けられている。第2密着部(62;62a;62b)は、樹脂構造体(3)と配線層(5)とに接触して設けられている。
第2の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、樹脂構造体(3)と貫通配線(4)との間だけではなく、樹脂構造体(3)と配線層(5)とに接触するように密着層(6;6a;6b)が設けられている。無機絶縁膜(64;64a;64b)は、樹脂との密着性も、金属との密着性も良好であるから、第2の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、配線層(5)を剥がれにくくすることができる。
第3の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第2の態様において、第1密着部(61;61a;61b)と第2密着部(62;62a;62b)は、一体に形成されている。
第3の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第1密着部(61;61a;61b)と第2密着部(62;62a;62b)とが一体に形成されている。これにより、第1密着部と第2密着部とが個別に形成されている場合とは異なり、第1密着部(61;61a;61b)と第2密着部(62;62a;62b)との間に界面が発生しないため、界面からの水分(湿気)の浸入を抑制することができる。その結果、電子部品モジュール(1;1a;1b)の信頼性を向上させることができる。
第4の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第3の態様において、第1密着部(61;61a;61b)と第2密着部(62;62a;62b)とは、同一の材料で形成されている。
第5の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第1〜4の態様のいずれか1つにおいて、無機絶縁膜(64;64a;64b)は、電気絶縁性を有する金属酸化物若しくは金属窒化物、シリコン酸化物又はシリコン窒化物である。
第6の態様に係る電子部品モジュール(1b)では、第1〜5の態様のいずれか1つにおいて、密着層(6b)は、拡散防止膜(65)を更に含む。拡散防止膜(65)は、無機絶縁膜(64b)とは異なる材料により形成されており、金属の拡散を低減させる。
第6の態様に係る電子部品モジュール(1b)では、密着層(6b)として、無機絶縁膜(64b)とともに、金属の拡散を低減させる拡散防止膜(65)が設けられている。これにより、貫通配線(4)を形成する金属が拡散することを抑制できる。その結果、ボイドが形成されることを抑制できる。
第7の態様に係る電子部品モジュール(1b)では、第6の態様において、拡散防止膜(65)は、窒化シリコン及び金属酸化物の少なくとも1つにより形成されている。
第8の態様に係る電子部品モジュール(1b)では、第6又は7の態様において、拡散防止膜(65)は、無機絶縁膜(64b)と貫通配線(4)との間に設けられている。
第9の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第1〜8の態様のいずれか1つにおいて、樹脂構造体(3)は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂により形成されている。
第10の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第1〜9の態様のいずれか1つにおいて、配線層(5)は、Cuを含む導体により形成されている。
第10の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、特にCuは樹脂との密着性が低いため、密着層による効果が顕著である。
第11の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)は、第1〜10の態様のいずれか1つにおいて、電極(7)と、レジスト層(9)とを更に備える。電極(7)は、配線層(5)上に形成されている。レジスト層(9)は、配線層(5)上において電極(7)とは異なる位置に形成されている。レジスト層(9)は、電極(7)及び配線層(5)よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。
第11の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、電極(7)を別の電子部品(20)等とはんだにより接合する際に、配線層(5)上にはんだが濡れ広がることを抑制できる。
第12の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)は、第1〜10の態様のいずれか1つにおいて、外部接続用配線層(8)と、レジスト層(90)とを更に備える。外部接続用配線層(8)は、貫通配線(4)に電気的に接続されている。レジスト層(90)は、外部接続用配線層(8)上に形成されている。レジスト層(90)は、外部接続用配線層(8)よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。
第12の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、外部接続用配線層(8)を回路基板(10)等とはんだにより接合する際に、外部接続用配線層(8)上にはんだが濡れ広がることを抑制できる。
第13の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)の製造方法は、積層体(112)を準備する工程と、積層体(112)上に、貫通配線(4)の元になる導体ピラー(400)を形成する工程とを有する。電子部品モジュール(1;1a;1b)の製造方法は、導体ピラー(400)が形成された積層体(112)上に電子部品(2)を固定する工程と、積層体(112)上に、樹脂構造体(3)の元になる樹脂構造層(30)を形成する工程とを更に有する。電子部品モジュール(1;1a;1b)の製造方法は、樹脂構造層(30)を樹脂構造体(3)の厚さになるまで研磨することによって、電子部品(2)と樹脂構造体(3)と貫通配線(4)と積層体(112)とを含む構造体を形成する工程と、上記構造体から積層体(112)を除去する工程とを更に有する。電子部品モジュール(1;1a;1b)の製造方法は、電子部品(2)と貫通配線(4)とを電気的に接続する配線層(5)を形成する工程を更に有する。
第14の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)は、第13の態様において、電子部品(2)を固定する工程と樹脂構造層(30)を形成する工程との間に、積層体(112)及び導体ピラー(400)の露出面上に、密着層(6;6a;6b)の元になる無機絶縁層(600;600a)を形成する工程を更に有する。上記構造体を形成する工程において、樹脂構造層(30)を樹脂構造体(3)の厚さになるまで研磨することによって、電子部品(2)と樹脂構造体(3)と貫通配線(4)と積層体(112)と無機絶縁層(600;600a)とを含む上記構造体を形成する。
第15の態様に係る電子部品モジュール(1;1a;1b)では、第13又は14の態様において、電子部品(2)を固定する工程は、積層体(112)上に液状の樹脂粘着層を形成する工程と、電子部品(2)の表面を樹脂粘着層に対向させ、電子部品(2)を樹脂粘着層に押し付ける工程とを有する。
1,1a,1b 電子部品モジュール
110 支持体
111 導電層
112 積層体
113 接着層
2 電子部品
21 表面
22 裏面
23 側面
3 樹脂構造体
30 樹脂構造層
301 第1面
302 第2面
31 第1面
32 第2面
4 貫通配線
400 導体ピラー
41 第1端面
42 第2端面
43,44 導電性バンプ
5 配線層
51 第1端
52 第2端
6,6a,6b 密着層
600,600a 無機絶縁層
61,61a,61b 第1密着部
62,62a,62b 第2密着部
63a 第3密着部
64,64a,64b 無機絶縁膜
641 第1絶縁部
642 第2絶縁部
65 拡散防止膜
651 第1拡散防止部
652 第2拡散防止部
7 電極
8 外部接続用配線層
9,90 レジスト層
200 通信モジュール
201 カバー層
202 間隙
10 回路基板
20 電子部品
D1 第1方向
D2 第2方向

Claims (14)

  1. 電子部品と、
    前記電子部品の少なくとも一部を覆っている樹脂構造体と、
    前記樹脂構造体を貫通している貫通配線と、
    前記電子部品と前記貫通配線とを電気的に接続している配線層と、
    少なくとも前記樹脂構造体と前記貫通配線との間に形成されており、かつ、前記樹脂構造体及び前記貫通配線に接触している密着層とを備え、
    前記密着層は、無機絶縁膜を含む、
    ことを特徴とする電子部品モジュール。
  2. 前記密着層は、
    前記樹脂構造体と前記貫通配線とに接触して設けられている第1密着部と、
    前記樹脂構造体と前記配線層とに接触して設けられている第2密着部とを有する
    ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。
  3. 前記第1密着部と前記第2密着部は、一体に形成されている
    ことを特徴とする請求項2に記載の電子部品モジュール。
  4. 前記第1密着部と前記第2密着部とは、同一の材料で形成されている
    ことを特徴とする請求項3に記載の電子部品モジュール。
  5. 前記無機絶縁膜は、電気絶縁性を有する金属酸化物若しくは金属窒化物、シリコン酸化物又はシリコン窒化物である
    ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。
  6. 前記密着層は、前記無機絶縁膜とは異なる材料により形成されており金属の拡散を低減させる拡散防止膜を更に含む
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。
  7. 前記拡散防止膜は、窒化シリコン及び金属酸化物の少なくとも1つにより形成されている
    ことを特徴とする請求項6に記載の電子部品モジュール。
  8. 前記拡散防止膜は、前記無機絶縁膜と前記貫通配線との間に設けられている
    ことを特徴とする請求項6又は7に記載の電子部品モジュール。
  9. 前記樹脂構造体は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂により形成されている
    ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。
  10. 前記配線層は、Cuを含む導体により形成されている
    ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。
  11. 前記配線層上に形成されている電極と、
    前記配線層上において前記電極とは異なる位置に形成されているレジスト層とを更に備え、
    前記レジスト層は、前記電極及び前記配線層よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている
    ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。
  12. 前記貫通配線に電気的に接続されている外部接続用配線層と、
    前記外部接続用配線層上に形成されているレジスト層とを更に備え、
    前記レジスト層は、前記外部接続用配線層よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている
    ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。
  13. 積層体を準備する工程と、
    前記積層体上に、貫通配線の元になる導体ピラーを形成する工程と、
    前記導体ピラーが形成された前記積層体上に電子部品を固定する工程と、
    前記積層体及び前記導体ピラーの露出面上に、密着層の元になる無機絶縁層を形成する工程と、
    前記積層体上に、樹脂構造体の元になる樹脂構造層を形成する工程と、
    前記樹脂構造層を前記樹脂構造体の厚さになるまで研磨することによって、前記電子部品と前記樹脂構造体と前記貫通配線と前記積層体とを含む構造体を形成する工程と、
    前記構造体から前記積層体を除去する工程と、
    前記電子部品と前記貫通配線とを電気的に接続する配線層を形成する工程とを有し、
    前記構造体を形成する工程において、前記樹脂構造層を前記樹脂構造体の厚さになるまで研磨することによって、前記電子部品と前記樹脂構造体と前記貫通配線と前記積層体と前記無機絶縁層とを含む前記構造体を形成する
    ことを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
  14. 前記電子部品を固定する工程は、
    前記積層体上に液状の樹脂粘着層を形成する工程と、
    前記電子部品の表面を前記樹脂粘着層に対向させ、前記電子部品を前記樹脂粘着層に押し付ける工程とを有する
    ことを特徴とする請求項13に記載の電子部品モジュールの製造方法。
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