JPS5958348A - 水素ガス検知素子 - Google Patents
水素ガス検知素子Info
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- JPS5958348A JPS5958348A JP16833282A JP16833282A JPS5958348A JP S5958348 A JPS5958348 A JP S5958348A JP 16833282 A JP16833282 A JP 16833282A JP 16833282 A JP16833282 A JP 16833282A JP S5958348 A JPS5958348 A JP S5958348A
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- gaseous hydrogen
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水素ガス検知素子に関する。
従来、一般に半導体式ガス検知素子におけるガス検知材
料としては、酸化スズ、酸化亜鉛。
料としては、酸化スズ、酸化亜鉛。
酸化鉄等が用いられていた。これらの材料は。
検知されるべきガス例えばメタン、水素、−酸化炭素等
の可燃ガスなどの各ガスの濃度に応じその抵抗値が変動
するためにガス検知材料として用いられている。
の可燃ガスなどの各ガスの濃度に応じその抵抗値が変動
するためにガス検知材料として用いられている。
しかしながら、上記材料を用いたガス検知素子のほとん
どは水素ガスに対する感度が低いと。
どは水素ガスに対する感度が低いと。
いう問題があイ)。jだ水素ガスに対する感度の高い4
;t 料/、!・用いた場合には、ガス検知特性の再現
性が4iJ、%い/、f、どの欠点がある。
;t 料/、!・用いた場合には、ガス検知特性の再現
性が4iJ、%い/、f、どの欠点がある。
本発明σ月1的は、前述した従来技術の欠点を除去し、
水素ガスに対する感度が高く、しかも特性の出現性に優
れた水素ガス検知素子を提供するにある。
水素ガスに対する感度が高く、しかも特性の出現性に優
れた水素ガス検知素子を提供するにある。
この目的な達成するために、本発明は、ガス検知材オー
1として、五酸化クンタル(7゛62CJ5)70〜9
7重量%(以下重量係をwt%という)に、ノくラジウ
ム(Pd ) o、sへ5wt%及びガラス25〜2q
、5wt%を添加した組成物を用いて構成する。
1として、五酸化クンタル(7゛62CJ5)70〜9
7重量%(以下重量係をwt%という)に、ノくラジウ
ム(Pd ) o、sへ5wt%及びガラス25〜2q
、5wt%を添加した組成物を用いて構成する。
本発明者等は、ガス検知材料とl〜て各種酸化物及びそ
れらに各種の添加物を加えた多くの組成物を検討し、そ
の結果、五酸化タンタル(Ta2(〕5)70〜97w
1係にパラジウム(Pd ) 0.5〜5wt%及びガ
ラス25・〜29.5wt%を添加した組成物が、水素
ガスに対する感度が冒<、シかも特性再現性に優れてい
ることを見い出し、前記した組成物を用いた水素ガス検
知素子に到達したものである。
れらに各種の添加物を加えた多くの組成物を検討し、そ
の結果、五酸化タンタル(Ta2(〕5)70〜97w
1係にパラジウム(Pd ) 0.5〜5wt%及びガ
ラス25・〜29.5wt%を添加した組成物が、水素
ガスに対する感度が冒<、シかも特性再現性に優れてい
ることを見い出し、前記した組成物を用いた水素ガス検
知素子に到達したものである。
五酸化タンタル(Ta2u5)のみを用いた可燃性ガス
検知素子は、その才までは水素ガスに対する感度が比較
的低く、また特性の再現性が劣る3、シかし五酸化タン
タル(Ta2u5)にパラジウム(I′d)及びガラス
を添加した組成物を用いることにより、水素ガスに対す
る検出感度を高め、。
検知素子は、その才までは水素ガスに対する感度が比較
的低く、また特性の再現性が劣る3、シかし五酸化タン
タル(Ta2u5)にパラジウム(I′d)及びガラス
を添加した組成物を用いることにより、水素ガスに対す
る検出感度を高め、。
特性再現性の優れた水素ガス検知素子を構成することが
できる。
できる。
本発明において、パラジウム(Pd)の添加量を0.5
〜51L・t %としたのは、添加5’c h’ 0.
5 wt 4未満では、添加による水素ガスの検出感度
増加の効果が少なく、添加量が5+nt%を越えると添
加による効果が飽和し、逆に特性の再現性が悪くなると
いう理由による。また、ガラスの添加量を2.5〜29
.5 Wt %としたのは、添加h1−が2,5 wt
%未満では特性再現性の向上の効果が少なく、添加量が
29.5wt%を越えると、水素ガスに対する検出感度
が低くなるという理由による。
〜51L・t %としたのは、添加5’c h’ 0.
5 wt 4未満では、添加による水素ガスの検出感度
増加の効果が少なく、添加量が5+nt%を越えると添
加による効果が飽和し、逆に特性の再現性が悪くなると
いう理由による。また、ガラスの添加量を2.5〜29
.5 Wt %としたのは、添加h1−が2,5 wt
%未満では特性再現性の向上の効果が少なく、添加量が
29.5wt%を越えると、水素ガスに対する検出感度
が低くなるという理由による。
添加するガラス材料としては、種々のものが適用可能で
あるが、特に、ポウケイ酸鉛系、ホウケイ酸鉛曲、鉛系
、ケイ酸アルカリ系、C゛σO−ZnU −PbU −
TiO2−5iU2糸が適しており、また無定形の5i
U2 、5nU2 、 Al2O5等の酸化物を用いて
も同様な効果をあげることができる。さらに1本発明は
、水素ガスに対する検出感度を変えたり、ガス検出の応
答時間を制御したり、素子の焼結を制御する目的のため
に、金属や金属酸化物を微量添加することも可能であり
、このような機敏添加物が存在しても1本発明の効果は
伺らそこなわれない。
あるが、特に、ポウケイ酸鉛系、ホウケイ酸鉛曲、鉛系
、ケイ酸アルカリ系、C゛σO−ZnU −PbU −
TiO2−5iU2糸が適しており、また無定形の5i
U2 、5nU2 、 Al2O5等の酸化物を用いて
も同様な効果をあげることができる。さらに1本発明は
、水素ガスに対する検出感度を変えたり、ガス検出の応
答時間を制御したり、素子の焼結を制御する目的のため
に、金属や金属酸化物を微量添加することも可能であり
、このような機敏添加物が存在しても1本発明の効果は
伺らそこなわれない。
本発明の検知素子は水素に感度が高いほか、メタン、水
素、−酸化炭素等の可燃性ガスをも検知できるので、併
用・汎用が可能である。
素、−酸化炭素等の可燃性ガスをも検知できるので、併
用・汎用が可能である。
以下1本発明による水素ガス検知素子の一実施例を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
第1図は本発明による水素ガス検知素子の一実施例の構
成図、第2図は本発明に用いたガス検知材料の組成を示
す三角図であり、その斜線部に本発明による組成範囲を
示す。第1図において、1はアルミナ基板、2は力u熱
ヒータ、3は下部電極、4はガス検知材料層、5は上部
電極である。
成図、第2図は本発明に用いたガス検知材料の組成を示
す三角図であり、その斜線部に本発明による組成範囲を
示す。第1図において、1はアルミナ基板、2は力u熱
ヒータ、3は下部電極、4はガス検知材料層、5は上部
電極である。
本発明による水素ガス検知素子は、第1図に示すように
、アルミナ基板1の裏面に加熱ヒータ2を設け、また、
アルミナ基板10表面に下部電極3、ガス検知材料層4
及び−上部電極5を順次積み重ねて構成されている。そ
して、この様な水素ガス検知素子は、次のよつlz方法
で製造される。
、アルミナ基板1の裏面に加熱ヒータ2を設け、また、
アルミナ基板10表面に下部電極3、ガス検知材料層4
及び−上部電極5を順次積み重ねて構成されている。そ
して、この様な水素ガス検知素子は、次のよつlz方法
で製造される。
■96%の純度を有するアルミナ基板1の裏面に白金ペ
ーストを用いて加熱)1−りのパターンを印刷する。
ーストを用いて加熱)1−りのパターンを印刷する。
■これを乾燥後、アルミナ基板10表面に同一の白金ペ
ーストを用いて下部電極を印刷する。
ーストを用いて下部電極を印刷する。
■この基板を乾燥後、電気炉を用いて1200υで2時
間焼成し、加熱ヒータ2及び下部電極3をアルミナ基板
1の裏面及び表面に形成する。
間焼成し、加熱ヒータ2及び下部電極3をアルミナ基板
1の裏面及び表面に形成する。
■下部電極3上に、五酸化タンタル(Ta2u5)。
バラジウノ、(Pd )及びガラスを所定量混合し。
ペースト状としたガス検知材料を印刷する。
■これな乾燥後、その上に下部電極と同一組成の白金ペ
ーストを用いて上部電極を印刷する・。
ーストを用いて上部電極を印刷する・。
■これを乾燥後、ベルト炉を用いて最高温度。
900 tで1[]分分間酸しガス検知材料層4及び上
部電極5を形成する。
部電極5を形成する。
このようにして作成された水素ガス検知素子におけイ)
ガス検知材料層4の組成と、その組成における特性苓′
まとめると第1表に示すようになる。組成としては22
種類について実施したが1、該組成はHP 2図に示す
三角図における組成点1〜22KAE+肖する。この組
成点の番号は第1表に示した組成番号盃に対応するもの
である。また、。
ガス検知材料層4の組成と、その組成における特性苓′
まとめると第1表に示すようになる。組成としては22
種類について実施したが1、該組成はHP 2図に示す
三角図における組成点1〜22KAE+肖する。この組
成点の番号は第1表に示した組成番号盃に対応するもの
である。また、。
五酸化タンタル(7゛α205)に添加したガラスであ
り、その組成は下記のとおりである。ZnO+ 5wt
% e PbO+ 5 wt%* C’(10116w
t%、 Sio2 + 45wt%。
り、その組成は下記のとおりである。ZnO+ 5wt
% e PbO+ 5 wt%* C’(10116w
t%、 Sio2 + 45wt%。
Ai、2os 115wt % 、 rio2+ 16
wt%。
wt%。
第1表
第1表におけろガス検知材料層の各組成で、約10個の
水素ガス検知素子を試験杭ネ1として作成し、固有抵抗
及び水素ガスに対ずろ検知感度の計測を行ない、その結
果も同じく第1表に記した。第1表に示す固有抵抗及び
水素ガスの検出感度の値は5作成された水素ガス検知素
子の加熱ヒータ2に直流電圧6Vのヒータ電圧を印加し
、光子1//、;1度を約400υに加熱l−た状態で
計測し、そのB(測値を約10個作成した試験試料(水
素ガス検知素子)Kついて平均して算出した。
水素ガス検知素子を試験杭ネ1として作成し、固有抵抗
及び水素ガスに対ずろ検知感度の計測を行ない、その結
果も同じく第1表に記した。第1表に示す固有抵抗及び
水素ガスの検出感度の値は5作成された水素ガス検知素
子の加熱ヒータ2に直流電圧6Vのヒータ電圧を印加し
、光子1//、;1度を約400υに加熱l−た状態で
計測し、そのB(測値を約10個作成した試験試料(水
素ガス検知素子)Kついて平均して算出した。
また、水素ガスに対する検出感度は、水素ガス1100
0ppのガス中に水素ガス検知素子を入れた際の抵抗の
変化率として表わしたものであり。
0ppのガス中に水素ガス検知素子を入れた際の抵抗の
変化率として表わしたものであり。
抵抗の変化率の太きいものほど検出感度が高い。
また、特性再現性は、各組成で平均的な特性を有する一
試験試料Vこついて、 10回の水素ガスに対する検出
感度の測定を竹ない、その感度である抵抗変化率のばら
つきで表わしたものであり、この値が小さいほど特性再
現性が高い。
試験試料Vこついて、 10回の水素ガスに対する検出
感度の測定を竹ない、その感度である抵抗変化率のばら
つきで表わしたものであり、この値が小さいほど特性再
現性が高い。
第2図に示す三角図において、斜線で示す範囲内が本発
明による水素ガス検知素子におけるガス検知材料の組成
範囲であイ)1.第1表に示す円で囲んである組成番号
A1,2,3,7,11.。
明による水素ガス検知素子におけるガス検知材料の組成
範囲であイ)1.第1表に示す円で囲んである組成番号
A1,2,3,7,11.。
12、13 、17.21及び22の組成のガス検知材
料は本発明の組成範囲を外れるものであって、これを用
いた水素ガス検知素子は、第1表からP解できるように
、水素ガスに対する検出感度が低かったり、あるいは特
性再現性が悪いという欠点を有]7ている1、(各々A
I、2.22は五酸化タンタル、盃1.11.12.1
7はパラジウム、高1 、2 、3.21.22はガラ
スの成分において本発明の範囲から外れている)1.こ
れに対し、第1表に示す前記以外の組成番号、4G4.
5.6゜8 、9.10.14.15−.16.18.
19及び20の組成のガス検知材料を用いた水素ガス検
知素子、すなわち、第2図において斜線で示す範囲内の
本発明による組成のガス検知材料を用いた水素ガス検知
素子は、第1表から明らかなように、水素ガスに対する
検出感度が高い−に、特性再現性も優れている。
料は本発明の組成範囲を外れるものであって、これを用
いた水素ガス検知素子は、第1表からP解できるように
、水素ガスに対する検出感度が低かったり、あるいは特
性再現性が悪いという欠点を有]7ている1、(各々A
I、2.22は五酸化タンタル、盃1.11.12.1
7はパラジウム、高1 、2 、3.21.22はガラ
スの成分において本発明の範囲から外れている)1.こ
れに対し、第1表に示す前記以外の組成番号、4G4.
5.6゜8 、9.10.14.15−.16.18.
19及び20の組成のガス検知材料を用いた水素ガス検
知素子、すなわち、第2図において斜線で示す範囲内の
本発明による組成のガス検知材料を用いた水素ガス検知
素子は、第1表から明らかなように、水素ガスに対する
検出感度が高い−に、特性再現性も優れている。
次に、本発明による水素ガス検知素子の他の実施例とし
て、添加するガラスの組成を変えて前述の場合と同様に
して作成した水素ガス検知素子・0lPk性を説明する
。
て、添加するガラスの組成を変えて前述の場合と同様に
して作成した水素ガス検知素子・0lPk性を説明する
。
この実施例は第1表における組成番号扁9の組成〔五酸
化タンクA/ (Ta205) 二88Wt−% +バ
ラジウlx (Pd ) I2wv%、ガラス=10w
t%〕で、ガラス組成を。
化タンクA/ (Ta205) 二88Wt−% +バ
ラジウlx (Pd ) I2wv%、ガラス=10w
t%〕で、ガラス組成を。
(1) ポウケイ酸鉛系(/’、6(J + 541
111%、δi02 + !+5wt % 、 1〕
2C/3 雪 11wt% )(2) ポウケイ酸
亜鉛系(ZnU 115wt%、 PI)0 : 20
wt%、 5i02 I4Qwi%、B203115w
t%、 /712(J3+1owtqb ) (3) ケ・イ酸アルカリ系(Si(〕2I62Wt
係、Δ12UsI2W/%、 C’aU l6wt%、
MgO: 5wt%、Na2O:3wt%、 k、2
(J I 10wt%、 SrO: 8wt%+ Ba
O+ 4wt%) としたものである。
111%、δi02 + !+5wt % 、 1〕
2C/3 雪 11wt% )(2) ポウケイ酸
亜鉛系(ZnU 115wt%、 PI)0 : 20
wt%、 5i02 I4Qwi%、B203115w
t%、 /712(J3+1owtqb ) (3) ケ・イ酸アルカリ系(Si(〕2I62Wt
係、Δ12UsI2W/%、 C’aU l6wt%、
MgO: 5wt%、Na2O:3wt%、 k、2
(J I 10wt%、 SrO: 8wt%+ Ba
O+ 4wt%) としたものである。
m1述した組成のカラスを添加して作成した水素ガス検
知素子について、第1表に示した場合と同様な計測を行
った。その結果を第2表に示す。第2表から添加される
ガスの種類が異なる水素ガス検知素子は、ガラスの種類
によって固有抵抗の値が多少異なるが、ガスの検知感度
や特性再現性の点では本質的な差ゲ1μのプ、Cいこと
が理解できる。
知素子について、第1表に示した場合と同様な計測を行
った。その結果を第2表に示す。第2表から添加される
ガスの種類が異なる水素ガス検知素子は、ガラスの種類
によって固有抵抗の値が多少異なるが、ガスの検知感度
や特性再現性の点では本質的な差ゲ1μのプ、Cいこと
が理解できる。
第2表
以上説明したように、本発明によれば、ガス検知材料と
して、五酸タンタル(7’a205)にパラジウム(P
d)及びガラスを添加した組成物を用いることりこより
、水素ガスに対する検出感度が高く、特性の再現性が優
れ、信頼性の高い水素ガス検知素r−を提供することが
できる。
して、五酸タンタル(7’a205)にパラジウム(P
d)及びガラスを添加した組成物を用いることりこより
、水素ガスに対する検出感度が高く、特性の再現性が優
れ、信頼性の高い水素ガス検知素r−を提供することが
できる。
第1図G上本発明による水素ガス検知素子の一実施例の
構成図、第2図は該実施例に用いたガス検知イ」料の組
成を示す三角図である。 4・・・ガス検知材料。 羊2図 (虹引O
構成図、第2図は該実施例に用いたガス検知イ」料の組
成を示す三角図である。 4・・・ガス検知材料。 羊2図 (虹引O
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水素ガスの存在を抵抗値の変化として検知する水素ガス
検知素子において。 @五酸化タンタル(Ta2U5) 70”97重量係。 ■パラジウム(Pd ) 0.5〜5重flf−%、@
ガラス25〜295重量係。 を備えて成る組成物をガス検知材料として用いたことを
特徴とする水素ガス検知素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16833282A JPS5958348A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 水素ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16833282A JPS5958348A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 水素ガス検知素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5958348A true JPS5958348A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15866082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16833282A Pending JPS5958348A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 水素ガス検知素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5958348A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2017173307A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 水素センサ及び燃料電池自動車、並びに水素検出方法。 |
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JP2017198660A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気体検出装置及び気体検出方法 |
JP2017198661A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気体検出装置及び気体検出方法 |
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WO2018143016A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気体センサ |
US10900926B2 (en) | 2017-09-04 | 2021-01-26 | Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Gas sensor, gas detection apparatus, fuel cell powered vehicle, and manufacturing method of gas sensor |
WO2021210453A1 (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 水素センサ、水素検知方法および水素検知装置 |
US11536677B2 (en) | 2016-12-28 | 2022-12-27 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Gas detection device, gas sensor system, fuel cell vehicle, and hydrogen detection method |
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WO2023017748A1 (ja) * | 2021-08-11 | 2023-02-16 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 水素センサ |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP16833282A patent/JPS5958348A/ja active Pending
Cited By (22)
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WO2017037984A1 (ja) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気体センサ、及び燃料電池自動車 |
US10794848B2 (en) | 2015-08-28 | 2020-10-06 | Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Gas sensor including first electrode, second electrode, metal oxide layer, and insulating film, and fuel-cell vehicle including the gas sensor |
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