JP6820057B2 - 化合物、これを含むコーティング組成物、これを用いた有機発光素子およびその製造方法 - Google Patents

化合物、これを含むコーティング組成物、これを用いた有機発光素子およびその製造方法 Download PDF

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Description

本出願は、2017年9月26日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2017−0124472号および2018年9月13日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2018−0109385号の出願日の利益を主張し、その内容はすべて本明細書に組み込まれる。
本明細書は、化合物、前記化合物を含むコーティング組成物、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子およびその製造方法に関する。
有機発光現象は、特定の有機分子の内部プロセスによって電流が可視光に変換される例の一つである。有機発光現象の原理は次の通りである。アノードとカソードとの間に有機物層を位置させた時、2つの電極の間に電流をかけると、カソードとアノードからそれぞれ電子と正孔が有機物層に注入される。有機物層に注入された電子と正孔は、再結合してエキシトン(exciton)を形成し、このエキシトンが再び基底状態に落ちながら光を発する。このような原理を利用する有機発光素子は、一般的に、カソードとアノード、およびその間に位置した有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含む有機物層から構成される。
従来は、有機発光素子を製造するために蒸着工程を主に利用してきた。しかし、蒸着工程で有機発光素子を製造する時、材料の損失が多く発生する問題点があり、これを解決するために、材料の損失が少なくて生産効率を増大させられる溶液工程により素子を製造する技術が開発されており、溶液工程時に使用可能な物質の開発が求められている。
溶液工程用有機発光素子で使用される物質は、次の性質を有しなければならない。
第一に、保存可能な均質な溶液を形成できなければならない。商用化された蒸着工程用物質の場合、結晶性が良くて溶液によく溶けなかったり、溶液を形成しても結晶が生じやすいことから、保存期間によって溶液の濃度勾配が変化したり不良素子を形成する可能性が大きい。
第二に、溶液工程に使用される物質は、薄膜の形成時、孔やかたまり現象が発生せず均一な厚さの薄膜を形成できるようにコーティング性に優れていなければならない。
第三に、溶液工程が行われる層は、他の層を形成する工程で使用される溶媒および物質に対する耐性がなければならず、有機発光素子の製造時、電流効率に優れ、寿命特性に優れていることが求められる。
したがって、当技術分野では新たな有機物の開発が求められている。
本発明は、溶液工程用有機発光素子において使用可能な化合物およびこれを含む有機発光素子を提供することを目的とする。
下記化学式1で表される化合物を提供する。
前記化学式1において、
LおよびL1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Y1〜Y4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−(R101)s;または−X−Aであり、Y1〜Y4のうちの2以上は、−X−Aであり、
R101は、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のアリールオキシ基であり、
sは、0〜5の整数であり、sが2以上の場合、2以上のR101は、互いに同一または異なり、
Xは、OまたはSであり、
Aは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
n1およびn4は、それぞれ0〜4の整数であり、
n2およびn3は、それぞれ0〜3の整数であり、
n1〜n4がそれぞれ2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本発明は、前記化合物を含むコーティング組成物を提供する。
本発明はまた、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの1層以上は、前記コーティング組成物の硬化物を含むものである有機発光素子を提供する。
最後に、本発明は、基板を用意するステップと、前記基板上に第1電極を形成するステップと、前記第1電極上に1層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第2電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法を提供する。
本発明の一実施態様に係る化合物は、溶液工程が可能で、素子の大面積化が可能であり、有機発光素子の有機物層の材料に使用可能であり、低い駆動電圧、高い発光効率および高い寿命特性を提供することができる。
また、本発明の一実施態様に係る化合物は、220℃未満の熱処理またはUV処理によって完全に硬化した薄膜を形成することにより、次の溶液工程から損傷しない安定した薄膜を形成する。
それだけでなく、前記本発明の化合物を使用することにより、溶解度が増加するので、溶液工程のコーティング組成物の製造時、溶媒の選択が広くなるという利点がある。
本発明の一実施態様に係る有機発光素子の例を示すものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の一実施態様は、下記化学式1で表される化合物を提供する。
前記化学式1において、
LおよびL1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Y1〜Y4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−(R101)s;または−X−Aであり、Y1〜Y4のうちの2以上は、−X−Aであり、
R101は、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のアリールオキシ基であり、
sは、0〜5の整数であり、sが2以上の場合、2以上のR101は、互いに同一または異なり、
Xは、OまたはSであり、
Aは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
n1およびn4は、それぞれ0〜4の整数であり、
n2およびn3は、それぞれ0〜3の整数であり、
n1〜n4がそれぞれ2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本発明の一実施形態に係る化合物は、化合物内に酸素(O)または硫黄(S)原子を含むことにより、熱処理またはUV処理によって完全に硬化した安定した薄膜を形成する。具体的には、前述した本発明の一実施形態に係る化合物は、化合物内にアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基を含むことにより、炭化水素系および/またはエーテル(ether)系の溶媒との親和性が高くて溶媒選択性(orthogonality)を有し、前記化合物を含む有機物層のほか、他の層を溶液工程で形成する時に使用する溶媒に対して耐性を有し、他の層への移動を防止することができる。
また、優れたコーティング性、低い駆動電圧、高い発光効率および高い寿命特性を提供することができる。
本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、2つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
本発明の一実施態様は、前記化学式1の化合物は、適当な有機溶媒に対して溶解性を有する化合物が好ましい。
また、本発明の一実施態様に係る化合物の場合、溶液塗布法によって有機発光素子を製造できて、素子の大面積化が可能である。
本明細書において、「熱または光によって架橋可能な官能基」とは、熱およびまたは光に露出させることにより、化合物の間に架橋をさせる反応性置換基を意味することができる。架橋は、熱処理または光照射によって、炭素−炭素多重結合、環状構造が分解とともに生成されたラジカルが連結されながら生成される。
以下、本明細書の置換基を詳細に説明する。
本明細書において、
は、他の置換基または結合部に結合する部位を意味する。
本明細書において、前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合した水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子が置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定せず、2以上置換される場合、2以上の置換基は、互いに同一または異なっていてもよい。
本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素;ハロゲン基;ニトリル基;シリル基;ホウ素基;アルキル基;シクロアルキル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;アリール基;およびヘテロ環基からなる群より選択された1個以上の置換基で置換もしくは非置換であるか、前記例示された置換基のうち2以上の置換基が連結された置換もしくは非置換であることを意味する。例えば、「2以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、2個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
本明細書において、ハロゲン基は、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、またはヨウ素(I)である。
本明細書において、シリル基は、−SiRの化学式で表されてもよく、前記R、RおよびRは、それぞれ水素;置換もしくは非置換のアルキル基;または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、ホウ素基は、−BRの化学式で表されてもよく、前記RおよびRは、それぞれ水素;置換もしくは非置換のアルキル基;または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記ホウ素基は、具体的には、トリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、tert−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、フェニルホウ素基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、1〜60であってもよく、一実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は1〜30であってもよい。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は1〜10である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数3〜60であってもよく、一実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は3〜40である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は3〜20である。前記シクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、前記アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖もしくは環鎖であってもよい。前記アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数1〜20であってもよい。前記アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基などであってもよいが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、前記アリール基は特に限定されないが、炭素数6〜60であってもよいし、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は6〜30である。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は6〜20である。前記アリール基が、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などであってもよいが、これらに限定されるものではない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニル基、クリセニル基、フルオレニル基などであってもよいが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、フルオレニル基は置換されていてもよく、置換基2個が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。
前記フルオレニル基が置換される場合、
などのスピロフルオレニル基、
(9,9−ジメチルフルオレニル基)、および
(9,9−ジフェニルフルオレニル基)などの置換されたフルオレニル基であってもよい。ただし、これらに限定されるものではない。
本明細書において、ヘテロ環基は、異種原子としてN、O、P、S、Si、およびSeのうちの1個以上を含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数2〜60であってもよい。
一実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は2〜30である。もう一つの実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は2〜20である。ヘテロ環基の例としては、ピリジル基、ピロール基、ピリミジル基、ピリダジニル基、フラニル基、チオフェン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾフラン基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、ヘテロアリール基は、芳香族であることを除けば、前述したヘテロ環基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、前記アリーレン基は、2価の基であることを除けば、前述したアリール基に関する説明が適用される。
本明細書において、前記アリールオキシ基において、アリール基は、前述したアリール基に関する説明が適用される。
本明細書の一実施態様によれば、前記Lは、置換もしくは非置換の炭素数6〜60のアリーレン基である。
もう一つの実施態様において、前記Lは、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリーレン基である。
もう一つの実施態様によれば、前記Lは、置換もしくは非置換のフェニレン基;または置換もしくは非置換のビフェニリレン基である。前記Lが置換もしくは非置換のフェニレン基;または置換もしくは非置換のビフェニリレン基の場合、フェニレン基またはビフェニリレン基が有する共役構造は、正孔の移動が円滑に行われるようにすることで、正孔注入および正孔輸送に適したエネルギー準位を有するようにし、製造された有機発光素子が低い駆動電圧、高い発光効率および優れた寿命特性を有する効果がある。
本発明の一実施態様によれば、前記Lは、下記化学式1−Aまたは1−Bで表されてもよい。
前記化学式1−Aおよび1−Bにおいて、
R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
m1〜m3は、それぞれ0〜4の整数であり、
m1〜m3が2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本明細書の一実施態様において、前記R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換の炭素数1〜60のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基;置換もしくは非置換の炭素数6〜60のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜60のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換の炭素数1〜30のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基;置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜30のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換の炭素数1〜30のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜30のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様において、前記R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のメチル基;置換もしくは非置換のエチル基;置換もしくは非置換のn−プロピル基;置換もしくは非置換のn−ブチル基;置換もしくは非置換のtert−ブチル基;置換もしくは非置換のフェニル基;置換もしくは非置換のビフェニル基;または置換もしくは非置換のジベンゾフラン基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;メチル基;エチル基;n−プロピル基;n−ブチル基;tert−ブチル基;フェニル基;ビフェニル基;またはジベンゾフラン基である。
もう一つの実施態様において、前記R11〜R13は、水素である。
本発明の一実施態様によれば、前記m1〜m3は、それぞれ0または1である。
本発明の一実施態様において、前記Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数6〜60のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜60のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様によれば、前記Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜30のヘテロアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基である。
もう一つの実施態様によれば、前記Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基;置換もしくは非置換のビフェニル基;置換もしくは非置換のターフェニル基;または置換もしくは非置換のナフチル基である。
もう一つの実施態様において、前記Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フェニル基;ビフェニル基;ターフェニル基;またはナフチル基である。
本発明の一実施態様において、前記R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換の炭素数1〜60のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基;置換もしくは非置換の炭素数6〜60のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜60のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換の炭素数1〜30のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜30のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様において、前記R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のメチル基;置換もしくは非置換のエチル基;置換もしくは非置換のフェニル基;置換もしくは非置換のビフェニル基;置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン基;または置換もしくは非置換のジベンゾフラン基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;メチル基;エチル基;フェニル基;ビフェニル基;ジベンゾチオフェン基;またはジベンゾフラン基である。
もう一つの実施態様において、前記R2およびR3は、水素であり、R1およびR4は、フェニル基である。
もう一つの実施態様において、前記R1〜R4は、水素である。
本発明の一実施態様によれば、前記n1〜n4は、それぞれ0または1である。
本発明の一実施態様によれば、前記Y1〜Y4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−(R101)s;または−X−Aであり、Y1〜Y4のうちの2以上は、−X−Aである。
もう一つの実施態様において、前記Y1〜Y4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−(R101)s;または−X−Aであり、Y1〜Y4のうちの2個は、−X−Aである。
もう一つの実施態様によれば、前記Y1およびY4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−X−Aであり、Y2およびY3は、−(R101)sである。
もう一つの実施態様において、前記Y1およびY2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−X−Aであり、Y3およびY4は、−(R101)sである。
もう一つの実施態様によれば、前記Y1、Y2およびY4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−X−Aであり、Y3は、−(R101)sである。
もう一つの実施態様において、前記Y1〜Y4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−X−Aである。
本発明の一実施態様において、前記Xは、OまたはSである。
本発明の一実施態様によれば、前記Aは、熱または光によって架橋可能な官能基である。
前記熱または光によって架橋可能な官能基は、下記構造のうちのいずれか1つであってもよい。
前記構造において、
T1は、水素;または置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基であり、
T2〜T4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基である。
本発明の一実施態様において、前記T1は、水素;または置換もしくは非置換のメチル基;置換もしくは非置換のエチル基;置換もしくは非置換のn−プロピル基;置換もしくは非置換のn−ブチル基;または置換もしくは非置換のtert−ブチル基である。
もう一つの実施態様において、前記T1は、水素;またはメチル基;エチル基;n−プロピル基;n−ブチル基;またはtert−ブチル基である。
本発明の一実施態様によれば、前記T2〜T4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のメチル基;置換もしくは非置換のエチル基;置換もしくは非置換のn−プロピル基;置換もしくは非置換のn−ブチル基;または置換もしくは非置換のtert−ブチル基である。
もう一つの実施態様において、前記T2〜T4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、メチル基;エチル基;n−プロピル基;n−ブチル基;またはtert−ブチル基である。
本発明の一実施態様によれば、前記sは、0〜2の整数であり、sが2の場合、2個のR101は、互いに同一または異なる。
本発明の一実施態様において、前記R101は、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基;置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数4〜30のアリールオキシ基である。
本発明の一実施態様において、前記R101は、水素;重水素;ハロゲン基;炭素数1〜20のアルキル基;炭素数1〜20のアルコキシ基で置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基;炭素数6〜30のアリール基;または炭素数6〜30のアリールオキシ基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R101は、水素;重水素;フッ素(−F);置換もしくは非置換のメチル基;置換もしくは非置換のブチル基;置換もしくは非置換のメトキシ基;置換もしくは非置換のエトキシ基;置換もしくは非置換のエチルヘキシルオキシ基;または置換もしくは非置換のフェニルオキシ基である。
もう一つの実施態様において、前記R101は、水素;重水素;フッ素(−F);メチル基;ブチル基;メトキシ基;炭素数1〜20のアルコキシ基で置換もしくは非置換のエトキシ基;エチルヘキシルオキシ基;またはフェニルオキシ基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R101は、水素;重水素;フッ素(−F);メチル基;tert−ブチル基;メトキシ基;エトキシ基で置換もしくは非置換のエトキシ基;2−エチルヘキシルオキシ基;またはフェニルオキシ基である。
本発明の一実施態様によれば、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数6〜60のアリーレン基である。
もう一つの実施態様によれば、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリーレン基である。
もう一つの実施態様において、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ハロゲン基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、および置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリールオキシ基からなる群より1以上の置換基で置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリーレン基である。
もう一つの実施態様において、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ハロゲン基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基で置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、および炭素数6〜30のアリールオキシ基からなる群より1以上の置換基で置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリーレン基である。
もう一つの実施態様によれば、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ハロゲン基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、および置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリールオキシ基からなる群より1以上の置換基で置換もしくは非置換のフェニレン基;またはハロゲン基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、および置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリールオキシ基からなる群より1以上の置換基で置換もしくは非置換のナフチレン基である。
もう一つの実施態様において、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フッ素(−F)、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のtert−ブチル基、置換もしくは非置換のメトキシ基、置換もしくは非置換のエトキシ基、置換もしくは非置換の2−エチルヘキシルオキシ基、および置換もしくは非置換のフェニルオキシ基からなる群より1以上の置換基で置換もしくは非置換のフェニレン基;またはフッ素(−F)、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のtert−ブチル基、置換もしくは非置換のメトキシ基、置換もしくは非置換のエトキシ基、置換もしくは非置換の2−エチルヘキシルオキシ基、および置換もしくは非置換のフェニルオキシ基からなる群より1以上の置換基で置換もしくは非置換のナフチレン基である。
もう一つの実施態様によれば、前記L1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フェニレン基;ナフチレン基;フルオロフェニレン基;メチルフェニレン基;ジメチルフェニレン基;tert−ブチルフェニレン基;メトキシフェニレン基;エトキシエトキシフェニレン基;フェニルオキシフェニレン基;または2−エチルヘキシルオキシフェニレン基である。
本発明の一実施態様によれば、前記化学式1は、下記化学式2〜5のうちのいずれか1つで表してもよい。
前記化学式2〜5において、
R1〜R4、n1〜n4、Ar1、Ar2およびLは、化学式1で定義した通りであり、
X1〜X4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、OまたはSであり、
A1〜A4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
R21〜R26は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリールオキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
p1およびp2は、それぞれ0〜5の整数であり、
p3およびp4は、それぞれ0〜4の整数であり、
p5およびp6は、それぞれ0〜7の整数であり、
p1〜p6がそれぞれ2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本発明の一実施態様によれば、前記R21〜R26は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基;置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルコキシ基;置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリールオキシ基;置換もしくは非置換の炭素数6〜30のアリール基;または置換もしくは非置換の炭素数2〜30のヘテロアリール基である。
もう一つの実施態様によれば、前記R21〜R26は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;フッ素(−F);置換もしくは非置換のメチル基;置換もしくは非置換のtert−ブチル基;置換もしくは非置換のメトキシ基;置換もしくは非置換のエトキシ基;置換もしくは非置換のヘキシルオキシ基;または置換もしくは非置換のフェニルオキシ基である。
もう一つの実施態様において、前記R21〜R26は、水素;フッ素(−F);メチル基;tert−ブチル基;メトキシ基;エトキシエトキシ基;2−エチルヘキシルオキシ基;またはフェニルオキシ基である。
もう一つの実施態様によれば、p1〜p6は、それぞれ0または1である。
本発明の一実施態様において、前記化学式1は、下記の化合物1〜140のうちのいずれか1つで表されてもよい。
本発明の一実施態様に係る化合物は、後述する製造方法で製造される。
例えば、前記化学式1の化合物では、下記反応式1のようなコア構造が製造される。置換基は、当技術分野で知られている方法によって結合してもよいし、置換基の種類、位置または個数は、当技術分野で知られている技術によって変更可能である。
前記反応式1において、置換基は、化学式1の置換基の定義と同じである。
本発明の一実施態様において、前述した化学式1の化合物を含むコーティング組成物を提供する。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、前記化学式1の化合物および溶媒を含む。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、液状であってもよい。前記「液状」は、常温および常圧で液体状態であることを意味する。
本発明の一実施態様において、前記溶媒は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼンなどの塩素系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒;トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン(Isophorone)、テトラロン(Tetralone)、デカロン(Decalone)、アセチルアセトン(Acetylacetone)などのケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテートなどのエステル系溶媒;エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオールなどの多価アルコールおよびその誘導体;メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノールなどのアルコール系溶媒;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒;およびN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒;テトラリンなどの溶媒が例示されるが、本発明の一実施態様に係る化学式1の化合物を溶解または分散させられる溶媒であれば十分であり、これらに限定されない。
もう一つの実施態様において、前記溶媒は、1種単独で使用するか、または2種以上の溶媒を混合して使用することができる。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、pドーピング物質をさらに含まない。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、pドーピング物質をさらに含む。
本明細書において、前記pドーピング物質とは、ホスト物質をp半導体特性をもたせる物質を意味する。p半導体特性とは、HOMO(highest occupied molecular orbital)エネルギー準位で正孔注入を受けたり輸送をする特性、すなわち、正孔の伝導度が大きい物質の特性を意味する。
本発明の一実施態様において、前記pドーピング物質は、下記化学式A〜Hのうちのいずれか1つで表されてもよいが、これらに限定されない。
本発明において、前記pドーピング物質は、p半導体特性をもたせる物質であれば十分であり、1種または2種以上を使用することができ、その種類を限定しない。
本発明の一実施態様において、前記pドーピング物質の含有量は、前記化学式1の化合物を基準として0重量%〜50重量%である。
本発明の一実施態様において、前記pドーピング物質の含有量は、前記コーティング組成物の全固形分含有量を基準として0〜30重量%を含む。本発明の一実施態様において、前記pドーピング物質の含有量は、前記コーティング組成物の全固形分含有量を基準として1〜30重量%を含むことが好ましく、もう一つの実施態様において、前記pドーピング物質の含有量は、前記コーティング組成物の全固形分含有量を基準として10〜30重量%を含むことがさらに好ましい。
他の実施態様において、前記コーティング組成物は、熱または光によって架橋可能な官能基を含む単量体(モノマー);または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単量体をさらに含んでもよい。前記のように熱または光によって架橋可能な官能基を含む単量体;または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単量体の分子量は、3,000g/mol以下の化合物であってもよい。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、分子量は2,000g/mol以下であり、熱または光によって架橋可能な官能基を含む単量体;または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単量体をさらに含む。
前記熱または光によって架橋可能な官能基を含む単量体;または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単量体は、フェニル、ビフェニル、フルオレン、ナフタレンなどのアリール;アリールアミン;またはフルオレンに熱または光によって架橋可能な官能基または熱によるポリマー形成が可能な末端基が置換された単量体を意味することができる。
もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物の粘度は、2cP〜15cPである。
前記粘度を満足する場合、素子の製造に容易である。
本発明はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子を提供する。
本発明の一実施態様において、有機発光素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの1層以上は、前記コーティング組成物の硬化物を含み、前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理によって硬化した状態である。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、電子輸送層または電子注入層である。
他の実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、発光層である。
もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記化学式1の化合物を発光層のホストとして含む。
もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記化学式1の化合物を発光層のドーパントとして含む。
本発明の一実施態様において、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される1層または2層以上をさらに含む。
本発明の一実施態様において、前記第1電極は、アノードであり、第2電極は、カソードである。
もう一つの実施態様によれば、前記第1電極は、カソードであり、第2電極は、アノードである。
もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、アノード、1層以上の有機物層、およびカソードが順次積層された構造(normal type)の有機発光素子であってもよい。
もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、カソード、1層以上の有機物層、およびアノードが順次積層された逆方向構造(inverted type)の有機発光素子であってもよい。
本発明の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、2層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。
例えば、本発明の一実施態様に係る有機発光素子の構造は、図1に例示されている。
図1には、基板101上に、アノード201、正孔注入層301、正孔輸送層401、発光層501、電子輸送層601、およびカソード701が順次積層された有機発光素子の構造が例示されている。
前記図1は、有機発光素子を例示したものであり、これに限定されない。
前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質で形成される。
本発明の有機発光素子は、有機物層のうちの1層以上が前記化学式1の化合物を含むコーティング組成物を用いて形成することを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造される。
例えば、本発明の有機発光素子は、基板上に、アノード、有機物層、およびカソードを順次積層させることにより製造することができる。この時、スパッタリング法(sputtering)や電子ビーム蒸発法(e−beam evaporation)のようなPVD(Physical Vapor Deposition)方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させてアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層溶液工程、蒸着工程などにより形成した後、その上にカソードとして使用可能な物質を蒸着させることにより製造される。このような方法以外にも、基板上に、カソード物質から有機物層、アノード物質を順に蒸着させて有機発光素子を作ることができる。
本発明はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。
具体的には、本発明の一実施態様において、有機発光素子の製造方法は、基板を用意するステップと、前記基板上に第1電極を形成するステップと、前記第1電極上に1層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第2電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップを含む。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップは、スピンコーティング方法を利用する。
他の実施態様において、前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップは、印刷法を利用する。
本発明の態様において、前記印刷法は、例えば、インクジェットプリンティング、ノズルプリンティング、オフセットプリンティング、転写プリンティング、またはスクリーンプリンティングなどがあるが、これらに限定されない。
本発明の一実施態様に係るコーティング組成物は、構造的な特性から溶液工程が適合し、印刷法によって形成可能なため、素子の製造時に時間および費用的に経済的な効果がある。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップは、前記第1電極上にコーティング組成物をコーティングするステップと、前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップとを含む。
本発明の一実施態様において、前記熱処理するステップは、熱処理により行われ、熱処理するステップにおける熱処理温度は、85℃〜250℃であり、一実施態様によれば、100℃〜250℃であってもよいし、もう一つの実施態様において、150℃〜250℃であってもよい。
もう一つの実施態様において、前記熱処理するステップにおける熱処理時間は、1分〜2時間であり、一実施態様によれば、1分〜1時間であってもよいし、もう一つの実施態様において、30分〜1時間であってもよい。
前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層を形成するステップで前記熱処理または光処理ステップを含む場合には、コーティング組成物に含まれた複数の前記化合物が架橋を形成して薄膜化された構造が含まれた有機物層を提供することができる。この場合、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層の表面上に他の層を積層する時、溶媒によって溶解したり、形態学的に影響を受けたり分解されるのを防止することができる。
したがって、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層が熱処理または光処理ステップを含んで形成された場合には、溶媒に対する抵抗性が増加して、溶液蒸着および架橋方法を繰り返し行って多層を形成することができ、安定性が増加して素子の寿命特性を増加させることができる。
前記アノード物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能なアノード物質の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金;亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)のような金属酸化物;ZnO:AlまたはSnO:Sbのような金属と酸化物との組み合わせ;ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ[3,4−(エチレン−1,2−ジオキシ)チオフェン](PEDOT)、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記カソード物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。カソード物質の具体例としては、バリウム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属、またはこれらの合金;LiF/AlまたはLiO/Alのような多層構造の物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、アノードからの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のHOMO(highest occupied molecular orbital)がアノード物質の仕事関数と周辺の有機物層のHOMOとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン(porphyrin)、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン(quinacridone)系の有機物、ペリレン(perylene)系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層で、正孔輸送物質としては、アノードや正孔注入層から正孔輸送を受けて発光層に移し得る物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子の輸送をそれぞれ受けて結合させることにより可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体例としては、8−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体(Alq);カルバゾール系化合物;二量体化スチリル(dimerized styryl)化合物;BAlq;10−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物;ベンゾオキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物;ポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)系の高分子;スピロ(spiro)化合物;ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。
ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換もしくは非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがあり、スチリルアミン化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも1個のアリールビニル基が置換されている化合物で、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミノ基からなる群より1または2以上選択される置換基が置換もしくは非置換である。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されない。
前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層で、電子輸送物質としては、カソードから電子注入をきちんと受けて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、8−ヒドロキシキノリンのAl錯体;Alqを含む錯体;有機ラジカル化合物;ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により使用されているような、任意の所望するカソード物質と共に使用可能である。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。
前記電子注入層は、電極から電子を注入する層で、電子注入物質としては、電子を輸送する能力を有し、カソードからの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物および含窒素5員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。
前記金属錯体化合物としては、8−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナト)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナト)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナト)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナト)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(2−ナフトラート)ガリウムなどがあるが、これらに限定されない。
前記正孔阻止層は、正孔のカソード到達を阻止する層で、一般的に、正孔注入層と同一の条件で形成される。具体的には、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、BCP、アルミニウム錯体(aluminum complex)などがあるが、これらに限定されない。
本発明に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下に述べる実施例に限定されると解釈されない。本発明の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
<製造例>
製造例1.化合物1の製造
1)中間体1−1の製造
500mlの丸底フラスコ[RBF]に、2−ブロモ−9−フェニル−9H−フルオレン−9−オール[2−bromo−9−phenyl−9H−fluoren−9−ol]50g(148.3mmol、1.0eq)とフェノール[Phenol]41.8g(444.9mmol、3.0eq)を入れて、メタンスルホン酸[Methanesulfonic acid]200ml(0.74M)に溶かした。ディーンスターク装置[Dean−stark apparatus]を取り付けて、還流[reflux]下で一晩撹拌させた。この後、飽和NaHCO水溶液で反応を中止させ、エチルアセテート[EA]で有機層を抽出した。硫酸マグネシウム[Magnesium sulfate]で有機層を乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物1−1を得た。
2)中間体1−2の製造
500mlの丸底フラスコに、中間体1−1 30g(63.9mmol、1.0eq)と炭酸セシウム[Cesium carbonate]41.6g(127.8mmol、2.0eq)をDMF120ml(0.5M)に溶かした後、温度50℃に昇温して撹拌させた。この後、4−ビニルベンジルクロライド[4−vinylbenzylchloride]9.15ml(9.75g、1.0eq)を入れて、60℃で撹拌した。常温[RT]まで冷やした後、水を入れて反応を中断させた後、エチルアセテート[EA]を用いて有機層を抽出する。有機層を分離して硫酸マグネシウム[magnessium sulfate]で乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物1−2を得た。
3)化合物1の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体1−2 12.0g(20.49mmol、2.05eq)、N4,N4’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(N4,N4’−diphenyl−[1,1’−biphenyl]−4,4’−diamine)3.36g(10.0mmol、1.0eq)、NaOtBu 3.36g(34.99mmol、3.5eq)、Pd(PtBu 255mg(0.5mmol、0.05equiv)をトルエン[Toluene]100mlに溶かした後、撹拌して、N雰囲気下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、HOとエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー(column chromatography)で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物1を得ており、化合物1のNMR data値は下記の通りである。
1H NMR(500MHz):δ=8.00−7.82(m,4H),7.70−7.68(d,4H),7.62−7.55(m,6H),7.35−7.15(m,38H),7.05−7.03(t,2H),6.92−9.85(d,4H),6.73−6.70(m,2H),5.76−5.73(d,2H),5.39−5.37(d,2H),5.17(s,4H)
製造例2.化合物15の製造
1)中間体15−1の製造
500mlの丸底フラスコに、4−(2−ブロモ−9−(4−(tert−ブチル)フェニル)−9H−フルオレン−9−イル)フェノール[4−(2−bromo−9−(4−(tert−butyl)phenyl)−9H−fluoren−9−yl)phenol]50g(106.50mmol、1.0eq)、4−ブロモベンズアルデヒド[4−bromobenzaldehyde]23.6g(127.8mmol、1.2eq)、炭酸カリウム[Potassium carbonate]44.2g(319.50mmol、3.0eq)を入れて、ドライピリジン[dry pyridine]200ml(0.5M)に溶かした。この後、酸化銅(II)[Copper(II)oxide]17.0g(213.0mmol、2eq)をゆっくり添加し、120℃に昇温して、還流[reflux]下で反応を進行させた。反応が終了すると、飽和NaHCO水溶液で反応を中止させ、エチルアセテート[EA]で有機層を抽出した。硫酸マグネシウム[Magnessium sulfate]で有機層を乾燥させた後、溶媒を除去して得られたクルード(crude)をジクロロメタン[dichloromethane]に溶かしてエタノール[Ethanol]に沈殿させることにより、固体の中間体化合物15−1を得た。
2)中間体15−2の製造
メチルトリフェニルホスホニウムブロミド[Methyltriphenylphosphonium bromide]12.46g(34.87mmol、2.0eq)の入った丸底フラスコに、無水テトラヒドロフラン[anhydrous THF]50ml(0.2M)を入れて、氷浴[ice bath]に丸底フラスコを浸した。カリウムtert−ブトキシド[Potassium tert−butoxide]3.9g(34.87mmol、2.0eq)を一度に入れて、氷浴[ice bath]で20分間撹拌させる。中間体化合物15−1 10.0g(17.44mmol、1.0eq)を30mlのテトラヒドロフラン[THF]に溶かした後、滴下漏斗[dropping funnel]を用いて次第に混合物[mixture]に添加した。この後、テトラヒドロフラン[THF]10mlで丸底フラスコと漏斗[funnel]を洗い、すべて入れた。水50mlを入れて反応を終了させ、エチルアセテート[EA]で有機層を抽出した。硫酸マグネシウム[Magnessium sulfate]で有機層を乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製した。中間体化合物15−2を得る。
3)化合物15の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体化合物15−2 10.0g(17.50mmol、2.05eq)、N4,N4’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(N4,N4’−diphenyl−[1,1’−biphenyl]−4,4’−diamine)2.87g(8.53mmol、1.0eq)、NaOtBu 2.87g(29.86mmol、3.5eq)、Pd(PtBu 218.0mg(0.43mmol、0.05eq)をトルエン[Toluene]90mlに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気[N charge]下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過する。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物15を得ており、化合物15のNMR data値は下記の通りである。
1H NMR(500MHz):δ=7.95−7.83(m,4H),7.65−7.58(m,10H),7.54−7.26(m,22H),7.24−7.05(m,12H),6.95−6.93(d,4H),6.86−6.84(d,4H),6.80−6.76(m,2H),5.65−5.61(d,2H),5.16−5.13(d,2H),1.35(s,18H)
製造例3.化合物28の製造
1)中間体28−1の製造
250mlの丸底フラスコに、4−(2−ブロモ−9−(p−トリル)−9H−フルオレン−9−イル)フェノール[4−(2−bromo−9−(p−tolyl)−9H−fluoren−9−yl)phenol]15g(35.1mmol、1.0eq)、炭酸カリウム[Potassium carbonate]14.6g(105.3mmol、3eq)、ヨウ化銅(I)[Copper(I)iodide]334.3mg(1.76mmol、0.05eq)、1−ブチルイミダゾール[1−butylimidazole]4.4g(35.1mmol、1.0eq)を入れて、トルエン[Toluene]175mlに溶かした。還流[Reflux]装置を設けた後、120℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結すると、次に、飽和NaHCO水溶液で反応を中止させ、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)した。有機層を分離してMgSOを通して乾燥させた後、ろ過する。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去する。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物28−1を得る。
2)化合物28の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体化合物28−1 10.0g(18.89mmol、2.05eq)、N4,N4’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン[N4,N4’−diphenyl−[1,1’−biphenyl]−4,4’−diamine]3.10g(9.21mmol、1.0eq)、NaOtBu 3.10g(32.24mmol、3.5eq)、Pd(PtBu 235.1mg(0.46mmol、0.05eq)をトルエン[Toluene]120mlに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気[N charge]下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物28を得ており、化合物28のNMR data値は下記の通りである。
1H NMR(500MHz):δ=7.90−7.87(m,4H),7.56−7.53(m,6H),7.48−7.30(m,16H),7.27(s,2H),7.25−7.22(d,4H),7.20−7.15(m,18H),7.14−7.12(d,4H),2.88(s,8H),2.19(s,6H)
製造例4.化合物36の製造
1)中間体36−1の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体4,4’−(2−ブロモ−9H−フルオレン−9,9−ジイル)ジフェノール[4,4’−(2−bromo−9H−fluorene−9,9−diyl)diphenol]10g(23.3mmol、1.0eq)、炭酸カリウム[Potassium carbonate]9.7g(69.9mmol、3eq)、ヨウ化銅(I)[Copper(I)iodide]220.4mg(1.17mmol、0.05eq)、1−ブチルイミダゾール[1−butylimidazole]2.9g(23.3mmol、1.0eq)を入れて、トルエン[Toluene]100mlに溶かした。3−ブロモベンゼン[3−bromobenzene]3.66g(23.3mmol、1.0eq)を添加した後、還流[Reflux]装置を設けて、120℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結すると、次に、飽和NaHCO水溶液で反応を中止させ、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)した。有機層を分離してMgSOを通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatograph]で精製して、中間体化合物36−1を得た。
2)中間体36−2の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体36−1 10g(19.78mmol、1.0eq)、炭酸カリウム[Potassium carbonate]8.20g(59.36mmol、3eq)、ヨウ化銅(I)[Copper(I)iodide]187.1mg(0.99mmol、0.05eq)、1−ブチルイミダゾール[1−butylimidazole]2.42g(19.78mmol、1.0eq)を入れて、トルエン[Toluene]100mlに溶かした。3−ブロモビシクロ[4.2.0]オクタ−1(6),2,4−トリエン[3−bromobicyclo[4.2.0]octa−1(6),2,4−triene]3.98g(21.75mmol、1.1eq)を添加した後、還流[Reflux]装置を設けて、120℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結すると、次に、飽和NaHCO水溶液で反応を中止させ、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)した。有機層を分離してMgSOを通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物36−2を得た。
3)化合物36の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体化合物36−2 10.0g(16.46mmol、2.05eq)、N4,N4’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(N4,N4’−diphenyl−[1,1’−biphenyl]−4,4’−diamine)2.70g(8.03mmol、1.0eq)、NaOtBu 2.70g(28.10mmol、3.5eq)、Pd(PtBu 205.2mg(0.40mmol、0.05eq)をトルエン[Toluene]90mlに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気[N charge]下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物36を得ており、化合物36のNMR data値は下記の通りである。
1H NMR(500MHz):δ=7.88−7.85(m,4H),7.57−7.55(m,6H),7.52−7.30(m,20H),7.27−7.15(m,18H),7.07−6.90(m,16H),2.85(s,8H)
製造例5.化合物51の製造
1)中間体51−1の製造
250mlの丸底フラスコに、2−ブロモ−9H−フルオレン−9−オン[2−bromo−9H−fluoren−9−one]15g(57.9mmol、1.0eq)とフェノール[Phenol]54.5g(579mmol、10.0eq)を入れて、メタンスルホン酸[Methanesulfonic acid]70ml(0.8M)に溶かす。60℃下で一晩撹拌させた。この後、水を注いで反応を終了させ、次に、生じる沈殿物を水で洗い濾過する。得られた濾過物質をエチルアセテート[Ethyl acetate]少量に溶かし、ヘキサン[Hexane]に落として沈殿過程を進行させた。濾過して、白色固体の中間体化合物51−1を得た。
2)中間体51−2の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体51−1 10g(23.29mmol、1.0eq)、炭酸セシウム[Cesium carbonate]9.1g(27.95mmol、1.2eq)をジメチルホルムアミド[DMF]50ml(0.47M)に溶かした後、温度100℃に昇温して撹拌させた。この後、4−エチルヘキシルブロミド[ethylhexylbromide]3.71ml(20.96mmol、0.9eq)をゆっくり入れて撹拌した。反応が終了すると、常温[RT]まで冷やした後、水を入れて反応を中断させた後、EAを用いて有機層を抽出する。有機層を分離して硫酸マグネシウム[magnesium sulfate]で乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物51−2を得た。
3)中間体51−3の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体51−2 10g(15.5mmol、1.0eq)、炭酸カリウム[Potassium carbonate]6.4g(46.6mmol、3eq)、ヨウ化銅(I)[Copper(I)iodide]147.6mg(0.78mmol、0.05eq)、1−ブチルイミダゾール[1−butylimidazole]1.9g(15.5mmol、1.0eq)を入れて、トルエン[Toluene]77mlに溶かした。還流[Reflux]装置を設けた後、120℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結すると、次に、飽和NaHCO水溶液で反応を中止させ、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)した。有機層を分離してMgSOを通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物51−3を得る。
4)化合物51の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体化合物51−3 10.0g(15.54mmol、2.05eq)、N4,N4’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(N4,N4’−diphenyl−[1,1’−biphenyl]−4,4’−diamine)2.55g(7.58mmol、1.0eq)、NaOtBu 2.55g(26.53mmol、3.5eq)、Pd(PtBu 194mg(0.38mmol、0.05eq)をトルエン[Toluene]90mlに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気(N charge)下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、水[HO]とエチルアセテート[EA]で処理(ワークアップ)し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物51を得ており、化合物51のNMR data値は下記の通りである。
1H NMR(500MHz):δ=7.90−7.85(m,4H),7.55−7.52(m,6H),7.48−7.26(m,22H),7.24−7.05(m,10H),6.95−6.93(d,4H),6.86−6.84(d,4H),3.98−3.97(m,2H),3.73−3.70(m,2H),2.90(s,8H),1.70−1.67(m,2H),1.55−1.52(m,4H),1.32−1.25(m,12H),0.95−0.92(t,6H),0.90−0.88(t,6H)
製造例6.化合物65の製造
1)中間体65−1の製造
250mlの丸底フラスコに、4−(2−ブロモ−9−(4−((2−エチルヘキシル)オキシ)フェニル)−9H−フルオレン−9−yl)フェノール[4−(2−bromo−9−(4−((2−ethylhexyl)oxy)phenyl)−9H−fluoren−9−yl)phenol]15g(27.7mmol、1.0eq)、炭酸カリウム[Potassium carbonate]11.5g(83.1mmol、3eq)を入れて、DMF150mlに溶かした。3−(ブロモメチル)−3−エチルオキセタン5.5g(30.5mmol、1.1eq)を添加した後、70℃で加熱撹拌して反応を進行させた。反応が終結すると、HOとEAで処理(ワークアップ)する。有機層を分離してMgSOを通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、中間体化合物65−1を得た。
2)化合物65の製造
250mlの丸底フラスコに、中間体化合物65−1 10.0g(15.63mmol、2.05eq)、N4,N4’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン2.56g(7.62mmol、1.0eq)、NaOtBu 2.56g(26.67mmol、3.5eq)、Pd(PtBu 194.7mg(0.38mmol、0.05eq)をトルエン[Toluene]100mlに溶かした後、撹拌し、N雰囲気下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、HOとEAで処理(ワークアップ)し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード(crude)物質はカラムクロマトグラフィー[column chromatography]で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物65を得ており、化合物65のNMR data値は下記の通りである。
1H NMR(500MHz):δ=7.91−7.95(m,4H),7.56−7.53(m,6H),7.45−7.20(m,30H),6.87−6.83(m,8H),4.37−4.35(d,4H),4.13−4.10(d,4H),3.94−3.90(m,2H),3.80(s,2H),3.75−3.71(m,2H),1.80−1.78(m,2H),1.70−1.68(q,4H),1.55−1.53(m,4H),1.30−1.18(m,12H),0.99−0.96(t,6H),0.88−0.84(m,12H)
<実施例>
実施例1.
ITO(indium tin oxide)が1500Åの厚さに薄膜蒸着されたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。ITOを30分間洗浄した後、蒸留水で2回繰り返し超音波洗浄を10分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトンの溶剤で超音波洗浄をそれぞれ30分ずつして乾燥させた後、前記基板をグローブボックスに輸送させた。
このように用意されたITO透明電極上に、下記の化合物1(20mg)、化学式D(1mg)、およびトルエン(1mg)を混合したコーティング組成物をスピンコーティングして300Åの厚さの正孔注入層を形成し、空気中にてホットプレートで1時間コーティング組成物を硬化させた。この後、真空蒸着機に搬送した後、前記正孔注入層上に、下記のa−NPDを真空蒸着して正孔輸送層を形成した。
a−NPDを40nmの厚さに蒸着した後、前記正孔輸送層上に、下記のAlqを50nmに真空蒸着して発光層を形成した。前記電子輸送層上に、0.5nmの厚さにLiFと100nmの厚さにアルミニウムを蒸着してカソードを形成した。
前記過程で、有機物の蒸着速度は0.4〜0.7Å/secを維持し、カソードのLiFは0.3Å/sec、アルミニウムは2Å/secの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は2×10−7〜3×10−5torrを維持した。
実施例2.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物15を用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例3.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物28を用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例4.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物36、化学式Dの代わりに化学式Eを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例5.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物51、化学式Dの代わりに化学式Eを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例6.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物65、化学式Dの代わりに化学式Eを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例7.
前記実施例1において、化学式Dの代わりに化学式Fを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例8.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物15、化学式Dの代わりに化学式Fを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例9.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物28、化学式Dの代わりに化学式Fを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例10.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物36、化学式Dの代わりに化学式Gを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例11.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物51、化学式Dの代わりに化学式Gを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例12.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物65、化学式Dの代わりに化学式Gを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例13.
前記実施例1において、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例14.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物15、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例15.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物28、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例16.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物36、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例17.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物51、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例18.
前記実施例1において、化合物1の代わりに化合物65、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例1.
前記実施例1において、化合物1の代わりに下記の化合物V−1、化学式Dの代わりに化学式Cを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例2.
前記実施例1において、化合物1の代わりに前記化合物V−1、化学式Dの代わりに化学式Gを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例3.
前記実施例1において、化合物1の代わりに前記化合物V−1、化学式Dの代わりに化学式Hを用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例4.
前記実施例1において、化合物1の代わりに下記の化合物V−2を用いたことを除けば、前記実施例1と同様の方法で有機発光素子を製造した。
前記実施例1〜18および比較例1〜4で製造した有機発光素子を10mA/cmの電流密度で駆動電圧、電流効率、量子効率(QE)および輝度値を測定し、10mA/cmの電流密度で初期輝度対比90%になる時間(T90)を測定した。その結果を下記表1に示した。
前記表1の結果から、本発明の化合物を用いて有機発光素子を製造した実施例1〜18が、比較例1〜4で製造された有機発光素子より、駆動電圧が低く、電流効率および量子効率に優れ、寿命特性にも優れていることを確認することができる。
101:基板
201:アノード
301:正孔注入層
401:正孔輸送層
501:発光層
601:電子輸送層
701:カソード

Claims (11)

  1. 下記化学式1で表される化合物:
    前記化学式1において、
    LおよびL1〜L4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
    Ar1およびAr2は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    R1〜R4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    Y1〜Y4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−(R101)s;または−X−Aであり、Y1〜Y4のうちの2以上は、−X−Aであり、
    R101は、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のアリールオキシ基であり、
    sは、0〜5の整数であり、sが2以上の場合、2以上のR101は、互いに同一または異なり、
    Xは、OまたはSであり、
    Aは、下記の化学式:
    (前記構造において、
    T1は、水素;または置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基であり、
    T2〜T4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基である)
    で表される構造のうちのいずれか1つである、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
    n1およびn4は、それぞれ0〜4の整数であり、
    n2およびn3は、それぞれ0〜3の整数であり、
    n1〜n4がそれぞれ2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
  2. 前記化学式1は、下記化学式2〜5のうちのいずれか1つで表されるものである、請求項1に記載の化合物:
    前記化学式2〜5において、
    R1〜R4、n1〜n4、Ar1、Ar2およびLは、化学式1で定義した通りであり、
    X1〜X4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、OまたはSであり、
    A1〜A4は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、請求項1においてAとして示した熱または光によって架橋可能な官能基であり、
    R21〜R26は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリールオキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    p1およびp2は、それぞれ0〜5の整数であり、
    p3およびp4は、それぞれ0〜4の整数であり、
    p5およびp6は、それぞれ0〜7の整数であり、
    p1〜p6がそれぞれ2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
  3. 前記Lは、下記化学式1−Aまたは1−Bである、請求項1又は2に記載の化合物:
    前記化学式1−Aおよび1−Bにおいて、
    R11〜R13は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    m1〜m3は、それぞれ0〜4の整数であり、
    m1〜m3が2以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
  4. 前記化学式1は、下記の化合物1〜140のうちのいずれか1つで表されるものである、請求項1に記載の化合物:
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の化合物を含むコーティング組成物。
  6. 前記コーティング組成物は、pドーピング物質をさらに含むものである、請求項に記載のコーティング組成物。
  7. 第1電極と、
    第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、請求項5又は6に記載のコーティング組成物の硬化物を含むものである有機発光素子。
  8. 前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項に記載の有機発光素子。
  9. 基板を用意するステップと、
    前記基板上に第1電極を形成するステップと、
    前記第1電極上に1層以上の有機物層を形成するステップと、
    前記有機物層上に第2電極を形成するステップとを含み、
    前記有機物層を形成するステップは、請求項5又は6に記載のコーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法。
  10. 前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップは、スピンコーティング方法を利用するものである、請求項に記載の有機発光素子の製造方法。
  11. 前記コーティング組成物を用いて1層以上の有機物層を形成するステップは、
    前記第1電極上に前記コーティング組成物をコーティングするステップと、
    前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップとを含むものである、請求項9又は10に記載の有機発光素子の製造方法。
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