JP6834017B2 - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 221
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 182
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 30
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 487
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 16
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- -1 fluororesin Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
- H01L28/92—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by patterning layers, e.g. by etching conductive layers
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
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- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
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Description
第2側面によれば、第1面と第2面とを有し、前記第1面から前記第2面まで各々が延びた1以上の第1貫通孔が設けられた基板と、前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とを覆った第1導電層と、前記第1導電層を間に挟んで、前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とに向き合った第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層とを備え、前記基板は、前記基板の厚さ方向に垂直な第1及び第2主面を更に有し、前記第1主面に複数のトレンチが設けられ、前記第1面及び前記第2面は、前記複数のトレンチの隣り合った2つの側壁であるコンデンサが提供される。
第5側面によれば、基板上に、第1貴金属を含んだ第1触媒層を、前記基板の表面を部分的に覆うように形成することと、前記第1貴金属の触媒としての作用のもとで前記基板をエッチングして、前記基板に1以上の第1貫通孔を形成することと、前記1以上の第1貫通孔を形成した前記基板上に第1導電層を形成することと、前記第1導電層上に誘電体層を形成することと、前記誘電体層上に第2導電層を形成することとを含み、前記第1触媒層を形成するのに先立ち、前記基板に複数のトレンチを形成することを更に含み、前記基板のうち前記複数のトレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の貫通孔を、前記1以上の第1貫通孔として形成するコンデンサの製造方法が提供される。
図1は、第1実施形態に係るコンデンサを概略的に示す平面図である。図2は、図1に示すコンデンサのII−II線に沿った断面図である。図3は、図1に示すコンデンサのIII−III線に沿った断面図である。図4は、図1に示すコンデンサのIV−IV線に沿った断面図である。図5は、図1に示すコンデンサのV−V線に沿った断面図である。図6は、図1に示すコンデンサのVI−VI線に沿った断面図である。
第1絶縁層61は、第2導電層20bの第5部分P5及び第7部分P7を覆っている。第1絶縁層61は、第2導電層20bに設けられた貫通孔の側壁と、誘電体層50に設けられた貫通孔の側壁とを更に覆っている。第1絶縁層61は、例えば、シリコン窒化物などの無機絶縁体からなる。
絶縁層60は、多層構造を有していてもよく、単層構造を有していてもよい。
図7は、図1乃至図6に示すコンデンサの製造における第1触媒層形成工程を概略的に示す断面図である。図8は、図1乃至図6に示すコンデンサの製造における第2触媒層形成工程を概略的に示す断面図である。図9は、図1乃至図6に示すコンデンサの製造におけるエッチング工程を概略的に示す断面図である。図10は、図1乃至図6に示すコンデンサの製造におけるエッチング工程を概略的に示す他の断面図である。図11は、図9及び図10のエッチング工程によって得られる構造の一例を概略的に示す断面図である。図12は、図11に示す構造の他の断面図である。
即ち、先ず、図7及び図8に示すように、基板10上に、第1貴金属を含んだ第1触媒層80a及び80bを形成する。第1触媒層80a及び80bは、それぞれ、第1主面S1及び第2主面S2を部分的に覆うように形成する。
第1マスク層90aは、第1凹部R1に対応した位置で開口している。第1マスク層90aは、第1主面S1のうち第1マスク層90aによって覆われた部分が、後述する貴金属と接触するのを防止する。
第2マスク層90bは、第2凹部R2に対応した位置で開口している。第2マスク層90bは、第2主面S2のうち第2マスク層90bによって覆われた部分が、貴金属と接触するのを防止する。
エッチング剤100における弗化水素の濃度は、1mol/L乃至20mol/Lの範囲内にあることが好ましく、5mol/L乃至10mol/Lの範囲内にあることがより好ましく、3mol/L乃至7mol/Lの範囲内にあることが更に好ましい。弗化水素濃度が低い場合、高いエッチングレートを達成することが難しい。弗化水素濃度が高い場合、過剰なサイドエッチングを生じる可能性がある。
エッチング剤100は、水などの他の成分を更に含んでいてもよい。
図13は、第2実施形態に係るコンデンサを概略的に示す断面図である。
加えて、このコンデンサ1Bでは、第1導電層20aと第1誘電体層50aと第2導電層20bと第2誘電体層50bと第3導電層20cとが積層構造を形成している。即ち、このコンデンサ1Bでは、コンデンサ1Aと比較して、より多くの導電層が誘電体層を間に挟んで積層されている。それ故、このコンデンサ1Bは、より大きな電気容量を達成し得る。
図14は、第3実施形態に係るコンデンサを概略的に示す断面図である。図15は、図14に示すコンデンサの一部を概略的に示す斜視図である。なお、図15には、図14に示すコンデンサ1Cから、電極70b、電極70a、絶縁層60、及び第2導電層20bを省略した構造を描いている。
図16は、図14に示すコンデンサの製造に使用する、トレンチが設けられた基板の一例を概略的に示す斜視図である。図17は、図14に示すコンデンサの製造における触媒層形成工程を概略的に示す斜視図である。図18は、図14に示すコンデンサの製造におけるエッチング工程によって得られる構造の一例を概略的に示す斜視図である。
即ち、先ず、図17に示すように、第1凹部R1の側壁上に、触媒粒子81aを堆積させる。触媒粒子81aの堆積は、触媒粒子81a間に十分な大きさの隙間が生じるように行う。
図19は、第4実施形態に係るコンデンサの一部を概略的に示す斜視図である。
第4実施形態に係るコンデンサは、以下の構成を採用したこと以外は、第1実施形態に係るコンデンサ1Aと同様である。
図20は、第5実施形態に係るコンデンサを概略的に示す断面図である。図21は、図20に示すコンデンサの一部を概略的に示す斜視図である。図22は、図21に示すコンデンサのXXII−XXII線に沿った断面図である。なお、図21には、図20に示すコンデンサ1Dから、電極70b、電極70a、絶縁層60、及び第2導電層20bを省略した構造を描いている。
従って、上記の方法によると、図20乃至図23に示した構造が得られる。
図24は、第6実施形態に係るコンデンサの一部を概略的に示す斜視図である。
第6実施形態に係るコンデンサは、以下の構成を採用したこと以外は、第4実施形態に係るコンデンサと同様である。
以下に、当初の請求の範囲に記載していた発明を付記する。
[1]
第1面と第2面とを有し、前記第1面から前記第2面まで各々が延びた1以上の第1貫通孔が設けられた基板と、
前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備えたコンデンサ。
[2]
前記第1面及び前記第2面は、それぞれ、前記基板の厚さ方向に垂直な第1及び第2主面であり、前記1以上の貫通孔は、前記厚さ方向に各々が延びた1以上の貫通孔である項1に記載のコンデンサ。
[3]
1以上の第1トレンチが前記第1主面に設けられ、1以上の第2トレンチが前記第2主面に設けられ、前記1以上の第1トレンチの長さ方向と前記1以上の第2トレンチの長さ方向とは互いに交差し、前記1以上の第1トレンチと前記1以上の第2トレンチとは互いに繋がって前記1以上の第1貫通孔を形成している項2に記載のコンデンサ。
[4]
前記第1導電層は、前記1以上の第1トレンチの側壁及び底面と、前記1以上の第2トレンチの側壁及び底面とを更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記1以上の第1トレンチの前記側壁及び前記底面と、前記1以上の第2トレンチの前記側壁及び前記底面とに更に向き合った項3に記載のコンデンサ。
[5]
前記1以上の第1トレンチの各々の深さと前記1以上の第2トレンチの各々の深さとの和は、前記基板の厚さ以上である項3又は4に記載のコンデンサ。
[6]
前記1以上の第1トレンチと前記1以上の第2トレンチとは、それらが交差した位置で前記1以上の第1貫通孔を形成している項3乃至5の何れか1項に記載のコンデンサ。
[7]
前記1以上の第1トレンチは複数の第1トレンチであり、前記基板のうち前記複数の第1トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分には、前記隣り合った2つの第1トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第2貫通孔が設けられ、前記第1導電層は、前記1以上の第2貫通孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記1以上の第2貫通孔の前記側壁に更に向き合った項3乃至6の何れか1項に記載のコンデンサ。
[8]
前記1以上の第2トレンチは複数の第2トレンチであり、前記基板のうち前記複数の第2トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分には、前記隣り合った2つの第2トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第3貫通孔が設けられ、前記第1導電層は、前記1以上の第3貫通孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記1以上の第3貫通孔の前記側壁に更に向き合った項3乃至7の何れか1項に記載のコンデンサ。
[9]
前記基板は、前記基板の厚さ方向に垂直な第1及び第2主面を更に有し、前記第1主面に複数のトレンチが設けられ、前記第1面及び前記第2面は、前記複数のトレンチの隣り合った2つの側壁である項1に記載のコンデンサ。
[10]
前記第1導電層は、前記第1主面と前記複数のトレンチの底面とを更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記第1主面と前記複数のトレンチの前記底面とに更に向き合った項9に記載のコンデンサ。
[11]
第1主面と第2主面とを有し、前記第1主面に複数のトレンチが設けられ、前記複数のトレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋いでいる1以上の貫通孔が設けられた基板と、
前記第1主面と前記トレンチの側壁及び底面と前記1以上の貫通孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1主面と前記トレンチの前記側壁及び前記底面と前記1以上の貫通孔の前記側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備えたコンデンサ。
[12]
前記第1導電層の一部と前記第2導電層の一部と前記誘電体層の一部とを間に挟んで前記第1主面と向き合った絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第1導電層と電気的に接続された第1電極と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第2導電層と電気的に接続された第2電極と
を更に備えた項2乃至11の何れか1項に記載のコンデンサ。
[13]
前記第1導電層及び前記第2導電層は金属からなる項1乃至12の何れか1項に記載のコンデンサ。
[14]
前記基板はシリコンを含んだ項1乃至13の何れか1項に記載のコンデンサ。
[15]
基板上に、第1貴金属を含んだ第1触媒層を、前記基板の表面を部分的に覆うように形成することと、
前記第1貴金属の触媒としての作用のもとで前記基板をエッチングして、前記基板に1以上の第1貫通孔を形成することと、
前記1以上の第1貫通孔を形成した前記基板上に第1導電層を形成することと、
前記第1導電層上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層上に第2導電層を形成することと
を含んだコンデンサの製造方法。
[16]
前記基板の厚さ方向に各々が延びた1以上の貫通孔を前記1以上の第1貫通孔として形成する項15に記載の方法。
[17]
前記基板は第1主面と第2主面とを有し、
1以上の第1トレンチを前記第1主面に形成し、1以上の第2トレンチをそれらの長さ方向が前記1以上の第1トレンチの長さ方向と交差するように前記第2主面に形成することにより、前記1以上の第1貫通孔を形成する項16に記載の方法。
[18]
前記1以上の第1トレンチとして複数の第1トレンチを形成し、前記1以上の第2トレンチとして複数の第2トレンチを形成し、
前記1以上の第1貫通孔を形成した後であって、前記第1導電層を形成する前に、前記基板上に、第2貴金属を含んだ第2触媒層を、前記複数の第1トレンチの側壁と前記複数の第2トレンチの側壁とを部分的に覆うように形成することと、
前記第2貴金属の触媒としての作用のもとで前記基板をエッチングして、前記基板のうち前記複数の第1トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つの第1トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第2貫通孔を形成するとともに、前記基板のうち前記複数の第2トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つの第2トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第3貫通孔を形成することと
を更に含んだ項17に記載の方法。
[19]
前記第1触媒層を形成するのに先立ち、前記基板に複数のトレンチを形成することを更に含み、
前記基板のうち前記複数のトレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の貫通孔を、前記1以上の第1貫通孔として形成する項15に記載の方法。
[20]
前記第1導電層及び前記第2導電層の各々を、被めっき金属の塩と界面活性剤と超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素とを含んだめっき液を用いためっき法により形成する項15乃至19の何れか1項に記載の方法。
[21]
第1主面と第2主面とを有し、前記第1主面に1以上の第1トレンチが設けられ、前記1以上の第1トレンチの側壁に、前記第1トレンチの前記側壁に対して傾いた第1方向へ各々が延びた複数の第1孔が設けられた基板と、
前記第1主面と前記第1トレンチの側壁及び底面と前記複数の第1孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1主面と前記第1トレンチの前記側壁及び前記底面と前記1以上の第1孔の前記側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備えたコンデンサ。
[22]
前記1以上の第1トレンチは2以上のトレンチであり、前記複数の第1孔のうち少なくとも1つは、前記2以上の第1トレンチの隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋いだ貫通孔である項21に記載のコンデンサ。
[23]
前記第1トレンチの前記側壁には、前記第1方向と交差する第2方向へ各々が延びた複数の第2孔が更に設けられ、前記第1導電層は、前記複数の第2孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は前記第1導電層を間に挟んで、前記複数の第2孔の前記側壁に更に向き合った項21又は22に記載のコンデンサ。
[24]
前記第1方向と前記第2方向とは直交している項23に記載のコンデンサ。
[25]
前記基板のうち前記1以上の第1トレンチと隣接した部分は、面心立方構造を有する結晶からなる項21乃至24の何れか1項に記載のコンデンサ。
[26]
前記第1方向は<110>軸に平行である項25に記載のコンデンサ。
[27]
1以上の第2トレンチが前記第2主面に設けられ、前記1以上の第1トレンチの長さ方向と前記1以上の第2トレンチの長さ方向とは互いに交差し、前記1以上の第1トレンチと前記1以上の第2トレンチとは互いに繋がって1以上の第1貫通孔を形成し、
前記第2トレンチの側壁には、前記第2トレンチの前記側壁に対して傾いた第3方向へ各々が延びた複数の第3孔が設けられ、前記第1導電層は、前記複数の第3孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は前記第1導電層を間に挟んで、前記複数の第3孔の前記側壁に更に向き合った項21乃至26の何れか1項に記載のコンデンサ。
[28]
前記基板のうち前記1以上の第2トレンチと隣接した部分は、面心立方構造を有する結晶からなる項27に記載のコンデンサ。
[29]
前記第3方向は<110>軸に平行である項28に記載のコンデンサ。
[30]
前記第1方向と前記第3方向とは、平行であるか又は直交している項27乃至29の何れか1項に記載のコンデンサ。
[31]
前記第2トレンチの前記側壁には、前記第3方向と交差する第4方向へ各々が延びた複数の第4孔が更に設けられ、前記第1導電層は、前記複数の第4孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は前記第1導電層を間に挟んで、前記複数の第4孔の前記側壁に更に向き合った項27乃至30の何れか1項に記載のコンデンサ。
[32]
前記第3方向と前記第4方向とは直交している項31に記載のコンデンサ。
[33]
第1主面と第2主面とを有する基板の前記第1主面に、1以上の第1トレンチを形成することと、
前記1以上の第1トレンチの側壁に、第1貴金属を含んだ第1触媒層を、前記1以上の第1トレンチの前記側壁を部分的に覆うように形成することと、
前記第1貴金属の触媒としての作用のもとで前記第1トレンチの前記側壁をエッチングして、前記第1トレンチの前記側壁に、前記第1トレンチの前記側壁に対して傾いた第1方向へ各々が延びた複数の第1孔を形成することと、
前記複数の第1孔を形成した前記基板上に第1導電層を形成することと、
前記第1導電層上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層上に第2導電層を形成することと
を含んだコンデンサの製造方法。
[34]
前記基板のうち前記1以上の第1トレンチと隣接した部分は、面心立方構造を有する結晶からなる項33に記載の方法。
[35]
前記第1方向は<110>軸に平行である項33又は34に記載の方法。
[36]
前記第1導電層及び前記第2導電層の各々を、被めっき金属の塩と界面活性剤と超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素とを含んだめっき液を用いためっき法により形成する項33乃至35の何れか1項に記載の方法。
Claims (32)
- 第1面と第2面とを有し、前記第1面から前記第2面まで各々が延びた1以上の第1貫通孔が設けられた基板と、
前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備え、
前記第1面及び前記第2面は、それぞれ、前記基板の厚さ方向に垂直な第1及び第2主面であり、前記1以上の貫通孔は、前記厚さ方向に各々が延びた1以上の貫通孔であり、
1以上の第1トレンチが前記第1主面に設けられ、1以上の第2トレンチが前記第2主面に設けられ、前記1以上の第1トレンチの長さ方向と前記1以上の第2トレンチの長さ方向とは互いに交差し、前記1以上の第1トレンチと前記1以上の第2トレンチとは互いに繋がって前記1以上の第1貫通孔を形成しているコンデンサ。 - 前記第1導電層は、前記1以上の第1トレンチの側壁及び底面と、前記1以上の第2トレンチの側壁及び底面とを更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記1以上の第1トレンチの前記側壁及び前記底面と、前記1以上の第2トレンチの前記側壁及び前記底面とに更に向き合った請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記1以上の第1トレンチの各々の深さと前記1以上の第2トレンチの各々の深さとの和は、前記基板の厚さ以上である請求項1又は2に記載のコンデンサ。
- 前記1以上の第1トレンチと前記1以上の第2トレンチとは、それらが交差した位置で前記1以上の第1貫通孔を形成している請求項1乃至3の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 前記1以上の第1トレンチは複数の第1トレンチであり、前記基板のうち前記複数の第1トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分には、前記隣り合った2つの第1トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第2貫通孔が設けられ、前記第1導電層は、前記1以上の第2貫通孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記1以上の第2貫通孔の前記側壁に更に向き合った請求項1乃至4の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 前記1以上の第2トレンチは複数の第2トレンチであり、前記基板のうち前記複数の第2トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分には、前記隣り合った2つの第2トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第3貫通孔が設けられ、前記第1導電層は、前記1以上の第3貫通孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記1以上の第3貫通孔の前記側壁に更に向き合った請求項1乃至5の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 第1面と第2面とを有し、前記第1面から前記第2面まで各々が延びた1以上の第1貫通孔が設けられた基板と、
前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1面と前記第2面と前記1以上の第1貫通孔の側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備え、
前記基板は、前記基板の厚さ方向に垂直な第1及び第2主面を更に有し、前記第1主面に複数のトレンチが設けられ、前記第1面及び前記第2面は、前記複数のトレンチの隣り合った2つの側壁であるコンデンサ。 - 前記第1導電層は、前記第1主面と前記複数のトレンチの底面とを更に覆い、前記第2導電層は、前記第1導電層を間に挟んで、前記第1主面と前記複数のトレンチの前記底面とに更に向き合った請求項7に記載のコンデンサ。
- 第1主面と第2主面とを有し、前記第1主面に複数のトレンチが設けられ、前記複数のトレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋いでいる1以上の貫通孔が設けられた基板と、
前記第1主面と前記トレンチの側壁及び底面と前記1以上の貫通孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1主面と前記トレンチの前記側壁及び前記底面と前記1以上の貫通孔の前記側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備えたコンデンサ。 - 前記第1導電層の一部と前記第2導電層の一部と前記誘電体層の一部とを間に挟んで前記第1主面と向き合った絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第1導電層と電気的に接続された第1電極と、
前記絶縁層上に設けられ、前記第2導電層と電気的に接続された第2電極と
を更に備えた請求項1乃至9の何れか1項に記載のコンデンサ。 - 前記第1導電層及び前記第2導電層は金属からなる請求項1乃至10の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 前記基板はシリコンを含んだ請求項1乃至11の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 基板上に、第1貴金属を含んだ第1触媒層を、前記基板の表面を部分的に覆うように形成することと、
前記第1貴金属の触媒としての作用のもとで前記基板をエッチングして、前記基板に1以上の第1貫通孔を形成することと、
前記1以上の第1貫通孔を形成した前記基板上に第1導電層を形成することと、
前記第1導電層上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層上に第2導電層を形成することと
を含み、
前記基板は第1主面と第2主面とを有し、
1以上の第1トレンチを前記第1主面に形成し、1以上の第2トレンチをそれらの長さ方向が前記1以上の第1トレンチの長さ方向と交差するように前記第2主面に形成することにより、前記基板の厚さ方向に各々が延びた1以上の貫通孔を、前記1以上の第1貫通孔として形成するコンデンサの製造方法。 - 前記1以上の第1トレンチとして複数の第1トレンチを形成し、前記1以上の第2トレンチとして複数の第2トレンチを形成し、
前記1以上の第1貫通孔を形成した後であって、前記第1導電層を形成する前に、前記基板上に、第2貴金属を含んだ第2触媒層を、前記複数の第1トレンチの側壁と前記複数の第2トレンチの側壁とを部分的に覆うように形成することと、
前記第2貴金属の触媒としての作用のもとで前記基板をエッチングして、前記基板のうち前記複数の第1トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つの第1トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第2貫通孔を形成するとともに、前記基板のうち前記複数の第2トレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つの第2トレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の第3貫通孔を形成することと
を更に含んだ請求項13に記載のコンデンサの製造方法。 - 基板上に、第1貴金属を含んだ第1触媒層を、前記基板の表面を部分的に覆うように形成することと、
前記第1貴金属の触媒としての作用のもとで前記基板をエッチングして、前記基板に1以上の第1貫通孔を形成することと、
前記1以上の第1貫通孔を形成した前記基板上に第1導電層を形成することと、
前記第1導電層上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層上に第2導電層を形成することと
を含み、
前記第1触媒層を形成するのに先立ち、前記基板に複数のトレンチを形成することを更に含み、
前記基板のうち前記複数のトレンチの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分に、前記隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋ぐ1以上の貫通孔を、前記1以上の第1貫通孔として形成するコンデンサの製造方法。 - 前記第1導電層及び前記第2導電層の各々を、被めっき金属の塩と界面活性剤と超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素とを含んだめっき液を用いためっき法により形成する請求項13乃至15の何れか1項に記載のコンデンサの製造方法。
- 第1主面と第2主面とを有し、前記第1主面に1以上の第1トレンチが設けられ、前記1以上の第1トレンチの側壁に、前記第1トレンチの前記側壁に対して傾いた第1方向へ各々が延びた複数の第1孔が設けられた基板と、
前記第1主面と前記第1トレンチの側壁及び底面と前記複数の第1孔の側壁とを覆った第1導電層と、
前記第1導電層を間に挟んで、前記第1主面と前記第1トレンチの前記側壁及び前記底面と前記1以上の第1孔の前記側壁とに向き合った第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に介在した誘電体層と
を備えたコンデンサ。 - 前記1以上の第1トレンチは2以上のトレンチであり、前記複数の第1孔のうち少なくとも1つは、前記2以上の第1トレンチの隣り合った2つのトレンチの一方と他方とを繋いだ貫通孔である請求項17に記載のコンデンサ。
- 前記第1トレンチの前記側壁には、前記第1方向と交差する第2方向へ各々が延びた複数の第2孔が更に設けられ、前記第1導電層は、前記複数の第2孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は前記第1導電層を間に挟んで、前記複数の第2孔の前記側壁に更に向き合った請求項17又は18に記載のコンデンサ。
- 前記第1方向と前記第2方向とは直交している請求項19に記載のコンデンサ。
- 前記基板のうち前記1以上の第1トレンチと隣接した部分は、面心立方構造を有する結晶からなる請求項17乃至20の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 前記第1方向は<110>軸に平行である請求項21に記載のコンデンサ。
- 1以上の第2トレンチが前記第2主面に設けられ、前記1以上の第1トレンチの長さ方向と前記1以上の第2トレンチの長さ方向とは互いに交差し、前記1以上の第1トレンチと前記1以上の第2トレンチとは互いに繋がって1以上の第1貫通孔を形成し、
前記第2トレンチの側壁には、前記第2トレンチの前記側壁に対して傾いた第3方向へ各々が延びた複数の第3孔が設けられ、前記第1導電層は、前記複数の第3孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は前記第1導電層を間に挟んで、前記複数の第3孔の前記側壁に更に向き合った請求項17乃至22の何れか1項に記載のコンデンサ。 - 前記基板のうち前記1以上の第2トレンチと隣接した部分は、面心立方構造を有する結晶からなる請求項23に記載のコンデンサ。
- 前記第3方向は<110>軸に平行である請求項24に記載のコンデンサ。
- 前記第1方向と前記第3方向とは、平行であるか又は直交している請求項23乃至25の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 前記第2トレンチの前記側壁には、前記第3方向と交差する第4方向へ各々が延びた複数の第4孔が更に設けられ、前記第1導電層は、前記複数の第4孔の側壁を更に覆い、前記第2導電層は前記第1導電層を間に挟んで、前記複数の第4孔の前記側壁に更に向き合った請求項23乃至26の何れか1項に記載のコンデンサ。
- 前記第3方向と前記第4方向とは直交している請求項27に記載のコンデンサ。
- 第1主面と第2主面とを有する基板の前記第1主面に、1以上の第1トレンチを形成することと、
前記1以上の第1トレンチの側壁に、第1貴金属を含んだ第1触媒層を、前記1以上の第1トレンチの前記側壁を部分的に覆うように形成することと、
前記第1貴金属の触媒としての作用のもとで前記第1トレンチの前記側壁をエッチングして、前記第1トレンチの前記側壁に、前記第1トレンチの前記側壁に対して傾いた第1方向へ各々が延びた複数の第1孔を形成することと、
前記複数の第1孔を形成した前記基板上に第1導電層を形成することと、
前記第1導電層上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層上に第2導電層を形成することと
を含んだコンデンサの製造方法。 - 前記基板のうち前記1以上の第1トレンチと隣接した部分は、面心立方構造を有する結晶からなる請求項29に記載のコンデンサの製造方法。
- 前記第1方向は<110>軸に平行である請求項29又は30に記載のコンデンサの製造方法。
- 前記第1導電層及び前記第2導電層の各々を、被めっき金属の塩と界面活性剤と超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素とを含んだめっき液を用いためっき法により形成する請求項29乃至31の何れか1項に記載のコンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/008585 WO2019171470A1 (ja) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | コンデンサ及びその製造方法 |
JPPCT/JP2018/008585 | 2018-03-06 | ||
PCT/JP2019/000351 WO2019171750A1 (ja) | 2018-03-06 | 2019-01-09 | コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019171750A1 JPWO2019171750A1 (ja) | 2020-04-16 |
JP6834017B2 true JP6834017B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=67845953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019548751A Active JP6834017B2 (ja) | 2018-03-06 | 2019-01-09 | コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11508525B2 (ja) |
EP (1) | EP3764394A4 (ja) |
JP (1) | JP6834017B2 (ja) |
KR (1) | KR102287579B1 (ja) |
CN (1) | CN110637359B (ja) |
WO (2) | WO2019171470A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7027352B2 (ja) | 2019-01-21 | 2022-03-01 | 株式会社東芝 | コンデンサ |
JP7179634B2 (ja) | 2019-02-07 | 2022-11-29 | 株式会社東芝 | コンデンサ及びコンデンサモジュール |
JP7317649B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-07-31 | 株式会社東芝 | コンデンサ |
JP7314001B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-07-25 | 株式会社東芝 | コンデンサ |
JP7391741B2 (ja) | 2020-03-23 | 2023-12-05 | 株式会社東芝 | 構造体 |
JP7434009B2 (ja) | 2020-03-23 | 2024-02-20 | 株式会社東芝 | 構造体及びその製造方法 |
JP2022144046A (ja) | 2021-03-18 | 2022-10-03 | 株式会社東芝 | エッチング方法 |
TW202243237A (zh) * | 2021-04-21 | 2022-11-01 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | 電容器 |
US20230123402A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-20 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Three electrode capacitor structure using spaced conductive pillars |
CN114400286B (zh) * | 2022-01-14 | 2023-04-07 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种高可靠性通孔电容和制作方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5258321A (en) | 1988-01-14 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for semiconductor memory device having stacked trench capacitors and improved intercell isolation |
JPH0752756B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1995-06-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
US5153813A (en) * | 1991-10-31 | 1992-10-06 | International Business Machines Corporation | High area capacitor formation using dry etching |
US5508542A (en) | 1994-10-28 | 1996-04-16 | International Business Machines Corporation | Porous silicon trench and capacitor structures |
DE59814458D1 (de) * | 1997-10-21 | 2010-08-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer DRAM-Zelle mit Kondensator in separatem Substrat |
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US6525922B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-02-25 | Intel Corporation | High performance via capacitor and method for manufacturing same |
JP4060572B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2008-03-12 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2007311676A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
TWI321970B (en) | 2007-01-31 | 2010-03-11 | Advanced Semiconductor Eng | Package stucture with embedded capacitor and applications thereof |
KR100779263B1 (ko) * | 2007-02-06 | 2007-11-27 | 오영주 | 무극성 금속 전해 커패시터 및 그의 제조방법 |
JP4600688B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-12-15 | Tdk株式会社 | 電子部品の製造方法および電子部品 |
JP4382841B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-12-16 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
JP2009246180A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ |
JP2009291991A (ja) | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Fujifilm Corp | 積層構造体の製造方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
US8088667B2 (en) * | 2008-11-05 | 2012-01-03 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Method of fabricating vertical capacitors in through-substrate vias |
JP5500041B2 (ja) * | 2010-10-21 | 2014-05-21 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法 |
US8742541B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-06-03 | Tessera, Inc. | High density three-dimensional integrated capacitors |
US8502340B2 (en) * | 2010-12-09 | 2013-08-06 | Tessera, Inc. | High density three-dimensional integrated capacitors |
US8492874B2 (en) * | 2011-02-04 | 2013-07-23 | Qualcomm Incorporated | High density metal-insulator-metal trench capacitor |
US8384191B2 (en) | 2011-05-25 | 2013-02-26 | Nanya Technology Corp. | Stack capacitor structure and forming method |
JP5613620B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2014-10-29 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
KR101845977B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2018-04-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8896521B2 (en) | 2012-04-24 | 2014-11-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Metal-insulator-metal capacitors on glass substrates |
JP2014053585A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP5750092B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2015-07-15 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ |
KR101642570B1 (ko) * | 2014-06-24 | 2016-07-29 | 삼성전기주식회사 | 적층형 캐패시터 및 그 제조 방법 |
JP6193321B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置 |
KR101748949B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2017-06-21 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-03-06 WO PCT/JP2018/008585 patent/WO2019171470A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-01-09 CN CN201980002456.2A patent/CN110637359B/zh active Active
- 2019-01-09 WO PCT/JP2019/000351 patent/WO2019171750A1/ja unknown
- 2019-01-09 KR KR1020197033835A patent/KR102287579B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-09 JP JP2019548751A patent/JP6834017B2/ja active Active
- 2019-01-09 EP EP19764627.6A patent/EP3764394A4/en active Pending
-
2020
- 2020-03-16 US US16/819,404 patent/US11508525B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019171750A1 (ja) | 2019-09-12 |
US20200219656A1 (en) | 2020-07-09 |
KR20190139974A (ko) | 2019-12-18 |
JPWO2019171750A1 (ja) | 2020-04-16 |
EP3764394A1 (en) | 2021-01-13 |
EP3764394A4 (en) | 2022-02-23 |
CN110637359B (zh) | 2024-03-08 |
KR102287579B1 (ko) | 2021-08-10 |
WO2019171470A1 (ja) | 2019-09-12 |
CN110637359A (zh) | 2019-12-31 |
US11508525B2 (en) | 2022-11-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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