JP6910696B2 - 化合物、これを含むコーティング組成物、これを用いた有機発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本明細書は、２０１７年９月２９日付で韓国特許庁に出願された韓国特許出願第１０−２０１７−０１２７２０７号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。

本明細書は、化合物、前記化合物を含むコーティング組成物、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子およびその製造方法に関する。

有機発光現象は、特定の有機分子の内部プロセスによって電流が可視光に変換される例の一つである。有機発光現象の原理は次の通りである。アノードとカソードとの間に有機物層を位置させた時、２つの電極の間に電流をかけると、カソードとアノードからそれぞれ電子と正孔が有機物層に注入される。有機物層に注入された電子と正孔は、再結合してエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、このエキシトンが再び基底状態に落ちながら光を発する。このような原理を利用する有機発光素子は、一般的に、カソードおよびアノードと、その間に位置した有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含む有機物層から構成される。

従来は、有機発光素子を製造するために蒸着工程を主に使用してきた。しかし、蒸着工程による有機発光素子の製造時、材料の損失が多く発生するという問題点があり、これを解決するために、材料の損失が少なくて生産効率を増大させられる溶液工程により素子を製造する技術が開発されており、溶液工程時に使用可能な物質の開発が求められている。

溶液工程用有機発光素子で使用される物質は、次のような性質を有しなければならない。
第一に、保存可能な均質な溶液を形成できなければならない。商用化された蒸着工程用物質の場合、結晶性が良くて溶液にうまく溶けなかったり溶液を形成しても結晶が生じやすいため、保存期間によって溶液の濃度勾配が異なったり、不良素子を形成する可能性が大きい。
第二に、溶液工程に使用される物質は、薄膜形成時、穴やかたまり現象が発生せず均一な厚さの薄膜を形成できるようにコーティング性に優れていなければならない。
第三に、溶液工程が行われる層は、他の層を形成する工程で使用される溶媒および物質に対する耐性がなければならない。このために、硬化基を導入することにより、溶液塗布後、熱処理あるいはＵＶ照射により基板上で自主的に架橋結合した高分子を形成して、次の工程に使用される溶媒および物質に対して十分な耐性を有するか、自主的に溶媒に対して耐性を有し得る物質が使用されなければならない。一般的に、有機発光素子で使用されるアリールアミン系単分子の場合、自主的に次の工程の溶媒に耐性を有することがないので、溶液工程用有機発光素子に使用できるように硬化基が導入されたアリールアミン系単分子化合物の開発が求められる。

本明細書は、溶液工程用有機発光素子で使用可能な化合物およびこれを含む有機発光素子を提供することを目的とする。

下記化学式１で表される化合物を提供する。

前記化学式１において、
Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；ニトリル基；シリル基；ホウ素基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ４およびＲ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基であり、
Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；または置換もしくは非置換の２価のアリール基であり、
Ｌは、置換もしくは非置換の２価または３価のアリール基；置換もしくは非置換の２価または３価のヘテロアリール基；または置換もしくは非置換の２価または３価のアリールアミン基であり、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ０〜１２の整数であり、
ｎ１およびｎ５は、それぞれ０〜５の整数であり、
ｎ２およびｎ６は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｎ３およびｎ７は、それぞれ０〜３の整数であり、
ｐ１およびｐ２は、それぞれ１〜４の整数であり、
ｑは、１または２であり、
ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、ｐ１およびｐ２がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
ｑが２の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。

本明細書は、前記化合物を含むコーティング組成物を提供する。

本明細書はまた、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの１層以上は、前記コーティング組成物の硬化物を含み、前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理によって硬化した状態である有機発光素子を提供する。

最後に、本明細書は、基板を用意するステップと、前記基板上に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第２電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法を提供する。

本発明の一実施態様に係る化合物は、溶液工程が可能で、素子の大面積化が可能であり、有機発光素子の有機物層の材料に使用可能であり、低い駆動電圧、高い発光効率および高い寿命特性を提供するだけでなく、前記化合物を含む有機物層は、他の層を形成する工程で使用される溶媒および物質に対する耐性を有する有機発光素子を提供することができる。

また、本発明の一実施態様に係る化合物は、フルオレン構造およびフルオレンの９番目の炭素に直接結合したアリール基および硬化性基とフルオレンとの間にリンカーのアルキル基が分子間の相互作用を妨げてガラス転移温度および融点を調節することができ、直鎖形態のアルキル基によって、硬化性基の運動性を増加させたり硬化性基の周囲の立体障害を減少させることにより、硬化温度を低下させられるという利点がある。

本明細書の一実施態様に係る有機発光素子の例を示すものである。 化合物１のＭＳグラフを示す図である。 化合物１のＤＳＣ測定グラフを示す図である。 実施例１−１の膜保持率テストの結果を示す図である。 比較例１−１の膜保持率テストの結果を示す図である。 比較例１−２の膜保持率テストの結果を示す図である。

以下、本明細書を詳細に説明する。
本明細書の一実施態様は、下記化学式１で表される化合物を提供する。

前記化学式１において、
Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；ニトリル基；シリル基；ホウ素基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ４およびＲ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基であり、
Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；または置換もしくは非置換の２価のアリール基であり、
Ｌは、置換もしくは非置換の２価または３価のアリール基；置換もしくは非置換の２価または３価のヘテロアリール基；または置換もしくは非置換の２価または３価のアリールアミン基であり、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ０〜１２の整数であり、
ｎ１およびｎ５は、それぞれ０〜５の整数であり、
ｎ２およびｎ６は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｎ３およびｎ７は、それぞれ０〜３の整数であり、
ｐ１およびｐ２は、それぞれ１〜４の整数であり、
ｑは、１または２であり、
ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、ｐ１およびｐ２がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
ｑが２の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。

本発明の一実施態様に係る化合物は、フルオレンの９番目の炭素に直接結合したアリール基およびアルキル基によって優れた溶解度を有し、フルオレンと硬化性基との間にリンカー（ｌｉｎｋｅｒ）による適切な距離が維持されることで、硬化性基の運動性を増加させたり硬化性基の周囲の立体障害を減少させることにより、硬化反応に役立つので、溶媒に対する耐性に優れ、効率および素子の特性に優れた有機発光素子を提供する。

本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、２つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。

本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

本明細書の一実施態様は、前記化学式１の化合物は、適当な有機溶媒に対して溶解性を有する化合物が好ましい。

また、本明細書の一実施態様に係る化合物の場合、溶液塗布法によって有機発光素子を製造できて素子の大面積化が可能である。

本明細書において、「熱または光によって架橋可能な官能基」とは、熱およびまたは光に曝露させることにより、化合物の間に架橋をさせる反応性置換基を意味することができる。架橋は、熱処理または光照射によって、炭素−炭素多重結合、環状構造が分解しながら生成されたラジカルが連結されて生成される。

以下、本明細書の置換基を詳細に説明する。

本明細書において、

は、他の置換基または結合部に結合する部位を意味する。

本明細書において、前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合した水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子の置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定せず、２以上置換される場合、２以上の置換基は、互いに同一または異なっていてもよい。

本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素；ハロゲン基；ニトリル基；シリル基；ホウ素基；アルキル基；シクロアルキル基；アルコキシ基；アルケニル基；アリール基；およびヘテロ環基からなる群より選択された１個以上の置換基で置換もしくは非置換であるか、前記例示された置換基のうち２以上の置換基が連結された置換もしくは非置換であることを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。

本明細書において、ハロゲン基は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、またはヨウ素（Ｉ）である。

本明細書において、シリル基は、−ＳｉＲ_ａＲ_ｂＲ_ｃの化学式で表されてもよく、前記Ｒ_ａ、Ｒ_ｂおよびＲ_ｃは、それぞれ水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、ホウ素基は、−ＢＲ_ｄＲ_ｅの化学式で表されてもよく、前記Ｒ_ｄおよびＲ_ｅは、それぞれ水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記ホウ素基は、具体的には、トリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、ｔ−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、フェニルホウ素基などがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜６０であってもよく、一実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜３０であってもよい。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜１０である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−メチル−ブチル基、１−エチル−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、ヘプチル基などがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜６０であってもよく、一実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜４０である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０である。前記シクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、３−メチルシクロペンチル基、２，３−ジメチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、２，３−ジメチルシクロヘキシル基、３，４，５−トリメチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖もしくは環鎖であってもよい。前記アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜２０であってもよい。前記アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ベンジルオキシ基、ｐ−メチルベンジルオキシ基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記アルケニル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、２〜３０であってもよく、一実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜２０であってもよい。前記アルケニル基の具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、アリル基、１−フェニルビニル−１−イル基、２−フェニルビニル−１−イル基、２，２−ジフェニルビニル−１−イル基、２−フェニル−２−（ナフチル−１−イル）ビニル−１−イル基、２，２−ビス（ジフェニル−１−イル）ビニル−１−イル基、スチルベニル基、スチレニル基などがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、アリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノアリールアミン基、置換もしくは非置換のジアリールアミン基、または置換もしくは非置換のトリアリールアミン基がある。前記アリールアミン基中のアリール基は、単環式アリール基であってもよく、多環式アリール基であってもよい。前記アリール基が２以上を含むアリールアミン基は、単環式アリール基、多環式アリール基、または単環式アリール基と多環式アリール基を同時に含んでもよい。例えば、前記アリールアミン基中のアリール基は、前述したアリール基の例示の中から選択されてもよい。アリールアミン基の具体例としては、フェニルアミン、ナフチルアミン、ビフェニルアミン、アントラセニルアミン、３−メチル−フェニルアミン、４−メチル−ナフチルアミン、２−メチル−ビフェニルアミン、９−メチル−アントラセニルアミン、ジフェニルアミン基、フェニルナフチルアミン基、ジトリルアミン基、フェニルトリルアミン基、カルバゾール、およびトリフェニルアミン基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記アリール基は特に限定されないが、炭素数６〜６０であってもよいし、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜３０である。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜２０である。前記アリール基が、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニル基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、フルオレニル基は置換されていてもよいし、置換基２個が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。

前記フルオレニル基が置換される場合、

などのスピロフルオレニル基、

（９，９−ジメチルフルオレニル基）、および

（９，９−ジフェニルフルオレニル基）などの置換されたフルオレニル基になってもよい。ただし、これに限定されるものではない。

本明細書において、ヘテロ環基は、異種原子としてＮ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｓｉ、およびＳｅのうちの１個以上を含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数２〜６０であってもよい。一実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は２〜３０である。もう一つの実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は２〜２０である。ヘテロ環基の例としては、ピリジル基、ピロール基、ピリミジル基、ピリダジニル基、フラニル基、チオフェニル基、イミダゾール基、ピラゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、トリアゾール基、オキサジアゾール基、チアジアゾール基、ジチアゾール基、テトラゾール基、ピラニル基、チオピラニル基、ピラジニル基、オキサジニル基、チアジニル基、ジオキシニル基、トリアジニル基、テトラジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、キノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ナフチリジニル基、アクリジル基、キサンテニル基、フェナントリジニル基、ジアザナフタレニル基、トリアザインデニル基、インドール基、インドリニル基、インドリジニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、ベンゾチアゾール基、ベンズオキサゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、ジベンゾカルバゾール基、インドロカルバゾール基、インデノカルバゾール基、フェナジニル基、イミダゾピリジン基、フェノキサジニル基、フェナントリジン基、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）基、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）基、イミダゾピリジン基、イミダゾフェナントリジン基、ベンゾイミダゾキナゾリン基、またはベンゾイミダゾフェナントリジン基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

本明細書において、ヘテロアリール基は、芳香族であることを除けば、前述したヘテロ環基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、前記アリーレン基は、２価の基であることを除けば、前述したアリール基に関する説明が適用される。

本明細書において、前記ヘテロアリーレン基は、２価の基であることを除けば、前述したヘテロアリール基に関する説明が適用される。

本発明の一実施態様において、前記Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；または置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の２価のアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；または置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基である。
もう一つの実施態様において、前記Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；または置換もしくは非置換の２価のビフェニル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；または２価のフェニル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ１１およびＬ１２は、直接結合である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ１１およびＬ１２は、２価のフェニル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の炭素数１〜６０の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のメチル基；置換もしくは非置換の２価のエチル基；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；置換もしくは非置換の２価のビフェニル基；置換もしくは非置換の２価のターフェニル基；置換もしくは非置換の２価のナフチル基；置換もしくは非置換の２価のフルオレニル基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾチオフェン基；または置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のメチル基；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；または置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；２価のメチル基；２価のフェニル基；または２価のカルバゾール基である。

本発明の一実施態様によれば、前記ｐ１およびｐ２は、それぞれ１〜４の整数である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｐ１およびｐ２は、３または４である。

本発明の一実施態様によれば、前記化学式１は、下記化学式２で表されてもよい。

前記化学式２において、
Ｒ１〜Ｒ８、ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ、Ｌ１１、Ｌ１２、ｑ、ｍ１およびｍ２は、前記化学式１で定義した通りであり、
Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の炭素数１〜６０の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のメチル基；置換もしくは非置換の２価のエチル基；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；置換もしくは非置換の２価のビフェニル基；置換もしくは非置換の２価のターフェニル基；置換もしくは非置換の２価のナフチル基；置換もしくは非置換の２価のフルオレニル基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾチオフェン基；または置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のメチル基；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；または置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；２価のメチル基；２価のフェニル基；または２価のカルバゾール基である。

本発明の一実施態様において、前記Ｌ３およびＬ１０は、直接結合であり、Ｌ４およびＬ９は、２価のカルバゾール基であり、Ｌ５およびＬ８は、２価のフェニル基であり、Ｌ６およびＬ７は、２価のメチル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ３、Ｌ５、Ｌ８およびＬ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の２価のフェニル基であり、Ｌ４およびＬ９は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基であり、Ｌ６およびＬ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の２価のメチル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ３、Ｌ５、Ｌ８およびＬ１０は、２価のフェニル基であり、Ｌ４およびＬ９は、２価のカルバゾール基であり、Ｌ６およびＬ７は、２価のメチル基である。

本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；またはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフェニル基；１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のビフェニル基；１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のナフチル基；１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフルオレニル基；または１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフェニル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のビフェニル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のナフチル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフルオレニル基；またはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のカルバゾール基である。

本発明の一実施態様によれば、前記ｑは、１または２である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌは、置換もしくは非置換の２価または３価のアリール基；置換もしくは非置換の２価または３価のヘテロアリール基；または置換もしくは非置換の２価または３価のアリールアミン基である。

本発明の一実施態様において、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の２価のアリール基；置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基；または置換もしくは非置換の２価のアリールアミン基である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様において、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の２価のフェニル基；置換もしくは非置換の２価のビフェニル基；または置換もしくは非置換の２価のフルオレニル基である。

もう一つの実施態様において、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、炭素数１〜１０のアルキル基で置換もしくは非置換の２価のフェニル基；炭素数１〜１０のアルキル基で置換もしくは非置換の２価のビフェニル基；または炭素数１〜１０のアルキル基で置換もしくは非置換の２価のフルオレニル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、メチル基またはヘキシル基で置換もしくは非置換の２価のフェニル基；メチル基またはヘキシル基で置換もしくは非置換の２価のビフェニル基；またはメチル基またはヘキシル基で置換もしくは非置換の２価のフルオレニル基である。

もう一つの実施態様において、前記ｑが１の場合、前記Ｌは、２価のフェニル基；２価の９，９−ジメチルフルオレニル基；または２価の９，９−ジヘキシルフルオレニル基である。

本発明の一実施態様において、前記ｑが２の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の３価のアリール基；置換もしくは非置換の３価のヘテロアリール基；または置換もしくは非置換の３価のアリールアミン基である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｑが２の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の３価のアリール基；または置換もしくは非置換の３価のアリールアミン基である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｑが２の場合、前記Ｌは、置換もしくは非置換の３価のフェニル基；または置換もしくは非置換の３価のトリフェニルアミン基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌは、下記構造のうちのいずれか１つであってもよい。

前記構造において、
Ｗ１およびＷ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
前記構造は、追加的に置換されていてもよい。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｗ１およびＷ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｗ１およびＷ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｗ１およびＷ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；置換もしくは非置換のペンチル基；または置換もしくは非置換のヘキシル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｗ１およびＷ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、メチル基；エチル基；プロピル基；ブチル基；ペンチル基；またはヘキシル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｗ１およびＷ２は、メチル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｗ１およびＷ２は、ヘキシル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記化学式１は、下記化学式３〜化学式６のうちのいずれか１つで表されてもよい。

前記化学式３〜６において、
Ｒ１〜Ｒ８、ｍ１、ｍ２、ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１１、Ｌ１２、ｐ１、ｐ２、Ａｒ１およびＡｒ２は、前記化学式１で定義した通りであり、
Ｌ１３は、直接結合；または置換もしくは非置換の２価のアリール基であり、
Ｌ２１は、直接結合；置換もしくは非置換の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基であり、
Ａｒ２１は、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；ニトリル基；シリル基；ホウ素基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ８１は、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
ｍ２１は、０〜１２の整数であり、
ｐ２１は、１〜４の整数であり、
ｎ５１は、０〜５の整数であり、
ｎ６１は、０〜４の整数であり、
ｎ７１は、０〜３の整数であり、
ｐ２１、ｎ５１、ｎ６１およびｎ７１がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｗ’およびＷ”は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｗ’およびＷ”は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｗ’およびＷ”は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；置換もしくは非置換のペンチル基；または置換もしくは非置換のヘキシル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｗ’およびＷ”は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、メチル基；エチル基；プロピル基；ブチル基；ペンチル基；またはヘキシル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｗ’およびＷ”は、メチル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｗ’およびＷ”は、ヘキシル基である。

本発明の一実施態様において、前記Ｌ１３は、直接結合；または置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の２価のアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１３は、直接結合；または置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ１３は、直接結合；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；または置換もしくは非置換の２価のビフェニル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ１３は、直接結合；または２価のフェニル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ２１は、直接結合；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ２１は、直接結合；置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０の２価のヘテロアリール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ２１は、直接結合；置換もしくは非置換の２価のメチル基；置換もしくは非置換の２価のエチル基；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；置換もしくは非置換の２価のビフェニル基；置換もしくは非置換の２価のターフェニル基；置換もしくは非置換の２価のナフチル基；置換もしくは非置換の２価のフルオレニル基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾチオフェン基；または置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ２１は、直接結合；置換もしくは非置換の２価のメチル基；置換もしくは非置換の２価のフェニル基；または置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｌ２１は、直接結合；２価のメチル基；２価のフェニル基；または２価のカルバゾール基である。

本発明の一実施態様によれば、前記ｐ２１は、１〜４の整数である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｐ２１は、３または４である。

本発明の一実施態様において、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様において、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様において、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；またはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロ環基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフェニル基；１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のビフェニル基；１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のナフチル基；１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフルオレニル基；または１〜２０のアルキル基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のカルバゾール基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ２１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフェニル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のビフェニル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のナフチル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のフルオレニル基；またはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、およびフェニル基からなる群より選択された１以上で置換もしくは非置換のカルバゾール基である。

本明細書の一実施態様において、前記ｍ１およびｍ２は、それぞれ０〜１２の整数である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｍ１およびｍ２は、それぞれ０〜６の整数である。

もう一つの実施態様において、前記ｍ１およびｍ２は、それぞれ１〜６の整数であり、前記ｍ１およびｍ２がそれぞれ１〜６の整数であることから、フルオレンと硬化基との間に適切な距離を維持することにより、硬化基の周辺の立体障害を減少させて硬化点を低下させる。

本発明の一実施態様によれば、前記ｍ１およびｍ２は、２または６である。

本発明の一実施態様において、前記ｍ２１は、０〜１２の整数である。

もう一つの実施態様によれば、前記ｍ２１は、０〜６の整数である。

本発明の一実施態様によれば、前記ｍ２１は、２または６である。

本発明の一実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアルコキシ基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のイソプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；または置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；メチル基；エチル基；プロピル基；イソプロピル基；ブチル基；またはｔｅｒｔ−ブチル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、水素である。

本発明の一実施態様において、前記Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアルコキシ基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のイソプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；または置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；メチル基；エチル基；プロピル基；イソプロピル基；ブチル基；またはｔｅｒｔ−ブチル基である。

もう一つの実施態様において、前記Ｒ５１、Ｒ６１およびＲ７１は、水素である。

本発明の一実施態様によれば、前記ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、ｎ５１、ｎ６１およびｎ７１は、それぞれ０または１である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｒ４およびＲ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ８１は、熱または光によって架橋可能な官能基である。

本発明の一実施態様において、前記熱または光によって架橋可能な官能基は、下記構造のうちのいずれか１つであってもよい。

前記構造において、
Ｘ１は、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記Ｘ１は、水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のイソプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基；置換もしくは非置換のペンチル基；または置換もしくは非置換のヘキシル基である。

もう一つの実施態様によれば、前記Ｘ１は、水素；メチル基；エチル基；プロピル基；イソプロピル基；ブチル基；ｔｅｒｔ−ブチル基；ペンチル基；またはヘキシル基である。

本発明の一実施態様によれば、前記化学式１は、下記の化合物１〜１２６のうちのいずれか１つで表されてもよい。

本発明の一実施態様に係る化合物は、後述する製造方法で製造される。
例えば、前記化学式１の化合物は、下記化学式１の一般的な製造方法に記載の方法で製造される。置換基は、当技術分野で知られている方法により結合可能であり、置換基の種類、位置または個数は、当技術分野で知られている技術により変更可能である。

＜化学式１の一般的な製造方法＞

本発明の一実施態様において、前述した化学式１の化合物を含むコーティング組成物を提供する。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、前記化学式１の化合物および溶媒を含む。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、分子内に熱または光によって架橋可能な官能基が導入された化合物および高分子化合物からなる群より選択される１種または２種の化合物をさらに含んでもよい。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、分子内に熱または光によって架橋可能な官能基が導入された化合物をさらに含んでもよい。前記コーティング組成物が分子内に熱または光によって架橋可能な官能基が導入された化合物をさらに含む場合には、コーティング組成物の硬化度をさらに高めることができる。

本発明の一実施態様において、分子内に熱または光によって架橋可能な官能基が導入された化合物の分子量は、１００ｇ／ｍｏｌ〜３，０００ｇ／ｍｏｌである。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、高分子化合物をさらに含んでもよい。前記コーティング組成物が高分子化合物をさらに含む場合には、コーティング組成物のインク特性を高めることができる。すなわち、前記高分子化合物をさらに含むコーティング組成物は、コーティングまたはインクジェットするのに適当な粘度を提供することができる。

本発明の一実施態様において、前記高分子化合物の分子量は、１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌである。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、液状であってもよい。前記「液状」は、常温および常圧で液体状態であることを意味する。

本発明の一実施態様において、前記溶媒は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン（Ｉｓｏｐｈｏｒｏｎｅ）、テトラロン（Ｔｅｔｒａｌｏｎｅ）、デカロン（Ｄｅｃａｌｏｎｅ）、アセチルアセトン（Ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ）などのケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオールなどの多価アルコールおよびその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノールなどのアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒；およびＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒；テトラリンなどの溶媒が例示されるが、本発明の一実施態様に係る化学式１の化合物を溶解または分散させられる溶媒であれば十分であり、これらを限定しない。

もう一つの実施態様において、前記溶媒は、１種単独で使用するか、または２種以上の溶媒を混合して使用することができる。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含まない。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含む。

本明細書において、前記ｐドーピング物質とは、ホスト物質をｐ半導体特性をもたせる物質を意味する。
ｐ半導体特性とは、ＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位で正孔の注入を受けたり輸送をする特性すなわち、正孔の伝導度が大きい物質の特性を意味する。

本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質は、下記化学式ＡまたはＢで表されてもよいが、これを限定しない。

本明細書において、前記ｐドーピング物質は、ｐ半導体特性をもたせる物質であれば十分であり、１種または２種以上を使用することができ、その種類を限定しない。

本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含有量は、前記化学式１の化合物を基準として０重量％〜５０重量％である。

本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含有量は、前記コーティング組成物の全体固形分含有量を基準として０〜３０重量％を含む。本明細書の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含有量は、前記コーティング組成物の全体固形分含有量を基準として１〜３０重量％を含むことが好ましく、もう一つの実施態様において、前記ｐドーピング物質の含有量は、前記コーティング組成物の全体固形分含有量を基準として１０〜３０重量％を含むことがさらに好ましい。

もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物の粘度は、２ｃＰ〜１５ｃＰである。
前記粘度を満足する場合、素子の製造に容易である。

本明細書はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子を提供する。

本発明の一実施態様において、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの１層以上は、前記コーティング組成物の硬化物を含み、前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理によって硬化した状態である。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、電子輸送層または電子注入層である。

さらに他の実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、発光層である。

もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記化学式１の化合物を発光層のホストとして含む。

もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記化学式１の化合物を発光層のドーパントとして含む。

本発明の一実施態様において、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される１層または２層以上をさらに含む。

本発明の一実施態様において、前記第１電極は、アノードであり、第２電極は、カソードである。

もう一つの実施態様によれば、前記第１電極は、カソードであり、第２電極は、アノードである。

もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、アノード、１層以上の有機物層、およびカソードが順次に積層された構造（ｎｏｒｍａｌ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、カソード、１層以上の有機物層、およびアノードが順次に積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

本発明の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。

例えば、本発明の一実施態様に係る有機発光素子の構造は、図１に例示されている。
図１には、基板１０１上に、アノード２０１、正孔注入層３０１、正孔輸送層４０１、発光層５０１、電子輸送層６０１、およびカソード７０１が順次に積層された有機発光素子の構造が例示されている。
前記図１は、有機発光素子を例示したものであり、これに限定されない。

前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質で形成される。

本発明の有機発光素子は、有機物層のうちの１層以上が前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物を用いて形成することを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造される。

例えば、本発明の有機発光素子は、基板上に、アノード、有機物層、およびカソードを順次積層させることにより製造することができる。この時、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させてアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を蒸着または溶液工程により形成した後、その上にカソードとして使用可能な物質を蒸着させることにより製造される。このような方法以外にも、基板上に、カソード物質から有機物層、アノード物質を順に蒸着させて有機発光素子を作ることができる。

本明細書はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。

具体的には、本発明の一実施態様において、製造方法は、基板を用意するステップと、前記基板上に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第２電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含む。

本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、スピンコーティング方法を利用する。

さらに他の実施態様において、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、印刷法を利用する。

本発明の態様において、前記印刷法は、例えば、インクジェットプリンティング、ノズルプリンティング、オフセットプリンティング、転写プリンティング、またはスクリーンプリンティングなどがあるが、これらに限定されない。

本発明の一実施態様に係るコーティング組成物は、構造的な特性から溶液工程が適合して印刷法によって形成できるので、素子の製造時に時間および費用的に経済的な効果がある。

本発明の一実施態様において、前記熱処理するステップは、熱処理により行われ、熱処理するステップにおける熱処理温度は、８０℃〜２５０℃であり、一実施態様によれば、前記熱処理するステップは、２つのステップを経て行われ、第１のステップとして８０℃〜２５０℃で熱処理を行った後、第２のステップとして１００℃〜２５０℃で熱処理が行われる。もう一つの実施態様によれば、前記第１のステップは、８０℃〜１５０℃で熱処理が行われ、第２のステップは、１２０℃〜２００℃で熱処理が行われてもよい。

もう一つの実施態様において、前記熱処理するステップにおける熱処理時間は、１分〜２時間であり、一実施態様によれば、１分〜１時間であってもよいし、もう一つの実施態様において、３０分〜１時間であってもよい。

もう一つの実施態様によれば、前記熱処理するステップは、空気中または窒素雰囲気下で行われる。

前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層を形成するステップにおいて、前記熱処理または光処理ステップを含む場合には、コーティング組成物に含まれた複数の前記化合物が架橋を形成して薄膜化された構造が含まれた有機物層を提供することができる。この場合、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層の表面上に他の層を積層する時、溶媒によって溶解したり、形態学的に影響を受けたり分解するのを防止することができる。

したがって、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層が熱処理または光処理ステップを含んで形成された場合には、溶媒に対する抵抗性が増加して溶液蒸着および架橋方法を繰り返し行って多層を形成することができ、安定性が増加して素子の寿命特性を増加させることができる。

前記アノード物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能なアノード物質の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ_２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記カソード物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。カソード物質の具体例としては、バリウム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属、またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ_２／Ａｌのような多層構造の物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、アノードからの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）がアノード物質の仕事関数と周辺の有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層で、正孔輸送物質としては、アノードや正孔注入層から正孔輸送を受けて発光層に移し得る物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔および電子の輸送をそれぞれ受けて結合させることにより可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾール、およびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。

ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換もしくは非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがあり、スチリルアミン化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物で、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミノ基からなる群より１または２以上選択される置換基が置換もしくは非置換である。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されない。

前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層で、電子輸送物質としては、カソードから電子注入をきちんと受けて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ_３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により使用されているような、任意の所望するカソード物質とともに使用可能である。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。

前記電子注入層は、電極から電子を注入する層で、電子を輸送する能力を有し、カソードからの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物および含窒素５員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。

前記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（２−ナフトラート）ガリウムなどがあるが、これらに限定されない。

前記正孔阻止層は、正孔のカソード到達を阻止する層で、一般的に、正孔注入層と同一の条件で形成される。具体的には、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ＢＣＰ、アルミニウム錯体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ）などがあるが、これらに限定されない。

本発明に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。

以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下に述べる実施例に限定されると解釈されない。本発明の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

＜製造例＞
製造例１．化合物１の製造
１）中間体１の製造

１−１（１ｅｑ．）をテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］／エタノール混合物（ｍｉｘｔｕｒｅ）（２：１）に溶かした後、０℃以下でＮａＢＨ_４（１ｅｑ．）を共に撹拌させる。０℃でＮＨ_４Ｃｌでクエンチング（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）させた後、ブライン（ｂｒｉｎｅ）／ＥＡ（エチルアセテート）でワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）した。精製はエタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）を用いて温度差再結晶をし、白色パウダー（１−２）を得た。０℃で０．１Ｍのジクロロメタン（ＤＣＭ）を入れて、ＴＩＰＳ−ＯＴｆ（１．２ｅｑ．）を入れる。２，６−ルチジン（２，６−ｌｕｔｉｄｉｎｅ）（２ｅｑ．）を入れた後、１−２（１ｅｑ．）を入れて、０℃で１５分程度撹拌させた後、常温に上げる。ジクロロメタン（ＤＣＭ）／Ｈ_２Ｏでワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）する。精製はカラム（ｃｏｌｕｍｎ）を用いて分離し、ヘキサン／ＤＣＭ（２０：１）混合溶液を用いて１−３を得た。１−３（１ｅｑ．）、ＫＯＡｃ（６ｅｑ．）、（ＢＰｉｎ）_２（２ｅｑ．）を入れてジオキサン（ｄｉｏｘａｎｅ）を入れる。８０℃に維持させた後、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）（０．０６ｅｑ．）を入れて、Ｎ_２雰囲気で一晩還流（ｏｖｅｒｎｉｇｈｔ ｒｅｆｌｕｘ）させた。エチルアセテート（ＥＡ）／Ｈ_２Ｏでワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）し、酸性白土とＭｇＳＯ_４を入れて３０分程度撹拌させた後、セライト／シリカパッド（ｃｅｌｉｔｅ／ｓｉｌｃａ ｐａｄ）を通過させた。精製はカラム（ｃｏｌｕｍｎ）を用いて分離し、この時、溶離液（ｅｌｕｅｎｔ）はＥＡ／ヘキサン（１：５０）混合溶液を用いて、中間体１を４．２ｇ得た。

２）中間体２の製造

常温で２−１（１ｅｑ．）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に溶かした後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ、１ｅｑ．）を入れて共に撹拌させる。２時間後に反応が完了すると、エタノールを注いで沈殿させて、中間体２を得る。（収率：９０％）

３）中間体３の製造

２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−オール（３−２）［２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｌ（３−２）］の合成：２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン−９−オン（１）［２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｎｅ（１）］（５ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かした溶液の入ったフラスコを氷水浴［ｂａｔｈ］に入れた。フェニルマグネシウムブロミド（Ｐｈｅｎｙｌｍａｇｎｅｓｉｕｍｂｒｏｍｉｄｅ）（３Ｍ ｉｎ ＴＨＦ、９．６５ｍｌ、２９．０ｍｍｏｌ）を入れて、０℃で２０分間撹拌させた。ＮＨ_４Ｃｌ（ａｑ）で反応を中心させ、ジエチルエーテル［ｄｉｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ（Ｅｔ_２Ｏ）］で抽出した。ＭｇＳＯ_４を用いて有機層を乾燥させ、真空回転濃縮機を用いて有機溶媒を除去した。残留物をカラム精製して、中間体３−２を６．５ｇ（ｑｕａｎｔｉｔｉｖｅ ｙｉｅｌｄ）得た。

２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン（３）［２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ（３）］の合成：２（３．６ｇ、１０．６ｍｍｏｌ）をジクロロメタン［ＤＣＭ］に溶かした後、トリエチルシラン［ｔｒｉｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ］（２．６ｍｌ、１６．１ｍｍｏｌ）とトリフルオロ酢酸［ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ］１．３ｍｌを入れて、室温で一晩撹拌した。薄層の確認により２が無くなることを確認し、シリカゲル［ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ］を入れて、真空回転濃縮機で有機溶媒を除去した。生成物の吸着したシリカゲル［ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ］をもってカラム精製して、中間体３を３．２６ｇ（収率９５％）得た。

４）中間体４の合成

４−（（６−ブロモヘキシル）オキシ）ベンズアルデヒド（４）［４−（（６−ｂｒｏｍｏｈｅｘｙｌ）ｏｘｙ）ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ（４）］の合成：４−ヒドロキシベンズアルデヒド［４−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（６．１ｇ、５０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム［ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ］（１０ｇ、７５ｍｍｏｌ）、そして１，６−ジブロモヘキサン［１，６−ｄｉｂｒｏｍｏｈｅｘａｎｅ］（１５ｍｌ、１００ｍｍｏｌ）をアセトン［ａｃｅｔｏｎｅ］に溶かした後、３時間還流［ｒｅｆｌｕｘ］した。反応物をろ過［ｆｉｌｔｅｒ］した後、真空回転濃縮機で有機溶媒を除去した。カラム精製で中間体４を９．９ｇ（収率６９％）得た。

５）中間体５および６の合成

４−（（６−（２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ヘキシル）オキシ）ベンズアルデヒド（５）［４−（（６−（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｈｅｘｙｌ）ｏｘｙ）ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ（５）］の合成：中間体３（３．７ｇ、１１．５ｍｍｏｌ）と中間体４（３ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）を、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）２０ｍｌに５０℃のオイルバス［ｏｉｌ ｂａｔｈ］で溶かした。５０ｗｔ％ＮａＯＨ（ａｑ）０．５ｍｌを入れて一晩撹拌した後、再度５０ｗｔ％ＮａＯＨ（ａｑ）０．５ｍｌを入れて２時間さらに撹拌した。水４００ｍｌに反応物を入れて沈殿させた後、ろ過［ｆｉｌｔｅｒ］した。ろ過［Ｆｉｌｔｅｒ］で得られた固体を再度エタノール１００ｍｌに入れて１０分程度撹拌させた後、再度ろ過［ｆｉｌｔｅｒ］した。フィルタケーキ［Ｆｉｌｔｅｒ ｃａｋｅ］を真空オーブンで乾燥させて、中間体５を４．４８ｇ（収率８１％）得た。

２−ブロモ−９−フェニル−９−（６−（４−ビニルフェノキシ）ヘキシル）−９Ｈ−フルオレン（６）［２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９−（６−（４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｘｙ）ｈｅｘｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ（６）］の合成：メチルホスホニウムブロミド［Ｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍｂｒｏｍｉｄｅ］（５．１ｇ、１４．３ｍｍｏｌ）の入ったフラスコを、氷水に浸漬した後、無水テトラヒドロフラン［ＴＨＦ］１００ｍｌを入れた。ＫＯｔＢｕ（１．６ｇ、１４．３ｍｍｏｌ）を入れて３０分間撹拌した。４−（（６−（２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ヘキシル）オキシ）ベンズアルデヒド［４−（（６−（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｈｅｘｙｌ）ｏｘｙ）ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（３ｇ、５．７ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦに溶かして、反応フラスコに入れてさらに１時間撹拌させた。水を入れて反応を中止させ、ジクロロメタン［ＤＣＭ］で抽出した。ＭｇＳＯ_４で有機溶媒を乾燥させてろ過した後、真空回転濃縮機で有機溶媒を除去した。残留物をカラム精製して、中間体６を２．６３ｇ（収率８８％）得た。

６）化合物１の製造
（１）化合物１−１の製造

中間体１（１．１ｅｑ．）、中間体２（１ｅｑ．）、Ｋ_２ＣＯ_３（３ｅｑ．）を丸いフラスコに入れて、脱ガス［ｄｅｇａｓｓｉｎｇ］したＴＨＦ／Ｈ_２Ｏを入れる。８０℃に維持させた後、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．１ｅｑ．）を入れて、Ｎ_２雰囲気で一晩還流［ｏｖｅｒｎｉｇｈｔ ｒｅｆｌｕｘ］させた。ＥＡ／Ｈ_２Ｏでワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）し、酸性白土とＭｇＳＯ_４を入れて３０分程度撹拌させた後、セライト／シリカパッド（ｃｅｌｉｔｅ／ｓｉｌｃａ ｐａｄ）を通過させた。精製はカラム［ｃｏｌｕｍｎ］を用いて分離し、この時、溶離液［ｅｌｕｅｎｔ］はエチルアセテート［ＥＡ］／Ｈｅｘａｎｅ（１：２０）混合溶液を使用した。化合物１−１を１．０５ｇ得た。

（２）化合物１の製造

化合物１−１（１ｅｑ．）、中間体６（１．１ｅｑ）、ＮａＯ^ｔＢｕ（３ｅｑ．）を丸いフラスコに入れて、トルエンに溶かす。９０℃に維持させた後、Ｐｄ（ＰｔＢｕ_３）_２（０．２ｅｑ．）を入れて、Ｎ_２雰囲気で還流させた。５時間後、反応が終結し、ＤＣＭ／Ｈ_２Ｏでワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）し、酸性白土とＭｇＳＯ_４を入れて３０分程度撹拌させた後、セライト／シリカパッド［ｃｅｌｉｔｅ／ｓｉｌｃａ ｐａｄ］を通過させて、化合物１−２を得る。化合物１−２をＴＨＦ５ｍＬに溶かした後、テトラブチルアンモニウムフッ化物［ＴＢＡＦ］１ｍＬをゆっくり滴下させる。ＥＡ／ヘキサン（Ｈｅｘａｎｅ）（１：３）混合溶液を用いてフラッシュ（ｆｌａｓｈ）カラムで精製して、化合物１−３を得た。（２．３ｇ）

化合物１−３を無水ジメチルホルムアミド［ＤＭＦ］に溶かす。ＮａＨを先に入れて撹拌させた後、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン［１，４−ｂｉｓ（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ］（１ｅｑ．）を入れた。常温で撹拌させ、薄膜クロマトグラフィーモニタリング（ＴＬＣ ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ）により単量体と二量体で反応が進行することを確認した。反応終結後、Ｈ_２Ｏを注いだ後、沈殿物をフィルタした。水［Ｈ_２Ｏ］とエタノールで十分にウォッシング（ｗａｓｈｉｎｇ）した後、追加的にカラム精製を進行させた。溶離液［Ｅｌｕｅｎｔ］はＤＣＭ／Ｈｅｘ（１：１）混合溶液でメジャー（ｍａｊｏｒ）基準の上の地点［ｓｐｏｔｓ］を除去した後、ＤＣＭで流して化合物１を分離した。最終物質は分子量が２０２０．６３で純度９８％を得て、０．６ｇを得た。

前記化合物１のＭＳグラフを下記図２に示し、ＤＳＣ（示差走査熱量計）測定グラフを下記図３に示した。

製造例２．比較化合物２
（１）化合物２−２の製造

化合物１−１（１ｅｑ．）、中間体３（１．１ｅｑ）、ＮａＯ^ｔＢｕ（３ｅｑ．）を丸いフラスコに入れて、トルエンに溶かす。９０℃に維持させた後、Ｐｄ（ＰｔＢｕ_３）_２（０．２ｅｑ．）を入れて、Ｎ_２雰囲気で還流［ｒｅｆｌｕｘ］させた。５時間後、反応が終結し、ＤＣＭ／Ｈ_２Ｏでワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）し、酸性白土とＭｇＳＯ_４を入れて３０分程度撹拌させた後、セライト／シリカパッド［ｃｅｌｉｔｅ／ｓｉｌｃａ ｐａｄ］を通過させて、化合物２−１を得る。化合物２−１をＴＨＦ５ｍＬに溶かした後、ＴＢＡＦ（テトラブチルアンモニウムフッ化物）１ｍＬをゆっくり滴下させる。ＥＡ／ヘキサン（Ｈｅｘａｎｅ）（１：３）混合溶液を用いてフラッシュ（ｆｌａｓｈ）カラムで精製して、化合物２−２を得た。（２．６ｇ）

（２）比較化合物２の製造

化合物２−２を無水ＤＭＦに溶かす。ＮａＨを先に入れて撹拌をさせた後、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン［１，４−ｂｉｓ（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ］（１ｅｑ．）を入れる。常温で撹拌をさせ、ＴＬＣモニタリングにより単量体と二量体で反応が進行することを確認した。反応終結後、Ｈ_２Ｏを注いだ後、沈殿物をろ過した。Ｈ_２Ｏとエタノールで十分に洗浄した後、追加的にカラム精製を進行させた。溶離液［Ｅｌｕｅｎｔ］はＤＣＭ／Ｈｅｘ（１：１）混合溶液でメジャー（ｍａｊｏｒ）基準の上の地点（ｓｐｏｔｓ）を除去した後、ＤＣＭで流して比較化合物２を分離した（０．５ｇ、定量的収率）

製造例３．比較化合物３
（１）中間体１４の合成

４−（２−ブロモ−９−ヒドロキシ−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンズアルデヒド（１２）［４−（２−ブロモ−９−ヒドロキシ−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンズアルデヒド（１２）］の合成：１−ブロモ−４−（ジエトキシメチル）ベンゼン（１３．２ｍｌ、６４．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン［ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎ］に溶かして、−７８℃に下げた。ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ、２４ｍｌ、６０ｍｍｏｌ）を入れて、３０分間、−７８℃で撹拌した。２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン−９−オン［２−Ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｎｅ］（１０ｇ、３８．６ｍｍｏｌ）を一度に入れて一晩撹拌した。１Ｎ ＨＣｌ（ａｑ）で反応を終結させた後、エチルアセテート［ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ］で抽出した。集めた有機溶液をＭｇＳＯ_４（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）を用いて乾燥させ、ろ過した後、有機溶媒を真空回転濃縮機で除去した。残留物をカラム精製した後、再結晶（ｔｏｌｕｅｎｅ／ｈｅｘａｎｅ）して、中間体１２を１３ｇ（収率５５％）得た。

４−（２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンズアルデヒド（１３）［４−（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ（１３）］の合成：１２（４．５ｇ、１２．３ｍｍｏｌ）に１４０ｍｌのベンゼン［ｂｅｎｚｅｎｅ］を入れて、メタンスルホン酸［ｍｅｔｈａｎ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（４００μｌ、６．１６ｍｍｏｌ）を入れた後、ｄｅａｎ−ｓｔａｒｋ装置を用いて還流した。飽和ＮａＨＣＯ_３（ａｑ）で酸を中和させた後、カラム精製して、中間体１３を２．７３ｇ（収率５２％）得た。

２−ブロモ−９−フェニル−９−（４−ビニルフェニル）−９Ｈ−フルオレン（１４）［２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９−（４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ（１４）］の合成：（２．９ｇ、６．８２ｍｍｏｌ）とＣＨ_３ＢｒＰＰｈ_３（４．８９ｇ、１３．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦに入れて、カリウムｔ−ブトキシド［ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（１．５５３ｇ、１３．７ｍｍｏｌ）を、０℃で入れて１時間撹拌させた。水で反応を中断させ、エチルアセテート［ＥＡ］で抽出した。集めた有機溶液にＭｇＳＯ_４（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）を入れて乾燥させ、ろ過した後、有機溶媒を真空回転濃縮機で除去した。残留物をカラム精製して、中間体１４を２．８ｇ（収率９７％）得た。

（２）比較化合物３の合成

比較化合物３の合成：中間体１４（１．５８ｇ、３．７４ｍｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］（５７２ｍｇ、１．７ｍｍｏｌ）、そしてナトリウムｔ−ブトキシド［ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（９８０ｍｇ、１０．２ｍｍｏｌ）の入ったフラスコに、トルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］を入れて、窒素でバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）した。反応物の入ったフラスコを９０℃のオイルバス［ｏｉｌ ｂａｔｈ］に浸漬した後、Ｐｄ（ＰｔＢｕ_３）_２（４３ｍｇ、０．０８５ｍｍｏｌ）を入れて２４時間撹拌した。水を入れて反応を中止させ、ジクロロメタン［ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ（ＤＣＭ）］で抽出した後、ＭｇＳＯ_４で有機層を乾燥した。有機溶媒を真空回転濃縮機を用いて除去した後、残留物をカラム精製して、比較化合物３を９５０ｍｇ（収率５５％）得た。
比較化合物３のＮＭＲ測定値：^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ７．７１（ｄ，２Ｈ），７．６５（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｄ，４Ｈ），７．３５（ｄ，４Ｈ），７．２７−７．２０（ｍ，１８Ｈ），７．１７−７．１３（ｍ，４Ｈ），７．１１−７．０６（ｍ，１４Ｈ），７．０３（ｔ，２Ｈ），６．７０−６．６４（ｄｄ，２Ｈ），５．６９（ｄ，２Ｈ），５．１９（ｄ，２Ｈ）

＜実験例＞
実験例１．膜保持率実験
（１）膜の製造
実施例１−１
前記化合物１ ２０ｍｇをシクロヘキサノン（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）１ｍｌに溶解させた。得られた溶液をガラス基板上に１２００ｒｐｍで１分間スピンコーティングし、窒素雰囲気下、８０℃で２分、２００℃で３０分間熱処理した後、常温で冷やして薄膜を製造した。

比較例１−１
前記実施例１−１における化合物１の代わりに下記の比較化合物２を用いたことを除けば、前記実施例１−１と同様に薄膜を製造した。

比較例１−２
前記実施例１−１における化合物１の代わりに下記の比較化合物３を用いて、薄膜を製造した。

（２）膜保持率の測定
前記実施例１−１および比較例１−１〜１−２で作製した薄膜の膜保持率を測定した。前記膜保持率は何らかの処理なしに薄膜のＵＶスペクトルを測定し、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）に１０分間浸漬した後、ＵＶスペクトルを測定して、λｍａｘ値を比較して測定した。下記表１に実施例１−１および比較例１−１〜１−２の膜保持率の測定値を記載し、下記の図４は実施例１−１の、図５は比較例１−１、図６は比較例１−２のトルエンに浸漬する前／後のＵＶスペクトルの測定グラフを示した。図４〜６にて、縦軸はｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ（ＯＤ）を意味する。膜保持率を下記の式で計算した。
膜保持率（％）＝トルエンに浸漬した後のλｍａｘ値／トルエンに浸漬する前のλｍａｘ値×１００

溶液工程における正孔輸送層の材料は、発光素子の作製においてそれぞれ隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、前記溶媒に前記材料が溶解するのを回避するための設計が必要である。このためには、正孔輸送層の材料が架橋基を有することが好ましく、正孔輸送層の熱処理温度範囲（８０〜２２０℃の工程温度）で架橋されて不溶化されることが好ましい。前記表１で、実施例１−１の場合、架橋基を有しない比較例１−１と比較して、２００℃で十分に架橋されて膜を保持することが分かる。フルオレン（Ｆｌｕｏｒｅｎｅ）に直接付いた硬化基を有する比較化合物３の場合、薄膜保持がされなかったものの（図６、薄膜保持率１２％（トルエン）、３％（シクロヘキサノン））、フルオレン単量体（フルオレン基）と硬化基との間に適切なスペースを置いた化合物１の場合、溶媒に優れた耐性を有した（図４、薄膜保持率９９％（トルエン、シクロヘキサノン））。硬化基の周辺の立体障害を低減し、硬化基自体の運動性を増加させることが、硬化反応に役立つことが分かる。

実験例２．有機発光素子の製造
実施例２−１．
ＩＴＯが１，５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタで２次濾過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。
このように用意されたＩＴＯ透明電極上に、ＶＮＰＢとｐ−ｄｏｐａｎｔ（下記化学式６）との比率を重量比０．８：０．２で混合した組成物をスピンコーティングし、窒素雰囲気下、ホットプレートで２２０℃、３０分の条件で硬化させて４００Åの厚さの正孔注入層を形成した。
このように形成した正孔注入層上に、前記化合物１をトルエンに溶かした溶液をスピンコーティングし、ホットプレートで２００℃、３０分の条件で硬化させて２００Åの厚さの正孔輸送層を形成した。
このように形成した正孔輸送層上に、下記の化合物Ｃをトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）に溶かしてスピンコーティングし、１８０℃で３０分熱処理して５５０Åの厚さの発光層を形成した。
これを真空蒸着装置内に導入し、ベース圧力が２×１０^−５Ｐａ以下になった時、ＬｉＦ（１０Å）、Ａｌ（１，０００Å）を順次蒸着して、有機発光素子を製造した。前記過程で、ＬｉＦの蒸着速度は０．０１〜０．０５ｎｍ／ｓ、ＬｉＦ以外の物質の蒸着速度は０．１〜０．５ｎｍ／ｓを維持した。

比較例２−１
前記実施例２−１における化合物１の代わりに下記の比較化合物２を用いたことを除けば、前記実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

比較例２−２
前記実施例２−１における化合物２の代わりに下記の比較化合物３を用いたことを除いて、前記実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

前記実施例２−１および比較例２−１、２−２で製造した有機発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で駆動電圧と発光効率を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で初期輝度対比９５％になる時間Ｔ（９５）を測定した。その結果を下記表２に示した。

前記表２に記載されているように、本願の実施例２−１で製造された有機発光素子が、比較例２−１〜２−２で製造された有機発光素子に比べて駆動電圧が低く、効率、輝度に優れているだけでなく、前記表１から確認したように、比較例２−１および２−２は膜保持率が非常に低いので、初期輝度の測定後、Ｔ９５を測定するまで膜が保持されないことを確認することができる。

１０１：基板
２０１：アノード
３０１：正孔注入層
４０１：正孔輸送層
５０１：発光層
６０１：電子輸送層
７０１：カソード

Claims (10)

1. 下記化学式１で表される化合物：
   

   

   前記化学式１において、
   Ｒ１〜Ｒ３およびＲ５〜Ｒ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；ニトリル基；シリル基；ホウ素基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
   Ｒ４およびＲ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
   Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
   Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基であり、
   Ｌ１１およびＬ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；または置換もしくは非置換の２価のアリール基であり、
   Ｌは、置換もしくは非置換の２価または３価のアリール基；置換もしくは非置換の２価または３価のヘテロアリール基；または置換もしくは非置換の２価または３価のアリールアミン基であり、
   ｍ１およびｍ２は、それぞれ６〜１２の整数であり、
   ｎ１およびｎ５は、それぞれ０〜５の整数であり、
   ｎ２およびｎ６は、それぞれ０〜４の整数であり、
   ｎ３およびｎ７は、それぞれ０〜３の整数であり、
   ｐ１およびｐ２は、それぞれ１〜４の整数であり、
   ｑは、１または２であり、
   ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、ｐ１およびｐ２がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
   ｑが２の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
   前記熱または光によって架橋可能な官能基は、下記構造のうちのいずれか１つである：
   

   

   前記構造において、
   Ｘ１は、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基である。
2. 前記化学式１は、下記化学式２で表されるものである、請求項１に記載の化合物：
   

   

   前記化学式２において、
   Ｒ１〜Ｒ８、ｎ１〜ｎ３、ｎ５〜ｎ７、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ、Ｌ１１、Ｌ１２、ｑ、ｍ１およびｍ２は、前記化学式１で定義した通りであり、
   Ｌ３〜Ｌ１０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換の２価のアルキル基；置換もしくは非置換の２価のアリール基；または置換もしくは非置換の２価のヘテロアリール基である（但し、Ｌ３〜Ｌ６のうち少なくとも１つは直接結合ではなく、Ｌ７〜Ｌ１０のうち少なくとも１つは直接結合ではない）。
3. 前記化学式１で表される化合物は、下記の化合物１〜１２６の中から選択されるいずれか１つである、請求項１に記載の化合物：
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物を含むコーティング組成物。
5. 前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含むものである、請求項４に記載のコーティング組成物。
6. 第１電極と、
   第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、
   前記有機物層のうちの１層以上は、請求項４又は５に記載のコーティング組成物の硬化物を含み、
   前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理によって硬化した状態である有機発光素子。
7. 前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項６に記載の有機発光素子。
8. 基板を用意するステップと、
   前記基板上に第１電極を形成するステップと、
   前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、
   前記有機物層上に第２電極を形成するステップとを含み、
   前記有機物層を形成するステップは、請求項４又は５に記載のコーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法。
9. 前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、スピンコーティング方法を利用するものである、請求項８に記載の有機発光素子の製造方法。
10. 前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、
    前記第１電極上に前記コーティング組成物をコーティングするステップと、
    前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップとを含むものである、請求項８又は９に記載の有機発光素子の製造方法。

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