JP6782642B2 - 気体センサ及び水素濃度判定方法 - Google Patents
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Description
[1.気体検出素子の構成]
図1Aは、参考形態に係る気体検出素子100の一構成例を示す断面図である。
次に、図2A〜図2Gを参照しながら、気体検出素子100の製造方法の一例について説明する。
電圧印加に応じた気体検出素子100の抵抗変化特性の一例について説明する。なお、水素含有ガスに応じた気体検出素子100の抵抗変化特性については、後述する。
図4は、参考形態の変形例に係る気体検出素子の構成を模式的に示す断面図である。以下、参考形態の気体検出素子100と異なる点についてのみ説明する。
水素含有ガスに応じた気体検出素子200の抵抗変化特性の一例について説明する。ここでは、気体検出素子200のサンプルを用いて抵抗値の変化が測定された。
第1の実施形態に係る気体センサについて説明する。第1の実施形態の説明のうち、参考形態の説明と重複するものについては、説明が省略される場合がある。
図6は、第1の実施形態に係る気体センサ1000の一構成例を示す断面図である。気体センサ1000は、複数の気体検出素子200を検出セルとして備える。複数の気体検出素子200のそれぞれは、例えば、参考形態で説明された気体検出素子200と同様の構造を有する。図6に示される気体センサ1000には、5個の気体検出素子200が配列されている。5個の気体検出素子200の第2の電極106の膜厚は、互いに異なっている。
気体センサ1000の製造方法として、基本的には、図2Aから図2Gを参照しながら説明された製造方法と同じ製造方法が用いられうる。ただし、気体センサ1000の製造方法では、第2の電極106の膜厚を気体検出素子200ごとに異ならせるために、複数回のエッチング工程が追加される。
水素含有ガスに対する気体検出素子の検出感度と、第2の電極の膜厚との関係について説明する。なお、以下では、説明の簡便のため、気体センサ2000を構成する検出セルのそれぞれが、図1Aに示される構造を有する場合、すなわち、各検出セルが単層の抵抗膜104を有する場合について説明される。なお、以下の説明は、気体センサ2000が図6に示される構造を有する場合、すなわち、各検出セルが積層体の抵抗膜204を有する場合についても同様に成り立つ。
図10Aは、図6に示される気体センサ1000に含まれる複数の検出セル(すなわち気体検出素子100)を参照符号A〜Eで示す。図10Bは、図10Aに示される検出セルA〜Eにおける第2の電極106の膜厚と、水素含有ガスを導入してから1秒後に抵抗変化が1桁程度低下するために必要な水素濃度とを示す。
第2の実施形態に係る気体センサについて説明する。第2の実施形態の説明のうち、参考形態及び/又は第1の実施形態と共通する事項については説明が省略される場合がある。
図12は、第2の実施形態に係る気体センサ2000の一構成例を示す断面図である。気体センサ2000は、複数の気体検出素子200を検出セルとして備える。複数の気体検出素子200のそれぞれは、例えば、参考形態で説明された気体検出素子200と同様の構造を有する。図12に示される気体センサ2000には、5個の気体検出素子200が配列されている。5個の気体検出素子200の局所領域105の径は、互いに異なっている。
気体センサ2000の製造方法として、基本的には、図2Aから図2Gを参照しながら説明された製造方法と同じ製造方法が用いられうる。ただし、気体センサ2000の製造方法では、局所領域105の径を気体検出素子200ごとに異ならせるために、気体検出素子200ごとに異なる初期ブレイク電圧が印加される。
水素含有ガスに対する気体検出素子の検出感度と、局所領域の径との関係について説明する。なお、以下では、説明の簡便のため、気体センサ1000を構成する検出セルのそれぞれが、図1Aに示される構造を有する場合、すなわち、各検出セルが単層の抵抗膜104を有する場合について説明される。なお、以下の説明は、気体センサ1000が図6に示される構造を有する場合、すなわち、各検出セルが積層体の抵抗膜204を有する場合についても同様に成り立つ。
気体センサ2000は、水素含有ガスの水素濃度を判定することができる。
開示される1つの態様に係る気体センサは、気体検出感度が互いに異なる複数の気体検出素子を備え、前記複数の気体検出素子の各々は、主面同士が対向して配置された第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極の前記主面と前記第2の電極の前記主面とに接して配置された金属酸化物層と、前記第1の電極、前記第2の電極及び前記金属酸化物層を覆う絶縁膜と、を有し、前記第2の電極の前記主面に対向する他面の少なくとも一部は前記絶縁膜に覆われることなく露出しており、前記金属酸化物層の内部に、前記第2の電極と接しかつ前記金属酸化物層に比べて酸素不足度が大きい局所領域を有し、前記複数の気体検出素子の各々は、前記第2の電極が水素原子を有する気体分子を含む気体に接すると前記金属酸化物層の抵抗値が低下する特性を有するものである。
素子を用いた気体センサを水素含有ガスに暴露し、暴露開始から所定時間経過時に、前記複数の気体検出素子の抵抗値を測定することで前記水素含有ガスの水素濃度範囲を判定するものである。
101 基板
102 絶縁膜
103 第1の電極
104、204 抵抗膜
105 局所領域
106 第2の電極
107 絶縁膜
107a 開口
107b ビアホール
108 ビア
108’ 導体膜
109 配線
110 酸素欠陥
204a 第1の金属酸化物層
204b 第2の金属酸化物層
300、310、311、312、313、314 マスク
900 評価システム
910 密閉容器
911 水素ボンベ
912 窒素ボンベ
913、914 導入弁
915 排気弁
920 電源回路
930、931、932、933、934、935 電流測定器
1000、1001、1002、2000 気体センサ
Claims (19)
- 絶縁層に覆われた複数の検出セルを備え、
前記複数の検出セルのそれぞれは、
第1の電極と、
前記絶縁層から露出した露出面を有する第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極の間に配置され、バルク領域と、前記バルク領域に囲まれ、かつ、前記バルク領域よりも大きい酸素不足度を有する局所領域とを含む金属酸化物層とを備え、
前記金属酸化物層の抵抗値は、水素原子を含有する気体が前記第2の電極に接したときに、所定の応答時間で低下し、
前記所定の応答時間は、前記複数の検出セル毎に異なる、
気体センサ。 - 前記第2の電極の膜厚は、前記複数の検出セル毎に異なる、
請求項1に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのうち、最大の膜厚を有する前記第2の電極の前記膜厚は、最小の膜厚を有する前記第2の電極の前記膜厚の1.5倍以上である、
請求項2に記載の気体センサ。 - 前記局所領域の径は、前記複数の検出セル毎に異なる、
請求項1に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記局所領域は、前記第2の電極を挟んで前記露出面と対向する、
請求項1から4のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記金属酸化物層は、第1の電極に接し、前記バルク領域よりも大きい酸素不足度を有する第1の金属酸化物層と、第2の電極に接し、かつ、前記バルク領域を含む第2の金属酸化物層とを備え、
前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記局所領域は、前記第2の電極に接し、かつ、前記第2の金属酸化物層を貫通する、
請求項1から5のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記第2の電極は、前記気体に含まれる分子から前記水素原子を解離させる、
請求項1から6のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記第2の電極は、白金又はパラジウムを含有する、
請求項1から7のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記金属酸化物層の抵抗値は、前記第1の電極及び前記第2の電極の間に印加される電圧に基づいて、可逆的に遷移する、
請求項1から8のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれの前記第1の電極及び前記第2の電極の間の抵抗値を測定する測定回路をさらに備える、
請求項1から9のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて測定された前記抵抗値に基づいて、前記気体における水素濃度を判定する判定回路をさらに備える、
請求項10に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれの前記第1の電極及び前記第2の電極の間に電圧を印加する電源回路をさらに備える、
請求項1から11のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記電源回路は、前記複数の検出セルのそれぞれの前記第1の電極及び前記第2の電極の間に前記電圧を常時印加する、
請求項12に記載の気体センサ。 - 前記電源回路は、前記電圧の印加によって前記局所領域を発熱させる、
請求項12又は13に記載の気体センサ。 - 前記複数の検出セルのそれぞれにおいて、前記金属酸化物層は、遷移金属酸化物及びアルミニウム酸化物の少なくとも一方を含有する、
請求項1から14のいずれか一項に記載の気体センサ。 - 前記遷移金属酸化物は、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、又はジルコニウム酸化物である、
請求項15に記載の気体センサ。 - 水素含有ガスに対する抵抗変化の応答時間が異なる複数の検出セルを備える気体センサを用いた水素濃度判定方法であって、
前記気体センサが水素原子を含有する気体に暴露された時点から所定時間経過したときに、前記複数の検出セルの複数の抵抗値を測定するステップと、
前記複数の抵抗値の情報から前記水素濃度を判定するステップとを含む、
水素濃度判定方法。 - 前記複数の検出セルのそれぞれは、絶縁層に覆われ、
第1の電極と、
前記絶縁層から露出した露出面を有する第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極の間に配置され、バルク領域と、前記バルク領域に囲まれ、かつ、前記バルク領域よりも大きい酸素不足度を有する局所領域とを含む金属酸化物層とを備え、
前記金属酸化物層の抵抗値は、前記水素原子を含有する前記気体が前記第2の電極に接したときに、所定の応答時間で低下し、
前記所定の応答時間は、前記複数の検出セル毎に異なる、
請求項17に記載の水素濃度判定方法。 - 前記複数の抵抗値の少なくとも1つの低下を検知することによって、前記気体センサが前記気体に暴露されたことを検知するステップをさらに含む、
請求項17又は18に記載の水素濃度判定方法。
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