JP5761627B2 - 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ - Google Patents

誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ Download PDF

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Description

本発明は誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサに関し、より詳しくは小型・大容量の積層セラミックコンデンサ用誘電体材料に適した誘電体セラミック及びこの誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサに関する。
近年におけるエレクトロニクス技術の発展に伴い、積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化が急速に進行している。そしてこのような積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化に伴って、誘電体セラミック層の厚みも薄層化が進展しており、厚みが1μm以下の誘電体セラミック層を有する積層セラミックコンデンサの開発も盛んに行なわれている。
ところで、誘電体セラミック層が薄層化すると、該誘電体セラミック層に印加される電界が大きくなることから、高温負荷時における信頼性を確保することが重要となる。しかも、誘電体セラミック層の薄層化に伴って印加される電界は益々高くなることから、所望の高信頼性を得ることが厳しくなってきている。
積層セラミックコンデンサの信頼性を向上させる手法としては、従来より、酸素空孔の移動抑制効果を有するY、Dy、Ho、Gd等の希土類元素を主成分であるBaTiO系組成物に添加するのが一般的であるが、誘電体セラミック層の薄層化に対応するためには結晶三重点や異相(偏析相)を制御することが重要となる。
例えば、特許文献1では、金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、Mg及びMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子により形成される二面間粒界相及び三重点粒界相とを具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相にCaO(SiOからなる結晶相が存在している誘電体磁器が提案されている。
特許文献1では、誘電体磁器を形成する際に、この誘電体磁器の内部、特に放電しやすく絶縁破壊電圧の低下が著しい結晶三重点にCaO(SiOからなる結晶相を形成することにより、結晶三重点の絶縁性を高めることができ、これにより誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上でき、高温負荷寿命を向上させることが可能となる。
特許第4480367号公報(請求項1、2、5、段落番号〔0020〕)
しかしながら、特許文献1では、結晶三重点に、CaO(SiO相を形成し、これにより高温負荷寿命を向上させているものの、CaO(SiO相以外の異相が結晶三重点や結晶粒子に形成されると、高温負荷寿命の低下を招くおそれがある。特に、誘電体セラミック層が1μm程度に薄層化してくると、結晶粒子中に占める異相の比率が高くなることから、このような異相が形成された誘電体セラミック層に20kV/mm以上の高電界を印加すると、高温負荷寿命の著しい低下を招くおそれがある。
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、1μm程度に薄層化された場合に高電界を長時間印加しても十分な高温負荷寿命を得ることができ、所望の高信頼性を有する誘電体セラミック及びこの誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
チタン酸バリウム系複合酸化物を主成分とする誘電体セラミックでは、高温負荷寿命の向上に寄与するCa、希土類元素及びSiを含有した異相粒子(第1の異相粒子)を含むのが好ましいが、本発明者が鋭意研究を行ったところ、誘電体セラミックを薄層化してゆくと、第1の異相粒子以外にCaを含有せず希土類元素及びSiを含有した第2の異相粒子が形成されやすく、しかも、この第2の異相粒子は高温負荷寿命を低下させる作用を有することが分かった。したがって、誘電体セラミックが薄層化し、第1の異相粒子以外に第2の異相粒子が形成された場合であっても、第1の異相粒子の存在比率を多くし、第2の異相粒子の存在比率を少なくすることにより、高温負荷寿命を向上させることが可能と考えられる。
本発明者はこのような観点から鋭意研究を重ねた結果、第1の異相粒子と第2の異相粒子の各個数の総計に対する第2の異相粒子の個数の比率を0.05以下(0を含む。)に抑制することにより、高温雰囲気下、20kV/mmの高電界を長時間印加しても良好な高温負荷寿命を得ることができるという知見を得た。また、第1の異相粒子中にCa成分を含ませるためには、主成分としてBaの一部がCaで置換されたチタン酸バリウム系のペロブスカイト型化合物を使用するのが効果的であることが分かった。
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る誘電体セラミックは、Ba、Ca及びTiを含むペロブスカイト型化合物を有する主相粒子を主成分とし、Ca、希土類元素、及びSiを含有した第1の異相粒子を少なくとも含み、Caを含有せず希土類元素及びSiを含有した第2の異相粒子が、前記第1の異相粒子及び前記第2の異相粒子の各個数の総計に対する前記第2の異相粒子の個数の比率に換算し、0.05以下(0を含む。)であることを特徴としている。
これにより、1μm程度の薄層でかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても、良好な高温負荷寿命を有する誘電体セラミックを得ることができる。
尚、本発明で、「異相粒子」とは、粒子の円相当径が0.1μm以上であって、O(酸素)を除いた総原子量のうち、Ba及びTi以外の元素の占める割合がモル比換算で50%以上存在する相をいうものとする。
また、本発明の誘電体セラミックは、前記主相粒子に含まれるCaは、該主相粒子の少なくとも中央部分に存在しているのが好ましい。
これにより、上述した高電界が印加されても、所望の電気的特性を確保しつつ、良好な高温負荷寿命を有する誘電体セラミックを得ることができる。
本発明の誘電体セラミックは、前記希土類元素は、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選択された少なくとも1種以上を含むのが好ましい。
また、本発明の誘電体セラミックは、前記第1の異相粒子は、Ca、希土類元素及びSiの含有量総計に対するCaの含有量が、モル比換算で8%以上であるのが好ましい。
これにより、より一層良好な高温負荷寿命を得ることができる。
また、本発明の誘電体セラミックは、前記主相粒子に含まれるCaの含有量は、前記主相粒子に含まれるTi100モル部に対し3〜16モル部であるのが好ましい。
これにより、粒成長を招くことなく、より一層良好な高温負荷寿命を得ることができる。
さらに、本発明の誘電体セラミックは、前記希土類元素の含有量は、Ti100モル部に対し1.0モル部以上であるのが好ましい。
これにより、希土類元素が酸素空孔の移動抑制効果を発揮することができ、良好な高温負荷寿命を得ることができる。
また、本発明の誘電体セラミックは、前記Siの含有量は、Ti100モル部に対し0.5〜2.5モル部であるのが好ましい。
これにより、電界が局所的に集中することもなく、より良好な高温負荷寿命を有する誘電体セラミックを得ることができる。
また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、上記いずれかに記載の誘電体セラミックで形成されていることを特徴としている。
これにより、誘電体層が1μm程度に薄層化されかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても、十分な高温負荷寿命を得ることができ、高信頼性を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
本発明の誘電体セラミックによれば、Ba、Ca及びTiを含むペロブスカイト型化合物を有する主相粒子を主成分とし、Ca、希土類元素、及びSiを含有した第1の異相粒子を少なくとも含み、Caを含有せず希土類元素及びSiを含有した第2の異相粒子が、前記第1の異相粒子及び前記第2の異相粒子の各個数の総計に対する前記第2の異相粒子の個数の比率に換算し、0.05以下(0を含む。)であるので、1μm程度の薄層でかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても、良好な高温負荷寿命を有する誘電体セラミックを得ることができる。
また、本発明に係る積層セラミックコンデンサによれば、誘電体層が上記いずれかに記載の誘電体セラミックで形成されているので、誘電体層が1μm程度に薄層化されかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても、十分な高温負荷寿命を得ることができ、高信頼性を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
本発明の誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
本発明の一実施の形態としての誘電体セラミックは、Baの一部がCaで変性された、Ba、Ca及びTiを含むチタン酸バリウム系のペロブスカイト型化合物(一般式ABO)を有する主相粒子を主成分とし、Ca、希土類元素及びSiを含有した第1の異相粒子を少なくとも含んでいる。
ここで、上記「異相粒子」とは、粒子の円相当径が0.1μm以上であって、O(酸素)を除いた総原子量のうち、Ba及びTi以外の元素の占める割合がモル比換算で50%以上存在する相をいうものとする。
チタン酸バリウム系ペロブスカイト型化合物を有する主相粒子を主成分とする誘電体セラミックでは、高温負荷寿命を高めるには、酸素空孔の移動抑制効果を有する希土類元素を主相粒子であるBaTiOに添加するのが一般的であるが、結晶相中に異相粒子が発生し易い。そして、これらの異相粒子のうち、Ca、希土類元素及びSiを含有した上記第1の異相粒子は、高温負荷寿命の向上に寄与する。したがって、誘電体セラミックを主相粒子と第1の異相粒子とで形成することにより、1μm程度の薄層でかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても良好な高温負荷寿命を有する誘電体セラミックを得ることが可能である。
しかしながら、異相粒子の中には上記第1の異相粒子以外にCaを含有せず希土類元素及びSiを含有する第2の異相粒子も存在する。そして、この第2の異相粒子は高温負荷寿命を著しく低下させる作用を有する。
しかも、誘電体セラミック層の厚みが1μm程度に薄層化してくると、結晶粒子中に占める異相粒子の比率が高まる。したがって良好な高温負荷寿命を安定的に得て信頼性を確保するためには、これらの異相粒子の個数を制御することが重要となり、特に20kV/mm以上の高電界を印加する場合は異相粒子の制御が極めて重要となる。
そこで、本実施の形態では、第1の異相粒子は高温負荷寿命の向上に寄与し、第2の異相粒子は高温負荷寿命を著しく低下させることから、第1の異相粒子の個数を相対的に多くし、第2の異相粒子の個数を相対的に減少させることによって異相粒子を制御している。具体的には、第1の異相粒子の個数Aと第2の異相粒子の個数Bとの総計(A+B)に対する第2の異相粒子の個数Bの比率が0.05を超えると、第2の異相粒子の個数Bが過剰となって高温負荷寿命の低下を招くおそれがある。このため、第1の異相粒子の個数Aと第2の異相粒子の個数Bが、数式(1)を満足するように、誘電体セラミック中の第2の異相粒子の個数を制御している。
0≦B/(A+B)≦0.05…(1)
このように本誘電体セラミックは、主相粒子と第1の異相粒子とを少なくとも含み、さらに第2の異相粒子を含む場合であっても、第1の異相粒子の個数Aと第2の異相粒子の個数Bとの総計(A+B)に対する第2の異相粒子の個数Bの比率が0.05以下(0を含む。)となるように第2の異相粒子の存在割合を抑制することにより、1μm程度の薄層でかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても、良好な高温負荷寿命を有する誘電体セラミックを得るようにしている。
そして、数式(1)を満たすように第1及び第2の異相粒子の個数を制御するためには、第1の異相粒子中にCaを含有させる必要があり、そのためには主成分としての主相粒子が、Baの一部をCaで置換した組成式(Ba1-XCaXTiOで表されるチタン酸バリウム系のペロブスカイト型化合物で形成されるのが効果的である。ここで、組成式中、xはBaとCaの総モル量1モル部に対するCaの含有モル部(以下、「置換モル量」という。)、mはTi1モル部に対するBaとCaの総モル部(以下、「配合モル比」という。)を示している。
このように主成分である主相粒子として(Ba1-XCaXTiOで表されるチタン酸バリウム系のペロブスカイト型化合物を使用することにより、セラミック原料粉末中でCaを均一乃至略均一に存在させることができ、高温負荷寿命向上に寄与する第1の異相粒子を効率良く形成することができる。
尚、前記配合モル比mは、化学量論的には1.000であるが、各種特性や焼結性等に影響を与えない程度に必要に応じてAサイト(Baサイト)過剰、又はBサイト(Tiサイト)過剰となるように配合される。
また、主相粒子の形成態様については、特に限定されるものではないが、所望の良好な電気的特性を確保する観点からは、主相粒子中のCaは、該主相粒子の少なくとも中央部分、すなわち主相粒子の周辺領域ではなくコア領域に存在するのが好ましい。
また、第1の異相粒子に含まれるCa、希土類元素及びSiの含有量総計に対するCaの含有量は、モル比換算で8%以上が好ましい。すなわち、第1の異相粒子に含まれるCaの含有量を、モル比換算で8%以上とすることにより、Caが相対的に増加し、これにより高温負荷寿命をより一層向上させることが可能となる。換言すると、第1の異相粒子中のCaの組成比が8%未満となると、第1の異相粒子の存在による高温負荷寿命の向上効果が小さくなるおそれがある。
そして、第1の異相粒子中のCaの含有量をモル比換算で8%以上とするためには、主相粒子に含まれるCaの含有量が、主相粒子に含まれるTi100モル部に対し3モル部以上が好ましい。
ただし、前記Ca含有量が前記Ti100モル部に対し16モル部を超えると、Ba、Ca及びTiを含むペロブスカイト型化合物の格子容積が小さくなることから、希土類元素やSi等の副成分が前記ペロブスカイト型化合物に固溶し易くなり、このため粒成長の制御が困難となり、高温負荷寿命が低下傾向になるおそれがある。
したがって、主相粒子中のCa含有量は、主相粒子に含まれるTi100モル部に対し、3〜16モル部が好ましい。
また、Siの含有量は、Ti100モル部に対し0.5モル部以上が好ましい。すなわち、Ti100モル部に対するSi含有量が0.5モル部未満になると、焼結助剤として作用するSi成分の含有量が少なくなって十分に緻密化せず、電界が局所的に集中してしまい、このため高温負荷寿命の低下を招くおそれがある。
ただし、Si含有量がTi100モル部に対し2.5モル部を超えると、第1の異相粒子中のSi含有量が増加するため、第1の異相粒子中のCaの含有量がモル比換算で8%未満となる。したがって、Si含有量は、より好ましい高温負荷寿命を得る観点からは、Ti100モル部に対し2.5モル部未満が好ましい。
したがって、Si含有量としては、Ti100モル部に対し、0.5〜2.5モル部が好ましい。
また、希土類元素の含有量は、Ti100モル部に対し1.0モル部以上であるのが好ましい。希土類元素の含有量が、Ti100モル部に対し1.0モル部未満の場合は、希土類元素の添加による酸素空孔の移動抑制効果を十分に得ることができず、十分な高温負荷寿命の向上を期待できなくなるおそれがある。
そして、このような希土類元素としては、特に限定されるものではないが、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選択された少なくとも1種以上を含むのが好ましい。
また、上記誘電体セラミックは、必要に応じて各種添加物、例えばMg、Mn、V等を含有させるのも好ましい。
図1は本発明に係る誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
該積層セラミックコンデンサは、セラミック素体1に内部電極2a〜2fが埋設されると共に、該セラミック素体1の両端部には外部電極3a、3bが形成され、さらに該外部電極3a、3bの表面には第1のめっき皮膜4a、4b及び第2のめっき皮膜5a、5bが形成されている。
すなわち、セラミック素体1は、本発明の誘電体セラミックで形成された誘電体セラミック層6a〜6gと内部電極層2a〜2fとが交互に積層されて焼成されてなり、内部電極層2a、2c、2eは外部電極3aと電気的に接続され、内部電極層2b、2d、2fは外部電極3bと電気的に接続されている。そして、内部電極層2a、2c、2eと内部電極層2b、2d、2fとの対向面間で静電容量を形成している。
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を詳述する。
まず、セラミック素原料として、Baを含有したBa化合物、Caを含有したCa化合物、Tiを含有したTi化合物を用意する。そしてこれらセラミック素原料を所定量秤量し、これら秤量物をPSZ(Partially Stabilized Zirconia:部分安定化ジルコニア)ボール等の粉砕媒体及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、乾燥させた後、950〜1150℃の温度で所定時間、仮焼処理を施し、これにより平均粒径0.1〜0.2μmのBa、Ca及びTiを含むペロブスカイト型化合物の主成分粉末を作製する(主相粒子の合成)。
次に、副成分粉末として、希土類元素を含有した希土類化合物、Siを含有したSi化合物、必要に応じてMgを含有したMg化合物、Mnを含有したMn化合物及びVを含有したV化合物を用意し、所定量秤量する。そして、これら秤量物を前記主成分粉末、粉砕媒体及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、混合し、乾燥処理を施し、これによりセラミック原料粉末を作製する。
尚、上記セラミック原料粉末の作製過程で、BaTiOを合成した後、Ca化合物、例えばCaCOを添加し、その後焼成しても、焼成前のセラミック原料粉末中にCaを均一乃至略均一に分散させるのが困難であり、このためCaが希土類元素やSiと結合する前に焼結が完了するおそれがある。
したがって、上述したようにBa、Ca、及びTiを含有した主成分粉末を作製した後、各種の副成分粉末を添加し、セラミック原料粉末を作製するのが好ましい。
次いで、上記セラミック原料粉末を有機バインダや有機溶剤、粉砕媒体と共にボールミルに投入して湿式混合し、セラミックスラリーを作製し、リップ法やドクターブレード法等によりセラミックスラリーに成形加工を施し、厚みが2μm程度又はそれ以下となるようにセラミックグリーンシートを作製する。
次いで、内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成する。
尚、内部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料としては、特に限定されるものではないが、低コスト化の観点からは、Ni、Cuやこれら合金を主成分とした卑金属材料を使用するのが好ましい。
次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。そしてこの後、温度300〜500℃で脱バインダ処理を行ない、さらに、酸素分圧が10-9〜10-12MPaに制御されたH−N−HOガスからなる還元性雰囲気下、所定の焼成プロファイルでもって焼成温度1100〜1300℃で約2時間焼成処理を行なう。これにより導電膜とセラミックグリーンシートとが共焼結され、内部電極2a〜2fが埋設されたセラミック素体1が得られる。
次に、セラミック素体1の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、600〜800℃の温度で焼付処理を行い、外部電極3a、3bを形成する。
尚、外部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料についても、特に限定されるものではないが、低コスト化の観点から、AgやCu、或いはこれらの合金を主成分とした材料を使用するのが好ましい。
また、外部電極3a、3bの形成方法としては、セラミック積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布した後、セラミック積層体と同時に焼成処理を施すようにしてもよい。
そして、最後に、電解めっきを施して外部電極3a、3bの表面にNi、Cu、Ni−Cu合金等からなる第1のめっき皮膜4a、4bを形成し、さらに該第1のめっき皮膜4a、4bの表面にはんだやスズ等からなる第2のめっき皮膜5a、5bを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
このように本積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層6a〜6gが、本発明の誘電体セラミックで形成されているので、誘電体セラミック層6a〜6gが1μm程度に薄層化されかつ20kV/mm以上の高電界が印加された場合であっても、十分な高温負荷寿命を得ることができ、高信頼性を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、異相粒子として第1及び第2の異相粒子について説明したが、上述した数式(1)を満足するのであれば、誘電体セラミック中には第1及び第2の異相粒子以外の異相粒子を含んでいてもよい。
また、Ba化合物、Ca化合物、Ti化合物等のセラミック素原料についても、炭酸塩や酸化物、硝酸塩、水酸化物、有機酸塩、アルコキシド、キレート化合物等、合成反応の形態に応じて適宜選択することができる。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
〔試料の作製〕
(試料番号1〜6)
セラミック素原料として、高純度のBaCO、CaCO、TiOを用意し、Caの置換モル量x及び配合モル比mが、表1となるように、これらセラミック素原料を秤量した。そしてこれら秤量物をPSZボール及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、乾燥させた後、1050℃の温度で約2時間、仮焼し、これにより平均粒径0.20μmの主成分粉末を作製した(主相粒子の合成)。
次に、副成分粉末としてY、SiO、MgO、MnCO、及びVを用意した。そして、主成分粉末に含まれるTi100モル部に対し、Y、Si、Mg、Mn、及びVの含有量が表1に示すモル部となるように、これらを秤量してボールミル内で湿式混合し、乾燥処理を施してセラミック原料粉末を得た。
尚、得られたセラミック原料粉末をICP(誘導結合プラズマ)発光分光分析法で分析したところ、表1に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
次いで、上記セラミック原料粉末をエタノールやポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤及びPSZボールと共にボールミルに投入して湿式混合し、これによりセラミックスラリーを作製し、さらにリップ法によりセラミックスラリーを成形し、厚みが1.5μmとなるようにセラミックグリーンシートを作製した。
次いで、Ni粉末を含有した内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成した。
次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製した。そしてこの後、窒素雰囲気下、350℃の温度で3時間、脱バインダ処理を行ない、さらに、酸素分圧が10-10MPaに制御されたH−N−HOガスからなる還元性雰囲気下、最高温度1220℃で約3時間焼成処理を行ない、これにより導電膜とセラミック材とが共焼結されて内部電極が埋設されたセラミック素体を作製した。
尚、焼成条件は、表1に示すような昇温速度、酸素分圧、最高温度保持時間に設定し、これにより異相粒子の生成を制御した。
次に、Cu粉末及びガラスフリットを含有した外部電極用導電性ペーストをセラミック素体の両端面に塗布し、窒素雰囲気下、800℃の温度で焼付処理を行い、外部電極を形成し、試料番号1〜6の各試料を作製した。
得られた各試料の誘電体セラミック層の厚みは1.2μmであり、外形寸法は、いずれも長さ:2.0mm、幅:1.2mm、厚み:1.0mm、誘電体セラミック層一層あたりの対向電極面積は2.8mm、有効積層数は5層であった。
尚、試料番号1〜6の各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体を溶剤により溶解し、ICP発光分光分析法で分析したところ、内部電極成分のNiを除いては、表1に示した調合組成と殆ど同一であることが確認された。
また、上記各試料の外部電極を除去した後、セラミック素体のXRD構造解析を行ったところ、ペロブスカイト型構造を有することが確認された。
(試料番号7、8)
セラミック素原料として、BaCO及びTiOを使用し、試料番号1〜6と同様の方法・手順で主成分粉末を作製した。
次いで、副成分粉末としてY、SiO、MgO、MnCO、及びVを使用し、試料番号1〜6と同様の方法・手順で、セラミック原料粉末を得た。
尚、得られたセラミック原料粉末をICP発光分光分析法で分析したところ、表1に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
そしてその後は、試料番号1〜6と同様の方法・手順で、試料番号7、8の各試料を作製した。
尚、試料番号7、8の各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体を溶剤により溶解し、ICP発光分光分析法で分析したところ、内部電極成分のNiを除いては、表1に示した調合組成と殆ど同一であることが確認された。
また、上記各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体のXRD構造解析を行ったところ、ペロブスカイト型構造を有することが確認された。
(試料番号9)
セラミック素原料として、BaCO及びTiOを使用し、試料番号1〜6と同様の方法・手順で主成分粉末を作製した。
次いで、副成分粉末としてY、SiO、MgO、MnCO、及びVに加えて、主成分に含まれるTi100モル部に対し1.0モル部のCaCOを添加した以外は、試料番号1〜6と同様の方法・手順で、セラミック原料粉末を得た。
尚、得られたセラミック原料粉末をICP発光分光分析法で分析したところ、表1に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
そしてその後は、試料番号1〜6と同様の方法・手順で、試料番号9の試料を作製した。
また、試料番号9の試料についても、外部電極を除去した後、セラミック素体を溶剤により溶解し、ICP発光分光分析法で分析したところ、内部電極成分のNiを除いては、表1に示した調合組成と殆ど同一であることが確認された。
さらに、上記試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体のXRD構造解析を行ったところ、ペロブスカイト型構造を有することが確認された。
表1は、試料番号1〜9の各試料について、主相粒子である(Ba1-xCaTiO中のx、m、及び副成分粉末として添加したY、Si、Mg、Mn、V、及びCaの各成分のTi100モル部に対する含有モル量(モル部)を示している。
Figure 0005761627
〔試料の評価〕
試料番号1〜9の各試料について、主相粒子及び異相粒子を同定し、高温負荷寿命を算出した。
(主相粒子及び異相粒子の同定)
試料番号1〜9の各試料について、イオンミリング法を使用し、厚みが40nm以下となるように薄片化し、観察断面を得た。
次いで、透過型電子顕微鏡(TEM)を使用し、各試料における粒子中央部分の観察断面において、該観察断面に対し垂直方向に複数の粒子が重なって存在していない粒子を抽出した。すなわち、本実施例においては、各試料における粒子中央部分の断面にてTEMでの観察、さらにこのTEMによる電子回折パターンを使用し、垂直方向に複数の粒子が重なって存在していないか否かを確認し、重なって存在していない粒子を抽出した。
次いで、エネルギー分散型X線分析装置(EDX)を使用し、抽出された粒子に対してTEM観察で各粒子のマッピング分析を行った。そして、各粒子を構成する元素種から、各粒子を主相粒子と主相粒子以外とに分類した。
次いで、上記主相粒子について、無作為に20個抽出し、各粒子の中央部分を対象にTEM−EDX分析を行った。その結果、試料番号1〜6では、Ba、Ti及びCaが検出され、試料番号7〜9では、Ba及びTiは検出されたが、Caは検出されなかった。
次に、上記主相粒子以外の粒子について、TEM画像を画像解析し、各粒子の粒界の内側部分の面積を求めて円相当径を算出し、この円相当径が0.1μm以上の粒子を抽出した。
次いで、上記抽出された粒子から100個の粒子を無作為に抽出し、各粒子の中央部分を対象にTEM-EDX分析を行った。そして、酸素(O)を除いた総原子量のうち、Ba及びTi以外の元素の占める割合がモル比換算で50%以上であって、Ca、Y及びSiを含有している粒子を第1の異相粒子とした。また、酸素(O)を除いた総原子量のうち、Ba及びTi以外の元素の占める割合がモル比換算で50%以上であって、Caを含まず、Y及びSiを含有している粒子を第2の異相粒子とした。次いで、第1の異相粒子の個数A及び第2の異相粒子の個数Bを計測し、両異相粒子の合計数に対する第2の異相粒子の個数Bの比率(B/(A+B))を求めた。
(高温負荷寿命の算出)
試料番号1〜9の各試料について、温度185℃で24V(20kV/mm)の直流電圧を印加し、絶縁抵抗が10Ω以下に低下した試料を不良と判断し、ワイブル・プロットにより高温負荷寿命を算出した。
表2は試料番号1〜9の各試料の焼成条件、異相粒子の同定結果、比率(B/(A+B))、及び高温負荷寿命の測定結果を示している。
Figure 0005761627
試料番号3〜5は、主相粒子はBaの一部をCaで置換したチタン酸バリウム系ペロブスカイト型化合物で形成されているが、B/(A+B)が0.15〜0.40となり、0.05を超えているため、高温負荷寿命も4〜10時間と短かった。また、焼成雰囲気の酸素分圧が高くなると、第2の異相粒子が生成され易くなることも分かった。
試料番号6は、試料番号3〜5と同様、主相粒子はBaの一部をCaで置換したチタン酸バリウム系ペロブスカイト型化合物で形成されているが、第1の異相粒子及び第2の異相粒子の双方とも生成されず、高温負荷寿命も12時間と短かった。これは、高温負荷寿命の低下をもたらす第2の異相粒子は生成されなかったものの、高温負荷寿命の向上に寄与する第1の異相粒子も生成されなかったため、所望の高温負荷寿命を得ることができなかったものと思われる。
試料番号7、8は、誘電体セラミック中にCaを含んでいないため、高温負荷寿命の向上に寄与する第1の異相粒子は生成されず、高温負荷寿命も2〜7時間と短かった。特に、試料番号7は、高温負荷寿命の低下を招く第2の異相粒子が生成されているため、高温負荷寿命は2時間と極端に短くなった。
試料番号9は、第1の異相粒子及び第2の異相粒子の双方を有し、焼成条件も後述する試料番号1と同様であるが、比率B/(A+B)が0.45となって0.05を超えており、このため高温負荷寿命も3時間と短かった。これは誘電体セラミック中にCaを含有しているものの、主相粒子中にCaを含有しておらず、Caを後添加で含有させているため、セラミック原料粉末中でCaが均一乃至略均一に分散せず、CaがYやSiと十分に結合する前に焼結が完了したためと思われる。
これに対し試料番号1及び2は、主相粒子がBaの一部をCaで置換したチタン酸バリウム系ペロブスカイト型化合物で形成され、かつ、比率(B/(A+B))が0.05以下であり、いずれも本発明範囲内であるので、高温負荷寿命が30時間以上となり、試料番号3〜9に比べ、高温負荷寿命が格段に向上し、良好な信頼性が得られることが分かった。
特に、試料番号1は、第2の異相粒子を含んでいないことから、試料番号2に比べても更に良好な高温負荷寿命が得られることが分かった。すなわち、第2の異相粒子は少なければ少ないほど、高温負荷寿命が向上することが確認された。
セラミック素原料として、高純度のBaCO、CaCO、TiOを用意し、Caの置換モル量x及び配合モル比mが表3となるようにこれらセラミック素原料を秤量した。そしてこれら秤量物をPSZボール及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、乾燥させた後、1000〜1200℃の温度で約2時間、仮焼し、これにより平均粒径0.20μmの主成分粉末を作製した(主相粒子の合成)。
次に、副成分粉末としてY、SiO、MgO、MnCO、及びVを用意した。そして、主相粒子に含まれるTi100モル部に対し、Y、Si、Mg、Mn、及びVの含有量が表3に示すモル部となるように、これらを秤量してボールミル内で湿式混合し、乾燥処理を施してセラミック原料粉末を得た。
尚、得られたセラミック原料粉末をICP発光分光分析法で分析したところ、表3に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
その後、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号11〜21の各試料を作製した。
尚、焼成条件は、いずれの試料についても昇温速度を20℃/minとし、酸素分圧3.1×10-10MPaのH−N−HOガスからなる還元性雰囲気中、最高温度を1220℃、最高温度保持時間を2時間として行った。
また、試料番号11〜21の各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体を溶剤により溶解し、ICP発光分光分析法で分析したところ、内部電極成分のNiを除いては、表3に示した調合組成と殆ど同一であることが確認された。
また、上記各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体のXRD構造解析を行ったところ、ペロブスカイト型構造を有することが確認された。
次いで、各試料について、実施例1と同様にして、観察断面における各粒子を主相粒子と主相粒子以外に分類した。
そして、主相粒子を無作為に20個抽出し、実施例1と同様の方法・手順でTEM−EDX分析を行い、主相粒子中に含まれるTi100モル部に対するCa量を調べたところ、20個の平均値は、表3に示した調合組成とほぼ同じであることが確認された。
次に、実施例1と同様の方法・手順で、主相粒子以外の粒子から第1の異相粒子及び第2の異相粒子を同定し、第1及び第2の異相粒子の総数(A+B)に対する第2の異相粒子の個数Bの比率(B/(A+B))を求めた。
さらに、第1の異相粒子について、粒子中央付近でTEM-EDX分析を行い、Ca、Y、及びSiの各含有量を測定し、モル比に換算し、Ca/(Ca+Y+Si)の値の平均値を求めた。
また、実施例1と同様の方法・手順で高温負荷寿命を求めた。
表3は、試料番号11〜21の各試料について、成分組成、B/(A+B)、第1の異相粒子のCa/(Ca+Y+Si)の値、高温負荷寿命を示している。
Figure 0005761627
試料番号12〜14、17、19、20は、主相粒子中のTi1モル部に対するCaの含有モル量が0.030〜0.152モル部(Ti100モル部に換算して3〜15.2モル部)となり、Ti100モル部に対して3〜16モル部の範囲であり、希土類元素であるYの含有モル量がTi100モル部に対し1.0〜4.0モル部となって1.0モル部以上であり、Siの含有量がTi100モル部に対し0.5〜2.5モル部であり、Ca/(Ca+Y+Si)も8.0〜19.7%となって8.0%以上であり、いずれも本発明の好ましい範囲であるので、高温負荷寿命は31〜49時間と良好な信頼性が得られた。
これに対し試料番号11は、Caの含有量がTi100モル部に対し2モル部となって3モル部未満であり、Ca/(Ca+Y+Si)が4.5%であるので、高温負荷寿命は20時間となり、実施例1の試料番号3〜9に比べると改善されているが、上記好ましい範囲の試料に比べ、高温負荷寿命は短くなった。これは主相粒子中のCa量が少ないため、上記好ましい範囲の試料に比べ、第1の異相粒子を十分に生成することができなかったためと思われる。
一方、試料番号15は、高温負荷寿命は15時間となり、実施例1の試料番号3〜9に比べると改善されているが、上記好ましい範囲の試料に比べ、高温負荷寿命は短くなった。これは、Ca含有量がTi100モル部に対し17.2モル部であり15モル部を超えているため、主相粒子のペロブスカイト型化合物の格子容積が小さくなり、このため希土類元素ReやSi等の副成分がBa、Ca及びTiを含むペロブスカイト型化合物に固溶しやすくなり、その結果粒成長の制御が困難となり、高温負荷寿命が低下したものと思われる。
また、試料番号16は、Yの含有量がTi100モル部に対し0.8モル部であり1.0モル部未満であるので、高温負荷寿命は13時間であり、実施例1の試料番号3〜9に比べると改善されているが、上記好ましい範囲の試料に比べ、高温負荷寿命は短くなった。これはYの含有モル量が少ないため、Y添加による酸素空孔の移動抑制効果を十分に得ることができなかったためと思われる。
また、試料番号18は、Ti100モル部に対するSi含有量が0.4モル部であり、0.5モル部未満であるので、高温負荷寿命は18時間であり、実施例1の試料番号3〜9に比べると改善されているが、上記好ましい範囲の試料に比べ、高温負荷寿命は短くなった。これは焼結助剤としても作用するSi成分の含有量が少ないため、十分に緻密化させることができず、電界が局所的に集中してしまったためと思われる。
また、試料番号21は、Ti100モル部に対するSi含有量が3.0モル部であり、2.5モル部を超えており、Ca/(Ca+Y+Si)が4.5%であるので、高温負荷寿命は21時間であり、実施例1の試料番号3〜9に比べると改善されているが、上記好ましい範囲の試料に比べ、高温負荷寿命は短くなった。
セラミック素原料として、高純度のBaCO、CaCO、TiOを用意し、Caの置換モル量がx及び配合モル比mが、表4となるように、これらセラミック素原料を秤量した。そしてこれら秤量物をPSZボール及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、乾燥させた後、1000〜1200℃の温度で約2時間、仮焼し、これにより平均粒径0.20μmの主成分粉末を作製した。
次に、希土類酸化物Re(Re:Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYb)を用意し、さらにSiO、MgO、MnCO、及びVを用意した。そして、主成分粉末中のTi100モル部に対し、希土類元素Re、Si、Mg、Mn及びVの含有量が表4に示すモル部となるように、これらを秤量してボールミル内で湿式混合し、乾燥処理を施してセラミック原料粉末を得た。
尚、得られたセラミック原料粉末をICP発光分光分析法で分析したところ、表4に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
その後は、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号31〜37の各試料を作製した。
尚、焼成条件は、いずれの試料についても昇温速度を20℃/minとし、酸素分圧3.1×10-10MPaのH−N−HOガスからなる還元性雰囲気中、最高温度を1220℃とし、最高温度保持時間を2時間として行った。
また、試料番号31〜37の各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体を溶剤により溶解し、ICP発光分光分析法で分析したところ、内部電極成分のNiを除いては、表4に示した調合組成と殆ど同一であることが確認された。
また、上記各試料について、外部電極を除去した後、セラミック素体のXRD構造解析を行ったところ、ペロブスカイト型構造を有することが確認された。
次いで、各試料について、実施例1と同様にして、観察断面における各粒子を主相粒子と主相粒子以外とに分類した。
そして、主相粒子を無作為に20個抽出し、実施例1と同様にしてTEM−EDX分析を行い、主相粒子中に含まれるTi100モル部に対するCa量を調べたところ、20個の平均値は、表4に示した調合組成とほぼ同じであることが確認された。
さらに、実施例1と同様の方法・手順で、主相粒子以外の粒子から第1の異相粒子及び第2の異相粒子を同定し、第1及び第2の異相粒子の総数(A+B)に対する第2の異相粒子の個数Bの比率(B/(A+B))を求めた。
また、実施例2と同様の方法・手順で、粒子中央付近でTEM-EDX分析を行い、Ca、希土類元素Re、及びSiの含有量を測定し、モル比に換算し、Ca/(Ca+Re+Si)の値の平均値を求めた。
また、実施例1と同様の方法・手順で高温負荷寿命を算出した。
表4は、試料番号31〜37の成分組成、B/(A+B)、第1の異相粒子のCa/(Ca+Re+Si)の値、及び高温負荷寿命を示している。
Figure 0005761627
試料番号31〜37から明らかなように、Y以外のGd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYb等の希土類元素についても、Ca/(Ca+Re+Si)はモル比換算で8.0%以上であり、Yと略同様(表3、試料番号17参照)、30時間以上の高温負荷寿命を確保できることが確認された。
誘電体セラミック層の厚みが1μm程度の薄層でかつ20kV/mm以上の高電界を印加しても高温雰囲気で十分な高温負荷寿命を得ることができる。
1 セラミック素体
2a〜2f 内部電極層
6a〜6g 誘電体セラミック層(誘電体層)

Claims (8)

  1. Ba、Ca及びTiを含むペロブスカイト型化合物を有する主相粒子を主成分とし、Ca、希土類元素、及びSiを含有した第1の異相粒子を少なくとも含み、
    Caを含有せず希土類元素及びSiを含有した第2の異相粒子が、前記第1の異相粒子及び前記第2の異相粒子の各個数の総計に対する前記第2の異相粒子の個数の比率に換算し、0.05以下(0を含む。)であることを特徴とする誘電体セラミック。
  2. 前記主相粒子に含まれるCaは、該主相粒子の少なくとも中央部分に存在していることを特徴とする請求項1記載の誘電体セラミック。
  3. 前記希土類元素は、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選択された少なくとも1種以上を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の誘電体セラミック。
  4. 前記第1の異相粒子は、Ca、希土類元素及びSiの含有量総計に対する前記Caの含有量が、モル比換算で8%以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の誘電体セラミック。
  5. 前記主相粒子に含まれるCaの含有量は、前記主相粒子に含まれるTi100モル部に対し3〜16モル部であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の誘電体セラミック。
  6. 前記希土類元素の含有量は、Ti100モル部に対し1.0モル部以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の誘電体セラミック。
  7. 前記Siの含有量は、Ti100モル部に対し0.5〜2.5モル部であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の誘電体セラミック。
  8. 誘電体層と内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサにおいて、
    前記誘電体層が、請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の誘電体セラミックで形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
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