JP6758597B2 - 導電性磁器組成物、導電部材、及びセラミック電子部品 - Google Patents
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Description
また、本発明者の更なる鋭意研究の結果、Srの一部と置換可能なLa、Ce、Pr、Sm、Nd、Gd等の希土類元素を所定範囲で含有させたり、或いはVの一部と置換可能なNb、Ta、W、Mo等の遷移元素を所定範囲で含有させることにより、大気雰囲気下で熱処理しても抵抗値の温度変化をより抑制することができ、さらに通常使用される温度範囲で抵抗値の変化率も抑制できることが分かった。
ここで、Vサイトに対するSrサイトの配合モル比mは、数式(1)を満足している。
また、Vサイト中のTiの含有モル比x及びZrの含有モル比yは、以下のように規定されている。
y=0 …(3)
(ii)VサイトにTi及びZrのうちのZrを含有する場合、含有モル比x、yは、下記数式(4)、(5)を満足している。
0.05≦y≦0.15 …(5)
(iii)VサイトにTi及びZrの双方が含有されている場合は、数式(6)〜(8)を満足している。
0.05≦y≦0.15 …(7)
x+y≦0.3 …(8)
すなわち、SrVO3は、4価のVイオンが酸素八面体の中央に位置するペロブスカイト型結晶構造を有しており、Pt等の金属と同程度の良導電性を有することから、金属材料の代替品として使用可能と考えられる。
Vサイトに対するSrサイトの配合モル比mは、化学量論組成では1.00であるが、該配合モル比mは化学量論組成に限定されるものではなく、必要に応じて変動させることが可能である。
Tiは、5価で安定するVとは異なり、4価で安定して存在することから、Vの一部をTiで置換させてVサイトに固溶させることにより、結晶構造が安定化し、大気雰囲気で熱処理(焼成処理)を行ってもペロブスカイト構造を維持でき、耐酸化性が向上し、熱処理を行っても抵抗率を低く維持することができると考えられる。
Zrも、Tiと同様、4価で安定して存在することから、Vの一部をZrで置換させてVサイトに固溶させることにより、結晶構造が安定化し、大気雰囲気で熱処理(焼成処理)を行ってもペロブスカイト構造を維持でき、耐酸化性が向上し、熱処理を行っても抵抗率を低く維持することができると考えられる。
Ti及びZrはいずれも4価で安定することから、双方を含有させることによっても結晶構造が安定化し、耐酸化性を向上させることができることから抵抗率を低く維持することが可能である。
100Srm(V1-x-yTixZry)O3+αRe+βM …(B)
ここで、希土類元素Re及び遷移金属元素Mの含有量は、熱処理による抵抗値の増加や抵抗値の温度変化を抑制できる程度であれば、特に限定されるものではなく、例えば希土類元素Re及び遷移金属元素Mの総計(α+β)が主成分100モル部に対し2モル部以下に設定することができる。
セラミック素原料としてSrCO3、VO2、TiO2、ZrO2、La2O3、Nb2O5を用意した。そして、焼成後に表1に示すような成分組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した後、これら秤量物をボールミルに投入して湿式で混合粉砕し、体積含有量が3vol%のH2を含有したN2−H2の混合ガスからなる還元雰囲気下、1100℃で2時間、仮焼処理を行い、その後、粉砕し、一般式{100Srm(V1-x-yTixZry)O3+αLa+βNb}で表される導電性セラミック原料粉末を作製した。
本実施例では、上述したように各試料について、仮焼処理のみならず焼成処理も還元雰囲気で行って作製し、焼成後に熱処理を行わなかった試料と熱処理を行った試料の双方の抵抗率を測定し、試料の耐酸化性を評価した。
ここで、R100は100℃における抵抗値(mΩ・cm)、R25は25℃における抵抗値(mΩ・cm)を示している。
2a〜2f 内部電極
3 部品素体
4a、4b 外部電極
Claims (5)
- 主成分が、ペロブスカイト型結晶構造を有するSrVO3系化合物で形成された導電性磁器組成物であって、
前記Vサイトに対する前記Srサイトの配合モル比mは、0.90〜1.10であり、
前記Vサイトは、Tiを含有すると共に、
前記Tiの含有量は、前記V及び前記Tiの総計に対し、モル比換算で0.1〜0.6であり、
La、Ce、Pr、Sm、Nd、Gd、Nb、Ta、W、及びMoの群から選択された少なくとも1種を副成分として含有し、
前記副成分の含有量は、前記主成分100モル部に対し2モル部以下であることを特徴とする導電性磁器組成物。 - 主成分が、ペロブスカイト型結晶構造を有するSrVO 3 系化合物で形成された導電性磁器組成物であって、
前記Vサイトに対する前記Srサイトの配合モル比mは、0.90〜1.10であり、
前記Vサイトは、Zr、又は、Zr及びTiが含有されると共に、
前記Vサイトに前記Zrが含有される場合は、Zrの含有量は、前記V及び前記Zrの総計に対し、モル比換算で0.05〜0.15であり、
前記Vサイトに前記Ti及び前記Zrの双方が含有される場合は、前記Tiの含有量は、前記V、前記Ti及び前記Zrの総計に対し、モル比換算で0.1〜0.6であり、前記Zrの含有量は、前記V、Ti及び前記Zrの総計に対し、モル比換算で0.05〜0.15であり、かつ前記Ti及び前記Zrの含有量合計が、前記V、前記Ti及び前記Zrの総計に対し、モル比換算で0.3以下であることを特徴とする導電性磁器組成物。 - La、Ce、Pr、Sm、Nd、Gd、Nb、Ta、W、及びMoの群から選択された少なくとも1種を副成分として含有し、
前記副成分の含有量は、前記主成分100モル部に対し2モル部以下であることを特徴とする請求項2記載の導電性磁器組成物。 - 主成分が、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の導電性磁器組成物で形成されていることを特徴とする導電部材。
- 内部電極とセラミック層とが交互に積層された部品素体の表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品であって、
少なくとも前記内部電極が、請求項4記載の導電部材で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
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