JP6767361B2 - 電磁シールド管、電磁シールド構造 - Google Patents
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Description
チューブで形成してもよい。このようにしても、チューブによって電磁シールド管の先端部の外径が大きくなるため、可撓性導体の抜けを防止することが可能である。
以下、本発明の実施の形態にかかる電磁シールド管3について説明する。図1Aは電磁シールド管3の斜視図であり、図1Bは電磁シールド管3の長手方向に垂直な断面図であって、図1AのA−A線断面図である。電磁シールド管3は、内部に電線が挿通される。電磁シールド管3は、最内層に樹脂製の内層11が形成され、内層11の外周に金属製の金属層13が形成され、金属層13の外周である最外層に樹脂製の外層15が形成されて構成される。
次に、第2の実施の形態について説明する。図4は、電磁シールド管3aを示す断面図である。なお、以下の説明において、図1〜図2に示した構成と同一の機能を奏する構成については、図1〜図2と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
次に、第3の実施の形態について説明する。図5Aは電磁シールド管3bの斜視図であり、図5Bは電磁シールド管3bの長手方向に垂直な断面図であって、図5AのC−C線断面図である。
次に、第4の実施の形態について説明する。図7Aは、電磁シールド管3fを示す斜視図であり、図7Bは電磁シールド管3fの長手方向に垂直な断面図であって、図7AのJ−J線断面図である。電磁シールド管3fは、電磁シールド管3bとほぼ同様であるが、内層11に、前述した電磁シールド管3と同様の溝状の縁切り部5が設けられる点で異なる。縁切り部5とは、内層11と金属層13との間の温度変化による応力の伝達を抑制するための構造である。すなわち、電磁シールド管3fは、端末処理部50fである凹凸部29および縁切り部5が設けられる。
次に、第5の実施の形態について説明する。図8Aは電磁シールド管3cの斜視図であり、図8Bは電磁シールド管3cの長手方向に垂直な断面図であって、図8AのD−D線断面図である。
次に、第6の実施の形態について説明する。図10Aは、電磁シールド管3dを示す斜視図であり、図10Bは電磁シールド管3dの長手方向に垂直な断面図であって、図10AのE−E線断面図である。
次に、第7の実施の形態について説明する。図11Aは、電磁シールド管3eを示す斜視図であり、図11Bは電磁シールド管3eの長手方向に垂直な断面図であって、図11AのF−F線断面図である。電磁シールド管3eは、電磁シールド管3cとほぼ同様であるが、内層11に、前述した電磁シールド管3と同様の溝状の縁切り部5が設けられる点で異なる。縁切り部5とは、内層11と金属層13との間の温度変化による応力の伝達を抑制するための構造である。すなわち、電磁シールド管3eは、端末処理部50eである抜け止め部31および縁切り部5が設けられる。
次に、第8の実施の形態について説明する。図12Aは、電磁シールド管3gを示す斜視図であり、図12Bは電磁シールド管3gの長手方向に垂直な断面図であって、図12AのK−K線断面図である。電磁シールド管3gは、電磁シールド管3cとほぼ同様であるが、電磁シールド管3bと同様に、金属層13の露出部に、凹凸部29が形成される。すなわち、電磁シールド管3gは、端末処理部50gである凹凸部29および抜け止め部31が設けられる。
次に、第9の実施の形態について説明する。図13Aは、電磁シールド管3hを示す斜視図であり、図13Bは電磁シールド管3hの長手方向に垂直な断面図であって、図13AのL−L線断面図である。電磁シールド管3hは、電磁シールド管3eとほぼ同様であるが、電磁シールド管3bと同様に、金属層13の露出部に、凹凸部29が形成される。すなわち、電磁シールド管3hは、端末処理部50hである凹凸部29、縁切り部5および抜け止め部31が設けられる。
次に、第10の実施の形態について説明する。図14Aは電磁シールド管3iの斜視図であり、図14Bは電磁シールド管3iの長手方向に垂直な断面図であって、図14AのG−G線断面図である。また、図15Aは、電磁シールド管3iの長手方向の断面図であって、図14AのH−H線断面図である。
3、3a、3b、3c、3d、3e、3f、3g、3h、3i………電磁シールド管
5………縁切り部
7………リング部材
9………可撓性導体
11………内層
13………金属層
15………外層
17………接合部
19………筐体
21………電線
23………端子
25………接続機器
27………縁切り部
29………凹凸部
31、31a………抜け止め部
33………切断バリ
50、50a、50b、50c、50d、50e、50f、50g、50h………端末処理部
103………電磁シールド管
111………内層
113………金属層
115………外層
Claims (20)
- 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管であって、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部または端部近傍では、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記内層の少なくとも一部において、温度変化に伴い生じる前記内層の径方向の力が前記金属層へ伝達されることを抑制する応力伝達抑制構造であり、
前記応力伝達抑制構造は、前記電磁シールド管の端部から所定の長さにのみ形成されることを特徴とする電磁シールド管。 - 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管であって、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部または端部近傍では、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記内層の少なくとも一部において、温度変化に伴い生じる前記内層の径方向の力が前記金属層へ伝達されることを抑制する応力伝達抑制構造であり、
前記応力伝達抑制構造は、前記内層に形成される縁切り部であり、
前記縁切り部の深さは、前記内層の厚みと同様の値であり、
前記電磁シールド管の長手方向に垂直な断面において、前記縁切り部によって、前記内層が、周方向に複数に分割されることを特徴とする電磁シールド管。 - 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管であって、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部または端部近傍では、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記内層の少なくとも一部において、温度変化に伴い生じる前記内層の径方向の力が前記金属層へ伝達されることを抑制する応力伝達抑制構造であり、
前記応力伝達抑制構造は、前記内層と前記金属層との間の縁切り部であり、
前記金属層の露出部の少なくとも一部の内面において、前記内層の外面と前記金属層の内面とが、全周にわたって離間していることを特徴とする電磁シールド管。 - 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管であって、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部または端部近傍では、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記金属層の露出部の少なくとも一部の外面に形成された、凹凸形状であり、前記金属層の周方向の全周に形成されることを特徴とする電磁シールド管。 - 前記凹凸形状は、前記金属層の露出部の全面に形成されることを特徴とする請求項4記載の電磁シールド管。
- 前記凹凸形状は、凸部が前記金属層の未加工部の表面より高い位置となっていることを特徴とする請求項4または請求項5のいずれかに記載の電磁シールド管。
- 前記電磁シールド管の端部近傍において、前記金属層が環状に露出し、
前記金属層の露出部の先端側における前記金属層の外周面に、前記金属層と接続される導体の抜けを防止するための抜け止め部が形成されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の電磁シールド管。 - 前記抜け止め部は、前記外層の一部であることを特徴とする請求項7記載の電磁シールド管。
- 前記抜け止め部は、前記金属層の露出部の先端側に固定されるチューブであることを特徴とする請求項7記載の電磁シールド管。
- 前記抜け止め部は、前記金属層の露出部の先端側に配置される樹脂であることを特徴とする請求項7記載の電磁シールド管。
- 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管と、
前記電磁シールド管に取り付けられる可撓性導体と、
前記可撓性導体を保持するリング部材と、
を具備し、
前記電磁シールド管は、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部は、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記内層の少なくとも一部において、温度変化に伴い生じる前記内層の径方向の力が前記金属層へ伝達されることを抑制する応力伝達抑制構造であり、
前記応力伝達抑制構造は、前記電磁シールド管の端部から所定の長さにのみ形成され、
前記金属層の露出部に、前記可撓性導体が被せられ、
前記可撓性導体の外周から、前記リング部材によって前記可撓性導体が前記電磁シールド管に固定されることを特徴とする電磁シールド構造。 - 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管と、
前記電磁シールド管に取り付けられる可撓性導体と、
前記可撓性導体を保持するリング部材と、
を具備し、
前記電磁シールド管は、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部は、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記内層の少なくとも一部において、温度変化に伴い生じる前記内層の径方向の力が前記金属層へ伝達されることを抑制する応力伝達抑制構造であり、
前記応力伝達抑制構造は、前記内層に形成される縁切り部であり、
前記縁切り部の深さは、前記内層の厚みと同様の値であり、
前記電磁シールド管の長手方向に垂直な断面において、前記縁切り部によって、前記内層が、周方向に複数に分割され、
前記金属層の露出部に、前記可撓性導体が被せられ、
前記可撓性導体の外周から、前記リング部材によって前記可撓性導体が前記電磁シールド管に固定されることを特徴とする電磁シールド構造。 - 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管と、
前記電磁シールド管に取り付けられる可撓性導体と、
前記可撓性導体を保持するリング部材と、
を具備し、
前記電磁シールド管は、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部は、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記内層の少なくとも一部において、温度変化に伴い生じる前記内層の径方向の力が前記金属層へ伝達されることを抑制する応力伝達抑制構造であり、
前記応力伝達抑制構造は、前記内層と前記金属層との間の縁切り部であり、
前記金属層の露出部の少なくとも一部の内面において、前記内層の外面と前記金属層の内面とが、全周にわたって離間しており、
前記金属層の露出部に、前記可撓性導体が被せられ、
前記可撓性導体の外周から、前記リング部材によって前記可撓性導体が前記電磁シールド管に固定されることを特徴とする電磁シールド構造。 - 内部に電線を挿通可能な電磁シールド管と、
前記電磁シールド管に取り付けられる可撓性導体と、
前記可撓性導体を保持するリング部材と、
を具備し、
前記電磁シールド管は、
樹脂製の内層と、
前記内層の外周に形成される金属層と、
前記金属層の外周に形成される樹脂製の外層と、
を具備し、
前記電磁シールド管の端部は、前記金属層が露出し、
前記金属層の露出部には、前記内層と前記金属層との物性の違いによる影響を緩和する端末処理部が設けられ、
前記端末処理部は、前記金属層の露出部の少なくとも一部の外面に形成された、凹凸形状であり、前記金属層の周方向の全周に形成され、
前記凹凸形状の外周面に、前記可撓性導体が被せられ、
前記可撓性導体の外周から、前記リング部材によって前記可撓性導体が前記電磁シールド管に固定されることを特徴とする電磁シールド構造。 - 前記凹凸形状は、前記金属層の露出部の全面に形成されることを特徴とする請求項14記載の電磁シールド構造。
- 前記凹凸形状は、凸部が前記金属層の未加工部の表面より高い位置となっていることを特徴とする請求項14または請求項15のいずれかに記載の電磁シールド構造。
- 前記電磁シールド管の端部近傍において、前記金属層が環状に露出し、
前記金属層の露出部の先端側における前記金属層の外周面に、前記金属層と接続される導体の抜けを防止するための抜け止め部が形成されることを特徴とする請求項11から請求項16のいずれかに記載の電磁シールド構造。 - 前記抜け止め部は、前記外層の一部であることを特徴とする請求項17記載の電磁シールド構造。
- 前記抜け止め部は、前記金属層の露出部の先端側に固定されるチューブであることを特徴とする請求項17記載の電磁シールド構造。
- 前記抜け止め部は、前記金属層の露出部の先端側に配置される樹脂であることを特徴とする請求項17記載の電磁シールド構造。
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