JP6745836B2 - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11、21、41 フレキシブル回路板
111、211、311、411 フレキシブル基板
112 薄膜配線
113 電気的接続パッド
114 導電体
12、22、32 薄膜素子
13、23、33 表面実装素子
131、132 電極
24 保護層
25 感知画素アレイ
34 走査駆動回路
35 データ駆動回路
9 硬質キャリア基板
91 接着層
A1 作動領域
A2 周辺領域
B 青色
C キャパシタ
d 厚さ
D1、D2、D3 データ線
G 緑色
M スイッチングトランジスタ
M1、T1 第1端
M2、T2 第2端
P1、P2、P3 画素
R 赤色
S01ないしS06 ステップ
S1、S2、S3 走査線
T 駆動トランジスタ
VS 電源
Claims (13)
- 作動領域を有するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板上に設けられる複数の薄膜配線と、前記フレキシブル基板上に設けられるとともにこれら前記薄膜配線に電気的に接続されており、厚さが2〜20μmである複数の電気的接続パッドと、を有するフレキシブル回路板と、
前記フレキシブル基板上に設けられるとともに前記作動領域に位置して、これら前記薄膜配線に電気的に接続される複数の薄膜素子と、
前記フレキシブル基板上に設けられるとともに前記作動領域に位置して、それぞれハンダを介してこれら前記電気的接続パッドに接続される複数の電極を有し、これら前記電気的接続パッド及びこれら前記薄膜配線を介してこれら前記薄膜素子に電気的に接続される複数の表面実装素子と、を備え、
これら前記薄膜素子とこれら前記表面実装素子とで画素アレイを形成することを特徴とする、電子装置。 - 前記フレキシブル基板は、ガラス転移温度が400℃ないし600℃である有機高分子材料を含む、請求項1に記載の電子装置。
- 前記薄膜配線の線幅が1〜10μmである、請求項1に記載の電子装置。
- 前記薄膜素子は半導体素子である、請求項1に記載の電子装置。
- 前記フレキシブル基板は作動領域と周辺領域とを有しており、前記薄膜素子は前記作動領域に位置し、前記表面実装素子は前記周辺領域に位置して、前記薄膜素子を駆動するのに用いられる、請求項1に記載の電子装置。
- 前記薄膜素子の個数は複数であり、前記薄膜素子が感知画素アレイを形成する、請求項5に記載の電子装置。
- 前記薄膜素子は少なくとも一つの薄膜トランジスタを有し、前記表面実装素子は少なくとも一つの発光ダイオードチップを有する、請求項1に記載の電子装置。
- 作動領域を有するフレキシブル基板を硬質キャリア基板上に形成するステップと、
複数の薄膜素子を前記フレキシブル基板上に形成するとともに前記作動領域に位置するステップと、
これら前記薄膜素子に電気的に接続される且つ薄膜で作られる複数の薄膜配線を前記フレキシブル基板上に形成するステップと、
厚さが2〜20μmである複数の電気的接続パッドを前記フレキシブル基板上に形成するとともに前記作動領域に位置して、これら前記薄膜配線に電気的に接続するステップと、
これら前記電気的接続パッドにハンダを設けるステップと、
これら前記電気的接続パッド及びこれら前記薄膜配線を介してこれら前記薄膜素子に電気的に接続される且つそれぞれ前記ハンダを介してこれら前記電気的接続パッドに接続される複数の電極を有する複数の表面実装素子を前記フレキシブル基板上に形成するとともに前記作動領域に位置して、これら前記薄膜素子とこれら前記表面実装素子とで画素アレイを形成する、ステップと、
前記硬質キャリア基板を除去するステップと、を含むことを特徴とする、電子装置の製造方法。 - 前記フレキシブル基板はガラス転移温度が400℃ないし600℃である有機高分子材料を含む、請求項8に記載の製造方法。
- 前記フレキシブル基板は、接着接合又は塗布方式で設けられるとともに、硬化後に前記硬質キャリア基板上に形成される、請求項8に記載の製造方法。
- 前記電気的接続パッドは電気めっき、プリント又は蒸着剥離パターンニング製造工程で製作してなる、請求項8に記載の製造方法。
- 前記薄膜配線は銅箔を圧着した後にエッチング又は薄膜製造工程により形成される、請求項8に記載の製造方法。
- 前記薄膜製造工程は低温ポリシリコン製造工程、アモルファスシリコン製造工程又は金属酸化物半導体の製造工程を含む、請求項12に記載の製造方法。
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