TWI667223B - 化合物、包括其的塗覆組成物、使用其的有機發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本說明書是關於一種由化學式1表示的化合物；一種包括由化學式1表示的化合物的塗覆組成物；一種使用其的有機發光裝置；以及一種其製造方法。

Description

化合物、包括其的塗覆組成物、使用其的有機發光裝置及其製造方法
本申請案主張2017年9月26日向韓國智慧財產局提交的韓國專利申請案第10-2017-0124472號及2018年9月13日向韓國智慧財產局提交的韓國專利申請案第10-2018-0109385號的優先權及權益，所述韓國專利申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本說明書是關於化合物、包括所述化合物的塗覆組成物、使用所述塗覆組成物而形成的有機發光裝置及其製造方法。
有機發光現象為藉由特定有機分子的內部方法將電流轉化成可見光的實例中的一者。有機發光現象的原理如下。在將有機材料層置放於陽極與陰極之間且在兩個電極之間施加電流時，電子及電洞分別自陰極及陽極注入至有機材料層中。注入至有機材料層的電洞以及電子重組以形成激子，且在此等激子回降至基態時發射光。使用此類原理的有機發光裝置一般可由以下形成：陰極；陽極；以及置放於其間的有機材料層，例如包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層的有機材料層。
通常在製造有機發光裝置的所屬領域中使用沈積方法。然而，使用沈積方法製造有機發光裝置具有高的材料損耗問題，且為了解決此問題，已開發出經由能夠增加生產效率、具有低的材料損耗的溶液方法來製造裝置的技術，且需要開發可在溶液方法中使用的材料。
在針對溶液方法的有機發光裝置中使用的材料需要具有如下特性。
第一，需要形成可儲存的均質溶液。用於沈積方法的商品化材料具有良好的結晶度，且不會很好地溶解於溶液中，或容易地捕獲晶體，即使當形成溶液時。因此，溶液的濃度梯度可能視儲存時間而變化，或形成缺陷裝置的可能性很高。
第二，用於溶液方法中的材料需要在形成薄膜時具有極佳的可塗覆性，以使得形成具有均一厚度的薄膜而不造成孔洞或凝聚。
第三，歷經溶液方法的層需要對在形成其他層的過程中使用的溶劑及材料具有耐受性，且當製造有機發光裝置時需要極佳的電流效率及極佳的壽命特性。
因此，所屬領域中需要開發新的有機材料。
現有技術文獻
專利文獻
（專利文獻1）韓國專利申請案特許公開案第2013-106255號
[技術問題]
本說明書是針對提供一種可在針對溶液方法的有機發光裝置中使用的化合物及一種包括其的有機發光裝置。
[技術解決方案]
本說明書的一個實施例提供一種由以下化學式1表示的化合物。
[化學式1]
在化學式1中，
L及L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的伸芳基，
Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基，
R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基，
Y1至Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-(R101)s；或-X-A，且Y1至Y4中的兩個或大於兩個為-X-A，
R101為氫；氘；鹵素基團；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的芳氧基，
s為0至5的整數，且當s為2或大於2時，兩個或大於兩個R101彼此相同或不同，
X為O或S，
A為藉由熱或光可交聯的官能基，
n1及n4各自為0至4的整數，
n2及n3各自為0至3的整數，以及
當n1至n4各自為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
本說明書的一個實施例提供一種包含所述化合物的塗覆組成物。
另外，本說明書的一個實施例提供一種有機發光裝置，包含第一電極；第二電極；以及一或多個設置於所述第一電極與所述第二電極之間的有機材料層，其中所述有機材料層的一或多個層包含所述塗覆組成物的經固化材料。
最後，本說明書的一個實施例提供一種製造有機發光裝置的方法，包含製備基板；在所述基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成一或多個有機材料層；以及在所述有機材料層上形成第二電極，其中有機材料層的所述形成包括使用所述塗覆組成物形成一或多個有機材料層。
[有利效果]
根據本揭示內容的一個實施例的化合物可用於溶液方法中，且因此可製造大面積裝置。所述化合物可用作有機發光裝置的有機材料層的材料，且可提供低驅動電壓特性、高發光效率特性以及長壽命特性。
另外，藉由形成完全由在低於220℃下的熱處理或UV處理而固化的薄膜，根據本說明書的一個實施例的化合物形成不會由接下來的溶液方法損壞的穩定薄膜。
此外，藉由使用本揭示內容的化合物，溶解度增加了，此具有在製備溶液方法的塗覆組成物時擴充溶劑選擇的優勢。
在下文中，將詳細地描述本說明書。
本說明書的一個實施例提供一種由以下化學式1表示的化合物。
[化學式1]
在化學式1中，
L及L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的伸芳基，
Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基，
R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基，
Y1至Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-(R101)s；或-X-A，且Y1至Y4中的兩個或大於兩個為-X-A，
R101為氫；氘；鹵素基團；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的芳氧基，
s為0至5的整數，且當s為2或大於2時，兩個或大於兩個R101彼此相同或不同，
X為O或S，
A為藉由熱或光可交聯的官能基，
n1及n4各自為0至4的整數，
n2及n3各自為0至3的整數，以及
當n1至n4各自為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
根據本揭示內容的一個實施例的化合物，藉由在化合物中包括氧（O）或硫（S）原子，形成完全由熱處理或UV處理而固化的穩定薄膜。具體言之，根據上述本揭示內容的一個實施例的化合物具有與烴系列溶劑及/或醚系列溶劑的高親和力，且由此藉由在化合物中包括烷基、烷氧基或芳氧基，而具有溶劑選擇性（正交性），且藉由對於使用溶液方法形成除包括所述化合物的有機材料層以外的層時使用的溶劑具有耐受性，而可防止遷移至其他層。
另外，可提供極佳可塗覆性特性、低驅動電壓特性、高發光效率特性以及長壽命特性。
在本說明書中，某一構件置放於另一構件「上」的描述不僅包括一個構件鄰接另一構件的情況，且亦包括又一構件存在於兩個構件之間的情況。
在本說明書中，某一部分「包括（comprising）」某些組分的描述意謂能夠更包括其他組分，且除非另有相反的特定陳述，否則不排除其他組分。
在本說明書的一個實施例中，化學式1的化合物較佳包括針對適當有機溶劑具有溶解度的化合物。
另外，在根據本說明書的一個實施例的化合物的情況下，可使用溶液塗覆法來製造有機發光裝置，且因此可製造大面積裝置。
在本說明書中，「藉由熱或光可交聯的官能基」可意謂藉由暴露於熱量或光的反應性取代基交聯化合物。交聯可在藉由熱處理或光照射連接藉由分解碳-碳多重鍵或環狀結構時產生的基團產生。
在下文中，將詳細描述本說明書的取代基。
在本說明書中， 意謂鍵結至其他取代基或鍵結位點的位點。
本說明書中的術語「經取代」意謂鍵結至化合物的碳原子的氫原子變成另一取代基，且取代的位置不受限制，只要所述位置為氫原子經取代的位置，亦即取代基可取代的位置，且當兩個或多於兩個取代基取代時，所述兩個或多於兩個取代基可彼此相同或不同。
本說明書中的術語「經取代或未經取代」意謂經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代：氘；鹵素基團；腈基；矽基；硼基；烷基；環烷基；烷氧基；芳氧基；芳基；以及雜環基；或經取代，或經連接以上說明的取代基中的兩個或大於兩個取代基的取代基取代；或未經取代。舉例而言，「連接兩個或多於兩個取代基的取代基」可包括聯苯基。換言之，聯苯基可為芳基，或解釋為連接兩個苯基的取代基。
在本說明書中，鹵素基團為氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）或碘（I）。
在本說明書中，矽基可由化學式-SiR aR bR c表示，且R a、R b以及R c可各自為氫；經取代或未經取代的烷基；或經取代或未經取代的芳基。矽基的特定實例可包含三甲基矽基、三乙基矽基、三級丁基二甲基矽基、乙烯基二甲基矽基、丙基二甲基矽基、三苯基矽基、二苯基矽基、苯基矽基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，硼基可由化學式-BR dR e表示，且R d及R e可各自為氫；經取代或未經取代的烷基；或經取代或未經取代的芳基。硼基的特定實例包含三甲基硼基、三乙基硼基、三級丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，烷基可為直鏈或支鏈，且儘管不特定限於此，碳原子數可為1至60，且根據一個實施例，烷基的碳原子數可為1至30。根據另一實施例，烷基的碳原子數為1至10。烷基的特定實例可包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基、正戊基、正己基、正庚基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，環烷基不受特別限制，但可具有3至60個碳原子，且根據一個實施例，環烷基的碳原子數為3至40。根據另一實施例，環烷基的碳原子數為3至20。環烷基的特定實例可包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，烷氧基可為直鏈、支鏈或環狀。烷氧基的碳原子數不受特別限制，但可為1至20。烷氧基的特定實例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，芳基不受特別限制，但可具有6至60個碳原子，且可為單環芳基或多環芳基。根據一個實施例，芳基的碳原子數為6至30。根據一個實施例，芳基的碳原子數為6至20。當芳基為單環芳基時，其實例可包含苯基、聯苯基、聯三苯基以及其類似基團，但不限於此。多環芳基的實例可包含萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、聯三苯基、1,2-苯并菲基（chrysenyl）、茀基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，茀基可經取代，且兩個取代基可彼此鍵結而形成螺環結構。
當茀基經取代時，可包含螺茀基，諸如 及 ；及經取代的茀基，諸如 （9,9-二甲基茀基）；以及 （9,9-二苯基茀基）。然而，所述結構不限於此。
在本說明書中，雜環基為包含N、O、P、S、Si以及Se中的一或多者作為雜原子的雜環基，且儘管不特定限於此，碳原子數可為2至60。根據一個實施例，雜環基的碳原子數為2至30。根據另一實施例，雜環基的碳原子數為2至20。雜環基的實例可包含吡啶基、吡咯基、嘧啶基、噠嗪基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基以及其類似基團，但不限於此。
在本說明書中，上文提供的關於雜環基的描述可適用於雜芳基，除了其為芳族基團以外。
在本說明書中，上文提供的關於芳基的描述適用於伸芳基，除了其為二價基團以外。
在本說明書中，上文提供的關於芳基的描述適用於芳氧基中的芳基。
根據本說明書的一個實施例，L為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基。
在另一實施例中，L為具有6個至30個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基。
根據另一實施例，L為經取代或未經取代的伸苯基，或經取代或未經取代的伸聯苯基。當L為經取代或未經取代的伸苯基，或經取代或未經取代的伸聯苯基時，伸苯基或伸聯苯基具有的共軛結構藉由使得電洞能夠平穩地遷移而允許能量位準適合於電洞注入及電洞傳輸，且所製造的有機發光裝置具有低驅動電壓特性、高發光效率特性以及極佳壽命特性。
根據本說明書的一個實施例，L可由以下化學式1-A或化學式1-B表示。
[化學式1-A]

[化學式1-B]
在化學式1-A及化學式1-B中，
R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基，
m1至m3各自為0至4的整數，以及
當m1至m3為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
在本說明書的一個實施例中，R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
根據另一實施例，R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；具有1至30個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至30個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
根據另一實施例，R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；具有1至30個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至30個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
在另一實施例中，R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的甲基；經取代或未經取代的乙基；經取代或未經取代的正丙基；經取代或未經取代的正丁基；經取代或未經取代的三級丁基；經取代或未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；或經取代或未經取代的二苯并呋喃基。
根據另一實施例，R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；甲基；乙基；正丙基；正丁基；三級丁基；苯基；聯苯基；或二苯并呋喃基。
在另一實施例中，R11至R13為氫。
根據本說明書的一個實施例，m1至m3各自為0或1。
在本說明書的一個實施例中，Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
根據另一實施例，Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基，或具有2至30個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
在本說明書的一個實施例中，Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基。
根據另一實施例，Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的聯三苯基；或經取代或未經取代的萘基。
在另一實施例中，Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為苯基；聯苯基；聯三苯基；或萘基。
在本說明書的一個實施例中，R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
根據另一實施例，R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；具有1至30個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至30個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
在另一實施例中，R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的甲基；經取代或未經取代的乙基、經取代或未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的二苯并噻吩基；或經取代或未經取代的二苯并呋喃基。
根據另一實施例，R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；甲基；乙基；苯基；聯苯基；二苯并噻吩基；或二苯并呋喃基。
在另一實施例中，R2及R3為氫，且R1及R4為苯基。
在另一實施例中，R1至R4為氫。
根據本說明書的一個實施例，n1至n4各自為0或1。
根據本說明書的一個實施例，Y1至Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-(R101)s；或-X-A，且Y1至Y4中的兩個或大於兩個為-X-A。
在另一實施例中，Y1至Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-(R101)s；或-X-A，且Y1至Y4中的兩個為-X-A。
根據另一實施例，Y1及Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-X-A，且Y2及Y3為-(R101)s。
在另一實施例中，Y1及Y2彼此相同或不同，且各自獨立地為-X-A，且Y3及Y4為-(R101)s。
根據另一實施例，Y1、Y2以及Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-X-A，且Y3為-(R101)s。
在另一實施例中，Y1至Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-X-A。
在本說明書的一個實施例中，X為O或S。
根據本說明書的一個實施例，A為藉由熱或光可交聯的官能基。
藉由熱或光可交聯的官能基可為以下結構中的任一者。
在所述結構中，
T1為氫；或具有1至6個碳原子的經取代或未經取代的烷基，及
T2至T4彼此相同或不同，且各自獨立地為具有1至6個碳原子的經取代或未經取代的烷基。
在本說明書的一個實施例中，T1為氫；經取代或未經取代的甲基；經取代或未經取代的乙基；經取代或未經取代的正丙基；經取代或未經取代的正丁基；或經取代或未經取代的三級丁基。
在另一實施例中，T1為氫；甲基；乙基；正丙基；正丁基；或三級丁基。
根據本說明書的一個實施例，T2至T4彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的甲基；經取代或未經取代的乙基；經取代或未經取代的正丙基；經取代或未經取代的正丁基；或經取代或未經取代的三級丁基。
在另一實施例中，T2至T4彼此相同或不同，且各自獨立地為甲基；乙基；正丙基；正丁基；或三級丁基。
根據本說明書的一個實施例，s為0至2整數，且當s為2時，兩個R101彼此相同或不同。
在本說明書的一個實施例中，R101為氫；氘；鹵素基團；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有4至30個碳原子的經取代或未經取代的芳氧基。
在本說明書的一個實施例中，R101為氫；氘；鹵素基團；具有1至20個碳原子的烷基；具有1至20個碳原子的未經取代或經具有1至20個碳原子的烷氧基取代的烷氧基；具有6至30個碳原子的芳基；或具有6至30個碳原子的芳氧基。
根據另一實施例，R101為氫；氘；氟（-F）；經取代或未經取代的甲基；經取代或未經取代的丁基；經取代或未經取代的甲氧基；經取代或未經取代的乙氧基；經取代或未經取代的乙基己氧基；或經取代或未經取代的苯氧基。
在另一實施例中，R101為氫；氘；氟（-F）；甲基；丁基；甲氧基；未經取代或經具有1至20個碳原子的烷氧基取代的乙氧基；乙基己氧基；或苯氧基。
根據另一實施例，R101為氫；氘；氟（-F）；甲基；三級丁基；甲氧基；未經取代或經乙氧基取代的乙氧基；2-乙基己氧基；或苯氧基。
根據本說明書的一個實施例，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基。
根據另一實施例，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基。
在另一實施例中，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至30個碳原子的未經取代或經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代的伸芳基：鹵素基團、具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷基、具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基，以及具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳氧基。
在另一實施例中，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為具有6至30個碳原子的未經取代或經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代的伸芳基：鹵素基團、具有1至20個碳原子的烷基、具有1至20個碳原子的未經取代或經具有1至20個碳原子的烷氧基取代的烷氧基，以及具有6至30個碳原子的芳氧基。
根據另一實施例，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為未經取代或經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代的伸苯基：鹵素基團、具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷基、具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基，以及具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳氧基；或未經取代或經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代的伸萘基：鹵素基團、具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷基、具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基，以及具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳氧基。
在另一實施例中，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為未經取代或經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代的伸苯基：氟（-F）、經取代或未經取代的甲基、經取代或未經取代的三級丁基、經取代或未經取代的甲氧基、經取代或未經取代的乙氧基、經取代或未經取代的2-乙基己氧基，以及經取代或未經取代的苯氧基；或未經取代或經由下列所構成的族群中選出的一或多個取代基取代的伸萘基：氟（-F）、經取代或未經取代的甲基、經取代或未經取代的三級丁基、經取代或未經取代的甲氧基、經取代或未經取代的乙氧基、經取代或未經取代的2-乙基己氧基，以及經取代或未經取代的苯氧基。
根據另一實施例，L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為伸苯基；伸萘基；氟伸苯基；甲基伸苯基；二甲基伸苯基；三級丁基伸苯基；甲氧基伸苯基；乙氧基乙氧基伸苯基；苯氧基伸苯基；或2-乙基己氧基伸苯基。
根據本說明書的一個實施例，化學式1可由以下化學式2至化學式5中的任一者表示。
[化學式2]

[化學式3]

[化學式4]

[化學式5]
在化學式2至化學式5中，
R1至R4、n1至n4、Ar1、Ar2及L具有與化學式1中相同的定義，
X1至X4彼此相同或不同，且各自獨立地為O或S，
A1至A4彼此相同或不同，且各自獨立地為藉由熱或光可交聯的官能基，
R21至R26彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；鹵素基團；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基，
p1及p2各自為0至5的整數，
p3及p4各自為0至4的整數，
p5及p6各自為0至7的整數，以及
當p1至p6各自為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
根據本說明書的一個實施例，R21至R26彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳氧基；具有6至30個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至30個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
根據另一實施例，R21至R26彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氟（-F）；經取代或未經取代的甲基；經取代或未經取代的三級丁基；經取代或未經取代的甲氧基；經取代或未經取代的乙氧基；經取代或未經取代的己氧基；或經取代或未經取代的苯氧基。
在另一實施例中，R21至R26為氫；氟（-F）；甲基；三級丁基；甲氧基；乙氧基乙氧基；2-乙基己氧基；或苯氧基。
根據另一實施例，p1至p6各自為0或1。
在本說明書的一個實施例中，化學式1可由以下化合物1至化合物140中的任一者表示。

















根據本說明書的一個實施例的化合物可使用下文描述的製備方法來製備。
舉例而言，化學式1的化合物可具有如在下文反應式1中製備的其核心結構。取代基可使用所屬領域中已知的方法鍵結，且取代基的類型、位置或數目可視所屬領域中已知的技術而變化。
＜反應式1＞
在反應式1中，取代基具有與化學式1中的取代基相同的定義。
本說明書的一個實施例提供一種塗覆組成物，包括上述化學式1的化合物。
在本說明書的一個實施例中，塗覆組成物包括化學式1的化合物以及溶劑。
在本說明書一個實施例中，塗覆組成物可為液相。「液相」意謂在室溫及大氣壓下呈液態。
在本說明書的一個實施例中，溶劑的實例可包括：氯類溶劑，諸如氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯或鄰二氯苯；醚類溶劑，諸如四氫呋喃或二噁烷；芳族烴類溶劑，諸如甲苯、二甲苯、三甲苯或均三甲苯（mesitylene）；脂族烴類溶劑，諸如環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷或正癸烷；酮類溶劑，諸如丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮、四氫萘酮、十氫萘酮或乙醯基丙酮；酯類溶劑，諸如乙酸乙酯、乙酸丁酯或乙基乙二醇乙酸乙醚（ethyl cellosolve acetate）；多元醇，諸如乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧乙烷、丙二醇、二乙氧甲烷、三乙二醇單乙醚、甘油或1,2-己二醇以及其衍生物；醇類溶劑，諸如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇或環己醇；亞碸類溶劑，諸如二甲亞碸；醯胺類溶劑，諸如N-甲基-2-吡咯啶酮或N,N-二甲基甲醯胺；四氫化萘（tetraline）以及其類似物，然而，溶劑不限於此，只要其為能夠溶解或分散根據本揭示內容的一個實施例的化學式1的化合物的溶劑即可。
在另一實施例中，溶劑可作為一種類型單獨使用，或使用作為混合兩種或多於兩種溶劑類型的混合物。
在本說明書的一個實施例中，塗覆組成物並不更包括p-摻雜材料。
在本說明書的一個實施例中，塗覆組成物更包括p-摻雜材料。
在本說明書中，p-摻雜材料意謂使主體材料能夠具有p半導體特性的材料。p半導體特性意謂藉由以最高佔用分子軌域（highest occupied molecular orbital；HOMO)能量位準注入或傳輸電洞來接收電洞的特性，亦即，具有高電洞傳導率的材料的特性。
在本說明書的一個實施例中，p-摻雜材料可由以下化學式A至化學式H中的任一者表示，但不限於此。
[化學式A]

[化學式B]

[化學式C]

[化學式D]

[化學式E]

[化學式F]

[化學式G]

[化學式H]
在本說明書中，p-摻雜材料不受限制，只要其具有p半導體特性即可，且可使用其一個、兩個或大於兩個類型，並且其類型不受限制。
在本說明書的一個實施例中，基於化學式1的化合物，p-摻雜材料的含量為0重量%至50重量%。
在本說明書的一個實施例中，基於塗覆組成物的總固體含量，p-摻雜材料的含量為0重量%至30重量%。在本說明書的一個實施例中，基於塗覆組成物的總固體含量，p-摻雜材料的含量較佳地為1重量%至30重量%；且在另一實施例中，基於塗覆組成物的總固體含量，p-摻雜材料的含量更佳為10重量%至30重量%。
在另一實施例中，塗覆組成物可更包括：包括藉由熱或光可交聯的官能基的單體；或包括能夠藉由熱而形成聚合物的端基的單體。如上文的包括藉由熱或光可交聯的官能基的單體；或包括能夠藉由熱而形成聚合物的端基的單體可為具有3,000 g/mol或小於3,000 g/mol的分子量的化合物。
在本說明書的一個實施例中，塗覆組成物具有2,000 g/mol或小於2,000 g/mol的分子量，且更包括：包括藉由熱或光可交聯的官能基的單體；或包括能夠藉由熱而形成聚合物的端基的單體。
包括藉由熱或光可交聯的官能基的單體；或包括能夠藉由熱而形成聚合物的端基的單體可意謂其中芳基，諸如苯基、聯苯基、茀或萘、芳胺、或茀經藉由熱或光而可交聯的官能基或藉由熱而能夠形成聚合物的端基取代的單體。
在另一實施例中，塗覆組成物具有2 cP至15 cP的黏度。
滿足上述黏度在製造裝置中是有利的。
本說明書的另一實施例提供一種使用所述塗覆組成物形成的有機發光裝置。
在本說明書的一個實施例中，有機發光裝置包括第一電極；第二電極；以及一或多個設置於所述第一電極與所述第二電極之間的有機材料層，其中所述有機材料層的一或多個層包括所述塗覆組成物的經固化材料，且所述塗覆組成物的所述經固化材料藉由熱處理或光處理所述塗覆組成物而呈固化狀態。
在本說明書的一個實施例中，包括塗覆組成物的經固化材料的有機材料層為電洞傳輸層或電洞注入層。
在本說明書的一個實施例中，包括塗覆組成物的經固化材料的有機材料層為電子傳輸層或電子注入層。
在另一實施例中，包括塗覆組成物的經固化材料的有機材料層為發光層。
在另一實施例中，包括塗覆組成物的經固化材料的有機材料層為發光層，且所述發光層包括作為發光層主體的化學式1的化合物。
在另一實施例中，包括塗覆組成物的有機材料層為發光層，且所述發光層包括作為發光層摻雜劑的化學式1的化合物。
在本說明書的一個實施例中，有機發光裝置更包括由下列所構成的族群中選出的一個、兩個或大於兩個層：電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層及電洞阻擋層。
在本說明書的一個實施例中，第一電極為陽極，且第二電極為陰極。
根據另一實施例，第一電極為陰極，且第二電極為陽極。
在另一實施例中，有機發光裝置可為具有以下結構的有機發光裝置：陽極、一或多個有機材料層以及陰極連續層合於基板上（正常類型）。
在另一實施例中，有機發光裝置可為具有沿反向方向的以下結構的有機發光裝置：其中陰極、一或多個有機材料層以及陽極連續層合於基板上（倒置類型）。
本說明書的有機發光裝置的有機材料層可以單層結構形成，但亦可以層合兩個或大於兩個有機材料層的多層結構形成。舉例而言，本揭示內容的有機發光裝置可具有包括以下的結構：電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及如有機材料層的類似層。然而，有機發光裝置的結構不限於此，且可包括較少數目的有機材料層。
舉例而言，根據本說明書的一個實施例的有機發光裝置的結構說明於圖1中。
圖1說明有機發光裝置的結構，其中陽極（201）、電洞注入層（301）、電洞傳輸層（401）、發光層（501）、電子傳輸層（601）以及陰極（701）連續層合於基板（101）上。
圖1說明有機發光裝置，然而，有機發光裝置不限於此。
當有機發光裝置包括多個有機材料層時，有機材料層可由彼此相同或不同的材料形成。
本說明書的有機發光裝置可使用所屬領域中已知的材料及方法來製造，除有機材料層的一或多個層使用包括化學式1的化合物的塗覆組成物來形成以外。
舉例而言，本說明書的有機發光裝置可藉由將陽極、有機材料層以及陰極連續層合於基板上來製造。在本文中，有機發光裝置可由以下來製造：藉由使用物理氣相沈積（physical vapor deposition；PVD）方法，諸如濺鍍或電子束蒸發，沈積金屬、具有導電性的金屬氧化物或其合金而在基板上形成陽極；及經由溶液方法、沈積方法或類似方法，在陽極上形成包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層的有機材料層；且隨後沈積能夠在有機材料層上用作陰極的材料。除此方法之外，有機發光裝置亦可藉由在基板上連續沈積陰極材料、有機材料層以及陽極材料來製造。
另外，本說明書的一個實施例提供一種用於製造使用所述塗覆組成物形成的有機發光裝置的方法。
具體言之，在本說明書的一個實施例中，用於製造有機發光裝置的方法包括：製備基板；在基板上形成第一電極；在第一電極上形成一或多個有機材料層；以及在有機材料層上形成第二電極，其中有機材料層的形成包括使用塗覆組成物形成一或多個有機材料層。
在本說明書的一個實施例中，使用塗覆組成物形成一或多個有機材料層是使用旋塗法。
在另一實施例中，使用塗覆組成物形成一或多個有機材料層是使用印刷方法。
在本說明書的一實施例中，印刷方法的實例包括噴墨印刷、噴嘴印刷、平版印刷、轉移印刷、網版印刷或其類似方法，但不限於此。
根據本說明書的一個實施例的塗覆組成物由於其結構特性而適用於溶液方法且可使用印刷方法形成，且因此當製造裝置時在時間及成本方面為經濟上有效的。
在本說明書的一個實施例中，使用塗覆組成物形成一或多個有機材料層包括：塗覆所述塗覆組成物於第一電極上；及熱處理或光處理經塗覆的塗覆組成物。
在本說明書的一個實施例中，熱處理可經由熱處理進行，且熱處理中的熱處理溫度為85℃至250℃。根據一個實施例，溫度可為100℃至250℃，且在另一實施例中，溫度可為150℃至250℃。
在另一實施例中，熱處理中的熱處理時間為1分鐘至2小時。根據一個實施例，時間可為1分鐘至1小時，且在另一實施例中，時間可為30分鐘至1小時。
在熱處理或光處理包含於使用塗覆組成物形成的有機材料層的形成中時，可提供包含薄膜化結構的有機材料層，所述薄膜化結構藉由包含於塗覆組成物中的多種化合物形成交聯。在此情況下，當其他層層合於使用所述塗覆組成物形成的有機材料層的表面上時，可防止被溶劑溶解或形態上被影響或被分解。
因此，當形成使用塗覆組成物形成的有機材料層包含熱處理或光處理時，針對溶劑的抵抗力增加，且可藉由反覆地執行溶液沈積及交聯方法來形成多層，且因此裝置的壽命特性可藉由穩定性增加而增強。
作為陽極材料，具有較大功函數的材料通常較佳，以便電洞順利注入有機材料層中。能夠在本揭示內容中使用的陽極材料的具體實例包括：金屬，諸如釩、鉻、銅、鋅以及金，或其合金；金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（indium tin oxide；ITO）以及氧化銦鋅（indium zinc oxide；IZO）；金屬與氧化物的組合，諸如ZnO:Al或SnO 2:Sb；導電聚合物，諸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩]（PEDOT）、聚吡咯以及聚苯胺；以及其類似物，但不限於此。
作為陰極材料，具有較小功函數的材料通常較佳，以便電子順利注入有機材料層中。陰極材料的具體實例包括：金屬，諸如鋇、鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫以及鉛，或其合金；多層結構材料，諸如LiF/Al或LiO 2/Al；以及其類似物，但不限於此。
電洞注入層為自電極注入電洞的層，且電洞注入材料較佳為具有傳輸電洞的能力的化合物，因此在陽極中具有電洞注入作用，對發光層或發光材料具有極佳電洞注入作用，防止發光層中產生的激子移動至電子注入層或電子注入材料，且此外具有極佳薄膜形成能力。電洞注入材料的最高佔用分子軌域（highest occupied molecular orbital；HOMO）較佳介在陽極材料的功函數與周圍有機材料層的HOMO之間。電洞注入材料的具體實例包括：金屬卟啉（metal porphyrin）、寡聚噻吩（oligothiophene）、芳胺類有機材料、己腈六氮雜聯伸三苯類（hexanitrile hexaazatriphenylene-based）有機材料、喹吖啶酮類（quinacridone-based）有機材料、苝類有機材料、蒽醌（anthraquinone）以及聚苯胺類導電聚合物及聚噻吩類導電聚合物以及類似者，但不限於此。
電洞傳輸層為自電洞注入層接收電洞且將電洞傳輸至發光層的層，且作為電洞傳輸材料，能夠自陽極或電洞注入層接收電洞、使電洞移動至發光層且具有高電洞遷移率的材料為適合的。其具體實例包括芳胺類有機材料、導電聚合物、共軛部分與非共軛部分連在一起的嵌段共聚物，以及其類似物，但不限於此。
發光材料是藉由分別自電洞傳輸層及電子傳輸層接收電洞及電子且使電洞與電子結合而能夠發射可見光區域中的光的材料，且較佳為對於螢光或磷光具有有利量子效率的材料。其具體實例包括8-羥基喹啉鋁錯合物（Alq 3）；咔唑類化合物；二聚苯乙烯基化合物；BAlq；10-羥基苯并喹啉-金屬化合物；苯并噁唑類化合物、苯并噻唑類化合物以及苯并咪唑類化合物；聚(對伸苯基伸乙烯基)（poly(p-phenylenevinylene)；PPV）類聚合物；螺環化合物；聚茀、紅螢烯（rubrene）或類似物，但不限於此。
發光層可包括主體材料及摻雜材料。
主體材料包括稠合芳環衍生物、含雜環化合物或其類似物。特定言之，稠合芳環衍生物包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、稠五苯衍生物、菲化合物、丙二烯合茀化合物以及其類似物，且含雜環化合物包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物（ladder-type furan compound）、嘧啶衍生物以及其類似物，然而材料不限於此。
摻雜材料包括芳族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼錯合物、丙二烯合茀化合物、金屬錯合物及其類似物。特定言之，芳胺衍生物為具有經取代或未經取代的芳胺基的稠合芳環衍生物且包括含有芳胺基的芘、蒽、1,2-苯并菲、二茚并苝及其類似物，且苯乙烯基胺化合物為經取代或未經取代的芳胺經至少一個芳基乙烯基取代的化合物，且一個、兩個或多於兩個由下述者所組成的族群中選出的取代基經取代或未經取代：芳基、矽基、烷基、環烷基以及芳胺基。特定言之，包含苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺或其類似物，然而苯乙烯基胺化合物不限於此。此外，金屬錯合物包括銥錯合物、鉑錯合物或其類似物，但不限於此。
電子傳輸層為接收來自電子注入層之電子且將電子傳輸至發光層的層，且作為電子傳輸材料，能夠順利地接收來自陰極的電子、使電子傳輸至發光層且對電子具有高遷移率的材料為合適的。其具體實例包括8-羥基喹啉的Al錯合物、包括Alq 3的錯合物、有機基團化合物、羥基黃酮金屬錯合物或類似物，但不限於此。電子傳輸層可與如在所屬技術領域中所用的任何所需陰極材料一起使用。特定言之，適合之陰極材料的實例包括具有小的功函數之常用材料，且其中隨後是鋁層或銀層。具體言之，陰極材料包括銫、鋇、鈣、鐿以及釤，且在各種情況下，隨後是鋁層或銀層。
電子注入層為注入來自電極的電子的層，且電子注入材料較佳為以下化合物：具有傳輸電子的能力、具有自陰極的電子注入作用、對發光層或發光材料具有極佳電子注入作用、防止發光層中產生的激子移動至電洞注入層且此外具有極佳薄膜形成能力。其具體實例包括茀酮（fluorenone）、蒽醌二甲烷（anthraquinodimethane）、聯苯醌（diphenoquinone）、二氧化噻喃（thiopyran dioxide）、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸（perylene tetracarboxylic acid）、亞茀基甲烷、蒽酮或其類似物及其衍生物、金屬錯合化合物、含氮5員環衍生物及其類似物，但不限於此。
金屬錯合物化合物包括8-羥基喹啉鋰、雙(8-羥基喹啉)鋅、雙(8-羥基喹啉)銅、雙(8-羥基喹啉)錳、參(8-羥基喹啉)鋁、參(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、參(8-羥基喹啉)鎵、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鋅、雙(2-甲基-8-喹啉)氯鎵、雙(2-甲基-8-喹啉)(鄰甲酚)鎵、雙(2-甲基-8-喹啉)(1-萘)鋁、雙(2-甲基-8-喹啉)(2-萘)鎵及其類似物，但不限於此。
電洞阻擋層為阻擋電洞到達陰極的層，且通常可在與電洞注入層相同的條件下形成。特定言之，包含噁二唑衍生物或三唑衍生物、啡啉衍生物、BCP、鋁錯合物以及其類似物，然而，材料不限於此。
視所用材料而定，根據本說明書的有機發光裝置可為頂部發射型、底部發射型或雙重發射型。
在下文中，本說明書將參考實例詳細描述以特別描述本說明書。然而，根據本說明書的實例可經修改成各種不同形式，且本說明書的範疇不應解釋為限於下文描述的實例。提供本說明書的實施例以便為本領域中具有通常知識的技術人員更充分地描述本說明書。
＜ 製備實例 ＞
製備實例 1. 製備化合物 1
1)製備中間物1-1
向500毫升圓底燒瓶[round bottom flask；RBF]中，引入2-溴-9-苯基-9H-茀-9-醇（50公克，148.3毫莫耳，1.0當量）及苯酚（41.8公克，444.9毫莫耳，3.0當量），且溶解於甲磺酸（200毫升，0.74莫耳/公升）中。在安設迪恩-斯達克（dean-stark）設備之後，在回流下攪拌所得物隔夜。此後，使用飽和NaHCO 3水溶液終止反應，且使用乙酸乙酯[ethyl acetate；EA]萃取有機層。有機層用硫酸鎂脫水，且在移除溶劑之後，使用管柱層析純化所得物，得到中間化合物1-1。
2)製備中間物1-2
在500毫升圓底燒瓶中，將中間物1-1（30公克，63.9毫莫耳，1.0當量）及碳酸銫（41.6公克，127.8毫莫耳，2.0當量）溶解於DMF（120毫升，0.5莫耳/公升）中，且隨後在溫度升高至50℃之後，攪拌所得物。此後，向其中引入4-氯甲基苯乙烯（9.15毫升，9.75公克，1.0當量），且在60℃下攪拌所得物。使所得物冷卻至室溫[room temperature；RT]之後，向其中引入水以終止反應，且隨後使用乙酸乙酯[EA]萃取有機層。分離有機層，用硫酸鎂脫水，且在移除溶劑之後，使用管柱層析純化所得物，得到中間化合物1-2。
3)製備化合物1
在250毫升圓底燒瓶中，將中間物1-2（12.0公克，20.49毫莫耳，2.05當量）、N4,N4'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺（3.36公克，10.0毫莫耳，1.0當量）、NaOtBu（3.36公克，34.99毫莫耳，3.5當量）以及Pd(PtBu 3) 2（255毫克，0.5毫莫耳，0.05當量）溶解於甲苯（100毫升）中，且攪拌所得物並在N 2饋入下反應。當反應完成時，所得物用H 2O及乙酸乙酯[EA]處理，且分離有機層，脫水且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。所獲得粗材料使用管柱層析來純化，且在移除溶劑之後，獲得呈白色固體形式的化合物1，且化合物1的NMR資料值如下。
1H NMR (500 MHz): δ=8.00-7.82 (m, 4H), 7.70-7.68 (d, 4H), 7.62-7.55 (m, 6H), 7.35-7.15 (m, 38H), 7.05-7.03 (t, 2H), 6.92-9.85 (d, 4H), 6.73-6.70 (m, 2H), 5.76-5.73 (d, 2H), 5.39-5.37 (d, 2H), 5.17 (s, 4H)
製備實例 2. 製備化合物 15
1)製備中間物15-1
向500毫升圓底燒瓶中，引入4-(2-溴-9-(4-(三級丁基)苯基)-9H-茀-9-基)苯酚（50公克，106.50毫莫耳，1.0當量）、4-溴苯甲醛（23.6公克，127.8毫莫耳，1.2當量）以及碳酸鉀（44.2公克，319.50毫莫耳，3.0當量），且溶解於無水吡啶（200毫升，0.5莫耳/公升）中。此後，向其中緩慢添加氧化銅(II)（17.0公克，213.0毫莫耳，2當量），且在溫度升高至120℃之後，在回流下進行反應。當反應完成時，使用飽和NaHCO 3水溶液終止反應，且使用乙酸乙酯[EA]萃取有機層。有機層用硫酸鎂脫水，隨後將藉由移除溶劑所獲得的粗物質溶解於二氯甲烷中，且藉由收集沈澱於乙醇中，獲得呈固體形式的中間化合物15-1。
2)製備中間物15-2
向盛放溴化甲基三苯基鏻（12.46公克，34.87毫莫耳，2.0當量）的圓底燒瓶中，引入無水四氫呋喃[anhydrous tetrahydrofuran；無水THF]（50毫升，0.2莫耳/公升），且將圓底燒瓶置放於冰浴中。向其中立即引入三級丁醇鉀（3.9公克，34.87毫莫耳，2.0當量），且在冰浴中攪拌所得物20分鐘。使用滴液漏斗，逐漸向混合物中添加溶解於四氫呋喃[THF]（30毫升）中的中間化合物15-1（10.0公克，17.44毫莫耳，1.0當量）。此後，在用四氫呋喃[THF]（10毫升）洗滌圓底燒瓶及漏斗同時，添加其餘部分。向其中引入水（50毫升），以終止反應，使用乙酸乙酯[EA]萃取有機層。有機層用硫酸鎂脫水，且在移除溶劑之後，使用管柱層析純化所得物，得到中間化合物15-2。
3)製備化合物15
在250毫升圓底燒瓶中，將中間化合物15-2（10.0公克，17.50毫莫耳，2.05當量）、N4,N4'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺（2.87公克，8.53毫莫耳，1.0當量）、NaOtBu（2.87公克，29.86毫莫耳，3.5當量）以及Pd(PtBu 3) 2（218.0毫克，0.43毫莫耳，0.05當量）溶解於甲苯（90毫升）中，且攪拌所得物並在N 2饋入下反應。當反應完成時，所得物用H 2O及乙酸乙酯[EA]處理，且分離有機層，脫水且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。所獲得粗材料使用管柱層析來純化，且在移除溶劑之後，獲得呈白色固體形式的化合物15，且化合物15的NMR資料值如下。
1H NMR (500 MHz): δ=7.95-7.83 (m, 4H), 7.65-7.58 (m, 10H), 7.54-7.26 (m, 22H), 7.24-7.05 (m, 12H), 6.95-6.93 (d, 4H), 6.86-6.84 (d, 4H), 6.80-6.76 (m, 2H), 5.65-5.61 (d, 2H), 5.16-5.13 (d, 2H), 1.35 (s, 18H)
製備實例 3. 製備化合物 28
1)製備中間物28-1
向250毫升圓底燒瓶中，引入4-(2-溴-9-(對甲苯基)-9H-茀-9-基)苯酚（15公克，35.1毫莫耳，1.0當量）、碳酸鉀（14.6公克，105.3毫莫耳，3當量）、碘化銅(I)（334.3毫克，1.76毫莫耳，0.05當量）以及1-丁基咪唑（4.4公克，35.1毫莫耳，1.0當量），且溶解於甲苯（175毫升）中。在安設回流設備之後，使溫度升高至120℃，且在攪拌所得物同時進行反應。當反應完成時，使用飽和NaHCO 3水溶液終止反應，且使用水[H 2O]及乙酸乙酯[EA]處理所得物。分離有機層，經由MgSO 4脫水，且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。使用管柱層析純化所獲得粗材料，得到中間化合物28-1。
2)製備化合物28
在250毫升圓底燒瓶中，將中間化合物28-1（10.0公克，18.89毫莫耳，2.05當量）、N4,N4'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺（3.10公克，9.21毫莫耳，1.0當量）、NaOtBu（3.10公克，32.24毫莫耳，3.5當量）以及Pd(PtBu 3) 2（235.1毫克，0.46毫莫耳，0.05當量）溶解於甲苯（120毫升）中，且攪拌所得物並在N 2饋入下反應。當反應完成時，所得物用H 2O及乙酸乙酯[EA]處理，且分離有機層，脫水且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。所獲得粗材料使用管柱層析來純化，且在移除溶劑之後，獲得呈白色固體形式的化合物28，且化合物28的NMR資料值如下。
1H NMR (500 MHz): δ=7.90-7.87 (m, 4H), 7.56-7.53 (m, 6H), 7.48-7.30 (m, 16H), 7.27 (s, 2H), 7.25-7.22 (d, 4H), 7.20-7.15 (m, 18H), 7.14-7.12 (d, 4H), 2.88 (s, 8H), 2.19 (s, 6H)
製備實例 4. 製備化合物 36
1)製備中間物36-1
向250毫升圓底燒瓶中，引入中間物4,4'-(2-溴-9H-茀-9,9-二基)二酚（10公克，23.3毫莫耳，1.0當量）、碳酸鉀（9.7公克，69.9毫莫耳，3當量）、碘化銅(I)（220.4毫克，1.17毫莫耳，0.05當量）以及1-丁基咪唑（2.9公克，23.3毫莫耳，1.0當量），且溶解於甲苯（100毫升）中。在向其中添加3-溴苯（3.66公克，23.3毫莫耳，1.0當量）之後，安設回流設備，使溫度升高至120℃，且在攪拌所得物同時進行反應。當反應完成時，使用飽和NaHCO 3水溶液終止反應，且使用水[H 2O]及乙酸乙酯[EA]處理所得物。分離有機層，經由MgSO 4脫水，且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。使用管柱層析純化所獲得粗材料，得到中間化合物36-1。
2)製備中間物36-2
向250毫升圓底燒瓶中，引入中間物36-1（10公克，19.78毫莫耳，1.0當量）、碳酸鉀（8.20公克，59.36毫莫耳，3當量）、碘化銅(I)（187.1毫克，0.99毫莫耳，0.05當量）以及1-丁基咪唑（2.42公克，19.78毫莫耳，1.0當量），且溶解於甲苯（100毫升）中。在向其中添加3-溴雙環[4.2.0]八-1(6),2,4-三烯（3.98公克，21.75毫莫耳，1.1當量）之後，安設回流設備，使溫度升高至120℃，且在攪拌所得物同時進行反應。當反應完成時，使用飽和NaHCO 3水溶液終止反應，且使用水[H 2O]及乙酸乙酯[ethyl acetate；EA]處理所得物。分離有機層，經由MgSO 4脫水，且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。使用管柱層析純化所獲得粗材料，得到中間化合物36-2。
3)製備化合物36
在250毫升圓底燒瓶中，將中間化合物36-2（10.0公克，16.46毫莫耳，2.05當量）、N4,N4'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺（2.70公克，8.03毫莫耳，1.0當量）、NaOtBu（2.70公克，28.10毫莫耳，3.5當量）以及Pd(PtBu 3) 2（205.2毫克，0.40毫莫耳，0.05當量）溶解於甲苯（90毫升）中，且攪拌所得物並在N 2饋入下反應。當反應完成時，所得物用H 2O及乙酸乙酯[EA]處理，且分離有機層，脫水且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。所獲得粗材料使用管柱層析來純化，且在移除溶劑之後，獲得呈白色固體形式的化合物36，且化合物36的NMR資料值如下。
1H NMR (500 MHz): δ=7.88-7.85 (m, 4H), 7.57-7.55 (m, 6H), 7.52-7.30 (m, 20H), 7.27-7.15 (m, 18H), 7.07-6.90 (m, 16H), 2.85 (s, 8H)
製備實例 5. 製備化合物 51
1)製備中間物51-1
向250毫升圓底燒瓶中，引入2-溴-9H-茀-9-酮（15公克，57.9毫莫耳，1.0當量）及苯酚（54.5公克，579毫莫耳，10.0當量），且溶解於甲磺酸（70毫升，0.8莫耳/公升）中。在60℃下攪拌所得物隔夜。此後，向其中倒入水，以終止反應，且隨後在用水洗滌同時過濾所產生沈澱。進行沈澱法，同時所獲得的溶解於少量乙酸乙酯中的過濾材料滴入己烷中。過濾所得物，得到呈白色固體形式的中間化合物51-1。
2)製備中間物51-2
在250毫升圓底燒瓶中，將中間物51-1（10公克，23.29毫莫耳，1.0當量）及碳酸銫（9.1公克，27.95毫莫耳，1.2當量）溶解於二甲基甲醯胺[dimethylformamide；DMF]（50毫升，0.47莫耳/公升）中，且在溫度升高至100℃之後，攪拌所得物。此後，向其中緩慢引入4-乙基己基溴（3.71毫升，20.96毫莫耳，0.9當量），且攪拌所得物。當反應完成時，使所得物冷卻至室溫[RT]，向其中倒入水，以終止反應，且隨後使用EA萃取有機層。分離有機層，用硫酸鎂脫水，且在移除溶劑之後，使用管柱層析純化所得物，得到中間化合物51-2。
3)製備中間物51-3
向250毫升圓底燒瓶中，引入中間物51-2（10公克，15.5毫莫耳，1.0當量）、碳酸鉀（6.4公克，46.6毫莫耳，3當量）、碘化銅(I)（147.6毫克，0.78毫莫耳，0.05當量）以及1-丁基咪唑（1.9公克，15.5毫莫耳，1.0當量），且溶解於甲苯（77毫升）中。在安設回流設備之後，使溫度升高至120℃，且在攪拌所得物同時進行反應。當反應完成時，使用飽和NaHCO 3水溶液終止反應，且使用水[H 2O]及乙酸乙酯[EA]處理所得物。分離有機層，經由MgSO 4脫水，且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。使用管柱層析純化所獲得粗材料，得到中間化合物51-3。
4)製備化合物51
在250毫升圓底燒瓶中，將中間化合物51-3（10.0公克，15.54毫莫耳，2.05當量）、N4,N4'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺（2.55公克，7.58毫莫耳，1.0當量）、NaOtBu（2.55公克，26.53毫莫耳，3.5當量）以及Pd(PtBu 3) 2（194毫克，0.38毫莫耳，0.05當量）溶解於甲苯（90毫升）中，且攪拌所得物並在N 2饋入下反應。當反應完成時，所得物用H 2O及乙酸乙酯[EA]處理，且分離有機層，脫水且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。所獲得粗材料使用管柱層析來純化，且在移除溶劑之後，獲得呈白色固體形式的化合物51，且化合物51的NMR資料值如下。
1H NMR (500 MHz): δ=7.90-7.85 (m, 4H), 7.55-7.52 (m, 6H), 7.48-7.26 (m, 22H), 7.24-7.05 (m, 10H), 6.95-6.93 (d, 4H), 6.86-6.84 (d, 4H), 3.98-3.97 (m, 2H), 3.73-3.70 (m, 2H), 2.90 (s, 8H), 1.70-1.67 (m, 2H), 1.55-1.52 (m, 4H), 1.32-1.25 (m, 12H), 0.95-0.92 (t, 6H), 0.90-0.88 (t, 6H)
製備實例 6. 製備化合物 65
1)製備中間物65-1
向250毫升圓底燒瓶中，引入4-(2-溴-9-(4-((2-乙基己基)氧基)苯基)-9H-茀-9-基)苯酚（15公克，27.7毫莫耳，1.0當量）及碳酸鉀（11.5公克，83.1毫莫耳，3當量），且溶解於DMF（150毫升）中。在向其中添加3-(溴甲基)-3-乙基氧環丁烷（5.5公克，30.5毫莫耳，1.1當量）之後，在於70℃下加熱及攪拌所得物同時進行反應。當反應完成時，用H 2O及EA處理所得物。分離有機層，經由MgSO 4脫水，且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。使用管柱層析純化所獲得粗材料，得到中間化合物65-1。
2)製備化合物65
在250毫升圓底燒瓶中，將中間化合物65-1（10.0公克，15.63毫莫耳，2.05當量）、N4,N4'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺（2.56公克，7.62毫莫耳，1.0當量）、NaOtBu（2.56公克，26.67毫莫耳，3.5當量）以及Pd(PtBu 3) 2（194.7毫克，0.38毫莫耳，0.05當量）溶解於甲苯（100毫升）中，且攪拌所得物並在N 2饋入下反應。當反應完成時，用H 2O及EA處理所得物，且分離有機層，脫水且隨後過濾。此後，使用旋轉蒸發器來移除溶劑。所獲得粗材料使用管柱層析來純化，且在移除溶劑之後，獲得呈白色固體形式的化合物65，且化合物65的NMR資料值如下。
1H NMR (500 MHz): δ=7.91-7.95 (m, 4H), 7.56-7.53 (m, 6H), 7.45-7.20 (m, 30H), 6.87-6.83 (m, 8H), 4.37-4.35 (d, 4H), 4.13-4.10 (d, 4H), 3.94-3.90 (m, 2H), 3.80(s, 2H), 3.75-3.71 (m, 2H), 1.80-1.78 (m, 2H), 1.70-1.68 (q, 4H), 1.55-1.53 (m, 4H), 1.30-1.18 (m, 12H), 0.99-0.96 (t, 6H), 0.88-0.84 (m, 12H)
＜ 實例 ＞
實例 1.
將上面塗有1,500埃厚度的薄膜形式的氧化銦錫（ITO）的玻璃基板放入清潔劑溶解的蒸餾水中且進行超音波清洗。在將ITO清潔30分鐘之後，使用蒸餾水進行超音波清潔，重複兩次，歷時10分鐘。在用蒸餾水清潔完成之後，用異丙醇及丙酮的溶劑對基板分別進行歷時30分鐘的超音波清潔，隨後乾燥，且隨後轉移至手套箱。
在如上製備的透明ITO電極上，藉由旋塗混合以下的塗覆組成物來形成具有300埃厚度的電洞注入層：化合物1（20毫克）、化學式D（1毫克）以及甲苯（1毫克），且在空氣中在加熱板上固化塗覆組成物1小時。此後，將所得物轉移至真空沈積器，且藉由在電洞注入層上真空沈積以下a-NPD來形成電洞傳輸層。
在沈積a-NPD至40奈米厚度之後，在電洞傳輸層上真空沈積以下Alq 3至50奈米，形成發光層。在電子傳輸層上，分別沈積LiF及鋁至0.5奈米及100奈米厚度，形成陰極。
在上述製程中，有機材料的沈積速率維持在0.4埃/秒至0.7埃/秒，陰極的LiF及鋁的沈積速率分別維持在0.3埃/秒及2埃/秒，且沈積期間的真空度維持在2×10 -7托（torr）至3×10 -5托。
[化合物1] [a-NPD]

[Alq 3] [化學式C]

[化學式D] [化學式E]

[化學式F] [化學式G]

[化學式H]

實例 2.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物15替代化合物1以外。
[化合物15]

實例 3.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物28替代化合物1以外。
[化合物28]

實例 4.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物36替代化合物1及使用化學式E替代化學式D以外。
[化合物36]

實例 5.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物51替代化合物1及使用化學式E替代化學式D以外。
[化合物51]

實例 6.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物65替代化合物1及使用化學式E替代化學式D以外。
[化合物65]

實例 7.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化學式F替代化學式D以外。
實例 8.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物15替代化合物1及使用化學式F替代化學式D以外。
實例 9.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物28替代化合物1及使用化學式F替代化學式D以外。
實例 10.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物36替代化合物1及使用化學式G替代化學式D以外。
實例 11.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物51替代化合物1及使用化學式G替代化學式D以外。
實例 12.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物65替代化合物1及使用化學式G替代化學式D以外。
實例 13.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化學式H替代化學式D以外。
實例 14.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物15替代化合物1及使用化學式H替代化學式D以外。
實例 15.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物28替代化合物1及使用化學式H替代化學式D以外。
實例 16.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物36替代化合物1及使用化學式H替代化學式D以外。
實例 17.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物51替代化合物1及使用化學式H替代化學式D以外。
實例 18.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物65替代化合物1及使用化學式H替代化學式D以外。
比較例 1.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用以下化合物V-1替代化合物1及使用化學式C替代化學式D以外。
[化合物V-1]

比較例 2.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物V-1替代化合物1及使用化學式G替代化學式D以外。
比較例 3.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物V-1替代化合物1及使用化學式H替代化學式D以外。
比較例 4.
有機發光裝置是以與實例1相同的方式製造，除使用化合物V-2替代化合物1以外。
[化合物V-2]
對於實例1至實例18及比較例1至比較例4中製造的有機發光裝置，驅動電壓、電流效率、量子效率（quantum efficiency；QE）以及亮度值是在10毫安/平方公分的電流密度下量測，且亮度相較於其初始亮度降至90%所花費的時間（T90）是在10毫安/平方公分的電流密度下量測。結果展示於下表1中。
[表1]
裝置 驅動電壓（V） 電流效率（cd/A） QE（%） 亮度（Cd/m 2） 壽命T90（10 mA/cm 2）
實例1 3.81 5.00 5.47 499.7 67.2
實例2 3.85 5.15 5.43 515.6 65.1
實例3 3.83 5.10 5.49 509.9 66.7
實例4 3.83 5.11 5.57 510.7 70.8
實例5 3.85 5.14 5.56 514.0 64.5
實例6 3.82 5.05 5.44 498.0 65.1
實例7 3.90 4.80 5.23 466.4 59.1
實例8 3.87 5.00 5.41 505.5 65.0
實例9 3.81 5.20 5.54 511.2 67.0
實例10 3.90 4.75 4.92 455.1 55.7
實例11 3.92 4.54 5.12 447.0 48.5
實例12 3.98 4.60 5.01 464.1 57.9
實例13 3.88 5.10 5.56 511.1 66.0
實例14 3.90 4.88 5.31 470.3 65.9
實例15 3.91 4.99 5.38 460.5 68.9
實例16 3.93 5.21 5.60 513.4 71.1
實例17 3.81 5.12 5.61 515.0 68.7
實例18 3.85 5.10 5.50 510.3 65.0
比較例1 4.04 4.25 4.60 424.7 36.3
比較例2 4.01 4.35 4.70 434.4 40.5
比較例3 4.03 4.20 4.46 440.2 44.3
比較例4 4.01 4.34 4.70 433.3 32.7
自表1的結果確認，相較於比較例1至比較例4中製造的有機發光裝置，實例1至實例18使用本申請案的化合物製造的有機發光裝置，具有較低驅動電壓、具有極佳電流效率以及量子效率，以及具有極佳壽命特性。
101：基板
201：陽極
301：電洞注入層
401：電洞傳輸層
501：發光層
601：電子傳輸層
701：陰極
圖1說明根據本說明書的一個實施例的有機發光裝置的實例。

Claims (12)

  1. 一種由以下化學式1表示的化合物：
    Figure TWI667223B_C0001
    其中，在化學式1中，L及L1至L4彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的伸芳基；Ar1及Ar2彼此相同或不同，且各自獨立地為經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基；R1至R4彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基；Y1至Y4彼此相同或不同，且各自獨立地為-(R101)s；或-X-A，且Y1至Y4中的兩個或大於兩個為-X-A；R101為氫；氘；鹵素基團；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的芳氧基；s為0至5的整數，且當s為2或大於2時，兩個或大於兩個R101彼此相同或不同；X為O或S；A為藉由熱或光可交聯的官能基；n1及n4各自為0至4的整數；n2及n3各自為0至3的整數；以及當n1至n4各自為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中藉由熱或光可交聯的所述官能基為以下結構中的任一者：
    Figure TWI667223B_C0002
    在所述結構中，T1為氫；或具有1至6個碳原子的經取代或未經取代的烷基；以及T2至T4彼此相同或不同，且各自獨立地為具有1至6個碳原子的經取代或未經取代的烷基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中化學式1由以下化學式2至化學式5中的任一者表示：
    Figure TWI667223B_C0003
    Figure TWI667223B_C0004
    Figure TWI667223B_C0005
    [化學式5]
    Figure TWI667223B_C0006
    在化學式2至化學式5中，R1至R4、n1至n4、Ar1、Ar2及L具有與化學式1中相同的定義；X1至X4彼此相同或不同，且各自獨立地為O或S；A1至A4彼此相同或不同，且各自獨立地為藉由熱或光可交聯的官能基；R21至R26彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；鹵素基團；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基；p1及p2各自為0至5的整數；p3及p4各自為0至4的整數；p5及p6各自為0至7的整數；以及當p1至p6各自為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中L為以下化學式1-A或化學式1-B：[化學式1-A]
    Figure TWI667223B_C0007
    Figure TWI667223B_C0008
    在化學式1-A及化學式1-B中，R11至R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的烷基；經取代或未經取代的烷氧基；經取代或未經取代的芳基；或經取代或未經取代的雜芳基；m1至m3各自為0至4的整數；以及當m1至m3為2或大於2時，圓括號中的取代基彼此相同或不同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的化合物，其中化學式1由以下化合物1至化合物140中的任一者表示：
    Figure TWI667223B_C0009
    Figure TWI667223B_C0010
    Figure TWI667223B_C0011
    Figure TWI667223B_C0012
    Figure TWI667223B_C0013
    Figure TWI667223B_C0014
    Figure TWI667223B_C0015
    Figure TWI667223B_C0016
    Figure TWI667223B_C0017
    Figure TWI667223B_C0018
    Figure TWI667223B_C0019
    Figure TWI667223B_C0020
    Figure TWI667223B_C0021
    Figure TWI667223B_C0022
    Figure TWI667223B_C0023
    Figure TWI667223B_C0024
    Figure TWI667223B_C0025
    Figure TWI667223B_C0026
  6. 一種塗覆組成物，包括如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的化合物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的塗覆組成物，更包括p-摻雜材料。
  8. 一種有機發光裝置，包括：第一電極；第二電極；以及一或多個有機材料層，設置於所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述有機材料層的一或多個層包括如申請專利範圍第6項所述的塗覆組成物的經固化材料。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的有機發光裝置，其中包括所述塗覆組成物的所述經固化材料的所述有機材料層為電洞傳輸層或電洞注入層。
  10. 一種用於製造有機發光裝置的方法，包括：製備基板；在所述基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成一或多個有機材料層；以及在所述有機材料層上形成第二電極，其中所述形成一或多個有機材料層包括使用如申請專利範圍第6項所述的塗覆組成物形成所述一或多個有機材料層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的用於製造有機發光裝置的方法，其中使用所述塗覆組成物的所述形成一或多個有機材料層是使用旋塗法。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的用於製造有機發光裝置的方法，其中使用所述塗覆組成物的所述形成一或多個有機材料層包括在所述第一電極上塗覆所述塗覆組成物；以及熱處理或光處理所述經塗覆的塗覆組成物。
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